KR20080012980A

KR20080012980A - 인쇄 배선판

Info

Publication number: KR20080012980A
Application number: KR1020077029536A
Authority: KR
Inventors: 가즈마사 다께우찌; 노조무 다까노; 마사끼 야마구찌; 마꼬또 야나기다
Original assignee: 히다치 가세고교 가부시끼가이샤
Priority date: 2005-05-20
Filing date: 2006-05-19
Publication date: 2008-02-12
Also published as: TW200704295A; CN101180925B; US8664534B2; DE112006001295T5; JP5124984B2; JP2006352103A; WO2006123783A1; TWI391040B; CN101180925A; US20100270059A1

Abstract

본 발명은 전자 기기의 광체 내에 고밀도로 수납 가능한 인쇄 배선판을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 인쇄 배선판 (40)은 기재 (1)과, 굴곡 영역 (36)에 형성된 도체 (7)과, 비굴곡 영역 (46)에 형성된 도체 (8), (9)를 구비하는 구성을 갖고 있다. 굴곡 영역 (36)에 형성된 도체 (7)은 1 내지 30 ㎛의 총 두께를 갖고 있고, 비굴곡 영역 (46)에 형성된 도체 (8), (9)는 30 내지 150 ㎛의 총 두께를 갖고 있다.

인쇄 배선판, 도체, 굴곡 영역, 비굴곡 영역,

Description

인쇄 배선판{PRINTED WIRING BOARD}

본 발명은 인쇄 배선판에 관한 것이다.

인쇄 배선판용의 적층판은 전기 절연성을 갖는 수지 조성물을 매트릭스로 하는 프리프레그를 소정의 매수 중첩하고, 가열 가압하여 일체화함으로써 얻어진다. 또한, 인쇄 배선판의 제조에서 인쇄 회로를 서브트랙티브법에 의해 형성하는 경우에는, 금속장 적층판이 이용된다. 이 금속장 적층판은 프리프레그의 표면(한쪽면 또는 양면)에 동박 등의 금속박을 거듭 가열 가압함으로써 제조된다.

전기 절연성을 갖는 수지로는 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 비스말레이미드-트리아진 수지 등과 같은 열경화성 수지가 널리 이용된다. 또한, 불소 수지나 폴리페닐렌에테르 수지 등과 같은 열가소성 수지가 이용되는 경우도 있다.

한편, 개인용 컴퓨터나 휴대 전화 등의 정보 단말 기기의 보급에 따라, 이들에 탑재되는 인쇄 배선판은 소형화, 고밀도화가 진행되고 있다. 그 실장 형태는 핀 삽입형부터 표면 실장형, 또한 플라스틱 기판을 사용한 BGA(볼 그리드 어레이)로 대표되는 영역 어레이형으로 진행되고 있다.

이 BGA와 같은 베어 칩을 직접 실장하는 기판에서는 칩과 기판의 접속은 열 초음파 압착에 의한 와이어 본딩으로 행하는 것이 일반적이다. 이 때문에, 베어 칩을 실장하는 기판은 150 ℃ 이상의 고온에 노출됨으로써, 전기 절연성 수지에는 어느 정도의 내열성이 필요해진다.

또한, 이러한 기판에서는 한번 실장한 칩을 박리하는, 소위 리페어성도 요구되는 경우가 있다. 이 경우에는, 칩 실장시와 동일한 정도의 열이 가해지고, 또한 기판에는 그 후 재차 칩 실장이 실시됨으로써, 추가로 열 처리가 행해지게 된다. 따라서, 리페어성이 요구되는 기판에서는 고온에서의 사이클적인 내열충격성도 요구된다. 또한, 종래의 절연성 수지에서는 섬유 기재와 수지 사이에서 박리가 발생하는 경우가 있었다.

따라서, 인쇄 배선판에서 내열충격성, 내리플로우성, 내균열성에 추가로, 미세 배선 형성성을 향상시키기 위해서, 섬유 기재에 폴리아미드이미드를 필수 성분으로 하는 수지 조성물을 함침한 프리프레그가 제안되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조). 또한, 실리콘 변성 폴리이미드 수지와 열경화성 수지를 포함하는 수지 조성물을 섬유 기재에 함침시킨 내열성의 기재가 제안되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 2 참조).

또한, 전자 기기의 소형화, 고성능화에 따른 보다 한정된 공간 내에 부품 실장이 실시된 인쇄 배선판을 수납하는 것이 필요해지고 있다. 이를 위해서는, 복수개의 인쇄 배선판을 다단으로 배치하고 서로를 와이어 하니스(wire harness)나 연질 배선판에 의해서 접속하는 방법이 취해지고 있다(예를 들면, 특허 문헌 3 참조). 또한, 폴리이미드를 기재로 하는 연질 기판과 종래의 경질 기판을 다층화한 경 질-플렉스 기판이 이용되는 경우도 있다(예를 들면, 특허 문헌 4 참조).

특허 문헌 1: 일본 특허 공개 제2003-55486호 공보

특허 문헌 2: 일본 특허 공개 (평)8-193139호 공보

특허 문헌 3: 일본 특허 공개 제2002-064271호 공보

특허 문헌 4: 일본 특허 공개 (평)6-302962호 공보

<발명이 해결하고자 하는 과제>

상기 종래의 인쇄 배선판에서는 인쇄 배선판을 와이어 하니스나 연질 배선판으로 접속하거나, 연질 기판과 경질 기판을 다층화하는 만큼 여분의 공간이 필요해지기 때문에, 어느 정도 이상의 고밀도화를 달성하는 것이 곤란하다.

따라서, 본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 전자 기기의 광체 내에 고밀도로 수납 가능한 인쇄 배선판을 제공하는 것을 목적으로 한다.

<과제를 해결하기 위한 수단>

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 인쇄 배선판은 굴곡성을 갖는 기재와, 이 기재의 적어도 1측에 형성된 도체를 구비하는 인쇄 배선판으로서, 굴곡되는 굴곡 영역, 및 굴곡되지 않는 비굴곡 영역을 갖고, 굴곡 영역에 형성된 도체의 두께는 1 내지 30 ㎛이고, 비굴곡 영역에 형성된 도체의 두께는 30 내지 150 ㎛인 것을 특징으로 한다.

여기서 굴곡되는 굴곡 영역이란, 인쇄 배선판을 수납할 때에 절곡되는 부분을 말한다. 한편, 굴곡되지 않는 비굴곡 영역이란, 인쇄 배선판을 수납할 때에 절곡되지 않는 부분이고, 예를 들면 의도하지 않게 절곡 방향으로 응력이 가해진 상태의 영역은 실질적으로는 굴곡되어 있지 않는 것으로 간주하여 비굴곡 영역에 해당한다.

이와 같이, 본 발명의 인쇄 배선판에서는 굴곡 부분의 도체의 두께를 1 내지 30 ㎛로 함과 동시에, 비굴곡 부분의 도체의 두께를 30 내지 150 ㎛로 함으로써, 일체의 인쇄 배선판 내에 연질인 부분과 경질인 부분을 모두 포함하는 구성으로 되어 있다. 이러한 구성을 갖는 인쇄 배선판은 연질의 부분에서 용이하게 굴곡시킬 수 있기 때문에, 전자 기기 내 등의 스페이스 내에 고밀도로 수납할 수 있다.

상기 본 발명의 인쇄 배선판에서는 비굴곡 영역에 형성된 도체의 두께는 굴곡 영역에 형성된 도체의 두께보다도 두껍게 되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 본 발명의 인쇄 배선판은 통상 강성이 높은 금속 등으로 이루어지는 도체의 두께를 변경하는 것만으로, 굴곡성의 인쇄 배선판에서 용이하게 비굴곡성의 부위를 가질 수 있다. 이 때문에, 경질 배선판과 연질 배선판을 조합하는 종래의 경질-연질 배선판에 비하여 구조가 간단해진다. 또한, 강성이 높은 금속에 의해 경질성을 발현하기 때문에, 종래의 경질-연질 배선판에 비하여 박형화가 가능해진다. 그 결과, 전자 기기 등의 내부에 수납할 때에, 한정된 공간 내에 효율적으로 수납할 수 있다.

즉, 상기 본 발명의 인쇄 배선판은 굴곡성을 갖는 기재와, 이 기재 상에 형성된 도체를 구비하는 인쇄 배선판으로서, 굴곡되는 굴곡 영역, 및 실질적으로 굴곡되지 않는 비굴곡 영역을 갖고, 굴곡 영역에 형성된 도체의 두께는 비굴곡 영역에 형성된 도체의 두께보다도 작은 것을 특징으로 하는 것이다.

본 발명의 인쇄 배선판에서 굴곡 영역에 형성된 도체의 두께는 비굴곡 영역에 형성된 상기 도체의 두께의 6 내지 60 ％인 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 굴곡 영역이 양호한 굴곡성을 가지면서 비굴곡 영역이 양호한 강성을 유지할 수 있게 된다. 그 결과, 인쇄 배선판의 신뢰성이 향상된다.

보다 구체적으로는, 굴곡 영역에 형성된 도체는 에칭에 의해 두께를 1 내지 30 ㎛로 한 것이 바람직하다. 또한, 비굴곡 영역에 형성된 도체는 도금에 의해 두께를 30 내지 150 ㎛로 한 것이 바람직하다. 이들에 의해 굴곡 영역 및 비굴곡 영역의 도체가 각각 바람직한 두께로 양호하게 제조된 것이 되고, 이들 영역이 각각 원하는 굴곡성 및 강성을 갖기 쉬워진다.

또한, 상기 본 발명의 인쇄 배선판에서 기재는 섬유 기재를 포함하고, 또한 섬유 기재가 두께 50 ㎛ 이하인 유리 크로스인 것이 바람직하다. 이러한 섬유 기재를 포함하는 기재는 박형임에도 불구하고 굴곡 부분에서 충분한 강도를 유지할 수 있을 뿐만 아니라, 우수한 치수 안정성도 갖게 된다. 따라서, 이러한 기재를 구비하는 인쇄 배선판은 박형이고, 굴곡 영역에서의 절곡이 용이하기 때문에, 고밀도로 수납하는 것이 한층 용이한 것이 된다.

또한, 기재는 열경화성 수지 조성물을 매트릭스로서 포함하는 것이면 보다 바람직하다. 특히, 열경화성 수지 조성물을 경화한 상태로 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 기재는 우수한 전기 절연성에 추가로 우수한 내열성을 갖게 된다.

열경화성 수지 조성물로는, 구체적으로는 글리시딜기를 갖는 수지, 아미드기를 갖는 수지 및 아크릴 수지 중 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 열경화성 수지 조성물을 포함하는 기재는 내열성, 전기 절연성 이외에, 기계적 강도나 가요성이 양호한 것이 되고, 인쇄 배선판의 강도나 유연성을 향상시킬 수 있다.

<발명의 효과>

본 발명에 의한 인쇄 배선판은 굴곡 영역과 비굴곡 영역에서 소정의 두께를 갖는 도체를 각각 가짐으로써 경질인 부분과 연질인 부분을 일체의 구조 중에 포함하기 때문에, 종래의 경질-연질 기판 등에 비하여 대폭적인 박형화가 가능한 것 이외에, 여분의 공간을 필요로 하지 않는다. 따라서, 전자 기기가 한정된 공간 내이어도 고밀도로 수납할 수 있다. 또한, 기재도 일체이기 때문에, 이 기재를 구성하는 수지 성분을 단일로 할 수 있고, 우수한 내열성, 기계적 강도 및 내충격성을 갖는 것이 될 수 있다. 또한, 기재 중에 섬유 기재를 포함하는 경우는 굴곡 영역에도 섬유 기재가 포함되는 것이 되고, 절곡 부분의 강도도 충분히 유지될 뿐만 아니라, 치수 안정성도 우수한 것이 된다.

<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>

이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해서 상세히 설명한다.

우선, 본 발명의 인쇄 배선판을 얻기 위한 바람직한 제조 방법에 대해서 설명한다. 인쇄 배선판은 섬유 기재, 및 유연성을 갖는 열경화성 수지 조성물을 포함하는 기재와, 이 기재의 양면에 적층된 소정의 두께를 갖는 동박으로 이루어지는 도체를 구비하는 동장 적층판을 이용하여 제조하는 것이 바람직하다. 또한, 이 동장 적층판을 가공하여 인쇄 배선판을 얻기 위해서는, 도체로부터 회로를 형성하는 공정에서, 인쇄 배선판의 굴곡되는 영역(굴곡 영역)에 형성된 도체를 에칭하는 방법이나, 인쇄 배선판의 굴곡되지 않는 영역(비굴곡 영역)에 형성된 도체에 도금을 실시하는 방법에 의해 양 영역에 형성된 도체를 각각 원하는 두께가 되도록 한다. 이하, 이들 에칭 및 도금의 방법을 각각 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다.

(굴곡 영역에 형성된 도체를 에칭하는 방법)

도 1은 굴곡 영역에 형성된 도체를 에칭하는 공정을 모식적으로 나타내는 공정 단면도이다. 우선, 도 1(a)에 도시한 바와 같이, 섬유 기재, 및 유연성을 갖는 열경화성 수지 조성물을 포함하는 기재 (1)과, 이 기재 (1)의 한쪽면에 적층된 두께 18 ㎛의 동박 (2)와, 기재 (1)의 다른 한쪽면에 적층된 두께 70 ㎛의 동박 (3)을 구비하는 동장 적층판 (30)을 준비한다.

이어서, 도 1(b)에 도시한 바와 같이, 동장 적층판 (30)에서의 동박 (2) 및 동박 (3)의 표면 상에 에칭 레지스트를 라미네이트한 후, 공지된 포토리소그래피 공정 등에 의해 소정의 형상을 갖는 에칭 레지스트 패턴 (4)를 형성한다. 이 때, 에칭 레지스트 패턴 (4)는 동박 (2) 및 (3)의 에칭 후에 원하는 회로 패턴이 얻어지는 형상으로 한다.

이에 따라, 공지된 구리 에칭 방법에 의해 에칭 레지스트 패턴 (4)가 형성되어 있지 않은 영역의 동박 (2) 및 (3)을 에칭하여, 도 1(c)에 도시한 바와 같이 동박 (2) 및 (3)을 소정의 패턴으로 가공한다. 이러한 에칭은 에칭 레지스트 패턴 (4)가 형성되어 있지 않은 영역의 동박 (2)(두께 18 ㎛)가 완전히 제거될 정도로 행한다. 이 경우, 두께 70 ㎛의 동박 (3)에서의 상기 영역은 완전히 에칭되지 않고 남게 된다.

계속해서, 도 1(d)에 도시한 바와 같이, 기재 (1)에서의 동박 (2)가 형성된 측에, 그 전체면이 덮이도록 에칭 레지스트 (5)를 라미네이트한다. 이 때, 동박 (2) 및 (3)의 표면 상에는, 에칭 레지스트 패턴 (4)가 형성된 그대로로 한다. 이에 따라, 동박 (3)에서의 에칭 레지스트 패턴 (4)가 형성되어 있지 않은 영역이 개구된 상태가 된다. 이 영역이 후술하는 바와 같이 인쇄 배선판 (40)으로 한 경우의 굴곡 영역 (36)이 된다.

그 후, 도 1(e)에 도시한 바와 같이, 상기한 바와 같이 개구된 부분의 동박 (3)을 추가로 에칭하고, 굴곡 영역이 되어야 하는 부분 (6)(연성 부여 부분)의 동박을 완전히 제거한다. 그 후, 모든 에칭 레지스트(에칭 레지스트 패턴 (4) 및 에칭 레지스트 (5))를 공지된 레지스트 박리 공정에 의해 제거한다. 이에 따라, 기재 (1)의 양표면 상에 굴곡 영역 (36)에 형성된 도체 (7), 및 비굴곡 영역 (46)에 형성된 도체 (8) 및 도체 (9)를 구비하는 도 1(f)에 도시한 인쇄 배선판 (40)을 얻는다.

이와 같이 하여 얻어진 인쇄 배선판 (40)은, 도체의 총 두께가 1 내지 30 ㎛인 굴곡 영역 (36), 및 도체의 총 두께가 30 내지 150 ㎛인 비굴곡 영역 (46)을 갖게 된다. 또한, 도체의 총 두께란, 두께 방향으로 복수개의 도체를 갖는 경우는 그 합계의 두께를 의미하고, 두께 방향으로 하나의 도체만을 갖는 경우는 그 도체만의 두께를 의미하는 것으로 한다. 따라서, 상기한 예에서는 굴곡 영역 (36)에 형성된 도체의 두께는 도체 (7)의 두께인 18 ㎛이고, 비굴곡 영역 (46)에 형성된 도체의 두께는 도체 (9)의 두께인 70 ㎛, 또는 도체 (8) 및 (9)의 합계 두께인 88 ㎛가 된다.

이상과 같이, 본 방법에서는 기재 상에 형성된 30 ㎛를 초과하는 총 두께를 갖는 도체를 소정의 형상으로 패터닝한 후, 이 패턴화된 도체 중 굴곡 영역이 되어야 하는 영역에 형성된 부분을 에칭함으로써, 굴곡 영역 및 비굴곡 영역에 형성된 도체가 각각 소정의 두께인 인쇄 배선판이 얻어진다.

또한, 상기한 방법에서는, 도박 (2), (3)을 패턴 가공한 후에 에칭을 행했지만, 이것으로 한정되지 않고, 동박 (2), (3)의 에칭 후에 패턴 가공을 행할 수도 있다. 또한, 상기한 방법에서는 기재 (1)의 양면에 형성된 동박 (2), (3) 중 동박 (3)을 에칭에 의해 완전히 제거하고, 원하는 두께를 갖는 한쪽의 동박 (2)만을 남김으로써, 굴곡 영역에서의 도체의 두께를 조정했지만, 예를 들면 동박 (2), (3)의 양쪽을 적절히 에칭함으로써, 굴곡 영역 부분의 도체의 총 두께가 원하는 범위 내가 되도록 조정할 수도 있다.

(비굴곡 영역에 형성된 도체에 도금하는 방법)

도 2는, 비굴곡 영역에 형성된 도체에 도금하는 공정을 모식적으로 나타내는 공정 단면도이다. 우선, 도 2(a)에 도시한 바와 같이, 섬유 기재, 및 유연성을 갖는 열경화성 수지 조성물을 포함하는 기재 (1)과, 이 기재 (1)의 양면에 적층된 두께 3 ㎛의 동박 (10)을 구비하는 동장 적층판 (50)을 준비한다.

이어서, 도 2(b)에 도시한 바와 같이, 동장 적층판 (50)에서의 한쌍의 동박 (10)의 양표면 상에 도금 레지스트를 형성한 후, 공지된 포토리소그래피 공정 등에 의해 소정의 형상을 갖는 도금 레지스트 패턴 (20)을 형성한다. 이 때, 도금 레지스트 패턴 (20)은 동박 (10)에 도금을 실시함으로써 원하는 회로 패턴이 얻어지는 형상으로 한다.

그 후, 도 2(c)에 도시한 바와 같이, 도금 레지스트 패턴 (20)이 형성된 동박 (10)에, 전기 도금에 의해 소정의 두께가 되도록 도금을 실시하고, 이에 따라 동박 (10)의 노출면 상에 도금 구리 (21)을 형성한다.

계속해서, 도 2(d)에 도시한 바와 같이, 도금 구리 (21)이 형성되고, 또한 도금 레지스트 패턴 (20)이 형성된 상태의 동장 적층판 (50)의 양면에 도금 레지스트를 더욱 라미네이트한 후, 후술하는 비굴곡 영역 (66)이 되어야 하는 부분 (22)(경질성 부여 부분)만이 개구되는 형상으로 패터닝을 행하고, 도금 레지스트 패턴 (24)를 형성한다.

그 후, 도 2(e)에 도시한 바와 같이, 도금 레지스트 패턴 (24)가 형성되어 있지 않은 도금 구리 (21)의 표면 상에, 전기 도금에 의해 도금 후 도체의 두께가 30 내지 150 ㎛가 되도록 도금을 행하여, 도금 구리 (23)을 더 형성한다. 그 후, 도 2(f)에 도시한 바와 같이, 모든 도금 레지스트(도금 레지스트 패턴 (20) 및 도금 레지스트 패턴 (24))를 공지된 레지스트 박리 공정에 의해 제거한다.

그 후, 도금 구리 (21) 및 도금 구리 (23)이 형성되어 있지 않은 부분의 동박 (10)을 에칭에 의해 제거한다. 이에 따라, 기재 (1)의 양표면 상에 굴곡 영역에 형성된 도체 (17), 및 비굴곡 영역에 형성된 도체 (18) 및 도체 (19)를 구비하는 도 2(f)에 도시한 인쇄 배선판 (60)을 얻는다.

이와 같이 하여 얻어진 인쇄 배선판 (60)은 도체의 총 두께(여기서는 도체 (17)의 두께)가 1 내지 30 ㎛인 굴곡 영역 (56), 및 도체의 총 두께(도체 (19)만의 두께, 또는 도체 (18) 및 (19)의 합계 두께)가 30 내지 150 ㎛인 비굴곡 영역 (66)을 갖게 된다.

이상과 같이, 본 방법에서는 기재 상에 형성된 도체 상에 소정의 패턴의 도금 구리를, 구리의 총 두께 30 mm 이하를 갖도록 형성한 후, 이 패턴화된 도금 구리 중 비굴곡 영역이 되어야 하는 영역에 형성된 부분에 추가로 도금을 실시함으로써, 굴곡 영역 및 비굴곡 영역에 형성된 도체가 각각 소정의 두께인 인쇄 배선판이 얻어진다.

또한, 상기한 방법에서는, 기재 (1)에 대하여 한쪽측의 도체(동박 (10) 및 도금 구리 (21))의 상측만, 비굴곡 영역에서의 도체의 총 두께를 30 내지 150 ㎛로 하기 위한 도금을 실시했지만, 이것으로 한정되지 않고, 비굴곡 영역에 형성된 기재 (1)에 대하여 양측의 도체 상에 도금을 실시할 수도 있다. 또한, 상기 방법에서는, 패턴 형성용의 도금(도금 구리 (21)) 후에, 비굴곡 영역의 도체의 두께를 조정하기 위한 도금(도금 구리 (23))을 실시했지만, 예를 들면 먼저 비굴곡 영역의 두께 조정용의 도금을 행한 후 도금 후의 동박 (10)을 에칭하는 것 등에 의해서 도체의 패턴화를 행할 수도 있다.

이상, 바람직한 인쇄 배선판의 제조 방법으로서, 굴곡 영역의 도체를 에칭하는 방법, 및 비굴곡 영역의 도체에 도금을 실시하는 방법을 각각 별도로 설명했지만, 이들 방법은 인쇄 배선판의 제조에서 양자를 행할 수도 있다. 즉, 하나의 인쇄 배선판을 제조할 때에, 굴곡 영역의 도체를 에칭함과 동시에, 비굴곡 영역의 도체에 도금을 실시할 수도 있다. 이와 같이 하면, 동장 적층판이 처음에 갖고 있는 동박 등의 두께에 관계없이 굴곡 영역 및 비굴곡 영역의 도체를 원하는 두께로 할 수 있다.

이어서, 인쇄 배선판의 바람직한 구성에 대해서 상세히 설명한다. 이하, 도 1(f)에 도시한 인쇄 배선판 (40)을 예로 들어 설명을 행하지만, 각 구성은 본 발명의 인쇄 배선판에 제한없이 적용할 수 있다.

도시한 바와 같이, 인쇄 배선판 (40)은 기재 (1)의 한쪽면 상에, 굴곡 영역 (36)에 형성된 도체 (7) 및 비굴곡 영역 (46)에 형성된 도체 (8)을 갖고, 다른 한쪽면 상에 비굴곡 영역에 형성된 도체 (9)를 갖는 구성으로 되어 있다. 상술한 바와 같이, 이 인쇄 배선판 (40)에서 굴곡 영역 (36)에 형성된 도체의 총 두께(도체 (7)의 두께)는 1 내지 30 ㎛이고, 비굴곡 영역 (46)에 형성된 도체의 총 두께(도체 (9)의 두께 또는 도체 (8) 및 (9)의 합계 두께)는 30 내지 150 ㎛가 되어 있다.

이와 같이 인쇄 배선판 (40)에서는, 굴곡 영역 (36) 및 비굴곡 영역 (46)에 형성되어 있는 도체가 각각 상기한 범위의 총 두께를 가짐으로써, 굴곡 영역 (36)에서의 절곡이 용이해짐과 동시에, 비굴곡 영역 (46)이 충분한 강성을 유지할 수 있다. 따라서, 이러한 인쇄 배선판 (40)은 전자 기기 등의 한정된 공간 내에서도 절곡에 의해 고밀도로 수납할 수 있다. 특히, 이 인쇄 배선판 (40)은 일체의 것이기 때문에, 종래와 같은 기판간의 접속이나 다층화가 필요없고, 그만큼 종래에 비하여 대폭적인 고밀도화가 가능해지는 것 이외에, 우수한 신뢰성도 갖게 된다.

상술한 바와 같은 효과를 보다 양호하게 얻는 관점에서는, 인쇄 배선판 (40)에서 굴곡 영역 (36)에 형성된 도체의 총 두께는 3 내지 25 ㎛인 것이 바람직하고, 8 내지 20 ㎛인 것이 보다 바람직하다. 또한, 비굴곡 영역 (46)에 형성된 도체의 총 두께는 60 내지 120 ㎛인 것이 바람직하고, 70 내지 100 ㎛인 것이 보다 바람직하다. 이와 같이, 굴곡 영역 (36)에 형성된 도체의 총 두께는 비굴곡 영역 (46)에 형성된 도체의 총 두께보다도 작은 것이 바람직하다. 구체적으로는, 전자가 후자의 6 내지 60 ％인 것이 바람직하고, 10 내지 30 ％인 것이 보다 바람직하다.

인쇄 배선판 (40)에서의 기재 (1)은, 상술한 바와 같은 섬유 기재, 및 유연성을 갖는 열경화성 수지 조성물을 포함하는 것으로 한정되지 않고, 굴곡성을 가지며, 도체의 적층이 가능한 것이면 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 예를 들면, 폴리이미드 필름이나 아라미드 필름 등을 적용할 수도 있다. 단, 우수한 유연성 및 강도를 얻는 관점에서는 기재는 섬유 기재를 포함하는 것이 바람직하다.

섬유 기재로는, 금속박장 적층판이나 다층 인쇄 배선판을 제조할 때에 이용되는 것이면 특별히 제한없이 적용할 수 있고, 예를 들면 직포나 부직포 등의 섬유 기재가 바람직하다. 이 섬유 기재의 재질로는 유리, 알루미나, 붕소, 실리카 알루미나 유리, 실리카 유리, 티탄, 탄화규소, 질화규소, 지르코니아 등의 무기 섬유나, 아라미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 카본, 셀룰로오스 등의 유기 섬유 등, 또는 이들의 혼초(混抄)계를 들 수 있다. 그 중에서도, 유리 섬유의 직포가 바람직하다.

특히, 기재 (1)을 형성하기 위한 재료로서 프리프레그를 이용하는 경우, 이 프리프레그에 사용되는 기재로는 50 ㎛ 이하의 두께를 갖는 유리 크로스가 특히 바람직하다. 이러한 두께가 50 ㎛ 이하인 유리 크로스를 이용함으로써, 굴곡성을 갖고, 임의로 절곡 가능한 인쇄 배선판을 얻는 것이 용이해진다. 또한, 제조 공정에서의 온도 변화나 흡습 등에 따른 치수 변화를 작게 하는 것도 가능해진다.

기재 (1)은, 섬유 기재에 가요성이 풍부한 절연성 수지를 포함하는 것이면 보다 바람직하다. 즉, 절연성 수지 중에 섬유 기재가 배치된 구조를 가지면 바람직하다. 절연성 수지로는 열경화성 수지 조성물을 포함하는 것이 바람직하고, 구체적으로는 경화 상태의 열경화성 수지 조성물을 포함하는 것이 보다 바람직하다. 이 열경화성 수지 조성물 중 열경화성 수지로는, 예를 들면 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 비스말레이미드 수지, 트리아진-비스말레이미드 수지, 페놀 수지 등을 들 수 있다.

그 중에서도, 열경화성 수지 조성물에 포함되는 열경화성 수지로는 글리시딜기를 갖는 수지가 바람직하고, 말단에 글리시딜기를 갖는 수지가 보다 바람직하며, 에폭시 수지가 더욱 바람직하다. 에폭시 수지로는 비스페놀 A, 노볼락형 페놀 수지, 오르토크레졸노볼락형 페놀 수지 등의 다가 페놀 또는 1,4-부탄디올 등의 다가 알코올과, 에피클로로히드린을 반응시켜 얻어지는 폴리글리시딜에테르, 프탈산, 헥사히드로프탈산 등의 다염기산과 에피클로로히드린을 반응시켜 얻어지는 폴리글리시딜에스테르, 아민, 아미드 또는 복소환식 질소염기를 갖는 화합물의 N-글리시딜 유도체, 지환식 에폭시 수지 등을 들 수 있다.

이와 같이 열경화성 수지로서 에폭시 수지를 포함하면, 기재 (1)을 형성할 때에 180 ℃ 이하의 온도에서의 경화가 가능해지며, 기재 (1)의 열적, 기계적 및 전기적 특성이 양호해지는 경향이 있다.

특히, 열경화성 수지 조성물은 열경화성 수지로서 에폭시 수지를 포함하는 경우, 에폭시 수지의 경화제나 경화 촉진제를 더욱 포함하는 것이 보다 바람직하다. 예를 들면, 2개 이상의 글리시딜기를 갖는 에폭시 수지와 그 경화제, 2개 이상의 글리시딜기를 갖는 에폭시 수지와 경화 촉진제, 또는 2개 이상의 글리시딜기를 갖는 에폭시 수지, 경화제 및 경화 촉진제라는 조합으로 할 수 있다. 에폭시 수지가 갖는 글리시딜기의 수는 많을수록 좋고, 3개 이상인 것이 더욱 바람직하다. 글리시딜기의 수에 의해서 에폭시 수지의 바람직한 배합량은 다르고, 글리시딜기가 많을수록 배합량은 적을 수도 있다.

에폭시 수지의 경화제 및 경화 촉진제는 각각 에폭시 수지와 반응하여 경화시킬 수 있는 것 및 경화를 촉진시키는 것이면 특별히 제한없이 적용 가능하다. 예를 들면, 아민류, 이미다졸류, 다관능 페놀류, 산 무수물류 등을 들 수 있다. 아민류로는 디시안디아미드, 디아미노디페닐메탄, 구아닐 요소 등을 들 수 있다. 다관능 페놀류로는 히드로퀴논, 레조르시놀, 비스페놀 A 또는 이들 할로겐 화합물, 또는 포름알데히드와의 축합물인 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지 등을 예시할 수 있다. 산 무수물류로는 프탈산 무수물, 벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 메틸하이믹산 등을 들 수 있다. 또한, 경화 촉진제로는 이미다졸류로서 알킬기 치환 이미다졸, 벤조이미다졸 등을 사용할 수 있다.

열경화성 수지 조성물에서의 경화제 또는 경화 촉진제의 바람직한 함유량은 이하와 같다. 예를 들면, 아민류의 경우, 아민의 활성수소의 당량과, 에폭시 수지의 에폭시 당량이 거의 동등해지는 양이 바람직하다. 또한, 경화 촉진제인 이미다졸의 경우는 단순히 활성수소와의 당량비가 되지 않고, 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 0.001 내지 10 중량부 정도가 바람직하다. 또한, 다관능 페놀류나 산 무수물류의 경우, 에폭시 수지 1 당량에 대하여 페놀성 수산기나 카르복실기가 0.6 내지 1.2 당량이 되는 양이 바람직하다.

경화제나 경화 촉진제의 양이 적합량보다도 적으면, 경화 후에 미경화의 에폭시 수지가 남고, 경화 후의 열경화성 수지 조성물의 Tg(유리 전이 온도)가 낮아지는 경우가 있다. 한편, 지나치게 많으면, 경화 후에 미반응의 경화제나 경화 촉진제가 남고, 열경화성 수지 조성물의 절연성이 저하될 우려가 있다.

또한, 기재 (1)에서의 열경화성 수지 조성물에 포함되는 열경화성 수지로는 가요성이나 내열성의 향상을 목적으로서, 고분자량의 수지 성분이 포함되어 있을 수도 있다. 이러한 열경화성 수지로는 아미드기를 갖는 수지나 아크릴 수지 등을 들 수 있다.

우선, 아미드기를 갖는 수지로는 폴리아미드이미드 수지가 바람직하고, 실록산 구조를 포함하는 구조를 갖는 실록산 변성 폴리아미드이미드가 특히 바람직하다. 이 실록산 변성 폴리아미드이미드는 방향족환을 2개 이상 갖는 디아민(이하, "방향족 디아민"이라 함) 및 실록산디아민의 혼합물과 무수트리멜리트산을 반응시켜 얻어지는 디이미드디카르복실산을 포함하는 혼합물과, 방향족 디이소시아네이트를 반응시켜 얻어진 것이면 특히 바람직하다.

또한, 폴리아미드이미드 수지는 1 분자 중에 아미드기를 10개 이상 포함하는 폴리아미드이미드 분자를 70 몰％ 이상 포함하는 것이면 바람직하다. 이 폴리아미드이미드 분자의 함유량의 범위는, 예를 들면 폴리아미드이미드의 GPC에서 얻어지는 크로마토그램과, 별도로 구한 폴리아미드이미드의 단위 중량 중 아미드기의 mol수 (A)로부터 얻을 수 있다. 구체적으로는, 우선 폴리아미드이미드 (a) g 중에 포함되는 아미드기의 몰 수 (A)로부터, 10×a/A를 1 분자 중에 아미드기를 10개 포함하는 폴리아미드이미드의 분자량 (C)인 것으로 한다. 또한, GPC에서 얻어지는 크로마토그램의 수 평균 분자량이 C 이상이 되는 영역이 70 ％ 이상이 된 경우를, "1 분자 중에 아미드기를 10개 이상 포함하는 폴리아미드이미드 분자를 70 몰％ 이상 포함한다"라고 판단한다. 아미드기의 정량 방법으로는 NMR, IR, 히드록삼산-철정색 반응법, N-브로모아미드법 등을 이용할 수 있다.

실록산 구조를 포함하는 구조를 갖는 실록산 변성 폴리아미드이미드는 방향족 디아민 a와 실록산디아민 b와의 혼합 비율을, 바람직하게는 a/b=99.9/0.1 내지 0/100(몰비), 보다 바람직하게는 a/b=95/5 내지 30/70, 더욱 바람직하게는 a/b=90/10 내지 40/60으로서 얻어진 것이면 바람직하다. 실록산디아민 b의 혼합 비율이 많아지면 Tg가 저하되는 경향이 있다. 한편, 적어지면 프리프레그를 제조하는 경우에 수지 중에 잔존하는 바니시 용제량이 많아지는 경향이 있다.

방향족 디아민으로는, 예를 들면 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판(BAPP), 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]메탄, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]케톤, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 2,2'-디메틸비페닐-4,4'-디아민, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐-4,4'-디아민, 2,6,2',6'-테트라메틸-4,4'-디아민, 5,5'-디메틸-2,2'-술포닐-비페닐-4,4'-디아민, 3,3'-디히드록시비페닐-4,4'-디아민, (4,4'-디아미노)디페닐에테르, (4,4'-디아미노)디페닐술폰, (4,4'-디아미노)벤조페논, (3,3'-디아미노)벤조페논, (4,4'-디아미노)디페닐메탄, (4,4'-디아미노)디페닐에테르, (3,3'-디아미노)디페닐에테르 등을 예시할 수 있다.

또한, 실록산디아민으로는, 하기 화학식 3 내지 6으로 표시되는 것을 들 수 있다. 하기 화학식 중, n 및 m은 각각 1 내지 40의 정수를 나타낸다.

또한, 상기 화학식 3으로 표시되는 실록산디아민으로는 X-22-161AS(아민 당량 450), X-22-161A(아민 당량 840), X-22-161B(아민 당량 1500)(이상, 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤제), BY16-853(아민 당량 650), BY16-853B(아민 당량 2200)(이상, 도레이 다우코닝 실리콘 가부시끼가이샤제) 등을 예시할 수 있다. 또한, 상기 화학식 6으로 표시되는 실록산디아민으로는 X-22-9409(아민 당량 700), X-22-1660B-3(아민 당량 2200)(이상, 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤제) 등을 예시할 수 있다.

실록산 변성 폴리아미드이미드의 제조에서는, 디아민 성분으로서 상기 방향족 디아민의 일부를 지방족 디아민으로 대체할 수도 있다. 이러한 지방족 디아민으로는, 하기 화학식 7로 표시되는 화합물을 들 수 있다.

식 중, X는 메틸렌기, 술포닐기, 에테르기, 카르보닐기 또는 단결합, R¹ 및 R²는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 페닐기 또는 치환 페닐기를 나타내고, p는 1 내지 50의 정수이다. 그 중에서도, R¹ 및 R²로는 수소 원자, 탄소수가 1 내지 3인 알킬기, 페닐기, 치환 페닐기가 바람직하다. 치환 페닐기에 결합할 수도 있는 치환기로는 탄소수 1 내지 3의 알킬기, 할로겐 원자 등을 예시할 수 있다.

지방족 디아민으로는, 저탄성률 및 고Tg를 양립하는 관점에서, 상기 화학식 7에서의 X가 에테르기인 것이 특히 바람직하다. 이러한 지방족 디아민으로는 제파민 D-400(아민 당량 400), 제파민 D-2000(아민 당량 1000) 등을 예시할 수 있다.

또한, 실록산 변성 폴리아미드이미드는 상술한 실록산디아민 및 방향족 디아민(바람직하게는 일부가 지방족 디아민)을 포함하는 혼합물과 무수트리멜리트산을 반응시켜 얻어지는 디이미드디카르복실산과, 디이소시아네이트를 반응시킴으로써 얻어진다. 이러한 반응에 이용하는 디이소시아네이트로는 하기 화학식 8로 표시되는 화합물을 들 수 있다.

식 중, D는 하나 이상의 방향환을 갖는 2가의 유기기 또는 2가의 지방족 탄화수소기이다. 예를 들면, -C₆H₄-CH₂-C₆H₄-로 표시되는 기, 톨릴렌기, 나프틸렌기, 헥사메틸렌기, 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌기 및 이소포론기로 이루어지는 군에서 선택되는 1개 이상의 기인 것이 바람직하다.

이와 같이 디이소시아네이트로는 D가 방향환을 갖는 유기기인 방향족 디이소시아네이트와, D가 지방족 탄화수소기인 지방족 디이소시아네이트를 모두 들 수 있다. 이들 중에서는, 디이소시아네이트로는 방향족 디이소시아네이트가 바람직하고, 양자를 병용하는 것이 보다 바람직하다.

방향족 디이소시아네이트로는 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트(MDI), 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 나프탈렌-1,5-디이소시아네이트, 2,4-톨릴렌다이머 등을 예시할 수 있다. 그 중에서도, MDI가 바람직하다. 방향족 디이소시아네이트로서 MDI를 이용함으로써, 얻어지는 폴리아미드이미드의 가요성을 향상시킬 수 있다.

또한, 지방족 디이소시아네이트로는 헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등을 예시할 수 있다.

상기한 바와 같이 방향족 디이소시아네이트와 지방족 디이소시아네이트를 병 용하는 경우는, 지방족 디이소시아네이트를 방향족 디이소시아네이트에 대하여 5 내지 10 몰％ 정도 첨가하는 것이 바람직하다. 이와 같이 병용함으로써, 폴리아미드이미드의 내열성이 더욱 향상되는 경향이 있다.

기재 (1)에 이용하는 열경화성 수지 조성물에 포함되는 열경화성 수지로는, 상술한 글리시딜기를 갖는 수지 및 아미드기를 갖는 수지 이외에, 아크릴 수지도 적용할 수 있다. 이 아크릴 수지로는 아크릴산 단량체, 메타크릴산 단량체, 아크릴로니트릴, 글리시딜기를 갖는 아크릴 단량체 등의 중합물이나, 이들 단량체를 복수개 공중합한 공중합물을 들 수 있다. 아크릴 수지의 분자량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 표준 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량으로, 바람직하게는 30만 내지 100만, 보다 바람직하게는 40만 내지 80만이다.

기재 (1)의 열경화성 수지 조성물 중에는, 상술한 수지 성분에 추가로 난연제가 더욱 포함되어 있을 수도 있다. 난연제를 포함함으로써, 기재 (1)의 난연성이 향상된다. 예를 들면, 첨가형의 난연제로서 인을 함유하는 충전재가 바람직하다. 인 함유 충전재로는 OP930(클라리안트사 제조 상품명, 인 함유량 23.5 중량％), HCA-HQ(산코 가부시끼가이샤제 상품명, 인 함유량 9.6 중량％), 폴리인산멜라민 (PMP-100(인 함유량 13.8 중량％), PMP-200(인 함유량 9.3 중량％), PMP-300(인 함유량 9.8 중량％), 이상 닛산 가가꾸 가부시끼가이샤제 상품명) 등을 들 수 있다.

인쇄 배선판 (40)에서 도체 (7), (8) 및 (9)는 이 인쇄 배선판 (40)의 제조에 이용한 동장 적층판 (30)의 동박 (2), (3)으로부터 형성된 것이다. 도체 (7), (8) 및 (9)의 재료로는, 상기 예에서 예시된 동박 이외에 알루미늄박이 일반적으로 이용되지만, 통상 금속장 적층판 등에 이용되는 두께 5 내지 200 ㎛ 정도의 금속박이면 특별히 제한되지 않는다. 또한, 단독의 금속박 이외에, 니켈, 니켈-인, 니켈-주석 합금, 니켈-철 합금, 납, 납-주석 합금 등을 중간층으로 하고, 이 양면에 0.5 내지 15 ㎛의 구리층 및 10 내지 300 ㎛의 구리층을 설치한 3층 구조의 복합박이나, 알루미늄과 동박을 복합한 2층 구조의 복합박을 이용할 수도 있다.

기재 (1)을 구성하는 절연판, 적층판이나, 인쇄 배선판 (40)의 제조에 이용하는 동장 적층판 (30) 등의 금속장 적층판은, 예를 들면 이하와 같이 하여 제조할 수 있다. 즉, 우선 섬유 기재에 상술한 열경화성 수지 조성물을 함침시키고, 이 열경화성 수지 조성물을 반경화한 프리프레그를 준비한다. 이어서, 이 프리프레그나 이것을 복수매 적층한 적층체의 한쪽면 또는 양면에 동박 (2), (3) 등의 금속박을 중첩한다. 그 후, 얻어진 적층체를 바람직하게는 150 내지 280 ℃, 보다 바람직하게는 180 ℃ 내지 250 ℃의 범위의 온도, 바람직하게는 0.5 내지 20 MPa, 보다 바람직하게는 1 내지 8 MPa의 압력으로 가열 가압 성형한다. 이에 따라, 상술한 프리프레그나 그 적층체로부터 기재 (1)에 해당하는 절연판 또는 적층체가 얻어지고, 또한 이 기재 (1)의 양면에 동박 (2), (3)이 적층된 동장 적층판 (30)(금속장 적층판)이 얻어진다.

이상, 바람직한 인쇄 배선판의 구성에 대해서 설명했지만, 본 발명의 인쇄 배선판은 상술한 바와 같은 단층의 것으로 한정되지 않고, 단층의 인쇄 배선판을 복수개 적층한 다층 배선판일 수도 있다. 예를 들면, 상술한 바와 같은 프리프레 그를, 별도로 제조한 인쇄 배선판과 동박 등과의 사이에 끼워 적층하고, 추가로 동박을 외층 회로가 되도록 가공한 다층 배선판을 들 수 있다. 이 다층 배선판에서 내층 회로(인쇄 배선판에서의 도체)와 외층 회로와의 층간 접속은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면 프리프레그에 층간 접속용 구멍을 레이저 등에 의해 설치하고, 이것에 도금을 실시하거나 도전 페이스트를 충전하는 방법이나, 내층 회로상에 미리 설치한 접속용 범프를 이용하는 방법 등을 들 수 있다.

또한, 다층 배선판으로는 상술한 프리프레그를 별도 제조한 복수개의 인쇄 배선판 사이에 끼워서 적층한 것도 들 수 있다. 이 경우, 각 층의 회로(인쇄 배선판의 도체)끼리 층간 접속하는 방법으로는, 예를 들면 프리프레그에 레이저 등에 의해 미리 설치된 층간 접속용 구멍에 도전 페이스트를 충전하는 방법이나, 내층 회로 상에 미리 설치한 접속용 범프를 이용하는 방법 등을 들 수 있다.

이들 다층 배선판에서도, 상술한 바와 같은 인쇄 배선판과 마찬가지로 굴곡 영역에 형성된 도체의 총 두께를 1 내지 30 ㎛로 하고, 비굴곡 영역에 형성된 도체의 총 두께를 30 내지 150 ㎛로 함으로써, 굴곡 영역에서의 절곡이 용이해짐과 동시에, 비굴곡 영역의 강성이 양호하게 유지된다. 그 결과, 이 다층 배선판도 전자 기기 내에 절곡에 의해 고밀도로 수납할 수 있다. 또한, 다층 배선판으로는 모든 영역에 걸쳐 동일한 수의 인쇄 배선판이 적층되어 있을 필요는 없다. 예를 들면, 굴곡 영역에서의 도체의 총 두께를 확실하게 1 내지 30 ㎛의 범위 내로 하기 위해서, 굴곡 영역을 단일한 층으로 하고, 비굴곡 영역만을 다층화한 구성으로 할 수도 있다.

이하, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명이 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.

(실시예 1)

우선, 두께 0.019 mm의 유리포(아사히 슈에벨 가부시끼가이샤제 1027)를 포함하는 두께 50 ㎛의 이미드계 프리프레그(히다치 가세이 고교 가부시끼가이샤제)를 준비하였다. 이어서, 이 프리프레그의 한쪽면에 두께 18 ㎛의 동박(F2-WS-18, 후루카와 사킷 호일 가부시끼가이샤제)을 이것과 반대측의 면에 두께 70 ㎛의 동박(SLP-70 닛본 덴까이 가부시끼가이샤제)을 각각 접착면이 프리프레그와 합쳐지도록 하여 중첩하였다. 그 후, 이것을 230 ℃, 90 분, 4.0 MPa의 프레스 조건으로 프레스하고, 이에 따라 양면 동장 적층판을 얻었다.

이 양면 동장 적층판의 양측에 에칭 레지스트로서 MIT-225(닛본 고세이 모톤 가부시끼가이샤제, 두께 25 ㎛)를 라미네이트하고, 종래의 포토리소그래피 공정에 의해 소정의 패턴이 되도록 가공하였다. 그에 따라, 염화 제2철계의 구리 에칭액에 의해 동박의 에칭을 행하였다. 이 에칭은 18 ㎛의 동박측의 에칭에 의한 패턴 형성이 가능한 시점에서 종료하고, 수세, 건조를 행하였다.

그 후, 추가로 기재의 양측에 MIT-235를 라미네이트한 후, 한쪽면(18 ㎛ 동박측)은 전체면 노광함과 동시에, 다른 쪽의 면(70 ㎛ 동박측)은 절곡을 필요로 하는 부분만이 개구되도록 노광하여, 각각 레지스트 패턴을 형성하였다. 그에 따라, 개구 부분에 노출된 동박(잔동) 부분의 에칭을 행하고, 이 부분(굴곡이 필요한 부 분)의 구리가 없어질 때까지 에칭을 행하였다.

그 후, 에칭의 완료 후, 모든 에칭 레지스트를 제거함으로써 양면 인쇄 배선판을 얻었다. 이와 같이 하여, 굴곡 영역(연질 부분)에 두께 18 ㎛의 도체(회로)를 갖고, 비굴곡 영역(경질 부분)에 상기 회로, 및 그 반대측의 면에 형성된 두께 70 ㎛의 도체(솔리드 구리)를 갖는 인쇄 배선판을 얻었다.

(실시예 2)

우선, 두께 0.028 mm의 유리포(아사히 슈에벨 가부시끼가이샤제 1037)를 포함하는 두께 50 ㎛의 아크릴에폭시계 프리프레그(히다치 가세이 고교 가부시끼가이샤제)를 준비하였다. 이어서, 이 프리프레그의 양측에 두께 3 ㎛의 동박(마이크로신, 미쓰이 긴조꾸 가부시끼가이샤제)을 접착면이 프리프레그와 합쳐지도록 하여 중첩하였다. 그 후, 이것을 180 ℃, 90 분, 4.0 MPa의 프레스 조건으로 프레스하고, 이에 따라 양면 동장 적층판을 얻었다.

이 양면 동장 적층판의 양측에 도금 레지스트로서 MIT-235(닛본 고세이 모톤 가부시끼가이샤제, 두께 35 ㎛)를 라미네이트하고, 종래의 포토리소그래피 공정에 의해 소정의 패턴이 되도록 가공하였다. 그 후, 황산 구리 전기 도금에 의해 양면에 16 ㎛의 구리를 도금하였다.

그 후, 도금 후의 양면 동장 적층판의 양측에, 추가로 MIT-235를 라미네이트한 후, 한쪽면은 전체면 노광함과 동시에, 다른 쪽의 면은 굴곡을 필요로 하지 않는 부분(솔리드 패턴 부분)이 개구되도록 노광하여, 각각 레지스트 패턴을 형성하였다. 계속해서, 개구 부분에 노출된 도금 구리에 대하여 전기 도금을 더욱 행하 고, 이 부분(굴곡이 필요없는 부분)의 도체 두께가 70 ㎛가 되도록 하였다.

이러한 도금의 완료 후, 모든 도금 레지스트를 제거하고, 추가로 황산/과산가 수소계 에칭액에 의해 두께 3 ㎛의 동박을 에칭하여 도체 패턴을 형성하고, 이에 따라 양면 인쇄 배선판을 얻었다. 이와 같이 해서, 굴곡 영역(연질 부분)에 두께 18 ㎛의 도체(회로)를 갖고, 비굴곡 영역(경질 부분)에 한쪽에 18 ㎛의 도체(회로)를 가짐과 동시에, 이것과 반대측의 면에도 70 ㎛의 도체(솔리드 구리)를 갖는 인쇄 배선판을 얻었다.

(비교예 1)

우선, 두께 0.019 mm의 유리포(아사히 슈에벨 가부시끼가이샤제 1027)를 포함하는, 두께 50 ㎛의 이미드계 프리프레그(히다치 가세이 고교(주)제조)를 준비하였다. 이어서, 이 프리프레그의 양측에 두께 35 ㎛의 동박(GTS-35, 후루카와 사킷 호일(주) 제조)을 접착면이 프리프레그와 합쳐지도록 하여 중첩하였다. 그 후, 이것을 230 ℃, 90 분, 4.0 MPa의 프레스 조건으로 프레스하고, 이에 따라 양면 동장 적층판을 제조하였다.

이 양면 동장 적층판의 양측에 에칭 레지스트로서 MIT-225(닛본 고세이 모톤(주) 제조, 두께 25 ㎛)를 라미네이트하고, 종래의 포토리소그래피 공정에 의해 한쪽면이 소정의 패턴이 됨과 동시에, 다른 한쪽면이 굴곡 부분을 제외하고 전체면을 덮는 패턴이 되도록 가공하였다.

그 후 염화 제2철계의 구리 에칭액에 의해 동박의 에칭을 행하였다. 이 에칭은 소정의 패턴을 형성한 레지스트를 갖는 면과 굴곡 부분을 노출시킨 반대면의 35 ㎛ 동박이 가능한 시점에서 종료하고, 수세, 건조를 행하였다.

그 후, 에칭의 완료 후, 모든 에칭 레지스트를 제거함으로써 양면 인쇄 배선판을 얻었다. 이와 같이 해서 굴곡 영역(연질 부분)에 35 ㎛의 도체(회로)를 갖고, 비굴곡 영역(경질 부분)에 35 ㎛의 회로 및 그 반대면에 형성된 두께 35 ㎛의 도체(솔리드 구리)의 총 두께 70 ㎛의 도체를 갖는 인쇄 배선판을 얻었다.

(절곡 시험)

실시예 1 및 2에서 얻어진 인쇄 배선판에 대해서, 각각 절곡 시험을 행하였다. 그 결과, 어느 인쇄 배선판도 연질 부분에서 임의로 절곡될 수 있었다. 구체적으로는, 곡률 반경 0.5 mm의 핀을 따라서 180도 절곡되는 것이 가능하였다. 또한, 절곡된 배선판을 재차 개방하여 본 바, 절곡 부분에는 균열 등의 외관 이상은 보이지 않았다.

한편, 비교예 1의 인쇄 배선판의 굴곡 부분을 상기와 마찬가지로 하여 곡률 반경 0.5 mm의 핀을 따라서 180도 절곡된 후, 굴곡부를 개방하여 보면, 굴곡 부분이 백화하고 기재와 동박 사이에 균열이 생긴 것이 확인되었다.

[도 1] 굴곡 영역에 형성된 도체를 에칭하는 공정을 모식적으로 나타내는 공정 단면도이다.

[도 2] 비굴곡 영역에 형성된 도체에 도금하는 공정을 모식적으로 나타내는 공정 단면도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명>

1: 기재

2,3: 동박

4: 에칭 레지스트 패턴

5: 에칭 레지스트

6: 굴곡 영역이 되어야 하는 부분

7, 8, 9: 도체

10: 동박

17, 18, 19: 도체

20: 도금 레지스트 패턴

21: 도금 구리

22: 비굴곡 영역이 되어야 하는 부분

23: 도금 구리

24: 도금 레지스트 패턴

30: 동장 적층판

36: 굴곡 영역

40: 인쇄 배선판

46: 비굴곡 영역

56: 굴곡 영역

60: 인쇄 배선판

66: 비굴곡 영역

Claims

굴곡성을 갖는 기재와, 이 기재의 적어도 1측에 형성된 도체를 구비하며,

굴곡되는 굴곡 영역 및 굴곡되지 않는 비굴곡 영역을 갖고,

상기 굴곡 영역에 형성된 상기 도체의 두께는 1 내지 30 ㎛이며, 상기 비굴곡 영역에 형성된 상기 도체의 두께는 30 내지 150 ㎛인 인쇄 배선판.
제1항에 있어서, 상기 비굴곡 영역에 형성된 상기 도체의 두께는 상기 굴곡 영역에 형성된 상기 도체의 두께보다도 큰 인쇄 배선판.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 굴곡 영역에 형성된 상기 도체의 두께는 상기 비굴곡 영역에 형성된 상기 도체의 두께의 6 내지 60 ％인 인쇄 배선판.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 굴곡 영역에 형성된 도체를 에칭에 의해 두께 1 내지 30 ㎛로 한 인쇄 배선판.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 비굴곡 영역에 형성된 도체를 도금에 의해 두께 30 내지 150 ㎛로 한 인쇄 배선판.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기재는 섬유 기재를 포함하 며, 상기 섬유 기재는 두께 50 ㎛ 이하의 유리 크로스인 인쇄 배선판.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기재는 열경화성 수지 조성물을 포함하는 인쇄 배선판.
제7항에 있어서, 상기 열경화성 수지 조성물은 글리시딜기를 갖는 수지를 포함하는 인쇄 배선판.
제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 열경화성 수지 조성물은 아미드기를 갖는 수지를 포함하는 인쇄 배선판.
제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열경화성 수지 조성물은 아크릴 수지를 포함하는 인쇄 배선판.