KR20080066579A - 알루미늄 산화 피막용 제거액 및 알루미늄 또는 알루미늄합금의 표면처리 방법 - Google Patents

알루미늄 산화 피막용 제거액 및 알루미늄 또는 알루미늄합금의 표면처리 방법 Download PDF

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Abstract

알루미늄 또는 알루미늄 합금 표면의 산화 피막을 제거하기 위한 제거액으로서, 알루미늄과 치환가능한 금속의 염 또는 산화물과, 이 금속의 이온의 가용화제와, 알칼리를 함유하여 이루어지고, pH가 10∼13.5인 알루미늄 산화 피막용 제거액.
본 발명의 제거액은 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면의 침식을 가급적으로 억제하면서, 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면의 산화 피막을 저온에서, 신속하게 용해 제거하고, 제거액에 포함되는 금속의 염 또는 산화물에 유래하는 금속 피막을 형성할 수 있으며, 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 두께가 대단히 얇은 경우이더라도, 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 확실하게 잔존시키면서 그 표면을 활성화할 수 있다.
알루미늄, 산화 피막, 가용화제, 표면처리.

Description

알루미늄 산화 피막용 제거액 및 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면처리 방법{SOLUTION FOR REMOVING ALUMINUM OXIDE FILM AND METHOD FOR SURFACE TREATMENT OF ALUMINUM OR ALUMINUM ALLOY}
본 발명은 알루미늄 산화 피막용 제거액 및 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면처리 방법, 특히 웨이퍼에 UBM(언더 범프 메탈(Under Bump Metal)) 또는 범프를 도금에 의해 형성하는 경우의 전처리에 유효한 알루미늄 산화 피막용 제거액 및 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면처리 방법에 관한 것이다.
종래, 실리콘 웨이퍼 상에 UBM 또는 범프를 형성하는 방법으로서, 웨이퍼 상에 패터닝된 알루미늄 박막 전극에 아연치환 처리를 시행하여 아연 피막을 형성하고, 그 후에 무전해 니켈 도금에 의해 범프를 형성하는 방법, 상기 아연치환 처리 대신에 팔라듐 처리를 시행한 후에 무전해 니켈 도금에 의해 범프를 형성하는 방법, 또는, 알루미늄 박막 전극의 표면을 니켈로 직접 치환한 후에 자기촉매형 무전해 니켈 도금에 의해 범프를 형성하는 방법 등이 사용되고 있다.
여기에서, 이러한 어느 방법을 사용하여 UBM 또는 범프를 형성할 때에도, 그 전처리 단계로서, 통상 상기 알루미늄 박막 전극에 대한 탈지처리, 상기 알루미늄 박막 전극상의 알루미늄 산화 피막이나 금속 불순물 등을 제거하는 처리 등이 행해진다. 이 경우, 동일한 알루미늄 산화 피막이더라도, 질산 침지 등에 의해 생기는 극히 얇은 두께의 산화 피막에 대해서는, 그 후공정에서 그대로 도금처리를 시행해도 문제없이 도금처리를 행할 수 있지만, 절삭 공정이나 어닐링 공정과 같은 제조공정에서 발생하는 강고한 알루미늄 산화 피막이 표면에 잔존하는 경우에는, 그 후공정에서 형성되는 도금 피막의 밀착성이 불충분하게 되거나, 도금 피막에 구멍이 생기거나 하는 경우가 있고, 심한 경우에는 도금이 되지 않는 경우도 생긴다. 따라서, 이러한 강고한 알루미늄 산화 피막에 대해서는 사전에 이것을 완전히 제거하는 것이 요망된다.
이러한 문제에 대처하기 위하여, 알루미늄 산화 피막의 용해를 행하지 않고 건식 프로세스로 도금 하지를 형성하는 방법(일본 특개 평11-87392호 공보 참조)이 제안되어 있다. 그러나, 이 방법은 공정이 복잡한 점, 신속성이나 생산비용면에서 불리한 점, 게다가, 잔존하는 산화 피막이 전기를 통과시키지 않기 때문에 열저항이 증가하는 결과, 전기 특성이 나빠지는 경우가 있다는 점에서, 여전히 개선의 여지를 갖는 것이다.
이 강고한 알루미늄 산화 피막의 제거에는, 종래 습식 방식에 의해, 강렬한 알칼리성 액이나 산성 액에 침지함으로써 소지의 알루미늄 또는 알루미늄 합금도 용해하여 산화 피막을 뿌리째 제거하는 방식으로, 산화 피막을 제거해 왔다. 그래도, 소재의 두께가 두꺼운 것은 괜찮지만, 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 두께가 0.5㎛라든지 1.0㎛로 되면, 에칭의 여유를 가질 수 없게 된다.
또, 유기용매를 사용하는 방법(일본 특개 2002-151537호 공보 참조)이나, 여러 종의 산을 혼합한 것을 사용하는 방법(일본 특개 평5-65657호 공보, 일본 특표 2002-514683호 공보 참조) 등도 제안되어 있다.
그러나, 이들 방법에서는, 소재가 상당히 에칭되는 것은 피할 수 없어, 박막에서는 소실되거나, 용해되거나 하여, 처리조건의 선정이 어려운 것이었다. 또한, 박막에는, 종래의 다이캐스팅과 같은 연삭이라든지 기계식 연마공정은 채용할 수 없어, 제조공정에서의 열처리로 형성된 산화 피막이 그대로 알루미늄 박막 표면에 잔존하게 되어, 문제를 더욱 악화시키고 있었다.
또한, 일본 특허공개 2004-263267호 공보도 선행 기술문헌으로서 들 수 있다.
(발명의 요약)
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 표면을 과도하게 에칭하지 않고 강고한 산화 피막을 용이하고, 신속하며, 또한 확실하게 제거할 수 있고, 표면에 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 박막이 형성된 피처리물도 유효하게 처리할 수 있는 알루미늄 산화 피막용 제거액 및 이것을 사용한 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위하여 예의 검토한 결과, 알루미늄과 치환가능한 금속을 포함하는 금속의 염 또는 산화물과, 이 금속의 이온의 가용화제와, 알칼리와, 바람직하게는 계면활성제를 함유하고, pH가 10∼13.5인 제거액으로, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 상에 생성한 알루미늄 산화 피막을 처리한 경우, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 표면의 침식을 가급적으로 억제하면서, 상기 산화 피막을 저온에서, 신속하게 제거할 수 있다는 것을 알았다.
즉, 산을 주성분으로 하는 종래의 처리액을 사용하여서 알루미늄 산화 피막을 제거할 때에, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 소지가 크게 침식되어 버리는 원인은 알루미늄 산화 피막과 산의 반응성과, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 소지와 산의 반응성, 양자의 반응성의 차이에 대하여 유효한 대응을 할 수 없었던 것에 있 다.
도 2는 산을 주성분으로 하는 종래의 처리액에 의해 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면을 활성화하는 모습을 도시하는 개략 단면도이며, (a)∼(d)는 종래의 처리액에 의해 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면으로부터 산화 피막을 제거하는 각 단계를 도시하는 것이다.
통상, 알루미늄 산화 피막(2)의 두께는 균일하지 않으며, 또, 알루미늄 산화 피막(2)을 제거하는 산성 처리액(31)도 균일하게 작용하는 것이 아니기 때문에, 알루미늄 산화 피막(2)의 용해가 진행됨에 따라, 우선 부분적으로 알루미늄 또는 알루미늄 합금(1)의 소지가 노출되게 된다(도 2(a)).
여기에서, 알루미늄 또는 알루미늄 합금(1)과 산(산성 처리액)(31)의 반응성은 알루미늄 산화 피막(2)과 산(31)의 반응성보다 높기 때문에, 하기 반응식 1에 나타내는 바와 같은 반응이 우선적으로 진행하여, 알루미늄 또는 알루미늄 합금(1)이 우선적으로 용해되는 결과가 된다(도 2(b)). 이 때, 수소 이온의 소비에 의해 반응점 근방의 pH는 상대적으로 상승하고, 하기 반응식 2에 나타내는 바와 같은 반응에 의해 수산화 알루미늄(III)의 농도가 상승한다. 수산화 알루미늄(III)의 농도 상승에 의해, 알루미늄 산화 피막(2)의 용해는 더욱 억제되게 된다.
2Al＋6H+→2Al3 +＋3H2
Al3 +＋3OH-→Al(OH)3
또한, 처리액에 침지시킴으로써, 알루미늄 또는 알루미늄 합금(1)의 용해가 더 진행되어, 알루미늄 산화 피막(2) 하부의 알루미늄 또는 알루미늄 합금(1)이 용해제거되기에 이르고(도 2(c)), 결국은 알루미늄 산화 피막(2)이 물리적으로 박리되고, 결과적으로 알루미늄 또는 알루미늄 합금 소지 표면에 존재하고 있던 알루미늄 산화 피막의 제거가 이루어지게 된다(도 2(d)).
산을 주성분으로 하는 종래의 처리액을 사용하는 경우에는, 이러한 각 단계를 거쳐 알루미늄 산화 피막이 제거되기 때문에, 소지의 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 대폭적인 침식은 필연적이며, 알루미늄 산화 피막을 제거하기 위한 피처리물이 실리콘 웨이퍼상의 알루미늄 박막 전극 등과 같이 박층인 경우에는, 도저히 적용할 수 없었다.
이에 반해, 본 발명자들은 알루미늄 또는 알루미늄 합금 소지와 산의 높은 반응성을 방지하고, 알루미늄 산화 피막을 용해 제거하는 방법을 검토한 결과, 상기한 바와 같이, 알루미늄과 치환가능한 금속의 염 또는 산화물을 그 금속의 이온의 가용화제와 함께 첨가한 알칼리(염기)성의 제거액이 유효한 것을 발견한 것이다.
즉, 도 1은 본 발명의 제거액에 의해 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면에 있는 알루미늄 산화 피막을 제거하는 모습을 도시하는 개략 단면도로, 도 1(a)는 상기 도 2(a)의 종래예와 마찬가지로, 부분적으로 알루미늄 또는 알루미늄 합금 소 지가 노출되는 단계이다.
여기에서, 알루미늄 또는 알루미늄 합금(1)이 노출된 부분에는, 본 발명의 제거액(알칼리성 제거액)(3)에 포함되는 알루미늄과 치환가능한 금속의 염 또는 산화물에 유래하는 금속 피막(4)이 신속하게 형성된다(도 1(b)).
알루미늄 산화 피막(2) 중의 알루미늄은 이미 이온화되어 있기 때문에, 알루미늄 산화 피막(2) 상에 상기 금속염 또는 금속 산화물에 유래하는 금속 피막이 형성되지는 않고, 게다가, 알루미늄 또는 알루미늄 합금(1)은 노출부위에 형성된 상기 알루미늄과 치환가능한 금속염 또는 금속 산화물에 유래하는 금속 피막(4)에 의해 보호되어 있기 때문에 침식되는 일은 없다. 따라서, 이 반응을 계속함으로써, 알루미늄 산화 피막(2)의 용해가 진행됨에 따라 노출된 알루미늄 또는 알루미늄 합금(1)의 부분에는, 상기 알루미늄과 치환가능한 금속염 또는 금속 산화물에 유래하는 금속 피막(4)이 잇달아 형성되고(도 1(c)), 최종적으로 알루미늄 또는 알루미늄 합금(1)의 표면에 존재하고 있던 알루미늄 산화 피막(2)은 완전하게 용해되어 제거되는 한편, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 표면 전체는 상기 알루미늄과 치환가능한 금속염 또는 금속 산화물에 유래하는 금속 피막(4)에 피복되게 된다(도 1(d)).
즉, 도 1에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 제거액을 사용하면, 에칭에 의해 노출된 알루미늄 또는 알루미늄 합금 소지를 치환 금속층이 즉시 피복하기 때문에, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 소지의 침식이 억제되게 된다. 또, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 소지의 용해에 수반되는 수산화 알루미늄의 농도 상승에 의해 알루미늄 산화 피막의 용해가 억제되지도 않기 때문에, 알루미늄 산화 피막의 효과적인 제거가 계속적으로 진행되게 된다.
또, 알칼리(염기)성으로 함으로써 수산화물(OH-)이온이 증가하고, 이 수산화물(OH-) 이온은, 알루미늄 산화 피막을 용해하는 작용이 강하므로, 산성의 처리액을 사용한 경우에 비해 저온이고, 단시간에 처리할 수 있다. 또한, 액성이 알칼리(염기)성인 경우, 소지의 금속 알루미늄과의 반응성도 강하지만, 이 문제는 유리 알칼리(염기) 농도의 지수인 알칼리도(pH)를 억제함으로써 해결할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 이루게 된 것이다.
그 때문에, 본 발명의 알루미늄과 치환가능한 금속을 포함하는 제거액은, 습식법이며, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 소지의 침식을 최소한으로 억제하고, 또한 알루미늄 산화 피막을 계속해서 저온으로, 신속하게 용해 제거하는 것이 가능하게 되는 제거액이다.
따라서, 본 발명은 하기의 알루미늄 산화 피막용 제거액 및 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면처리 방법을 제공한다.
(1):
알루미늄 또는 알루미늄 합금 표면의 산화 피막을 제거하기 위한 제거액으로서, 알루미늄과 치환가능한 금속의 염 또는 산화물과, 이 금속의 이온의 가용화제와, 알칼리를 함유하여 이루어지며, pH가 10∼13.5인 것을 특징으로 하는 알루미늄 산화 피막용 제거액.
(2):
계면활성제를 더 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 (1)에 기재된 알루미늄 산화 피막용 제거액.
(3):
적어도 표면에 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 갖는 피처리물을 (1) 또는 (2)에 기재된 알루미늄 산화 피막용 제거액에 침지하고, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 표면에 그 알루미늄 산화 피막을 제거하면서 상기 제거액 중에 포함되는 알루미늄과 치환가능한 금속의 치환 금속층을 형성하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면처리 방법.
(4):
피처리물이 비알루미늄재의 표면에 알루미늄 또는 알루미늄 합금 피막이 형성된 것인 것을 특징으로 하는 (3)에 기재된 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면처리 방법.
(5):
치환 금속층을 형성한 후, 그 위에 도금층을 형성하는 것을 특징으로 하는 청구항 (3) 또는 (4)에 기재된 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면처리 방법.
(6):
치환 금속층을 형성한 후, 이 치환 금속층을 산화작용을 갖는 산성액으로 제거하는 것을 특징으로 하는 (3) 또는 (4)에 기재된 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면처리 방법.
(7):
치환 금속층을 산화작용을 갖는 산성액으로 제거한 후, 알루미늄 또는 알루미늄 합금에 대하여 아연치환 처리 또는 팔라듐 처리를 행하고, 이어서 도금하는 것을 특징으로 하는 (6)에 기재된 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면처리 방법.
(8):
치환 금속층을 산화작용을 갖는 산성액으로 제거한 후, 알루미늄 또는 알루미늄 합금에 대하여 직접 도금하는 것을 특징으로 하는 (6)에 기재된 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면처리 방법.
본 발명의 제거액은, 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면에, 그 침식을 가급적으로 억제하면서, 제거액에 포함되는 금속의 염 또는 산화물에 유래하는 금속 피막을 형성할 수 있고, 게다가, 이 금속 피막은 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면을 거의 침식하지 않고 저온에서, 신속하게 용해 제거하는 것이 가능하기 때문에, 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 두께가 대단히 얇은 경우이더라도, 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 확실하게 잔존시키면서 그 표면을 활성화할 수 있다. 본 발명의 표면처리 방법은 특히 실리콘 웨이퍼 상에 형성된 알루미늄 박막 전극 표면의 활성화 처리시 등에 적합하게 사용할 수 있다.
(발명의 상세한 설명)
이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명의 알루미늄 산화 피막용 제거액은 알루미늄과 치환가능한 금속의 염 또는 산화물과, 이 금속의 이온의 가용화제와, 알칼리를 함유하고, pH가 10∼13.5이다.
본 발명의 제거액에 포함되는 금속염 또는 금속 산화물을 구성하는 금속으로서는, 알루미늄과 치환가능한 금속이면 특별히 제한은 없지만, 알루미늄보다도 이온화 경향이 작은 금속인 것이 바람직하고, 예를 들면 망간, 아연, 철, 코발트, 니켈, 주석, 납, 구리, 수은, 은, 백금, 금, 팔라듐 등을 들 수 있고, 상기 금속염으로서는 이러한 금속의 질산염이나 황산염 등의 수용성 염을 들 수 있다. 그중에서도, 망간, 아연이, 소지인 알루미늄과의 환원 전위차가 작기 때문에 바람직하다.
본 발명의 제거액에 사용되는 금속염 또는 금속 산화물의 농도로서는, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 금속량으로서 통상 1ppm(mg/L) 이상, 바람직하게는 10ppm(mg/L) 이상, 상한으로서 통상 10,000ppm(mg/L) 이하, 바람직하게는 5,000ppm(mg/L) 이하이다. 금속염 또는 금속 산화물의 농도가 지나치게 작으면, 소지의 알루미늄과 충분히 치환되지 않는 경우나, 금속염 또는 금속 산화물의 보급을 행할 필요가 생기는 경우가 있다. 한편, 농도가 지나치게 크면, 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 웨이퍼 상에 패터닝된 전극인 것과 같은 경우에는, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 소지 이외의 부재를 침해하거나, 또는, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 소지 이외의 부재 상으로 불거져 나와 석출되어 버리는 경우가 있다.
본 발명의 제거액에 포함되는 금속이온의 가용화제로서는, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 통상의 착화제, 킬레이트제를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 글리콜산, 락트산, 말산, 타르타르산, 시트르산, 글루콘산, 헵토글루콘산 등의 히드 록시카르복실산 및 그 염, 글리신, 아미노디카르복실산, 니트틸로3아세트산, EDTA, 히드록시에틸에틸렌디아민3아세트산, 디에틸렌트리아민5아세트산, 폴리아미노폴리카르복실산 등의 아미노카르복실산 및 그 염, HEDP, 아미노트리메틸포스폰산, 에틸렌디아민테트라메틸포스폰산 등의 아인산계 킬레이트제 및 그 염, 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민 등의 아민계 킬레이트제 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 제거액에 사용되는 가용화제의 농도로서는, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 사용되는 금속염에 대하여 가용화제의 총 농도가 0.5∼10(몰비), 바람직하게는 0.8∼5(몰비)가 좋다.
본 발명의 제거액에 포함되는 알칼리로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 산화막을 녹이는 알칼리(염기)인 것이 필요하며, 예를 들면, LiOH, NaOH, KOH 등의 알칼리 금속 또는 트리메틸암모늄하이드록사이드(TMAH), 콜린 등의 4차 암모늄의 수산화물 등을 사용할 수 있다. 또한, 알칼리의 첨가량은 제거액의 pH를 규정의 범위로 하는 양, 즉, pH를 10∼13.5, 바람직하게는 11∼13으로 하는 양이다. pH가 10 미만이면 용해속도가 현저하게 저하되고, pH가 13.5를 초과하면 용해속도가 지나치게 빨라져서 제어할 수 없다.
본 발명의 알루미늄 또는 알루미늄 합금용의 산화 피막용 제거액에는 습윤성을 부여하는 관점에서, 계면활성제가 포함되는 것이 적합하다. 사용되는 계면활성제로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 폴리에틸렌글리콜, 폴리옥시에틸렌·옥시프로필렌 블록 공중합형 활성제와 같은 비이온형 계면활성제, 그 외 에, 음이온형, 양이온형 계면활성제를 들 수 있고, 균일처리성의 관점에서, 그중에서도 비이온형, 음이온형이 바람직하다. 이것들은 1종을 단독으로 사용해도 또는 2종 이상을 병용해도 된다.
예를 들면, 계면활성제로서 폴리에틸렌 글리콜을 사용하는 경우, 그 분자량으로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 100 이상, 바람직하게는 200 이상, 상한으로서 통상 20,000 이하, 바람직하게는 6,000 이하이다. 분자량이 지나치게 크면, 용해성이 나쁜 경우가 있고, 한편, 분자량이 지나치게 작으면, 습윤성이 부여되지 않는 경우가 있다. 또한, 폴리에틸렌 글리콜로서는 시판품을 사용할 수 있다.
또, 계면활성제의 제거액 중의 농도로서도 특별히 제한되는 것은 아니지만, 통상 1ppm 이상(mg/L), 바람직하게는 10ppm(mg/L) 이상, 상한으로서 통상 5,000ppm(mg/L) 이하, 바람직하게는 2,000ppm(mg/L) 이하이다. 계면활성제의 제거액 중의 농도가 지나치게 작으면, 계면활성제의 첨가에 의해 얻어지는 습윤성의 효과가 낮은 경우가 있고, 또한, 농도가 지나치게 크면, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 이외의 부재 상에 치환 금속이 석출되어 버리는 경우가 있다.
또한, 본 발명의 제거액은 조작의 안전성의 관점에서 수용액으로서 조제되는 것이 바람직하지만, 그 밖의 용매, 예를 들면 메탄올, 에탄올, IPA 등을 사용하거나, 물과의 혼합용매로 하는 것도 가능하다. 또, 이들 용매는 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 병용해도 된다.
상기 제거액을 사용하여 피처리물을 표면처리하는 방법으로서는, 상기 제거 액에 적어도 표면에 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 갖는 피처리물을 처리하고, 당해 피처리물의 알루미늄 또는 알루미늄 합금 표면에 제거액에 포함되는 금속염 또는 금속 산화물에 유래하는 금속 피막(치환 금속층)을 형성한다. 이 경우, 상기 금속 피막을 형성한 후, 산화작용을 갖는 산성액에 의해 당해 금속 피막을 제거할 수 있고, 또 상기 금속 피막 상, 또는 당해 금속 피막을 제거한 알루미늄 또는 알루미늄 합금 상에 직접 또는 아연치환 처리나 팔라듐 처리를 행한 후에 도금을 행할 수 있다.
제거액에 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 갖는 피처리물을 침지할 때의 침지 조건으로서는, 특별히 제한되는 것은 아니며, 제거할 알루미늄 산화 피막의 두께 등을 감안하여 적당하게 설정할 수 있는데, 통상 1분 이상, 바람직하게는 2분 이상, 상한으로서 통상 20분 이하, 바람직하게는 15분 이하이다. 침지 시간이 지나치게 짧으면, 치환이 진행되지 않아 산화 피막의 제거가 불충분하게 되는 경우가 있고, 한편, 침지 시간이 지나치게 길면, 치환 금속층의 작은 구멍으로부터 제거액이 침입하여, 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 용출되어 버릴 우려가 있다.
또, 침지시의 온도로서도, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 통상 20℃ 이상, 바람직하게는 25℃ 이상, 상한으로서 통상 100℃ 이하, 바람직하게는 95℃ 이하이다. 침지 온도가 지나치게 낮으면, 산화 피막을 용해할 수 없는 경우가 있고, 한편, 침지 온도가 지나치게 높으면, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 이외의 부재를 침해하는 경우가 있다. 또한, 침지시에는, 균일하게 처리한다고 하는 관점에서, 액 교반이나 피처리물의 요동을 행하는 것이 바람직하다.
본 발명이 대상으로 하는 적어도 표면에 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 갖는 피처리물로서는, 피처리물 모두가 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성되어 있어도, 비알루미늄재(예를 들면 실리콘, FRA(프린트 기판의 기재))의 표면의 전부 또는 일부를 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 피복하고 있는 것이어도 된다. 또, 그 알루미늄이나 알루미늄 합금의 형태로서도 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 블랭크 재, 압연재, 주조재, 피막 등에 대하여 양호하게 적용할 수 있다. 또한, 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 피막을 비알루미늄재 표면에 형성하는 경우, 이 피막의 형성방법으로서도 특별히 한정되는 것은 아니지만, 그 형성방법으로서는, 예를 들면 진공증착법, 스퍼터링법, 이온도금법 등의 기상 도금법이 적합하다.
이 피막의 두께로서는, 본 발명의 표면처리 방법을 사용할 때에 알루미늄 또는 알루미늄 합금 소지를 확실하게 잔존시키는 관점에서, 통상 0.5㎛ 이상, 바람직하게는 1㎛ 이상이다. 또한, 그 두께의 상한은, 특별히 제한되지 않지만, 통상 100㎛ 이하인데, 본 발명의 제거액은 소지인 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 거의 침식시키지 않으므로, 특히 1.0㎛ 이하의, 종래의 처리액에서는 처리 후의 소지가 얇아져 버리는 문제때문에 적용이 곤란했던, 두께의 것에 대해서도 유효하게 사용할 수 있다.
또한, 상기 피막의 성분으로서도, 알루미늄 또는 알루미늄 합금이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 Al-Si(Si 함유율 0.5∼1.0중량%), Al-Cu(Cu 함유율 0.5∼1.0중량%) 등의 피막에 대하여, 본 발명의 표면처리 방법을 적합하게 적용가능하다.
본 발명의 제거액에 상기와 같은 피처리물을 침지 후, 피처리물의 표면에 형성된 금속 피막(본 발명의 제거액에 포함되는 알루미늄과 치환가능한 금속을 포함하는 금속의 염 또는 산화물에 유래하는 치환 금속층)은, 그 후에 행해지는 처리시에 밀착력의 저하가 염려되는 경우나, 원래부터 그러한 금속층이 불필요한 경우에는, 후처리를 행하기 전에 제거되는 것이 적합하다.
상기 금속 피막을 용해할 때에는, 소지인 알루미늄 또는 알루미늄 합금과의 반응성을 완화하는 관점에서 산화작용을 갖는 산성액이 사용된다. 이 경우, 산화작용을 갖는 산성액으로서는 질산 등의 산화작용을 갖는 산 또는 그 수용액, 황산, 염산 등의 산화작용을 갖지 않는 산 또는 그 수용액에 산화제, 예를 들면 과산화 수소, 과황산 나트륨, 과황산 암모늄, 과황산 칼륨 등의 1종 또는 2종 이상을 첨가한 것 등이 바람직하게 사용된다. 이 경우, 산은 치환 금속을 용해시키는 작용을 갖고, 산화제는 알루미늄 또는 알루미늄 합금 소지에 대한 반응성을 완화하는 작용을 갖는다. 또한, 산화제 중에서는 수소와 산소로 이루어지고, 환원되면 물로 되는 점에서 과산화 수소가 바람직하고, 또 안정성이 있고, 취급이 용이하다고 하는 점에서는 과황산 나트륨, 과황산 칼륨이 바람직하다.
여기에서, 산(및 산화제)으로서 질산을 사용하는 경우에는, 용해액(수용액) 중의 질산량으로서 통상 200ml/L 이상, 바람직하게는 300ml/L 이상, 상한으로서 통상 1,000ml/L 이하, 바람직하게는 700ml/L 이하이다. 질산량이 지나치게 적으면, 산화력이 낮아, 반응이 멈추지 않는 경우가 있다. 또한, 질산 1,000ml/L란 전량이 질산인 경우이다.
또, 산화제를 사용하는 경우의 용해액 중의 산화제량으로서는 통상 50g/L 이상, 바람직하게는 75g/L 이상, 상한으로서 통상 500g/L 이하, 바람직하게는 300g/L 이하이다. 산화제량이 지나치게 적으면, 산화력이 낮아, 반응이 멈추지 않는 경우가 있고, 한편, 지나치게 많으면, 경제성이 나쁜 경우가 있다. 또, 이와 같이, 산화제와 함께 사용되는 염산, 황산 등의 산의 농도는 통상 10g/L 이상, 바람직하게는 15g/L 이상, 상한으로서 통상 500g/L 이하, 바람직하게는 300g/L 이하이다. 산의 농도가 지나치게 작으면, 치환 금속층이 용해되기 어려운 경우가 생기고, 한편, 농도가 지나치게 크면, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 이외의 부재를 침식할 우려가 있다. 또한, 여기에서 사용하는 산은 비산화성의 것이 바람직하지만, 질산 등의 산화성의 산이어도 되고, 또 산화성의 산을 비산화성의 산과 혼합하여 사용해도 된다.
이러한 용해처리에서, 처리시간으로서도 특별히 제한은 없고, 예를 들면 5∼300초로 용해처리를 행할 수 있고, 용해처리 온도로서는 예를 들면 10∼40℃의 조건을 채용할 수 있다. 또, 용해처리 중, 도금 피처리물은 정지하고 있어도 회전하고 있어도 되고, 액 교반을 행해도 된다.
본 발명의 제거액을 사용하여 표면처리를 행한 후, 도금 피막을 형성하는 경우에는, 상기한 바와 같이 피처리물의 알루미늄 또는 알루미늄 합금 표면에 치환 금속 피막을 형성한 후에, 그대로 그 위에 도금 처리를 행해도 되고, 치환 금속 피막을 제거한 후에 도금 처리를 행해도 되지만, 후자의 경우, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 표면의 산화막이 완전하게 사라짐으로써, 예를 들면 무전해 니켈 도금을 시행하면, 소재의 알루미늄과 니켈이 직접 치환되는 것이다. 또, 치환 금속 피막을 제거한 후에, 또한 아연치환 처리 또는 팔라듐 처리 등에 의해, 피처리물 표면에 대한 활성화 처리를 행하고나서 도금 처리를 행해도 된다. 이러한 활성화 처리로서는 특히 아연치환 처리, 그중에서도 알칼리 아연치환 처리를 시행함으로써, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 표면에 아연 피막을 형성하는 것이, 도금 피막의 밀착성 향상의 관점에서 적합하다.
여기에서, 아연치환 처리로서는, 구체적으로는 아연염을 포함하는 용액을 사용하여, 아연을 치환 석출시키는 처리를 행하는 것을 의미하는 것이다. 알칼리 아연치환 처리의 경우에는, 알칼리성의 아연산 용액을 사용하는 것이고, 또, 산성 아연치환 처리로서는, 산성의 아연염을 포함하는 용액을 사용하여 아연을 치환 석출시키는 처리를 행하는 것이며, 이것들은 공지의 방법으로 행할 수 있다. 또한, 팔라듐 처리로서도, 팔라듐 염을 포함하는 용액을 사용하여 팔라듐을 치환 석출시키는 처리를 행하는 것으로, 공지의 방법으로 행할 수 있다.
상기와 같은 아연 피막의 형성은, 특히 반도체 디바이스의 분야에서, 웨이퍼 상에 패터닝된 알루미늄 박막 전극의 표면을 활성화 처리하고, 니켈 도금을 행함으로써 범프를 형성할 때의 전처리로서, 범프를 안정하게 형성하는 관점에서 적합하게 행해지는 것이지만, 그때에 사용되는 아연치환 처리는 알루미늄 또는 알루미늄 합금 소지를 침식할 우려가 있는 처리방법이다. 그렇지만, 본 발명의 제거액을 사용함으로써 알루미늄 박막 전극의 침식은 가급적으로 억제되어 있고, 아연치환 처리에 의해 소지가 약간 침식되어도, 아연치환 처리 후에 알루미늄 박막 전극이 보 다 확실하게 잔존하게 된다.
본 발명의 표면처리 방법을 사용하여 피처리물의 표면을 처리한 후, 도금 처리를 행할 때의 도금 방법으로서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 전기 도금법이어도, 무전해 도금법이어도 된다.
무전해 도금법은 전기 도금법에 비해 에너지가 낮아, 도금층을 불량 없이 형성하기 위해서는 전처리가 특히 중요한데, 본 발명에 의하면, 알루미늄 산화 피막 등의 불순물이 완전하게 제거되기 때문에, 무전해 도금법에 의해서도 도금층을 밀착이 좋게 형성하는 것이 가능하다.
또한, 전기 도금법을 채용할 때는 배선이 필요하기 때문에, 장치의 조립에 손이 많이 가거나, 도금 밀도를 높이지 못하거나, 노이즈가 발생하여 균일한 도금 피막의 형성이 곤란한 경우가 있는데, 그것들의 문제는 무전해 도금법을 사용함으로써 해결할 수 있다.
또, 도금 금속의 종류는 그 용도에 따라 적당하게 선택되는데, 통상, Cu, Ni, Au 등을 들 수 있고, 이것들은 2층 이상의 층으로 해도 된다.
(실시예)
이하, 실시예 및 비교예를 제시하여, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 하기의 실시예에 제한되는 것은 아니다.
[실시예 1∼3, 비교예 1]
도금 피처리물로서, 스퍼터링법에 의해 5㎛ 두께의 알루미늄층을 피복한 실리콘 판을 표 1에 제시하는 배합으로 조제한 제거액에 50℃에서 60초간 침지했다. 또한, 제거액의 pH는 모두 12.4로 했다. 그 후에 500ml/L의 질산 수용액에 21℃에서 1분간 침지하고, 상기 제거액으로의 침지에 의해 상기 피처리물의 알루미늄층 상에 형성된 금속 피막을 용해 제거했다. 또한 알칼리성의 아연산 용액에 침지하여 알칼리 아연치환 처리를 행한 후, 무전해 도금법에 의해 0.5㎛ 두께의 니켈 도금을 시행하고, 그 위에 치환 도금법에 의해 O.05㎛의 금 도금을 시행했다.
얻어진 도금물에 대하여 외관 관찰을 행하고, 도금 피막의 모습을 평가했다. 이 경우, 무전해 니켈 도금 막을 얇게 형성하고, 또한 그 위에 금 도금 막을 형성함으로써 산화 피막이 제거되지 않고 잔존한 경우에는 니켈(및 금)이 석출되지 않고, 구멍(백색)으로 되므로, 금색과의 대비로 도금 막 비부착 상태(산화 피막 잔존 상태)를 평가한 것이다. 결과를 표 1에 병기한다.
물 1L 중의 배합 농도 실시예 비교예
1 2 3 1
제거액 알칼리(염기) NaOH NaOH NaOH NaOH
가용화제 EDTA·2Na(g/L) 10 10 10 10
금속염(금속 농도·g/L) MnSO4·5H2O 1
ZnSO4·7H2O 2
CuSO4·5H2O 0.05
pH 12.4 12.4 12.4 12.4
육안관찰 외관 양호 양호 양호 불량
금속 현미경 관찰(500배) 구멍 없음 구멍 없음 구멍 없음 구멍 다수
[실시예 4∼6, 비교예 2]
도금 피처리물로서, 스퍼터링법에 의해 1㎛ 두께의 Al-Si(Si 함량 0.5중량%)층을 피복한 실리콘 판을 표 2에 나타내는 배합으로 조제한 제거액에 50℃에서 60초간 침지했다. 또한, 제거액의 pH는 모두 12.4로 했다. 그 후에 500ml/L의 질산 수용액에 21℃에서 1분간 침지하고, 상기 제거액으로의 침지에 의해 상기 피처리물의 Al-Si층 상에 형성된 금속 피막을 용해 제거했다. 또한, 알칼리성의 아연산 용액에 침지하여 알칼리 아연치환 처리를 행한 후, 무전해 도금법에 의해 0.5㎛ 두께의 니켈 도금을 시행하고, 그 위에 치환 도금법에 의해 0.05㎛의 금 도금을 시행했다. 얻어진 도금물에 대하여 외관 관찰을 행하고, 도금 피막의 모습을 평가했다. 결과를 표 2에 병기한다.
물 1L 중의 배합 농도 실시예 비교예
4 5 6 2
제거액 알칼리(염기) NaOH NaOH NaOH NaOH
가용화제 EDTA·2Na(g/L) 10 10 10 10
계면활성제 PEG-1000(g/L) 1 1 1 1
금속염(금속 농도·g/L) MnSO4·5H2O 1
ZnSO4·7H2O 2
CuSO4·5H2O 0.05
pH 12.4 12.4 12.4 12.4
육안관찰 외관 양호 양호 양호 불량
금속 현미경 관찰(500배) 구멍 없음 구멍 없음 구멍 없음 구멍 다수
주) PEG: 폴리에틸렌글리콜
[실시예 7∼9, 비교예 3]
도금 피처리물로서, 스퍼터링법에 의해 5㎛ 두께의 알루미늄층을 피복한 실리콘 판을 표 3에 제시하는 배합으로 조제한 제거액에 50℃에서 60초간 침지했다. 또한, 제거액의 pH는 모두 12.4로 했다. 그 후에 500ml/L의 질산 수용액에 21℃에서 1분간 침지하고, 상기 제거액으로의 침지에 의해 상기 피처리물의 알루미늄층 상에 형성된 금속 피막을 용해 제거했다. 또한, 알칼리성의 아연산 용액에 침지하여 알칼리 아연치환 처리를 행한 후, 무전해 도금법에 의해 0.5㎛ 두께의 니켈 도금을 시행하고, 그 위에 치환 도금법에 의해 0.05㎛의 금 도금을 시행했다.
얻어진 도금물에 대하여 외관 관찰을 행하고, 도금 피막의 모습을 평가했다. 이 경우, 무전해 니켈 도금 막을 얇게 형성하고, 또한 그 위에 금 도금 막을 형성함으로써, 산화 피막이 제거되지 않고 잔존한 경우에는 니켈(및 금)이 석출되지 않고, 구멍(백색)으로 되므로, 금색과의 대비로 도금 막 비부착 상태(산화 피막 잔존 상태)를 평가한 것이다. 결과를 표 3에 병기한다.
물 1L 중의 배합 농도 실시예 비교예
7 8 9 3
제거액 알칼리(염기) TMAH TMAH TMAH TMAH
가용화제 EDTA·2Na(g/L) 10 10 10 10
금속염(금속 농도·g/L) MnSO4·5H2O 1
ZnSO4·7H2O 2
CuSO4·5H2O 0.05
pH 12.4 12.4 12.4 12.4
육안관찰 외관 양호 양호 양호 불량
금속 현미경 관찰(500배) 구멍 없음 구멍 없음 구멍 없음 구멍 다수
[실시예 10∼12, 비교예 4]
도금 피처리물로서, 스퍼터링법에 의해 1㎛ 두께의 Al-Si(Si 함량 0.5중량%)층을 피복한 실리콘 판을, 표 4에 제시하는 배합으로 조제한 제거액에 50℃에서 60초간 침지했다. 또한, 제거액의 pH는 모두 12.4로 했다. 그 후에 500ml/L의 질산 수용액에 21℃에서 1분간 침지하고, 상기 제거액으로의 침지에 의해 상기 피처리물의 Al-Si층 상에 형성된 금속 피막을 용해 제거했다. 또한, 알칼리성의 아연산 용액에 침지하여 알칼리 아연치환 처리를 행한 후, 무전해 도금법에 의해 0.5㎛ 두께의 니켈 도금을 시행하고, 그 위에 치환 도금법에 의해 0.05㎛의 금 도금을 시행했다. 얻어진 도금물에 대하여 외관 관찰을 행하고, 도금 피막의 모습을 평가했다. 결과를 표 4에 병기한다.
물 1L 중의 배합 농도 실시예 비교예
10 11 12 4
제거액 알칼리(염기) TMAH TMAH TMAH TMAH
가용화제 EDTA·2Na(g/L) 10 10 10 10
계면활성제 PEG-1000(g/L) 1 1 1 1
금속염(금속 농도·g/L) MnSO4·5H2O 1
ZnSO4·7H2O 2
CuSO4·5H2O 0.05
pH 12.4 12.4 12.4 12.4
육안관찰 외관 양호 양호 양호 불량
금속 현미경 관찰(500배) 구멍 없음 구멍 없음 구멍 없음 구멍 다수
주) PEG: 폴리에틸렌글리콜
도 1(a)∼(d)는 본 발명의 제거액에 의해 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면으로부터 알루미늄 산화 피막을 제거하는 모습을 차례로 도시하는 개략 단면도이다.
도 2(a)∼(d)는 종래의 제거액에 의해 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면으로부터 알루미늄 산화 피막을 제거하는 모습을 차례로 도시하는 개략 단면도이다.

Claims (8)

  1. 알루미늄 또는 알루미늄 합금 표면의 산화 피막을 제거하기 위한 제거액으로서, 알루미늄과 치환가능한 금속의 염 또는 산화물과, 이 금속의 이온의 가용화제와, 알칼리를 함유하여 이루어지고, pH가 10∼13.5인 것을 특징으로 하는 알루미늄 산화 피막용 제거액.
  2. 제 1 항에 있어서, 계면활성제를 더 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 알루미늄 산화 피막용 제거액.
  3. 적어도 표면에 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 갖는 피처리물을 제 1 항에 기재된 알루미늄 산화 피막용 제거액에 침지하고, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 표면에 그 알루미늄 산화 피막을 제거하면서 상기 제거액 중에 포함되는 알루미늄과 치환가능한 금속의 치환 금속층을 형성하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면처리 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 피처리물이 비알루미늄재의 표면에 알루미늄 또는 알루미늄 합금 피막이 형성된 것인 것을 특징으로 하는 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면처리 방법.
  5. 제 3 항에 있어서, 치환 금속층을 형성한 후, 그 위에 도금층을 형성하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면처리 방법.
  6. 제 3 항에 있어서, 치환 금속층을 형성한 후, 이 치환 금속층을 산화작용을 갖는 산성액으로 제거하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면처리 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 치환 금속층을 산화작용을 갖는 산성액으로 제거한 후, 알루미늄 또는 알루미늄 합금에 대하여 아연치환 처리 또는 팔라듐 처리를 행하고, 이어서 도금하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면처리 방법.
  8. 제 6 항에 있어서, 치환 금속층을 산화작용을 갖는 산성액으로 제거한 후, 알루미늄 또는 알루미늄 합금에 대하여 직접 도금하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면처리 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106757235A (zh) * 2016-11-19 2017-05-31 祁阳宏泰铝业有限公司 一种铝合金表面镀钛处理方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4513906B2 (ja) 2008-06-27 2010-07-28 ソニー株式会社 画像処理装置、画像処理方法、プログラム及び記録媒体
JP4605409B2 (ja) * 2008-08-21 2011-01-05 上村工業株式会社 アルミニウム又はアルミニウム合金の表面処理方法
ITRM20080610A1 (it) 2008-11-13 2010-05-14 Aptina Imaging Corp Procedimento per passivazione in umido di piazzole di unione per protezione contro un trattamento successivo basato su tmah.
JP5292195B2 (ja) * 2009-06-12 2013-09-18 大豊工業株式会社 マグネシウム合金へのすずめっき方法及びマグネシウム合金のエッチング液
JP2011179085A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 C Uyemura & Co Ltd 電気めっき用前処理剤、電気めっきの前処理方法及び電気めっき方法
JP5699794B2 (ja) * 2010-06-23 2015-04-15 上村工業株式会社 アルミニウム酸化皮膜用除去液及びアルミニウム又はアルミニウム合金の表面処理方法
JP6535098B2 (ja) * 2015-09-29 2019-06-26 富士フイルム株式会社 金属充填微細構造体の製造方法
CN106835168A (zh) * 2016-12-29 2017-06-13 芜湖乐普汽车科技有限公司 铝合金清洗剂的制备方法
KR102235224B1 (ko) * 2017-02-27 2021-04-02 후지필름 가부시키가이샤 금속 충전 미세 구조체의 제조 방법
CN107130253A (zh) * 2017-06-28 2017-09-05 华杰 一种铝合金清洗剂
CN111020588A (zh) * 2019-11-04 2020-04-17 博罗县东明化工有限公司 七系铝合金表面阳极氧化膜脱膜处理方法及脱膜剂
CN112864034B (zh) * 2019-11-27 2023-09-01 上海先进半导体制造有限公司 铝腐蚀的处理方法及系统
CN114481128A (zh) * 2020-10-26 2022-05-13 中国石油化工股份有限公司 一种在铝合金表面制备耐酸金属涂层的方法及其制得的耐酸金属涂层和应用
CN112760661A (zh) * 2020-12-21 2021-05-07 太重（天津）滨海重型机械有限公司 铝合金表面涂装前的表面处理方法
CN113278981A (zh) * 2021-05-21 2021-08-20 重庆沛轩精密电子有限公司 铝合金笔记本电脑外壳的预处理工艺

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2546018A1 (de) * 1974-10-18 1976-04-22 Alusuisse Verfahren zum faerben von aluminium
US4088544A (en) * 1976-04-19 1978-05-09 Hutkin Irving J Composite and method for making thin copper foil
JPH01247578A (ja) * 1988-03-30 1989-10-03 Toshiba Corp 高密度実装部品の製造方法
JPH05323340A (ja) * 1991-01-30 1993-12-07 Toshiba Corp 陽極酸化膜の選択エッチング方法およびこれを用いた液晶表示装置の製造方法
JPH06240467A (ja) * 1991-07-26 1994-08-30 Nippon Steel Corp 耐糸錆性に優れたアルミニウム板
JPH0565657A (ja) 1991-09-06 1993-03-19 Kawasaki Kasei Chem Ltd 無電解ニツケルめつき皮膜の製造方法
JPH0617259A (ja) * 1992-07-03 1994-01-25 Sumitomo Metal Ind Ltd 高耐食性表面処理アルミニウム板
GB9425031D0 (en) * 1994-12-09 1995-02-08 Alpha Metals Ltd Printed circuit board manufacture
JP3426800B2 (ja) * 1995-08-15 2003-07-14 日本パーカライジング株式会社 アルミニウム合金材料のめっき前処理方法
US5578187A (en) * 1995-10-19 1996-11-26 Enthone-Omi, Inc. Plating process for electroless nickel on zinc die castings
US6080447A (en) * 1998-05-14 2000-06-27 Enthone-Omi, Inc. Low etch alkaline zincate composition and process for zincating aluminum
US6183880B1 (en) * 1998-08-07 2001-02-06 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Composite foil of aluminum and copper
JP2001200390A (ja) * 1999-11-12 2001-07-24 Osaka Gas Co Ltd コンプレッサー用部材
JP3673445B2 (ja) * 2000-05-02 2005-07-20 メルテックス株式会社 亜鉛置換処理液
JP4703835B2 (ja) 2000-11-10 2011-06-15 新日鉄マテリアルズ株式会社 アンダーバンプメタル、半導体装置用バンプ、導電性ボール付半導体装置
US20020068454A1 (en) * 2000-12-01 2002-06-06 Applied Materials, Inc. Method and composition for the removal of residual materials during substrate planarization
JP2002180259A (ja) * 2000-12-12 2002-06-26 Shipley Co Llc めっき液における金属析出促進化合物および該化合物を含むめっき液
MY144587A (en) * 2001-06-21 2011-10-14 Kao Corp Polishing composition
JP4203724B2 (ja) * 2003-03-04 2009-01-07 上村工業株式会社 アルミニウム酸化皮膜用除去液及びアルミニウム又はアルミニウム合金の表面処理方法
JP2004323913A (ja) * 2003-04-24 2004-11-18 Nippon Parkerizing Co Ltd 金属の潤滑表面処理方法、および該潤滑表面処理方法により得られた潤滑表面を有する潤滑性金属部材
US6969164B2 (en) * 2003-11-07 2005-11-29 Lexmark International, Inc. Printing cartridge having a filter tower assembly and process for forming the same
JP2006002229A (ja) * 2004-06-18 2006-01-05 Nippon Parkerizing Co Ltd アルミニウム又はアルミニウム合金用洗浄剤及び洗浄方法
JP4506306B2 (ja) * 2004-06-29 2010-07-21 日立金属株式会社 耐食性希土類系永久磁石およびその製造方法
US7470562B2 (en) * 2005-11-07 2008-12-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming field effect transistors using disposable aluminum oxide spacers
JP4538490B2 (ja) * 2007-11-26 2010-09-08 上村工業株式会社 アルミニウム又はアルミニウム合金上の金属置換処理液及びこれを用いた表面処理方法
JP4605409B2 (ja) * 2008-08-21 2011-01-05 上村工業株式会社 アルミニウム又はアルミニウム合金の表面処理方法
JP5699794B2 (ja) * 2010-06-23 2015-04-15 上村工業株式会社 アルミニウム酸化皮膜用除去液及びアルミニウム又はアルミニウム合金の表面処理方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106757235A (zh) * 2016-11-19 2017-05-31 祁阳宏泰铝业有限公司 一种铝合金表面镀钛处理方法
CN106757235B (zh) * 2016-11-19 2018-06-26 祁阳宏泰铝业有限公司 一种铝合金表面镀钛处理方法

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