KR20080088590A - 고주파 소자 모듈 및 그 제조 방법 - Google Patents

고주파 소자 모듈 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20080088590A
KR20080088590A KR1020087013830A KR20087013830A KR20080088590A KR 20080088590 A KR20080088590 A KR 20080088590A KR 1020087013830 A KR1020087013830 A KR 1020087013830A KR 20087013830 A KR20087013830 A KR 20087013830A KR 20080088590 A KR20080088590 A KR 20080088590A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
high frequency
frequency device
device module
metal layer
potting material
Prior art date
Application number
KR1020087013830A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100987089B1 (ko
Inventor
도모히로 요시다
Original Assignee
가부시끼가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시끼가이샤 도시바 filed Critical 가부시끼가이샤 도시바
Publication of KR20080088590A publication Critical patent/KR20080088590A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100987089B1 publication Critical patent/KR100987089B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/141—Analog devices
    • H01L2924/1423—Monolithic Microwave Integrated Circuit [MMIC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Abstract

본 발명의 일형태의 고주파 소자 모듈은, 표면에 전극이 설치되고 이면에 접지 기판이 마련된 절연 기판과, 이 절연 기판에 마련되고, 이 소자의 단자가 상기전극에 접속된 고주파 소자와, 이 고주파 소자를 덮는 포팅재(potting material)와, 이 포팅재 위에 마련되고, 상기 접지 기판에 접속된 금속층을 갖는다.

Description

고주파 소자 모듈 및 그 제조 방법{HIGH FREQUENCY DEVICE MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 마이크로파 소자 등의 고주파 소자를 매립한 고주파 소자 모듈에 관한 것으로, 특히 그 구조에 관한 것이다.
최근의 정보화 사회의 진전에 따라 전송 용량 증대의 요구는 점점 더 강해지고 있으며, 전송 용량이 더욱 큰 시스템이나 고도의 변조 방식이 요구되게 되었다. 이에 따라 높은 이득을 가지며 게다가 낮은 가격의 디바이스가 요구되고 있다.
이러한 요구에 대하여, 예컨대 일본 특허 공개 제2001-345419호 공보에 개시되어 있는 바와 같이, 세라믹의 단판(單板)에 금속 플레이트를 구비하여 소자를 고착시킨 간이형 패키지에 폴리이미드(polyimide)를 도포해서 표면을 보호하고, 그 위에 와이어나 소자를 보호하기 위한 포팅(potting)재를 도포한 모듈이 알려져 있다.
그러나, 포팅재는 절연성을 갖지만, 고성능의 소자나 고이득의 소자에서는 전자계가 방사되어, 외부에 악영향을 미치거나, 반대로 주위의 전자계나 자기가 생성하는 마이크로파의 출력이 돌아 들어가서, 현저히 성능을 악화시키기 때문에, 용도가 한정되는 경우가 있다.
또한, 일본 특허 공개 제2003-298004호 공보에는, 고주파 대역에서 작동하는 능동 소자 칩 사이의 전자파 간섭을 방지하기 위해서, Ni 입자 등의 금속 입자를 분산시킨 절연 수지층으로 밀봉한 고주파 소자 모듈이 개시되어 있다.
그러나, 이러한 고주파 소자 모듈에서는 금속 입자가 부식될 우려가 있으며, 장기적으로 충분한 전자 차폐가 행해지지 않는다는 문제가 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 고주파 소자 모듈의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 전자파의 외부로의 영향 및 외부로부터의 영향이 장기간에 걸쳐서 적어지고, 따라서 전기적 성능이 좋고, 구조가 간단하며 게다가 저렴한 고주파 소자 모듈 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 한 관점(aspect)에 따르면, 절연 기판과, 이 절연 기판에 마련된 고주파 소자와, 이 고주파 소자를 덮는 포팅재와, 이 포팅재 위에 설치되며 적어도 그 일단은 접지된 금속층을 갖는 것을 특징으로 하는 고주파 소자 모듈을 제공한다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 표면에 전극이 마련되고 이면에 접지 기판이 마련된 절연 기판과, 이 절연 기판에 마련되고, 이 소자의 단자가 상기 전극과 접속된 고주파 소자와, 이 고주파 소자를 덮는 포팅재와, 이 포팅재 위에 마련되고, 상기 접지 기판에 접속된 금속층을 갖는 것을 특징으로 하는 고주파 소자 모듈을 제공한다.
본 발명에 따르면, 전자파의 외부로의 영향 및 외부로부터의 영향이 장기에 걸쳐서 적어지고, 따라서 전기적 성능이 좋고, 구조가 간단하며 게다가 저렴한 고주파 소자 모듈을 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태의 상면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시형태의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시형태의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시형태에 있어서 배선 패턴을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 이용해서 설명한다.
<제1 실시형태>
도 1은 본 발명의 제1 실시형태의 고주파 소자 모듈의 구조를 도시하는 단면도이고, 도 2는 이 고주파 소자 모듈의 상면도이다. 도 1은 도 2의 A1-A2에의 단면을 나타낸다.
본 발명의 제1 실시형태의 고주파 소자 모듈은, 소정의 구멍부(11)를 가지며 세라믹으로 구성되고 표면에 배선이 마련된 절연 기판(12)과, 이 절연 기판(12)의 표면에 배선된 전극(13a, 13b)과, 구멍부(11)의 이면을 포함하여 마련된 접지 기판(13)과, 이 접지 기판(13) 상의 구멍부(11) 내에 설치된 받침부(14)와, 이 받침부(14) 위에 고정된 고주파 소자(15)와, 이 고주파 소자(15)의 소자 단자(16a, 16b)와 상기 절연 기판(12) 상의 전극(13a, 13b)을 접속하는, 예컨대 금으로 구성된 와이어(17a, 17b)와, 이들 와이어(17a, 17b)나 상기 고주파 소자(15) 위에 씌워져 밀봉하는 포팅재(18)와, 이 포팅재(18) 위에 형성된 금속막(19)으로 이루어져 있다. 고주파 소자(15)는 예컨대 전계 효과 트랜지스터(FET)이며, 이 고주파 소자 주위에는, 이 소자의 표면을 보호하여 밀착성을 좋게 하기 위해서 표면 보호재, 예컨대 폴리이미드(20)가 도포된다.
다음으로 이 실시형태의 고주파 소자 모듈의 제조 방법에 대하여 서술한다. 포팅재(18)를 마련하기까지는 종래와 동일한 방법으로 해도 좋다. 다음으로 도 3에 도시하는 바와 같이, 포팅재(18) 상부의 필요한 부분만 비워 둔 마스크 패턴(31)을 형성하고 이 마스크 패턴에 의해 금속 재료, 예컨대 알루미늄을 증착시킴으로써 금속막(19)을 형성한다. 금속막(19)의 두께는, 1 미크론∼5 미크론 정도로 하는 것이 바람직하다.
또한, 금속막(19)은 도 2에 도시하는 바와 같은 크기 및 형상으로 한다. 즉, 도 1에 도시하는 단면과는 직교하는 방향의 절연 기판(12) 상에 있어서, 도 2에 도시되는 바와 같이 접지 단자(22a, 22b)가 마련되어 있으며, 포팅재(18) 상의 금속막(19)은 이들 접지 단자(22a, 22b)에 접속되는 형상으로 한다. 접지 단자(22a, 22b)는 상기 접지 기판(13)과 접속되어 있다.
한편, 절연 기판(12)의 구멍부(11)는 전극(13a, 13b)도 포함하여 포팅재(18)에 의해 덮여 있다. 이 위의 금속막(19)은 상기 전극(13a, 13b)에 접촉하지 않도록 마련된다. 금속막(19)을 이러한 크기 및 형상으로 함으로써, 금속막(19)과 접지 단 자(22a, 22b)가 접속되어, 전자 차폐되게 된다.
금속막(19)으로서 알루미늄을 사용하면 차폐 효과도 높고, 저렴한 고주파 소자 모듈을 얻을 수 있다.
이 실시형태에 따르면, 고주파 소자(15)를 거의 완전히 전자 밀봉(seal)할 수 있어, 외부의 영향을 적게 할 수 있다. 게다가 아이솔레이션(isolation)이 향상되기 때문에 고이득의 고주파 소자를 취급할 수 있으며, 저렴한 고주파 소자 모듈을 얻을 수 있다.
<제2 실시형태>
그런데, 상기의 고주파 소자로서 사용되는 모놀리식 마이크로파 집적 회로(MMIC; Monolithic Microwave Integrated circuits) 소자 등에서는, 소형화 요구로 인해 모듈의 단자 위치를 변경하는 일이 빈번하게 행해지고 있다. 이러한 경우, 본딩와이어를 변경하는 것도 고려되지만, MMIC 소자 등 고이득의 디바이스에서는, 상기 고주파 소자 위에 와이어가 걸쳐진 형태가 되면, 디바이스에서 발생한 전자계의 유도를 받아서 발진하는 등의 문제를 일으키는 경우가 있다. 다음으로 서술하는 제2 실시형태는 이러한 경우에 적합한 고주파 소자 모듈이다.
도 4는 이 제2 실시형태의 고주파 소자 모듈의 구조를 도시하는 단면도이다. 도 4에 나타내는 도면 부호 41∼52b는 도 1에 나타내는 도면 부호 11∼22b에 대응한다.
본 발명의 제2 실시형태의 고주파 소자 모듈은, 예컨대 세라믹으로 구성된 절연 기판(42)의 구멍부(41)에 받침부(44)가 설치되고 이 위에, 예컨대 MMIC 소자 인 고주파 소자(45)가 장착되며, 이 절연 기판(42)의 이면에는 접지 기판(43)이 마련되어 있다. 절연 기판(42)의 표면에는, 전극(43a, 43c)이나 전극(43b, 43d)이 마련되어 있고, 금으로 구성되는 와이어(47a, 47b) 등이 이들 전극에 접속된다. 고주파 소자(45) 주위에는 이 소자의 표면 보호재로서 예컨대 폴리이미드(50)가 코팅된다. 고주파 소자(45)나 와이어는 포팅재(48)에 의해 밀봉된다. 이 포팅재(48) 위에는, 상기 제1 실시형태와 마찬가지로, 금속막(49), 예컨대 증착에 의해 알루미늄이 1 미크론∼5 미크론의 두께로 형성된다.
이 실시형태에서는, 이 금속막(49) 위에 절연층으로서 유기계의 폴리이미드(53)가 도포되고, 또한 그 위에, 도 5에 도시하는 바와 같이, 예컨대 상기 전극(43b)과 전극(43c)을 접속하기 위한 배선 패턴(54)이 형성된다. 도 4는 도 5의 일점쇄선 B1, B2 사이의 단면도이다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 패선 패턴(54)의 위에는 이 배선 패턴(54)을 보호하기 위한 보호층으로서, 예컨대 유기계의 폴리이미드(55)가 도포된다.
본 발명의 이 실시형태에 따르면, 소자의 단자가 되는 전극 사이를 접속해도 발진 등을 일으키지 않아, 안정되며, 게다가 저렴한 고주파 소자 모듈을 얻을 수 있다는 이점이 있다.
상기 제1 및 제2 실시형태에서는, 고주파 소자로서, FET 및 MMIC 소자를 사용하는 경우에 대하여 서술하였으나, 본 발명은 이들에 한정되지 않으며, 일반적으로는 마이크로파 등 고주파에 사용되는 소자를 갖는 모듈에 적용 가능하다.
또한, 상기 제1 및 제2 실시형태에서는, 절연 기판에 형성한 구멍부에 고주 파 소자를 마련하여 포팅재로 밀봉한 구조의 고주파 소자 모듈에 대해서 설명하였다. 그러나 본 발명은 이러한 모듈에 한정되지 않으며, 절연 기판 위에 고주파 소자를 마련하여 포팅재로 덮는 구조의 고주파 소자 모듈에도 적용 가능하다.
상기 제1 및 제2 실시형태에서는, 모두 고주파 소자 주위에 표면 보호재로서 폴리이미드를 도포하는 경우에 대하여 설명하였다. 폴리이미드를 고주파 소자에 도포하면, 고주파 소자를 보호할 수 있고, 고주파 소자와 포팅재의 밀착성을 높일 수 있다는 효과가 있다. 그러나, 고주파 소자와 포팅재와의 밀착성이 좋으면, 본 발명에서, 표면 보호재로서 폴리이미드에 한정되지 않고 다른 재료를 도포하는 것도 가능하다. 또한 고주파 소자를 보호할 필요가 없으면, 본 발명에 있어서, 표면 보호재도 반드시 필요한 것은 아니다.
상기 제1 및 제2 실시형태의 설명에서는, 포팅재 위에 금속막이 형성된 경우에 대하여 서술하였으나, 본 발명은 금속막뿐만이 아니라, 일반적으로는 금속층이 마련되면 된다.
또한 상기 제1 및 제2 실시형태에서는, 절연 기판의 이면에 접지 기판이 설치되고, 이 접지 기판에 접속된 접지 단자가 절연 기판의 표면에 마련되어 있는 경우에 대하여 설명하였다. 그러나 본 발명은 이러한 구조의 모듈에 한정되지 않으며, 상기 포팅재 위에 형성되는 금속층은 적어도 그 일단이 접지되어 있으면 된다. 일반적으로는, 본 발명의 고주파 소자 모듈은, 절연 기판과, 이 절연 기판에 마련된 고주파 소자와, 이 고주파 소자를 덮는 포팅재와, 이 포팅재 위에 마련되며 적어도 그 일단은 접지된 금속층을 가지고 있으면 된다.
또한 상기 제1 및 제2 실시형태에서는, 절연 기판 위에 하나의 고주파 소자가 설치되는 경우에 대하여 설명하였으나, 복수의 고주파 소자가 마련되어 있어도 좋다.
본 발명은 상기 제1 및 제2 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 여러 가지로 변형하여 실시할 수 있다.

Claims (16)

  1. 절연 기판과,
    상기 절연 기판에 마련된 고주파 소자와,
    상기 고주파 소자를 덮는 포팅재(potting material)와,
    상기 포팅재 위에 마련되고 적어도 그 일단은 접지된 금속층
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 고주파 소자 모듈.
  2. 표면에 전극이 마련되고 이면에 접지 기판이 마련된 절연 기판과,
    상기 절연 기판에 마련되고, 그 단자가 상기 전극과 접속된 고주파 소자와,
    상기 고주파 소자를 덮는 포팅재와,
    상기 포팅재 위에 설치되고, 상기 접지 기판에 접속된 금속층
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 고주파 소자 모듈.
  3. 제2항에 있어서, 상기 금속층은 알루미늄 박막인 것을 특징으로 하는 고주파 소자 모듈.
  4. 구멍부를 가지며 표면에 전극이 마련된 절연 기판과,
    상기 절연 기판의 이면에서 적어도 상기 구멍부를 덮는 접지 기판과,
    상기 구멍부 내에 마련되고, 그 단자가 상기 전극에 접속된 고주파 소자와,
    상기 고주파 소자를 덮는 포팅재와,
    상기 포팅재 위에 마련되고 상기 접지 기판과 접속된 금속층
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 고주파 소자 모듈.
  5. 제4항에 있어서, 상기 금속층은 알루미늄 박막인 것을 특징으로 하는 고주파 소자 모듈.
  6. 표면에 전극이 마련되고 이면에 접지 기판이 마련된 절연 기판과,
    상기 절연 기판에 마련되고, 그 단자가 상기 전극과 접속된 고주파 소자와,
    상기 고주파 소자의 표면을 보호하기 위해서 도포된 표면 보호재와,
    상기 표면 보호재가 도포된 상기 고주파 소자를 밀봉하는 포팅재와,
    상기 포팅재 위에 마련되고, 상기 접지 기판과 접속된 금속층과,
    상기 금속층을 덮도록 마련된 절연층과,
    상기 절연층 위에 마련되고, 상기 전극과 접속되는 배선 패턴과,
    상기 배선 패턴 위에 마련된 보호층
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 고주파 소자 모듈.
  7. 제6항에 있어서, 상기 표면 보호재는 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 고주파 소자 모듈.
  8. 제7항에 있어서, 상기 금속층은 알루미늄 박막인 것을 특징으로 하는 고주파 소자 모듈.
  9. 제8항에 있어서, 상기 고주파 소자는 모놀리식 마이크로파 집적 회로 소자인 것을 특징으로 하는 고주파 소자 모듈.
  10. 구멍부를 가지며 표면에 전극이 마련된 절연 기판과,
    상기 절연 기판의 이면에서 적어도 상기 구멍부를 덮는 접지 기판과,
    상기 구멍부 내에 마련되고 그 단자가 상기 전극에 접속된 고주파 소자와,
    상기 고주파 소자의 표면을 보호하기 위해서 도포된 표면 보호재와,
    상기 표면 보호재가 도포된 상기 고주파 소자를 밀봉하는 포팅재와,
    상기 포팅재 위에 마련되고, 상기 접지 기판과 접속된 금속층과,
    상기 금속층을 덮도록 마련된 절연층과,
    상기 절연층 위에 마련되고, 상기 전극과 접속되는 배선 패턴과,
    상기 배선 패턴 위에 마련된 보호층
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 고주파 소자 모듈.
  11. 제10항에 있어서, 상기 표면 보호재는 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 고주파 소자 모듈.
  12. 제11항에 있어서, 상기 금속층은 알루미늄 박막인 것을 특징으로 하는 고주파 소자 모듈.
  13. 제12항에 있어서, 상기 고주파 소자는 모놀리식 마이크로파 집적 회로 소자인 것을 특징으로 하는 고주파 소자 모듈.
  14. 표면에 전극이 마련되고 이면에 접지 기판이 마련된 절연 기판 위에, 그 단자가 상기 전극과 접속된 고주파 소자를 마련하는 단계와,
    상기 고주파 소자를 포팅재로 덮는 단계와,
    상기 포팅재 위에 금속층을 마련하는 단계와,
    상기 금속층을 상기 접지 기판에 접속하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 소자 모듈의 제조 방법.
  15. 표면에 전극이 마련되고 이면에 접지 기판이 마련된 절연 기판 위에, 그 단자가 상기 전극과 접속된 고주파 소자를 마련하는 단계와,
    상기 고주파 소자에 그 표면을 보호하기 위한 표면 보호재를 도포하는 단계와,
    상기 표면 보호재가 도포된 상기 고주파 소자를 포팅재로 밀봉하는 단계와,
    상기 포팅재 위에 상기 접지 기판에 접속된 금속층을 설치하는 단계와,
    상기 금속층을 덮도록 절연층을 마련하는 단계와,
    상기 절연층 위에 상기 전극에 접속되는 배선 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 배선 패턴 위에 보호층을 마련하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 소자 모듈의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 표면 보호재는 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 고주파 소자 모듈의 제조 방법.
KR1020087013830A 2006-05-16 2007-05-11 고주파 소자 모듈 및 그 제조 방법 KR100987089B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2006-00136290 2006-05-16
JP2006136290A JP4690938B2 (ja) 2006-05-16 2006-05-16 高周波素子モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080088590A true KR20080088590A (ko) 2008-10-02
KR100987089B1 KR100987089B1 (ko) 2010-10-11

Family

ID=38693661

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087013830A KR100987089B1 (ko) 2006-05-16 2007-05-11 고주파 소자 모듈 및 그 제조 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7635918B2 (ko)
JP (1) JP4690938B2 (ko)
KR (1) KR100987089B1 (ko)
CN (1) CN101361180B (ko)
DE (1) DE112007000081T5 (ko)
TW (1) TW200802743A (ko)
WO (1) WO2007132560A1 (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8053872B1 (en) 2007-06-25 2011-11-08 Rf Micro Devices, Inc. Integrated shield for a no-lead semiconductor device package
US8062930B1 (en) 2005-08-08 2011-11-22 Rf Micro Devices, Inc. Sub-module conformal electromagnetic interference shield
US20090002969A1 (en) 2007-06-27 2009-01-01 Rf Micro Devices, Inc. Field barrier structures within a conformal shield
US8959762B2 (en) 2005-08-08 2015-02-24 Rf Micro Devices, Inc. Method of manufacturing an electronic module
US7956429B1 (en) 2007-08-02 2011-06-07 Rf Micro Devices, Inc. Insulator layer based MEMS devices
US9137934B2 (en) 2010-08-18 2015-09-15 Rf Micro Devices, Inc. Compartmentalized shielding of selected components
US8835226B2 (en) 2011-02-25 2014-09-16 Rf Micro Devices, Inc. Connection using conductive vias
US9627230B2 (en) 2011-02-28 2017-04-18 Qorvo Us, Inc. Methods of forming a microshield on standard QFN package
US9807890B2 (en) 2013-05-31 2017-10-31 Qorvo Us, Inc. Electronic modules having grounded electromagnetic shields
US11127689B2 (en) 2018-06-01 2021-09-21 Qorvo Us, Inc. Segmented shielding using wirebonds
US11219144B2 (en) 2018-06-28 2022-01-04 Qorvo Us, Inc. Electromagnetic shields for sub-modules
US11114363B2 (en) 2018-12-20 2021-09-07 Qorvo Us, Inc. Electronic package arrangements and related methods
US11515282B2 (en) 2019-05-21 2022-11-29 Qorvo Us, Inc. Electromagnetic shields with bonding wires for sub-modules

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2524202B1 (fr) * 1982-03-23 1985-11-08 Thomson Csf Module preadapte pour diode hyperfrequence, et procede de realisation de la connexion de polarisation de la diode
JP2987950B2 (ja) * 1991-01-25 1999-12-06 日立化成工業株式会社 ポリイミド系樹脂ペーストおよびこれを用いたｉｃ
JP2001035956A (ja) * 1999-07-19 2001-02-09 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
JP3500335B2 (ja) * 1999-09-17 2004-02-23 株式会社東芝 高周波回路装置
JP2001345419A (ja) 2000-05-31 2001-12-14 Hitachi Ltd 一体型高周波無線回路モジュール
JP2003179181A (ja) * 2001-12-11 2003-06-27 Ngk Spark Plug Co Ltd 樹脂製配線基板
JP2003298004A (ja) 2002-04-04 2003-10-17 Fujitsu Ltd 素子間干渉電波シールド型高周波モジュール及び電子装置
JP2005109306A (ja) * 2003-10-01 2005-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品パッケージおよびその製造方法
JP2005340656A (ja) * 2004-05-28 2005-12-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波集積回路装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20080203561A1 (en) 2008-08-28
DE112007000081T5 (de) 2009-04-23
JP4690938B2 (ja) 2011-06-01
CN101361180B (zh) 2012-11-28
KR100987089B1 (ko) 2010-10-11
TWI336510B (ko) 2011-01-21
TW200802743A (en) 2008-01-01
US7635918B2 (en) 2009-12-22
WO2007132560A1 (ja) 2007-11-22
JP2007311396A (ja) 2007-11-29
CN101361180A (zh) 2009-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100987089B1 (ko) 고주파 소자 모듈 및 그 제조 방법
US10849257B2 (en) Module
JP3061954B2 (ja) 半導体装置
JP3538045B2 (ja) Ｒｆ回路モジュール
US5939784A (en) Shielded surface acoustical wave package
KR102408079B1 (ko) 고주파 모듈
KR20050001368A (ko) 적층형 반도체 장치
US10861757B2 (en) Electronic component with shield plate and shield plate of electronic component
KR20150002264A (ko) 반도체 패키지
US20210265555A1 (en) Mountable electronic component and electronic circuit module
KR930004248B1 (ko) 반도체소자패키지 및 반도체소자패키지 탑재배선회로기판
US9249010B2 (en) Electrical shielding in a MEMS leadframe package
JP2870162B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
CN111081696A (zh) 半导体封装和制造半导体封装的方法
JP3104679B2 (ja) ハイブリッドｉｃパッケージ
JPH11204690A (ja) 表面実装型パッケージ及び半導体装置
JPH0982826A (ja) 半導体素子封止用パッケージおよびそれを用いた回路装置の実装構造
CN211238248U (zh) 半导体封装
JP2993456B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
US6414383B1 (en) Very low magnetic field integrated circuit
JP3535317B2 (ja) 半導体装置
JP2004023074A (ja) 回路基板装置及びその製造方法
JP2001119186A (ja) 電子部品のシールド材料及びシールド構造
JP2994167B2 (ja) 半導体装置
JP3670863B2 (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee