JP2001351448A - フラットケーブルの製造方法及びフラットケーブル - Google Patents
フラットケーブルの製造方法及びフラットケーブルInfo
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- JP2001351448A JP2001351448A JP2000169475A JP2000169475A JP2001351448A JP 2001351448 A JP2001351448 A JP 2001351448A JP 2000169475 A JP2000169475 A JP 2000169475A JP 2000169475 A JP2000169475 A JP 2000169475A JP 2001351448 A JP2001351448 A JP 2001351448A
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】簡易に製造可能であり且つ従来に比べてシール
ド効果の高いフラットケーブルを提供する。 【解決手段】フラットケーブルは、信号線Ｓがアース線
Ｇで距離をおいて挟まれる状態で且つ信号線Ｓ及びアー
ス線Ｇが一方向に並べられた状態で樹脂１８と別の樹脂
層２０内に埋め込まれ、樹脂１８及び樹脂層２０の一方
向に沿った各平面にアース部ＧＮＤ１,ＧＮＤ２が設け
られている。信号線Ｓ及びアース線Ｇは、スタンパ１７
Ａを用いて形成された第１の溝１８ａ及び第２の溝１８
ｂを導体１９で埋めることにより形成され、アース線Ｇ
の導体高さは信号線Ｓの導体高さよりも高くなってい
る。
ド効果の高いフラットケーブルを提供する。 【解決手段】フラットケーブルは、信号線Ｓがアース線
Ｇで距離をおいて挟まれる状態で且つ信号線Ｓ及びアー
ス線Ｇが一方向に並べられた状態で樹脂１８と別の樹脂
層２０内に埋め込まれ、樹脂１８及び樹脂層２０の一方
向に沿った各平面にアース部ＧＮＤ１,ＧＮＤ２が設け
られている。信号線Ｓ及びアース線Ｇは、スタンパ１７
Ａを用いて形成された第１の溝１８ａ及び第２の溝１８
ｂを導体１９で埋めることにより形成され、アース線Ｇ
の導体高さは信号線Ｓの導体高さよりも高くなってい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路基板に搭
載されるフラットケーブル及びその製造方法に関する。
載されるフラットケーブル及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子回路基板に設けられる信号線
に対するノイズ混入を減らす手段として、電子回路基板
に同軸ケーブルを形成することがある。図５に、従来に
おける同軸ケーブルが搭載された電子回路基板の断面図
を示す。
に対するノイズ混入を減らす手段として、電子回路基板
に同軸ケーブルを形成することがある。図５に、従来に
おける同軸ケーブルが搭載された電子回路基板の断面図
を示す。
【０００３】図５に示すように、電子回路基板は、信号
線Ｓがグラウンド線(アース線)Ｇに距離をおいて挟まれ
るようにして一方向に交互に並べられた状態で絶縁体１
及び絶縁体２内に埋設され、各絶縁体１,２の一方向に
沿った平面に各アース部ＧＮＤ１,ＧＮＤ２が設けられ
ることで形成され、各アース線Ｇ及び各アース部ＧＮＤ
１,ＧＮＤ２は接地されている。
線Ｓがグラウンド線(アース線)Ｇに距離をおいて挟まれ
るようにして一方向に交互に並べられた状態で絶縁体１
及び絶縁体２内に埋設され、各絶縁体１,２の一方向に
沿った平面に各アース部ＧＮＤ１,ＧＮＤ２が設けられ
ることで形成され、各アース線Ｇ及び各アース部ＧＮＤ
１,ＧＮＤ２は接地されている。
【０００４】各信号線Ｓは、その両側に設けられた各ア
ース線Ｇと、各アース部ＧＮＤ１,ＧＮＤ２とで囲まれ
た状態となっており、これらは、同軸ケーブルとして機
能する。即ち、信号線Ｓを囲む各アース線Ｇ及び各アー
ス部ＧＮＤ１,ＧＮＤ２は、信号線Ｓに対するシールド
として機能し、信号線Ｓ間の干渉等によって各信号線Ｓ
を通じる信号にノイズが入ることが抑えられる。
ース線Ｇと、各アース部ＧＮＤ１,ＧＮＤ２とで囲まれ
た状態となっており、これらは、同軸ケーブルとして機
能する。即ち、信号線Ｓを囲む各アース線Ｇ及び各アー
ス部ＧＮＤ１,ＧＮＤ２は、信号線Ｓに対するシールド
として機能し、信号線Ｓ間の干渉等によって各信号線Ｓ
を通じる信号にノイズが入ることが抑えられる。
【０００５】電子回路基板の同軸ケーブルの配線幅(ラ
イン間の距離)は、一般的に７５μｍ程度であり、その
作製方法は、サブストラクト法を用いて必要な信号線Ｓ
を得た後、これを樹脂で埋め、さらにアース線Ｇを銅メ
ッキ等で形成するのが一般的である。サブストラクト法
は、銅張基板をベースにレジスト印刷、パターン露光、
現像して線を露出させる手法である。
イン間の距離)は、一般的に７５μｍ程度であり、その
作製方法は、サブストラクト法を用いて必要な信号線Ｓ
を得た後、これを樹脂で埋め、さらにアース線Ｇを銅メ
ッキ等で形成するのが一般的である。サブストラクト法
は、銅張基板をベースにレジスト印刷、パターン露光、
現像して線を露出させる手法である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】サブストラクト法は、
パターン露光，現像，エッチングを行う処理方法のた
め、線幅が３０μｍ以下になると、断線や線形成の精度
が悪くなり、大量生産すると歩留まりが低下するという
問題があった。このため、配線幅３０μｍ以下の微細配
線には、基板上にレジスト印刷、パターン露光、現像後
に無電解メッキを行って配線を高さ方向に成長させるア
ディティブ法が用いられる。
パターン露光，現像，エッチングを行う処理方法のた
め、線幅が３０μｍ以下になると、断線や線形成の精度
が悪くなり、大量生産すると歩留まりが低下するという
問題があった。このため、配線幅３０μｍ以下の微細配
線には、基板上にレジスト印刷、パターン露光、現像後
に無電解メッキを行って配線を高さ方向に成長させるア
ディティブ法が用いられる。
【０００７】このような微細配線で用いるアディティブ
法では、配線幅３０μｍ以下になると、配線抵抗を下げ
るために配線幅が細くなるにつれてライン厚みと呼ばれ
る導体高さを高くして導体抵抗を下げることになる。し
かし、アディティブ法の高さは一般的には１０μｍ迄は
精度がよいものの、それ以上高くすると無電解メッキの
バラツキにより配線長手方向でメッキ高さの公差が大き
くなる。その結果、配線の厚みにバラツキが生じ、電気
特性的には不安定となる。配線幅２０μｍ以下の微細配
線の場合、高さの精度が保証できず、そのため配線幅が
微細で１０μｍ以上の導体厚みの配線パターンを作ると
歩留まりが低下し、コストに跳ね返ってしまうという問
題があった。
法では、配線幅３０μｍ以下になると、配線抵抗を下げ
るために配線幅が細くなるにつれてライン厚みと呼ばれ
る導体高さを高くして導体抵抗を下げることになる。し
かし、アディティブ法の高さは一般的には１０μｍ迄は
精度がよいものの、それ以上高くすると無電解メッキの
バラツキにより配線長手方向でメッキ高さの公差が大き
くなる。その結果、配線の厚みにバラツキが生じ、電気
特性的には不安定となる。配線幅２０μｍ以下の微細配
線の場合、高さの精度が保証できず、そのため配線幅が
微細で１０μｍ以上の導体厚みの配線パターンを作ると
歩留まりが低下し、コストに跳ね返ってしまうという問
題があった。
【０００８】また、同軸ケーブルには信号線Ｓの横にア
ース線Ｇが隣接される。サブストラクト法及びアディテ
ィブ法を用いて図１に示した電子回路基板を作製する場
合に、アース線Ｓ単体を大きく作って(アース線のライ
ン厚みを大きくすることで)信号線Ｇ同士の干渉を遮蔽
する構造を作製しようとすると工程が複雑且つ困難とな
っていた。
ース線Ｇが隣接される。サブストラクト法及びアディテ
ィブ法を用いて図１に示した電子回路基板を作製する場
合に、アース線Ｓ単体を大きく作って(アース線のライ
ン厚みを大きくすることで)信号線Ｇ同士の干渉を遮蔽
する構造を作製しようとすると工程が複雑且つ困難とな
っていた。
【０００９】即ち、アディティブ法では、現像によって
不要なレジストが除去されることによって形成された溝
を無電解メッキによって導体で埋めることにより、配線
を得ることができる。メッキ直後の状態では、レジスト
の表面にまでメッキが施された状態となっているので、
不要なメッキを除去すべく、レジスト表面が露出し、レ
ジスト表面と溝を埋める導体の表面とが面一となるまで
メッキ面を研磨する。ここで、同時に複数の配線を得る
べくレジストによって複数の溝が形成されている場合
に、各溝を埋めている導体の導体高さをメッキ面の削り
高さを変えることで変えようとしても、その作業は著し
く困難であった。従って、上記研磨作業を行わざるを得
なかった。従って、レジスト印刷，パターン露光，現
像，無電解メッキ及び研磨からなる一連の工程において
形成される複数の配線の各導体高さは同じ高さとなって
いた。もっとも、上記一連の工程を特定の配線に対して
繰り返すことで異なる導体高さを有する複数の配線を得
ることはできるが、この場合には、工程の増加(複雑化)
によりコストが上昇してしまう問題があった。
不要なレジストが除去されることによって形成された溝
を無電解メッキによって導体で埋めることにより、配線
を得ることができる。メッキ直後の状態では、レジスト
の表面にまでメッキが施された状態となっているので、
不要なメッキを除去すべく、レジスト表面が露出し、レ
ジスト表面と溝を埋める導体の表面とが面一となるまで
メッキ面を研磨する。ここで、同時に複数の配線を得る
べくレジストによって複数の溝が形成されている場合
に、各溝を埋めている導体の導体高さをメッキ面の削り
高さを変えることで変えようとしても、その作業は著し
く困難であった。従って、上記研磨作業を行わざるを得
なかった。従って、レジスト印刷，パターン露光，現
像，無電解メッキ及び研磨からなる一連の工程において
形成される複数の配線の各導体高さは同じ高さとなって
いた。もっとも、上記一連の工程を特定の配線に対して
繰り返すことで異なる導体高さを有する複数の配線を得
ることはできるが、この場合には、工程の増加(複雑化)
によりコストが上昇してしまう問題があった。
【００１０】以上の問題から、同軸ケーブルを構成する
信号線Ｓとアース線Ｇの導体高さ(ライン厚み)は同じに
せざるを得なかった。本発明は、上記問題に鑑みなされ
たものであり、簡易に製造可能であり、且つ従来の同軸
ケーブルに比べてシールド効果の高いフラットケーブル
及びその製造方法を提供することを目的とする。
信号線Ｓとアース線Ｇの導体高さ(ライン厚み)は同じに
せざるを得なかった。本発明は、上記問題に鑑みなされ
たものであり、簡易に製造可能であり、且つ従来の同軸
ケーブルに比べてシールド効果の高いフラットケーブル
及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した課題
を解決するため以下の構成を採用する。即ち、本発明
は、信号線がアース線で距離をおいて挟まれる状態で且
つ前記信号線及び前記アース線が一方向に並べられた状
態で樹脂内に埋め込まれ、前記樹脂の前記一方向に沿っ
た各面にアース部が設けられたフラットケーブルであっ
て、前記信号線は、前記アース線及び前記信号線の配線
パターンと凹凸が逆のパターンを備えたスタンパを用い
て樹脂に前記配線パターンを転写することにより形成さ
れた第１の溝を導体で埋めることにより形成され、前記
アース線は、前記転写によって前記第１の溝を挟むよう
に設けられ且つ前記第１の溝よりも深い深さを有する第
２の溝を導体で埋めることにより形成され、前記アース
線の導体高さが前記信号線の導体高さよりも高いことを
特徴とする。
を解決するため以下の構成を採用する。即ち、本発明
は、信号線がアース線で距離をおいて挟まれる状態で且
つ前記信号線及び前記アース線が一方向に並べられた状
態で樹脂内に埋め込まれ、前記樹脂の前記一方向に沿っ
た各面にアース部が設けられたフラットケーブルであっ
て、前記信号線は、前記アース線及び前記信号線の配線
パターンと凹凸が逆のパターンを備えたスタンパを用い
て樹脂に前記配線パターンを転写することにより形成さ
れた第１の溝を導体で埋めることにより形成され、前記
アース線は、前記転写によって前記第１の溝を挟むよう
に設けられ且つ前記第１の溝よりも深い深さを有する第
２の溝を導体で埋めることにより形成され、前記アース
線の導体高さが前記信号線の導体高さよりも高いことを
特徴とする。
【００１２】本発明によるフラットケーブルは、第１の
溝及び第２の溝の幅長さが２０μｍ以下で且つ溝深さが
１μｍ以上であるようにするのが好ましい。溝深さの上
限は特に定められないが実用的に５０μｍが好ましい。
溝及び第２の溝の幅長さが２０μｍ以下で且つ溝深さが
１μｍ以上であるようにするのが好ましい。溝深さの上
限は特に定められないが実用的に５０μｍが好ましい。
【００１３】本発明によると、スタンパを用いて樹脂上
に転写によって第１の溝及び第二の溝を形成し、これら
の溝を導体で埋めることで、形成される信号線及びアー
ス線の導体厚みの精度を保証することができる。そし
て、アース線は信号線よりも高い導体高さを有するよう
に形成されているので、信号線に対するシールド効果を
従来よりも高めることができる。
に転写によって第１の溝及び第二の溝を形成し、これら
の溝を導体で埋めることで、形成される信号線及びアー
ス線の導体厚みの精度を保証することができる。そし
て、アース線は信号線よりも高い導体高さを有するよう
に形成されているので、信号線に対するシールド効果を
従来よりも高めることができる。
【００１４】また、本発明は、信号線がアース線で距離
をおいて挟まれる状態で且つ前記信号線及び前記アース
線が一方向に並べられた状態で絶縁部内に埋設され、前
記絶縁部の前記一方向に沿った各面にアース部が設けら
れたフラットケーブルの製造方法であって、前記アース
線及び前記信号線の配線パターンと凹凸が逆のパターン
を備えたスタンパを用いて樹脂に前記配線パターンを転
写することにより、前記樹脂の表面に第１の溝と、この
第１の溝を挟むように設けられ且つ第１の溝よりも深い
深さを有する第２の溝とを一方向に並べて形成する工程
と、前記第１の溝及び前記第２の溝を導体で埋めること
により、前記第１の溝に前記信号線を形成するとともに
前記第２の溝に前記アース線を形成する工程と、前記樹
脂の表面を別の樹脂層で被覆して前記アース線及び前記
信号線を前記樹脂及び前記別の樹脂層内に埋設する工程
と、前記樹脂及び前記別の樹脂層上に前記一方向に沿っ
た略平面を形成する工程と、形成された各略平面にアー
ス部を設ける工程とを含み、前記アース線の導体高さが
前記信号線の導体高さよりも高いことを特徴とする。
をおいて挟まれる状態で且つ前記信号線及び前記アース
線が一方向に並べられた状態で絶縁部内に埋設され、前
記絶縁部の前記一方向に沿った各面にアース部が設けら
れたフラットケーブルの製造方法であって、前記アース
線及び前記信号線の配線パターンと凹凸が逆のパターン
を備えたスタンパを用いて樹脂に前記配線パターンを転
写することにより、前記樹脂の表面に第１の溝と、この
第１の溝を挟むように設けられ且つ第１の溝よりも深い
深さを有する第２の溝とを一方向に並べて形成する工程
と、前記第１の溝及び前記第２の溝を導体で埋めること
により、前記第１の溝に前記信号線を形成するとともに
前記第２の溝に前記アース線を形成する工程と、前記樹
脂の表面を別の樹脂層で被覆して前記アース線及び前記
信号線を前記樹脂及び前記別の樹脂層内に埋設する工程
と、前記樹脂及び前記別の樹脂層上に前記一方向に沿っ
た略平面を形成する工程と、形成された各略平面にアー
ス部を設ける工程とを含み、前記アース線の導体高さが
前記信号線の導体高さよりも高いことを特徴とする。
【００１５】本発明によると、スタンパを用いること
で、深さの異なる溝を容易且つ精度良く形成できるの
で、導体高さの異なる配線を複雑な工程を経なくても形
成することができ、歩留まりのよいフラットケーブルを
製造することが可能となる。
で、深さの異なる溝を容易且つ精度良く形成できるの
で、導体高さの異なる配線を複雑な工程を経なくても形
成することができ、歩留まりのよいフラットケーブルを
製造することが可能となる。
【００１６】本発明は、メッキにより前記第１の溝及び
前記第２の溝を導体で埋めるようにするのが好ましい。
また、本発明は、前記第１の溝及び前記第２の溝を導体
で埋めた後、研磨又はエッチングにより前記樹脂の表面
を平滑にし、その表面上に他の樹脂を成形や塗布で被覆
することにより前記信号線及び前記アース線を埋設する
ようにするのが好ましい。
前記第２の溝を導体で埋めるようにするのが好ましい。
また、本発明は、前記第１の溝及び前記第２の溝を導体
で埋めた後、研磨又はエッチングにより前記樹脂の表面
を平滑にし、その表面上に他の樹脂を成形や塗布で被覆
することにより前記信号線及び前記アース線を埋設する
ようにするのが好ましい。
【００１７】また、本発明は、アース線が信号線よりも
厚くする必要があるので、夫々の溝については、溝が深
い方をアース線、溝が浅い方を信号線として定義するこ
とにより、これらに銅メッキを施して研磨し、導体部と
絶縁部を露出することによって得られた配線をさらに樹
脂封印して微細配線でも導体厚みの精度が高いことを特
徴とするフラットケーブルである。
厚くする必要があるので、夫々の溝については、溝が深
い方をアース線、溝が浅い方を信号線として定義するこ
とにより、これらに銅メッキを施して研磨し、導体部と
絶縁部を露出することによって得られた配線をさらに樹
脂封印して微細配線でも導体厚みの精度が高いことを特
徴とするフラットケーブルである。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。最初に、実施形態によるフラットケ
ーブル(が搭載された電子回路基板)の製造方法を説明す
る。図１及び図２にフラットケーブルの製造方法に使用
するスタンパの製造プロセスを示す。
参照して説明する。最初に、実施形態によるフラットケ
ーブル(が搭載された電子回路基板)の製造方法を説明す
る。図１及び図２にフラットケーブルの製造方法に使用
するスタンパの製造プロセスを示す。
【００１９】図１において、最初に、信号線Ｓ及びアー
ス線Ｇの配線パターンに応じたフォトマスク１１を用意
する(図１(Ａ))。次に、洗浄した平面度及び平行度のよ
いガラス基板１３に紫外光軟化性のフォトレジスト１４
が塗布されたものを用意する。フォトレジスト１４は、
アース線Ｇの導体高さとほぼ同じ高さを有している。次
に、フォトマスク１１を通してＵＶランプ１２を用いて
露光を行い、フォトレジスト１４の所望の位置を軟化さ
せる(図１(Ｂ))。このとき、フォトレジスト１４の感光
部(軟化部分)がガラス基板１３まで達しないように(感
光部の高さが信号線Ｓの導体高さとなるように)、露光
時間を調整する。
ス線Ｇの配線パターンに応じたフォトマスク１１を用意
する(図１(Ａ))。次に、洗浄した平面度及び平行度のよ
いガラス基板１３に紫外光軟化性のフォトレジスト１４
が塗布されたものを用意する。フォトレジスト１４は、
アース線Ｇの導体高さとほぼ同じ高さを有している。次
に、フォトマスク１１を通してＵＶランプ１２を用いて
露光を行い、フォトレジスト１４の所望の位置を軟化さ
せる(図１(Ｂ))。このとき、フォトレジスト１４の感光
部(軟化部分)がガラス基板１３まで達しないように(感
光部の高さが信号線Ｓの導体高さとなるように)、露光
時間を調整する。
【００２０】次に、アース線Ｇの配線パターンに応じた
(信号線Ｓの配線パターンが描かれていない)他のフォト
マスク１５を用意する(図１(Ｃ))。次に、フォトマスク
１５を用いて上記と同様の露光を行う。このとき、アー
ス線Ｇに対応する感光部がガラス基板１３に達するまで
露光を行う。このように、２回露光を行う。なお、露光
の回数は問わないが、２回であることが工程数の増加を
抑える上で望ましい。
(信号線Ｓの配線パターンが描かれていない)他のフォト
マスク１５を用意する(図１(Ｃ))。次に、フォトマスク
１５を用いて上記と同様の露光を行う。このとき、アー
ス線Ｇに対応する感光部がガラス基板１３に達するまで
露光を行う。このように、２回露光を行う。なお、露光
の回数は問わないが、２回であることが工程数の増加を
抑える上で望ましい。
【００２１】次に、フォトレジスト１４を現像し、フォ
トレジスト１４の感光部を除去する(図２(Ａ))。次に、
現像された表面にスパッタまたは無電解メッキ等でメタ
ルコート１６を施し(図２(Ｂ))、その後、電解ニッケル
メッキによりＮｉメッキ膜１７を形成する(図２(Ｃ))。
トレジスト１４の感光部を除去する(図２(Ａ))。次に、
現像された表面にスパッタまたは無電解メッキ等でメタ
ルコート１６を施し(図２(Ｂ))、その後、電解ニッケル
メッキによりＮｉメッキ膜１７を形成する(図２(Ｃ))。
【００２２】そして、ニッケルメッキ膜１７からガラス
基板１３を剥離し、ニッケルメッキ膜１７に残留したフ
ォトレジスト１４を除去し、ニッケルメッキ膜１７を金
型取り付け用に外観加工してスタンパ１７Ａを得る(図
２(Ｄ))。
基板１３を剥離し、ニッケルメッキ膜１７に残留したフ
ォトレジスト１４を除去し、ニッケルメッキ膜１７を金
型取り付け用に外観加工してスタンパ１７Ａを得る(図
２(Ｄ))。
【００２３】以上の工程において、フォトレジストの現
像以降の工程は、光ディスク用のポリカーボネートなど
の樹脂成形基板を成形するためのスタンパの周知の製造
プロセスと同じである。
像以降の工程は、光ディスク用のポリカーボネートなど
の樹脂成形基板を成形するためのスタンパの周知の製造
プロセスと同じである。
【００２４】この例では、スタンパ１７Ａは、配線幅１
０μｍ，配線間隔１０μｍで、１０μｍの深さを持つ第
１の溝１９ａと、第１の溝と略平行で２０μｍの深さを
持つ第２の溝１９ｂが形成され、公差は夫々±１μｍと
なるように形成した。
０μｍ，配線間隔１０μｍで、１０μｍの深さを持つ第
１の溝１９ａと、第１の溝と略平行で２０μｍの深さを
持つ第２の溝１９ｂが形成され、公差は夫々±１μｍと
なるように形成した。
【００２５】図３に、スタンパを用いたフラットケーブ
ルの製造工程を示す。前述のプロセスで製造されたスタ
ンパ１７Ａを成形用金型(図示せず)に取り付け、金型に
熱硬化性エポキシ樹脂（三井化学（株）製：商品名エポ
ックス）を注入してトランスファー成形を行った(図３
(Ａ))。成形条件は、金型型絞圧力２００ｋｇ／ｃｍ2、
樹脂加圧４５ｋｇ／ｃｍ2 充填温度１８３℃で行った。
これにより表面に配線パターンが転写された樹脂成形基
板１８(本発明における「樹脂」に相当)が得られた(図
３(Ｂ)参照)。
ルの製造工程を示す。前述のプロセスで製造されたスタ
ンパ１７Ａを成形用金型(図示せず)に取り付け、金型に
熱硬化性エポキシ樹脂（三井化学（株）製：商品名エポ
ックス）を注入してトランスファー成形を行った(図３
(Ａ))。成形条件は、金型型絞圧力２００ｋｇ／ｃｍ2、
樹脂加圧４５ｋｇ／ｃｍ2 充填温度１８３℃で行った。
これにより表面に配線パターンが転写された樹脂成形基
板１８(本発明における「樹脂」に相当)が得られた(図
３(Ｂ)参照)。
【００２６】こうして得られた樹脂成形基板１８に、こ
の後コーティングするメッキ膜との密着性を高めるため
成形品表面にスパッタ装置により銅スパッタを厚さ０．
１μｍ程度施す(図示せず)。そして、メッキ浴として硫
酸銅メッキ液を用意し、これに樹脂成形基板１８を浸漬
し、メッキ液温度２０℃〜３０℃、ＰＨ１以下、電流密
度２．５Ａ／ｄｍ2 、メッキ時間３０分で電解メッキを
行い全面に銅メッキ膜１９を４０μｍの厚さで形成した
(図３(Ｃ))。
の後コーティングするメッキ膜との密着性を高めるため
成形品表面にスパッタ装置により銅スパッタを厚さ０．
１μｍ程度施す(図示せず)。そして、メッキ浴として硫
酸銅メッキ液を用意し、これに樹脂成形基板１８を浸漬
し、メッキ液温度２０℃〜３０℃、ＰＨ１以下、電流密
度２．５Ａ／ｄｍ2 、メッキ時間３０分で電解メッキを
行い全面に銅メッキ膜１９を４０μｍの厚さで形成した
(図３(Ｃ))。
【００２７】次に、樹脂成形基板１８の片側全面に形成
されたメッキ面を定盤研磨機にてスラリーを流しなが
ら、加重１Ｋｇ／ｃｍ2 、回転数７０ｒｐｍ、研磨時間
３０分にて研磨し、第１の溝１８ａと第２の溝１８ｂの
間の樹脂部分が露出するまで粗研磨を行い、配線幅が１
０μｍに露出したところでこれを止めた。これにより、
銅メッキ膜３からなる配線部と樹脂からなる絶縁部との
境界を明確にした(図３(Ｄ))。このようにして、第１の
溝１８ａ内に信号線Ｓが形成され、各第２の溝１８ｂ内
にアース線Ｇが形成される。
されたメッキ面を定盤研磨機にてスラリーを流しなが
ら、加重１Ｋｇ／ｃｍ2 、回転数７０ｒｐｍ、研磨時間
３０分にて研磨し、第１の溝１８ａと第２の溝１８ｂの
間の樹脂部分が露出するまで粗研磨を行い、配線幅が１
０μｍに露出したところでこれを止めた。これにより、
銅メッキ膜３からなる配線部と樹脂からなる絶縁部との
境界を明確にした(図３(Ｄ))。このようにして、第１の
溝１８ａ内に信号線Ｓが形成され、各第２の溝１８ｂ内
にアース線Ｇが形成される。
【００２８】その後、樹脂封印のためにエポキシ樹脂
(本発明における別の樹脂層に相当)２０を上面に乗せ
(図３(Ｅ))、アース線Ｇ及び信号線Ｓを樹脂成形基板１
８とエポキシ樹脂２０とからなる絶縁部に埋設(封止)し
た状態とした。封止後に成型品の下部と上部とを研磨し
て一方向に沿った略平面を形成し、その後、上部及び下
部に２０μｍの無電解メッキを施すことによってアース
部ＧＮＤ１,ＧＮＤ２を夫々形成した。
(本発明における別の樹脂層に相当)２０を上面に乗せ
(図３(Ｅ))、アース線Ｇ及び信号線Ｓを樹脂成形基板１
８とエポキシ樹脂２０とからなる絶縁部に埋設(封止)し
た状態とした。封止後に成型品の下部と上部とを研磨し
て一方向に沿った略平面を形成し、その後、上部及び下
部に２０μｍの無電解メッキを施すことによってアース
部ＧＮＤ１,ＧＮＤ２を夫々形成した。
【００２９】以上説明した工程によって、フラットケー
ブルが製造される。このフラットケーブルによると、信
号線Ｓのライン厚みが１０μｍであるのに対し、アース
線Ｇのライン厚みは２０μｍとなっている。即ち、信号
線Ｓの両側に配置された各アース線Ｇの導体高さ(ライ
ン厚み)が信号線Ｓよりも高くなっている。従って、信
号線Ｓのノイズに対するシールド効果を従来に比べて高
めることができる。このようなフラットケーブルをスタ
ンパ１７Ａを用いることで簡易に製造できるので、フラ
ットケーブルを安価に提供することができる。
ブルが製造される。このフラットケーブルによると、信
号線Ｓのライン厚みが１０μｍであるのに対し、アース
線Ｇのライン厚みは２０μｍとなっている。即ち、信号
線Ｓの両側に配置された各アース線Ｇの導体高さ(ライ
ン厚み)が信号線Ｓよりも高くなっている。従って、信
号線Ｓのノイズに対するシールド効果を従来に比べて高
めることができる。このようなフラットケーブルをスタ
ンパ１７Ａを用いることで簡易に製造できるので、フラ
ットケーブルを安価に提供することができる。
【００３０】図４(Ａ)は、フラットケーブルを搭載した
電子回路基板の例を示す部分断面図であり、図４(Ｂ)
に、図４(Ａ)に示した電子回路基板の平面図を示す。但
し、図４(Ｂ)からは、アース部ＧＮＤ１及びエポキシ樹
脂２０が除かれている。
電子回路基板の例を示す部分断面図であり、図４(Ｂ)
に、図４(Ａ)に示した電子回路基板の平面図を示す。但
し、図４(Ｂ)からは、アース部ＧＮＤ１及びエポキシ樹
脂２０が除かれている。
【００３１】図４において、電子回路基板は、一方向に
アース線Ｇと信号線Ｓとが平行な状態で一方向に交互に
並べられ、各アース線Ｇ及び各信号線Ｓが樹脂１８及び
樹脂２０で隙間無く埋設され、樹脂１８及び樹脂２０の
上記一方向に略平行な面にアース部ＧＮＤ１,ＧＮＤ２
が夫々設けられている。各アース線Ｇ及び各信号線Ｓの
配線幅及び配線間隔は、夫々１０μｍであり、アース線
Ｇの導体高さは２０μｍであり、信号線Ｓの導体高さは
１０μｍである。
アース線Ｇと信号線Ｓとが平行な状態で一方向に交互に
並べられ、各アース線Ｇ及び各信号線Ｓが樹脂１８及び
樹脂２０で隙間無く埋設され、樹脂１８及び樹脂２０の
上記一方向に略平行な面にアース部ＧＮＤ１,ＧＮＤ２
が夫々設けられている。各アース線Ｇ及び各信号線Ｓの
配線幅及び配線間隔は、夫々１０μｍであり、アース線
Ｇの導体高さは２０μｍであり、信号線Ｓの導体高さは
１０μｍである。
【００３２】このように、各アース線Ｇの導体高さが信
号線Ｓの導体高さよりも高く形成され、各信号線Ｓへの
ノイズに対するシールド効果の向上が図られている。図
４に示す電子回路基板は、上述した製造方法により、簡
易且つ安価に製造することができる。
号線Ｓの導体高さよりも高く形成され、各信号線Ｓへの
ノイズに対するシールド効果の向上が図られている。図
４に示す電子回路基板は、上述した製造方法により、簡
易且つ安価に製造することができる。
【００３３】
【発明の効果】本発明によるフラットケーブルによれ
ば、従来に比べてシールド効果を高めることができる。
また、本発明によるフラットケーブルの製造方法によれ
ば、従来に比べてシールド効果が高められたフラットケ
ーブルを簡易に製造することができる。
ば、従来に比べてシールド効果を高めることができる。
また、本発明によるフラットケーブルの製造方法によれ
ば、従来に比べてシールド効果が高められたフラットケ
ーブルを簡易に製造することができる。
【図１】スタンパの製造方法の説明図
【図２】スタンパの製造方法の説明図
【図３】フラットケーブルの製造方法の説明図
【図４】フラットケーブルを搭載した電子回路基板の例
を示す構成図
を示す構成図
【図５】従来例の説明図
Ｇ アース線 ＧＮＤ１,ＧＮＤ２ アース部 Ｓ 信号線 １７Ａ スタンパ １８ 樹脂成形基板(樹脂) １８ａ 第１の溝 １８ｂ 第２の溝 １９ エポキシ樹脂(別の樹脂層)
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｗ ５Ｇ３１９ 3/10 3/10 Ｅ 3/46 3/46 Ｚ 9/00 9/00 Ｒ Ｆターム(参考） 5E321 AA17 GG05 GH10 5E338 AA03 AA12 AA16 AA20 BB75 CC02 CC06 CD01 CD13 EE13 EE32 5E343 AA02 AA12 AA17 BB03 BB08 BB24 BB71 DD33 DD43 ER49 FF27 GG13 5E346 AA02 AA12 AA15 AA32 AA52 BB02 BB04 BB06 BB11 BB15 CC09 CC32 DD01 DD23 DD24 DD33 DD50 EE31 GG17 GG19 HH01 HH31 5G311 CA02 CB01 CE03 5G319 EA01 EB01 EB06 EC03 EC07 EC11
Claims (5)
- 【請求項１】信号線がアース線で距離をおいて挟まれる
状態で且つ前記信号線及び前記アース線が一方向に並べ
られた状態で樹脂内に埋め込まれ、前記樹脂の前記一方
向に沿った各面にアース部が設けられたフラットケーブ
ルであって、 前記信号線は、前記アース線及び前記信号線の配線パタ
ーンと凹凸が逆のパターンを備えたスタンパを用いて樹
脂に前記配線パターンを転写することにより形成された
第１の溝を導体で埋めることにより形成され、 前記アース線は、前記転写によって前記第１の溝を挟む
ように設けられ且つ前記第１の溝よりも深い深さを有す
る第２の溝を導体で埋めることにより形成され、 前記アース線の導体高さが前記信号線の導体高さよりも
高いことを特徴とするフラットケーブル。 - 【請求項２】信号線がアース線で距離をおいて挟まれる
状態で且つ前記信号線及び前記アース線が一方向に並べ
られた状態で絶縁部内に埋設され、前記絶縁部の前記一
方向に沿った各面にアース部が設けられたフラットケー
ブルの製造方法であって、 前記アース線及び前記信号線の配線パターンと凹凸が逆
のパターンを備えたスタンパを用いて樹脂に前記配線パ
ターンを転写することにより、前記樹脂の表面に第１の
溝と、この第１の溝を挟むように設けられ且つ第１の溝
よりも深い深さを有する第２の溝とを一方向に並べて形
成する工程と、 前記第１の溝及び前記第２の溝を導体で埋めることによ
り、前記第１の溝に前記信号線を形成するとともに前記
第２の溝に前記アース線を形成する工程と、 前記樹脂の表面を別の樹脂層で被覆して前記アース線及
び前記信号線を前記樹脂及び前記別の樹脂層に埋設する
工程と、 前記樹脂及び前記別の樹脂層上に前記一方向に沿った略
平面を形成する工程と、 形成された各略平面にアース部を設ける工程と、を含
む、前記アース線の導体高さが前記信号線の導体高さよ
りも高いことを特徴とするフラットケーブルの製造方
法。 - 【請求項３】前記第１の溝及び前記第２の溝の幅長さが
２０μｍ以下で且つ溝深さが１μｍ以上であることを特
徴とする請求項１記載のフラットケーブル。 - 【請求項４】メッキにより前記第１の溝及び前記第２の
溝を導体で埋めたことを特徴とする請求項２記載のフラ
ットケーブルの製造方法。 - 【請求項５】前記第１の溝及び前記第２の溝を導体で埋
めた後、研磨又はエッチングにより前記樹脂の表面を平
滑にし、その表面上に他の樹脂を成形や塗布で被覆する
ことにより前記信号線及び前記アース線を埋設すること
を特徴とする請求項２記載のフラットケーブルの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000169475A JP2001351448A (ja) | 2000-06-06 | 2000-06-06 | フラットケーブルの製造方法及びフラットケーブル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000169475A JP2001351448A (ja) | 2000-06-06 | 2000-06-06 | フラットケーブルの製造方法及びフラットケーブル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001351448A true JP2001351448A (ja) | 2001-12-21 |
Family
ID=18672330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000169475A Pending JP2001351448A (ja) | 2000-06-06 | 2000-06-06 | フラットケーブルの製造方法及びフラットケーブル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001351448A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006066637A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック多層基板の製造方法およびそれに用いられる押し型 |
| JP2006093554A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
| JP2006352103A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-12-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 印刷配線板 |
| JP2008028368A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 印刷回路基板の製造方法 |
| US7615856B2 (en) | 2004-09-01 | 2009-11-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Integrated antenna type circuit apparatus |
| JP2018074269A (ja) * | 2016-10-26 | 2018-05-10 | 矢崎総業株式会社 | 伝送線路 |
-
2000
- 2000-06-06 JP JP2000169475A patent/JP2001351448A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006066637A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック多層基板の製造方法およびそれに用いられる押し型 |
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| US7653990B2 (en) | 2006-07-18 | 2010-02-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Manufacturing method of printed circuit board using an ink jet |
| JP4486660B2 (ja) * | 2006-07-18 | 2010-06-23 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 印刷回路基板の製造方法 |
| JP2018074269A (ja) * | 2016-10-26 | 2018-05-10 | 矢崎総業株式会社 | 伝送線路 |
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