DE112007000081T5 - Hochfrequenzgerätmodul und Herstellungsverfahren desselben - Google Patents

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electrodes
device module
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Toshiba Corp
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Abstract

Ein Hochfrequenzgerätmodul, umfassend:
ein Isolierungssubstrat;
ein Hochfrequenzgerät, bereitgestellt auf dem Isolierungssubstrat;
eingebettetes Material zum Bedecken des Hochfrequenzgeräts; und
eine metallische Schicht, bereitgestellt auf dem eingebetteten Material mit mindestens einem Ende derselben geerdet.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Hochfrequenzgerätmodul, in dem ein Hochfrequenzgerät, wie zum Beispiel ein Mikrowellengerät, eingefügt ist, und insbesondere eine Struktur desselben.
  • Stand der Technik
  • Eine Nachfrage für eine Erhöhung der Übertragungskapazität wurde immer intensiver in den letzten Jahren mit einem Fortschritt der Informationsgesellschaft, so dass ein System mit einer großen Übertragungskapazität und ein Modulationssystem einer höheren Stufe nachgefragt wurden. Begleitet von diesem wurden Geräte mit einer höheren Verstärkung und hergestellt mit geringeren Kosten nachgefragt.
  • Um diese Nachfrage zu erfüllen, ist ein Modul bekannt, das beispielsweise in der japanischen Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. 2001-345419 bekannt ist. In dem Modul ist ein einfaches Gehäuse, in dem eine einzelne Keramikschicht eine Metallplatte aufweist, und ein Gerät darauf festgemacht ist, beschichtet mit Polyimid, um die Oberfläche zu schützen, sowie eingebettete Materialien zum Schützen von Draht, und das Gerät wird darauf angewandt.
  • Jedoch wird, obwohl das eingebettete Material eine Isolierungseigenschaft aufweist, falls ein Hochleistungsgerät oder ein Gerät mit starker Verstärkung verwendet wird, ein elektromagnetisches Feld dabei abgestrahlt, das die Umgebung beeinflusst, oder eine Leistungsfähigkeit extrem verschlechtert wird durch ein Eintreten von einem elektromagnetischen Feld der Umgebung oder Ausgabe von Mikrowellen, die von diesem selbst emittiert werden. Aus diesem Grund wird ein Anwendungsgebiet von diesem Hochfrequenzgerätmodul manchmal begrenzt.
  • Ferner offenbart die japanische Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. 2003-298004 ein Hochfrequenzgerätmodul, abgedichtet mit isolierendem Harz oder Kunstharz durch Verteilen von metallischen Teilchen, wie zum Beispiel Ni-Teilchen, um eine Interferenz der elektromagnetischen Welle zwischen aktiven Gerätechips zu verhindern, die in einem Hochfrequenzband arbeiten.
  • Jedoch gibt es eine Möglichkeit, in einem Fall, wo solch ein Hochfrequenzgerätmodul verwendet wird, dass seine metallischen Teilchen korrodieren können und ein Problem, dass eine ausreichende elektromagnetische Abschirmung nicht auf eine lange Zeit erreicht werden kann.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Hochfrequenzgerätmodul bereitzustellen, in dem Einflüsse der elektromagnetischen Welle nach außen und von außen klein sind, wodurch eine exzellente elektrische Leistungsfähigkeit sichergestellt wird, und mit einer einfachen Struktur, hergestellt bei niedrigen Kosten und ein Herstellungsverfahren desselben.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Hochfrequenzgerätmodul bereitgestellt, enthaltend: ein Isolierungssubstrat; ein Hochfrequenzgerät, bereitgestellt auf dem Isolierungssubstrat; eingebettetes Material zum Bedecken des Hochfrequenzgeräts; und eine metallische Schicht, bereitgestellt auf dem eingebetteten Material mit mindestens einem Ende derselben geerdet.
  • Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Hochfrequenzgerätmodul bereitgestellt, enthaltend: ein Isolierungssubstrat, in dem Elektroden bereitgestellt werden auf der vorderen Oberfläche desselben und ein Erdungssubstrat wird bereitgestellt auf der hinteren Oberfläche desselben; ein Hochfrequenzgerät, bereitgestellt auf dem Isolierungssubstrat mit einem Anschluss desselben, verbunden mit den Elektroden; eingebettetes Material zum Abdecken des Hochfrequenzgeräts; und eine metallische Schicht, bereitgestellt auf dem eingebetteten Material, und verbunden mit dem Erdungssubstrat.
  • Deshalb ist es möglich, ein Hochfrequenzgerätmodul zu erhalten, in dem Einflüsse der elektromagnetischen Welle von außen und nach außen klein sind auf eine lange Zeit; wodurch eine exzellente elektrische Leistungsfähigkeit sichergestellt wird, sowie mit einer einfachen Struktur, hergestellt mit niedrigen Kosten.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 zeigt eine Schnittansicht, die die Struktur der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 2 zeigt eine Draufsicht der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 3 zeigt eine Ansicht zum Erklären eines Herstellungsverfahrens der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 4 zeigt eine Schnittansicht, die die Struktur einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; und
  • 5 zeigt eine Ansicht zum Erklären eines Verdrahtungsmusters in der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • Hier im Folgenden werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen.
  • <Erste Ausführungsform>
  • 1 zeigt eine Schnittansicht, die die Struktur eines Hochfrequenzgerätmoduls gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. 2 zeigt eine Draufsicht dieses Hochfrequenzgerätmoduls. 1 zeigt eine Schnittansicht entlang A1-A2 der 2.
  • Das Hochfrequenzmodul der vorliegenden Erfindung enthält ein Isolierungssubstrat 12 mit einem spezifizierten Lochteil 11, zusammengesetzt aus Keramik und ausgestattet mit einer Verdrahtung auf seiner Oberfläche; Elektroden 13a, 13b, platziert auf der Oberfläche des Isolierungssubstrats 12; ein Erdungssubstrat 13, bereitgestellt mit der Rückseite des Lochteils 11; ein Basisteil 14, bereitgestellt innerhalb des Lochteils 11 auf dem Erdungssubstrat 13; ein Hochfrequenzgerät 15, festgemacht an dem Basisteil 14; Drähte 17a, 17b, zusammengesetzt aus beispielsweise Gold, zum Verbinden von Geräteanschlüssen 16a, 16b des Hochfrequenzgeräts 15 mit den Elektroden 13a, 13b auf dem Isolierungssubstrat 12; eingebettetes Material 18 auf den Drähten 17a, 17b und dem Hochfrequenzgerät 15 zum Abschirmen dieser und einen metallischen Film 19, bereitgestellt auf dem eingebetteten Material 18. Das Hochfrequenzgerät 15 ist beispielsweise ein Feldeffekttransistor (FET, Field Effect Transistor) und die periphere Oberfläche desselben ist beschichtet mit Oberflächenschutzmaterial, beispielsweise Polyimid 20, um die Oberfläche des Geräts zu schützen, und eine Anhaftung der Oberfläche zu verbessern.
  • Als nächstes wird ein Herstellungsverfahren des Hochfrequenzgerätmoduls dieser Ausführungsform beschrieben. Das gleiche Verfahren wie herkömmlich, wird verwendet, bis das eingebettete Material 18 bereitgestellt wird. Dann wird, wie in 3 gezeigt, ein Maskenmuster 31 bereitgestellt, in dem nur ein benötigter Teil über dem eingebetteten Material 18 ausgebohrt wird, und durch Ablagern von Metallmaterial, beispielsweise Aluminium durch dieses Maskenmuster, wird ein metallischer Film 19 bereitgestellt. Bevorzugt ist die Dicke des metallischen Films 19 1–5 μm.
  • Der metallische Film 19 wird gebildet in einer Größe und Form, wie in 2 gezeigt. Das heißt, wie in 2 gezeigt, werden Erdungsanschlüsse 22a, 22b bereitgestellt auf dem Isolierungssubstrat 12 in einer Richtung orthogonal zu dem in 1 gezeigten Abschnitt, und der metallische Film 19 auf dem eingebetteten Material 18 wird konfiguriert, um verbunden zu werden mit den Erdungsanschlüssen 22a, 22b. Die Erdungsanschlüsse 22a, 22b werden verbunden mit dem Erdungssubstrat 13.
  • Andererseits wird das Lochteil 11 in dem Isolierungssubstrat 12 bedeckt mit dem eingebetteten Material 18, beispielsweise Vergussmaterial, sowie den Elektroden 13a, 13b. Der metallische Film 19 wird bereitgestellt, um nicht mit den Elektroden 13a, 13b in Kontakt zu sein. Durch Bilden des metallischen Films 19 in solch einer Größe und Form wird der metallische Film 19 verbunden mit den Erdungsanschlüssen 22a, 22b, um eine elektromagnetische Abschirmung zu erreichen.
  • Unter Verwendung von Aluminium als metallischen Film 19 kann ein hoher Abschirmungseffekt erreicht werden, so dass ein günstiges Hochfrequenzgerät erhalten werden kann.
  • Gemäß dieser Ausführungsform kann das Hochfrequenzgerät 15 vollständig elektromagnetisch abgeschirmt werden, wodurch ein Einfluss von außerhalb reduziert wird. Ferner wird eine Isolierung verbessert, so dass ein Hochfrequenzgerät mit hoher Verstärkung gehandhabt werden kann und ein günstiges Hochfrequenzgerätmodul erhalten wird.
  • <Zweite Ausführungsform>
  • In einem Monolith-Mikrowellen-Integrierte-Schaltungs-(MMIC, Monolithic Microwave Integrated Circuit)-Gerät zur Verwendung als das zuvor erwähnte Hochfrequenzgerät, wird die Anschlussposition des Moduls oft verändert aufgrund eines Verlangens, die Größe zu reduzieren. In solch einem Fall kann, obwohl es betrachtet werden kann, den Kontaktierdraht zu ändern, falls Draht erstellt wird zum Spannen über das Hochfrequenzgerät in einem Gerät mit hoher Verstärkung, wie zum Beispiel dem MMIC-Gerät, solch ein Fehler, dass Oszillation induziert wird durch das in dem Gerät erzeugte elektromagnetische Feld, erzeugt werden. Eine als nächstes beschriebene zweite Ausführungsform betrifft ein Hochfrequenzgerätmodul, das für solch einen Zweck passt.
  • 4 zeigt eine Schnittansicht, die die Struktur eines Hochfrequenzgerätmoduls gemäß der zweiten Ausführungsform zeigt. Bezugszeichen 41–52b entsprechen den Bezugszeichen 11–22b, gezeigt in 1.
  • Beispielsweise wird ein Basisteil 41 bereitgestellt in einem Lochteil 41 eines Isolierungssubstrats 42, zusammengesetzt aus Keramik und einem Hochfrequenzgerät 45, das beispielsweise ein MMIC-Gerät ist, angebracht an dem Basisteil 41, während ein Erdungssubstrat 43 bereitgestellt wird auf der Rückseite des Isolierungssubstrats 42. Elektroden 43a, 43c und Elektroden 43b, 43d werden bereitgestellt auf der Oberfläche des Isolierungssubstrats 42 und Drähte 47a, 47b, zusammengesetzt aus Gold werden verbunden mit diesen Elektroden. Die periphere Oberfläche des Hochfrequenzgeräts 47 wird beschichtet mit beispielsweise Polyimid 50 als das Oberflächenschutzmaterial dieses Geräts. Das Hochfrequenzgerät 45 und Draht werden abgeschirmt durch eingebettetes Material 48. Der metallische Film 49, beispielsweise Aluminium, wird bereitgestellt auf dem eingebetteten Material 48 mit einer Dicke von 1–5 μm durch Ablagern, wie bei der ersten Ausführungsform.
  • In dieser Ausführungsform wird der metallische Film 49 beschichtet mit organischem Polyimid 53 als eine Isolierungsschicht, und wie in 5 gezeigt, das Verdrahtungsmuster 54 zum Verbinden der Elektrode 43b und der Elektrode 43c wird darauf bereitgestellt. 4 zeigt eine Schnittansicht entlang einer Linie B1-B2.
  • Wie in 4 gezeigt, wird das Verdrahtungsmuster 54 beschichtet mit organischem Polyimid 55 als Schutzschicht zum Schützen des Verdrahtungsmusters 54.
  • Diese Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hat einen Vorteil eines Erhaltens eines günstigen und stabilen Hochfrequenzgerätmoduls, das nie oszilliert, selbst wenn die Elektroden, die als Geräteanschluss dienen, miteinander verbunden sind.
  • Obwohl die Ausführungsform beschrieben wurde hinsichtlich eines Falls eines Verwendens des FET und MMIC-Geräts als das Hochfrequenzgerät, ist die vorliegende Erfindung nicht begrenzt auf dieses Beispiel, aber kann angewandt werden auf ein Modul mit einem Gerät, das verwendet wird für eine Hochfrequenzwelle, wie zum Beispiel Mikrowelle.
  • Die Ausführungsform wurde beschrieben hinsichtlich eines Hochfrequenzgerätmoduls mit einer Struktur, in der das Hochfrequenzgerät bereitgestellt wird in dem Lochteil, gebildet auf einem Isolierungssubstrat, und abgeschirmt mit dem eingebetteten Material. Jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht begrenzt auf solch ein Modul, aber kann angewandt werden auf ein Hochfrequenzgerätmodul mit einer Struktur, in der das Hochfrequenzgerät bereitgestellt wird auf dem Isolierungssubstrat, und abgedeckt ist mit dem eingebetteten Material.
  • Die Ausführungsform wurde beschrieben hinsichtlich eines Falls, wo die periphere Oberfläche des Hochfrequenzgeräts bedeckt ist mit Polyimid als Oberflächenschutzmaterial. Durch Abdecken des Hochfrequenzgeräts mit Polyimid kann das Hochfrequenzgerät geschützt werden, und eine Anhaftung zwischen Hochfrequenzgerät und dem eingebetteten Material kann intensiviert werden. Jedoch ist, solange eine Haftung zwischen dem Hochfrequenzgerät und dem eingebetteten Material exzellent ist, das Oberflächenschutzmaterial der vorliegenden Erfindung nicht begrenzt auf Polyimid, aber ein anderes Material kann angewandt werden. Ferner benötigt die vorliegende Erfindung nicht immer irgendein Oberflächenschutzmaterial, falls es nicht notwendig ist, das Hochfrequenzgerät zu schützen.
  • Obwohl die Ausführungsform beschrieben wurde hinsichtlich eines Falls, wo der metallische Film bereitgestellt wird auf dem eingebetteten Material, ist die vorliegende Erfindung nicht begrenzt auf den metallischen Film, aber im Allgemeinen wird ihr Erfordernis erfüllt durch Bereitstellen einer metallischen Schicht.
  • In der Ausführungsform wurde ein Fall, wo das Erdungssubstrat bereitgestellt wird auf der Rückseite des Isolierungssubstrats und ein Erdungsanschluss verbunden mit diesem Erdungssubstrat bereitgestellt wird auf der Oberfläche des Isolierungssubstrats beschrieben. Jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht begrenzt auf solch ein Modul, aber die auf dem eingebetteten Material gebildete metallische Schicht muss nur geerdet werden durch mindestens ein Ende derselben. Im Allgemeinen muss das Hochfrequenzgerätmodul der vorliegenden Erfindung das Isolierungssubstrat enthalten, das Hochfrequenzgerät bereitgestellt auf dem Isolierungssubstrat, das eingebettete Material zum Abdecken des Hochfrequenzgeräts und die metallische Schicht, bereitgestellt auf dem eingebetteten Material mit mindestens einem Ende desselben geerdet.
  • Obwohl in der Ausführungsform ein Fall beschrieben wurde, wo ein einzelnes Hochfrequenzgerät bereitgestellt wird auf dem Isolierungssubstrat, kann eine Vielzahl der Hochfrequenzgeräte bereitgestellt werden.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht begrenzt auf die Ausführungsformen, aber kann modifiziert werden auf verschiedene Arten eines Umfangs der technischen Idee der Erfindung.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Ein Hochfrequenzgerätmodul einer Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung enthält: ein Isolierungssubstrat, in dem Elektroden bereitgestellt werden auf der vorderen Oberfläche desselben, und ein Erdungssubstrat bereitgestellt wird auf der hinteren Oberfläche desselben; ein Hochfrequenzgerät, bereitgestellt auf dem Isolierungssubstrat mit einem Anschluss des Geräts, verbunden mit den Elektroden; eingebettetes Material zum Bedecken des Hochfrequenzgeräts; und eine metallische Schicht, bereitgestellt auf dem eingebetteten Material, und verbunden mit dem Erdungssubstrat.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - JP 2001-345419 [0003]
    • - JP 2003-298004 [0005]

Claims (16)

  1. Ein Hochfrequenzgerätmodul, umfassend: ein Isolierungssubstrat; ein Hochfrequenzgerät, bereitgestellt auf dem Isolierungssubstrat; eingebettetes Material zum Bedecken des Hochfrequenzgeräts; und eine metallische Schicht, bereitgestellt auf dem eingebetteten Material mit mindestens einem Ende derselben geerdet.
  2. Ein Hochfrequenzgerätmodul, umfassend: eine Isolierungsschicht, in der Elektroden bereitgestellt werden auf der vorderen Oberfläche desselben, und ein Erdungssubstrat bereitgestellt wird auf der hinteren Oberfläche desselben; ein Hochfrequenzgerät, bereitgestellt auf dem Isolierungssubstrat mit einem Anschluss desselben, verbunden mit den Elektroden; eingebettetes Material zum Bedecken des Hochfrequenzgeräts; und eine metallische Schicht, bereitgestellt auf dem eingebetteten Material, und verbunden mit dem Erdungssubstrat.
  3. Das Hochfrequenzgerätmodul nach Anspruch 2, wobei die metallische Schicht ein Aluminiumdünnfilm ist.
  4. Ein Hochfrequenzgerätmodul, umfassend: ein Isolierungssubstrat mit einem Lochteil, und bereitgestellt mit Elektroden auf der Oberfläche desselben; ein Erdungssubstrat, das mindestens das Lochteil auf der Hinterseite des Isolierungssubstrats bedeckt; ein Hochfrequenzgerät, bereitgestellt in dem Lochteil, mit einem Anschluss desselben, verbunden mit den Elektroden; eingebettetes Material zum Bedecken des Hochfrequenzgeräts; und eine metallische Schicht, bereitgestellt auf dem eingebetteten Material, und verbunden mit dem Erdungssubstrat.
  5. Das Hochfrequenzgerätmodul nach Anspruch 4, wobei die metallische Schicht ein Aluminiumdünnfilm ist.
  6. Ein Hochfrequenzgerätmodul, umfassend: ein Isolierungssubstrat, in dem Elektroden bereitgestellt werden auf der vorderen Oberfläche desselben, und ein Erdungssubstrat bereitgestellt wird auf der hinteren Oberfläche desselben; ein Hochfrequenzgerät, bereitgestellt auf dem Isolierungssubstrat mit einem Anschluss desselben verbunden mit den Elektroden; Oberflächenschutzmaterial, angewandt zum Schützen der Oberfläche des Hochfrequenzgeräts; eingebettetes Material zum Abschirmen des Hochfrequenzgeräts, bedeckt mit dem Oberflächenschutzmaterial; eine metallische Schicht, bereitgestellt auf dem eingebetteten Material, und verbunden mit dem Erdungssubstrat; eine Isolierungsschicht, bereitgestellt zum Bedecken der metallischen Schicht; ein Verdrahtungsmuster, bereitgestellt auf der Isolierungsschicht, und verbunden mit den Elektroden; und eine Schutzschicht, bereitgestellt auf dem Verdrahtungsmuster.
  7. Das Hochfrequenzgerätmodul nach Anspruch 6, wobei das Oberflächenschutzmaterial Polyimid ist.
  8. Das Hochfrequenzgerätmodul nach Anspruch 7, wobei die metallische Schicht ein Aluminiumdünnfilm ist.
  9. Das Hochfrequenzgerätmodul nach Anspruch 8, wobei das Hochfrequenzgerät ein Monolith-Mikrowellen-Integrierte-Schaltungs-Gerät ist.
  10. Ein Hochfrequenzgerätmodul, umfassend: ein Isolierungssubstrat mit einem Lochteil, und bereitgestellt mit Elektroden auf der Oberfläche desselben; ein Erdungssubstrat, das mindestens das Lochteil auf der Rückseite des Isolierungssubstrats bedeckt; ein Hochfrequenzgerät, bereitgestellt in dem Lochteil mit einem Anschluss desselben, verbunden mit den Elektroden; Oberflächenschutzmaterial, angewandt zum Schützen der Oberfläche des Hochfrequenzgeräts; eingebettetes Material zum Abschirmen des Hochfrequenzgeräts, bedeckt mit dem Oberflächenschutzmaterial; eine metallische Schicht, bereitgestellt auf dem eingebetteten Material, und verbunden mit dem Erdungssubstrat; eine Isolierungsschicht, bereitgestellt zum Bedecken der metallischen Schicht; ein Verdrahtungsmuster, bereitgestellt auf der Isolierungsschicht, und verbunden mit den Elektroden; und eine Schutzschicht, bereitgestellt auf dem Verdrahtungsmuster.
  11. Das Hochfrequenzgerätmodul nach Anspruch 10, wobei das Oberflächenschutzmaterial Polyimid ist.
  12. Das Hochfrequenzgerätmodul nach Anspruch 11, wobei die metallische Schicht ein Aluminiumdünnfilm ist.
  13. Das Hochfrequenzgerätmodul nach Anspruch 12, wobei das Hochfrequenzgerät ein Monolith-Mikrowellen-Integrierte-Schaltungs-Gerät ist.
  14. Ein Herstellungsverfahren eines Hochfrequenzgerätmoduls, umfassend: Bereitstellen eines Hochfrequenzgeräts, wobei ein Anschluss desselben verbunden ist mit Elektroden auf einem Isolierungssubstrat, in dem die Elektroden bereitgestellt werden auf der vorderen Oberfläche desselben und ein Erdungssubstrat wird bereitgestellt auf der hinteren Oberfläche desselben; Bedecken des Hochfrequenzgeräts mit eingebettetem Material; Bereitstellen einer metallischen Schicht auf dem eingebetteten Material; und Verbinden der metallischen Schicht mit dem Erdungssubstrat.
  15. Ein Herstellungsverfahren eines Hochfrequenzgerätmoduls, umfassend: Bereitstellen eines Hochfrequenzgeräts, wobei ein Anschluss desselben verbunden ist mit Elektroden auf einem Isolierungssubstrat, in dem die Elektroden bereitgestellt werden auf der vorderen Oberfläche desselben, und ein Erdungssubstrat bereitgestellt wird auf der hinteren Oberfläche desselben; Anwenden eines Oberflächenschutzmaterials auf das Hochfrequenzgerät zum Schützen der Oberfläche desselben; Abschirmen des Hochfrequenzgeräts, bedeckt mit dem Oberflächenschutzmaterial, durch Verwenden von eingebettetem Material; Bereitstellen einer metallischen Schicht, verbunden mit dem Erdungssubstrat auf dem eingebetteten Material; Bereitstellen einer Isolierungsschicht zum Bedecken der metallischen Schicht; Bereitstellen eines Verdrahtungsmusters, verbunden mit den Elektroden auf der Isolierungsschicht; und Bereitstellen einer Schutzschicht auf dem Verdrahtungsmuster.
  16. Das Herstellungsverfahren eines Hochfrequenzgerätmoduls nach Anspruch 15, wobei das Oberflächenschutzmaterial Polyimid ist.
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