JPS5825057A - 質量分析装置 - Google Patents
質量分析装置Info
- Publication number
- JPS5825057A JPS5825057A JP56111147A JP11114781A JPS5825057A JP S5825057 A JPS5825057 A JP S5825057A JP 56111147 A JP56111147 A JP 56111147A JP 11114781 A JP11114781 A JP 11114781A JP S5825057 A JPS5825057 A JP S5825057A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mass
- electric field
- field
- mass spectrometer
- ions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/26—Mass spectrometers or separator tubes
- H01J49/28—Static spectrometers
- H01J49/32—Static spectrometers using double focusing
- H01J49/326—Static spectrometers using double focusing with magnetic and electrostatic sectors of 90 degrees
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は摘要−離スベクトル法〔以下ＣＩＤ（Ｃｏｇｌ
ｓｉｏａ ｌ５ｄｕｃｅｄ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ
）法と称する〕あるいはメタステーブルイオンスペク
トルｖ＆Ｃ以下Ｍ Ｉ （ ＭｅｔａａｔａＭｓ Ｉｏ
ｎ ）法と称する）を行うための質量分析装置に関する
。
ｓｉｏａ ｌ５ｄｕｃｅｄ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ
）法と称する〕あるいはメタステーブルイオンスペク
トルｖ＆Ｃ以下Ｍ Ｉ （ ＭｅｔａａｔａＭｓ Ｉｏ
ｎ ）法と称する）を行うための質量分析装置に関する
。
Ｃ Ｉ ＤｔＣは試料イオンをイオン通路上に配置した
衝突室内で中性分子と摘要させることにより解離さ皆、
生じ？：＃Ｉイオンのスペクトルを取得するもの、又Ｍ
Ｉ法は摘要解離させずに試料イオン自身の単分子分解反
応によって生ずる娘イオンのスペクトルを取得するもの
であり、何れも有機化合物の構造解析あるいはフラグメ
ンテーシヨンの研究に有力な方法として発展して来たＯ ｇｔ図はＣＩＤ法及びＭＩ法を実施「るための代表的な
２つの懺置例を示す。何れも二重収束質量分析針を用い
たものであり、１はイオン源、２は電場，墨は磁場．４
はイオンコレクタ、５は衝突室である。−）は質量分析
針を通常の逆配置即ら磁場−電場の願で用い、磁場と電
場の間に衝突室を設けるもの°であり、に）は質１分析
針を正常配置で用い、衝突室をイオン源と電場の間に設
けるものである０２つの装置とも摘要＃１１５に摘要用
のガス岡えばＨｅを供給した状態でＣＩＤ法を、又供給
しない状態でＭＩ法を夫々行うことができる。
衝突室内で中性分子と摘要させることにより解離さ皆、
生じ？：＃Ｉイオンのスペクトルを取得するもの、又Ｍ
Ｉ法は摘要解離させずに試料イオン自身の単分子分解反
応によって生ずる娘イオンのスペクトルを取得するもの
であり、何れも有機化合物の構造解析あるいはフラグメ
ンテーシヨンの研究に有力な方法として発展して来たＯ ｇｔ図はＣＩＤ法及びＭＩ法を実施「るための代表的な
２つの懺置例を示す。何れも二重収束質量分析針を用い
たものであり、１はイオン源、２は電場，墨は磁場．４
はイオンコレクタ、５は衝突室である。−）は質量分析
針を通常の逆配置即ら磁場−電場の願で用い、磁場と電
場の間に衝突室を設けるもの°であり、に）は質１分析
針を正常配置で用い、衝突室をイオン源と電場の間に設
けるものである０２つの装置とも摘要＃１１５に摘要用
のガス岡えばＨｅを供給した状態でＣＩＤ法を、又供給
しない状態でＭＩ法を夫々行うことができる。
−）の装置では電場２を用いるため娘イオンの這―エネ
ルギーを精度嵐（一定することができるが、イオンの解
離の際内部エネルギーの一部が這−エネルギーとして放
出されたりするため這−エネルギーに広がりがあり、そ
のため娘イオンの買置分解能が十分でない，という欠点
がある。一方（叫の懺置では質量分析針の二重収束特性
は保持されるので高い質量分解能が得られるが、逆にそ
の二重収束特性のため電場を通り抜けたあるエネルギー
幅のイオンがすべてコレクタに収束してしまうので、娘
イオンのエネルギーについては測定精度が極めて墨いと
いう欠点があり、畳するにどちらの装置も一長一短かあ
って質量分解能とエネルギーの一定精度の両方共満足で
きる様な装置は実現されていない。
ルギーを精度嵐（一定することができるが、イオンの解
離の際内部エネルギーの一部が這−エネルギーとして放
出されたりするため這−エネルギーに広がりがあり、そ
のため娘イオンの買置分解能が十分でない，という欠点
がある。一方（叫の懺置では質量分析針の二重収束特性
は保持されるので高い質量分解能が得られるが、逆にそ
の二重収束特性のため電場を通り抜けたあるエネルギー
幅のイオンがすべてコレクタに収束してしまうので、娘
イオンのエネルギーについては測定精度が極めて墨いと
いう欠点があり、畳するにどちらの装置も一長一短かあ
って質量分解能とエネルギーの一定精度の両方共満足で
きる様な装置は実現されていない。
本発明はこの点に鑑みてなされたものであり、衝突室に
続けて電場と磁場が重畳された所鵡重畳場を有する質を
分析針を設けることにより、質量とエネルギーを共に稍
直良（測定することのできる質量分析装置を提供するも
のである〇第２図は本発明の一実施鉤を示す構成図、菖
３図はそのムーム断−図である。第２図においてイオン
源１．電場２＃磁場６は正常配置の二重収束質Ｉ！分析
針を構成し、咳分析針によるイオン収束点位置に傭央皇
５が配置されている。モして骸摘要１１５とコレクタ４
との間に重畳場質を分析針を配置することが本発明の特
徴である０鎮重畳場質量分析針は紙面に垂直な方向の磁
場を作成するための磁極６ 、６’Ｊび鋏確極を励磁す
るための磁場電源７、磁場と直交する方向のトロイダル
電場を作成するための１対の電＠ａ、ａ’Ａび鎮電極間
に印加する電圧（電場電圧）を発生するための電場電源
９、上記トロイダル電場をはさむ嫌に磁極６゜６間に設
けられた松田プレートと呼ばれる補助電極１０．１０及
び鋏補助電極１０．１０に上記電場電圧と２乗関係にあ
る電圧を印加するための補正電源１１から構成される０
鋏重畳場質を分析針の質量数掃引はイオン加速電圧及び
磁場強直固定で電場強度を掃引することにより行われる
。この嫌な電場掃引を行うと重畳場の焦点距離が掃引に
従って変化し、コレクタ４ヘイオンが収束しない嫌にな
ってしまうが、本実施例では松田プレートと呼ばれる補
助電極１０．１０に電場電圧の２鏝に対応した電圧を印
加することによりトロイダル電場の定数Ｃを変化させて
焦点距離の変化を打消し、常にコレクタ４の位置へイオ
ンが収束するように補正している。
続けて電場と磁場が重畳された所鵡重畳場を有する質を
分析針を設けることにより、質量とエネルギーを共に稍
直良（測定することのできる質量分析装置を提供するも
のである〇第２図は本発明の一実施鉤を示す構成図、菖
３図はそのムーム断−図である。第２図においてイオン
源１．電場２＃磁場６は正常配置の二重収束質Ｉ！分析
針を構成し、咳分析針によるイオン収束点位置に傭央皇
５が配置されている。モして骸摘要１１５とコレクタ４
との間に重畳場質を分析針を配置することが本発明の特
徴である０鎮重畳場質量分析針は紙面に垂直な方向の磁
場を作成するための磁極６ 、６’Ｊび鋏確極を励磁す
るための磁場電源７、磁場と直交する方向のトロイダル
電場を作成するための１対の電＠ａ、ａ’Ａび鎮電極間
に印加する電圧（電場電圧）を発生するための電場電源
９、上記トロイダル電場をはさむ嫌に磁極６゜６間に設
けられた松田プレートと呼ばれる補助電極１０．１０及
び鋏補助電極１０．１０に上記電場電圧と２乗関係にあ
る電圧を印加するための補正電源１１から構成される０
鋏重畳場質を分析針の質量数掃引はイオン加速電圧及び
磁場強直固定で電場強度を掃引することにより行われる
。この嫌な電場掃引を行うと重畳場の焦点距離が掃引に
従って変化し、コレクタ４ヘイオンが収束しない嫌にな
ってしまうが、本実施例では松田プレートと呼ばれる補
助電極１０．１０に電場電圧の２鏝に対応した電圧を印
加することによりトロイダル電場の定数Ｃを変化させて
焦点距離の変化を打消し、常にコレクタ４の位置へイオ
ンが収束するように補正している。
本発明ではこの様な重畳場質量分析針を用いているため
、重畳場を構成する磁場の強直を２Ｒ階に切換え、各段
階において夫々電場掃引による質を数掃引を行うことに
より娘イオンの質量とエネルギーを両方共正確に一定す
ることができるＯ以下この一定法について詳しく説明す
る〇一般に第２図及びａｌ１１３”ｌｌに示される嫌な
重畳場質量分析針においては、検出されるイオンの質量
数をＭとすると、Ｍは電極８，８１間の電場電圧をＶｄ
、電場電圧−〇のと自検出されるイオンの質量数をＭ
ｅ、無限大の質量数を検出するための電場電圧をＶｏと
すると、 ＭｘＭｏ／（１−Ｖｄ／Ｗｅ）” １１１
１１１０ ４１）と表わされ、電場電圧Ｖｄを時間に比
例させて増加させた場合には、Ｍは第４図に示すように
変化する◎従つで適宜な標準試料を用いて第４＃Ａの関
係を求めておけば（実際には（１）式におけるＶｏとＭ
・を求めることになる）、それをマススケールとして任
意のＶｄに対応する質量数を知ることができる０（の時
注意しなければならな＆）のＧよ、一旦マススケールを
求めても加速電圧ある＆％４ま磁場強度を変えた場合に
は、そのマススケールで４まめ１つなのではｗＡ籠が出
てしまうことである０以上のことを基礎知識として説明
を行うＯ今電場２．磁場６より成第二重収束質１分析針
によって質量数！１１０の観イオンＩｎＯ＋が選択され
、鎖イオンが衝突室５へ入射してかなりの部分が質量数
ｍ１の娘イオン組 と質量数１ｎｏ−ｍ１の中性粒子に
＋ 解離したとし、この娘イオンｍ１＋と解離されずに残っ
た親イオンｍｏ＋を加速電圧Ｖａｔ磁場強度Ｈ＝Ｈｏ
（条件１）と、加速電圧Ｖａ ＠＠場強直Ｈ−ｇ Ｈ。
、重畳場を構成する磁場の強直を２Ｒ階に切換え、各段
階において夫々電場掃引による質を数掃引を行うことに
より娘イオンの質量とエネルギーを両方共正確に一定す
ることができるＯ以下この一定法について詳しく説明す
る〇一般に第２図及びａｌ１１３”ｌｌに示される嫌な
重畳場質量分析針においては、検出されるイオンの質量
数をＭとすると、Ｍは電極８，８１間の電場電圧をＶｄ
、電場電圧−〇のと自検出されるイオンの質量数をＭ
ｅ、無限大の質量数を検出するための電場電圧をＶｏと
すると、 ＭｘＭｏ／（１−Ｖｄ／Ｗｅ）” １１１
１１１０ ４１）と表わされ、電場電圧Ｖｄを時間に比
例させて増加させた場合には、Ｍは第４図に示すように
変化する◎従つで適宜な標準試料を用いて第４＃Ａの関
係を求めておけば（実際には（１）式におけるＶｏとＭ
・を求めることになる）、それをマススケールとして任
意のＶｄに対応する質量数を知ることができる０（の時
注意しなければならな＆）のＧよ、一旦マススケールを
求めても加速電圧ある＆％４ま磁場強度を変えた場合に
は、そのマススケールで４まめ１つなのではｗＡ籠が出
てしまうことである０以上のことを基礎知識として説明
を行うＯ今電場２．磁場６より成第二重収束質１分析針
によって質量数！１１０の観イオンＩｎＯ＋が選択され
、鎖イオンが衝突室５へ入射してかなりの部分が質量数
ｍ１の娘イオン組 と質量数１ｎｏ−ｍ１の中性粒子に
＋ 解離したとし、この娘イオンｍ１＋と解離されずに残っ
た親イオンｍｏ＋を加速電圧Ｖａｔ磁場強度Ｈ＝Ｈｏ
（条件１）と、加速電圧Ｖａ ＠＠場強直Ｈ−ｇ Ｈ。
（条件２）の２つの条件で重畳場質量分析針の電場掃引
を各々１回行って検出する場合につ＆１で考える０ 先ず条件１では親イオンｍｏ＋の質量数ｍｅ Ｇよ（１
）式に従って次式で表わされるＯ ｍｅ ｘ Ｍｏｏ ／ （１−壜’、 ）” φ拳・
・・ （２ＪＣＣｔ’ Ｍｏｏ 、 Ｗｏｏは条件１
（Ｖａ 、Ｈｅ ）ｔ’（Ｄ ｔ Ｘ Ｘケールを表わ
す定数、Ｖｄｏは親イオン−〇が検出される電場電圧で
ある。又娘イオン４十の正しい質量は町であるが、町＋
は解離の際のエネルギーのやりとりによりＶａとは異な
った加速電圧Ｖａ’で加速されたのと等しい状Ｉｌにな
り、これを条？１のマススケール（Ｍｏ＝Ｍｏｏ、ψｏ
＝Ｖｏｏ）を用いτ町＝Ｍｏ・／（１−亜）雪 ｖｏ。 ”−”−（３） に従って求めたのでは先に述べた様に求めた町は単ｌζ
見かけ上の値となり正しい値では−い・ｍ１＋′の正し
い質を閣自才加速電圧”’ ｓ Ｈ”Ｈｅの条件でのマ
ススケールを（Ｍｏ＝ＭｏｈＶｏｘＶｏｘ ）とすれば
下式で表わされる。
を各々１回行って検出する場合につ＆１で考える０ 先ず条件１では親イオンｍｏ＋の質量数ｍｅ Ｇよ（１
）式に従って次式で表わされるＯ ｍｅ ｘ Ｍｏｏ ／ （１−壜’、 ）” φ拳・
・・ （２ＪＣＣｔ’ Ｍｏｏ 、 Ｗｏｏは条件１
（Ｖａ 、Ｈｅ ）ｔ’（Ｄ ｔ Ｘ Ｘケールを表わ
す定数、Ｖｄｏは親イオン−〇が検出される電場電圧で
ある。又娘イオン４十の正しい質量は町であるが、町＋
は解離の際のエネルギーのやりとりによりＶａとは異な
った加速電圧Ｖａ’で加速されたのと等しい状Ｉｌにな
り、これを条？１のマススケール（Ｍｏ＝Ｍｏｏ、ψｏ
＝Ｖｏｏ）を用いτ町＝Ｍｏ・／（１−亜）雪 ｖｏ。 ”−”−（３） に従って求めたのでは先に述べた様に求めた町は単ｌζ
見かけ上の値となり正しい値では−い・ｍ１＋′の正し
い質を閣自才加速電圧”’ ｓ Ｈ”Ｈｅの条件でのマ
ススケールを（Ｍｏ＝ＭｏｈＶｏｘＶｏｘ ）とすれば
下式で表わされる。
町＝Ｍｅ１／（五−ｙ東Ｌ）８
Ｖｏｘ １１１１１１＠１１ （４）ここで
Ｖｄ、は４十が検出される電場電圧、Ｍｏｌ。
Ｖｄ、は４十が検出される電場電圧、Ｍｏｌ。
Ｍｏ鵞 は
立ニー！！！ＬヨＫ −−−−−（５）Ｖ
ａ ｍ。
ａ ｍ。
と置いた時、
Ｍｏ １ ＝’ｘ’ ・・・・・（６）
Ｖｏｌ−Ｋ Ｔｏｏ ａｓｓｅｓ
（７）で夫々表わされる。しかし解離の際のエネルギー
は不明であるから―・ｓ＊Ｖｏ１はわからないので（４
）。
Ｖｏｌ−Ｋ Ｔｏｏ ａｓｓｅｓ
（７）で夫々表わされる。しかし解離の際のエネルギー
は不明であるから―・ｓ＊Ｖｏ１はわからないので（４
）。
”ｙ、 ” ｍｏ ” ＭｅＯ／’ｌ （Ｌ −擬）”
ａ ａ ＊ ＊ （８１が得られ、これが（２）式に
等しいので更ｌζ下式が帰られる。
ａ ａ ＊ ＊ （８１が得られ、これが（２）式に
等しいので更ｌζ下式が帰られる。
碧＝（Ｋ−１）＋七÷ ０・・・（９）一方加速電圧
Ｖａ、Ｈ−＝Ｈｏ’の条件２では親イオンｍｏ十の質置
数ｍｏは条件１と全く同Ｉｌに下式で表わされる。
Ｖａ、Ｈ−＝Ｈｏ’の条件２では親イオンｍｏ十の質置
数ｍｏは条件１と全く同Ｉｌに下式で表わされる。
ｍｏ ｘＭｏｏ ／ （１−”’ｗ−）”ｖｏ。
ａｓｓｅｓ輪 ここでＭｏｏ’ 、 Ｖｏｏ’は条件！（Ｖａ、１ｉｏ
）でのマスＨｏ’ スケールを表わす定数で’ Ｈｏ−＝ムとした時Ｍｏｏ
’ ｘム”Ｍｏｏ ＠＠＠１１６ ｔ
ｏ）’１０ Ｇ＠” Ｖｏ Ｏ＊ １１ ＠ １１１１
．１１で表わされる◎又Ｖｄｏ’はｍｏ＋が検出される
電場電圧である。従って収・式６ｃｔＩＬＩＩＩ式を代
入してＭｏｏ’ 、 Ｖｏｏ’を消去すれば下式が得ら
れる。
ａｓｓｅｓ輪 ここでＭｏｏ’ 、 Ｖｏｏ’は条件！（Ｖａ、１ｉｏ
）でのマスＨｏ’ スケールを表わす定数で’ Ｈｏ−＝ムとした時Ｍｏｏ
’ ｘム”Ｍｏｏ ＠＠＠１１６ ｔ
ｏ）’１０ Ｇ＠” Ｖｏ Ｏ＊ １１ ＠ １１１１
．１１で表わされる◎又Ｖｄｏ’はｍｏ＋が検出される
電場電圧である。従って収・式６ｃｔＩＬＩＩＩ式を代
入してＭｏｏ’ 、 Ｖｏｏ’を消去すれば下式が得ら
れる。
ｍｅ ” Ａ” Ｍｏｏ ／ （１’Ｌ’ｌ−）”
１１＠１１１１＠ （１１”Ｗｏ。
１１＠１１１１＠ （１１”Ｗｏ。
そして４十の正しい質量用は一件１と同４１１に加速電
圧Ｖａ’ ＊Ｈ＝Ｈｏ’の条件でのマススケール（Ｍｏ
＝Ｍｏｌ’ 、 ＶＯ３ＶＯ１’ ）で下式に従って
求められるＯ Ｃコｔ’ Ｍｅ１’ 、 Ｙｅｓ’ ハ＋６） ＃ （
７）式トＰ４４１１にＶＯＩ ” ＫＶＯＯｅ＊＊ｅ番
／１９で表わされる。従って（５）、αｓ 、 ａ４．
０式より条件凰と同１＃ｃＭｏｔ’ 、Ｖ１６ｓ’ Ｇ
Ｍ去ｔ ｔＬハ（８）弐に対応する下式が得られる。
圧Ｖａ’ ＊Ｈ＝Ｈｏ’の条件でのマススケール（Ｍｏ
＝Ｍｏｌ’ 、 ＶＯ３ＶＯ１’ ）で下式に従って
求められるＯ Ｃコｔ’ Ｍｅ１’ 、 Ｙｅｓ’ ハ＋６） ＃ （
７）式トＰ４４１１にＶＯＩ ” ＫＶＯＯｅ＊＊ｅ番
／１９で表わされる。従って（５）、αｓ 、 ａ４．
０式より条件凰と同１＃ｃＭｏｔ’ 、Ｖ１６ｓ’ Ｇ
Ｍ去ｔ ｔＬハ（８）弐に対応する下式が得られる。
これがα１式に等しいので条件１の（９）式に対応した
下式が得られる。
下式が得られる。
ここで条件１の場合も条件２の場合もｍｅは変わらない
筈であるから（２）式とＱＱ式を等しいと置けば下式が
得られる。
筈であるから（２）式とＱＱ式を等しいと置けば下式が
得られる。
れば下式が得られる。、
ところで条件２における娘イオン４十のピークを条件１
のマススケールで測定した時の見かけの質量をＭｘｌと
すると、Ｍｘ１は で表わされる。そこで（２）式に鱒式を代入すると下式
が得られる。
のマススケールで測定した時の見かけの質量をＭｘｌと
すると、Ｍｘ１は で表わされる。そこで（２）式に鱒式を代入すると下式
が得られる。
Ｍｘｘ ＝Ｍｏｏ／ ｉ ｌ −（１−ム）Ｋ−ム刀と
）ζ−（２１＞Ｗｏ。
）ζ−（２１＞Ｗｏ。
０１）式を見ればわかる４１１に（至）式からＶｄｌ’
が消えて′、＆Ｉす、これは一旦条件１でマススケール
を決めておき、条件２においてこのマススケール’）用
＆％で任意の娘イオンを測定した時に、その娘イオーフ
）見かけの質量Ｍｘ１が（ａｔ）式で与えられることを
意味しているｏ Ｉｔ）式におけるＭｘ ＊ ＊ Ｍｏ
ｏ ＊ Ｗｏｏ ｅ Ｖｄｔは求められるので、従って
残るムが求められればＫが判明することになり、（８）
式−らａｔ ｘＭｏｏ ／Ｋ （１−”Ｌ−）”ＫＶｏ
。
が消えて′、＆Ｉす、これは一旦条件１でマススケール
を決めておき、条件２においてこのマススケール’）用
＆％で任意の娘イオンを測定した時に、その娘イオーフ
）見かけの質量Ｍｘ１が（ａｔ）式で与えられることを
意味しているｏ Ｉｔ）式におけるＭｘ ＊ ＊ Ｍｏ
ｏ ＊ Ｗｏｏ ｅ Ｖｄｔは求められるので、従って
残るムが求められればＫが判明することになり、（８）
式−らａｔ ｘＭｏｏ ／Ｋ （１−”Ｌ−）”ＫＶｏ
。
に従ってｍｌを求めることかで自る。
ところでムの値は以下の様にして条件１のマススケール
のみを使用して求めることができる◎即ら条件２におけ
る親イオン■・＋の質量ｍｅを条件１におけるマススケ
−Ａ／（Ｍ＠・、Ｗｏｏ）を用いて測つた見かけ上の質
量をＭｘｏとすればＭｘｏは下式で表わされ゛る。
のみを使用して求めることができる◎即ら条件２におけ
る親イオン■・＋の質量ｍｅを条件１におけるマススケ
−Ａ／（Ｍ＠・、Ｗｏｏ）を用いて測つた見かけ上の質
量をＭｘｏとすればＭｘｏは下式で表わされ゛る。
そこでａｄ式をＧ！２）式で割ると下式が得られる０１
η＝ム ・・・・・ （２３）（２３）
式において醜Ｏは条件１において（２）式悴従って（Ｍ
ｏｏ、Ｗｏｏ）のマススケールを用いて正確１ζ求める
ことができ、ｘＭｘｏも条件２１ζおいて同じ観イオン
を同じマススケールを用いて測った見゛かけの質量であ
るからこれも求めることができる０従ってムの値も正確
に求められ、先に述べた様に該ムの値を用いてＫが判明
し、更に咳にの値を用いて町の値が求められることにな
る口こ龜に条件！で決めた１つのマススケールを用い、
条件１で親イオンの買ｌｉｍｅｌ＆−調定すると共に娘
イオンが検出される電場電圧Ｖｄｉを調定し、更に条件
２で親イオンの見かけの質量Ｍｘｏと娘イオンの見かけ
の質量ＭＸＩを調定すれば（２３）式によってムが、（
２１）式によってＫが、更に（８）式によって１１１１
が求められることになる。
η＝ム ・・・・・ （２３）（２３）
式において醜Ｏは条件１において（２）式悴従って（Ｍ
ｏｏ、Ｗｏｏ）のマススケールを用いて正確１ζ求める
ことができ、ｘＭｘｏも条件２１ζおいて同じ観イオン
を同じマススケールを用いて測った見゛かけの質量であ
るからこれも求めることができる０従ってムの値も正確
に求められ、先に述べた様に該ムの値を用いてＫが判明
し、更に咳にの値を用いて町の値が求められることにな
る口こ龜に条件！で決めた１つのマススケールを用い、
条件１で親イオンの買ｌｉｍｅｌ＆−調定すると共に娘
イオンが検出される電場電圧Ｖｄｉを調定し、更に条件
２で親イオンの見かけの質量Ｍｘｏと娘イオンの見かけ
の質量ＭＸＩを調定すれば（２３）式によってムが、（
２１）式によってＫが、更に（８）式によって１１１１
が求められることになる。
そして町が上記の橡に正確に求められれば、該ルギーも
容ａに計算できる■ 尚条件２でＨｏ’ ＝ ＱとすればムｘＱとな゛るので
演算を簡単に行うことができる◎又債央室の前段に用い
る質量分析針は上ｆ！例の嫌に二重収束型である必要は
なく、どんな臘の質量分析針を用いても嵐いことは言う
までもない。
容ａに計算できる■ 尚条件２でＨｏ’ ＝ ＱとすればムｘＱとな゛るので
演算を簡単に行うことができる◎又債央室の前段に用い
る質量分析針は上ｆ！例の嫌に二重収束型である必要は
なく、どんな臘の質量分析針を用いても嵐いことは言う
までもない。
以上詳述した如く本発＠によれば娘イオンを分析する場
として重畳場を用いているため、娘イオンの質量とエネ
ルギーを両方共正確に測定することができる。
として重畳場を用いているため、娘イオンの質量とエネ
ルギーを両方共正確に測定することができる。
第ｔＳは従来の装置例を示す図、第２図は本発明の一実
施例の構成を示す図、第ａｇはそのム−に断＃ｆ図、ｔ
ｌｔａ図はＶｄとＭの関係を示す図である０ １：イオン源、２：電場、る：磁場、４：・イオンコレ
クタ、５：摘要室、６，６：磁極、７：磁ｓｔａｇ、ａ
、ａ：電極、９：電！１１４電源、１０ 、１０’：補
助電極、１１：電源。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者加勢忠膳
施例の構成を示す図、第ａｇはそのム−に断＃ｆ図、ｔ
ｌｔａ図はＶｄとＭの関係を示す図である０ １：イオン源、２：電場、る：磁場、４：・イオンコレ
クタ、５：摘要室、６，６：磁極、７：磁ｓｔａｇ、ａ
、ａ：電極、９：電！１１４電源、１０ 、１０’：補
助電極、１１：電源。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者加勢忠膳
Claims (1)
- イオン源と、該イオン源から発生したイオンが導入され
る質量分析針と、鋏質歇分析針によるイオンの収束位置
に配置された衝突室と、腋摘要嵩から壜出されたイオン
が導入される重畳場質量分析針とを備えたことを特徴と
する質款分析俟置◎
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56111147A JPS5825057A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 質量分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56111147A JPS5825057A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 質量分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5825057A true JPS5825057A (ja) | 1983-02-15 |
| JPH0114665B2 JPH0114665B2 (ja) | 1989-03-13 |
Family
ID=14553644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56111147A Granted JPS5825057A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 質量分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5825057A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6062055A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-10 | Jeol Ltd | 質量分析装置 |
| JPS6074254A (ja) * | 1983-09-29 | 1985-04-26 | Jeol Ltd | 質量分析装置 |
| JPS60165034A (ja) * | 1984-02-07 | 1985-08-28 | Shimadzu Corp | 衝突活性化による開裂イオン分析装置 |
| JPS60165033A (ja) * | 1984-02-07 | 1985-08-28 | Shimadzu Corp | 衝突活性化による開裂イオン分析装置 |
| JPS61161645A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-22 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 円筒静電型粒子エネルギ−分析器 |
| JPH0389160A (ja) * | 1989-08-22 | 1991-04-15 | Finnigan Mat Gmbh | 生体分子のレーザ脱着方法および装置 |
| EP1280595A4 (en) * | 2000-05-08 | 2007-04-11 | Mass Sensors Inc | CHEMICAL GAS MASS SPECTROMETRIC SENSOR WITH REDUCED SCALE |
| US8664534B2 (en) | 2005-05-20 | 2014-03-04 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Printed wiring board |
| US9543533B2 (en) | 2013-03-07 | 2017-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| JP2018028989A (ja) * | 2016-08-16 | 2018-02-22 | 樋口 哲夫 | 質量分析装置及び質量分析方法 |
-
1981
- 1981-07-16 JP JP56111147A patent/JPS5825057A/ja active Granted
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6062055A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-10 | Jeol Ltd | 質量分析装置 |
| JPS6074254A (ja) * | 1983-09-29 | 1985-04-26 | Jeol Ltd | 質量分析装置 |
| JPH0421983B2 (ja) * | 1983-09-29 | 1992-04-14 | Nippon Electron Optics Lab | |
| JPS60165034A (ja) * | 1984-02-07 | 1985-08-28 | Shimadzu Corp | 衝突活性化による開裂イオン分析装置 |
| JPS60165033A (ja) * | 1984-02-07 | 1985-08-28 | Shimadzu Corp | 衝突活性化による開裂イオン分析装置 |
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| JPH0360151B2 (ja) * | 1985-01-09 | 1991-09-12 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | |
| JPH0389160A (ja) * | 1989-08-22 | 1991-04-15 | Finnigan Mat Gmbh | 生体分子のレーザ脱着方法および装置 |
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| US10096669B2 (en) | 2013-03-07 | 2018-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US10263063B2 (en) | 2013-03-07 | 2019-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
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| US11678538B2 (en) | 2013-03-07 | 2023-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US11950474B2 (en) | 2013-03-07 | 2024-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0114665B2 (ja) | 1989-03-13 |
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