KR20080023349A - 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

기판처리장치는 기판을 수용하여 소정의 처리를 하는 처리실과, 그 처리실 내에서 기판을 보지하는 기판보지구와, 그 기판 보지구를 재치시키면서 상기 처리실 내외로 이동 가능한 재치대와, 상기 기판 보지구를 보지하면서 상기 재치대와는 다른 장소로 이동시키는 기판 보지구 이동기구와, 그 기판 보지구 이동기구의 재치부에 상기 보지구가 재치된 상태를 유지하기 위하여 상기 기판 보지구의 수평방향 및 수직방향으로의 이동을 억제하는 기판 보지구 이동 억제기구를 구비하고 있다.
보트, 전도 방지. 이동 억제

Description

기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법{Substrate processing apparatus and manufacturing method for semiconductor devices}
본 발명은, 실리콘 웨이퍼 등의 피처리 기판에 대하여, CVD, 드라이 에칭(dry etching), 스퍼터(sputter) 등 필요한 처리를 하는 기판 처리 장치 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 특히, 보트(boat) 등의 기판 보지구를 반송하는 반송 장치를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
실리콘 웨이퍼(wafer) 등의 기판에 CVD, 드라이 에칭, 스퍼터 등 필요한 처리를 하여 반도체 장치를 제조하는 장치로서 기판 처리 장치가 있다.
기판 처리 장치에는 기판을 한 장씩 처리하는 매엽식(枚葉式) 기판 처리 장치와 소정 매수를 한 번에 처리하는 배치(batch)식 기판 처리 장치가 있다.
반도체 집적회로 장치(이하, IC라고 한다)의 제조 방법에 있어서, 웨이퍼에 확산 처리나 성막 처리를 하는 공정에는, 종형 확산 CVD 장치가 사용되어 있다.
종래의 그러한 종류의 종형 확산 CVD 장치로서, 복수매의 웨이퍼를 보지하는 보트를 이동시키는 보트 이동 기구를 구비하고 있으며, 보트 이동 기구는 보트를 웨이퍼 이재(移載) 위치와 보트 반입 반출로(爐) 위치와 웨이퍼 쿨링(cooling) 위치와의 사이에서 이동하도록 구성되어 있는 것이 있다. (특허 문헌 1 참조).
즉, 이 종형 확산 CVD 장치의 보트 이동 기구는, 단독으로 선회 및 상하로 움직이는 2본의 보트 지지 암(arm)을 구비하고 있으며, 보트 지지 암에 의하여 보트를 지지하여, 웨이퍼 이재 위치의 치대(置臺)와, 보트 반입 반출로 위치와, 웨이퍼 쿨링 위치의 치대와의 사이를 이동시키게 되어 있다.
또한, 예를 들면, 특허 문헌 2에는, 보트를 승강시켜 반응로에 반입 반출하는 보트 엘리베이터, 웨이퍼 이재 위치의 치대 및 웨이퍼 쿨링 위치의 치대에 있어서 보트를 고정하는 보트 록(boat lock) 기구가 개시되어 있다.
그러나, 이 보트 록 기구에 있어서는, 보트가 웨이퍼 이재 위치와 보트 반입 반출로 위치와 웨이퍼 쿨링 위치와의 사이를 이동하고 있는 동안은 보트가 고정되어 있지 않기 때문에, 보트가 넘어지는 것을 방지할 수 없다.
따라서, 예를 들면, 특허 문헌 3에는, 이동 중의 보트가 넘어지는 것을 방지하기 위해, 보트 지지 암의 위에 전도 방지 클램프(clamp)를 설치한 보트 록 기구가 개시되어 있다.
특허 문헌 1: 일본특허공개번호 제2001-338888호 공보
특허 문헌 2: 일본특허공개번호 제2003-258063호 공보
특허 문헌 3: 일본특허공개번호 제2004-71618호 공보
그러나, 특허 문헌 2에 나타난 기판 처리 장치, 특허 문헌 3에 나타난 기판 처리 장치 각각에 보트의 전도 방지에 대해 고려되어 있으나, 보트 교환 장치에 의한 보트 반송 도중, 보트 교환 장치가 보트를 보트 이재 위치에 수수하고 있는 도중의 전도 방지에 대하여는 고려되어 있지 않다.
지진 등은 언제 발생하는지 예측할 수 없고, 기판 처리 장치가 기판 처리 중, 보트 교환 장치에 의한 보트 반송 도중, 보트 교환 장치가 보트를 보트 이재 위치에 수수하고 있는 도중에 지진이 발생한 경우, 보트가 넘어지거나, 또는 손상할 우려가 있다.
또한, 보트 지지 암의 위에 전도 방지 클램프를 설치한 보트 록 기구에 있어서는, 다음과 같은 문제점이 있다.
1) 보트 지지 암 위의 전도 방지 클램프를 보트에 끼어 넣은 높이와, 보트를 잡아 올린 상태의 높이와의 차이로부터 간격이 발생하기 때문에, 이동 중인 보트가 넘어지는 것을 완전히 방지할 수 없다.
2) 보트의 전도 및 횡 방향의 이동이 완전히 구속되어 있지 않으면, 지진 시와 같은 단속적 진동 시에는 보트가 횡 방향으로 이동해 버린다.
3) 보트 지지 암은 한 쪽으로 들어 보트를 지지하기 때문에, 약간 휘게 된다. 특히, 보트의 유무나 보트에 보지되는 웨이퍼 매수의 상위로 인해 휘는 양이 달라져, 일정한 조건에서 수평 레벨을 조정하더라도, 휘는 양의 상위로 인해 수평도에 변화가 발생하기 때문에, 보트가 횡 방향으로 이동하고 만다.
4) 보트 지지 암의 위에서 보지부가 없는 방향(보트가 지지되지 않는 부분)으로 보트가 이동하면, 관성에 의하여 보트가 어긋나 버리기 때문에, 보트 지지 암으로부터 보트가 탈락하고 만다.
5) 상술한 간격은 기계적 정밀도 및 조정 작업의 관점을 고려하면, 작게 한다는 것은 지극히 곤란하다.
상기한 과제를 해결하기 위한 수단 가운데 대표적인 것은, 다음과 같다.
(1) 기판을 수용하여 소정의 처리를 하는 처리실과,
그 처리실 내에서 기판을 보지하는 기판 보지구와,
그 기판 보지구를 재치시키면서 상기 처리실 내외로 이동 가능한 재치대(載置臺)와,
상기 기판 보지구를 보지하면서 상기 재치대와는 다른 장소로 이동시키는 기판 보지구 이동 기구와,
그 기판 보지구 이동 기구의 재치부에 상기 기판 보지구가 재치된 상태를 유지하기 위하여 상기 기판 보지구의 수평 방향 및 수직 방향으로의 이동을 억제하는 기판 보지구 이동 억제 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
상기 수단에 의하면, 기판 보지구 이동 기구의 재치부에 기판 보지구가 재치된 상태를 유지하기 위하여 기판 보지구 이동 억제 기구에 의하여 기판 보지구의 수평 방향 및 수직 방향으로의 이동을 억제함으로써, 기판 보지구 이동 기구에 의한 기판 보지구의 이동 중에, 기판 보지구가 수평 방향 및 수직 방향으로 이동하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 기판 보지구가 넘어지는 것을 확실히 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명이 실시되는 기판 처리 장치의 개략을 나타내는 사시도.
도 2는 본 발명이 실시되는 기판 처리 장치의 개략을 나타내는 평면도.
도 3은 상기 기판 처리 장치에 사용되는 처리로의 한 예를 나타내는 단면도.
도 4는 상기 기판 처리 장치에 있어서 보트 재치부에서의 보트 전도 방지 기구를 나타내는 단면도.
도 5는 상기 보트 전도 방지 기구에 사용되는 록 플레이트(lock plate)의 평면도.
도 6은 (A)(B)(C)는, 상기 보트 전도 방지 기구에 있어서 록 부분의 연계, 해제 동작의 설명도.
도 7은 (A)(B)(C)는, 상기 보트 전도 방지 기구의 연계, 해제 동작의 설명도.
도 8은 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 사용되는 보트 치대의 한 예를 나타내는 사시도.
도 9는 상기 보트 치대의 측단면도.
도 10은 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 사용되는 보트 교환 장치의 한 예를 나타내는 사시도.
도 11은 상기 보트 교환 장치에 있어서 보트 재치부의 사시도.
도 12는 상기 보트 교환 장치에 있어서 보트 전도 방지 기구를 나타내는 도 11의 A-A 시시도(矢視圖).
도 13은 수직 철부(凸部)와 수평 핀과의 치수 관계를 설명하기 위한 것으로서, (A)는 평면 단면도, (B)는 측면 단면도, (C)는 모식도.
도 14는 수직 철부와 수평 핀과의 원주방향의 위상이 어긋난 경우의 치수 관 계를 설명하기 위한 것으로서, (A)는 평면 단면도, (B)는 모식도.
도 15는 (A)(B)(C)는, 상기 보트 전도 방지 기구의 연계 및 해제 동작의 설명도.
도 16은 본 발명의 다른 실시 형태인 종형 확산 CVD 장치에 있어서 보트 전도 방지 기구를 나타내는 사시도.
도 17은 보트 전도 방지 기구를 직동식인 보트 교환 장치에 설치한 경우의 실시 형태를 나타내는 사시도.
도 18은 보트 전도 방지 기구를 스칼라(scalar)형 로봇에 설치한 경우의 실시 형태를 나타내는 사시도.
<부호의 설명>
1 : 광체(筐體) 7 : 보트 엘리베이터
8 : 승강 암 9 : 실 캡(seal cap)
10 : 웨이퍼(기판) 11 : 처리로
12 : 보트 재치부 13 : 보트(기판 보지구)
14 : 보트 교환 장치(기판 보지구 이동 기구)
15 : 기판 이재기 17 : 좌측 보트 지지 암
18 : 우측 보트 지지 암 19 : 보트 치대
20 : 보트 치대 21 : 히터(heater)
23 : 반응관 26 : 처리실
42 : 보트 회전 기구 44 : 보트 재치반
45 : 구동 제어부 49 : 전도 방지 제어부
50 : 보트 교환 제어부 51 : 주제어부
59 : 보트저판 62 : 록 구멍(lock hole)
66 : 보트 록(boat lock) 축 68 : 록 플레이트(lock plate)
73 : 록 로드(lock rod)
74 : 록 액튜에이터(lock actuator)
76 : 열쇠 구멍
77 : 보트 전도 방지 기구(기판 보지구 이동 억제 기구)
82 : 보트 수좌(受座) 83 : 록 샤프트(lock shaft)
84 : 록 플레이트(lock plate))
85 : 로터리 액튜에이터(rotary actuator)
86 : 보트 전도 방지 기구
88 : 가이드 샤프트(guide shaft)
91 : 스크류 샤프트(스크류 shaft)
93 : 우측 승강 모터 97 : 우측 보트 재치부
98 : 보트 전도 방지 기구 99 : 좌측 승강 모터
100 : 스크류 샤프트 103 : 좌측 보트 재치부
106 : 단차부 107 : 수직 핀(재치면 철부)
109 : 리니어 액튜에이터(철부 이동 기구)
112 : 수평 핀(측면 철부) 115 : 수직 요부(하면 요부)
116 : 수평 요부(측면 요부) 120 : 보트 누름 장치
이하, 도면을 참조하면서 본 발명을 실시하기 위한 최선의 형태를 설명한다.
먼저, 도 1, 도 2에 있어서, 본 발명이 실시되는 기판 처리 장치의 개략에 대해 설명한다.
광체(1)의 전면에는 카세트 스테이지(2)가 설치되어 있다. 카세트 스테이지(2)는 외부 반송 장치(도시하지 않음)와의 사이에서 기판 반송 용기(이하, 카세트라 함. 본 실시 형태에서는 밀폐식의 카세트가 사용되어 있다)의 수수를 하도록 구성되어 있다. 상기 카세트 스테이지(2)는 셔터(3)를 개재하여 상기 광체(1)의 내부와 연통(連通)하고 있다.
상기 광체(1)의 내부 전방에는 카세트 오프너(4)가 상기 카세트 스테이지(2)와 대향하도록 설치되어 있다. 상기 카세트 오프너(4)의 상방에는 카세트 스토커(cassette stocker)(5)가 설치되어 있다. 상기 카세트 스토커(5) 및 상기 카세트 오프너(4)와 상기 카세트 스테이지(2)와의 사이에는, 카세트 반송 수단인 카세트 로더(cassette loader)(6)가 설치되어 있다.
상기 광체(1)의 내부 후방 편측(片側)에는 보트 이동 기구인 보트 엘리베이터(7)이 설치되어 있고, 상기 보트 엘리베이터(7)로부터 수평으로 뻗는 승강 암(8)에는 씰 캡(9)이 설치되어 있다. 상기 씰 캡(9)은, 처리실, 가열 기구를 갖는 처리로(11)의 노구(爐口)를 폐색하도록 구성되어 있다.
상기 씰 캡(9)에는 보트 재치부(12)(후술, 도 4 참조)가 설치되어 있고, 상 기 보트 재치부(12)에는 피 처리 기판(이하, 웨이퍼라고 한다)(10)을 수평 자세로 다단으로 보지하는 보트(기판 보지구)(13)가 재치되어 있다.
상기 보트 재치부(12)는 재치대로서의 보트 재치반(44)(후술)을 갖는다. 상기 보트 재치부(12)는 상기 보트 재치반(44)을 개재하여 상기 보트(13)를 회전할 수 있도록 구성되어 있다.
상기 광체(1)의 내부 후방 다른 쪽에는 보트 교환 장치(14)가 상기 보트 엘리베이터(7)에 대향하여 설치되어 있다. 상기 보트 교환 장치(14) 및 상기 보트 엘리베이터(7)와 상기 카세트 오프너(4)와의 사이에는, 기판 이재기(15)가 설치되어 있다.
상기 카세트 스테이지(2)는 도시하지 않는 외부 반송 장치와의 사이에서 카세트(16)을 수수함과 동시에, 상기 카세트 로더(6)와의 사이에서 상기 카세트(16)의 수수를 한다.
상기 카세트 로더(6)는 횡행(橫行), 승강, 진퇴 가능하고, 상기 카세트 스테이지(2)의 카세트(16)를 상기 카세트 오프너(4) 및 상기 카세트 스토커(5)에 이재한다.
상기 카세트 오프너(4)는 상기 카세트(16)의 뚜껑을 개폐한다.
상기 기판 이재기(15)는 승강, 진퇴, 회전 가능하고, 상기 카세트 오프너(4) 상의 카세트(16)와 보트(13)와의 사이에 상기 웨이퍼(10)의 이재를 한다.
상기 보트 교환 장치(14)는 2본의 좌측 보트 지지 암(17), 우측 보트 지지 암(18)을 갖는다. 상기 좌측 보트 지지 암(17)과 우측 보트 지지 암(18)은 독립적 으로 회전 가능하며 또한 승강 가능하게 되어 있고, 웨이퍼 이재 위치(A), 보트 수수 위치(B), 웨이퍼 쿨링 위치(C) 사이에서 상기 보트(13)를 이동하도록 되어 있다.
상기 웨이퍼 이재 위치(A) 및 상기 웨이퍼 쿨링 위치(C)에는 보트 치대(19) 및 보트 치대(20)가 설치되고, 각각에 상기 보트(13)가 재치되어 있다.
상기 보트 재치부(12)는 상기 보트 수수 위치(B)에 있어서 미처리 웨이퍼(10)를 보지한 보트(13)를 상기 보트 교환 장치(14)로부터 수취한다. 상기 보트(13)는 상기 처리로(11)의 처리실에 상기 보트 엘리베이터(7)에 의하여 반입된다.
상기 처리로(11)에서는 상기 웨이퍼(10)가 가열되고, 필요한 처리 가스가 처리실에 도입되어 기판이 처리된다.
또한, 성막의 균일성을 향상시키기 위해서, 상기 보트(13)는 웨이퍼를 처리하는 동안 회전된다.
처리가 완료하면, 상기 보트 엘리베이터(7)는 상기 처리로(11)로부터 상기 보트(13)를 상기 보트 수수 위치(B)로 반출하고, 상기 보트(13)를 상기 보트 교환 장치(14)에 넘긴다.
처리 완료된 웨이퍼(10)를 보지하는 보트(13)는 상기 웨이퍼 쿨링 위치(C)로 이동되고, 상기 보트 치대(20)에 재치되고, 소정의 온도가 되기까지 냉각된다.
그 동안, 미처리 웨이퍼(10)를 보지하는 보트(13)가 상기 웨이퍼 이재 위치(A)로부터 상기 보트 수수 위치(B)로 이동되고, 상기 보트 재치부(12)에 넘겨지 고, 상기 보트 엘리베이터(7)에 의하여 상기 처리로(11)에 반입된다.
상기 웨이퍼 쿨링 위치(C)에 있어서 처리 완료된 웨이퍼(10)가 소정의 온도까지 냉각되면, 상기 보트 교환 장치(14)는 처리 완료된 웨이퍼(10)를 보지하는 보트(13)를 상기 웨이퍼 이재 위치(A)까지 이동시키고, 상기 보트 치대(19)에 올려놓는다.
상기 기판 이재기(15)는 상기 웨이퍼 이재 위치(A)에 있는 보트(13)로부터 처리 완료된 웨이퍼(10)를 상기 카세트 오프너(4) 상의 카세트(16)로 이재한다.
처리 완료된 웨이퍼(10)가 상기 카세트(16)에 장전되면, 상기 카세트(16)는 상기 카세트 로더(6)에 의하여 상기 카세트 스테이지(2)로 반송되고, 외부 반송 장치에 의하여 반출된다.
미처리 웨이퍼(10)가 장전된 카세트(16)가, 상기 카세트 오프너(4)에 상기 카세트 로더(6)에 의하여 이재되면, 상기 기판 이재기(15)는 상기 카세트(16)로부터 미처리 웨이퍼(10)를 상기 웨이퍼 이재 위치(A)에 있는 빈 보트(13)로 이재한다.
그리고, 상기 웨이퍼(10)의 처리가 반복 실행된다.
다음에, 상기 처리로(11)에 대해 도 3을 참조해 설명한다.
상기 처리로(11)는 가열 기구로서 히터(21)를 갖는다.
상기 히터(21)는 원통 형상이며, 히터 베이스(22)에 수직으로 설치되어 있다.
상기 히터(21)의 내부에는, 상기 히터(21)와 동심으로 반응관(23)이 배설되 어 있다.
상기 반응관(23)은 내부 반응관(24)과, 그 외측에 동심으로 설치된 외부 반응관(25)으로 구성되어 있다.
상기 내부 반응관(24)은, 예를 들면 석영(SiO2) 또는 탄화 실리콘(SiC) 등의 내열성 재료로 되며, 상단 및 하단이 개구(開口)한 원통 형상으로 되어 있다.
상기 내부 반응관(24)은 처리실(26)을 형성하고, 상기 처리실(26)은 웨이퍼(10)가 장전된 보트(13)를 수납할 수 있도록 되어 있다.
상기 외부 반응관(25)은, 예를 들면 석영 또는 탄화 실리콘 등의 내열성 재료로 되고, 하단이 개구하고 상단이 폐색된 원통 형상을 하고 있다. 상기 외부 반응관(25)은 상기 내부 반응관(24)과의 사이에 원통상의 공간(27)을 형성한다.
상기 히터 베이스(22)에는 매니폴드(28)가 지지되어 있다(지지 구조는 도시하지 않는다). 상기 외부 반응관(25)은 매니폴드(28)에 기밀하게 설치되어 있다.
상기 매니폴드(28)는, 예를 들면 스테인리스 등으로 형성되어 있다. 상기 매니폴드(28) 안의 원통면에는 내측 플랜지(29)가 형성되고, 상기 내측 플랜지(29)에는 상기 내부 반응관(24)이 세워져 있다.
씰 캡(9)에는 가스 도입부로서의 노즐(32)이 상기 처리실(26) 내에 통하도록 접속되어 있고, 상기 노즐(32)에는 가스 공급관(33)이 접속되어 있다.
상기 가스 공급관(33)의 상류측에는, 가스 유량 제어기로서의 MFC(mass flow Controller)(34)를 개재하여 도시하지 않는 처리 가스 공급원이나 불활성 가스 공 급원이 접속되어 있다.
상기 MFC(34)에는 가스 유량 제어부(35)가 전기적으로 접속되어 있다. 공급하는 가스의 유량이 원하는 양이 되도록, 가스 공급 타이밍이 원하는 시기가 되도록, 상기 MFC(34)가 상기 가스 유량 제어부(35)에 의하여 제어된다.
상기 매니폴드(28)에는 상기 처리실(26)의 분위기를 배기하는 배기관(36)이 설치되어 있다. 상기 배기관(36)은 상기 공간(27)의 하단부로 연통하도록 상기 매니폴드(28)에 설치되어 있다.
상기 배기관(36)에는 압력 검출기로서의 압력 센서(37)가 설치되어 있다. 상기 배기관(36)은 압력 제어 밸브 등의 압력 조정 장치(38)를 개재하여 진공 펌프 등의 진공 배기 장치(39)에 접속되어 있고, 상기 처리실(26)의 압력이 소정의 압력(진공도)이 되도록, 진공 배기할 수 있도록 구성되어 있다.
상기 압력 센서(37) 및 상기 압력 조정 장치(38)에는 압력 제어부(41)가 전기적으로 접속되어 있다. 상기 압력 제어부(41)는 상기 압력 센서(37)에 의하여 검출된 압력을 바탕으로 상기 압력 조정 장치(38)를 원하는 타이밍에 제어하도록 구성되어 있다. 압력 조정 장치(38)는 압력 제어부(41)에 의하여 제어됨으로써, 상기 처리실(26)의 압력을 원하는 타이밍에 원하는 압력이 되도록 조정한다.
상기 매니폴드(28)의 하단 개구는 노구부를 구성한다. 상기 매니폴드(28)의 하방에는 노구 개체로서 상기 씰 캡(9)이 설치되어 있다.
상기 씰 캡(9)은 상기 매니폴드(28)의 하단면에 수직 방향 하측으로부터 접하고, 상기 노구부를 기밀하게 폐색할 수 있도록 되어 있다. 상기 씰 캡(9)은, 예 를 들면 스테인리스 등 금속에 의하여 원반상으로 형성되어 있다.
상기 씰 캡(9)에는 보트를 회전시키는 보트 회전 기구(42)가, 상기 씰 캡(9)과 동심으로 설치되어 있다.
상기 보트 회전 기구(42)의 보트 회전축(43)은 상기 씰 캡(9)을 관통하여, 상기 보트 재치반(44)에 연결되어 있고, 상기 보트 재치반(44)에는 상기 보트(13)가 재치되게 되어 있다. 상기 보트 회전 기구(42)는 상기 보트 회전축(43) 및 상기 보트 재치반(44)을 개재시켜 상기 보트(13)를 회전시킨다.
상기 씰 캡(9)은 상기 승강 암(8)(도 1 참조)에 지지되고, 상기 승강 암(8)을 개재하여 상기 보트 엘리베이터(7)에 의하여 승강된다. 상기 보트(13)는 상기 처리실(26)에 상기 보트 엘리베이터(7)에 의하여 반입 반출되게 되어 있다.
상기 보트 엘리베이터(7) 및 상기 보트 회전 기구(42)에는, 구동 제어부(45)가 전기적으로 접속되어 있다. 상기 구동 제어부(45)는 상기 보트 회전 기구(42) 및 상기 보트 엘리베이터(7)를 원하는 타이밍에 원하는 동작을 하도록 제어한다.
상기 보트(13)는 예를 들면 석영이나 탄화규소 등 내열성 재료에 의하여 형성되어 있고, 상기한 것과 같이 소정 매수의 웨이퍼(10)를 수평 자세에서 다단으로 보지하도록 구성되어 있다.
또한, 상기 보트(13)의 하부에는, 예를 들면 석영이나 탄화규소 등의 내열성 재료로 되는 원판 형상을 한 단열 부재로서의 단열판(46)이 수평 자세로 다단으로 복수매 배치되어 있다. 상기 단열판(46)에 의하여, 상기 처리실(26)로부터의 열은 상기 매니폴드(28) 측에 쉽게 전해지기 어렵게 되어 있다.
상기 반응관(23) 내에는 온도 센서(47)가 설치되어 있다. 상기 히터(21)와 상기 온도 센서(47)에는, 온도 제어부(48)가 전기적으로 접속되어 있다.
상기 온도 센서(47)에 의하여 검출된 온도 정보를 바탕으로 상기 처리실(26)의 온도가 원하는 온도 분포가 되도록, 상기 온도 제어부(48)는 상기 히터(21)의 가열 상태를 제어한다.
상기 가스 유량 제어부(35), 상기 압력 제어부(41), 상기 구동 제어부(45), 상기 온도 제어부(48) 및 후술 하는 전도 방지 제어부(49), 상기 보트 교환 장치(14)를 제어하는 보트 교환 제어부(50) 등은 주제어부(51)를 구성하고, 상기 주제어부(51)는 기판 처리 장치 전체를 총괄하여 제어한다.
상기 전도 방지 제어부(49) 및 상기 보트 교환 제어부(50)는 상기 구동 제어부(45) 내에 일체적으로 설치해도 된다.
다음에, 도 4~도 7에 의하여, 상기 보트 회전 기구(42)에 대하여 설명한다.
상기 씰 캡(9)의 하면에는 모터 홀더(54)가 고착되어 있고, 상기 모터 홀더(54)의 하면에는 감속기(55)가 설치되어 있다. 상기 감속기(55)와 상기 모터 홀더(54)를 관통하는 중공의 외측 회전축(56)은, 베어링(57)에 의하여 회전 자재하게 지지되어 있다. 상기 외측 회전축(56)과 일체로 설치된 상기 보트 회전축(43)은 상기 씰 캡(9)을 기밀하게 관통하고 있다. 상기 보트 회전축(43)의 상단에는 상기 보트 재치반(44)이 고착되어 있다.
상기 보트 재치반(44)의 상면에는 테이퍼(taper) 구(溝)(58)가 방사상의 3 방향으로 형성되어 있다.
보트 저판(59)의 하면의 원주 3등분한 위치에는, 위치 결정 핀(61)이 돌출하도록 설치되어 있다. 상기 위치 결정 핀(61)과 상기 테이퍼 구(58)는 감합(嵌合)함으로써, 상기 보트 재치반(44)에 대한 보트(13)의 위치 결정을 하게 되어 있다.
또한, 상기 보트(13)의 저판(59)의 저면에는 록 구멍(62)이 후술하는 바와 같이 설치되어 있다.
상기 외측 회전축(56)의 상기 베어링(57), (57) 사이에 웜 휠(worm wheel)(63)이 끼어져 고정되어 있고, 상기 웜 휠(63)에는 웜(64)이 물려 있다. 상기 웜(64)은 보트 회전 모터(도시하지 않음)의 출력축(65)에 고정되어 있다.
상기 보트 회전 기구(42)는 상기 외측 회전축(56)의 회전 위치를 검출하는 회전 검출기(도시하지 않음)를 갖는다. 상기 회전 검출기는 상기 외측 회전축(56)의 상기 씰 캡(9)에 대한 회전 위치를 검출하게 되어 있다. 또한, 상기 회전 검출기는 상기 외측 회전축(56) 즉 상기 보트 재치반(44)의 기준 위치를 검출하게 되어 있다.
상기 외측 회전축(56) 및 상기 보트 회전축(43)의 내부에는, 보트 록 축(66)이 동심으로 배치되어 있고, 보트 록 축(66)은 베어링(67)에 의하여 회전 자재하게 지지되어 있다. 또한, 상기 보트 록 축(66)은 기밀하게 씰(seal) 되어 있다.
상기 보트 록 축(66)은 상기 보트 재치반(44)로부터 돌출하고 있으며, 상기 돌출단에는 록 부재로서 도 5로 나타낸 바와 같은 직사각형인 록 프레이트(lock plate)(68)가 고착되어 있다.
상기 보트 록 축(66)의 하단부는 반원주상으로 일부가 절제되고, 평탄면(69) 이 형성되어 있다. 상기 평탄면(69)은 상기 감속기(55)의 하면보다 하방으로 돌출되어 있다.
상기 보트 록 축(66)의 하단부에는 나사 코일 스프링인 록 스프링(lock spring)(71)이 배치되어 있다. 상기 록 스프링(71)의 일단은 중심 측으로 절곡(折曲)되어, 상기 평탄면(69)에 걸려 있다. 상기 록 스프링(71)의 타단은 접선 방향으로 뻗어 나와, 상기 외측 회전축(56)에 걸려 있다.
특히 도시하고 있지 않으나, 상기 보트 록 축(66)과 상기 외측 회전축(56)과의 사이에는, 기계적인 스토퍼(stopper)가 설치되어 있다. 상기 록 스프링(71)에는 상기 보트 록 축(66)과 상기 외측 회전축(56)을 확실히 맞닿도록 하기 위해 초기 휘어짐이 부여된다.
상기 감속기(55)의 하면에는 슬라이드 베어링(72)을 개재하여 록 로드(73)가, 상기 보트 록 축(66)의 축심에 직교하는 방향으로 이동 가능하도록 설치되어 있다. 상기 록 로드(73)의 선단은 상기 평탄면(69)에 맞닿을 수 있도록 되어 있으며, 상기 록 로드(73)의 기단(基端)은 실린더나 솔레노이드 등의 리니어 액튜에이터인 록 액튜에이터(74)에 연결되어 있다.
그리고, 상기 록 로드(73)가 상기 록 액튜에이터(74)에 의하여 진퇴 됨으로써, 상기 록 로드(73)의 선단이 상기 평탄면(69)에 접하거나 떨어지거나 하도록 되어 있다. 상기 록 로드(73)가 상기 평탄면(69)에 접한 상태에서는, 상기 보트 록 축(66)의 회전이 구속된다.
상기 록 플레이트(68), 상기 보트 록 축(66), 상기 록 스프링(71), 상기 록 로드(73) 및 상기 록 액튜에이터(74) 등은, 기판 보지구 이동 억제 기구로서의 보트 전도 방지 기구(77)를 구성하고 있다.
한편, 상기 보트 록 축(66)의 회전을 구속하는 방법으로서는, 상기 보트 록 축(66)의 하단에 수평 방향으로 뻗은 핀을 설치함과 동시에, 상기 핀의 회전면에 대하여 출입하는 부재를 설치해도 무방하다.
상기 보트 저판(59)에는 상기 록 구멍(62)이 형성되어 있고, 상기 록 구멍(62)은 상기 록 플레이트(68)와 연계 가능 및 해제 가능하게 구성되어 있다.
상기 록 구멍(62)은 도 6(A)에 나타내는 바와 같이, 상기 보트 저판(59) 내부에 원판상의 대혈(袋穴)(75)이 형성되고, 상기 대혈(75)은 열쇠 구멍(76)에 의하여 개구 되어있다.
도 6(B)에 나타내는 바와 같이, 상기 열쇠 구멍(76)은 상기 대혈(75)과 동일한 반경의 2개의 원호와 서로 대향하는 평행한 2개의 직선으로 형성된 직사각형 형상으로 되어 있다. 상기 열쇠 구멍(76)과 상기 록 플레이트(68)는 비슷한 형상으로 되어 있다.
그리고, 상기 록 플레이트(68)가 상기 열쇠 구멍(76)을 통해 상기 대혈(75)에 삽입되고[도 6(A), 도 6(B) 참조], 상기 보트 저판(59)에 대하여 상기 보트 록 축(66)이 소요 각도(도시에서는 90°) 상대회전[도 6(C) 참조]됨으로써, 상기 록 플레이트(68)가 상기 열쇠 구멍(76)과 연계한다. 이 연계로 인하여, 상기 보트 재치반(44)과 상기 보트 저판(59)이 이반하지 않도록 록(lock), 즉 상기 보트(13)가 전도하지 않도록 잠겨진다.
상술한 바와 같이, 상기 테이퍼 구(58)와 상기 위치 결정 핀(61)의 감합에 의하여, 상기 보트 재치반(44)에 대한 보트(13)의 회전 방향의 위치는 결정된다.
또한, 상기 록 로드(73)가 상기 평탄면(69)에 접하지 않은 상태에서는, 상기 보트 록 축(66)은 상기 록 스프링(71)의 초기 스프링힘과, 상기 보트 록 축(66)과 상기 외측 회전축(56)과의 사이 스토퍼(stopper)에 의하여, 상기 보트 록 축(66)과 상기 보트 재치반(44)의 회전 방향의 위치가 결정된다.
그리고, 상기 보트 재치반(44)에 놓인 상기 보트(13)의 상기 보트 저판(59)의 상기 열쇠 구멍(76)의 방향과 상기 록 플레이트(68)의 방향은, 상기 보트 록 축(66)과 상기 록 로드(73)가 연계하지 않은 상태에서는, 90° 방향이 다르게 되어 있다[도 6(A)과 도 6(B) 참조].
도 7(A), 도 7(B), 도 7(C)에 의하여, 상기 보트 재치반(44)에 의한 보트의 잠금 및 이 해제에 대해 설명한다.
먼저, 상기 보트 재치반(44)에 상기 보트(13)를 재치하는 경우를 설명한다.
재치 준비로서, 상기 록 액튜에이터(74)를 구동시키고, 상기 록 로드(73)를 돌출시켜 상기 평탄면(69)에 맞닿도록 한다. 상기 록 로드(73)는 상기 평탄면(69)에 맞닿음으로써, 상기 보트 록 축(66)의 회전을 잠근다.
상기 보트 록 축(66)의 회전이 잠겨진 상태에서, 상기 보트 회전 모터(도시하지 않음)가 구동되고, 상기 웜(64), 상기 웜 휠(63), 상기 외측 회전축(56) 및 상기 보트 회전축(43)을 개재하여, 상기 보트 재치반(44)이 상기 록 플레이트(68)에 대하여 90° 상대회전된다. 회전 방향은 상기 록 스프링(71)을 더욱 비트는 방 향이다.
상기 보트 재치반(44)에 대하여 일의적으로 상기 보트(13)의 위치 및 방향이 결정된다. 이 때 상기 보트(13)의 상기 보트 저판(59)의 상기 열쇠 구멍(76)의 방향은, 상기 록 플레이트(68)의 방향과 합치하고 있다[도 7(A) 참조].
상기 보트(13)를 상기 보트 재치반(44)에 재치한다. 상기 록 플레이트(68)가 상기 열쇠 구멍(76)을 통해 상기 대혈(75)에 삽입된다[도 7(B) 참조].
상기 보트 회전 모터(도시하지 않음)가 상기 회전 방향과는 역방향으로 구동된다.
상기 보트 록 축(66)은 상기 록 로드(73)에 의하여 계속 회전이 구속되어 있고, 상기 보트 재치반(44)이 상기 록 플레이트(68)에 대하여 90° 역방향으로 상대회전된다. 회전 방향은 상기 록 스프링(71)을 복원시키는 방향이다.
상기 보트 재치반(44)이 90° 역방향으로 회전되면, 상기 록 액튜에이터(74)에 의하여 상기 록 로드(73)가 후퇴 된다. 상기 보트 록 축(66)은 스토퍼(도시하지 않음)로 회전 방향의 위치가 결정된다.
이 상태에서는, 상술한 바와 같이 상기 록 플레이트(68)와 상기 열쇠 구멍(76)과는 90° 방향이 다르고, 상기 열쇠 구멍(76)에 상기 록 플레이트(68)가 연계한 상태 즉 상기 보트(13)가 잠겨진 상태가 된다[도 7(C) 참조].
상기 록 로드(73)에 의한 상기 보트 록 축(66)의 록이 해제된 상태에서는, 상기 보트 록 축(66)과 상기 보트 저판(59)은 상기 록 스프링(71)을 개재하여 일체화된 상태이다. 상기 보트 회전 모터(도시하지 않음)에 의하여 상기 보트 저판(59) 을 회전함으로써, 상기 보트(13)는 록 상태가 유지되어 회전한다.
따라서, 상기 보트 교환 장치(14)에 의한 다른 보트의 반송 중, 웨이퍼의 교환 동작 중, 상기 보트(13)를 상기 반응로(11) 내에 반입한 후의 웨이퍼 처리 중에 있어서 상기 보트(13)의 회전 중의 어느 경우에 있어서나, 상기 보트 재치부(12) 상의 상기 보트(13)는 잠긴 상태가 유지되어 있다.
상기 보트 재치반(44)에 있어서 잠김 해제의 작동은, 상술한 잠김 작동의 역 작동에 의하여 수행된다.
상기 록 플레이트(68)를 상기 보트 재치반(44)에 대하여 상대적으로 복귀시키려면, 상기 록 로드(73)를 후퇴시킴으로써, 상기 록 스프링(71)의 복원력에 의하여 상기 보트 록 축(66)을 역방향으로 회전시킴으로써도 가능하다.
그러나, 상기 보트 록 축(66)의 급격한 회전 및 정지는 발진(發塵)을 유발할 가능성이 있기 때문에, 상술한 바와 같이, 보트 회전 모터에 의하여 서서히 되돌리는 것이 바람직하다.
도 8 및 도 9에 의하여 상기 보트 치대(19)에 대해 설명한다.
한편, 상기 보트 치대(20)는 상기 보트 치대(19)와 동일한 구조이다.
상기 광체(1)에 설치되는 베이스(78)에는 좌판(座板)(79)이 고정되어 있다. 상기 좌판(79)에는 지주(81)가 세워져 있고, 지주(81) 상에는 보트 수좌(82)가 설치되어 있다.
상기 보트 수좌(82)의 상면에는 3본의 테이퍼 구(80)가 방사상으로 형성되어 있고, 상기 테이퍼 구(80)는 상기 보트(13)의 상기 위치 결정 핀(61)과 감합되도록 되어 있다.
상기 보트 수좌(82)의 중심선 상에는 록 샤프트(83)가 설치되어 있고, 상기 록 샤프트(83)가 돌출한 상단에는 상기 록 플레이트(68)와 같은 형상의 록 플레이트(84)가 고착되어 있다.
상기 록 샤프트(83)의 하단은, 예를 들면 회전 실린더나 모터나 로터리 솔레노이드 등의 로터리 액튜에이터(85)에 연결되어 있다. 상기 로터리 액튜에이터(85)에 의하여 상기 록 샤프트(83)를 개재하여 상기 록 플레이트(84)가 90° 회전하도록 되어 있다.
상기 보트 수좌(82)에 상기 보트(13)가 재치된다.
상기 보트 수좌(82)에 대한 상기 보트(13)의 자세는, 상기 테이퍼 구(80)와 위치 결정 핀(61)과 감합에 의하여 결정된다. 이 상태에서의 상기 열쇠 구멍(76)의 방향과 상기 록 플레이트(84)의 방향은 일치하도록 해 둔다. 따라서, 상기 록 플레이트(84)는 상기 열쇠 구멍(76)을 통해 상기 대혈(75)에 삽입된다.
상기 보트 수좌(82)에 상기 보트(13)가 재치된 후, 상기 로터리 액튜에이터(85)의 구동에 의하여, 상기 록 플레이트(84)가 90° 회전된다. 이것에 의해, 상기 보트(13)가 상기 보트 수좌(82)에 잠겨지게 되므로, 상기 보트(13)의 전도가 방지된 상태로 된다.
상기 로터리 액튜에이터(85), 상기 록 샤프트(83), 상기 록 플레이트(84) 등은, 기판 보지구 이동 억제 기구로서의 보트 전도 방지 기구(86)를 구성하고 있다.
그리고, 상기 보트(13)는 상기 보트 엘리베이터(7)에 보지된 상태, 상기 보 트 치대(19) 및 상기 보트 치대(20)에 보지된 상태 중 어느 상태에서도 잠기게 되어, 전도 방지가 이루어진 상태로 된다.
한편, 상기 보트(13)의 록은 상기 보트 엘리베이터(7)에 보지된 상태, 또는 상기 보트 치대(19) 및 상기 보트 치대(20)에 보지된 상태 중 어느 한쪽에 대하여 실행하도록 해도 무방하다.
다음에, 도 10~도 13에 의하여 상기 보트 교환 장치(14) 및 상기 보트 교환 장치(14)에 있어서 보트 전도 방지 기구(98)에 대해 설명한다.
상기 광체(1)의 베이스(도시하지 않음)에는 입단면(立斷面)이 ‘ㄷ’자 모양의 프레임(87)이 설치되어 있다. 상기 프레임(87)에는 가이드 샤프트(88)가 상하에 걸고 걸쳐 수직으로 설치되어 있고, 상기 가이드 샤프트(88)에는 우측 승강 블록(89) 및 좌측 승강 블록(90)이 작동 가능하게 설치되어 있다.
상기 우측 승강 블록(89)에는 스크류 샤프트(스크류 shaft)(91)가 나사 결합되어 있고, 상기 스크류 샤프트(91)는 상기 가이드 샤프트(88)와 평행으로 설치되어 있다. 상기 스크류 샤프트(91)의 하단은 상기 프레임(87)에 고착된 베어링 부재(92)에 지지되어 있다. 상기 베어링 부재(92)에는 우측 승강 모터(93)가 설치되어 있고, 상기 우측 승강 모터(93)에 의하여 상기 스크류 샤프트(91)가 회전되도록 되어 있다.
상기 우측 승강 블록(89)의 앞면에는 ‘L’자형상의 브래킷(bracket)(94)이 고착되고, 상기 브래킷(94)에는 로터리 실린더 등의 로터리 액튜에이터(95)가 설치되어 있다. 상기 로터리 액튜에이터(95)의 회전축(96)에는 상기 우측 보트 지지 암(18)이 고착되어 있다. 상기 우측 보트 지지 암(18)은 상기 우측 승강 모터(93)에 의하여 승강되도록 되어 있고, 상기 로터리 액튜에이터(95)에 의하여 회전되도록 되어 있다.
상기 우측 보트 지지 암(18)의 선단부는, 우측 보트 재치부(97)로 되어 있고, 상기 우측 보트 재치부(97)는 후술하는 바와 같이, 상기 보트 전도 방지 기구(98)를 구비하고 있다.
상기 좌측 보트 지지 암(17)도 상기 우측 보트 지지 암(18)과 같은 기구에 의하여, 승강 및 회전되도록 되어 있다.
즉, 상기 좌측 승강 블록(90)은 좌측 승강 모터(99)에 의하여 회전되는 스크류 샤프트(100)와 나사 결합하고 있다. 상기 좌측 승강 블록(90)에는 브래킷(101)을 개재시켜 로터리 액튜에이터(102)가 설치되고, 상기 로터리 액튜에이터(102)에는 상기 좌측 보트 지지 암(17)이 설치되어 있다. 상기 좌측 보트 지지 암(17)도 선단부가 좌측 보트 재치부(103)로 되어 있고, 상기 좌측 보트 재치부(103)는 상기 우측 보트 재치부(97)와 마찬가지로, 보트 전도 방지 기구(98)를 구비하고 있다.
한편, 상기 좌측 보트 재치부(103)는 상기 우측 보트 재치부(97)와 대칭인 형상을 이룬다.
또한, 상기 우측 승강 모터(93), 상기 로터리 액튜에이터(95), 상기 좌측 승강 모터(99) 및 상기 로터리 액튜에이터(102)는, 상기 보트 교환 제어부(50)에 의하여, 동작 속도나 동작 타이밍 등의 구동이 제어되도록 되어 있다.
상기 보트 전도 방지 기구(98) 및 상기 좌측 보트 재치부(103)에 대하여 도 11, 도 12에 따라 설명한다.
한편, 도면은 상기 좌측 보트 지지 암(17)에 설치된 상기 보트 전도 방지 기구(98)를 나타내고 있다.
상기 좌측 보트 재치부(103)는 반 원호 형상으로서, 단면 형상은 수평인 선반부(104)와 수직인 벽부(105)로 구성되어 있다. 상기 선반부(104)는 상기 보트(13)가 재치되는 단차부(106)를 가지고 있다.
상기 좌측 보트 재치부(103)의 원호 형상의 중앙 위치에는 상기 보트 전도 방지 기구(98)가 설치되어 있다. 상기 보트 전도 방지 기구(98)는, 기판 보지구 이동 기구의 재치부에 기판 보지구가 재치된 상태를 유지하기 위하여 기판 보지구의 수평 방향 및 수직 방향으로의 이동을 억제하는 기판 보지구 이동 억제 기구를 구성하고 있다.
도 11에 나타나 있는 바와 같이, 상기 보트 전도 방지 기구(98)는 상기 선반부(104)에 상기 보트(13)가 재치되었을 때에 상기 보트(13)의 하면 요부로서의 수직 요부(115)에 대향하는 위치에 배치된 상태가 되는 재치면 철부로서의 수직 핀(107)과, 마찬가지로 상기 보트(13)의 측면 요부로서의 수평 요부(116)와 대향하는 위치에 배치된 상태가 되는 측면 철부로서의 수평 핀(112)과, 이 수평 핀(112)을 상기 수평 요부(116)의 외측으로부터 상기 수평 요부(116) 내부로 출입하도록 이동시키는 철부 이동 기구로서의 리니어 액튜에이터(109)를 구비하고 있다.
상기 수평 핀(112)은 원주형의 핀 형상으로 형성되어 있고, 상기 리니어 액튜에이터(109)의 피스톤 로드(piston rod)(111)의 선단면에 동축상으로 돌출하도록 설치되어 있고, 상기 수평 요부(116)에 삽입할 수 있도록 구성되어 있다.
상기 벽부(105)에는 통공(108)이 설치되어 있다. 상기 벽부(105)의 외주에 있어서 통공(108)의 부위에는 취부좌(取付座)가 직경 방향 바깥쪽으로 설치되어 있고, 상기 리니어 액튜에이터(109)는 취부좌에 피스톤 로드(111)가 직경 방향 안쪽으로 되도록 설치되어 있다.
상기 수직 핀(107), 상기 수평 핀(112) 및 상기 리니어 액튜에이터(109)는 모두, 상기 좌측 보트 지지 암(17)에 대하여 90°의 위치 즉 상기 좌측 보트 지지 암(17)의 회전 방향으로 정렬하여 배치되어 있다. 즉, 상기 수직 핀(107), 상기 수평 핀(112) 및 상기 리니어 액튜에이터(109)는 상기 좌측 보트 재치부(103)의 중심을 향해 일직선상으로 정렬되어 있다.
다음에, 상기 수직 핀(107)과 상기 수평 핀(112)의 치수 관계를, 도 13(A), 도 13(B), 도 13(C)에 따라 설명한다.
도 13(C)에 있어서, L5는 상기 보트(13)가 수직으로 상기 좌측 보트 재치부(103)에 재치된 상태에서의 상기 수평 요부(116)에 삽입되는 상기 수평 핀(112)의 길이,(C)S는 상기 수평 핀(112)의 하부와 상기 보트(13)와의 사이 거리, Rp는 상기 보트(13)의 하면의 수평 방향의 중심으로부터 상기 수직 핀(107)까지의 거리, rp는 상기 수직 핀(107)의 반경, R은 상기 보트(13)의 하면의 반경이다.
도 13(C)과는 반대 방향 즉, 상기 보트(13)의 반경 방향 안쪽으로 상기 보트(13)가 기울어진 경우는, 보트의 기울기 각은 θ보다 작기 때문에, 여기에서는, 도 13(C)의 방향으로 기우는 경우만을 생각한다.
상기 보트(13)가 기울어져 상기 수평 핀(112)에 점 P에서 접촉할 때까지 상기 보트(13)가 기운 경우에, 그 기운 각 θ는,
Figure 112008004349798-PCT00001
의 관계가 있다.
이 때, 상기 수직 핀(107)과 상기 보트(13)의 걸림의 높이를 L이라고 하면, L>LP가 되었을 때에 상기 보트(13)로부터 상기 수직 핀(107)이 빠진다.
상기 수직 핀(107)이 빠진 상태에서, 상기 보트(13)의 하면 수평 방향 중심 측에 외력이 가해지면, 완전히 상기 수직 요부(115)로부터 상기 수직 핀(107)이 빠지게 된다.
L는 tanθ=L/(R-Rp-rp)의 관계가 있기 때문에,
Figure 112008004349798-PCT00002
가 되고, 수학식 (1) 식과 합쳐,
Figure 112008004349798-PCT00003
가 된다.
이 식의 의미는, Rp+rp가 R에 가까울수록, 즉, 상기 수직 핀(107)의 위치가 상기 보트(13)의 하면의 반경 방향에서 외측에 있을수록, L이 작아지는 것을 나타내고 있다.
또한, Cs가 작을수록[상기 수평 핀(112)의 하부와 상기 보트(13)와의 거리가 작을수록], L이 작아지는 것을 나타내고 있다.
또한, Ls가 길수록[상기 수평 핀(112)이 상기 보트(13)의 상기 수평 철부(116)에 삽입되는 길이가 길수록], L이 작아지는 것을 나타내고 있다.
이상의 관계는, 상기 수평 핀(112)과 상기 수직 핀(107)이 상기 보트(13)의 하면의 반경 방향에서 동일한 각도에 있는 경우이나, 도 14(A)에 나타나 있는 바와 같이, 다른 각도 θ2에 있어서도 마찬가지이다.
이 경우는, 수학식(3)에 있어서, Rp는 Rp’가 되고, Rp’=Rpcosθ2의 관계가 있다.
예를 들면, θ2가 90°인 경우에는 Cosθ2는 0이기 때문에,
Figure 112008004349798-PCT00004
가 되고,
수학식(3)에 비하면, L이 길어지므로, 상기 수직 핀(107)이 빠지지 않게 하려면, Lp를 길게 하지 않으면 안 된다.
즉, θ2가 클수록 상기 수직 핀(107)을 길게 하지 않으면 안 되고, 상기 수직 핀(107)의 길이를 최소로 하고 싶으면 θ2를 0으로 하면 되게 된다.
한편, 상기 보트(13)의 상기 수직 요부(115)의 내경은, 이상의 계산을 고려하고 있지 않으나, 상기 수직 핀(107)의 외경과 상기 수직 요부(115)의 내경과의 차가 있는 경우에는, 그 차를 적절히 상술한 계산에 적용하여 구하면 된다.
상기 보트 전도 방지 기구(98)의 작동에 있어서 도 1, 도 2, 도 15(A), 도 15(B), 도 15(C)를 참조하여 설명한다.
예를 들면, 상기 좌측 보트 지지 암(17)이 웨이퍼 쿨링 위치(C)에 있어서 수취하는 경우, 상기 로터리 액튜에이터(102)에 의하여 상기 보트 치대(20)의 위치에 상기 좌측 보트 지지 암(17)이 회전된다.
이 때, 상기 좌측 보트 지지 암(17)과 수취해야 할 상기 보트(13)가 간섭하지 않도록, 상기 좌측 보트 지지 암(17)은 상기 좌측 승강 모터(99)에 의하여 강하되어 있다.
상기 좌측 보트 재치부(103)의 중심과 상기 보트(13)의 중심이 합치한 상태에서는, 상기 수직 요부(115)와 상기 수직 핀(107)의 심이 합치하고, 동시에 상기 수평 핀(112)과 상기 수평 요부(116)의 심이 합치하도록 되어 있다.
한편, 상기 피스톤 로드(111)는 후퇴한 상태이다.
먼저, 상기 좌측 승강 모터(99)에 의하여 상기 스크류 샤프트(100)가 회전되면, 상기 좌측 승강 블록(90)이 상기 가이드 샤프트(88)를 따라 상승됨으로써, 도 15(A)에 나타나 있는 바와 같이, 상기 좌측 보트 지지 암(17)이 상승되기 때문에, 도 15(B)에 나타나 있는 바와 같이, 상기 좌측 보트 재치부(103)의 상기 선반부(104)가 상기 보트(13)를 수취한다. 즉, 상기 보트(13)가 상기 좌측 보트 재치부(103)에 상대적으로 올라탄다.
이 때, 도 15(B)에 나타나 있는 바와 같이, 상기 좌측 보트 재치부(103)의 상기 수직 핀(107)이 상기 보트(13)의 수직 요부(115)에 삽입된다.
다음에, 도 15(C)에 나타나 있는 바와 같이, 상기 리니어 액튜에이터(109)가 작동하고, 상기 피스톤 로드(111) 선단의 상기 수평 핀(112)이 상기 보트(13)의 상기 수평 요부(116)에 삽입된다.
상기 수직 핀(107)이 상기 수직 요부(115)에 삽입됨으로써, 상기 보트(13)의 수평 이동이 구속된다.
또한, 상기 수평 핀(112)이 상기 수평 요부(116)에 삽입됨으로써, 상기 보트(13)의 상하 이동이 구속된다. 즉, 수직 방향의 이동이 구속된다.
한편, 상기 수직 핀(107)이 상기 수직 요부(115)에 삽입되고, 상기 수평 핀(112)이 상기 수평 요부(116)에 삽입됨으로써, 상기 보트(13)의 상기 수직 핀(107)을 중심으로 하는 회전이동도 구속할 수 있으나, 바람직하게는, 상기 보트(13)는 상기 단차부(106)에 재치됨으로써, 상기 수직 핀(107)을 중심으로 하는 회전이동도 보다 한층 구속할 수 있다.
그리고, 상기 보트 전도 방지 기구(98)가 작동한 상태에서는, 상기 보트(13)에 수평력이 작용한 경우, 수직, 수평, 회전의 3방향의 이동이 구속된다.
한편, 상기 회전이동의 구속은 상기 벽부(105)를 상기 보트(13)에 근접시켜, 상기 벽부(105)를 상기 보트(13)에 맞닿도록 해도 된다.
그 후에, 회전축(96)이 회전됨으로써, 좌측 보트 지지 암(17) 및 상기 보트(13)가 90° 회전되고, 상기 보트 수수 위치(B)에 반송된다.
이 반송에 있어서, 상기 좌측 보트 재치부(103)의 상기 수직 핀(107)이 상기 보트(13)의 상기 수직 요부(115)에 삽입되고, 상기 수평 핀(112)이 상기 보트(13)의 상기 수평 요부(116)에 삽입되어 있기 때문에, 상기 보트(13)가 반송 중에 넘어지는 것을 확실히 방지할 수 있다.
상기 보트 수수 위치(B)는 상기 처리로(11)의 바로 밑에 있기 때문에, 상기 좌측 보트 재치부(103)는 상기 승강 암(8), 상기 씰 캡(9) 및 상기 보트 재치반(44)에 대응한 상태가 된다.
상기 좌측 보트 재치부(103)가 강하되면, 상기 보트(13)가 상기 보트 재치반(44) 위에 재치된다.
이 때, 상기 좌측 보트 재치부(103)에 있는 상기 리니어 액튜에이터(109)가 작동하고, 상기 피스톤 로드(111)의 선단의 상기 수평 핀(112)이 상기 보트(13)의 상기 수평 요부(116)로부터 인출된다.
그 후, 상기 좌측 보트 재치부(103)가 다시 강하되면, 상기 좌측 보트 재치부(103)의 상기 수직 핀(107)이 상기 보트(13)의 상기 수직 요부(115)로부터 인출됨과 동시에 상기 좌측 보트 재치부(103)가 상기 보트(13)로부터 분리된다. 즉, 상기 보트(13)는 상기 씰 캡(9)의 상기 보트 재치반(44) 상으로 이재된다.
상기 좌측 보트 지지 암(17)이 상술과 역의 방향으로 90° 회전됨으로써, 상기 좌측 보트 재치부(103)가 상기 웨이퍼 이재 위치(A)로 돌아온다.
다음에, 상술한 구성에 따른 처리로(11)를 이용하여, IC 제조 방법의 한 공정으로서 CVD법에 의하여 웨이퍼(10) 상에 박막을 형성하는 방법에 대해 설명한다.
이하의 설명에 있어서, 기판 처리 장치를 구성하는 각부의 동작은 상기 주제어부(51)에 의하여 제어된다.
상기 기판 이재기(15)에 의하여 상기 보트 치대(19)에 재치된[웨이퍼 이재 위치(A)] 보트(13)에 대하여 소정 매수의 웨이퍼(10)가 장전(wafer(C)harge)된다.
상기 보트 치대(19)에 재치된 상기 보트(13)는 상기 록 플레이트(84)가 상기 록 구멍(62)에 연계되고, 상기 보트 전도 방지 기구(86)에 의하여 잠금 상태로 되어 있다.
상기 보트(13)로의 웨이퍼(10) 장전이 완료하면, 상기 웨이퍼 이재 위치(A)에 있어서 상기 보트(13)가 상기 보트 치대(19)로부터 상기 좌측 보트 지지 암(17)으로 수취되고, 상기 좌측 보트 지지 암(17)에 의하여 상기 보트 재치부(12)[보트 수수 위치(B)]로 상기 보트(13)의 반송이 이루어진다.
상기 보트 치대(19)로부터 상기 좌측 보트 지지 암(17)으로의 상기 보트(13)의 수취 과정에 있어서, 상기 보트 치대(19)의 상기 보트 전도 방지 기구(86)가 상기 보트(13)를 잠근 상태에서, 상기 좌측 보트 지지 암(17)의 상기 보트 전도 방지 기구(98)가 작동하여 보트(13)를 잠근다.
상기 보트 전도 방지 기구(98)가 보트(13)의 잠금을 완료한 후, 상기 보트 전도 방지 기구(86)의 잠금이 해제된다. 따라서, 상기 보트(13)의 수취 시에, 상기 보트 전도 방지 기구(98)와 상기 보트 전도 방지 기구(86)가 동시에 보트(13)를 잠그고 있는 상태가 존재하고, 상기 보트(13)가 잠그지 않은 상태가 되는 일이 없도록, 상기 보트 전도 방지 기구(86), 상기 보트 전도 방지 기구(98)의 작동 타이밍이, 상기 전도 방지 제어부(49)에 의하여 제어된다.
상기 보트 수수 위치(B)에서, 상기 좌측 보트 지지 암(17)으로부터 상기 보트 재치부(12)로 보트(13)를 옮기는 것도 마찬가지로서, 상기 보트 전도 방지 기구(98)가 보트(13)를 잠근 상태에서 상기 보트 재치반(44)이 보트(13)를 수취하고, 상기 보트 전도 방지 기구(77)가 작동하여 보트(13)를 잠근다.
상기 보트 전도 방지 기구(77)에 의한 보트(13)의 잠금이 완료한 후에, 상기 보트 전도 방지 기구(98)의 잠금이 해제된다. 이 경우에서도, 상기 보트(13)가 잠기지 않은 상태가 되는 일이 없도록, 상기 보트 전도 방지 기구(98) 및 상기 보트 전도 방지 기구(77)의 작동 타이밍이, 상기 전도 방지 제어부(49)에 의하여 제어된다.
상기 보트 재치부(12)로 옮기는 것이 완료하면, 상기 보트(13)는, 상기 보트 엘리베이터(7)에 의하여 상승되고, 상기 처리실(26)에 반입(boat loading)된다.
상기 처리실(26) 내가 원하는 압력(진공도)이 되도록 상기 진공 배기 장치(39)에 의하여 진공 배기된다. 이 때, 상기 처리실(26)의 압력은, 상기 압력 센서(37)로 측정되고, 그 측정된 압력을 바탕으로 상기 압력 조절기(38)에 의하여 조절된다.
또한, 상기 처리실(26)이 원하는 온도가 되도록 상기 히터(21)에 의하여 가열된다.
이 때, 상기 처리실(26)이 원하는 온도 분포가 되도록 상기 온도 센서(47)가 검출한 온도 정보를 바탕으로 상기 히터(21)로의 통전 상태가 피드백 제어된다.
뒤이어, 상기 보트 회전 기구(42)에 의하여 상기 보트(13)가 회전됨으로써, 상기 웨이퍼(10)가 회전된다.
다음에, 처리 가스가 공급원으로부터 공급되고, 상기 MFC(34)에서 원하는 유량이 되도록 제어된 가스는, 상기 가스 공급관(33)을 유통하여 상기 노즐(32)로부터 상기 처리실(26) 내로 도입된다.
도입된 가스는 상기 처리실(26) 내를 상승하고, 상기 내부 반응관(24)의 상단 개구로부터 상기 공간(27)으로 유출해 상기 배기관(36)으로부터 배기된다.
가스는 상기 처리실(26) 내를 통과할 때에 웨이퍼(10)의 표면과 접촉하고, 이 때 열CVD 반응에 의하여 웨이퍼(10) 표면상에 박막이 퇴적(deposition)된다.
미리 설정된 처리 시간이 경과하면, 불활성 가스 공급원으로부터 불활성 가스가 공급되어, 상기 처리실(26) 내가 불활성 가스로 치환됨과 동시에, 상기 처리실(26) 내의 압력이 상압으로 복귀된다.
그 후, 상기 보트 엘리베이터(7)에 의하여 상기 씰 캡(9)이 하강되고, 상기 매니폴드(28)의 하단이 개구됨과 동시에, 처리 완료된 웨이퍼(10)가 보트(13)에 보지된 상태에서, 상기 매니폴드(28)의 하단으로부터 상기 반응관(23)의 외부로 반출(boat unloading) 된다.
그 후, 처리 완료된 웨이퍼(10)는 보트(13)로부터 취출된다(wafer discharge).
한편, 본 발명의 실시 형태의 처리로에 대하여 웨이퍼를 처리할 때의 처리 조건으로서는, 예를 들면, SiN막의 성막에 있어서는, 처리 온도 760℃, 처리 압력 20~25Pa, 가스종은 암모니아(NH3) 가스, 가스 공급 유량 480sccm, 가스종은 디클로로실란(DCS, dichlorosilan) 가스, 가스 공급 유량 120sccm이 제시되고, 각각의 처리 조건을, 각각의 범위 내에 있는 값으로 일정하게 유지함으로써, 웨이퍼에 처리가 이루어진다.
처리가 완료하면, 상기 보트 엘리베이터(7)에 의하여 상기 보트(13)가 강하되고, 상기 보트 수수 위치(B)에서 상기 보트 재치부(12)로부터 상기 우측 보트 지지 암(18)으로 보트(13)가 옮겨간다.
이 경우, 상기 보트 전도 방지 기구(77)에 의하여 보트(13)는 잠겨진 상태에서, 상기 보트(13)가 상기 우측 보트 지지 암(18)에 재치되고, 상기 보트 전도 방지 기구(98)의 잠금이 완료된 후, 상기 보트 전도 방지 기구(77)의 잠금이 해제된다.
따라서, 상기 보트(13)가 잠겨지지 않은 상태가 되는 일이 없도록, 상기 보트 전도 방지 기구(77) 및 상기 보트 전도 방지 기구(98)의 작동 타이밍이, 상기 전도 방지 제어부(49)에 의하여 제어된다.
마찬가지로, 상기 우측 보트 지지 암(18)으로부터 상기 보트 치대(20)에 상 기 보트(13)가 옮겨진 경우도, 상기 보트(13)가 잠겨지지 않은 상태가 존재하지 않도록, 상기 전도 방지 제어부(49)에 의하여 상기 보트 전도 방지 기구(98), 상기 보트 전도 방지 기구(86)의 작동 타이밍이 제어된다.
상기 실시 형태에 따르면, 다음의 효과를 얻을 수 있다.
1) 좌측 보트 재치부 및 우측 보트 재치부에 보트 이동 억제 기구로서의 보트 전도 방지 기구를 설치하고, 좌측 보트 재치부 및 우측 보트 재치부에 의해 보트를 반송할 때, 보트 전도 방지 기구의 수직 핀을 보트의 수직 요부에 삽입하고, 수평 핀을 보트의 수평 요부에 삽입함으로써, 반송 중의 보트가 넘어지는 것을 확실히 방지할 수 있기 때문에, 종형 확산 CVD 장치에 의한 IC 제조 방법에 있어서 제조 수율(yield)을 향상시킬 수 있다.
2) 좌측 보트 재치부 및 우측 보트 재치부에 보트 전도 방지 기구를 설치하고, 좌측 보트 재치부 및 우측 보트 재치부에 의해 보트를 지지할 때, 보트 전도 방지 기구의 수직 핀을 보트의 수직 요부에 삽입하고, 수평 핀을 보트의 수평 요부에 삽입함으로써, 지진이나 오작동 및 인위적 실수에 의한 불측의 외력이 작용했을 경우라도, 보트가 넘어지는 것을 확실히 방지할 수 있기 때문에, 종형 확산 CVD 장치에 의한 IC 제조 방법에 있어서 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
3) 보트는 처리 중 어떠한 상태에서도, 잠기지 않은 상태가 되는 일이 없으며, 지진 등에 의한 외적 충격에 의하여 보트에 수평력이 작용한 경우에도, 보트가 전도나 파손이 되는 것을 방지할 수 있다.
4) 기판을 수납해 처리하는 처리실과, 상기 처리실 내에서 기판을 보지하는 기판 보지구와, 상기 기판 보지구를 재치하여 상기 처리실 내외에 상기 기판 보지구를 이동 가능한 재치부와, 상기 재치부에 재치된 상기 기판 보지구를 전도 방지하도록 연계 이탈 가능한 제1 기판 보지구 전도 방지 기구와, 상기 재치부와는 다른 곳에 상기 기판 보지구를 이동 가능한 기판 보지구 이동 기구와, 상기 기판 보지구 이동 기구에 재치된 상기 기판 보지구의 전도를 방지하도록 연계 이탈 가능한 제2 기판 보지구 전도 방지 기구와, 상기 제1, 제2 기판 보지구 전도 방지 기구의 연계 이탈을 제어하는 전도 방지 제어부를 구비하고, 상기 전도 방지 제어부는, 상기 기판 보지구가 상기 재치부와 상기 기판 보지구 이동 기구와의 사이에서 수수가 이루어지는 동안, 상기 제1, 제2 기판 보지구 전도 방지 기구 중 적어도 한쪽이 상기 기판 보지구와 연계하며, 상기 기판 보지구의 전도를 방지하도록 제어함으로써, 기판 처리 장치가 가동하고 있는 상태에서는, 상기 기판 보지구에는 어느 하나의 상기 기판 보지구 전도 방지 기구가 연계하여, 상기 기판 보지구의 비연계 상태는 존재하지 않기 때문에, 상기 기판 보지구에 예기치 않은 외력이 작용한 경우에도 상기 기판 보지구의 전도가 방지된다.
5) 기판을 수납하여 처리하는 처리실과, 상기 처리실 내에서 기판을 보지하는 기판 보지구와, 상기 기판 보지구를 재치하여 상기 처리실 내외에 상기 기판 보지구를 이동 가능한 재치부와, 상기 재치부와는 다른 곳에 배치되고 상기 기판 보지구를 보지 가능한 보지대와, 상기 보지대에 재치된 상기 기판 보지구의 전도를 방지하도록 연계 이탈 가능한 제1 기판 보지구 전도 방지 기구와, 상기 재치부와 상기 보지대와의 사이에서 상기 기판 보지구를 이동 가능한 기판 보지구 이동 기구 와, 상기 기판 보지구 이동 기구에 재치된 상기 기판 보지구의 전도를 방지하도록 연계 이탈 가능한 제2 기판 보지구 전도 방지 기구와, 상기 제1, 제2 기판 보지구 전도 방지 기구의 연계 이탈을 제어하는 전도 방지 제어부를 구비하고, 상기 전도 방지 제어부는, 상기 기판 보지구가 상기 보지대와 상기 기판 보지구 이동 기구와의 사이에서 수수가 이루어지는 동안, 상기 제1, 제2 기판 보지구 전도 방지 기구 중 적어도 한쪽이 상기 기판 보지구와 연계하여, 상기 기판 보지구의 전도를 방지하도록 제어함으로써, 기판 처리 장치가 가동하고 있는 상태에서는, 상기 기판 보지구에는 어느 하나의 상기 기판 보지구 전도 방지 기구가 연계하고, 상기 기판 보지구의 비연계 상태는 존재하지 않기 때문에, 상기 기판 보지구에 예기치 않은 외력이 작용했을 경우에도 상기 기판 보지구의 전도가 방지되는 등의 뛰어난 효과를 발휘한다.
도 16은 본 발명의 다른 실시 형태인 종형 확산 CVD 장치에 있어서 보트 전도 방지 기구를 나타내는 사시도이다.
본 실시 형태가 상기 실시 형태와 다른 점은, 기판 보지구 이동 억제 기구로서의 보트 전도 방지 기구(98A)가, 기판 보지구를 누르기 위한 보트 누름 장치(120)를 2개 구비하고 있는 점이다.
본 실시 형태에 따르면, 상기 보트 전도 방지 기구(98A)의 상기 수직 핀(107)을 상기 보트(13)의 상기 수직 요부(115)에 삽입함과 동시에, 상기 수평 핀(112)을 상기 보트(13)의 상기 수평 요부(116)에 삽입할 뿐만 아니라, 상기 수평 핀(112)의 중심축으로부터 선대칭 위치의 2개의 상기 보트 누름 장치(120)에 의하 여 상기 보트(13)의 좌판(座板)(121)의 주연부(周緣部) 2개소를 각각 위에서 또는 옆에서 누를 수 있기 때문에, 상기 보트(13)가 넘어지는 것을 보다 한층 확실하게 방지할 수 있다.
바람직하게는, 상기 보트 누름 장치(120)는 상기 좌판(121)의 주연부에 있어서 상기 수평 핀(112)과 상기 좌판(121)의 중심을 연결하는 직선에 직교하는 위치에 각각 설치하면, 보다 한층 확실하게 상기 보트(13)가 넘어지는 것을 방지할 수 있다.
본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에 있어서, 여러 가지의 변경이 가능한 것은 말할 필요도 없다.
보트 이동 억제 기구로서의 보트 전도 방지 기구는 스윙 암(swing arm) 식의 보트 교환 장치에 설치하는데 국한하지 않는다.
예를 들면, 도 17에 나타나 있는 바와 같이, 직동식의 보트 교환 장치(14A)의 보트 재치부(97A)에 설치해도 된다.
또한, 도 18에 나타나 있는 바와 같이, 스카라형 로봇(selective Compliance Assembly robot Arm, SCARA)(14B)의 최종단의 암에 부착된 보트 재치부(97B)에 설치해도 된다.
보트 이동 억제 기구로서의 보트 전도 방지 기구의 수평 핀을 진퇴 시키는 구동 수단으로서는, 에어 실린더 장치를 사용하는데 한정하지 않고, 전동 모터나 전자(電磁) 플런저(plunger) 등의 액튜에이터를 사용해도 된다.
보트 이동 억제 기구로서의 보트 전도 방지 기구는, 보트 재치부에 2개소 설 치해도 된다.
2개의 보트 재치부를 지지하는 암이 모두 180° 회전해도 되고, 보트 대기 위치에 있어서 대기용 보트 재치대를 설치하지 않고, 보트 대기 위치에 있어서 보트를 보트 재치부에서 지지해도 되며, 보트 수수 위치에 있어서 보트의 수수는 보트 엘리베이터의 승강 동작에 의해도 된다.
기판 보지구는 일체형의 보트(13)를 나타냈으나, 그 외, 하부가 분할된 것, 보트가 보지 부재를 개재하여 보트 재치부(12)에 재치되는 구조로 된 것 등을 포함하는 것은 말할 나위도 없다.
과제를 해결하기 위한 수단 가운데 상기(1) 이외의 대표적인 것은, 다음과 같다.
(2) 상기 기판 보지구에는, 하면에 하면 요부(수직 요부)가 설치되어 있으며, 또한 상기 기판 보지구의 측면에 측면 요부(수평 요부)가 설치되어 있고,
상기 기판 보지구 이동 억제 기구는, 상기 재치부의 재치면에 상기 기판 보지구가 재치되었을 때에 상기 하면 요부와 대향하는 위치에 배치되는 재치면 요부(수직 핀)와, 상기 측면 요부와 대향하는 위치에 배치되고, 상기 측면 요부의 외측으로부터 상기 측면 요부에 대하여 출입하도록 이동 가능한 요부 이동 기구(linear actuator)에 의하여 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 상기(1)에 기재한 기판 처리 장치.
(3) 상기 기판 보지구 이동 억제 기구는, 복수의 기판 보지구 누름 장치를 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 상기(2)에 기재한 기판 처리 장치.
(4) 상기 기판 보지구 이동 억제 기구는, 상기 재치부에 상기 기판 보지구가 재치되어 있는 동안, 상기 기판 보지구가 전도하지 않도록 하기 위해 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 상기(1), (2) 또는 (3)에 기재한 기판 처리 장치.
본 발명에 의하면, 보트가 넘어지는 것을 확실히 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.

Claims (14)

  1. 기판을 수용하여 소정의 처리를 하는 처리실과,
    상기 처리실 내에서 기판을 보지하는 기판 보지구와,
    상기 기판 보지구를 재치시키면서 상기 처리실 내외로 이동 가능한 재치대와,
    상기 기판 보지구를 보지하면서 상기 재치대와는 다른 장소로 이동시키는 기판 보지구 이동 기구와,
    상기 기판 보지구 이동 기구의 재치부에 상기 기판 보지구가 재치된 상태를 유지하기 위하여 상기 기판 보지구의 수평 방향 및 수직 방향으로의 이동을 억제하는 기판 보지구 이동 억제 기구
    를 구비하고 있는 기판 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 기판 보지구에는, 하면에 하면 요부가 설치되어 있고, 상기 기판 보지구의 측면에 측면 요부가 설치되어 있으며,
    상기 기판 보지구 이동 억제 기구는, 상기 재치부의 재치면에 상기 기판 보지구가 재치되었을 때에 상기 하면 요부와 대향하는 위치에 배치되는 재치면 철부와, 상기 측면 요부와 대향하는 위치에 배치되고, 상기 측면 요부의 바깥쪽으로부터 상기 측면 요부에 대해 출입할 수 있도록 이동 가능한 철부 이동 기구에 의하여 구성되어 있는 기판 처리 장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 기판 보지구 이동 억제 기구는, 복수의 기판 보지구 누름 장치를 더 구비하고 있는 기판 처리 장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 기판 보지구 이동 억제 기구는, 상기 재치부에 상기 기판 보지구가 재치되어 있는 동안, 상기 기판 보지구가 전도하지 않도록 하기 위하여 설치되어 있는 기판 처리 장치.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 재치대에 재치된 상기 기판 보지구의 전도를 방지하기 위하여 연계 및 해제 가능한 기판 보지구 전도 방지 기구와, 적어도 상기 기판 보지구 이동 억제 기구 및 상기 기판 보지구 전도 방지 기구의 연계 및 해제를 제어하는 전도 방지 제어부를 더 구비하는 기판 처리 장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 전도 방지 제어부는, 상기 기판 보지구가 상기 재치대와 상기 기판 보지구 이동 기구와의 사이에서 수수가 이루어지는 동안, 상기 기판 보지구 이동 억제 기구 및 상기 기판 보지구 전도 방지 기구 중 적어도 한쪽이 상기 기판 보지구와 연계하여, 상기 기판 보지구의 전도를 방지하도록 제어하는 기판 처리 장치.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 재치부와는 다른 곳에 배치되고 상기 기판 보지구를 보지 가능한 보지대와, 상기 보지대에 재치된 상기 기판 보지구의 전도를 방지하기 위하여 연계 및 해제 가능한 기판 보지구 전도 방지 기구와, 적어도 상기 기판 보지구 이동 억제 기구 및 상기 기판 보지구 전도 방지 기구의 연계 및 해제를 제어하는 전도 방지 제어부를 더 구비하는 기판 처리 장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 전도 방지 제어부는, 상기 기판 보지구가 상기 보지대와 상기 기판 보지구 이동 기구와의 사이에 수수가 이루어지는 동안, 상기 기판 보지구 이동 억제 기구 및 상기 기판 보지구 전도 방지 기구 중 적어도 한쪽이 상기 기판 보지구와 연계하여, 상기 기판 보지구의 전도를 방지하도록 제어하는 기판 처리 장치.
  9. 제 1항에 기재한 기판 처리 장치를 사용하여 처리하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서,
    상기 재치대에 상기 기판이 보지된 상기 기판 보지구를 재치시키면서 상기 처리실 외부로부터 처리실 내부로 상기 기판 보지구를 이동시키는 단계와,
    상기 기판이 보지된 상기 기판 보지구를 상기 처리실 내에 수용하여 소정의 처리를 하는 단계와,
    상기 재치대에 상기 기판 보지구를 재치시키면서 상기 처리실 내부로부터 처리실 외부로 상기 기판이 보지된 상기 기판 보지구를 이동시키는 단계와,
    상기 재치대와는 다른 장소로 상기 기판 보지구 이동 기구에 의하여 상기 기 판 보지구를 이동시키는 단계와,
    상기 기판 보지구 이동 억제 기구에 의하여 상기 재치부에 상기 기판 보지구가 재치된 상태를 유지하는 단계
    를 가지는 반도체장치의 제조 방법.
  10. 제 5항에 기재된 기판 처리 장치를 사용하여 처리하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서,
    상기 재치대에 상기 기판이 보지된 상기 기판 보지구를 재치시키면서 상기 처리실 외부로부터 처리실 내부로 상기 기판 보지구를 이동시키는 단계와,
    상기 기판이 보지된 상기 기판 보지구를 상기 처리실 내에 수용하고 소정의 처리를 하는 단계와,
    상기 재치대에 상기 기판 보지구를 재치시키면서 상기 처리실 내부로부터 처리실 외부로 상기 기판이 보지된 상기 기판 보지구를 이동시키는 단계와,
    상기 전도 방지 제어부가, 상기 기판 보지구가 상기 재치대와 상기 기판 보지구 이동 기구와의 사이에서 수수가 이루어지는 동안, 상기 기판 보지구 이동 억제 기구 및 상기 기판 보지구 전도 방지 기구 중 적어도 한쪽이 상기 기판 보지구와 연계하여 상기 기판 보지구의 전도를 방지하도록 제어하는 단계
    를 갖는 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 제 7항에 기재된 기판 처리 장치를 사용하여 처리하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서,
    상기 재치대에 상기 기판이 보지된 상기 기판 보지구를 재치시키면서 상기 처리실 외부로부터 처리실 내부로 상기 기판 보지구를 이동시키는 단계와,
    상기 기판이 보지된 상기 기판 보지구를 상기 처리실 내에 수용하여 소정의 처리를 하는 단계와,
    상기 재치대에 상기 기판 보지구를 재치시키면서 상기 처리실 내부로부터 처리실 외부로 상기 기판이 보지된 상기 기판 보지구를 이동시키는 단계와,
    상기 재치대로부터 상기 보지대에 기판 보지구 이동 기구에 의하여 상기 기판 보지구를 이동시키는 단계와,
    상기 전도 방지 제어부가, 상기 기판 보지구가 상기 보지대와 상기 기판 보지구 이동 기구와의 사이에서서 수수가 이루어지는 동안, 상기 기판 보지구 이동 억제 기구 및 상기 기판 보지구 전도 방지 기구 중 적어도 한쪽이 상기 기판 보지구와 연계하여 상기 기판 보지구의 전도를 방지하도록 제어하는 단계
    를 갖는 반도체 장치의 제조 방법.
  12. 기판이 보지된 기판 보지구를 재치대에 재치시키면서 처리실 외부로부터 처리실 내부로 상기 기판 보지구를 이동시키는 단계와,
    상기 기판이 보지된 상기 기판 보지구를 상기 처리실 내에 수용하여 소정의 처리를 하는 단계와,
    상기 재치대에 상기 기판이 보지된 상기 기판 보지구를 재치시키면서 상기 처리실 내부로부터 처리실 외부로 상기 기판 보지구를 이동시키는 단계와,
    상기 재치대와는 다른 장소로 기판 보지구 이동 기구에 의하여 상기 기판 보지구를 이동시키는 단계와,
    상기 기판 보지구 이동 기구의 재치부에 상기 기판 보지구가 재치된 상태를 유지하기 위하여 상기 기판 보지구의 수평 방향 및 수직 방향으로의 이동을 억제하는 기판 보지구 이동 억제 기구에 의하여 상기 기판 보지구의 수평 방향 및 수직 방향으로의 이동을 억제하는 단계
    를 갖는 반도체 장치의 제조 방법.
  13. 제 12항에 있어서, 전도 방지 제어부가, 상기 기판 보지구가 상기 재치대와 상기 기판 보지구 이동 기구와의 사이에서 수수가 이루어지는 동안, 상기 기판 보지구 이동 억제 기구 및 상기 기판 보지구 전도 방지 기구 중 적어도 한쪽이 상기 기판 보지구와 연계하여 상기 기판 보지구의 전도를 방지하도록 제어하는 단계를 더 갖는 반도체 장치의 제조 방법.
  14. 제 12항에 있어서, 상기 전도 방지 제어부가, 상기 기판 보지구가 상기 보지대와 상기 기판 보지구 이동 기구와의 사이에서 수수가 이루어지는 동안, 상기 기판 보지구 이동 억제 기구 및 상기 기판 보지구 전도 방지 기구의 중 적어도 한쪽이 상기 기판 보지구와 연계하여 상기 기판 보지구의 전도를 방지하도록 제어하는 단계를 더 갖는 반도체 장치의 제조 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101443196B1 (ko) * 2011-07-13 2014-09-19 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 온도 검출 장치, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US10837112B2 (en) 2014-09-30 2020-11-17 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4335908B2 (ja) * 2006-12-22 2009-09-30 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び縦型熱処理方法
JP4327206B2 (ja) * 2007-01-30 2009-09-09 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び縦型熱処理方法
US8220846B2 (en) 2008-08-15 2012-07-17 Vision Industries Group, Inc. Latch for tiltable sash windows
US8336927B2 (en) 2008-08-15 2012-12-25 Luke Liang Tilt latch with cantilevered angular extension
JP5529634B2 (ja) * 2010-06-10 2014-06-25 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板の製造方法
JP5779957B2 (ja) * 2011-04-20 2015-09-16 東京エレクトロン株式会社 ローディングユニット及び処理システム
JP5541274B2 (ja) * 2011-12-28 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5904875B2 (ja) * 2012-05-29 2016-04-20 株式会社荏原製作所 ワークを搬送する装置のための可動範囲調整機構
CN206052147U (zh) * 2016-08-25 2017-03-29 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 一种用于pecvd设备内的石墨舟传送机构
CN117810137B (zh) * 2024-03-01 2024-04-26 深圳市锐铂自动化科技有限公司 Igbt模块的自动插针机

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6389242A (ja) 1986-09-30 1988-04-20 Fuji Seiki Seizosho:Kk 自動工具交換装置
JPH0528770Y2 (ko) * 1986-12-01 1993-07-23
US5030057A (en) * 1987-11-06 1991-07-09 Tel Sagami Limited Semiconductor wafer transferring method and apparatus and boat for thermal treatment of a semiconductor wafer
JP2639424B2 (ja) * 1988-12-29 1997-08-13 東京エレクトロン株式会社 搬送方法
JP2984343B2 (ja) * 1990-09-12 1999-11-29 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
KR100351309B1 (ko) * 1993-09-21 2002-12-06 가부시키가이샤 나카노한킹 공작기계용슬라이드커버장치
US5829969A (en) * 1996-04-19 1998-11-03 Tokyo Electron Ltd. Vertical heat treating apparatus
US5980195A (en) * 1996-04-24 1999-11-09 Tokyo Electron, Ltd. Positioning apparatus for substrates to be processed
US5832977A (en) * 1997-04-24 1998-11-10 Hampton; R. Terry Apparatus and method for making woodworking joints
JPH1174205A (ja) * 1997-08-27 1999-03-16 Sony Corp 半導体製造装置
US6689264B1 (en) * 1997-09-04 2004-02-10 Cypress Semiconductor Corp. Semiconductor wafer clamp retainer
JPH11219912A (ja) * 1998-02-02 1999-08-10 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置
US6174011B1 (en) * 1999-04-14 2001-01-16 Arthur Keigler Method of and apparatus for handling thin and flat workpieces and the like
JP4495825B2 (ja) 2000-03-22 2010-07-07 株式会社日立国際電気 半導体製造装置及び半導体製造方法
JP4653875B2 (ja) * 2000-07-27 2011-03-16 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
KR20020019414A (ko) * 2000-09-05 2002-03-12 엔도 마코토 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치를 이용한 반도체디바이스 제조 방법
JP3378241B2 (ja) * 2000-09-22 2003-02-17 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び縦型熱処理用基板保持具固定部材
JP3934439B2 (ja) 2002-03-06 2007-06-20 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び基板の処理方法
JP3934503B2 (ja) * 2002-08-01 2007-06-20 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び基板の処理方法
US7684895B2 (en) * 2002-08-31 2010-03-23 Applied Materials, Inc. Wafer loading station that automatically retracts from a moving conveyor in response to an unscheduled event
US7181132B2 (en) * 2003-08-20 2007-02-20 Asm International N.V. Method and system for loading substrate supports into a substrate holder
JP4359115B2 (ja) * 2003-10-22 2009-11-04 パナソニック株式会社 沈胴式レンズ鏡筒
JP4312204B2 (ja) * 2003-11-27 2009-08-12 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板保持具、及び半導体装置の製造方法
JP2007162759A (ja) * 2005-12-09 2007-06-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 動圧流体軸受装置、モータ、記録ディスク駆動装置、組み立て用治具
US7922485B2 (en) * 2007-02-14 2011-04-12 Tokyo Electron Limited Vertical type heat processing apparatus and vertical type heat processing method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101443196B1 (ko) * 2011-07-13 2014-09-19 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 온도 검출 장치, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101504937B1 (ko) * 2011-07-13 2015-03-23 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 온도 검출 장치, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
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