JPH0565657A

JPH0565657A - 無電解ニツケルめつき皮膜の製造方法

Info

Publication number: JPH0565657A
Application number: JP25412791A
Authority: JP
Inventors: Tatsumi Komatsu; 立美小松; Shingo Hagiwara; 伸吾萩原; Eiichi Ishida; 栄一石田
Original assignee: Kawasaki Kasei Chemicals Ltd
Current assignee: Kawasaki Kasei Chemicals Ltd
Priority date: 1991-09-06
Filing date: 1991-09-06
Publication date: 1993-03-19

Abstract

(57)【要約】【目的】無電解ニッケルめっきにより生成するニッケ
ル合金めっき皮膜上のノジュール（突起）を減少させ、
さらには数μｍ径のノジュールを実質上有しないニッケ
ル合金めっき皮膜を得る。【構成】アルミニウムサブストレートを脱脂し、硫酸
と硝酸とからなる酸水溶液でエッチングし、次いで第１
ジンケート皮膜を形成し、この第１ジンケート皮膜を剥
離し、第２ジンケート皮膜を形成した後、無電解ニッケ
ルめっきする。さらに、上記の第１ジンケート皮膜を剥
離する工程において、界面活性剤を含む酸水溶液を使用
し、第１ジンケート皮膜を剥離することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、アルミニウムサブスト
レートへの無電解ニッケルめっき法に関し、さらには薄
膜磁気ハードディスクの下地基板用非磁性無電解ニッケ
ル合金皮膜を形成するための無電解ニッケルめっき皮膜
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】薄膜磁気ハードディスクの下地基板に
は、生産性、加工性、非欠陥性、耐熱非磁性特性など優
れた特性を有する無電解ニッケル合金めっき皮膜をアル
ミニウムサブストレート上に成膜した基板が使われてい
る。アルミニウムサブストレートへの無電解ニッケルめ
っき法としては、一般にアルミニウムサブストレートを
脱脂する第１工程、エッチングする第２工程、第１ジン
ケート皮膜を形成する第３工程、第１ジンケート皮膜を
剥離する第４工程及び緻密な第２ジンケート皮膜を形成
する第５工程からなる前処理を行った後、無電解ニッケ
ルめっきを行う方法が行われている。従来公知の方法の
エッチング法としては、硫酸又は硫酸と燐酸との混酸と
からなる水溶液で処理する方法が行われ、一方第１ジン
ケート皮膜を剥離する工程では高濃度の硝酸水溶液で処
理する方法が行われている。

【０００３】このようにして得られた下地基板を使用し
て薄膜磁気ハードディスクを製造するが、薄膜磁気ハー
ドディスクでは現在ヘッド浮上高さが０．２μｍと極め
て低く、突起物との接触によってヘッドクラッシュの要
因となるため、下地基板のニッケル合金めっき皮膜は数
μｍの湿式鏡面研磨仕上げを行い、表面の平滑性を保証
しており、この加工費がハードディスクの価格上昇の一
因となっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】薄膜磁気ハードディス
クの信号エラー、ヘッドクラッシュ等の要因の一つとし
て下地基板のニッケル合金めっき皮膜の欠陥がある。こ
れらの欠陥としては、ニッケル合金めっき皮膜のノジュ
ール（突起）とピット（ピンホール）の２種類があり、
この中のピットの除去についてはめっき処理装置の環境
を清浄にし、めっき前処理液及び水洗水の清浄化、めっ
き液の精密濾過並びにめっき浴の安定化を図ることが最
重点であり、これらの管理を十分に行うことにより数μ
ｍ以上のピットの発生抑制が可能である。

【０００５】薄膜磁気ハードディスクの下地皮膜とし
て、アルミニウムサブストレート上に従来公知の方法と
しての二段ジンケート法による前処理及び無電解ニッケ
ルめっき処方によりニッケル合金めっき皮膜を成膜する
と、得られるめっき皮膜には表面に１０μｍ以上、最高
径２０μｍ程度のノジュールが多発する。このうち、小
ノジュールについては公知の湿式鏡面研磨により容易に
除去できるが、１０μｍ以上のノジュールについては除
去され難く、平面平滑性を保証するためには数μｍの湿
式研磨が必要となる。研磨が不十分の場合、下地基板の
ニッケル合金皮膜上になだらかなノジュールが残り、磁
気ヘッドクラッシュの原因ともなる。

【０００６】本発明の第一の目的は、このような無電解
ニッケルめっきにより生成するニッケル合金めっき皮膜
上のノジュールを減少させること及びノジュール径を縮
小させることであり、特に湿式鏡面研磨後のノジュール
に由来する薄膜磁気ハードディスクの欠陥を除去するた
めの無電解ニッケルめっき法を提供することにある。ハ
ードディスクの平面精度は実質的に下地基板のニッケル
合金めっき皮膜の平面精度に由来することが多いので、
下地ニッケル合金皮膜の欠陥を補うためめっき品の湿式
鏡面研磨を行っているが、一方このためにディスク表面
へのヘッドの吸着現象が発生し、その現象を防止する改
善が必要となり、鏡面を再度適切な粗度に加工（テキス
チャ処理）している。従って、下地基板のニッケル合金
めっき皮膜に数μｍ以上のノジュールがなくなれば、特
に湿式鏡面研磨する工程が不必要になるか、又は簡易な
研磨で済むことになる。

【０００７】本発明の第二の目的は、第一の目的からさ
らに進めて、特に自動化が困難な湿式鏡面研磨工程を省
き、必要ならば簡易な研磨を行ってもよいが、直接テキ
スチャ処理を実施することができる実質的にノジュール
のない、いわゆるノジュールレスのニッケル合金めっき
皮膜を得るための無電解ニッケルめっき皮膜の製造方法
を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】アルミニウムサブストレ
ートへの無電解ニッケルめっきの前処理法は、脱脂、エ
ッチング、必要ならば活性化、第１ジンケート、ジンケ
ート剥離、第２ジンケートの６工程から成り立ってい
る。前処理条件と生成するニッケル合金めっき皮膜の皮
膜性状について検討した結果、ノジュールはエッチング
を強化することにより発生を抑制できることが分かった
が、一方この過度のエッチングはニッケル合金めっき皮
膜の平面平滑性を著しく阻害することが分かった。さら
に、従来エッチング法として公知の硫酸及び硫酸ー燐酸
系のエッチング液を使用する方法では、生成するニッケ
ル合金皮膜が荒れ皮膜欠陥を生ずるため、この方法によ
るノジュールの除去は期待できないことが分かった。一
方、硝酸を使用するエッチング処理ではノジュールの除
去効果に限界があることが分かった。そこで、さらに硫
酸系エッチング液について検討を加えた結果、硫酸に硝
酸を共存させることにより生成するニッケル合金めっき
皮膜の荒れを抑え、実質的に１０μｍ以上のノジュール
が除去されることを見出した。

【０００９】さらに検討を進めて、上記前処理法におい
て、例えば濃硫酸３０容量％と６１重量％硝酸１０容量
％から調製した水溶液を酸エッチング液として使用して
処理した後、常法に従い第１ジンケート処理を行い、次
いで新規に開発した燐酸０．１モル／Ｌ（Ｌはリットル
を示す。以下同じ）とドデシルベンゼンスルホン酸ナト
リウム１．０ｇ／Ｌからなる水溶液をジンケート剥離液
として使用して処理した後、第２ジンケート処理を行う
ことによって実質上１０μｍのノジュールを除去しうる
ことを見出し本発明を完成した。

【００１０】即ち、本発明は、第１には、アルミニウム
サブストレートを脱脂する第１工程、エッチングする第
２工程、第１ジンケート皮膜を形成する第３工程、第１
ジンケート皮膜を剥離する第４工程及び緻密な第２ジン
ケート皮膜を形成する第５工程からなる前処理を行った
後、無電解ニッケルめっきを行うことにより、ニッケル
合金めっき皮膜を製造する方法において、上記の第２工
程におけるエッチング処理を、硫酸と硝酸とからなる酸
水溶液を酸エッチング液として使用して行うことを特徴
とする無電解ニッケルめっき皮膜の製造方法であり、第
２には、アルミニウムサブストレートを脱脂する第１工
程、エッチングする第２工程、第１ジンケート皮膜を形
成する第３工程、第１ジンケート皮膜を剥離する第４工
程及び緻密な第２ジンケート皮膜を形成する第５工程か
らなる前処理を行った後、無電解ニッケルめっきを行う
ことにより、ニッケル合金めっき皮膜を製造する方法に
おいて、上記の第２工程におけるエッチング処理を、硫
酸と硝酸とからなる酸水溶液を酸エッチング液として使
用して行うこと及び第１ジンケート皮膜を剥離する第４
工程を、界面活性剤と酸とを含む水溶液を酸剥離液とし
て使用して行うことを特徴とする無電解ニッケルめっき
皮膜の製造方法に存する。

【００１１】先ず、本発明の第１について説明する。本
発明の方法におけるアルミニウムサブストレートのエッ
チング処理を行う第２工程において使用される酸エッチ
ング液としては、硫酸と硝酸とからなる酸水溶液を使用
するが、好ましくは濃硫酸（９８重量％）として換算し
て１５〜３５容量％の硫酸及び６１重量％硝酸として換
算して５〜３０容量％の硝酸及び残りの水から調製され
た酸水溶液（濃度に換算すると、硫酸２６６〜６２１ｇ
／Ｌ及び硝酸４２〜２５３ｇ／Ｌの組成になる。）であ
り、さらに好ましくは濃硫酸として換算して２０〜３０
容量％の硫酸及び６１重量％硝酸として換算して７〜２
０容量％の硝酸及び残りの水から調製された酸水溶液
（濃度に換算すると、硫酸３５５〜５３３ｇ／Ｌ及び硝
酸５９〜１６８ｇ／Ｌの組成になる。）である。勿論、
酸水溶液を調製するに当り、上記の硫酸と硝酸の組成範
囲に入るなら、必要ならば濃硫酸及び濃硝酸（６１重量
％）以外の濃度のものを使用することもできる。硫酸の
量が少ないと脱ノジュール効果を失い、多いと欠陥が多
発する。一方、硝酸の量については適切な濃度範囲があ
り、この濃度範囲以外になると、少なくても多くてもニ
ッケル合金めっき皮膜に欠陥が発生する。

【００１２】エッチングの処理条件についは、処理温度
は４０〜７０℃、好ましくは５０〜６５℃であり、処理
時間はエッチング液の組成及び処理温度により一義的に
は決まらないが、通常３〜１０分、好ましくは５〜８分
から選ばれる。本発明における第１工程の脱脂の方法
は、従来公知の方法に従い非エッチングのアルカリ脱脂
液を用いて実施する。例えば、アルミニウムサブストレ
ートを炭酸ナトリウム５〜２５ｇ／Ｌ、燐酸ナトリウム
５〜２０ｇ／Ｌ及び界面活性剤０．１〜２ｇ／Ｌからな
る水溶液により、６０℃、５分で処理する。又、必要な
らばアルカリ脱脂を行った後、公知の非エッチングの酸
脱脂処理を行うこともできる。

【００１３】本発明において第２工程では、従来公知の
硝酸系活性化液を用いて活性化処理をエッチング処理の
次に続けて実施してもよいが、省略することができる。
本発明における第３工程の第１ジンケート皮膜を形成す
る工程は、従来公知の市販の酸化亜鉛苛性アルカリ水溶
液と微量のジンケート皮膜改質剤とからなるジンケート
液を用いて実施できる。例えば、水酸化ナトリウム５０
〜１２０ｇ／Ｌ、酸化亜鉛５〜２０ｇ／Ｌ、ロッシェル
塩１０〜５０ｇ／Ｌ、塩化第二鉄２〜５ｇ／Ｌを含む水
溶液が使用され、この処理は一般に２０〜３０℃、３０
〜６０秒で実施される。

【００１４】本発明の請求項１乃至３における第４工程
のジンケート剥離工程は、従来公知の方法が使用され
る。例えばこの処理は濃硝酸（約６１％）の５０容量％
及び水の５０容量％からなるジンケート剥離液を使用し
て、２５〜３０℃、１０〜１５秒で実施される。本発明
の請求項１乃至３における第５工程の第２ジンケート皮
膜を形成する工程は、第１ジンケート皮膜を形成する工
程と同様のジンケート液を使用して実施することができ
る。

【００１５】本発明の請求項４乃至１０の第２の方法で
は、第４工程の第１ジンケートを剥離する工程以外は前
述した本発明の第１と同様の条件が適用される。本発明
の請求項４乃至１０の第２の方法における第４工程の第
１ジンケートを剥離する工程は、次の方法で実施する。
このジンケートを剥離するには界面活性剤と希薄な酸を
含む水溶液が酸剥離液として使用される。この酸剥離液
に使用される酸の条件としては、その作業性からジンケ
ート皮膜を２０分以内で剥離できる酸強度の酸であれば
よく、酸剥離液としては希薄な酸が使用される。

【００１６】本発明に使用される酸としては、例えば硫
酸、硝酸等の無機の強酸；燐酸等の無機の弱酸；蓚酸、
マレイン酸のような脂肪族カルボン酸等の有機酸が挙げ
られる。これらの酸は混合しても使用することができ
る。作業性、緩衝性等を考慮すると、燐酸等の無機の弱
酸、有機酸類が好ましい。これらの酸剥離液の酸の濃度
は、好ましくは０．１〜３．０モル／Ｌ、さらに好まし
くは０．１〜２．０モル／Ｌから選ばれ、水酸化カリウ
ム等のアルカリを用いてｐＨ調整してもよい。酸の濃度
が低いとジンケートの剥離効果が失われ、濃度が高いと
界面活性剤が溶解性を失う。

【００１７】この酸剥離液に使用する界面活性剤として
は、好ましくはアニオン界面活性剤が使用され、例えば
ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムのようなアルキ
ルフェニルスルホン酸塩、ポリオキシエチレンラウリル
エーテル硫酸ナトリウムのようなポリオキシエチレンア
ルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンノニルフェ
ニルエーテル硫酸ナトリウムのようなポリオキシエチレ
ンアルキルフェニルエーテル硫酸塩等が挙げられる。

【００１８】この界面活性剤の使用量は、１００〜１
５，０００ｐｐｍ（溶液に対する重量として、以下同
じ）、好ましくは２００〜３，０００ｐｐｍから選ばれ
る。本発明における無電解ニッケルめっき工程に使用さ
れるめっき液は、従来公知の無電解ニッケルめっき液で
あればよい。このめっき液としては、通常は、以下の成
分が使用される。ニッケルイオンとしては、硫酸ニッケ
ル塩又は塩化ニッケル塩等のめっき処理工程において影
響を与えない塩の形で使用され、２〜１０ｇ／Ｌの濃度
である。錯化剤としては、特に限定しないが、一般には
リンゴ酸、乳酸、酒石酸、クエン酸等のヒドロキシカル
ボン酸の７〜５０ｇ／Ｌが使用される。錯化剤の他にｐ
Ｈ緩衝剤として例えば酢酸、安息香酸等の脂肪族又は芳
香族モノカルボン酸、コハク酸、フタル酸等の脂肪族又
は芳香族ジカルボン酸の３〜２５ｇ／Ｌが使用される。
還元剤としては次亜燐酸ナトリウム等の次亜燐酸塩の１
５〜３０ｇ／Ｌが使用される。その他浴安定剤としては
例えばめっき液中に金属イオンとして約１ｐｐｍ程度の
微量の鉛塩等の重金属化合物又は有機の安定剤が使用さ
れる。

【００１９】第１ジンケートを剥離する条件としては、
処理温度は１０〜６０℃、好ましくは１０〜４０℃が挙
げられ、その処理時間は酸の種類、酸剥離の処理温度に
より変動し一義的には決まらないが、一般的には１０秒
〜１０分、好ましくは２０秒〜５分が挙げられる。

【００２０】

【作用】無電解ニッケルめっき法では、皮膜の密着性を
得るため、前処理としてエッチング処理を行うが、従来
の方法ではエッチング処理後生成するニッケル合金めっ
き皮膜の皮膜性状の改善を目的として活性化されたアル
ミニウム表面を高濃度の硝酸を使用して改質処理してい
る。

【００２１】本発明の方法はその機構は未だ明確ではな
いが、硫酸水溶液中に硝酸を添加することでエッチング
処理時の水素発生を抑え、一方アルミニウムサブストレ
ートの組成的又は機械的な欠陥による孔蝕を抑えて皮膜
の荒れを阻止し、同時に画期的なノジュール除去効果が
期待できるものであって、従来公知の方法とは原理的に
異なる硫酸ー硝酸系エッチング液を使用するエッチング
法であり、生成するニッケル合金皮膜から実質的に１０
μｍ以上のノジュールを除去することができる。

【００２２】さらに、上記のエッチング処理した後得ら
れた第１ジンケート皮膜をアニオン界面活性剤を含む希
薄な強酸又は弱酸の酸水溶液からなる新規な酸剥離液を
用いて処理し、以下公知の方法に従い第２ジンケート処
理することにより実質的に１０μｍのノジュールの生成
を抑制することができた。

【００２３】

【実施例】次に実施例を挙げて本発明を詳細に説明す
る。「実施例１」市販の３．５インチアルミニウムサブスト
レート（ＧＲ）を、公知のアルカリ脱脂液（組成は、炭
酸ナトリウム、燐酸ナトリウム及び界面活性剤からなる
水溶液）で６０℃、５分間処理した後、濃硫酸３０容量
％、濃硝酸（６１重量％）１０容量％及び水６０容量％
からなる酸エッチング液を使用して、６０℃、５分間エ
ッチング処理した。引き続き市販のジンケート液（主な
る組成は、水酸化ナトリウム、酸化亜鉛、ロッシェル塩
及び塩化鉄の水溶液）で２８℃、３０秒間処理した後、
濃硝酸（６１重量％）５０容量％及び水５０容量％から
なる酸剥離液を使用して２５℃、１０秒間処理し、上記
と同様なジンケート液を使用して２８℃で４５秒間第２
ジンケート処理を行った。次いで、下記に示す従来公知
のリンゴ酸ーコハク酸系無電解ニッケルめっき液を用
い、８５℃、２．５時間、無電解ニッケルめっき処理を
行う。

【００２４】生成するニッケル合金（ニッケルー燐合金
系）めっき皮膜の皮膜性状を微分干渉顕微鏡を用いて観
察した結果、１０μｍ径のノジュールは４コ／ｍｍ²と
なった。又、この処理によるピットの発生は認められな
かった。無電解ニッケルめっき液組成硫酸ニッケル０．０９５モル／Ｌ次亜燐酸ナトリウム０．２８５モル／Ｌリンゴ酸０．３３９モル／Ｌコハク酸０．１２０モル／Ｌ鉛イオン（Ｐｂ²⁺）濃度１．０ｐｐｍｐＨ４．７０「実施例２」エッチング液の組成として、表１に記載し
たような濃硫酸２０〜３０容量％（硫酸３５５〜５３３
ｇ／Ｌ）及び濃硝酸（６１重量％）７〜２０容量％（硝
酸５９〜１６８ｇ／Ｌ）からなる酸エッチング液を使用
し、６０℃、５〜１０分間エッチング処理した以外は全
て実施例１と同様の方法に従い、無電解ニッケルめっき
処理を行い、生成するニッケル合金めっき皮膜を検討し
た。その結果を表１に示す。

【００２５】

【表１】

【００２６】「実施例３」無電解ニッケルめっき液とし
て、下記に示すような公知の乳酸ーリンゴ酸、酒石酸ー
クエン酸等のヒドロキシカルボン酸系のめっき液を使用
した以外は、全て実施例１と同様の方法に従い表２の結
果を得た。又、このめっき処理によるピットの発生は認
められなかった。（１）乳酸ーリンゴ酸系無電解ニッケルめっき液硫酸ニッケル０．１０モル／Ｌ乳酸０．５３モル／Ｌリンゴ酸０．１０モル／Ｌコハク酸０．０３モル／Ｌ次亜燐酸ナトリウム０．４７モル／Ｌ鉛イオン（Ｐｂ²⁺）濃度１．０ｐｐｍｐＨ４．８０処理温度９０℃ （２）酒石酸ークエン酸系無電解ニッケルめっき液硫酸ニッケル０．１０モル／Ｌ硫酸アンモニウム０．４５モル／Ｌ酒石酸０．６０モル／Ｌクエン酸０．１０モル／Ｌ次亜燐酸ナトリウム０．１５モル／Ｌ鉛イオン（Ｐｂ²⁺）濃度１．０ｐｐｍｐＨ４．８０処理温度９０℃

【００２７】

【表２】

【００２８】「比較例１」実施例１において、酸エッチ
ング液として、市販の硫酸ー燐酸系エッチング液（硫酸
３０重量％及び燐酸５重量％の水溶液）を使用して、６
０℃、２分間でエッチングを実施し、又はエッチングを
省略した以外は、実施例１と同様に実施して表３の結果
を得た。

【００２９】

【表３】

【００３０】「実施例４」市販の３．５インチアルミニ
ウムサブストレートを、公知のアルカリ脱脂液（組成
は、炭酸ナトリウム、燐酸ナトリウム及び界面活性剤か
らなる水溶液）で６０℃、５分間処理した後、濃硫酸３
０容量％、濃硝酸（６１重量％）１０容量％及び水６０
容量％からなる酸エッチング液を使用して、６０℃、５
分間エッチング処理した。引き続き市販のジンケート液
（主なる組成は、水酸化ナトリウム、酸化亜鉛、ロッシ
ェル塩及び塩化第２鉄からなる水溶液）で２８℃、３０
秒間処理した後、燐酸０．１モル／Ｌ及びドデシルベン
ゼンスルホン酸ナトリウム１０００ｐｐｍの水溶液から
なる酸剥離液を使用して２８℃、２分間処理して、第１
ジンケート皮膜を剥離し、次に上記と同様なジンケート
液を使用して２８℃で４５秒間ジンケート処理を行っ
た。次いで、下記に示すリンゴ酸ーコハク酸系無電解ニ
ッケルめっき液を用いて、下記のめっき条件で膜厚１８
μｍのニッケル合金めっき皮膜を形成し、得られた皮膜
のノジュール数を微分干渉顕微鏡を用いて測定した。そ
の結果、従来公知の方法で実施した場合に比べて、最大
ノジュール径は１０μｍと縮小し、１０μｍ径のノジュ
ール数は０．８コ／ｍｍ²と大幅に減少した。なおこの
処理において、皮膜荒れによる欠陥は観られなかった。

【００３１】初期無電解ニッケルめっき液組成硫酸ニッケル０．０９５モル／Ｌ次亜燐酸ナトリウム０．２８５モル／Ｌリンゴ酸０．３３２モル／Ｌコハク酸０．１２０モル／Ｌ鉛イオン（Ｐｂ²⁺）濃度１．０ｐｐｍめっき条件めっき浴の初期ｐＨ４．７浴温度９０℃ 「実施例５」表４に示した酸剥離液の組成及び酸剥離の
処理条件以外は、全て実施例４と同様の方法に従い無電
解ニッケルめっき処理を行い、生成したニッケル合金皮
膜のノジュール数を微分干渉顕微鏡を用いて測定した。

【００３２】酸剥離液における酸濃度が０．１〜１．０
モル／Ｌ、界面活性剤濃度が２００〜３，０００ｐｐｍ
の範囲において、浴温度１０〜４０℃にて処理すること
により、ニッケル合金皮膜のノジュール最大径は１０μ
ｍと縮小し、１０μｍ径のノジュール数は１コ／ｍｍ²
以下となった。

【００３３】

【表４】

【００３４】「実施例６」無電解ニッケルめっき液組成
として下記組成のめっき液を使用し、下記のめっき処理
条件で実施した以外は、実施例４と同様の方法に従い無
電解ニッケルめっき処理を行い、生成したニッケル合金
皮膜の皮膜性状を観察した。その結果、ニッケル合金皮
膜のノジュールの最大径は１０μｍと縮小し、１０μｍ
径のノジュール数は０．８コ／ｍｍ²以下となった。

【００３５】初期無電解ニッケルめっき液組成硫酸ニッケル０．１０モル／Ｌ乳酸０．５３モル／Ｌリンゴ酸０．１０モル／Ｌコハク酸０．０３モル／Ｌ次亜燐酸ナトリウム０．４７モル／Ｌ鉛イオン（Ｐｂ²⁺）濃度１．０ｐｐｍめっき条件めっき浴の初期ｐＨ４．８浴温度９０℃ 「実施例７」酸剥離液の酸成分として有機酸を使用し、
表５の使用条件で実施した以外は全て実施例４と同様の
方法に従い無電解ニッケルめっき処理を行い、生成した
ニッケル合金皮膜の皮膜性状を観察した。

【００３６】その結果を表５に示したが、ニッケル合金
皮膜のノジュールの最大径は１０μｍと縮小し、１０μ
ｍ径のノジュール数は０．９コ／ｍｍ²以下となった。

【００３７】

【表５】

【００３８】

【発明の効果】アルミニウムサブストレートの無電解ニ
ッケルめっき法において、先ずエッチング液として硫酸
ー硝酸の混合水溶液を使用し前処理法を実施して無電解
ニッケルめっきをすることにより、得られたニッケル合
金皮膜に実質的に１０μｍ以上のノジュールを除去しう
ることが可能になった。さらに、上記前処理法の第１ジ
ンケート皮膜を剥離する工程において、酸剥離液として
界面活性剤と酸とからなる水溶液を使用することにより
１０μｍのノジュールの生成をも実質上抑制することが
できる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】アルミニウムサブストレートを脱脂する
第１工程、エッチングする第２工程、第１ジンケート皮
膜を形成する第３工程、第１ジンケート皮膜を剥離する
第４工程及び緻密な第２ジンケート皮膜を形成する第５
工程からなる前処理を行った後、無電解ニッケルめっき
を行うことにより、ニッケル合金めっき皮膜を製造する
方法において、上記の第２工程におけるエッチング処理
を、硫酸と硝酸とからなる酸水溶液を酸エッチング液と
して使用して行うことを特徴とする無電解ニッケルめっ
き皮膜の製造方法。
【請求項２】酸エッチング液が、濃硫酸として換算し
て１５〜３５容量％の硫酸及び６１重量％硝酸として換
算して５〜３０容量％の硝酸から調製された酸水溶液で
ある請求項１記載の方法。
【請求項３】酸エッチング液が、濃硫酸として換算し
て２０〜３０容量％の硫酸及び６１重量％硝酸として換
算して７〜２０容量％の硝酸から調製された酸水溶液で
ある請求項１記載の方法。
【請求項４】アルミニウムサブストレートを脱脂する
第１工程、エッチングする第２工程、第１ジンケート皮
膜を形成する第３工程、第１ジンケート皮膜を剥離する
第４工程及び緻密な第２ジンケート皮膜を形成する第５
工程からなる前処理を行った後、無電解ニッケルめっき
を行うことにより、ニッケル合金皮膜を製造する方法に
おいて、上記の第２工程におけるエッチング処理を、硫
酸と硝酸とからなる酸水溶液を酸エッチング液として使
用して行うこと及び第１ジンケート皮膜を剥離する第４
工程を、界面活性剤と酸を含む水溶液を酸剥離液として
使用して行うことを特徴とする無電解ニッケルめっき皮
膜の製造方法。
【請求項５】酸エッチング液が、濃硫酸として換算し
て１５〜３５容量％の硫酸及び６１重量％硝酸として換
算して５〜３０容量％の硝酸から調製された酸水溶液で
ある請求項４記載の方法。
【請求項６】酸エッチング液が、濃硫酸として換算し
て２０〜３０容量％の硫酸及び６１重量％硝酸として換
算して７〜２０容量％の硝酸から調製された酸水溶液で
ある請求項４記載の方法。
【請求項７】第４工程の酸剥離液に使用する酸の水溶
液が、無機又は有機酸の希薄水溶液である請求項４記載
の方法。
【請求項８】第４工程の酸剥離液中の酸の濃度が０．
１〜３．０モル／Ｌである請求項４記載の方法。
【請求項９】第４工程の酸剥離液に使用される界面活
性剤が、アニオン界面活性剤である請求項４記載の方
法。
【請求項１０】第４工程の酸剥離液中の界面活性剤の
濃度が、１００〜１５，０００ｐｐｍである請求項４記
載の方法。