KR20080055589A - 엠에프엠에스형 전계효과 트랜지스터 및 강유전체 메모리장치 - Google Patents
엠에프엠에스형 전계효과 트랜지스터 및 강유전체 메모리장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080055589A KR20080055589A KR1020070057534A KR20070057534A KR20080055589A KR 20080055589 A KR20080055589 A KR 20080055589A KR 1020070057534 A KR1020070057534 A KR 1020070057534A KR 20070057534 A KR20070057534 A KR 20070057534A KR 20080055589 A KR20080055589 A KR 20080055589A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- ferroelectric
- electrode layer
- layer
- lower electrode
- mfms
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 23
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 16
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 15
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- -1 strontium titanate compound Chemical class 0.000 claims description 8
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 7
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 claims description 5
- 229910020684 PbZr Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 5
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 claims description 5
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010974 bronze Substances 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001897 terpolymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 9
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000028161 membrane depolarization Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- YDZQQRWRVYGNER-UHFFFAOYSA-N iron;titanium;trihydrate Chemical compound O.O.O.[Ti].[Fe] YDZQQRWRVYGNER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B51/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory transistors
- H10B51/30—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory transistors characterised by the memory core region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/6684—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a ferroelectric gate insulator
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B51/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory transistors
- H10B51/40—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory transistors characterised by the peripheral circuit region
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
- H10B53/30—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors characterised by the memory core region
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Description
Claims (22)
- 소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과,상기 기판의 채널영역 상측에 형성되는 하부전극층,상기 하부전극층상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 형성되는 상부전극층을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 하부전극층이 데이터 전극인 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 상부전극층이 접지 전극인 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 하부전극 및 상부전극층이 금, 은, 알루미늄, 플라티늄, 인듐주석화합물(ITO), 스트론튬티타네이트화합물(SrTiO3)이나, 그 밖의 전도성 금속 산화물과 이 것들의 합금 및 화합물, 또는 전도성 중합체를 기재로 하는 예컨대 폴리아닐린, 폴리(3, 4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리스티렌술포네이트(PEDOT:PSS) 등의 혼합물이나 화합물 또는 다층물 등을 포함하는 모든 도전성 금속 및 금속 산화물과 도전성 유기물 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 강유전체층이 산화물 강유전체, 고분자 강유전체, 불화물 강유전체 및 강유전체 반도체와 이들 강유전체의 고형체 중 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치.
- 제5항에 있어서,상기 산화물 강유전체가 PZT(PbZrxTi1-xO3), BaTiO3, PbTiO3를 포함하는 페로브스카이트(Perovskite) 강유전체, LiNbO3, LiTaO3를 포함하는 수도 일메나이트(Pseudo-ilmenite) 강유전체, PbNb3O6, Ba2NaNb5O15 를 포함하는 텅스텐-청동(TB) 강유전체, SBT(SrBi2Ta2O9), BLT((Bi,La)4Ti3O12), Bi4Ti3O12 를 포함하는 비스무스 층구조의 강유전체 및 La2Ti2O7 를 포함하는 파이로클로어(Pyrochlore), Y, Er, Ho, Tm, Yb, Lu 등의 희토류 원소(R)를 포함하는 RMnO3, PGO(Pb5Ge3O11) 및 BFO(BiFeO3) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치.
- 제5항에 있어서,상기 고분자 강유전체가 폴리비닐리덴 플로라이드(PVDF)나, 이 PVDF를 포함하는 중합체, 공중합체, 또는 삼원공중합체가 이용되고, 그 밖에 홀수의 나일론, 시아노중합체 및 이들의 중합체나 공중합체 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치.
- 제5항에 있어서,상기 고분자 강유전체가 β상의 결정구조를 갖는 PVDF인 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치.
- 제5항에 있어서,상기 강유전체 반도체가 CdZnTe, CdZnS, CdZnSe, CdMnS, CdFeS, CdMnSe 및 CdFeSe 을 포함하는 2-6족 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 하부전극층과 상부전극층은 상호 직교하는 방향으로 연장되면서 배설되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 하부전극층이 접지 전극이고 상부전극층이 데이터 전극인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치.
- 소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과,상기 기판의 채널영역 상측에 형성되는 하부전극층,상기 하부전극층상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 형성되는 상부전극층을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터.
- 제12항에 있어서,상기 하부전극층이 데이터 전극인 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터.
- 제12항에 있어서,상기 상부전극층이 접지 전극인 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터.
- 제12항에 있어서,상기 하부전극 및 상부전극층이 금, 은, 알루미늄, 플라티늄, 인듐주석화합물(ITO), 스트론튬티타네이트화합물(SrTiO3)이나, 그 밖의 전도성 금속 산화물과 이것들의 합금 및 화합물, 또는 전도성 중합체를 기재로 하는 예컨대 폴리아닐린, 폴리(3, 4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리스티렌술포네이트(PEDOT:PSS) 등의 혼합물이나 화합물 또는 다층물 등을 포함하는 모든 도전성 금속 및 금속 산화물과 도전성 유기물 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터.
- 제12항에 있어서,상기 강유전체층이 산화물 강유전체, 고분자 강유전체, 불화물 강유전체 및 강유전체 반도체와 이들 강유전체의 고형체 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터.
- 제16항에 있어서,상기 산화물 강유전체가 PZT(PbZrxTi1-xO3), BaTiO3, PbTiO3를 포함하는 페로브스카이트(Perovskite) 강유전체, LiNbO3, LiTaO3를 포함하는 수도 일메나이트(Pseudo-ilmenite) 강유전체, PbNb3O6, Ba2NaNb5O15 를 포함하는 텅스텐-청동(TB) 강유전체, SBT(SrBi2Ta2O9), BLT((Bi,La)4Ti3O12), Bi4Ti3O12 를 포함하는 비스무스 층 구조의 강유전체 및 La2Ti2O7 를 포함하는 파이로클로어(Pyrochlore), Y, Er, Ho, Tm, Yb, Lu 등의 희토류 원소(R)를 포함하는 RMnO3, PGO(Pb5Ge3O11) 및 BFO(BiFeO3) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터.
- 제16항에 있어서,상기 고분자 강유전체가 폴리비닐리덴 플로라이드(PVDF)나, 이 PVDF를 포함하는 중합체, 공중합체, 또는 삼원공중합체가 이용되고, 그 밖에 홀수의 나일론, 시아노중합체 및 이들의 중합체나 공중합체 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터.
- 제16항에 있어서,상기 고분자 강유전체가 β상의 결정구조를 갖는 PVDF인 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터.
- 제16항에 있어서,상기 강유전체 반도체가 CdZnTe, CdZnS, CdZnSe, CdMnS, CdFeS, CdMnSe 및 CdFeSe 을 포함하는 2-6족 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터.
- 제12항에 있어서,상기 하부전극층과 상부전극층은 상호 직교하는 방향으로 연장되면서 배설되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터.
- 제12항에 있어서,상기 하부전극층이 접지 전극이고 상부전극층이 데이터 전극인 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/KR2007/002881 WO2008072826A1 (en) | 2006-12-13 | 2007-06-14 | Mfms-fet and mfms-ferroelectric memory device |
JP2009541206A JP5440852B2 (ja) | 2006-12-13 | 2007-06-14 | Mfms型電界効果トランジスタ及び強誘電体メモリ装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20060127494 | 2006-12-13 | ||
KR1020060127494 | 2006-12-13 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080063880A Division KR20080077058A (ko) | 2008-07-02 | 2008-07-02 | 엠에프엠에스형 전계효과 트랜지스터 및 강유전체 메모리장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080055589A true KR20080055589A (ko) | 2008-06-19 |
KR100866314B1 KR100866314B1 (ko) | 2008-11-03 |
Family
ID=39802385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070057534A KR100866314B1 (ko) | 2006-12-13 | 2007-06-12 | 엠에프엠에스형 전계효과 트랜지스터 및 강유전체 메모리장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5440852B2 (ko) |
KR (1) | KR100866314B1 (ko) |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3169406B2 (ja) * | 1991-11-11 | 2001-05-28 | ローム株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JPH07335770A (ja) * | 1994-06-06 | 1995-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタ |
KR100219519B1 (ko) * | 1997-01-10 | 1999-09-01 | 윤종용 | 페로일렉트릭 플로팅 게이트 램을 구비하는 반도체 메모리 디바이스 및 그 제조방법 |
JP4080050B2 (ja) * | 1997-03-07 | 2008-04-23 | シャープ株式会社 | 強誘電体メモリセル、半導体構造およびそれらの製造方法 |
JPH1140767A (ja) | 1997-07-16 | 1999-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 誘電体素子及びその製造方法 |
KR100362169B1 (ko) * | 1999-10-18 | 2002-11-23 | 한국전자통신연구원 | 비파괴독출형 전계효과트랜지스터 및 그 제조방법 |
US7186380B2 (en) * | 2002-07-01 | 2007-03-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor and sensors made from molecular materials with electric dipoles |
US7205595B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-04-17 | Intel Corporation | Polymer memory device with electron traps |
US20080128682A1 (en) * | 2005-05-11 | 2008-06-05 | University Of Seoul Foundation Of Industry- Academic Cooperation | Ferrodielectric Memory Device And Method For Manufacturing The Same |
KR100966301B1 (ko) * | 2005-05-11 | 2010-06-28 | 서울시립대학교 산학협력단 | 강유전체 메모리장치의 제조방법 |
-
2007
- 2007-06-12 KR KR1020070057534A patent/KR100866314B1/ko active IP Right Grant
- 2007-06-14 JP JP2009541206A patent/JP5440852B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5440852B2 (ja) | 2014-03-12 |
JP2010514154A (ja) | 2010-04-30 |
KR100866314B1 (ko) | 2008-11-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2020210254A1 (en) | Doped polar layers and semiconductor device incorporating same | |
US9685215B1 (en) | Semiconductor memory device including a ferroelectric layer | |
KR100876136B1 (ko) | 엠에프엠아이에스 구조를 갖는 전계효과 트랜지스터 및강유전체 메모리 장치와 그 제조방법 | |
Eshita et al. | Ferroelectric random access memory (FRAM) devices | |
JP5241489B2 (ja) | 強誘電体メモリ装置の製造方法 | |
JP5440803B2 (ja) | Mfms型電界効果トランジスタ及び強誘電体メモリ装置並びにこれらの製造方法 | |
US6559469B1 (en) | Ferroelectric and high dielectric constant transistors | |
JP3098629B2 (ja) | 強誘電体トランジスタ、それを用いた半導体記憶デバイス、半導体応用機器及び人工知能システム | |
KR100876135B1 (ko) | 메모리 장치 및 그 제조방법 | |
WO2009054707A2 (en) | Mfms-fet, ferroelectric memory device, and methods of manufacturing the same | |
US7619268B2 (en) | Fast remanent resistive ferroelectric memory | |
KR100866314B1 (ko) | 엠에프엠에스형 전계효과 트랜지스터 및 강유전체 메모리장치 | |
KR20070036243A (ko) | 강유전체 반도체장치를 위한 유기물 | |
US7126176B2 (en) | Memory cell | |
KR101418593B1 (ko) | 엠에프엠에스형 전계효과 트랜지스터 및 강유전체 메모리장치 | |
KR20130021534A (ko) | 엠에프아이에스형 전계효과 트랜지스터 및 강유전체 메모리 장치와 그 제조방법 | |
KR20080077058A (ko) | 엠에프엠에스형 전계효과 트랜지스터 및 강유전체 메모리장치 | |
EP1168454B1 (en) | Nonvolatile semiconductor memory | |
WO2008072826A1 (en) | Mfms-fet and mfms-ferroelectric memory device | |
KR100877428B1 (ko) | 전계효과 트랜지스터 및 강유전체 메모리 장치와 그제조방법 | |
KR101286718B1 (ko) | 메모리 장치 | |
KR20140107152A (ko) | 강유전 물질과, 이를 이용한 강유전체 메모리장치 및 전계효과 트랜지스터와 그 제조방법 | |
JP3507038B2 (ja) | 強誘電体不揮発性記憶装置 | |
JPH11145385A (ja) | 電子素子及び電極形成方法 | |
KR20090129838A (ko) | 강유전 물질과, 이를 이용한 강유전체 메모리장치 및전계효과 트랜지스터와 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
A302 | Request for accelerated examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
AMND | Amendment | ||
B701 | Decision to grant | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121022 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131023 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141027 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160805 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171010 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181001 Year of fee payment: 11 |