KR20080114785A - 벤조안트라센 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기 발광 소자 - Google Patents

벤조안트라센 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기 발광 소자 Download PDF

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이데미쓰 고산 가부시키가이샤
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Abstract

12위에 수소 원자를 갖는 신규한 벤조안트라센 유도체, 및 음극과 양극 사이에 적어도 발광층을 포함하는 1층 또는 복수층으로 이루어지는 유기 박막층이 개재되어 있는 유기 전기발광 소자에 있어서, 상기 유기 박막층의 적어도 1층이, 상기 벤조안트라센 유도체를 단독 또는 혼합물의 성분으로서 함유하는 것에 의해서, 고발광 효율이고, 장수명이며, 색도가 양호한 유기 전기발광 소자를 제공하며, 또 본 발명의 유기 전기발광 소자에 이용되는 발광 재료를 제공한다.

Description

벤조안트라센 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기 발광 소자{BENZANTHRACENE DERIVATIVE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 12위에 수소 원자를 갖는 벤조안트라센 유도체, 및 그것을 이용한 유기 전기발광(EL) 소자에 관한 것으로, 더 상세하게는, 12위에 수소 원자를 갖는 벤조안트라센 유도체, 및 그것을 이용하는 것에 의해 발광의 색도(色度)를 개선한 유기 EL 소자에 관한 것이다.`
유기 전기발광 소자(이하, 전기발광을 EL이라고 약기하는 경우가 있음)는, 전계를 인가함으로써, 양극으로부터 주입된 정공과 음극으로부터 주입된 전자의 재결합 에너지에 의해 형광성 물질이 발광하는 원리를 이용한 자(自)발광 소자이다. 이스트만 코닥사의 C. W. Tang 등에 의한 적층형 소자에 의한 저전압 구동 유기 EL 소자의 보고(C. W. Tang, S. A. Vanslyke, 어플라이드 피직스 레터즈(Applied Physics Letters), 51권, 913페이지, 1987년 등)가 있은 이래, 유기 재료를 구성 재료로 하는 유기 EL 소자에 관한 연구가 활발하게 행해지고 있다. Tang 등은, 트리스(8-퀴놀린올라토)알루미늄을 발광층으로, 트라이페닐다이아민 유도체를 정공 수송층으로 이용하고 있다. 적층 구조의 이점으로서는, 발광층으로의 정공의 주입 효율을 높이는 것, 음극으로부터 주입된 전자를 블럭하여 재결합에 의해 생성되는 여기자의 생성 효율을 높이는 것, 발광층 내에서 생성한 여기자를 가두는 것 등을 들 수 있다. 이 예와 같이 유기 EL 소자의 소자 구조로서는, 정공 수송(주입)층, 전자 수송 발광층의 2층형, 또는 정공 수송(주입)층, 발광층, 전자 수송(주입)층의 3층형 등이 잘 알려져 있다. 이러한 적층형 구조 소자에서는, 주입된 정공과 전자의 재결합 효율을 높이는 위해서, 소자 구조나 형성 방법의 연구가 이루어지고 있다.
또한, 발광 재료로서는 트리스(8-퀴놀린올라토)알루미늄 착체 등의 킬레이트 착체, 쿠마린 유도체, 테트라페닐뷰타다이엔 유도체, 비스스타이릴아릴렌 유도체, 옥사다이아졸 유도체 등의 발광 재료가 알려져 있으며, 그들로부터는 청색부터 적색까지의 가시 영역의 발광이 얻어지는 것이 보고되어 있어, 컬러 표시 소자의 실현이 기대되고 있다(예컨대, 특허 문헌 1, 특허 문헌 2, 특허 문헌 3 등).
또한, 발광 재료로서 12위에 방향족 탄화수소 고리를 갖는 벤조안트라센 유도체가 특허 문헌 4에 개시되어 있다. 이러한 벤조안트라센 유도체는 청색 발광 재료로서 사용되지만, 소자 수명이 충분하지 않고, 색도가 양호하지 않다는 결점을 갖고 있었다.
특허 문헌 1 : 일본 특허 공개 평성 제8-239655호 공보
특허 문헌 2 : 일본 특허 공개 평성 제7-138561호 공보
특허 문헌 3 : 일본 특허 공개 평성 제3-200289호 공보
특허 문헌 4 : 일본 특허 공개 제2000-178548호 공보
발명의 개시
발명이 해결하고자 하는 과제
본 발명은, 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 색도가 양호한 유기 EL 소자를 제공하는 것, 또 본 발명의 유기 EL 소자에 사용되는 발광 재료로서 특히 바람직한 12위에 수소 원자를 갖는 벤조안트라센 유도체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
과제를 해결하기 위한 수단
본 발명자 등은, 상기 목적을 달성하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, 하기 화학식 1~(4)로 나타내어지는 12위에 수소 원자를 갖는 벤조안트라센 유도체를 발광 재료로서 이용하면, 고발광 효율이고, 장수명(長壽命)이고, 색도가 양호한 유기 EL 소자를 제작하는 것이 가능하다는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하는 것에 이르렀다.
즉, 본 발명은, 하기 화학식 1로 표시되는 12위에 수소 원자를 갖는 벤조안트라센 유도체를 제공하는 것이다.
Figure 112008069289646-PCT00001
[상기 식에서, R1~R10은 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 또는 무(無)치환의 핵탄소수 6~50의 방향족 탄화수소 고리기, 치환 또는 무치환의 핵원자수 5~50의 방향족 헤테로고리기, 치환 또는 무치환의 탄소수 1~50의 알킬기, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 3~50의 사이클로알킬기, 치환 또는 무치환의 탄소수 1~50의 알콕시기, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~50의 아르알킬기, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 5~50의 아릴옥시기, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 5~50의 아릴싸이오기, 치환 또는 무치환의 탄소수 1~50의 알콕시카보닐기, 치환 또는 무치환의 탄소수 1~50의 실릴기, 카복실기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기, 또는 하이드록실기이다.
L은 연결기이며, 단일 결합, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~50의 2가의 방향족 탄화수소 고리기, 치환 또는 무치환의 핵원자수 5~50의 2가의 방향족 헤테로고리기, 치환 또는 무치환의 플루오렌일렌기, 또는, 치환 또는 무치환의 카바졸릴렌기이다.
n은 1~4의 정수이다. n이 2 이상의 정수일 때, L은 각각 동일하더라도 다르더라도 좋다.
Ar은 단일 결합, 수소 원자, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~50의 방향족 탄화수소 고리기, 치환 또는 무치환의 핵원자수 5~50의 방향족 헤테로고리기, 플루오렌일기, 또는 카바졸릴기이다.
m은 1~4의 정수이다. m이 2이상의 정수일 때, 복수의 R1~R10 및 L은 각각 동일하더라도 다르더라도 좋다.]
또한, 본 발명은, 양극과 음극 사이에 적어도 발광층을 포함하는 1층 또는 복수층으로 이루어지는 유기 박막층이 개재되어 있는 유기 전기발광 소자에 있어서, 상기 유기 박막층이 상기 12위에 수소 원자를 갖는 벤조안트라센 유도체를 단독 또는 혼합물의 성분으로서 함유하는 유기 전기발광 소자를 제공하는 것이다.
발명의 효과
본 발명의 상기 12위에 수소 원자를 갖는 벤조안트라센 유도체를 함유하는 유기 EL 소자는 고발광 효율이고, 장수명이며, 색도가 양호한 유기 EL 소자를 제작하는 것이 가능하다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
본 발명의 12위에 수소 원자를 갖는 벤조안트라센 유도체는, 하기 화학식 1로 표시되는 것이다.
[화학식 1]
Figure 112008069289646-PCT00002
화학식 1에 있어서, R1~R10은 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~50의 방향족 탄화수소 고리기, 치환 또는 무치환의 핵원자수 5~50의 방향족 헤테로고리기, 치환 또는 무치환의 탄소수 1~50의 알킬기, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 3~50의 사이클로알킬기, 치환 또는 무치환의 탄소수 1~50의 알콕시기, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~50의 아르알킬기, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 5~50의 아릴옥시기, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 5~50의 아릴싸이오기, 치환 또는 무치환의 탄소수 1~50의 알콕시카보닐기, 치환 또는 무치환의 탄소수 1~50의 실릴기, 카복실기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기, 또는 하이드록실기이다.
L은 연결기이며, 단일 결합, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~50의 2가의 방향족 탄화수소 고리기, 치환 또는 무치환의 핵원자수 5~50의 2가의 방향족 헤테로고리기, 치환 또는 무치환의 플루오렌일렌기, 또는, 치환 또는 무치환의 카바졸릴렌기이다.
n은 1~4의 정수이다. n이 2 이상의 정수일 때, L은 각각 동일하더라도 다르더라도 좋다.
Ar은 단일 결합, 수소 원자, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~50의 방향족 탄화수소 고리기, 치환 또는 무치환의 핵원자수 5~50의 방향족 헤테로고리기, 플루오렌일기, 또는 카바졸릴기이다.
m은 1~4의 정수이며, 바람직하게는 1~3의 정수이다. m이 2 이상의 정수일 때, 복수의 R1~R10 및 L은 각각 동일하더라도 다르더라도 좋다.
화학식 1로 표시되는 12위에 수소 원자를 갖는 벤조안트라센 유도체는, 바람직하게는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물이다.
Figure 112008069289646-PCT00003
화학식 2에 있어서, R1~R10, L 및 n은 각각 독립적으로 화학식 1에서의 것과 같다. Ar은 수소 원자, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~50의 방향족 탄화수소 고리기, 치환 또는 무치환의 핵원자수 5~50의 방향족 헤테로고리기, 플루오렌일기, 또는 카바졸릴기이다.
화학식 1로 표시되는 12위에 수소 원자를 갖는 벤조안트라센 유도체는, 바람직하게는 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물이다.
Figure 112008069289646-PCT00004
화학식 3에 있어서, R1~R20은 각각 독립적으로 화학식 1에서의 R1~R10과 같다. L 및 n은 각각 독립적으로 화학식 1에서의 것과 같다.
화학식 1로 표시되는 12위에 수소 원자를 갖는 벤조안트라센 유도체는, 바람직하게는 하기 화학식 4로 표시되는 화합물이다.
Figure 112008069289646-PCT00005
화학식 4에 있어서, R1~R30은 각각 독립적으로 화학식 1에서의 R1~R10과 같다. L은 화학식 1에서의 것과 같다. q, r 및 s는 각각 독립적으로 화학식 1에서의 n과 같다. Ar은 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~50의 방향족 탄화수소 고리기, 치환 또는 무치환의 핵원자수 5~50의 방향족 헤테로고리기, 플루오렌일기, 또는 카바졸릴기이다.
R1~R30의 치환 또는 무치환의 방향족 탄화수소 고리기로서는, 예컨대, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트릴기, 2-안트릴기, 9-안트릴기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기, 9-페난트릴기, 1-나프타센일기, 2-나프타센일기, 9-나프타센일기, 1-피렌일기, 2-피렌일기, 4-피렌일기, 2-바이페닐일기, 3-바이페닐일기, 4-바이페닐일기, p-터페닐-4-일기, p-터페닐-3-일기, p-터페닐-2-일기, m-터페닐-4-일기, m-터페닐-3-일기, m-터페닐-2-일기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, p-t-뷰틸페닐기, p-(2-페닐프로필)페닐기, 3-메틸-2-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기, 4-메틸-1-안트릴기, 4'-메틸바이페닐일기, 4"-t-뷰틸-p-터페닐-4-일기 등을 들 수 있다.
이들 중에서도 바람직하게는, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 9-(10-페닐)안트릴기, 9-(10-나프틸-1-일)안트릴기, 9-(10-나프틸-2-일)안트릴기, 9-페난트릴기, 1-피렌일기, 2-피렌일기, 4-피렌일기, 2-바이페닐일기, 3-바이페닐일기, 4-바이페닐일기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, p-t-뷰틸페닐기이다.
R1~R30의 치환 또는 무치환의 방향족 헤테로고리기의 예로서는, 1-피롤릴기, 2-피롤릴기, 3-피롤릴기, 피라딘일기, 2-피리딘일기, 3-피리딘일기, 4-피리딘일기, 1-인돌릴기, 2-인돌릴기, 3-인돌릴기, 4-인돌릴기, 5-인돌릴기, 6-인돌릴기, 7-인 돌릴기, 1-아이소인돌릴기, 2-아이소인돌릴기, 3-아이소인돌릴기, 4-아이소인돌릴기, 5-아이소인돌릴기, 6-아이소인돌릴기, 7-아이소인돌릴기, 2-퓨릴기, 3-퓨릴기, 2-벤조퓨란일기, 3-벤조퓨란일기, 4-벤조퓨란일기, 5-벤조퓨란일기, 6-벤조퓨란일기, 7-벤조퓨란일기, 1-아이소벤조퓨란일기, 3-아이소벤조퓨란일기, 4-아이소벤조퓨란일기, 5-아이소벤조퓨란일기, 6-아이소벤조퓨란일기, 7-아이소벤조퓨란일기, 퀴놀릴기, 3-퀴놀릴기, 4-퀴놀릴기, 5-퀴놀릴기, 6-퀴놀릴기, 7-퀴놀릴기, 8-퀴놀릴기, 1-아이소퀴놀릴기, 3-아이소퀴놀릴기, 4-아이소퀴놀릴기, 5-아이소퀴놀릴기, 6-아이소퀴놀릴기, 7-아이소퀴놀릴기, 8-아이소퀴놀릴기, 2-퀴녹살린일기, 5-퀴녹살린일기, 6-퀴녹살린일기, 1-카바졸릴기, 2-카바졸릴기, 3-카바졸릴기, 4-카바졸릴기, 9-카바졸릴기, 1-페난트라이딘일기, 2-페난트라이딘일기, 3-페난트라이딘일기, 4-페난트라이딘일기, 6-페난트라이딘일기, 7-페난트라이딘일기, 8-페난트라이딘일기, 9-페난트라이딘일기, 10-페난트라이딘일기, 1-아크리딘일기, 2-아크리딘일기, 3-아크리딘일기, 4-아크리딘일기, 9-아크리딘일기, 1,7-페난트롤린-2-일기, 1,7-페난트롤린-3-일기, 1,7-페난트롤린-4-일기, 1,7-페난트롤린-5-일기, 1,7-페난트롤린-6-일기, 1,7-페난트롤린-8-일기, 1,7-페난트롤린-9-일기, 1,7-페난트롤린-10-일기, 1,8-페난트롤린-2-일기, 1,8-페난트롤린-3-일기, 1,8-페난트롤린-4-일기, 1,8-페난트롤린-5-일기, 1,8-페난트롤린-6-일기, 1,8-페난트롤린-7-일기, 1,8-페난트롤린-9-일기, 1,8-페난트롤린-10-일기, 1,9-페난트롤린-2-일기, 1,9-페난트롤린-3-일기, 1,9-페난트롤린-4-일기, 1,9-페난트롤린-5-일기, 1,9-페난트롤린-6-일기, 1,9-페난트롤린-7-일기, 1,9-페난트롤린-8-일기, 1,9-페난트롤린-10-일기, 1,10-페 난트롤린-2-일기, 1,10-페난트롤린-3-일기, 1,10-페난트롤린-4-일기, 1,10-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-1-일기, 2,9-페난트롤린-3-일기, 2,9-페난트롤린-4-일기, 2,9-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-6-일기, 2,9-페난트롤린-7-일기, 2,9-페난트롤린-8-일기, 2,9-페난트롤린-10-일기, 2,8-페난트롤린-1-일기, 2,8-페난트롤린-3-일기, 2,8-페난트롤린-4-일기, 2,8-페난트롤린-5-일기, 2,8-페난트롤린-6-일기, 2,8-페난트롤린-7-일기, 2,8-페난트롤린-9-일기, 2,8-페난트롤린-10-일기, 2,7-페난트롤린-1-일기, 2,7-페난트롤린-3-일기, 2,7-페난트롤린-4-일기, 2,7-페난트롤린-5-일기, 2,7-페난트롤린-6-일기, 2,7-페난트롤린-8-일기, 2,7-페난트롤린-9-일기, 2,7-페난트롤린-10-일기, 1-페나진일기, 2-페나진일기, 1-페노싸이아진일기, 2-페노싸이아진일기, 3-페노싸이아진일기, 4-페노싸이아진일기, 10-페노싸이아진일기, 1-페녹사진일기, 2-페녹사진일기, 3-페녹사진일기, 4-페녹사진일기, 10-페녹사진일기, 2-옥사졸릴기, 4-옥사졸릴기, 5-옥사졸릴기, 2-옥사다이아졸릴기, 5-옥사다이아졸릴기, 3-퓨라잔일기, 2-싸이엔일기, 3-싸이엔일기, 2-메틸피롤-1-일기, 2-메틸피롤-3-일기, 2-메틸피롤-4-일기, 2-메틸피롤-5-일기, 3-메틸피롤-1-일기, 3-메틸피롤-2-일기, 3-메틸피롤-4-일기, 3-메틸피롤-5-일기, 2-t-뷰틸피롤-4-일기, 3-(2-페닐프로필)피롤-1-일기, 2-메틸-1-인돌릴기, 4-메틸-1-인돌릴기, 2-메틸-3-인돌릴기, 4-메틸-3-인돌릴기, 2-t-뷰틸1-인돌릴기, 4-t-뷰틸1-인돌릴기, 2-t-뷰틸3-인돌릴기, 4-t-뷰틸3-인돌릴기 등을 들 수 있다.
R1~R30의 치환 또는 무치환의 알킬기의 예로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, s-뷰틸기, 아이소뷰틸기, t-뷰틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 하이드록시메틸기, 1-하이드록시에틸기, 2-하이드록시에틸기, 2-하이드록시아이소뷰틸기, 1,2-다이하이드록시에틸기, 1,3-다이하이드록시아이소프로필기, 2,3-다이하이드록시-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이하이드록시프로필기, 클로로메틸기, 1-클로로에틸기, 2-클로로에틸기, 2-클로로아이소뷰틸기, 1,2-다이클로로에틸기, 1,3-다이클로로아이소프로필기, 2,3-다이클로로-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이클로로프로필기, 브로모메틸기, 1-브로모에틸기, 2-브로모에틸기, 2-브로모아이소뷰틸기, 1,2-다이브로모에틸기, 1,3-다이브로모아이소프로필기, 2,3-다이브로모-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이브로모프로필기, 아이오도메틸기, 1-아이오도에틸기, 2-아이오도에틸기, 2-아이오도아이소뷰틸기, 1,2-다이아이오도에틸기, 1,3-다이아이오도아이소프로필기, 2,3-다이아이오도-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이아이오도프로필기, 아미노메틸기, 1-아미노에틸기, 2-아미노에틸기, 2-아미노아이소뷰틸기, 1,2-다이아미노에틸기, 1,3-다이아미노아이소프로필기, 2,3-다이아미노-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이아미노프로필기, 사이아노메틸기, 1-사이아노에틸기, 2-사이아노에틸기, 2-사이아노아이소뷰틸기, 1,2-다이사이아노에틸기, 1,3-다이사이아노아이소프로필기, 2,3-다이사이아노-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이사이아노프로필기, 나이트로메틸기, 1-나이트로에틸기, 2-나이트로에틸기, 2-나이트로아이소뷰틸기, 1,2-다이나이트로에틸기, 1,3-다이나이트로아이소프로필기, 2,3-다이나이트로-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이나이트로프로필기 등을 들 수 있다.
R1~R30의 치환 또는 무치환의 사이클로알킬기의 예로서는, 예컨대, 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 4-메틸사이클로헥실기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기, 1-노보닐기, 2-노보닐기 등을 들 수 있다.
R1~R30의 알콕시기는 -OY로 표시되는 기이며, Y의 예로서는, 상기 알킬기와 같은 예를 들 수 있다.
R1~R30의 치환 또는 무치환의 아르알킬기의 예로서는, 벤질기, 1-페닐에틸기, 2-페닐에틸기, 1-페닐아이소프로필기, 2-페닐아이소프로필기, 페닐-t-뷰틸기, α-나프틸메틸기, 1-α-나프틸에틸기, 2-α-나프틸에틸기, 1-α-나프틸아이소프로필기, 2-α-나프틸아이소프로필기, β-나프틸메틸기, 1-β-나프틸에틸기, 2-β-나프틸에틸기, 1-β-나프틸아이소프로필기, 2-β-나프틸아이소프로필기, 1-피롤릴메틸기, 2-(1-피롤릴)에틸기, p-메틸벤질기, m-메틸벤질기, o-메틸벤질기, p-클로로벤질기, m-클로로벤질기, o-클로로벤질기, p-브로모벤질기, m-브로모벤질기, o-브로모벤질기, p-아이오도벤질기, m-아이오도벤질기, o-아이오도벤질기, p-하이드록시벤질기, m-하이드록시벤질기, o-하이드록시벤질기, p-아미노벤질기, m-아미노벤질기, o-아미노벤질기, p-나이트로벤질기, m-나이트로벤질기, o-나이트로벤질기, p-사이아노벤질기, m-사이아노벤질기, o-사이아노벤질기, 1-하이드록시-2-페닐아이소프로필기, 1-클로로-2-페닐아이소프로필기 등을 들 수 있다.
R1~R30의 치환 또는 무치환의 아릴옥시기는 -OY'으로 표시되며, Y'의 예로서 는 상기 아릴기 및 방향족 헤테로고리기와 같은 것을 들 수 있다.
R1~R30의 치환 또는 무치환의 아릴싸이오기는 -SY'으로 표시되며, Y'의 예로서는, 상기 아릴옥시기의 Y'와 같은 예를 들 수 있다.
R1~R30의 치환 또는 무치환의 알콕시카보닐기는 -COOZ로 표시되며, Z의 예로서는, 상기 알킬기와 같은 예를 들 수 있다.
R1~R30의 치환 또는 무치환의 실릴기로서는, 예컨대, 트라이메틸실릴기, 트라이에틸실릴기, t-뷰틸다이메틸실릴기, 바이닐다이메틸실릴기, 프로필다이메틸실릴기, 트라이페닐실릴기 등을 들 수 있으며, 모두 치환되어 있더라도 무방하다.
R1~R30의 할로젠 원자로서는, 불소, 염소, 브롬, 요오드 등을 들 수 있다.
화학식 1~4에 있어서, L은 연결기이며, 단일 결합, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~50의 2가의 방향족 탄화수소 고리기, 치환 또는 무치환의 핵원자수 5~50의 2가의 방향족 헤테로고리기, 치환 또는 무치환의 플루오렌일렌기, 또는 치환 또는 무치환의 카바졸릴렌기이다.
L의 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~50의 2가의 방향족 탄화수소 고리기의 예로서는, 상기 R1~R30의 방향족 탄화수소기로부터 수소 원자 1개를 더 제거하여 생기는 2가기를 들 수 있으며, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 나프타센, 크라이센, 피렌 등으로부터 생기는 2가기가 바람직하다.
L의 치환 또는 무치환의 핵원자수 5~50의 2가의 방향족 헤테로고리 잔기의 예로서는, 상기 R1~R30의 방향족 헤테로고리기로부터 수소 원자 1개를 더 제거하여 생기는 2가기를 들 수 있으며, 피롤, 피리딘, 인돌, 아이소인돌, 퀴놀린, 카바졸, 페난트롤린, 싸이오펜, 퓨란, 벤조싸이오펜, 벤조퓨란, 벤조이미다졸, 다이벤조싸이오펜, 다이벤조퓨란 등으로부터 생기는 2가기가 바람직하다.
n은 1~4의 정수이다. n이 2 이상의 정수일 때, L은 각각 동일하더라도 다르더라도 좋다.
화학식 1에 있어서, Ar은 단일 결합, 수소 원자, 치환 또는 무치환의 방향족 탄화수소 고리기, 치환 또는 무치환의 방향족 헤테로고리기, 플루오렌일기, 또는 카바졸릴기이다. 화학식 2에 있어서의 Ar은 수소 원자, 치환 또는 무치환의 방향족 탄화수소 고리기, 치환 또는 무치환의 방향족 헤테로고리기, 플루오렌일기, 또는 카바졸릴기이다. 화학식 4에 있어서의 Ar은 치환 또는 무치환의 방향족 탄화수소 고리기, 치환 또는 무치환의 방향족 헤테로고리기, 플루오렌일기, 또는 카바졸릴기이다.
Ar의 치환 또는 무치환의 2가의 방향족 탄화수소 고리 잔기의 예로서는, L에서의 예와 같이, 상기 R1~R30의 방향족 탄화수소기로부터 수소 원자 1개를 더 제거하여 생기는 2가기를 들 수 있으며, 바람직한 예도 마찬가지이다.
Ar의 치환 또는 무치환의 2가의 방향족 헤테로고리 잔기의 예로서는, L에서의 예와 같이, 상기 R1~R30의 방향족 헤테로고리기로부터 수소 원자 1개를 더 제거하여 생기는 2가기를 들 수 있으며, 바람직한 예도 마찬가지이다.
m은 1~4의 정수이고, 바람직하게는 1~3의 정수이다. m이 2 이상의 정수일 때, 복수의 R1~R30 및 L은 각각 동일하더라도 다르더라도 좋다.
또한, 상기 R1~R30 및 Ar의 치환기로서는, 예컨대, 알킬기(메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, s-뷰틸기, 아이소뷰틸기, t-뷰틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 하이드록시메틸기, 1-하이드록시에틸기, 2-하이드록시에틸기, 2-하이드록시아이소뷰틸기, 1,2-다이하이드록시에틸기, 1,3-다이하이드록시아이소프로필기, 2,3-다이하이드록시-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이하이드록시프로필기, 클로로메틸기, 1-클로로에틸기, 2-클로로에틸기, 2-클로로아이소뷰틸기, 1,2-다이클로로에틸기, 1,3-다이클로로아이소프로필기, 2,3-다이클로로-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이클로로프로필기, 브로모메틸기, 1-브로모에틸기, 2-브로모에틸기, 2-브로모아이소뷰틸기, 1,2-다이브로모에틸기, 1,3-다이브로모아이소프로필기, 2,3-다이브로모-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이브로모프로필기, 아이오도메틸기, 1-아이오도에틸기, 2-아이오도에틸기, 2-아이오도아이소뷰틸기, 1,2-다이아이오도에틸기, 1,3-다이아이오도아이소프로필기, 2,3-다이아이오도-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이아이오도프로필기, 아미노메틸기, 1-아미노에틸기, 2-아미노에틸기, 2-아미노아이소뷰틸기, 1,2-다이아미노에틸기, 1,3-다이아미노아이소프로필기, 2,3-다이아미노-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이아미노프로필기, 사이아노메틸기, 1-사이아노에틸기, 2-사이아노에틸기, 2-사이아노아이소뷰틸기, 1,2-다이사이아노에틸기, 1,3-다이사이아노아이소프로필기, 2,3-다이사이아노-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이사이아노프로필기, 나이트로메틸 기, 1-나이트로에틸기, 2-나이트로에틸기, 2-나이트로아이소뷰틸기, 1,2-다이나이트로에틸기, 1,3-다이나이트로아이소프로필기, 2,3-다이나이트로-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이나이트로프로필기, 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 4-메틸사이클로헥실기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기, 1-노보닐기, 2-노보닐기 등), 탄소수 1~6의 알콕시기(에톡시기, 메톡시기, 아이소프로폭시기, n-프로폭시기, s-뷰톡시기, t-뷰톡시기, 펜톡시기, 헥실옥시기, 사이클로펜톡시기, 사이클로헥실옥시기 등), 핵원자수 5~40의 아릴기, 핵원자수 5~40의 아릴기로 치환된 아미노기, 핵원자수 5~40의 아릴기를 갖는 에스터기, 탄소수 1~6의 알킬기를 갖는 에스터기, 사이아노기, 나이트로기, 할로젠원자 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서의 화학식 1에서 표시되는 12위에 수소 원자를 갖는 벤조안트라센 유도체의 구체예를 이하에 나타내지만, 이들 예시 화합물에 한정되는 것이 아니다.
Figure 112008069289646-PCT00006
Figure 112008069289646-PCT00007
Figure 112008069289646-PCT00008
본 발명의 12위에 수소 원자를 갖는 벤조안트라센 유도체는 유기 EL 소자용 발광 재료이면 바람직하고, 또한 유기 EL 소자용 호스트 재료이면 특히 바람직하다.
본 발명의 유기 EL 소자는, 양극과 음극 사이에 적어도 발광층을 포함하는 1층 또는 복수층으로 이루어지는 유기 박막층이 개재되어 있는 유기 전기발광 소자에 있어서, 상기 유기 박막층이 상기 화학식 1에 기재된 12위에 수소 원자를 갖는 벤조안트라센 유도체로부터 선택되는 1종류를 단독 또는 혼합물의 성분으로서 함유한다.
또한, 본 발명의 유기 EL 소자는 상기 발광층이 추가로 아릴아민 화합물 및/또는 스타이릴아민 화합물을 함유하면 바람직하다.
스타이릴아민 화합물로서는, 하기 화학식 A로 표시되는 것이 바람직하다.
Figure 112008069289646-PCT00009
(상기 식에서, Ar3은 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 스틸벤기, 다이스타이릴아릴기로부터 선택되는 기이며, Ar4 및 Ar5는 각각 수소 원자 또는 탄소수가 6~20의 방향족 탄화수소기이고, Ar3, Ar4 및 Ar5는 치환되어 있더라도 좋다. p는 1~4의 정수이다. 더 바람직하게는 Ar4 또는 Ar5의 적어도 한쪽은 스타이릴기로 치환되어 있다. 단, Ar3~Ar5 중 적어도 하나는 치환 또는 무치환의 스타이릴기를 포함한다.)
여기서, 탄소수가 6~20의 방향족 탄화수소기로서는, 페닐기, 나프틸기, 안트라닐기, 페난트릴기, 터페닐기 등을 들 수 있다.
아릴아민 화합물로서는, 하기 화학식 B로 표시되는 것이 바람직하다.
Figure 112008069289646-PCT00010
(상기 식에서, Ar6~Ar8은 각각 치환 또는 무치환의 핵탄소수 5~40의 아릴기이다. q는 1~4의 정수이다.)
여기서, 핵탄소수가 5~40의 아릴기로서는, 예컨대, 페닐기, 나프틸기, 안트라닐기, 페난트릴기, 피렌일기, 코로닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 피롤릴기, 퓨란일기, 싸이오페닐기, 벤조싸이오페닐기, 옥사다이아졸릴기, 다이페닐안트라닐기, 인돌릴기, 카바졸릴기, 피리딜기, 벤조퀴놀린기, 플루오란텐일기, 아세나플토플루오란텐일기, 스틸벤기, 페릴렌일기, 크라이센일기, 피센일기, 트라이페닐렌일기, 루히센일기, 벤조안트라센일기, 페닐안트라닐기, 비스안트라센일기, 또는 하기 화학식 C, D로 표시되는 아릴기 등을 들 수 있으며, 나프틸기, 안트라닐기, 크라이센일기, 피렌일기, 또는 화학식 D로 표시되는 아릴기가 바람직하다.
Figure 112008069289646-PCT00011
Figure 112008069289646-PCT00012
(화학식 C에서, r은 1~3의 정수이다.)
또, 상기 아릴기의 바람직한 치환기로서는, 탄소수 1~6의 알킬기(에틸기, 메틸기, 아이소프로필기, n-프로필기, s-뷰틸기, t-뷰틸기, 펜틸기, 헥실기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기 등), 탄소수 1~6의 알콕시기(에톡시기, 메톡시기, 아이소프로폭시기, n-프로폭시기, s-뷰톡시기, t-뷰톡시기, 펜톡시기, 헥실옥시기, 사이클로펜톡시기, 사이클로헥실옥시기 등), 핵탄소수 5~40의 아릴기, 핵탄소수 5~40의 아릴기로 치환된 아미노기, 핵탄소수 5~40의 아릴기를 갖는 에스터기, 탄소수 1~6의 알킬기를 갖는 에스터기, 사이아노기, 나이트로기, 할로젠 원자 등을 들 수 있다.
이하, 본 발명의 유기 EL 소자의 소자 구성에 대하여 설명한다.
본 발명의 유기 EL 소자의 대표적인 소자 구성으로서는,
(1) 양극/발광층/음극
(2) 양극/정공 주입층/발광층/음극
(3) 양극/발광층/전자 주입층/음극
(4) 양극/정공 주입층/발광층/전자 주입층/음극
(5) 양극/유기 반도체층/발광층/음극
(6) 양극/유기 반도체층/전자 장벽층/발광층/음극
(7) 양극/유기 반도체층/발광층/부착 개선층/음극
(8) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 주입층/음극
(9) 양극/절연층/발광층/절연층/음극
(10) 양극/무기 반도체층/절연층/발광층/절연층/음극
(11) 양극/유기 반도체층/절연층/발광층/절연층/음극
(12) 양극/절연층/정공 주입층/정공 수송층/발광층/절연층/음극
(13) 양극/절연층/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 주입층/음극 등의 구조를 들 수 있다.
이들 중에서 통상 (8)의 구성이 바람직하게 사용되지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 유기 EL 소자에 있어서, 본 발명의 12위에 수소 원자를 갖는 벤조안트라센 유도체는 상기의 어떤 유기층에 사용되더라도 무방하지만, 이들 구성 요소 중의 발광 대역 또는 정공 수송 대역에 함유되어 있는 것이 바람직하며, 함유시키는 양은 30~100몰% 중에서 선택된다.
이 유기 EL 소자는 통상 투광성의 기판 상에 제작된다. 이 투광성 기판은 유기 EL 소자를 지지하는 기판이고, 그 투광성에 대해서는, 400~700㎚의 가시 영역의 광의 투과율이 50% 이상인 것이 바람직하며, 평활한 기판을 이용하는 것이 더 바람직하다.
이러한 투광성 기판으로서는, 예컨대, 유리판, 합성 수지판 등이 바람직하게 사용된다. 유리판으로서는, 특히 소다 석회 유리, 바륨·스트론튬 함유 유리, 납 유리, 알루미노규산 유리, 붕규산 유리, 바륨 붕규산 유리, 석영 등으로 성형된 판을 들 수 있다. 또한, 합성 수지판으로서는, 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리에터설파이드 수지, 폴리설폰 수지 등의 판을 들 수 있다.
다음으로, 양극은 정공을 정공 수송층 또는 발광층에 주입하는 역할을 담당하는 것이며, 4.5eV 이상의 일함수를 갖는 것이 효과적이다. 본 발명에 사용되는 양극 재료의 구체예로서는, 산화인듐주석 합금(ITO), 산화주석(NESA), 금, 은, 백금, 구리 등을 적용할 수 있다. 또한 음극으로서는, 전자 수송층 또는 발광층에 전자를 주입할 목적으로, 일함수가 작은 재료가 바람직하다.
양극은 이들 전극 물질을 증착법이나 스퍼터링법 등의 방법으로 박막을 형성시키는 것에 의해 제작할 수 있다.
이와 같이 발광층으로부터의 발광을 양극으로부터 취출하는 경우, 양극의 발광에 대한 투과율이 10%보다 크게 하는 것이 바람직하다. 또한 양극의 시트 저항은 수백 Ω/□ 이하가 바람직하다. 양극의 막 두께는 재료에도 의존하지만, 통상 10㎚~1㎛, 바람직하게는 10~200㎚의 범위에서 선택된다.
본 발명의 유기 EL 소자에서는, 발광층은,
(ⅰ) 주입 기능 ; 전계 인가시에 양극 또는 정공 주입층으로부터 정공을 주 입할 수 있고, 음극 또는 전자 주입층으로부터 전자를 주입할 수 있는 기능
(ⅱ) 수송 기능 ; 주입한 전하(전자와 정공)를 전계의 힘으로 이동시키는 기능
(ⅲ) 발광 기능 ; 전자와 정공의 재결합의 장소를 제공하여, 이것을 발광으로 연결하는 기능
을 갖는다.
이 발광층을 형성하는 방법으로서는, 예컨대 증착법, 스핀 코팅법, LB법 등의 공지된 방법을 적용할 수 있다. 발광층은 특히 분자 퇴적막인 것이 바람직하다. 여기서 분자 퇴적막이란, 기상 상태의 재료 화합물로부터 침착되어 형성된 박막이나, 용액 상태 또는 액상 상태의 재료 화합물로부터 고체화되어 형성된 막인 것이고, 통상 이 분자 퇴적막은 LB법에 의해 형성된 박막(분자 누적막)과는 응집 구조, 고차 구조의 차이나, 그것에 기인하는 기능적인 차이에 따라 구분할 수 있다.
또한, 일본 특허 공개 소화 제57-51781호 공보에 개시되어 있는 바와 같이, 수지 등의 결착제와 재료 화합물을 용제에 녹여 용액으로 한 후, 이것을 스핀 코팅법 등에 의해 박막화하는 것에 의해서도 발광층을 형성할 수 있다.
본 발명의 목적이 손상되지 않는 범위에서, 소망에 따라, 발광층에, 본 발명의 12위에 수소 원자를 갖는 벤조안트라센 유도체로 이루어지는 발광 재료 이외의 다른 공지된 발광 재료를 함유시키더라도 되고, 또한, 본 발명의 발광 재료를 포함하는 발광층에, 다른 공지된 발광 재료를 포함하는 발광층을 적층하여도 된다.
다음으로 정공 주입·수송층은 발광층으로의 정공 주입을 도와, 발광 영역까지 수송하는 층으로서, 정공 이동도가 크고, 이온화 에너지가 통상 5.5eV 이하로 작다. 이러한 정공 주입·수송층으로서는 보다 낮은 전계 강도로 정공을 발광층에 수송하는 재료가 바람직하고, 정공의 이동도가, 예컨대 104~106V/㎝의 전계 인가시에, 적어도 10-4㎠/V·초인 것이 바람직하다. 이러한 재료로서는, 종래, 광 도전 재료에 있어서 정공의 전하 수송 재료로서 관용되고 있는 것이나, 유기 EL 소자의 정공 주입층에 사용되고 있는 공지된 것 중에서 임의의 것을 선택하여 이용할 수 있다.
구체예로서는, 예컨대, 트라이아졸 유도체(미국 특허 제3,112,197호 명세서 등 참조), 옥사다이아졸 유도체(미국 특허 제3,189,447호 명세서 등 참조), 이미다졸 유도체(일본 특허 공고 소화 제37-16096호 공보 등 참조), 폴리아릴알칸 유도체(미국 특허 제3,615,402호 명세서, 동(同) 제3,820,989호 명세서, 동 제3,542,544호 명세서, 일본 특허 공고 소화 제45-555호 공보, 동 제51-10983호 공보, 일본 특허 공개 소화 제51-93224호 공보, 동 제55-17105호 공보, 동 제56-4148호 공보, 동 제55-108667호 공보, 동 제55-156953호 공보, 동 제56-36656호 공보 등 참조), 피라졸린 유도체 및 피라졸론 유도체(미국 특허 제3,180,729호 명세서, 동 제4,278,746호 명세서, 일본 특허 공개 소화 제55-88064호 공보, 동 제55-88065호 공보, 동 제49-105537호 공보, 동 제55-51086호 공보, 동 제56-80051호 공보, 동 제56-88141호 공보, 동 제57-45545호 공보, 동 제54-112637호 공보, 동 제55- 74546호 공보 등 참조), 페닐렌다이아민 유도체(미국 특허 제3,615,404호 명세서, 일본 특허 공고 소화 제51-10105호 공보, 동 제46-3712호 공보, 동 제47-25336호 공보, 일본 특허 공개 소화 제54-53435호 공보, 동 제54-110536호 공보, 동 제54-119925호 공보 등 참조), 아릴아민 유도체(미국 특허 제3,567,450호 명세서, 동 제3,180,703호 명세서, 동 제3,240,597호 명세서, 동 제3,658,520호 명세서, 동 제4,232,103호 명세서, 동 제4,175,961호 명세서, 동 제4,012,376호 명세서, 일본 특허 공고 소화 제49-35702호 공보, 동 제39-27577호 공보, 일본 특허 공개 제55-144250호 공보, 동 제56-119132호 공보, 동 제56-22437호 공보, 서독 특허 제1,110,518호 명세서 등 참조), 아미노 치환 칼콘 유도체(미국 특허 제3,526,501호 명세서 등 참조), 옥사졸 유도체(미국 특허 제3,257,203호 명세서 등에 개시된 것), 스타이릴안트라센 유도체(일본 특허 공개 소화 제56-46234호 공보 등 참조), 플루오렌온 유도체(일본 특허 공개 소화 제54-110837호 공보 등 참조), 하이드라존 유도체(미국 특허 제3,717,462호 명세서, 일본 특허 공개 소화 제54-59143호 공보, 동 제55-52063호 공보, 동 제55-52064호 공보, 동 제55-46760호 공보, 동 제55-85495호 공보, 동 제57-11350호 공보, 동 제57-148749호 공보, 일본 특허 공개 평성 제2-311591호 공보 등 참조), 스틸벤 유도체(일본 특허 공개 소화 제61-210363호 공보, 동 제61-228451호 공보, 동 제61-14642호 공보, 동 제61-72255호 공보, 동 제62-47646호 공보, 동 제62-36674호 공보, 동 제62-10652호 공보, 동 제62-30255호 공보, 동 제60-93455호 공보, 동 제60-94462호 공보, 동 제60-174749호 공보, 동 제60-175052호 공보 등 참조), 실라잔 유도체(미국 특허 제4,950,950호 명 세서), 폴리실레인계(일본 특허 공개 평성 제2-204996호 공보), 아닐린계 공중합체(일본 특허 공개 평성 제2-282263호 공보), 일본 특허 공개 평성 제1-211399호 공보에 개시되어 있는 도전성 고분자 올리고머(특히 싸이오펜올리고머) 등을 들 수 있다.
정공 주입층의 재료로서는 상기한 것을 사용할 수 있지만, 포르피린 화합물(일본 특허 공개 소화 제63-2956965호 공보 등에 개시된 것), 방향족 제3급 아민 화합물 및 스타이릴아민 화합물(미국 특허 제4,127,412호 명세서, 일본 특허 공개 소화 제53-27033호 공보, 동 제54-58445호 공보, 동 제54-149634호 공보, 동 제54-64299호 공보, 동 제55-79450호 공보, 동 제55-144250호 공보, 동 제56-119132호 공보, 동 제61-295558호 공보, 동 제61-98353호 공보, 동 제63-295695호 공보 등 참조), 특히 방향족 제3급 아민 화합물을 이용하는 것이 바람직하다.
또한 미국 특허 제5,061,569호에 기재되어 있는 2개의 축합 방향족 고리를 분자 내에 갖는, 예컨대 4,4'-비스(N-(1-나프틸)-N-페닐아미노)바이페닐(이하 NPD라고 약기함), 또한 일본 특허 공개 평성 제4-308688호 공보에 기재되어 있는 트라이페닐아민 유닛이 3개 스타버스트형으로 연결된 4,4',4''-트리스(N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노)트라이페닐아민(이하 MTDATA라고 약기함) 등을 들 수 있다.
또한, 상기 화합물 외에, p형 Si, p형 SiC 등의 무기 화합물도 정공 주입층의 재료로서 사용할 수 있다.
정공 주입, 수송층은 상술한 화합물을, 예컨대 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스팅법, LB법 등의 공지된 방법에 의해 박막화하는 것에 의해 형성할 수 있다. 정공 주입, 수송층으로서의 막 두께는 특별히 제한은 없지만, 통상은 5㎚~5㎛이다.
또한, 유기 반도체층은 발광층으로의 정공 주입 또는 전자 주입을 돕는 층으로서, 10-10S/㎝ 이상의 도전율을 갖는 것이 적합하다. 이러한 유기 반도체층의 재료로서는, 싸이오펜 함유 올리고머나 일본 특허 공개 평성 제8-193191호 공보에 개시되어 있는 아릴아민 함유 올리고머 등의 도전성 올리고머, 아릴아민 함유 덴드리머 등의 도전성 덴드리머 등을 이용할 수 있다.
다음으로 전자 주입층·수송층은, 발광층으로의 전자의 주입을 도와, 발광 영역까지 수송하는 층으로서, 전자 이동도가 크고, 또한 부착 개선층은 이 전자 주입층 내에서 특히 음극과의 부착이 좋은 재료로 이루어지는 층이다.
또한, 유기 EL 소자는 발광한 광이 전극(이 경우는 음극)에 의해 반사되기 때문에, 직접 양극으로부터 취출하는 발광과, 전극에 의한 반사를 경유하여 취출되는 발광이 간섭하는 것이 알려져 있다. 이 간섭 효과를 효율적으로 이용하기 위해서, 전자 수송층은 수 ㎚~수 ㎛의 막 두께로 적절히 선택되지만, 특히 막 두께가 두꺼울 때, 전압 상승을 피하기 위해서, 104~106V/㎝의 전계 인가시에 전자 이동도가 적어도 10-5㎠/Vs 이상인 것이 바람직하다.
전자 주입층에 사용되는 재료로서는, 8-하이드록시퀴놀린 또는 그 유도체의 금속 착체나 옥사다이아졸 유도체가 적합하다. 상기 8-하이드록시퀴놀린 또는 그 유도체의 금속 착체의 구체예로서는, 옥신(일반적으로 8-퀴놀린올 또는 8-하이드록시퀴놀린)의 킬레이트를 포함하는 금속 킬레이트옥시노이드 화합물, 예컨대 트리 스(8-퀴놀린올)알루미늄을 전자 주입 재료로서 이용할 수 있다.
한편, 옥사다이아졸 유도체로서는, 이하의 일반식으로 표시되는 전자 전달 화합물을 들 수 있다.
Figure 112008069289646-PCT00013
(상기 식에서, Ar1, Ar2, Ar3, Ar5, Ar6, Ar9는 각각 치환 또는 무치환의 아릴기를 나타내며, 각각 서로 동일하더라도 다르더라도 좋다. 또한 Ar4, Ar7, Ar8은 치환 또는 무치환의 아릴렌기를 나타내며, 각각 동일하거나 다르더라도 무방함)
여기서 아릴기로서는 페닐기, 바이페닐기, 안트라닐기, 페릴렌일기, 피렌일기를 들 수 있다. 또한, 아릴렌기로서는 페닐렌기, 나프틸렌기, 바이페닐렌기, 안트라닐렌기, 페릴렌일렌기, 피렌일렌기 등을 들 수 있다. 또한, 치환기로서는 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 1~10의 알콕시기 또는 사이아노기 등을 들 수 있다. 이 전자 전달 화합물은 박막 형성성인 것이 바람직하다.
상기 전자 전달성 화합물의 구체예로서는 하기의 것을 들 수 있다.
Figure 112008069289646-PCT00014
또한, 전자 주입층 및 전자 수송층에 사용되는 재료로서, 하기 화학식 E~J로 표시되는 것도 이용할 수 있다.
Figure 112008069289646-PCT00015
Figure 112008069289646-PCT00016
(화학식 E 및 F 중, A1~A3은 각각 독립적으로, 질소 원자 또는 탄소 원자이다.
Ar1은 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~60의 아릴기, 또는 치환 또는 무치환의 핵탄소수 3~60의 헤테로아릴기이며, Ar2는 수소 원자, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~60의 아릴기, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 3~60의 헤테로아릴기, 치환 또는 무치환의 탄소수 1~20의 알킬기, 또는, 치환 또는 무치환의 탄소수 1~20의 알콕시기, 또는 이들의 2가의 기이다. 단, Ar1 및 Ar2의 어느 한쪽은 치환 또는 무치환의 핵탄소수 10~60의 축합 고리기, 또는, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 3~60의 모노헤테로 축합 고리기이다.
L1, L2 및 L은 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~60의 아릴렌기, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 3~60의 헤테로아릴렌기, 또는, 치환 또는 무치환의 플루오렌일렌기이다.
R은 수소 원자, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~60의 아릴기, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 3~60의 헤테로아릴기, 치환 또는 무치환의 탄소수 1~20의 알킬기, 또는, 치환 또는 무치환의 탄소수 1~20의 알콕시기이며, n은 0~5의 정수이고, n이 2 이상인 경우, 복수의 R은 동일하더라도 다르더라도 무방하고, 또한, 인접하는 복수의 R기끼리 결합하여, 탄소 고리식 지방족 고리 또는 탄소 고리식 방향족 고리를 형성하고 있더라도 좋다.)로 표시되는 질소 함유 복소 고리 유도체.
HAr-L-Ar1-Ar2
(상기 식에서, HAr은 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 3~40의 질소 함유 헤테로고리이며, L은 단일 결합, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6~60의 아릴렌기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 3~60의 헤테로아릴렌기 또는 치환기를 갖고 있더라도 좋은 플루오렌일렌기이고, Ar1은 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6~60의 2가의 방향족 탄화수소기이고, Ar2는 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6~60의 아릴기 또는 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 3~60의 헤테로아릴기이다.)로 표시되는 질소 함유 복소 고리 유도체.
Figure 112008069289646-PCT00017
(상기 식에서, X 및 Y는 각각 독립적으로 탄소수 1~6의 포화 혹은 불포화의 탄화수소기, 알콕시기, 알켄일옥시기, 알킨일옥시기, 하이드록시기, 치환 또는 무치환의 아릴기, 치환 또는 무치환의 헤테로환 또는 X와 Y가 결합하여 포화 또는 불포화의 고리를 형성한 구조이며, R1~R4는 각각 독립적으로 수소, 할로젠 원자, 치환 또는 무치환의 탄소수 1부터 6까지의 알킬기, 알콕시기, 아릴옥시기, 퍼플루오로알킬기, 퍼플루오로알콕시기, 아미노기, 알킬카보닐기, 아릴카보닐기, 알콕시카보닐기, 아릴옥시카보닐기, 아조기, 알킬카보닐옥시기, 아릴카보닐옥시기, 알콕시카보닐옥시기, 아릴옥시카보닐옥시기, 설피닐기, 설포닐기, 설파닐기, 실릴기, 카바모일기, 아릴기, 헤테로고리기, 알켄일기, 알킨일기, 나이트로기, 폼일기, 나이트로소기, 폼일옥시기, 아이소사이아노기, 사이아네이트기, 아이소사이아네이트기, 싸이오사이아네이트기, 아이소싸이오사이아네이트기 또는 사이아노기 또는 인접한 경우에는 치환 또는 무치환의 고리가 축합된 구조이다.)로 표시되는 시라사이클로펜타다이엔 유도체.
Figure 112008069289646-PCT00018
(상기 식에서, R1~R8 및 Z2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 포화 또는 불포화의 탄화 수소기, 방향족 탄화수소기, 헤테로고리기, 치환 아미노기, 치환 보릴기, 알콕시기 또는 아릴옥시기를 나타내고, X, Y 및 Z1은 각각 독립적으로, 포화 또는 불포화의 탄화수소기, 방향족 탄화수소기, 헤테로고리기, 치환 아미노기, 알콕시기 또는 아릴옥시기를 나타내며, Z1과 Z2의 치환기는 서로 결합하여 축합 고리를 형성 할 수도 있으며, n은 1~3의 정수를 나타내고, n이 2 이상인 경우, Z1은 다르더라도 좋다. 단, n이 1, X, Y 및 R2가 메틸기이고, R8이 수소 원자 또는 치환 보릴기인 경우, 및 n이 3이고 Z1이 메틸기인 경우를 포함하지 않는다.)로 표시되는 보레인 유도체.
Figure 112008069289646-PCT00019
[상기 식에서, Q1 및 Q2는 각각 독립적으로, 하기 화학식 K로 표시되는 리간드를 나타내고, L은 할로젠 원자, 치환 또는 무치환의 알킬기, 치환 또는 무치환의 사이클로알킬기, 치환 또는 무치환의 아릴기, 치환 또는 무치환의 헤테로고리기, -OR1(R1은 수소 원자, 치환 또는 무치환의 알킬기, 치환 또는 무치환의 사이클로알킬기, 치환 또는 무치환의 아릴기, 치환 또는 무치환의 헤테로고리기이다.) 또는 -O-Ga-Q3(Q4)(Q3 및 Q4는 Q1 및 Q2와 동일함)로 표시되는 리간드를 나타낸다.]
[상기 식에서, 고리 A1 및 A2는 각각 치환기를 가져도 좋은 서로 축합된 6원 아릴 고리 구조이다.]
이 금속 착체는 n형 반도체로서의 성질이 강하고, 전자 주입 능력이 크다. 또, 착체 형성시의 생성 에너지도 낮기 때문에, 형성한 금속 착체의 금속과 리간드의 결합성도 강고하게 되어, 발광 재료로서의 형광 양자 효율도 커지고 있다.
화학식 K의 리간드를 형성하는 고리 A1 및 A2의 치환기의 구체적인 예를 들면, 염소, 브롬, 요오드, 불소의 할로젠 원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 뷰틸기, s-뷰틸기, t-뷰틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 스테아릴기, 트라이클로로메틸기 등의 치환 또는 무치환의 알킬기, 페닐기, 나프틸기, 3-메틸페닐기, 3-메톡시페닐기, 3-플루오로페닐기, 3-트라이클로로메틸페닐기, 3-트라이플루오로메틸페닐기, 3-나이트로페닐기 등의 치환 또는 무치환의 아릴기, 메톡시기, n-뷰톡시기, t-뷰톡시기, 트라이클로로메톡시기, 트라이플루오로에톡시기, 펜타플루오로프로폭시기, 2,2,3,3-테트라플루오로프로폭시기, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2-프로폭시 기, 6-(퍼플루오로에틸)헥실옥시기 등의 치환 또는 무치환의 알콕시기, 페녹시기, p-나이트로페녹시기, p-t-뷰틸페녹시기, 3-플루오로페녹시기, 펜타플루오로페닐기, 3-트라이플루오로메틸페녹시기 등의 치환 또는 무치환의 아릴옥시기, 메틸싸이오기, 에틸싸이오기, t-뷰틸싸이오기, 헥실싸이오기, 옥틸싸이오기, 트라이플루오로메틸싸이오기 등의 치환 또는 무치환의 알킬싸이오기, 페닐싸이오기, p-나이트로페닐싸이오기, p-t-뷰틸페닐싸이오기, 3-플루오로페닐싸이오기, 펜타플루오로페닐싸이오기, 3-트라이플루오로메틸페닐싸이오기 등의 치환 또는 무치환의 아릴싸이오기, 사이아노기, 나이트로기, 아미노기, 메틸아미노기, 다이에틸아미노기, 에틸아미노기, 다이에틸아미노기, 다이프로필아미노기, 다이뷰틸아미노기, 다이페닐아미노기 등의 모노 또는 다이치환아미노기, 비스(아세톡시메틸)아미노기, 비스(아세톡시에틸)아미노기, 비스(아세톡시프로필)아미노기, 비스(아세톡시뷰틸)아미노기 등의 아실아미노기, 하이드록실기, 실록시기, 아실기, 메틸카바모일기, 다이메틸카바모일기, 에틸카바모일기, 다이에틸카바모일기, 프로필카바모일기, 뷰틸카바모일기, 페닐카바모일기 등의 카바모일기, 카복실산기, 설폰산기, 이미드기, 사이클로펜테인기, 사이클로헥실기 등의 사이클로알킬기, 페닐기, 나프틸기, 바이페닐기, 안트라닐기, 페난트릴기, 플루오렌일기, 피렌일기 등의 아릴기, 피리딘일기, 피라진일기, 피리미딘일기, 피리다진일기, 트라이아진일기, 인돌릴기, 퀴놀릴기, 아크리딘일기, 피롤리딘일기, 다이옥산일기, 피페리딘일기, 모폴린일기, 피페라딘일기, 트라이아틴일기, 카바졸릴기, 퓨란일기, 싸이오페닐기, 옥사졸릴기, 옥사다이아졸릴기, 벤조옥사졸릴기, 싸이아졸릴기, 티아졸릴기, 벤조싸이아졸릴기, 트라이아졸릴 기, 이미다졸릴기, 벤조이미다졸릴기, 플라닐기 등의 헤테로고리기 등이 있다. 또한, 이상의 치환기끼리가 결합하여 한층 더의 6원 아릴 고리 또는 헤테로고리를 형성하더라도 좋다.
본 발명의 유기 EL 소자의 바람직한 형태로, 전자를 수송하는 영역 또는 음극과 유기층의 계면 영역에, 환원성 도펀트를 함유하는 소자가 있다. 여기서, 환원성 도펀트란, 전자 수송성 화합물을 환원할 수 있는 물질로서 정의된다. 따라서, 일정한 환원성을 갖는 것이면, 다양한 것이 사용되며, 예컨대, 알칼리 금속, 알카리 토류 금속, 희토류 금속, 알칼리 금속의 산화물, 알칼리 금속의 할로젠화물, 알카리 토류 금속의 산화물, 알카리토류 금속의 할로젠화물, 희토류 금속의 산화물 또는 희토류 금속의 할로젠화물, 알칼리 금속의 유기 착체, 알카리 토류 금속의 유기 착체, 희토류 금속의 유기 착체로 이루어지는 그룹 중에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 적합하게 사용할 수 있다.
또한, 보다 구체적으로, 바람직한 환원성 도펀트로서는, Na(일함수 : 2.36eV), K(일함수 : 2.28eV), Rb(일함수 : 2.16eV) 및 Cs(일함수 : 1.95eV)로 이루어지는 그룹 중에서 선택되는 적어도 하나의 알칼리 금속이나, Ca(일함수 : 2.9eV), Sr(일함수 : 2.0~2.5eV), 및 Ba(일함수 : 2.52eV)로 이루어지는 그룹 중에서 선택되는 적어도 하나의 알카리 토류 금속을 들 수 있는 일함수가 2.9eV 이하인 것이 특히 바람직하다. 이들 중, 보다 바람직한 환원성 도펀트는 K, Rb 및 Cs로 이루어지는 그룹 중에서 선택되는 적어도 하나의 알칼리 금속이며, 더 바람직하게는, Rb 또는 Cs이고, 가장 바람직한 것은 Cs이다. 이들 알칼리 금속은, 특히 환원 능력이 높고, 전자 주입 대역으로의 비교적 소량의 첨가에 의해, 유기 EL 소자에 있어서의 발광 휘도의 향상이나 장수명화가 도모된다. 또한, 일함수가 2.9eV 이하인 환원성 도펀트로서, 이들 2종 이상의 알칼리 금속의 조합도 바람직하며, 특히, Cs를 포함한 조합, 예컨대, Cs와 Na, Cs와 K, Cs와 Rb 또는 Cs와 Na와 K의 조합인 것이 바람직하다. Cs를 조합시켜 포함하는 것에 의해, 환원 능력을 효율적으로 발휘할 수 있어, 전자 주입 대역으로의 첨가에 의해, 유기 EL 소자에 있어서의 발광 휘도의 향상이나 장수명화가 도모된다.
본 발명에 있어서는 음극과 유기층 사이에 절연체나 반도체로 구성되는 전자 주입층을 더 마련하더라도 좋다. 이 때, 전류의 누출을 유효하게 방지하여, 전자 주입성을 향상시킬 수 있다. 이러한 절연체로서는, 알칼리 금속 칼코게나이드, 알카리 토류 금속 칼코게나이드, 알칼리 금속의 할로젠화물 및 알카리 토류 금속의 할로젠화물로 이루어지는 그룹 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 전자 주입층이 이들 알칼리 금속 칼코게나이드 등으로 구성되어 있으면, 전자 주입성을 더욱 향상시킬 수 있는 점에서 바람직하다. 구체적으로, 바람직한 알칼리 금속 칼코게나이드로서는, 예컨대, Li2O, K2O, Na2S, Na2Se 및 Na2O를 들 수 있으며, 바람직한 알카리 토류 금속 칼코게나이드로서는, 예컨대, CaO, BaO, SrO, BeO, BaS, 및 CaSe를 들 수 있다. 또한, 바람직한 알칼리 금속의 할로젠화물로서는, 예컨대, LiF, NaF, KF, LiCl, KCl 및 NaCl 등을 들 수 있다. 또한, 바람직한 알카리 토류 금속의 할로젠화물로서는, 예컨대, CaF2, BaF2, SrF2, MgF2 및 BeF2 등의 불화물이나, 불화물 이외의 할로젠화물을 들 수 있다.
또한, 전자 수송층을 구성하는 반도체로서는, Ba, Ca, Sr, Yb, Al, Ga, In, Li, Na, Cd, Mg, Si, Ta, Sb 및 Zn 중 적어도 하나의 원소를 포함하는 산화물, 질화물 또는 산화질화물 등의 1종 단독 또는 2종 이상의 조합을 들 수 있다. 또한, 전자 수송층을 구성하는 무기 화합물이 미결정 또는 비정질의 절연성 박막인 것이 바람직하다. 전자 수송층이 이들 절연성 박막으로 구성되어 있으면, 보다 균질한 박막이 형성되기 때문에, 다크 스폿 등의 화소 결함을 감소시킬 수 있다. 또, 이러한 무기 화합물로서는, 상술한 알칼리 금속 칼코게나이드, 알카리 토류 금속 칼코게나이드, 알칼리 금속의 할로젠화물 및 알카리 토류 금속의 할로젠화물 등을 들 수 있다.
다음으로 음극으로서는, 일함수가 작은(4eV 이하) 금속, 합금, 전기 전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 전극 물질로 하는 것이 사용된다. 이러한 전극 물질의 구체예로서는, 나트륨, 나트륨-칼륨 합금, 마그네슘, 리튬, 마그네슘·은 합금, 알루미늄/산화알루미늄, Al/Li2O, Al/LiO2, Al/LiF, 알루미늄·리튬 합금, 인듐, 희토류 금속 등을 들 수 있다.
이 음극은 이들의 전극 물질을 증착이나 스퍼터링 등의 방법에 의해 박막을 형성시킴으로써 제작할 수 있다.
여기서, 발광층으로부터의 발광을 음극으로부터 취출하는 경우, 음극의 발광에 대한 투과율은 10%보다 크게 하는 것이 바람직하다. 또한, 음극으로서의 시트 저항은 수백 Ω/□ 이하가 바람직하며, 또한, 막 두께는 통상 10㎚~1㎛, 바람직하게는 50~200㎚이다.
또한, 일반적으로, 유기 EL 소자는, 초박막에 전계를 인가하기 위해서, 누출이나 쇼트에 의한 화소 결함이 생기기 쉽다. 이것을 방지하기 위해서, 한 쌍의 전극 사이에 절연성의 박막층을 삽입하더라도 좋다.
절연층에 사용되는 재료로서는, 예컨대, 산화알루미늄, 불화리튬, 산화리튬, 불화세슘, 산화세슘, 산화마그네슘, 불화마그네슘, 산화칼슘, 불화칼슘, 질화알루미늄, 산화타이타늄, 산화규소, 산화저마늄, 질화규소, 질화붕소, 산화몰리브덴, 산화루테늄, 산화바나듐 등을 들 수 있다. 이들의 혼합물이나 적층물을 사용하여도 된다.
다음으로 본 발명의 유기 EL 소자를 제작하는 방법에 관해서는, 예컨대 상기의 재료 및 방법에 의해 양극, 발광층, 필요에 따라 정공 주입층, 및 필요에 따라 전자 주입층을 형성하고, 최후로 음극을 형성하면 된다. 또한, 음극으로부터 양극으로, 상기와 반대인 순서로 유기 EL 소자를 제작할 수도 있다.
이하, 투광성 기판 상에 양극/정공 주입층/발광층/전자 주입층/음극이 순차적으로 마련된 구성의 유기 EL 소자의 제작예에 대하여 설명한다.
우선, 적당한 투광성 기판 상에, 양극 재료로 이루어지는 박막을 1㎛ 이하, 바람직하게는 10~200㎚의 범위의 막 두께로 되도록, 증착법 또는 스퍼터링법에 의해 형성하여 양극으로 한다. 다음으로 이 양극 상에 정공 주입층을 마련한다. 정공 주입층의 형성은, 전술한 바와 같이 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스팅법, LB법 등의 방법에 의해 행할 수 있지만, 균질한 막을 얻기 쉽고, 또한 핀 홀이 발생하기 어려운 등의 점에서 진공 증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 진공 증착법에 의해 정공 주입층을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 사용하는 화합물(정공 주입층의 재료), 목적으로 하는 정공 주입층의 결정 구조나 재결합 구조 등에 따라 다르지만, 일반적으로 증착원 온도 50~450℃, 진공도 10-7~10-3Torr, 증착 속도 0.01~50㎚/초, 기판 온도 150~300℃, 막 두께 5㎚~5㎛의 범위에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.
다음으로 이 정공 주입층 상에 발광층을 마련한다. 이 발광층의 형성도, 본 발명에 따른 발광 재료를 이용하여 진공 증착법, 스퍼터링, 스핀 코팅법, 캐스팅법 등의 방법에 의해, 발광 재료를 박막화함으로써 형성할 수 있지만, 균질한 막을 얻기 쉽고, 또한 핀 홀이 발생하기 어려운 등의 점에서 진공 증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 진공 증착법에 의해 발광층을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 동일한 조건 범위 내에서 선택할 수 있다. 막 두께는 10~40㎚의 범위가 바람직하다.
다음으로 이 발광층 상에 전자 주입층을 마련한다. 이 경우에도 정공 주입층, 발광층과 마찬가지로, 균질한 막을 얻을 필요로 인해 진공 증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 증착 조건은 정공 주입층, 발광층과 동일한 조건 범위 중에서 선택할 수 있다.
그리고, 최후로 음극을 적층하여 유기 EL 소자를 얻을 수 있다. 음극은 금 속으로 구성되는 것으로서, 증착법, 스퍼터링을 이용할 수 있다. 그러나, 하지(下地)의 유기물층을 제막시의 손상으로부터 지키기 위해서는 진공 증착법이 바람직하다.
이상의 유기 EL 소자의 제작은, 1회의 진공 흡인으로, 일관하여 양극부터 음극까지 제작하는 것이 바람직하다.
본 발명의 유기 EL 소자의 각 층의 형성 방법은 특별히 한정되지 않는다. 종래 공지된 진공 증착법, 스핀 코팅법 등에 의한 형성 방법을 이용할 수 있다. 본 발명의 유기 EL 소자에 이용하는, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 함유하는 유기 박막층은 진공 증착법, 분자선 증착법(MBE 법) 또는 용매에 녹인 용액의 디핑법, 스핀 코팅법, 캐스팅법, 바코팅법, 롤코팅법 등의 도포법에 의한 공지된 방법으로 형성할 수 있다.
본 발명의 유기 EL 소자의 각 유기층의 막 두께는 특별히 제한되지 않지만, 핀 홀 등의 결함이나, 효율을 좋게 하기 위해서, 통상은 수 ㎚로부터 1㎛의 범위가 바람직하다.
또, 유기 EL 소자에 직류 전압을 인가하는 경우, 양극을 +, 음극을 -의 극성으로 하여, 5~40V의 전압을 인가하면 발광을 관측할 수 있다. 또한 반대의 극성으로 전압을 인가하더라도 전류는 흐르지 않아, 발광은 전혀 생기지 않는다. 또, 교류 전압을 인가한 경우에는 양극이 +, 음극이 -의 극성이 되었을 때에만 균일한 발광이 관측된다. 인가하는 교류의 파형은 임의이어도 좋다.
다음으로 본 발명을 실시예에 의해 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해서 전혀 한정되는 것이 아니다.
합성 실시예 1(BAN-2의 합성)
시판되는 벤조안트라센 40g를 DMF 300㎖에 분산하고, NBS 35.6g를 실온에서 가했다. 3.5시간 교반 후, 물 600㎖을 가하여, 석출 결정을 여과하여 분리하고, 메탄올로 세정하였다. 수득된 조결정(粗結晶)을 톨루엔/실리카겔 컬럼으로 정제한 후, 헥세인으로 여과함으로써 7-브로모벤조안트라센 49.3g를 크림색 결정으로서 수득하였다(수율 91%).
수득된 7-브로모벤조안트라센 20g을 탈수 THF 200㎖에 용해하고 -62℃로 냉각하였다. 1.6M-노멀뷰틸리튬헥산액 50㎖을 적하(滴下)하고, 30분 교반하였다. -5℃로 승온한 후, 재차 -64℃로 냉각하고, 붕산트라이메틸 22.4g의 THF 용액을 적하하였다. 하룻밤 후, 희염산으로 산성화된 후, 톨루엔 추출, 수세(水洗), 포화 식염 수세를 행하여, 유기층을 무수황산나트륨으로 건조하였다. 용매를 증발시킨 후, 수득된 잔사(殘渣)를 톨루엔/헥세인으로 결정화함으로써, 7-벤조안트라센보론산 14g을 크림색 결정으로서 수득하였다(수율 79%).
아르곤 분위기 하에서, 기지(旣知)의 방법에 의해 합성한 3-(나프탈렌-2-일)-(6-브로모나프탈렌-2-일)벤젠 6.73g, 7-벤조안트라센보론산 4.92g을 톨루엔 80㎖, DME 80㎖에 분산하고, 2M-탄산나트륨 수용액 25㎖을 가했다. 또 테트라키스트 라이페닐포스핀팔라듐 0.57g을 가하고, 7시간 가열 환류하였다. 하룻밤 후, 석출물을 여과하여 분리하고, 모액(母液)을 물, 포화 식염수로 세정하였다. 유기층을 무수 황산나트륨으로 건조한 후, 용매를 증발시켰다. 수득된 잔사를 아세톤으로 결정화함으로써, 원하는 화합물(BAN-2) 4.7g을 회백색 결정으로서 수득하였다(수율 51%). 수득된 화합물의 FD-MS(필드 디솝션 매스 분석)을 측정한 바, C44H28=556에 대하여 m/z=556으로 수득된 것이므로, 이 화합물을 BAN-2로 동정(同定)했다.
합성 실시예 2(BAN-3의 합성)
아르곤 분위기 하에서, 기지의 방법에 의해 합성한 3-(나프탈렌-2-일)페닐보론산 4.4g, 7-브로모벤조안트라센 5g를 톨루엔 60㎖에 분산하고, 2M-탄산나트륨 수용액 26㎖을 가했다. 또 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.57g을 가하고, 7시간 가열 환류하였다. 하룻밤 후, 석출물을 여과하여 분리하고, 모액을 물, 포화 식염수로 세정하였다. 유기층을 무수황산나트륨으로 건조한 후, 용매를 증발시켰다. 수득된 잔사를 톨루엔/헥세인으로 결정화함으로써, 원하는 화합물(BAN-3) 4.3g을 회백색 결정으로서 수득하였다(수율 61%). 수득된 화합물의 FD-MS(필드 디솝션 매스 분석)을 측정한 바, C34H22=430에 대하여 m/z=430이 수득되었으므로, 이 화합물을 BAN-3으로 동정했다.
합성 실시예 3(BAN-17의 합성)
아르곤 분위기 하에서, p-다이브로모벤젠 2.65g, 7-벤조안트라센보론산 67g을 톨루엔 80㎖, DME 80㎖에 용해하고, 2M-탄산나트륨 수용액 40㎖을 가했다. 또 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.78g을 가하여, 8시간 가열 환류하였다. 하룻밤 후, 석출물을 여과하여 분리해서, 수득된 결정을 물, 메탄올, 열 톨루엔으로 세정함으로써, 원하는 화합물(BAN-17) 4.6g을 회백색 결정으로서 수득하였다(수율 78%). 수득된 화합물의 FD-MS(필드 디솝션 매스 분석)을 측정한 바, C42H26=530에 대하여 m/z=530이 수득되었으므로, 이 화합물을 BAN-17로 동정했다.
합성 실시예 4(BAN-18의 합성)
아르곤 분위기 하에서, 2,6-다이브로모나프탈렌 4g, 7-벤조안트라센보론산 84g을 톨루엔 100㎖, DME 100㎖에 용해하고, 2M-탄산나트륨 수용액 46㎖을 가했다. 또 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.97g을 가하고, 8시간 가열 환류하였다. 하룻밤 후, 석출물을 여과하여 분리해서, 수득된 결정을 물, 메탄올, 열 톨루엔으로 세정함으로써, 원하는 화합물(BAN-18) 6.7g을 회백색 결정으로서 수득하였다(수율 82%). 수득된 화합물의 FD-MS(필드 디솝션 매스 분석)을 측정한 바, C46H28=580에 대하여 m/z=580이 수득되었으므로, 이 화합물을 BAN-18로 동정했다.
합성 실시예 5(BAN-22의 합성)
아르곤 분위기 하에서, 2,7-다이브로모-9,9-다이메틸-9H-플루오렌 4g, 7-벤 조안트라센보론산 6.8g을 톨루엔 100㎖, DME 100㎖에 용해하고, 2M-탄산나트륨 수용액 38㎖을 가했다. 또 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.79g을 가하고, 8시간 가열 환류하였다. 하룻밤 후, 석출물을 여과하여 분리해서, 수득된 결정을 물, 메탄올, 열 톨루엔으로 세정함으로써, 원하는 화합물(BAN-22) 5.0g을 회백색 결정으로서 수득하였다(수율 68%). 수득된 화합물의 FD-MS(필드 디솝션 매스 분석)을 측정한 바, C51H34=646에 대하여 m/z=646이 수득되었으므로, 이 화합물을 BAN-22로 동정했다.
합성 실시예 6(BAN-25의 합성)
아르곤 분위기 하에서, 1,3,5-트라이브로모벤젠 2.8g, 7-벤조안트라센보론산 8.0g을 톨루엔 100㎖, DME 100㎖에 용해하고, 2M-탄산나트륨 수용액 45㎖을 가했다. 또 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.72g을 가하고, 8시간 가열 환류하였다. 하룻밤 후, 석출물을 여과하여 분리해서, 수득된 결정을 물, 메탄올, 열 톨루엔으로 세정함으로써, 원하는 화합물(BAN-25) 4.5g을 회백색 결정으로서 수득하였다(수율 66%). 수득된 화합물의 FD-MS(필드 디솝션 매스 분석)을 측정한 바, C60H36=756에 대하여 m/z=756이 수득되었으므로, 이 화합물을 BAN-25로 동정했다.
합성 실시예 7(BAN-36의 합성)
아르곤 분위기 하에서, 기지의 방법에 의해 합성한 3-(9-(나프탈렌-2-일)안 트라센-10-일)페닐보론산 6.1g, 7-브로모벤조안트라센 4.0g를 톨루엔 80㎖, DME 80㎖에 용해하고, 2M-탄산나트륨 수용액 25㎖을 가했다. 또 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.45g을 가하고, 7시간 가열 환류하였다. 하룻밤 후, 석출물을 여과하여 분리하고, 모액을 물, 포화 식염수로 세정하였다. 유기층을 무수황산나트륨으로 건조한 후, 용매를 증발시켰다. 수득된 잔사를 톨루엔/헥세인으로 결정화함으로써, 원하는 화합물(BAN-36) 6.24g을 크림색 결정으로서 수득하였다(수율 78%). 수득된 화합물의 FD-MS(필드 디솝션 매스 분석)을 측정한 바, C48H30=606에 대하여 m/z=606이 수득되었으므로, 이 화합물을 BAN-36으로 동정했다.
실시예 1(BAN-3의 평가)
25㎜×75㎜×1.1㎜ 두께의 ITO 투명 전극 부착 유리 기판(디오마틱사 제품)을 아이소프로필알코올 중에서 초음파 세정을 5분간 실시한 후, UV 오존 세정을 30분간 실시하였다. 세정 후의 투명 전극 라인 부착 유리 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더에 장착하고, 우선 투명 전극 라인이 형성되어 있는 측의 면 상에 상기 투명 전극을 덮도록 하여 막 두께 60㎚의 N,N'-비스(N,N'-다이페닐-4-아미노페닐)-N,N-다이페닐-4,4'-다이아미노-1,1'-바이페닐막(이하 「TPD232막」이라고 약기함)을 성막하였다. 이 TPD232막은 정공 주입층으로서 기능한다. TPD232막의 성막에 연속하여, 이 TPD232막 상에 막 두께 20㎚의 N,N,N',N'-테트라(4-바이페닐)-다이아미노바이페닐렌층(이하 「TBDB층」을 성막하였다. 이 막은 정공 수송층으로서 기 능한다. 또 막 두께 40㎚의 BAN-3을 증착하여 성막하였다. 동시에 발광 분자로서, 하기의 아민 화합물 BD1을 BAN-3에 대하여, 중량비 BAN-3:BD1=40:2로 증착하였다. 이 막은 발광층으로서 기능한다. 이 막 상에 막 두께 10㎚의 Alq막을 성막하였다. 이것은 전자 주입층으로서 기능한다. 이 후, 환원성 도펀트인 Li(Li원 : 사에스게터사 제품)와 Alq를 2원 증착시켜, 전자 주입층(음극)으로서 Alq:Li막(막 두께 10㎚)을 형성하였다. 이 Alq:Li막 상에 금속 Al을 증착시켜 금속 음극을 형성하여 유기 EL 발광 소자를 형성하였다. 이 소자에 통전 시험을 행한 바, 전압 6.9V, 전류 밀도 10㎃/㎠로 768㏅/㎡의 청색 발광이 얻어졌다. 초기 휘도를 1000㏅/㎡로 하여 이 유기 EL 소자의 반감 수명을 측정한 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure 112008069289646-PCT00021
실시예 2~5
발광층의 재료로서 AN-3 대신에 표 1에 기재된 화합물을 이용한 이외에는 실 시예 1과 완전히 동일하게 유기 EL 소자를 제작하였다. 초기 휘도를 1000㏅/㎡로 하여 이 유기 EL 소자의 반감 수명을 측정한 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예 6
실시예 1에서 발광층의 재료로서, 아민 화합물 BD1 대신에 아민 화합물 BD2를 이용한 이외에는 동일하게 하여 유기 EL 소자를 작성해서, 실시예 1과 동일하게 하여 반감 수명을 측정하였다. 그들의 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure 112008069289646-PCT00022
실시예 7
실시예 1에서 발광층의 재료로서, 아민 화합물 BD1 대신에 아민 화합물 BD3을 이용한 이외에는 동일하게 하여 유기 EL 소자를 작성해서, 실시예 1과 동일하게 하여 반감 수명을 측정하였다. 그들의 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure 112008069289646-PCT00023
비교예 1
BAN-3 대신에 ban-1을 이용한 이외에는 실시예 1과 완전히 동일하게 유기 EL 소자를 제작하였다.
초기 휘도를 1000㏅/㎡로 하여 이 유기 EL 소자의 반감 수명을 측정한 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure 112008069289646-PCT00024
비교예 2
BAN-3 대신에 ban-2를 이용한 이외에는 실시예 1과 완전히 동일하게 유기 EL 소자를 제작하였다.
초기 휘도를 1000㏅/㎡로 하여 이 유기 EL 소자의 반감 수명을 측정한 결과 를 표 1에 나타낸다.
Figure 112008069289646-PCT00025
비교예 3
BAN-3 대신에 ban-3을 이용한 이외에는 실시예 1과 완전히 동일하게 유기 EL 소자를 제작하였다.
초기 휘도를 1000㏅/㎡로 하여 이 유기 EL 소자의 반감 수명을 측정한 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure 112008069289646-PCT00026
Figure 112008069289646-PCT00027
표 1로부터 알 수 있는 바와 같이 본 발명의 12위에 수소 원자를 갖는 벤조안트라센 유도체는 종래기술에 비하여 색도가 좋고 또한 장수명이다.
이상, 구체적으로 설명한 바와 같이, 본 발명의 12위에 수소 원자를 갖는 벤조안트라센 유도체를 함유하는 유기 EL 소자는 장수명이고, 색도가 양호하다.

Claims (8)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 12위에 수소 원자를 갖는 벤조안트라센 유도체.
    [화학식 1]
    Figure 112008069289646-PCT00028
    [상기 식에서, R1~R10은 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~50의 방향족 탄화수소 고리기, 치환 또는 무치환의 핵원자수 5~50의 방향족 헤테로고리기, 치환 또는 무치환의 탄소수 1~50의 알킬기, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 3~50의 사이클로알킬기, 치환 또는 무치환의 탄소수 1~50의 알콕시기, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~50의 아르알킬기, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 5~50의 아릴옥시기, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 5~50의 아릴싸이오기, 치환 또는 무치환의 탄소수 1~50의 알콕시카보닐기, 치환 또는 무치환의 탄소수 1~50의 실릴기, 카복실기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기, 또는 하이드록실기이다.
    L은 연결기이며, 단일 결합, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~50의 2가의 방향족 탄화수소 고리기, 치환 또는 무치환의 핵원자수 5~50의 2가의 방향족 헤테로고리기, 치환 또는 무치환의 플루오렌일렌기, 또는 치환 또는 무치환의 카바졸릴렌 기이다.
    n은 1~4의 정수이다. n이 2 이상의 정수일 때, L은 각각 동일하더라도 다르더라도 좋다.
    Ar은 단일 결합, 수소 원자, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~50의 방향족 탄화수소 고리기, 치환 또는 무치환의 핵원자수 5~50의 방향족 헤테로고리기, 플루오렌일기, 또는 카바졸릴기이다.
    m은 1~4의 정수이다. m이 2 이상의 정수일 때, 복수의 R1~R10 및 L은 각각 동일하더라도 다르더라도 좋다.]
  2. 제 1 항에 있어서,
    화학식 1로 표시되는 화합물이 하기 화학식 2로 표시되는 화합물인 12위에 수소 원자를 갖는 벤조안트라센 유도체.
    [화학식 2]
    Figure 112008069289646-PCT00029
    [상기 식에서, R1~R10, L 및 n은 각각 독립적으로, 화학식 1에서의 것과 동일하다. Ar은 수소 원자, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~50의 방향족 탄화수소 고 리기, 치환 또는 무치환의 핵원자수 5~50의 방향족 헤테로고리기, 플루오렌일기, 또는 카바졸릴기이다.]
  3. 제 1 항에 있어서,
    화학식 1로 표시되는 화합물이 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물인 12위에 수소 원자를 갖는 벤조안트라센 유도체.
    [화학식 3]
    [상기 식에서, R1~R20은 각각 독립적으로, 화학식 1에서의 R1~R10과 동일하다. L 및 n은 각각 독립적으로 화학식 1에서의 것과 동일하다.]
  4. 제 1 항에 있어서,
    화학식 1로 표시되는 화합물이 하기 화학식 4로 표시되는 화합물인 12위에 수소 원자를 갖는 벤조안트라센 유도체.
    [화학식 4]
    Figure 112008069289646-PCT00031
    [상기 식에서, R1~R30은 각각 독립적으로, 화학식 1에서의 R1~R10과 동일하다. L은 화학식 1에서의 것과 동일하다. q, r 및 s는 각각 독립적으로 화학식 1에서의 n과 동일하다. Ar은 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~50의 방향족 탄화수소 고리기, 치환 또는 무치환의 핵원자수 5~50의 방향족 헤테로고리기, 플루오렌일기, 또는 카바졸릴기이다.]
  5. 양극과 음극 사이에 적어도 발광층을 포함하는 1층 또는 복수층으로 이루어지는 유기 박막층이 개재되어 있는 유기 전기발광 소자에 있어서,
    상기 유기 박막층은 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 12위에 수소 원자를 갖는 벤조안트라센 유도체 중에서 선택되는 1종류를 단독 또는 혼합물의 성분으로서 함유하는 유기 전기발광 소자.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 발광층이 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 12위에 수소 원자를 갖는 벤조안트라센 유도체를 주성분으로서 함유하는 유기 전기발광 소자.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 발광층이 추가로 아릴아민 화합물을 함유하는 유기 전기발광 소자.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 발광층이 추가로 스타이릴아민 화합물을 함유하는 유기 전기발광 소자.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120115249A (ko) * 2009-11-06 2012-10-17 메르크 파텐트 게엠베하 전자 소자용 물질
US8338000B2 (en) 2009-08-10 2012-12-25 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting device
US9255084B2 (en) 2011-08-22 2016-02-09 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device containing the same

Families Citing this family (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5159164B2 (ja) * 2007-05-14 2013-03-06 キヤノン株式会社 ベンゾ［ｇｈｉ］フルオランテン誘導体及びこれを用いた有機発光素子
DE102007024850A1 (de) * 2007-05-29 2008-12-04 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
US8268459B2 (en) 2007-11-29 2012-09-18 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzanthracene compound and organic electroluminescence device using the same
WO2009081774A1 (ja) * 2007-12-20 2009-07-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. ベンズアントラセン化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2009081776A1 (ja) * 2007-12-20 2009-07-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. ベンズアントラセン化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100984341B1 (ko) * 2008-05-09 2010-09-30 (주)씨에스엘쏠라 유기 발광 소자 및 이에 사용되는 유기 발광 화합물
JPWO2010074181A1 (ja) * 2008-12-26 2012-06-21 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び化合物
DE102009034625A1 (de) * 2009-07-27 2011-02-03 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
US8581262B2 (en) 2009-08-04 2013-11-12 Merck Patent Gmbh Electronic devices comprising multi cyclic hydrocarbons
JP5784608B2 (ja) 2009-09-16 2015-09-24 メルク パテント ゲーエムベーハー 電子素子製造のための調合物
DE102009051172A1 (de) 2009-10-29 2011-05-05 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische Vorrichtungen
WO2011076326A1 (en) 2009-12-22 2011-06-30 Merck Patent Gmbh Electroluminescent functional surfactants
WO2011076314A1 (en) 2009-12-22 2011-06-30 Merck Patent Gmbh Electroluminescent formulations
WO2011076323A1 (en) 2009-12-22 2011-06-30 Merck Patent Gmbh Formulations comprising phase-separated functional materials
DE102010009193B4 (de) 2010-02-24 2022-05-19 MERCK Patent Gesellschaft mit beschränkter Haftung Zusammensetzung enthaltend Fluor-Fluor Assoziate, Verfahren zu deren Herstellung, deren Verwendung sowie organische elektronische Vorrichtung diese enthaltend
JP2013522816A (ja) 2010-03-11 2013-06-13 メルク パテント ゲーエムベーハー 発光ファイバー
WO2011110277A1 (en) 2010-03-11 2011-09-15 Merck Patent Gmbh Fibers in therapy and cosmetics
WO2011137922A1 (de) 2010-05-03 2011-11-10 Merck Patent Gmbh Formulierungen und elektronische vorrichtungen
US10190043B2 (en) 2010-05-27 2019-01-29 Merck Patent Gmbh Compositions comprising quantum dots
JP5882318B2 (ja) 2010-07-26 2016-03-09 メルク パテント ゲーエムベーハー デバイスにおけるナノ結晶
US9093656B2 (en) 2010-07-26 2015-07-28 Merck Patent Gmbh Quantum dots and hosts
DE102010055901A1 (de) 2010-12-23 2012-06-28 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
EP2675524B1 (en) 2011-02-14 2017-05-10 Merck Patent GmbH Device and method for treatment of cells and cell tissue
WO2012126566A1 (en) 2011-03-24 2012-09-27 Merck Patent Gmbh Organic ionic functional materials
EP2707911B1 (en) 2011-05-12 2017-07-05 Merck Patent GmbH Compositions and electronic devices
JP2014517524A (ja) 2011-06-01 2014-07-17 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ハイブリッド両極性ｔｆｔ
EP2737553A1 (en) 2011-07-25 2014-06-04 Merck Patent GmbH Copolymers with functionalized side chains
DE102011117422A1 (de) 2011-10-28 2013-05-02 Merck Patent Gmbh Hyperverzweigte Polymere, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung in elektronischen Vorrichtungen
JP6271442B2 (ja) 2012-01-30 2018-01-31 メルク パテント ゲーエムベーハー ファイバー上のナノ結晶
CN103805168B (zh) * 2012-11-14 2015-08-26 吉林奥来德光电材料股份有限公司 苯并蒽类有机电致发光材料及其制备方法和应用
WO2015014429A1 (de) 2013-07-29 2015-02-05 Merck Patent Gmbh Elekrolumineszenzvorrichtung
EP3028318A1 (de) 2013-07-29 2016-06-08 Merck Patent GmbH Elektrooptische vorrichtung und deren verwendung
KR102375992B1 (ko) 2014-04-16 2022-03-17 메르크 파텐트 게엠베하 전자 소자용 물질
CN106687563B (zh) 2014-09-05 2023-03-14 默克专利有限公司 制剂和电子器件
EP3241248A1 (de) 2014-12-30 2017-11-08 Merck Patent GmbH Formulierungen und elektronische vorrichtungen
EP3278377B1 (en) 2015-03-30 2020-08-05 Merck Patent GmbH Formulation of an organic functional material comprising a siloxane solvent
EP3307846B1 (en) 2015-06-12 2019-08-14 Merck Patent GmbH Esters containing non-aromatic cycles as solvents for oled formulations
EP3341981B1 (en) 2015-08-28 2020-08-19 Merck Patent GmbH Formulation of an organic functional material comprising an epoxy group containing solvent
CN108368361A (zh) 2015-12-10 2018-08-03 默克专利有限公司 含有包含非芳族环的酮的制剂
CN111477768B (zh) 2015-12-15 2023-04-07 默克专利有限公司 作为用于有机电子制剂的溶剂的含芳族基团的酯
CN108431143A (zh) 2015-12-16 2018-08-21 默克专利有限公司 含固体溶剂的制剂
KR20180095028A (ko) 2015-12-16 2018-08-24 메르크 파텐트 게엠베하 둘 이상의 상이한 용매의 혼합물을 함유하는 제형
WO2017140404A1 (en) 2016-02-17 2017-08-24 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material
DE102016003104A1 (de) 2016-03-15 2017-09-21 Merck Patent Gmbh Behälter umfassend eine Formulierung enthaltend mindestens einen organischen Halbleiter
EP3455326B1 (de) 2016-05-11 2021-02-24 Merck Patent GmbH Zusammensetzungen für elektrochemische zellen
KR20190019138A (ko) 2016-06-16 2019-02-26 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료의 제형
KR102374183B1 (ko) 2016-06-17 2022-03-14 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료의 제형
TW201815998A (zh) 2016-06-28 2018-05-01 德商麥克專利有限公司 有機功能材料之調配物
KR102427363B1 (ko) 2016-08-04 2022-07-29 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료의 제형
KR102451842B1 (ko) 2016-10-31 2022-10-07 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료의 제형
CN109890939B (zh) 2016-10-31 2023-07-11 默克专利有限公司 有机功能材料的制剂
TWI756292B (zh) 2016-11-14 2022-03-01 德商麥克專利有限公司 具有受體基團與供體基團之化合物
KR102472751B1 (ko) 2016-12-06 2022-11-30 메르크 파텐트 게엠베하 전자 디바이스의 제조 방법
CN110168047B (zh) 2016-12-13 2023-08-08 默克专利有限公司 有机功能材料的制剂
CN110088925A (zh) 2016-12-22 2019-08-02 默克专利有限公司 包含至少两种有机功能化合物的混合物
TWI763772B (zh) 2017-01-30 2022-05-11 德商麥克專利有限公司 電子裝置之有機元件的形成方法
TWI791481B (zh) 2017-01-30 2023-02-11 德商麥克專利有限公司 形成有機電致發光（ｅｌ）元件之方法
CN110446611B (zh) 2017-03-31 2021-05-25 默克专利有限公司 用于有机发光二极管(oled)的印刷方法
JP7200128B2 (ja) 2017-04-10 2023-01-06 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機機能材料の調合物
KR20200003068A (ko) 2017-05-03 2020-01-08 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료의 제형
KR20200030573A (ko) 2017-07-18 2020-03-20 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료의 제형
JP7293229B2 (ja) 2017-12-15 2023-06-19 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機機能材料の調合物
KR20200125660A (ko) 2018-02-26 2020-11-04 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료의 포뮬레이션
KR20210018315A (ko) 2018-05-31 2021-02-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
WO2019238782A1 (en) 2018-06-15 2019-12-19 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material
JP7325731B2 (ja) 2018-08-23 2023-08-15 国立大学法人九州大学 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2020064582A1 (de) 2018-09-24 2020-04-02 Merck Patent Gmbh Verfahren zur herstellung von granulat
TW202034551A (zh) 2018-11-06 2020-09-16 德商麥克專利有限公司 用於形成電子裝置的有機元件之方法
CN112838168A (zh) 2019-11-22 2021-05-25 学校法人关西学院 有机电场发光元件、显示装置、照明装置及苯并蒽化合物
JP2023040310A (ja) * 2019-12-27 2023-03-23 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
KR20230002860A (ko) 2020-04-21 2023-01-05 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료를 포함하는 에멀젼
KR20230002655A (ko) 2020-04-21 2023-01-05 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료의 포뮬레이션
WO2021259824A1 (de) 2020-06-23 2021-12-30 Merck Patent Gmbh Verfahren zur herstellung einer mischung
KR20230114756A (ko) 2020-12-08 2023-08-01 메르크 파텐트 게엠베하 잉크 시스템 및 잉크젯 인쇄를 위한 방법
KR20240000559A (ko) 2021-04-23 2024-01-02 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료의 포뮬레이션
EP4340969A1 (de) 2021-05-21 2024-03-27 Merck Patent GmbH Verfahren zur kontinuierlichen aufreinigung von mindestens einem funktionalen material und vorrichtung zur kontinuierlichen aufreinigung von mindestens einem funktionalen material
KR20240023385A (ko) * 2021-06-18 2024-02-21 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 화합물, 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료, 유기 일렉트로루미네센스 소자, 및 전자 기기
WO2023012084A1 (en) 2021-08-02 2023-02-09 Merck Patent Gmbh A printing method by combining inks
TW202349760A (zh) 2021-10-05 2023-12-16 德商麥克專利有限公司 電子裝置之有機元件的形成方法
WO2023237458A1 (en) 2022-06-07 2023-12-14 Merck Patent Gmbh Method of printing a functional layer of an electronic device by combining inks

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE558078A (ko) 1956-06-04
NL218434A (ko) 1956-06-27
US3180729A (en) 1956-12-22 1965-04-27 Azoplate Corp Material for electrophotographic reproduction
NL126440C (ko) 1958-08-20
NL250330A (ko) 1959-04-09
US3240597A (en) 1961-08-21 1966-03-15 Eastman Kodak Co Photoconducting polymers for preparing electrophotographic materials
US3180703A (en) 1963-01-15 1965-04-27 Kerr Mc Gee Oil Ind Inc Recovery process
US3526501A (en) 1967-02-03 1970-09-01 Eastman Kodak Co 4-diarylamino-substituted chalcone containing photoconductive compositions for use in electrophotography
US3542544A (en) 1967-04-03 1970-11-24 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing organic photoconductors of the triarylalkane and tetraarylmethane types
US3658520A (en) 1968-02-20 1972-04-25 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing as photoconductors triarylamines substituted by active hydrogen-containing groups
US3567450A (en) 1968-02-20 1971-03-02 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing substituted triarylamine photoconductors
US3615404A (en) 1968-04-25 1971-10-26 Scott Paper Co 1 3-phenylenediamine containing photoconductive materials
US3717462A (en) 1969-07-28 1973-02-20 Canon Kk Heat treatment of an electrophotographic photosensitive member
BE756375A (fr) 1969-09-30 1971-03-01 Eastman Kodak Co Nouvelle composition photoconductrice et produit la contenant utilisables en electrophotographie
BE756943A (fr) 1969-10-01 1971-03-16 Eastman Kodak Co Nouvelles compositions photoconductrices et produits les contenant, utilisables notamment en electrophotographie
US4127412A (en) 1975-12-09 1978-11-28 Eastman Kodak Company Photoconductive compositions and elements
US4012376A (en) 1975-12-29 1977-03-15 Eastman Kodak Company Photosensitive colorant materials
US4175961A (en) 1976-12-22 1979-11-27 Eastman Kodak Company Multi-active photoconductive elements
JPS6028342B2 (ja) 1978-06-21 1985-07-04 コニカ株式会社 電子写真感光体
US4232103A (en) 1979-08-27 1980-11-04 Xerox Corporation Phenyl benzotriazole stabilized photosensitive device
JPS6144975A (ja) * 1984-08-09 1986-03-04 Canon Inc Ｅｌ素子
US4950950A (en) 1989-05-18 1990-08-21 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with silazane-containing luminescent zone
JP2897138B2 (ja) 1989-06-30 1999-05-31 株式会社リコー 電界発光素子
US5061569A (en) 1990-07-26 1991-10-29 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic electroluminescent medium
JP3200889B2 (ja) 1991-10-23 2001-08-20 ソニー株式会社 画像の振動補正装置
JPH07138561A (ja) 1993-11-17 1995-05-30 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3724833B2 (ja) 1995-03-06 2005-12-07 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000178548A (ja) * 1998-12-16 2000-06-27 Toppan Printing Co Ltd 発光材料
JP4067259B2 (ja) * 2000-01-12 2008-03-26 富士フイルム株式会社 縮環多環式炭化水素化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子
JP4125076B2 (ja) * 2002-08-30 2008-07-23 キヤノン株式会社 モノアミノフルオレン化合物およびそれを使用した有機発光素子
TWI224473B (en) * 2003-06-03 2004-11-21 Chin-Hsin Chen Doped co-host emitter system in organic electroluminescent devices
JP2005263721A (ja) 2004-03-19 2005-09-29 Sharp Corp 多環式縮合芳香族炭化水素骨格含有有機シラン化合物及びその製造方法
WO2005090365A1 (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Sharp Kabushiki Kaisha 有機シラン化合物、その製造方法及びその用途
US20060040131A1 (en) * 2004-08-19 2006-02-23 Eastman Kodak Company OLEDs with improved operational lifetime

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8338000B2 (en) 2009-08-10 2012-12-25 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting device
KR20120115249A (ko) * 2009-11-06 2012-10-17 메르크 파텐트 게엠베하 전자 소자용 물질
US9255084B2 (en) 2011-08-22 2016-02-09 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device containing the same

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