KR100866314B1 - 엠에프엠에스형 전계효과 트랜지스터 및 강유전체 메모리장치 - Google Patents
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Description
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- 소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과,상기 기판의 채널영역 상측에 형성되는 하부전극층,상기 하부전극층상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 형성되는 상부전극층을 구비하여 구성되고,상기 하부전극층과 상부전극층을 통해 강유전체층에 전압을 인가하여 강유전체층을 분극화시키며,상기 하부전극층이 데이터 전극이고 상부전극층이 접지전극인 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치.
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- 제2항에 있어서,상기 하부전극 및 상부전극층이 도전성 금속, 금속 합금, 금속 화합물, 금속 산화물 및 도전성 유기물 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치.
- 제2항에 있어서,상기 강유전체층이 산화물 강유전체, 고분자 강유전체, 불화물 강유전체, 강유전체 반도체 및 강유전체의 고형체 중 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치.
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- 제2항에 있어서,상기 하부전극층과 상부전극층은 상호 직교하는 방향으로 연장되면서 배설되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치.
- 소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과,상기 기판의 채널영역 상측에 형성되는 하부전극층,상기 하부전극층상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 형성되는 상부전극층을 구비하여 구성되고,상기 하부전극층과 상부전극층을 통해 강유전체층에 전압을 인가하여 강유전체층을 분극화시키며,상기 하부전극층이 접지 전극이고 상부전극층이 데이터 전극인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치.
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- 제13항에 있어서,상기 하부전극 및 상부전극층이 도전성 금속, 금속 합금, 금속 화합물, 금속 산화물 및 도전성 유기물 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터.
- 제13항에 있어서,상기 강유전체층이 산화물 강유전체, 고분자 강유전체, 불화물 강유전체, 강유전체 반도체 및 강유전체의 고형체 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터.
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- 제13항에 있어서,상기 하부전극층과 상부전극층은 상호 직교하는 방향으로 연장되면서 배설되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터.
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