KR20080080451A - 열처리 시스템, 열처리 방법 및 프로그램 - Google Patents
열처리 시스템, 열처리 방법 및 프로그램 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080080451A KR20080080451A KR1020080018850A KR20080018850A KR20080080451A KR 20080080451 A KR20080080451 A KR 20080080451A KR 1020080018850 A KR1020080018850 A KR 1020080018850A KR 20080018850 A KR20080018850 A KR 20080018850A KR 20080080451 A KR20080080451 A KR 20080080451A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- heat treatment
- temperature
- heat
- optimization value
- storing
- Prior art date
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 105
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 436
- 238000005457 optimization Methods 0.000 claims abstract description 117
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 115
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 114
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 81
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 69
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 55
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 47
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 44
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 18
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 7
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 84
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 46
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 34
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Claims (16)
- 피처리체를 수용하는 처리실을 갖고, 상기 처리실 내의 상기 피처리체를 열처리하는 열처리 수단과,상기 피처리체의 열처리의 내용에 따라서, 상기 처리실 내의 열처리 온도를 포함하는 열처리 조건을 기억하는 열처리 조건 기억 수단과,상기 열처리 조건 기억 수단에 기억된 열처리 조건에 따라서 상기 처리실 내의 상기 피처리체를 열처리하는 열처리 수단을 제어하는 열처리 제어 수단과,상기 열처리 수단에 의한 열처리의 횟수를 기억하는 열처리 횟수 기억 수단과,상기 열처리 온도와, 상기 열처리에 수반하여 장치 내부에 부착된 부착물의 누적막 두께와, 상기 부착물의 부착에 기인하는 상기 처리실 내의 온도 오차를 보정하는 온도 보정치와의 관계를 나타내는 온도 보정 테이블을 기억하는 온도 보정 테이블 기억 수단과,상기 열처리 수단이 상기 열처리 조건에 따라서 피처리체를 열처리할 때, 상기 열처리 횟수 기억 수단을 기초로 하여 현재의 부착물의 누적막 두께를 특정하고, 상기 특정한 누적막 두께와, 상기 열처리 조건 기억 수단에 기억된 열처리 온도와, 상기 온도 보정 테이블 기억 수단에 기억된 온도 보정 테이블을 기초로 하여, 상기 처리실 내의 온도의 최적화 값을 산출하는 최적화 값 산출 수단을 구비하고,상기 열처리 제어 수단은, 상기 최적화 값 산출 수단에 의해 산출된 최적화 값으로 상기 열처리 조건 기억 수단 내의 상기 열처리 온도를 변경하고, 변경한 열처리 온도에서 상기 피처리체를 열처리시키는 것을 특징으로 하는 열처리 시스템.
- 피처리체를 수용하는 처리실을 갖고, 상기 처리실 내의 상기 피처리체를 열처리하는 열처리 수단과,상기 열처리체의 열처리의 내용에 따라서, 상기 처리실 내의 열처리 온도를 포함하는 열처리 조건을 기억하는 열처리 조건 기억 수단과,상기 열처리 조건 기억 수단에 기억된 열처리 조건에 따라서 상기 처리실 내의 상기 피처리체를 열처리하는 열처리 수단을 제어하는 열처리 제어 수단과,상기 열처리 수단에 의한 열처리의 횟수를 기억하는 열처리 횟수 기억 수단과,상기 열처리에 수반하여 장치 내부에 부착된 부착물의 누적막 두께와, 상기 피처리체의 온도 변화와의 관계를 나타내는 모델을 기억하는 모델 기억 수단과,상기 열처리 수단이 상기 열처리 조건에 따라서 피처리체를 열처리할 때, 상기 열처리 횟수 기억 수단을 기초로 하여 현재의 부착물의 누적막 두께를 특정하고, 상기 특정한 누적막 두께와, 상기 모델 기억 수단에 기억된 모델을 기초로 하여, 상기 처리실 내의 온도의 최적화 값을 산출하는 최적화 값 산출 수단을 구비하고,상기 열처리 제어 수단은, 상기 최적화 값 산출 수단에 의해 산출된 최적화 값으로 상기 열처리 조건 기억 수단 내의 상기 열처리 온도를 변경하고, 변경한 열처리 온도에서 상기 피처리체를 열처리시키는 것을 특징으로 하는 열처리 시스템.
- 제2항에 있어서, 상기 모델은, 상기 피처리체의 열처리의 내용에 따른 열처리 조건마다 작성되고, 상기 모델 기억 수단에 기억되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 시스템.
- 제2항에 있어서, 상기 모델은, 상기 누적막 두께의 부착물이 부착된 상태에서의 상기 열처리 수단에 의해 열처리된 처리 결과를 기초로 하여 작성되는 것을 특징으로 하는 열처리 시스템.
- 제2항에 있어서, 상기 처리실을 가열하는 복수의 가열부와, 당해 복수의 가열부에 의해 가열된 상태의 상기 처리실 내에 수용된 피처리체의 온도와의 관계를 나타내는 온도 모델 정보를 기억하는 온도 모델 정보 기억 수단을 더 구비하고,상기 열처리 제어 수단은, 상기 처리실 내의 피처리체가 최적화 값에 따른 온도로 되도록, 상기 가열부를 제어하는 것을 특징으로 하는 열처리 시스템.
- 제5항에 있어서, 상기 처리실은 복수의 존으로 구분 가능하고,상기 복수의 가열부는, 상기 각 존에 대응하여 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 시스템.
- 제2항에 있어서, 상기 최적화 값 산출 수단은, 상기 모델 기억 수단에 기억된 모델을, 당해 모델 작성 후에 상기 열처리 수단에 의해 열처리된 처리 결과를 기초로 하여 교정하는 것을 특징으로 하는 열처리 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 열처리 제어 수단은, 상기 열처리 조건 기억 수단에 기억된 열처리 온도를, 상기 최적화 값으로 갱신하는 것을 특징으로 하는 열처리 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 처리실은 복수의 존으로 구분 가능하고, 상기 열처리 조건 기억 수단은, 상기 존마다의 열처리 온도를 기억하는 것을 특징으로 하는 열처리 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 열처리 조건 기억 수단에는, 상기 최적화 값 산출 수단에 의한 최적화 값의 산출을 지정한 열처리 조건이 기억되고, 상기 최적화 값 산출 수단은, 상기 열처리 수단이 상기 최적화 값의 산출을 지정한 열처리 조건에 따라서 피처리체를 열처리하는 경우에, 상기 최적화 값을 산출하는 것을 특징으로 하는 열처리 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 최적화 값 산출 수단은, 상기 누적막 두께가 소정 두 께 이상으로 되었을 때, 상기 최적화 값을 산출하는 것을 특징으로 하는 열처리 시스템.
- 제1항에 있어서, 복수의 열처리 장치가 설치되고, 상기 최적화 값 산출 수단은 상기 복수의 열처리 장치에 통신 수단을 통해 접속되고, 상기 최적화 값 산출 수단은, 산출한 최적화 값을 상기 통신 수단을 통해 대응하는 열처리 장치에 송신하는 것을 특징으로 하는 열처리 시스템.
- 처리실 내에 수용된 피처리체를 열처리 수단에 의해 열처리하는 열처리 방법에 있어서,상기 피처리체의 열처리의 내용에 따라서, 상기 처리실 내의 열처리 온도를 포함하는 열처리 조건을 기억하는 열처리 조건 기억 공정과,상기 열처리 조건 기억 공정에서 기억된 열처리 조건에 따라서 상기 처리실 내의 상기 피처리체를 열처리하는 열처리 수단을 제어하는 열처리 제어 공정과,상기 열처리 공정에 의한 열처리의 횟수를 기억하는 열처리 횟수 기억 공정과,상기 열처리 온도와, 상기 열처리에 수반하여 장치 내부에 부착된 부착물의 누적막 두께와, 상기 부착물의 부착에 기인하는 상기 처리실 내의 온도 오차를 보정하는 온도 보정치와의 관계를 나타내는 온도 보정 테이블을 기억하는 온도 보정 테이블 기억 공정과,상기 열처리 공정에서 상기 열처리 조건에 따라서 피처리체를 열처리할 때, 상기 열처리 횟수 기억 공정에서 기억된 처리 횟수를 기초로 하여 현재의 부착물의 누적막 두께를 특정하고, 상기 특정한 누적막 두께와, 상기 열처리 조건 기억 공정에서 기억된 열처리 온도와, 상기 온도 보정 테이블 기억 공정에서 기억된 온도 보정 테이블을 기초로 하여, 상기 처리실 내의 온도의 최적화 값을 산출하는 최적화 값 산출 공정을 구비하고,상기 열처리 제어 공정에 있어서, 상기 최적화 값 산출 공정에서 산출된 최적화 값으로 상기 열처리 조건의 상기 열처리 온도를 변경하고, 변경한 열처리 온도에서 상기 피처리체를 열처리시키는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.
- 처리실 내에 수용된 피처리체를 열처리 수단에 의해 열처리하는 열처리 방법에 있어서,상기 피처리체의 열처리의 내용에 따라서, 상기 처리실 내의 열처리 온도를 포함하는 열처리 조건을 기억하는 열처리 조건 기억 공정과,상기 열처리 조건 기억 공정에서 기억된 열처리 조건에 따라서 상기 처리실 내의 상기 피처리체를 열처리하는 열처리 수단을 제어하는 열처리 제어 공정과,상기 열처리 공정에 의한 열처리의 횟수를 기억하는 열처리 횟수 기억 공정과,상기 열처리에 수반하여 장치 내부에 부착된 부착물의 누적막 두께와, 상기 피처리체의 온도 변화와의 관계를 나타내는 모델을 기억하는 모델 기억 공정과,상기 열처리 공정에서 상기 열처리 조건에 따라서 피처리체를 열처리할 때, 상기 열처리 횟수 기억 공정에 의해 기억된 처리 횟수를 기초로 하여 현재의 부착물의 누적막 두께를 특정하고, 상기 특정한 누적막 두께와, 상기 모델 기억 공정에서 기억된 모델을 기초로 하여, 상기 처리실 내의 온도의 최적화 값을 산출하는 최적화 값 산출 공정을 구비하고,상기 열처리 제어 공정에 있어서, 상기 최적화 값 산출 공정에서 산출된 최적화 값으로 상기 열처리 조건의 상기 열처리 온도를 변경하고, 변경한 열처리 온도에서 상기 피처리체를 열처리시키는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.
- 처리실 내에 수용된 피처리체를 열처리 수단에 의해 열처리하는 열처리 방법에 사용되고, 컴퓨터상에서 동작하는 컴퓨터 프로그램이며,상기 열처리 방법은,상기 피처리체의 열처리의 내용에 따라서, 상기 처리실 내의 열처리 온도를 포함하는 열처리 조건을 기억하는 열처리 조건 기억 공정과,상기 열처리 조건 기억 공정에서 기억된 열처리 조건에 따라서 상기 처리실 내의 상기 피처리체를 열처리하는 열처리 수단을 제어하는 열처리 제어 공정과,상기 열처리 공정에 의한 열처리의 횟수를 기억하는 열처리 횟수 기억 공정과,상기 열처리 온도와, 상기 열처리에 수반하여 장치 내부에 부착된 부착물의 누적막 두께와, 상기 부착물의 부착에 기인하는 상기 처리실 내의 온도 오차를 보 정하는 온도 보정치와의 관계를 나타내는 온도 보정 테이블을 기억하는 온도 보정 테이블 기억 공정과,상기 열처리 공정에서 상기 열처리 조건에 따라서 피처리체를 열처리할 때, 상기 열처리 횟수 기억 공정에서 기억된 처리 횟수를 기초로 하여 현재의 부착물의 누적막 두께를 특정하고, 상기 특정한 누적막 두께와, 상기 열처리 조건 기억 공정에서 기억된 열처리 온도와, 상기 온도 보정 테이블 기억 공정에서 기억된 온도 보정 테이블을 기초로 하여, 상기 처리실 내의 온도의 최적화 값을 산출하는 최적화 값 산출 공정을 구비하고,상기 열처리 제어 공정에 있어서, 상기 최적화 값 산출 공정에서 산출된 최적화 값으로 상기 열처리 조건의 상기 열처리 온도를 변경하고, 변경한 열처리 온도에서 상기 피처리체를 열처리시키는 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 처리실 내에 수용된 피처리체를 열처리 수단에 의해 열처리하는 열처리 방법에 사용되고, 컴퓨터상에서 동작하는 컴퓨터 프로그램이며,상기 열처리 방법은,상기 피처리체의 열처리의 내용에 따라서, 상기 처리실 내의 열처리 온도를 포함하는 열처리 조건을 기억하는 열처리 조건 기억 공정과,상기 열처리 조건 기억 공정에서 기억된 열처리 조건에 따라서 상기 처리실 내의 상기 피처리체를 열처리하는 열처리 수단을 제어하는 열처리 제어 공정과,상기 열처리 공정에 의한 열처리의 횟수를 기억하는 열처리 횟수 기억 공정 과,상기 열처리에 수반하여 장치 내부에 부착된 부착물의 누적막 두께와, 상기 피처리체의 온도 변화와의 관계를 나타내는 모델을 기억하는 모델 기억 공정과,상기 열처리 공정에서 상기 열처리 조건에 따라서 피처리체를 열처리할 때, 상기 열처리 횟수 기억 공정에 의해 기억된 처리 횟수를 기초로 하여 현재의 부착물의 누적막 두께를 특정하고, 상기 특정한 누적막 두께와, 상기 모델 기억 공정에서 기억된 모델을 기초로 하여, 상기 처리실 내의 온도의 최적화 값을 산출하는 최적화 값 산출 공정을 구비하고,상기 열처리 제어 공정에 있어서, 상기 최적화 값 산출 공정에서 산출된 최적화 값으로 상기 열처리 조건의 상기 열처리 온도를 변경하고, 변경한 열처리 온도에서 상기 피처리체를 열처리시키는 것을 특징으로 하는 프로그램.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2007-00051494 | 2007-03-01 | ||
JP2007051494A JP5005388B2 (ja) | 2007-03-01 | 2007-03-01 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080080451A true KR20080080451A (ko) | 2008-09-04 |
KR101103096B1 KR101103096B1 (ko) | 2012-01-04 |
Family
ID=39733324
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080018850A KR101103096B1 (ko) | 2007-03-01 | 2008-02-29 | 열처리 시스템, 열처리 방법 및 컴퓨터 판독가능한 기억 매체 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7896649B2 (ko) |
JP (1) | JP5005388B2 (ko) |
KR (1) | KR101103096B1 (ko) |
CN (1) | CN101266471B (ko) |
TW (1) | TWI383456B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102511037B1 (ko) * | 2022-09-19 | 2023-03-17 | 주식회사 금가 | 소물 인터넷 기반의 열처리 모니터링 시스템 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100989149B1 (ko) * | 2006-01-27 | 2010-10-20 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 |
JP5005388B2 (ja) * | 2007-03-01 | 2012-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
JP5166138B2 (ja) * | 2008-07-02 | 2013-03-21 | パナソニック株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
BRPI0822563B1 (pt) * | 2008-07-24 | 2020-09-15 | Hatch Ltd | Método e aparelho para controle de temperatura em um vaso reator |
JP5394292B2 (ja) * | 2010-03-12 | 2014-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置および圧力検知システムと温度センサの組合体 |
JP2013161857A (ja) | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び熱処理装置の制御方法 |
JP5766647B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2015-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
JP5774532B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2015-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 連続処理システム、連続処理方法、及び、プログラム |
JP5752634B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2015-07-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
US11393703B2 (en) * | 2018-06-18 | 2022-07-19 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlling a flow process material to a deposition chamber |
US10998205B2 (en) * | 2018-09-14 | 2021-05-04 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
CN111719130B (zh) * | 2020-06-22 | 2022-10-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体镀膜设备中的温度调整方法及半导体镀膜设备 |
JP2022187915A (ja) | 2021-06-08 | 2022-12-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度補正情報算出装置、半導体製造装置、プログラム、温度補正情報算出方法 |
JP2023000280A (ja) | 2021-06-17 | 2023-01-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度補正情報算出装置、半導体製造装置、プログラム、温度補正情報算出方法 |
JP2023083994A (ja) | 2021-12-06 | 2023-06-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、制御方法及びプログラム |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6271151B1 (en) * | 1997-06-30 | 2001-08-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for controlling the thickness of a gate oxide in a semiconductor manufacturing process |
KR100251279B1 (ko) * | 1997-12-26 | 2000-04-15 | 윤종용 | 반도체 제조용 증착설비의 막두께 조절방법 |
JP4459357B2 (ja) * | 2000-02-01 | 2010-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度調整方法及び温度調整装置 |
JP4493192B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2010-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | バッチ式熱処理装置及びその制御方法 |
JP2002252220A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-09-06 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理システム及び熱処理方法 |
JP4884621B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2012-02-29 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置、半導体製造方法、半導体製造装置のメンテナンス方法 |
JP2004072030A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
US7427426B2 (en) * | 2002-11-06 | 2008-09-23 | Tokyo Electron Limited | CVD method for forming metal film by using metal carbonyl gas |
JP4712343B2 (ja) * | 2003-10-30 | 2011-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、熱処理方法、プログラム及び記録媒体 |
JP2006339242A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP5005388B2 (ja) * | 2007-03-01 | 2012-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
JP4464979B2 (ja) * | 2007-03-05 | 2010-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム、処理方法、及び、プログラム |
-
2007
- 2007-03-01 JP JP2007051494A patent/JP5005388B2/ja active Active
-
2008
- 2008-02-27 TW TW097106866A patent/TWI383456B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-02-27 US US12/071,923 patent/US7896649B2/en active Active
- 2008-02-29 CN CN2008100951694A patent/CN101266471B/zh active Active
- 2008-02-29 KR KR1020080018850A patent/KR101103096B1/ko active IP Right Grant
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102511037B1 (ko) * | 2022-09-19 | 2023-03-17 | 주식회사 금가 | 소물 인터넷 기반의 열처리 모니터링 시스템 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7896649B2 (en) | 2011-03-01 |
KR101103096B1 (ko) | 2012-01-04 |
JP5005388B2 (ja) | 2012-08-22 |
US20080213716A1 (en) | 2008-09-04 |
CN101266471B (zh) | 2011-09-14 |
JP2008218558A (ja) | 2008-09-18 |
CN101266471A (zh) | 2008-09-17 |
TWI383456B (zh) | 2013-01-21 |
TW200845224A (en) | 2008-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101103096B1 (ko) | 열처리 시스템, 열처리 방법 및 컴퓨터 판독가능한 기억 매체 | |
JP5788355B2 (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
KR101087855B1 (ko) | 처리 시스템, 처리 방법 및 컴퓨터 프로그램을 저장한 기록매체 | |
JP4553266B2 (ja) | 熱処理装置、制御定数の自動調整方法及び記憶媒体 | |
JP5049303B2 (ja) | 熱処理装置、熱処理装置の温度調整方法、及び、プログラム | |
CN107230654B (zh) | 控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质 | |
US9453683B2 (en) | Heat treatment system, heat treatment method, and program | |
KR101149170B1 (ko) | 열처리 장치, 열처리 장치의 온도 조정 방법, 및 컴퓨터 프로그램을 기록한 기록 매체 | |
JP6512860B2 (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
JP5049302B2 (ja) | 熱処理装置、熱処理装置の温度調整方法、及び、プログラム | |
JP6596316B2 (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
JP2013161857A (ja) | 熱処理装置及び熱処理装置の制御方法 | |
KR20130111388A (ko) | 열처리 시스템, 열처리 방법 및 기록 매체 | |
JP6353802B2 (ja) | 処理システム、処理方法、及び、プログラム | |
JP6378639B2 (ja) | 処理システム、処理方法、及び、プログラム | |
JP4222461B2 (ja) | バッチ式熱処理方法 | |
JP2002252220A (ja) | 熱処理システム及び熱処理方法 | |
JP2016143794A (ja) | 処理システム、処理方法、及び、プログラム | |
JP6335128B2 (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141205 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151201 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161129 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171219 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181219 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191217 Year of fee payment: 9 |