KR20080029826A - 도전배선 형성용 페이스트에 사용되는 유기 은 착화합물 - Google Patents

도전배선 형성용 페이스트에 사용되는 유기 은 착화합물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 아민기(-NH2)와 하이드록시기(-OH)를 포함하는 유기 리간드가 지방족 카르복실산 은(Ag)과 2 : 1의 당량비로 결합하여 착체를 형성한 유기 은 착화합물을 제공하며, 또한, 산화은 분말, 은 분말 및 은 플레이크(flake)로 구성된 군에서 선택된 은 공급원; 및 아민기와 하이드록시기를 포함하는 유기 리간드가 유기 은 화합물과 결합하여 착체를 형성한 유기 은 착화합물을 포함하는 도전성 페이스트(conductive paste)를 제공한다.
본 발명에서 제공하는 유기 은 착화합물은 용매에 대한 용해도가 높고 상온에서 액상이므로, 도전배선 형성용 페이스트 내에서 별도의 용매를 사용하지 않거나 적은 량의 용매만을 사용하여 은의 함량을 높일 수 있고, 점도가 높아 별도의 분산제를 첨가하지 않고도 안정성이 뛰어나면서 산업적 적용이 용이한 도전배선 형성용 페이스트를 제조할 수 있다.
유기 은 착화합물, 도전성 페이스트

Description

도전배선 형성용 페이스트에 사용되는 유기 은 착화합물{ORGANIC SILVER COMPLEX COMPOUND USED IN PASTE FOR CONDUCTIVE PATTERN FORMING}
본 발명은 도전성 페이스트에 사용될 수 있는 유기 은 착화합물 및 이를 이용한 도전성 페이스트에 관한 것이다.
종래에 기재 상에 도전 배선을 형성하는 방법으로는 에칭법, 진공증착법, 또는 스크린인쇄법 등이 있으나, 공정이 복잡하고, 공정시간이 길며, 원료의 손실이 크고, 고비용이며, 환경오염 등의 문제를 가지고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 잉크젯 기술이나 롤인쇄법이 대두되고 있으며, 이들은 모두 원료의 손실을 최소화할 수 있으며, 간단한 공정에 의해 도전성 배선을 만들 수 있을 뿐더러 소형화 되어가는 전자기기에 맞는 미세패턴도 제작할 수 있다.
이러한 잉크젯법이나 롤인쇄법은 다른 방법과 비교하여 공정이 간편하고, 비용이 저렴한 방법이지만, 적절한 잉크나 페이스트의 제작이 선행되어야 한다. 즉, 상기 잉크나 페이스트는 소성 후 우수한 전도성을 위해 은의 절대함량이 매우 높아야 하며, 잉크젯 인쇄와 롤프린팅에 필요한 물성인 점도, 표면장력, 안정성 등도 만족하여야 한다. 더 나아가 최근에는 플렉시블하고 가격이 저렴한 PET등의 고분자 기판을 이용하는 인쇄기술이 개발되고 있으나, 이러한 기판들은 낮은 Tg(유리전이온도)를 가지기 때문에, 소성온도가 낮아야 하는 제약이 있다.
상기와 같은 이유로 인해, 잉크젯법이나 롤인쇄법이 많은 장점을 가짐에도 불구하고 아직 이를 이용한 도전 배선의 형성방법이 산업적으로 범용화되지 못하고 있는 실정이다.
전술한 잉크나 페이스트의 요건을 갖추기 위하여 다양한 종류의 카르복실 유기은(Organic silver) 및 첨가제에 대한 다양한 연구가 이루어지고 있다.
"electronic structure of layered silver carboxylates"라는 논문(Journal of applied physics, 1998, 84, 887)에서 카르복실 유기은(organic silver)은 실제적으로 복합(dimeric) 착물(coordination complex) 고분자체를 가짐을 언급하고 있다. 이러한 고분자 형태는 용액이나 분산제에서의 낮은 용해도 및 비균일한 분산의 직접적인 원인으로 판단되고 있다.
대한민국 특허공보 제10-2006-0028350호에 기재된 유기 은 조성물 용액은 은(Ag)을 함유하는 염 상태의 물질을 알코올 용매 하에 알코올기를 포함하는 직쇄 또는 방향족 화합물 그리고 아민기를 포함하는 직쇄 또는 방향족 화합물과 반응시켜 제조하여 이를 잉크젯 인쇄에 적합한 액유동성을 확보하는 기술에 관한 것이다. 상기 공보에서의 유기 은 조성물 용액은 은(Ag)염의 중량이 20 ~ 40중량%로 기존의 유기 은 조성물에 비하여 높으나 은염이 양이온인 은 이온과 음이온으로 이루어져 있으므로 실제 은 이온의 중량은 이보다 낮은 수치이다. 또한, 상기 공보에서의 유기 은 조성물 용액은 용액이라기 보다는 현탁액에 가까운 상태여서, 분산성 유지를 위해서 다량의 첨가제가 사용되어야 하는 단점이 있다.
"Novel preparation of monodispersed silver nanoparticles via amine adducts derived from insoluble silver myristate in tertiary alkylamine" 이라는 논문(Journal of materials chemistry, 2003, 13, 2064)에서는 은 이온(Ag+)을 아민에 의해 약 80 ~ 130 ℃에서 환원시켜 나노입자를 합성하는 기술이 개시되어 있다. 하지만 이러한 아민의 환원성을 이용한 잉크나 페이스트는 아직 알려진 바 없다.
한편, 일반적인 도전성 페이스트는 도전성 금속입자를 수지 등에 분산시킨 것으로서, 도전성 금속입자로는 전기전도성이 높고 산화가 어려운 은(Ag)을 주로 사용한다. 종래의 도전성 페이스트 중 고온 소성형은 500℃ 이상의 고온 가열을 통해 금속 입자간을 융착하여 연속적인 도전막을 형성함으로써, 약 6 μΩ cm 이하의 비저항을 가질 수 있으나, 소성온도가 높기 때문에 적용할 수 있는 기재에 한계가 있다는 문제점이 있다. 또한, 폴리머형은 기재와의 밀착성, 금속 입자의 분산성, 및 도장성 향상을 목적으로 은 입자와 수지를 혼합한 것으로서, 약 150℃ 정도의 온도로 가열하면 수지가 경화되고, 이에 따라 금속입자 간 접촉이 생겨 도전막이 형성될 수 있으며, 약 15 μΩ cm 이하의 비저항을 발현할 수 있으나, 고온소성형에 비해 전기전도성이 충분치 못하다는 단점이 있었다.
최근 이러한 단점을 보완하기 위하여 고안된 저온 소성형 은 화합물 페이스트는 고온 소성형과 같이 비교적 높은 전기전도성을 가지면서도, 폴리머 형처럼 낮 은 소성온도를 갖는 것이 특징이다.
저온 소성형 은화합물 페이스트는 일반적으로 입자 상태의 산화 은과 3급 지방산 은 염을 함유하며, 산화 은과 3급 지방산 은 염을 혼합하여 페이스트를 만들 때, 유기용매에 녹아 있는 3급 지방산 은 염이 산화 은을 분쇄하여 수백 nm의 미립자로 만드는 윤활제 역할을 함과 동시에 미립자상 산화 은의 분산을 안정화시키는 역할도 한다.
그리고, 은화합물 페이스트를 가열하면 산화 은이 저온에서 환원되어 은 입자를 만드는 것과 동시에 3급 지방산 은 염이 분해되어 은을 석출할 수 있으며, 상기 지방산 은 염으로부터 석출된 은은 산화 은으로부터 환원되어 생성된 은 입자들 사이에 융착되어 조밀한 도전막을 형성할 수 있다. 즉, 은 입자간에 수지 등의 절연물질을 포함하지 않고 은 입자 사이의 융착에 의해 약 6 μΩ cm 이하의 비저항을 가질 수 있다.
그러나, 상기의 저온 소성형 은화합물 페이스트를 소성하기 위해서는 150℃ 정도의 온도에서 최소 20분 이상의 가열이 필요하므로, 플라스틱 필름을 기재로 이용한 롤 공정에 있어, 일반적으로 사용되는 PET 필름과 같은 기재를 사용하기 힘들다는 문제점이 있으며, 또한 소성을 위한 공정시간이 길다는 것도 문제된다.
그리고, 특정 용매에만 잘 용해되는 탄소수 10이상의 3급 지방산 은 염을 사용해야 한다는 재료 구성의 단점 또한 페이스트 물성 조절에 있어 걸림돌이 될 수 있다. 상기의 3급 지방산 은 염의 용해를 위한 특정 용매로서는 주로 BCA(butyl carbitol acetate)나 terpineol이 사용되는데, 이 들 용매는 pattern 인쇄 시 많이 사용되는 실리콘 수지를 쉽게 팽윤시키므로 미세한 인쇄패턴의 정밀도를 저하시키는 원인이 된다. 그리고 탄소수 10이상인 3급 지방산 은 염을 저온 소성형 페이스트에 사용하는 경우, 기재에 도포시 초기 밀도가 낮고, 상대적인 은(Ag) 함량이 낮아 소성 전후 박막의 두께의 차이가 크기 때문에 결과적으로 전기전도성 막이 높은 면저항을 갖는 단점이 있다.
도포 밀도와 은 함량을 높일 수 있는 1급 지방산 은 염의 경우, 일반적인 유기용매에 대한 용해성이 나쁘다고 알려져 있으며, 이는 상기 유기 은 염이 복합착물형 고분자를 형성하기 때문인 것은 전술한 바이다. 따라서, 1급 지방산 은 염을 그 자체로 저온 소성형 은화합물 페이스트에 사용하기에는 난점이 있다.
본 발명자들은 관련 연구를 통해 지방산 은 염을 착체 형태로 만들어 단분자화함으로써, 용매에 대한 용해도가 높고 상온에서 액상의 형태를 갖는 유기 은 착화합물이 형성됨을 알아내었다. 특히, 카르복실산 은에 알코올아민을 1:2의 몰비로 배위결합시킴으로써, 상온에서 액상이면서 동시에 점도가 높아 페이스트용 용매로 적합한 유기 은 착화합물을 제조할 수 있었다.
또한, 상기 유기 은 착화합물과 산화 은을 혼합하면 저온에서 발열반응을 통해 산화은의 환원이 일어남을 밝혀 내었다. 그리고, 본 발명의 유기 은 착화합물은 상온에서 액상상태이므로 용매 사용을 배제할 수 있어, 기존 유기 은 염의 용해도 문제를 극복할 뿐 아니라, BCA나 terpineol등의 유기용매사용시 발생될 수 있는 문제점을 최소화할 수 있다는 것을 알아내었다.
본 발명은 이에 기초한 것으로, 신규의 유기 은 착화합물 및 이를 포함하는 도전성 페이스트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 아민기(-NH2)와 하이드록시기(-OH)를 포함하는 유기 리간드가 지방족 카르복실산 은(Ag)과 2 : 1의 당량비로 결합하여 착체를 형성한 유기 은 착화합물을 제공한다.
또한, 본 발명은 산화은 분말, 은 분말 및 은 플레이크(flake)로 구성된 군 에서 선택된 은 공급원; 및 아민기와 하이드록시기를 포함하는 유기 리간드가 유기 은 화합물과 결합하여 착체를 형성한 유기 은 착화합물을 포함하는 도전성 페이스트(conductive paste)를 제공한다.
본 발명에서 제공하는 유기 은 착화합물은 용매에 대한 용해도가 높고 상온에서 액상이므로, 도전배선 형성용 페이스트 내에서 별도의 용매를 사용하지 않거나 적은 량의 용매만을 사용하여 은의 함량을 높일 수 있고, 점도가 높아 별도의 분산제를 첨가하지 않고도 안정성이 뛰어나면서 산업적 적용이 용이한 도전배선 형성용 페이스트를 제조할 수 있다
또한, 상기 유기 은 착화합물과 산화 은을 포함하는 페이스트는 저온에서 발열반응을 통해 산화 은의 환원을 일으킴으로써, 일반적인 플라스틱 필름을 이용한 롤 공정에도 적합한 낮은 온도의 소성조건을 제공할 수 있으며, BCA나 terpineol등의 유기용매 사용을 억제하여 상기 유기용매에 의한 실리콘 수지 기판의 팽윤 문제를 최소화할 수 있다.
따라서, 본 발명에 의해 용이하고 저렴하게 은 함량이 높은 저온 소성용 페이스트를 제공할 수 있으며, 은의 함량이 높은 전극 패턴을 형성할 수 있고, 유기 은 착화합물의 사슬길이 등을 변화시킴으로써 물성의 조절이 용이하며, 기존 유기 은 염 페이스트와 비교할 때, 별도의 유기용매의 사용이 없거나 사용량을 최소화할 수 있으므로, 유기용매 혼합에 따른 낮은 밀도 및 은 함량 문제와 소성 전후에 막 두께 차이가 생기는 문제를 현저히 개선할 수 있다는 장점이 있다.
본 발명은 아민기와 하이드록시기를 포함하는 유기 리간드가 유기 은 화합물과 배위 결합하여 착체를 형성한 유기 은 착화합물을 제공하는 것이 특징이며, 이 때, 아민기와 하이드록시를 포함하는 유기 리간드와 유기 은 화합물 간의 당량비는 바람직하게는 2 : 1 일 수 있으며, 유기 은 화합물은 특별히 제한되지는 않으나, 바람직하게는 지방족 카르복실산 은 일 수 있다.
일반적으로 질산은을 제외한 대부분의 은 함유 물질들은 물 또는 일반용매에 대해 난용성의 성질을 가지므로 산업적으로 응용하기가 힘든 점이 있다. 이러한 난용성은 유기 은 화합물(예컨대, 은 카르복실레이트)에 의한 배위고분자 형성이 주된 원인이다. 즉, 유기 은 화합물 중 은과 유기 리간드가 배위결합을 형성할 때, 각각 서로 다른 2개 이상의 배위결합을 하여 2차원적으로 연결된 고분자를 형성할 수 있으며, 이러한 배위고분자가 형성되는 경우, 용매에 대해 난용성이 될 수 있다.
본 발명에서는 이와 같은 문제점을 극복하기 위하여 아민기 및 하이드록시기를 포함하는 리간드와 유기 은 화합물을 2 : 1의 당량비로 반응시킴으로써, 유기 은 화합물을 단분자 형태로 만들어 용매에 대한 용해도를 증가시킬 수 있으며, 이렇게 제조된 유기 은 착화합물은 상온에서 액상이 될 수 있다.
도 1에서 보는 바와 같이 Ag이온이 알코올아민 2분자와 결합하게 되는 경우, 아민기가 Ag와 결합하여 다른 유기 은 화합물과 결합할 수 없게 되므로, 배위고분자 형성이 억제되고 단분자 형태가 되어, 상온에서 액상 형태로 존재하게 된다.
이러한 상온 액상 형태의 유기 은 착화합물은 유동성이 있어 용매로서의 역할을 할 수 있으며, 예컨대 단독으로, 또는 산화은이나 은나노입자와 혼합되어 페이스트로 제조시 별도의 용매를 사용하지 않고도 도전배선 형성에 적합한 점도를 갖는 페이스트를 제조할 수 있다. 또한, 유기 은 화합물(예를 들어, 카르복실산 은)의 탄소 사슬 길이에 무관하게 상온 공융염 형태를 만들 수 있으므로, 페이스트 제조시 고형분의 함량을 높일 수 있으며, 또한 상기 유기 은 화합물 및 배위결합하는 유기 리간드의 종류를 변화시킴으로써, 유기 은 착화합물 내의 상대적인 은 함량비를 임의로 조절할 수도 있다.
그리고, 은과 배위결합된 아민은 환원제의 역할도 할 수 있으므로, 상기 유기 은 착화합물이 포함된 페이스트를 기판에 도포한 후, 가열시 유기 은 착화합물 중 은을 환원시켜 은나노입자로 구성된 도전배선을 형성하는 역할도 할 수 있다.
또한, 하이드록시기는 유기 은 화합물 중 은에 강하게 결합하지 않는 것으로 알려져 있으며, 배위되어 있지 않는 하이드록시기는 상기 유기 은 착화합물의 용해성을 증가시킬 뿐 만 아니라, 상기 착화합물 분자간의 수소결합 개수를 증가시킴으로써, 점성을 주는 역할도 할 수 있다.
특히, 본 발명에서는 아민-알코올 리간드가 유기 은 화합물과 2 : 1의 당량비로 착체를 형성하는 경우, 착화합물 1분자당 -OH기가 2개 씩 존재하여, 1 : 1 또는 그 이하의 비율로 형성된 착체의 경우보다 하이드록시기의 개수가 많으므로, 높은 점도를 가져 페이스트용 용매로 적합하게 사용할 수 있다.
본 발명에서, 유기 은 화합물은 아민기와 하이드록시기를 포함하는 유기 리 간드와 배위결합을 형성할 수 있는 물질이면 특별히 제한되지는 않으며, 바람직하게는 지방족 카르복실산 은이 될 수 있으며, 더욱 바람직하게는 탄소수 2 ~ 20인 1급 내지 3급 지방산 은 염일 수 있다.
상기의 지방산 은 염은 질산은(AgNO3)과 지방산(fatty acid)의 염 반응을 통해서 제조될 수 있다. 이 때, 지방산은 카르복시기(-COO)를 하나 이상 포함하는 것이면 특별히 제한되지 않는다.
한편, 상기 유기 은 화합물이 방향족 카르복실산인 경우에는 끓는 점이 높기 때문에 고온 소성(예를 들면, 550 ℃에서 10분 이상)을 할 수 밖에 없으며, 페이스트를 도포할 기판 역시 고온에서 사용가능한 것으로 한정될 수 밖에 없다. 따라서, 본 발명의 유기 은 착화합물 및 페이스트를 저온소성용으로 사용하기 위해서는 방향족 카르복실산은 적합하지 않다.
종래에 전도성 잉크 또는 페이스트에 사용되는 지방산 은 염은 탄소수 10이상의 3급 지방산을 포함하는 것을 주로 사용하였다. 그 이유는 탄소 사슬의 길이가 짧거나 알파탄소가 3급이 아닌 경우에는 유기용매에 대한 용해도가 매우 낮기 때문이다.
탄소의 길이가 짧으면 상대적으로 지방산 은 염이 강한 이온성을 가지기 때문에, 비점이 낮은 에탄올 등에는 잘 녹지만, 비점이 높은 유기용매에는 녹지 않았다. 또, 알파탄소가 3급이 아닌 경우에는 지방산의 결정화에 의해 용해도가 낮아진다.
그러나, 본 발명에서는 아민기와 하이드록시기를 포함하는 유기 리간드(예컨대, 에탄올아민)를 상기의 유기 은 화합물(예컨대, 지방산 은 염)에 배위결합시켜 착체를 형성하기 때문에, 탄소수 10이하이거나 1급 또는 2급 지방산을 사용하더라도 상기의 착화합물을 형성하여, 결정화도가 낮아져 유기용매에 쉽게 용해될 수 있을 뿐 만 아니라, 상온에서 액상의 형태를 가질 수 있다.
예를 들면 프로피오네이트 은 염(CH3CH2COOAg)의 경우 에탄올아민과 착체를 형성시키면 에탄올아민에 의해 염의 이온성질이 감소하며 동시에 결정화도가 떨어져 용매에 쉽게 용해될 수 있고, 액상이 될 수 있다. 반면에 16개의 탄소를 가진 팔미테이트 은 염(CH3(CH2)14COOAg)의 경우, 알킬 사슬에 의한 결정화는 이미 알려져 있으며, 역시 본 발명에서와 같이 은(Ag) 부분에서의 착체 형성으로 인해 사슬간의 거리가 충분히 멀어지므로, 쉽게 액상의 유기 은 염 형태를 이룰 수 있다.
상기의 유기 은 화합물의 비제한적인 예로는 프로피오네이트화 은, 부티레이트화 은, 펜타노에이트화 은, 헥사노에이트화 은, 헵타토에이트화 은, 옥타노에이트화 은, 노네이트화 은, 데카노에이트화 은, 네오데카노에이트화 은 등이 있다.
본 발명에서 유기 은 화합물과 착체를 형성하는, 아민기와 하이드록시기를 포함하는 유기 리간드는 알코올기(하이드록시알킬기)로 치환된 1급 내지 4급 아민일 수 있으며, 그 비제한적인 예는 에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 테트라에틸아민 염, 프로파놀아민 등이 있다.
상기의 아민기와 하이드록시기를 포함하는 유기 리간드는 유기 은 화합물과 착체를 형성하여 단분자 형태로 만듦으로써 상온에서 액상 형태가 되도록 할 수 있으며, 기판상에 도포되어 전도성 배선 형성을 위해 가열시 은을 환원시키는 역할도 할 수 있다.
본 발명의 유기 은 착화합물은 다음과 같이
a) 아민기와 하이드록시기를 포함하는 유기 리간드를 유기 은 화합물과 2 : 1의 당량비로 용매에 혼합하여 반응시키는 단계; 및
b) 상기 반응용액으로부터 용매를 제거하는 단계;
를 포함하는 방법에 의하여 제조될 수 있다.
상기 a)단계에서 아민기와 하이드록시기를 포함하는 유기 리간드를 유기 은 화합물과 2 : 1의 당량비로 용매에 혼합한 후 교반하여 반응시키면 투명한 용액을 얻을 수 있으며, 이는 본 발명의 유기 은 착화합물이 용매에 용해되어 있는 상태이다. 이 때, 은을 포함하는 유기 화합물을 약간 과량으로 하여 유기 리간드와 착체를 형성하지 못한 부분은 침전시키고, 이를 필터를 통해 여과하는 방법을 사용할 수도 있다.
상기 b)단계에서 상기의 용액으로부터 용매를 제거함으로써, 유기 은 착화합물을 얻을 수 있다. 용매의 제거방법은 당업자에게 알려진 방법이라면 특별히 제한하지 않으며, 감압증류 등을 이용할 수 있고, 증류 이후에 디에틸에테르 등을 이용하여 여분의 용매를 제거하거나 진공건조 또는 질소 블로윙 등의 방법을 이용할 수도 있다.
상기 반응시 사용되는 용매는 유기화학 반응의 용매로서 당업자에게 알려진 것을 사용할 수 있으며, 그 비제한적인 예로는 메탄올, 터피네올, 부틸카비톨아세테이트 등이 있다.
본 발명의 유기 은 착화합물은 유기 은 착화합물 1분자당 2개의 OH기를 가지기 때문에, 종래의 유기 은 화합물 및 유기 은 착화합물보다 높은 점도를 가질 수 있고, 예를 들어, 상온(25℃)에서의 점도 범위 50 cPs ~ 2000 cPs로서, 페이스트 제조에 적합한 점도를 가질 수 있다. 상기 범위 이상의 점도에서는 작업성이 좋지 않고, 기재에 도포시 균일한 형태의 도전 배선을 형성하기 어려우며, 상기 범위 이하의 점도에서는 분산성이 나쁘고, 배선의 두께가 얇으며, 배선의 형태가 유지되기 힘든 문제점 등이 있다.
한편, 본 발명의 유기 은 착화합물은 상기와 같은 점도범위를 가짐으로써, 추가의 용매나 증점제를 넣지 않고도 페이스트로서 사용 가능하다는 것이 장점이나, 사용하려는 페이스트의 점도에 따라, 용매를 추가하거나, 증점제 등을 추가하여 점도를 조절할 수도 있다.
본 발명의 도전성페이스트는 아민기와 하이드록시기를 포함하는 유기 리간드가 유기 은 화합물과 결합하여 착체를 형성한 유기 은 착화합물을 포함하는 것일 수 있으며, 상기 유기 은 착화합물은 아민기와 하이드록시기를 포함하는 유기 리간드가 지방족 카르복실산 은과 2 : 1의 당량비로 결합하여 착체를 형성한 것일 수 있다.
또한, 상기의 도전성 페이스트는 산화은 분말, 은 분말 및 은 플레이크(flake)로 구성된 군에서 선택된 은 공급원을 더 포함하는 것일 수 있다.
일반적인 도전성 페이스트, 특히 저온소성용 페이스트는 산화 은 미립자, 유기 은 염, 용매, 및 기타 첨가제로 구성되어 있으며, 이 때 사용되는 유기 은 염은 상온에서 고체상태이므로, 용매에 녹여 사용해야 하나, 일반적인 유기용매에 대한 용해도가 낮고, 특정한 용매에만 녹기 때문에, 은 함량을 높이는 데에 한계가 있으며, 사용되는 특정 용매, 예를 들어 BCA(butyl carbitol acetate)나 terpineol등은 특정한 기판(예컨대 실리콘 기판)에서는 팽윤을 일으키는 등의 문제가 있었다.
그러나, 본 발명의 도전성 페이스트는 산화은 분말, 은 분말 및 은 플레이크(flake)로 구성된 군에서 선택된 은 공급원과 상기 유기 은 착화합물 만으로도 기재에 적용가능한 페이스트를 만들 수 있다. 즉, 상기 유기 은 착화합물이 상온에서 액상 형태이므로, 그 자체가 용매의 역할을 할 수 있으며, 일반적인 유기 용매에 비해 점성이 높아 별도의 증점제 등의 추가가 없이도 페이스트를 제조할 수 있다.
또한, 별도의 용매를 추가하지 않거나, 추가하더라도 소량만을 첨가할 수 있기 때문에, 그만큼 페이스트 내의 은 이온의 함량을 높일 수 있어, 유기용매 혼합에 따른 낮은 밀도 및 은 함량 문제와 소성 전후에 막 두께 차이가 생기는 문제를 현저히 개선할 수 있으며, 도전배선의 두께를 증가시킬 수 있고, 따라서 전기전도도의 향상을 기대할 수 있다.
그리고, 종래의 저온소성용 도전성 페이스트는 적어도 150℃ 이상의 온도로 가열해야만 산화 은이 은 입자로 환원되었으나, 본 발명의 경우에는 페이스트 내에 산화 은 미립자가 포함된 경우, 산화 은 미립자가 상기의 유기 은 착화합물에 포함 된 아민기에 의하여 환원되면서 발열하는 반응을 일으키기 때문에 가열온도가 150℃ 이하인 경우에도 환원에 의한 은입자의 석출이 일어날 수 있다. 따라서, 내열온도가 150℃ 정도인 PET 기판을 이용한 롤 공정에서도 본 발명의 도전성 페이스트를 이용하여 도전배선 형성 가능하다.
본 발명의 도전성 페이스트는 전술한 바와 같이, 저온에서 소성가능한 저온소성형 페이스트일 수 있으며, 100 ~ 250℃ 범위의 온도에서 소성 가능한 것일 수 있다.
본 발명의 도전성 페이스트는 유기 은 염의 사슬길이 등을 변화시킴으로써 물성의 조절이 용이하며, 산화 은과의 혼합시 발열반응이 일어나는 현상을 이용하여 일반적인 플라스틱 필름을 이용한 롤 공정에 적합한 소성조건을 제공할 수 있다.
본 발명의 도전성 페이스트에 포함되는 은 공급원은 200nm ~ 30㎛ 범위의 입경을 갖는 산화 은 미립자일 수 있으며, 바람직하게는 200nm ~ 2㎛ 범위의 입경을 갖는 산화 은 미립자일 수 있다.
도전성 페이스트에 산화 은 미립자가 포함될 경우, 산화 은 미립자는 입경이 작을 수록 표면적이 증가하므로, 짧은 시간과 낮은 온도에서 발열에 의한 환원반응을 일으켜 도전성 막을 형성할 수 있다는 장점이 있다. 비록, 산화 은 미립자의 크기가 크더라도, 도전성 페이스트에 함께 포함되는 유기 은 착화합물이 윤활제 역할을 하므로 페이스트 제조 과정 중 분쇄되어 수 백 nm 크기의 미립자가 만들어 질 수는 있으나 그러한 분쇄 작용에도 한계가 있으므로, 상기 입경 범위 이상인 경우 는 바람직하지 못하다. 또한, 상기 입경 범위 이하인 경우에는 입자들의 응집 성향이 강하여 페이스트 내에서 분산성이 나빠질 수 있으며, 작업성도 좋지 않을 수 있다.
본 발명의 도전성 페이스트에 있어서, 은 공급원과 유기 은 착화합물의 중량비는 은 공급원 100 중량부에 대하여 유기 은 착화합물 10 내지 200 중량부일 수 있다.
유기 은 착화합물의 중량비율이 10 중량부 미만인 경우에는, 은 공급원 대비 유기 은 착화합물의 양이 부족하므로, 은 공급원이 안정된 상으로 분산되기 힘들게 되고, 인쇄성이 나빠지며 불충분한 분산 상태의 페이스트를 가열하는 경우 전도성에도 악영향을 미칠 수 있다. 반면에 유기 은 착화합물의 중량비율이 200 중량부 이상이면 은 공급원 사이의 상호작용이 작아져서 도포시 해상도가 나빠지고 작업성이 떨어지는 문제점이 생길 수 있으며, 가열 처리 후의 도전성 은 막의 두께가 충분히 두껍게 형성되지 못할 수 있다.
한편, 본 발명의 도전성 페이스트에는 은 공급원 및 유기 은 착화합물 이외에 용매가 추가로 더 포함될 수도 있다. 용매는 은을 포함하는 유기 화합물과 유기 리간드를 반응시켜 유기 은 착화합물을 만들 때 첨가된 것이 공정상 충분히 제거되지 못하고 남아 있는 것일 수도 있고, 또한 도전성 페이스트의 도포 작업성, 및 도포대상 기재의 습윤성 향상을 위해서 증점제 첨가시 함께 소량 첨가되는 경우 일 수도 있다. 상기 추가되는 용매는 일반적인 페이스트의 용매로서 당업자에게 알려진 것을 사용할 수 있으며, 그 비제한적인 예로는 α-터피네올, β-터피네올, 부틸 카비톨 아세테이트 등의 고비점 알코올, 알코올 에스테르, 또는 이 들의 혼합물 등이 있으며, 그 첨가량은 페이스트 100 중량부 대비 5 중량부 내지 30 중량부 범위일 수 있다.
상기에서 제조된 유기 은 착화합물을 산화은 분말, 은 분말 및 은 플레이크(flake)로 구성된 군에서 선택된 은 공급원과 혼합하여 도전성 페이스트를 제조시, 혼합 방법은 특별히 제한되지 않으며, 당업자에게 알려진 방법을 이용할 수 있다. 예컨대, 산화 은 미립자와 유기 은 착화합물을 혼합하고, 롤밀(roll-mill)등으로 혼련하여 페이스트 상태로 만들 수 있다. 이 때 혼련과정에서 산화 은 미립자는 더 작은 크기로 분쇄될 수 있으며, 분쇄된 후의 미립자 크기는 작을수록 좋으나, 바람직하게는 500nm 이하일 수 있다. 상기 도전성 페이스트를 스크린 프린팅이나 그라비아(gravure)방식으로 인쇄하여 패턴화할 때, 페이스트 내의 고형분 입자의 최대크기는 메쉬패턴의 1/3 이하일 것이 요구되나, 입자의 크기가 작고 균일할수록 공정에서의 불량을 최소화할 수 있다.
상기 은 공급원은 반드시 산화 은 분말 또는 미립자가 아니더라도, 은 분말 또는 은 플레이크(flake) 등 페이스트 내의 은 함량을 높여 줄 수 있는 것이라면 특별히 제한되지 않고 사용될 수 있다.
본 발명의 도전성 페이스트를 사용하여 기재의 전부 또는 패턴화된 일부에 도전성 막이 형성된 기재는 다음과 같이,
a) 도전성 페이스트를 기재 상의 전부 또는 패턴화된 일부에 도포하는 단계; 및
b) 상기 도포된 기재를 열처리하여 도전성 막 또는 패턴을 형성하는 단계;
를 포함하는 방법에 의하여 제조될 수 있다.
상기 a)단계에서 도포방법은 당업자에게 알려진 방법이면 특별히 제한되지 않으나, 예컨대 스크린 프린팅, 그라비아(gravure) 인쇄 등의 방법을 사용할 수 있다. 페이스트의 도포는 특정한 형상 없이 기재 전면에 페이스트를 막 형태로 도포하는 것일 수도 있고, 마스크 등을 이용하여 특정한 패턴을 기재 상의 일부에 도포하는 것일 수도 있으며, 그러한 패턴은 예컨대 도전 배선 형태일 수 있다.
상기 b)단계에서 페이스트가 도포된 기재는 열처리함으로써, 도전성 막 또는 도전성 패턴을 형성할 수 있다. 상기 열처리 조건은 100℃ ~ 250℃의 온도 범위에서 1분 ~ 30분 범위의 시간 동안 행할 수 있으며, 내열성이 낮은 기재(예컨대, PET필름)를 사용하는 경우에는 100℃ ~ 150℃의 온도 범위에서 1분 ~ 10분 범위의 시간 동안 행할 수도 있다.
상기의 열처리를 통하여 열처리 전에는 미립자 상이었던 산화 은이 가열 및 유기 은 착화합물과의 발열반응에 의하여 자기환원반응을 일으켜 산소가 탈리되고, 금속 은 입자가 형성된다. 동시에 산화 은 입자 사이에 분포해 있던 유기 은 착화합물이 분해, 환원 되어 석출된 은은 상기의 금속 은 입자에 융착되어 연속상의 도전성 막 또는 패턴을 형성하게 된다.
이 때, 가열처리 조건에 따라 막의 물성이 영향을 받을 수 있다. 즉, 가열온도가 높으면 은 입자의 융착 속도가 빨라져 막의 비저항이 낮아지고, 가열시간이 길어지면 은 입자의 융착량이 많아져 역시 막의 비저항이 낮아질 수 있다.
상기 기재의 재료는 본 발명의 도전성 페이스트를 도포하여 형성된 막이 잘 밀착될 수 있고, 상기의 가열처리 조건에서 견딜 수 있는 것이라면 특별히 제한되지 않으며, 당업자에게 알려진 기재를 사용할 수 있다.
예컨대, 금속, 세라믹, 유리, 및 고분자 등의 재질로 된 기재를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 동판, 동박, 유리 등의 내열성 뛰어난 무기재질이나, PET, PEN, Polycarbonate등 내열 온도가 상대적으로 낮은 플라스틱 필름 등을 사용할 수도 있다.
또한, 상기 도전성 페이스트가 기재에 대한 부착력이 좋지 않은 경우에는 상기 기재 표면에 프라이머(primer)처리를 해서 부착력을 높이는 방법을 사용할 수도 있다.
하기에서는 실시예를 통해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명할 것이나, 본 발명은 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
둥근바닥 플라스크에 1당량의 silver(acetate) (Ag(C2O2H3))와 200ml의 메탄올을 넣고 교반하면서 2당량의 ethanolamine을 가하여 반응시킨 후, 약 30?에서 감압증류기로 용매를 증류시키고 diethylether를 이용하여 여분의 메탄올을 제거하여, 점성을 가지는 액상의 Ag(acetate) (ethanolamine)2을 제조하였다.
도3에 상기 제조된 유기 은 착화합물의 TGA 특성 그래프를 나타내었다.
상기 제조된 유기 은 착화합물을 1H-NMR 로 분석한 결과, 4.66 (3H), 3.53~3.48 (4H), 2.76(NH), 1.75 (OH), 1.02 (4H)와 같이 Ag(acetate) (ethanolamine)2 가 합성되었음을 확인할 수 있었다.
[실시예 2]
ethanolamine 대신에 diethanolamine을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Ag(acetate) (diethanolamine)2 을 제조하였으며, 도4에 TGA 특성 그래프를 나타내었다.
[실시예 3]
silver(acetate) (Ag(C2O2H3)) 대신에 silver(propionate) (Ag(C3O2H5))를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Ag(propionate) (ethanolamine)2 을 제조하였다.
[실시예 4]
ethanolamine 대신에 diethanolamine을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 방법으로 Ag(propionate) (diethanolamine)2 을 제조하였다.
[실시예 5]
silver(acetate) (Ag(C2O2H3)) 대신에 silver(hexanoate) (Ag(C6O2H11))를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Ag(hexanoate) (ethanolamine)2 을 제조하였다.
[실시예 6]
silver(acetate) (Ag(C2O2H3)) 대신에 silver(decanoate) (Ag(C10O2H19))를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Ag(decanoate) (ethanolamine)2 을 제조하였다.
[실시예 7]
silver(acetate) (Ag(C2O2H3)) 대신에 silver(palmitate) (Ag(C16O2H31))를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Ag(palmitate) (ethanolamine)2 을 제조하였다.
[비교예 1]
1당량의 silver(acetate) (Ag(C2O2H3))에 대하여 1당량의 ethanolamine을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 Ag(acetate) (ethanolamine)을 제조하였다.
[실시예 8]
실시예 1 로부터 만들어진 상온 액상 형태의 유기 은 착화합물 10g과 산화 은 40g을 혼합하고, 3-roll mill을 이용하여 1시간 동안 분쇄 및 혼합하여 도전성 페이스트를 제조하였다. 상기 페이스트를 PET 필름 위에 도포하고, 130℃, 10분간 소성하여 도전배선이 형성된 기재를 제조하였다. 상기 기재에 대한 전기전도도 측정 결과를 하기의 표 1에 나타내었으며, 도5에 TGA data, 도6에 DSC data, 도 7에 FESEM 사진을 나타내었다.
실시예1에서 제조된 순수한 유기 은 착화합물의 경우 은 함량은 37%정도이나, 실시예 8과 같이 산화 은을 포함하는 페이스트를 제조하는 경우 페이스트의 은 함량을 40 ~ 90 % 까지 조절할 수 있다.
[실시예 9]
실시예 2에서 제조된 유기 은 착화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 8과 동일한 방법으로 페이스트 및 도전 배선 형성된 기재를 제조하였다.
[실시예 10]
실시예 3 에서 제조된 유기 은 착화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 8과 동일한 방법으로 페이스트 및 도전 배선 형성된 기재를 제조하였다.
[실시예 11]
실시예 6 에서 제조된 유기 은 착화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 8과 동일한 방법으로 페이스트 및 도전 배선 형성된 기재를 제조하였다.
[실시예 12]
실시예 7 에서 제조된 유기 은 착화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 8과 동일한 방법으로 페이스트 및 도전 배선 형성된 기재를 제조하였다.
유기 은 착화합물 제조방법 소성후 부착성 패턴인쇄성 전기전도도 (비저항)
실시예 8 좋음 좋음 10 μΩ cm
실시예 9 좋음 좋음 8 μΩ cm
실시예 10 좋음 좋음 9 μΩ cm
실시예 11 좋음 좋음 7 μΩ cm
실시예 12 좋음 좋음 15 μΩ cm
비교예 1 보통 나쁨 120 μΩ cm
상기 표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 상기 실시예 8 내지 12에서 제조된 페이스트는 본 발명에 기재된 유기 은 착화합물을 포함하는 이외에 별도의 용매를 첨가하지 않더라도 스크린 프린팅을 할 수 있다.
도 1은 실시예 1에 기재된 Ag(acetate)(ethanolamine)2 착체 형성 반응의 모식도이다.
도2는 Ag palmitate의 배위고분자 형성에 대한 모식도이다.
도 3 은 실시예 1에서 제조된 Ag(acetate) (ethanolamine)2 의TGA (Thermogravity Analysis) 특성 그래프이다.
도 4 는 실시예 2에서 제조된 Ag(acetate) (diethanolamine)2 의 TGA (Thermogravity Analysis) 특성 그래프이다
도 5 는 실시예 8에서 제조된 도전배선이 형성된 기재의 TGA(Thermogravity Analysis) 특성 그래프이다.
도 6 은 실시예 8에서 제조된 도전배선이 형성된 기재의 DSC(Differential Scanning Calorimetry) 특성 그래프이다.
도 7 은 실시예 8에서 제조된 도전배선이 형성된 기재의 FESEM(Field Emission Scannig Electron Microscopy) 사진이다.

Claims (5)

  1. 아민기(-NH2)와 하이드록시기(-OH)를 포함하는 유기 리간드가 지방족 카르복실산 은(Ag)과 2 : 1의 당량비로 결합하여 착체를 형성한 유기 은 착화합물.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 지방족 카르복실산 은은 탄소수 2 ~ 20인 1급 또는 2급 지방산 은(Ag) 염으로 구성된 군에서 선택된 것이 특징인 유기 은 착화합물.
  3. 제 1항에 있어서, 아민기와 하이드록시기를 포함하는 유기 리간드는 알코올기로 치환된 1차 내지 4차 아민으로 구성된 군에서 선택된 것이 특징인 유기 은 착화합물.
  4. 제 1항에 있어서, 상온에서 액상 형태를 가지는 것이 특징인 유기 은 착화합물.
  5. 제 1항에 있어서, 상온(25℃)에서의 점도가 50 ~ 2000 cPs 범위인 것이 특징인 유기 은 착화합물.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011142558A2 (ko) * 2010-05-10 2011-11-17 주식회사 엘지화학 전도성 금속 잉크 조성물 및 전도성 패턴의 형성 방법
WO2012026791A2 (ko) * 2010-08-27 2012-03-01 주식회사 엘지화학 전도성 금속 잉크 조성물 및 전도성 패턴의 형성방법
KR101221716B1 (ko) * 2009-08-26 2013-01-11 주식회사 엘지화학 전도성 금속 잉크 조성물 및 전도성 패턴의 형성 방법
KR20140003752A (ko) * 2012-06-27 2014-01-10 삼성전자주식회사 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지
US8883046B2 (en) 2009-08-28 2014-11-11 Lg Chem, Ltd. Conductive metal ink composition and method for forming a conductive pattern
US8961835B2 (en) 2009-08-26 2015-02-24 Lg Chem, Ltd. Conductive metal ink composition and method for forming a conductive pattern
US9039940B2 (en) 2011-03-25 2015-05-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste and electronic device, and solar cell including an electrode formed using the conductive paste
KR101536005B1 (ko) * 2007-10-02 2015-07-10 요코하마 고무 가부시키가이샤 전기 전도성 조성물, 전기 전도성 필름의 형성 방법 및 전기 전도성 필름
US9218898B2 (en) 2011-12-09 2015-12-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste
US9947809B2 (en) 2009-11-11 2018-04-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste
US11028302B2 (en) * 2018-01-29 2021-06-08 Panasonic Corporation Cold storage medium

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI401301B (zh) * 2010-10-06 2013-07-11 Univ Nat Cheng Kung 燒結成型之組成物及燒結成型方法
CN105229092B (zh) 2013-05-17 2019-01-04 施托克印制系统集团 包括具有可调节粘度的金属络合物的印刷油墨组合物
US11970627B2 (en) 2020-01-21 2024-04-30 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Formulation for application onto glass, porcelain, tiles, metals and plastic foil

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63293178A (ja) 1987-05-25 1988-11-30 Hakusui Kagaku Kogyo Kk 金属材料の高温酸化防止用金属含有組成物およびその製造法
JP3215322B2 (ja) * 1996-04-03 2001-10-02 キヤノン株式会社 電子放出素子製造用の金属含有水溶液、それを用いた電子放出素子、電子源、表示素子および画像形成装置の製造方法
EP0989205A4 (en) * 1997-04-30 2003-05-28 Takamatsu Res Lab METAL PASTE AND PROCESS FOR PRODUCING A METAL LAYER
KR100587402B1 (ko) 2005-10-11 2006-06-08 일동화학 주식회사 도전선 패턴 형성을 위한 은 오르가노 졸 잉크

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101536005B1 (ko) * 2007-10-02 2015-07-10 요코하마 고무 가부시키가이샤 전기 전도성 조성물, 전기 전도성 필름의 형성 방법 및 전기 전도성 필름
KR101221716B1 (ko) * 2009-08-26 2013-01-11 주식회사 엘지화학 전도성 금속 잉크 조성물 및 전도성 패턴의 형성 방법
US8691118B2 (en) 2009-08-26 2014-04-08 Lg Chem, Ltd. Conductive metal ink composition and method for forming a conductive pattern
US8961835B2 (en) 2009-08-26 2015-02-24 Lg Chem, Ltd. Conductive metal ink composition and method for forming a conductive pattern
US8883046B2 (en) 2009-08-28 2014-11-11 Lg Chem, Ltd. Conductive metal ink composition and method for forming a conductive pattern
US9947809B2 (en) 2009-11-11 2018-04-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste
WO2011142558A2 (ko) * 2010-05-10 2011-11-17 주식회사 엘지화학 전도성 금속 잉크 조성물 및 전도성 패턴의 형성 방법
KR101356810B1 (ko) * 2010-05-10 2014-01-28 주식회사 엘지화학 전도성 금속 잉크 조성물 및 전도성 패턴의 형성 방법
WO2011142558A3 (ko) * 2010-05-10 2012-04-05 주식회사 엘지화학 전도성 금속 잉크 조성물 및 전도성 패턴의 형성 방법
US9449734B2 (en) 2010-08-27 2016-09-20 Lg Chem, Ltd. Conductive metal ink composition, and method for preparing a conductive pattern
KR101302345B1 (ko) * 2010-08-27 2013-08-30 주식회사 엘지화학 전도성 금속 잉크 조성물 및 전도성 패턴의 형성방법
WO2012026791A3 (ko) * 2010-08-27 2012-06-28 주식회사 엘지화학 전도성 금속 잉크 조성물 및 전도성 패턴의 형성방법
WO2012026791A2 (ko) * 2010-08-27 2012-03-01 주식회사 엘지화학 전도성 금속 잉크 조성물 및 전도성 패턴의 형성방법
US9039940B2 (en) 2011-03-25 2015-05-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste and electronic device, and solar cell including an electrode formed using the conductive paste
US9218898B2 (en) 2011-12-09 2015-12-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste
KR20140003752A (ko) * 2012-06-27 2014-01-10 삼성전자주식회사 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지
US10074752B2 (en) 2012-06-27 2018-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste and electronic device and solar cell
US11028302B2 (en) * 2018-01-29 2021-06-08 Panasonic Corporation Cold storage medium

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Publication number Publication date
KR100895192B1 (ko) 2009-04-24
CN101523508A (zh) 2009-09-02
CN101523508B (zh) 2013-03-27

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