KR20080011441A - 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널 Download PDF

Info

Publication number
KR20080011441A
KR20080011441A KR1020077029754A KR20077029754A KR20080011441A KR 20080011441 A KR20080011441 A KR 20080011441A KR 1020077029754 A KR1020077029754 A KR 1020077029754A KR 20077029754 A KR20077029754 A KR 20077029754A KR 20080011441 A KR20080011441 A KR 20080011441A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
dielectric layer
oxide
electrode
dielectric
layer
Prior art date
Application number
KR1020077029754A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100948713B1 (ko
Inventor
아키라 가와세
가즈히로 모리오카
다츠오 미후네
Original Assignee
마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 filed Critical 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤
Publication of KR20080011441A publication Critical patent/KR20080011441A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100948713B1 publication Critical patent/KR100948713B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/38—Dielectric or insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space

Abstract

납을 함유하지 않고, 투과율, 내절연성, 유전율을 만족하고, 착색의 발생 등을 억제한 유전체층을 실현하고, 표시 품질이 우수한 PDP(1)를 실현한다. PDP(1)는, 전면 유리 기판(3) 상에 표시 전극(6)과 유전체층(8)과 보호층(9)이 형성된 전면판(2)와, 기판 상에 전극과 격벽과 형광체층이 형성된 배면판을 대향 배치함과 동시에, 주위를 봉착하여 방전 공간을 형성한다. 더욱이, PDP(1)는, 표시 전극(6)은 은을 함유하는 금속 버스 전극(4b),(5b)을 구비하고, 유전체층(8)이, 금속 버스 전극(4b),(5b)을 덮고 산화비스무트를 함유하는 제 1 유전체층(81)과, 제 1 유전체층(81)을 덮고 산화비스무트를 함유하는 제 2 유전체층(82)으로 구성되어 있다. 그리고, 제 2 유전체층(82)의 제 1 유전체층(81)에 대한 두께의 비를 1.3 이상 7.2 이하로 한다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널{PLASMA DISPLAY PANEL}
본 발명은, 표시 디바이스 등에 이용되는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널(이하, PDP라고 부른다)은, 고세밀화, 대화면화의 실현이 가능한 것으로부터, 65인치 급의 텔레비전 등이 제품화되어 있다. 최근, PDP는 종래의 NTSC 방식에 비해 주사선수가 2배 이상인 풀 스펙의 하이비전에의 적용이 진행됨과 동시에, 환경 문제에 배려하여 납 성분을 포함하지 않는 PDP가 요구되어 있다.
PDP는, 기본적으로는, 전면판과 배면판으로 구성되어 있다. 전면판은, 플로트법에 의한 붕규산나트륨계 유리의 유리 기판과, 그 한 쪽 주면 상에 형성된 스트라이프상의 투명 전극과 금속 버스 전극으로 구성되는 표시 전극과, 이 표시 전극을 덮어 콘덴서로서의 기능을 하는 유전체층과, 이 유전체층 상에 형성된 산화마그네슘(Mg0)으로 이루어지는 보호층으로 구성되어 있다. 한편, 배면판은, 유리 기판과, 그 한 쪽 주면 상에 형성된 스트라이프상의 어드레스 전극과, 어드레스 전극을 덮는 베이스 유전체층과, 베이스 유전체층 상에 형성된 격벽과, 각 격벽사이에 형성된 적색, 녹색 및 청색 각각으로 발광하는 형광체층으로 구성되어 있다.
전면판과 배면판은, 그 전극 형성면측을 대향시켜 기밀 봉착시켜, 격벽에 의해서 칸막이된 방전 공간에 Ne-Xe의 방전 가스가, 400Torr 내지 600Torr의 압력으로 봉입되어 있다. PDP는, 표시 전극에 영상 신호 전압을 선택적으로 인가함으로써 방전시켜, 그 방전에 의해서 발생한 자외선이 각 색 형광체층을 여기하여 적색, 녹색 및 청색의 발광을 시켜 컬러 화상 표시를 실현하고 있다.
표시 전극의 금속 버스 전극에는, 도전성을 확보하기 위한 은 전극이 사용되고, 유전체층으로서는 산화납을 주성분으로 하는 저융점 유리 재료가 사용되어 있지만, 최근의 환경 문제에의 배려로부터 유전체층으로서 납 성분을 포함하지 않는 예가 개시되어 있다(예컨대, 특허문헌 1, 2, 3 참조).
최근, PDP는 종래의 NTSC 방식에 비해 주사선수가 2배 이상인 풀 스펙의 하이비전에의 적용이 진행되고 있다. 이러한 하이비전화에 의해, 주사선수가 증가하고 표시 전극의 수가 증가하고, 더욱이 표시 전극 간격이 작게 된다.
그 때문에, 표시 전극을 구성하는 은 전극으로부터 유전체층으로의 은 이온의 확산이 많아진다. 은 이온이 유전체층에 확산되면, 유전체층 중의 알칼리 금속이온에 의해서 환원작용을 받아, 콜로이드상의 산화은을 형성한다. 그리고, 이 산화은이 유전체층을, 황색이나 갈색에 강하게 착색시킴과 동시에, 일부의 산화은이, 환원작용을 받아 산소의 기포를 발생하고, 그 기포가 절연 불량을 야기한다.
그래서, 유전체층에 납 성분을 포함하지 않고, 은 전극과의 반응을 억제하는 산화비스무트 등의 저융점 유리 재료를 이용하는 것이 제안되어 있다. 그러나, 유전체층에 산화비스무트 등의 저융점 유리 재료를 많이 이용하면, 유전체층의 가시 광 투과율의 저하도 현저했다. 유전체층의 가시광 투과율의 저하를 억제하려고, 산화비스무트 등의 저융점 유리 재료를 적게 하면, 은 전극과의 반응의 억제가 충분하지 않게 되어, 착색과 절연 불량을 야기하게 된다.
이와 같이, 환경 문제에의 배려로부터 제안된, 납 성분을 포함하지 않는 종래의 유전체층에서는, 유전체층의 착색 및 절연 불량의 방지와, 가시광 투과율의 저하의 억제를 양립시키는 것이 어렵다고 하는 단점을 갖고 있었다.
특허문헌 1: 일본 특허공개 제2003-128430호 공보
특허문헌 2: 일본 특허공개 제2002-053342호 공보
특허문헌 3: 일본 특허공개 제1997-050769호 공보
발명의 개시
본 발명은, 이러한 상기의 단점을 해결하는 것으로서, 납 성분을 포함하지 않는 유전체층에서, 고세밀 표시에 있어서도, 유전체층의 착색 및 절연 불량을 방지하고, 가시광 투과율의 저하를 억제한 PDP를 실현한다.
본 발명의 PDP는, 유리 기판 상에 표시 전극과 유전체층과 보호층이 형성된 전면판과, 기판 상에 전극과 격벽과 형광체층이 형성된 배면판을 대향 배치함과 동시에 주위를 봉착하여 방전 공간을 형성한 PDP이다. 특히 표시 전극이 적어도 은을 함유함과 동시에, 유전체층이, 표시 전극을 덮고 산화비스무트를 함유하는 제 1 유전체층과, 제 1 유전체층을 덮고 산화비스무트를 함유하는 제 2 유전체층으로 구성되고, 제 2 유전체층의 제 1 유전체층에 대한 두께의 비를 1.3 이상 7.2 이하로 한 구성이다.
또한, 본 발명의 PDP의 유전체층은, 표시 전극을 덮는 제 1 유전체층과, 제 1 유전체층을 덮고 산화비스무트의 함유량이 제 1 유전체층의 산화비스무트의 함유량보다도 작은 제 2 유전체층으로 구성된다.
은과의 반응을 억제하기 위해 산화비스무트의 함유량을 많게 한 제 1 유전체층과, 가시광 투과율을 저하시키지 않기 위해 산화비스무트의 함유량을 적게 한 제 2 유전체층을, 이러한 두께의 비의 유전체층이라고 하면, 제 1 유전체층이 은과의 반응을 억제함과 동시에, 제 2 유전체층이 가시광 투과율을 저하시키는 일없이 필요한 절연 내압을 확보한다. 그 결과, 고세밀 표시에서도, 유전체층의 착색 및 절연 불량을 방지하고, 가시광 투과율의 저하를 억제한 PDP를 실현할 수 있다.
또한, 제 1 유전체층이, 산화몰리브덴, 산화텅스텐 중의 적어도 하나를 0.1중량% 이상 7중량% 이하 포함하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 산화몰리브덴, 산화텅스텐과 은 이온이 반응하여 은 콜로이드의 생성 및 기포의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 제 2 유전체층이, 산화비스무트를 11중량% 이상 20중량% 이하 포함하는 것이 바람직하고, 가시광 투과율을 높일 수 있다.
또한, 제 1 유전체층 및 제 2 유전체층이 산화아연, 산화붕소, 산화규소, 산화알루미늄, 산화칼슘, 산화스트론튬, 산화바륨 중의 적어도 하나를 포함하는 것이 바람직하고, 유전체층으로서, 절연 내압 성능의 열화가 없고, 가시광 투과율이 높고 환경에 우수하고 표시 품질이 우수한 PDP를 실현할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명에 의하면, 납 성분을 포함하지 않는 유전체층에서, 고 세밀 표시에 있어서도, 유전체층의 착색 및 절연 불량을 방지하고, 가시광 투과율의 저하를 억제한 PDP를 실현할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 실시의 형태에 따르는 PDP의 구조를 나타내는 사시도이다.
도 2는, 본 발명의 실시의 형태에 따르는 PDP의 유전체층의 구성을 나타내는 전면판의 단면도이다.
부호의 설명
1 PDP
2 전면판
3 전면 유리 기판
4 주사 전극
4a, 5a 투명 전극
4b, 5b 금속 버스 전극
5 유지 전극
6 표시 전극
7 블랙 스트라이프(차광층)
8 유전체층
9 보호층
10 배면판
11 배면 유리 기판
12 어드레스 전극
13 베이스 유전체층
14 격벽
15 형광체층
16 방전 공간
81 제 1 유전체층
82 제 2 유전체층
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
이하, 본 발명의 실시의 형태에 따르는 PDP에 관하여 도면을 이용하여 설명한다.
(실시의 형태)
도 1은 본 발명의 실시의 형태에 따르는 PDP의 구조를 나타내는 사시도이다. PDP의 기본 구조는, 일반적인 교류면 방전형 PDP과 마찬가지다. 도 1에 나타낸 바와 같이, PDP(1)는 전면 유리 기판(3) 등으로 이루어지는 전면판(2)과, 배면 유리 기판(11) 등으로 이루어지는 배면판(10)이 대향하여 배치되고, 그 외주부를 유리 플릿 등으로 이루어지는 봉착재에 의해 기밀 봉착되어 있다. 봉착된 PDP(1) 내부의 방전 공간(16)에는, 네온(Ne) 및 제논(Xe) 등의 방전 가스가 400Torr 내지 600Torr의 압력으로 봉입되어 있다.
전면판(2)의 전면 유리 기판(3)상에는, 주사 전극(4) 및 유지 전극(5)으로 이루어지는 한 쌍의 띠상의 표시 전극(6)과 블랙 스트라이프(차광층)(7)가 서로 평행하게 각각 복수열 배치되어 있다. 전면 유리 기판(3) 상에는 표시 전극(6)과 블랙 스트라이프(차광층)(7)를 덮도록 콘덴서의 기능을 하는 유전체층(8)이 형성되고, 더욱이 그 표면에 산화마그네슘(MgO) 등으로 이루어지는 보호층(9)이 형성되어 있다.
또한, 배면판(10)의 배면 유리 기판(11) 상에는, 전면판(2)의 주사 전극(4) 및 유지 전극(5)과 직교하는 방향에, 복수의 띠상의 어드레스 전극(12)이 서로 평행하게 배치되고, 이것을 베이스 유전체층(13)이 피복하고 있다. 또한, 어드레스 전극(12)과 다른 어드레스 전극(12) 사이의 베이스 유전체층(13) 상에는 방전 공간(16)을 구분하는 소정의 높이의 격벽(14)이 형성되어 있다. 격벽(14)사이의 홈에 어드레스 전극(12) 마다, 자외선에 의해 적색, 청색 및 녹색으로 각각 발광하는 형광체층(15)이 순차적으로 도포되어 형성되어 있다. 주사 전극(4) 및 유지 전극(5)과 어드레스 전극(12)이 교차하는 위치에 방전 셀이 형성되고, 표시 전극(6) 방향에 나란한 적색, 청색 및 녹색의 형광체층(15)을 갖는 방전 셀이 컬러 표시를 위한 화소가 된다.
도 2는, 본 발명의 실시의 형태에 따르는 PDP의 유전체층(8)의 구성을 나타내는 전면판(2)의 단면도이다. 도 2는 도 1과 상하 반전되어 나타내고 있다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 플로트 법 등에 의해 제조된 전면 유리 기판(3)에, 주사 전극(4)과 유지 전극(5)으로 이루어지는 표시 전극(6)과 블랙 스트라이프(차광층)(7)가 패턴 형성되어 있다. 주사 전극(4)과 유지 전극(5)은 각각 인듐주석 산화물(ITO)이나 산화주석(SnO2) 등으로 이루어지는 투명 전극(4a,5a)과, 투명 전극(4a,5a) 상에 형성된 금속 버스 전극(4b,5b)에 의해 구성되어 있다. 금속 버스 전극(4b,5b)는 투명 전극(4a,5a)의 길이 방향에 도전성을 부여할 목적으로 사용되고, 은 재료를 주성분으로 하는 도전성 재료에 의해 형성되어 있다.
유전체층(8)은, 전면 유리 기판(3) 상에 형성된 이들 투명 전극(4a,5a)과 금속 버스 전극(4b,5b)과 블랙 스트라이프(차광층)(7)를 덮어 설치한 제 1 유전체층(81)과, 제 1 유전체층(81) 상에 형성된 제 2 유전체층(82)의 적어도 2층 구성으로 하고, 더욱이 제 2 유전체층(82) 상에 보호층(9)을 형성하고 있다.
다음으로, PDP의 제조방법에 대하여 설명한다. 우선, 전면 유리 기판(3) 상에, 주사 전극(4) 및 유지 전극(5)과 블랙 스트라이프(차광층)(7)를 형성한다. 이들 투명 전극(4a,5a)과 금속 버스 전극(4b,5b)는, 포토리소그라피법 등을 이용하여 패터닝하여 형성된다. 투명 전극(4a,5a)는 박막 프로세스 등을 이용하여 형성되고, 금속 버스 전극(4b,5b)는 은 재료를 포함하는 페이스트를 소정의 온도로 소성하여 고화되어 있다. 또한, 블랙 스트라이프(차광층)(7)도 마찬가지로, 흑색 안료를 포함하는 페이스트를 스크린 인쇄하는 방법이나 흑색 안료를 유리 기판의 전면에 형성한 후, 포트리소그라피법을 이용하여 패터닝하고, 소성함으로써 형성된다.
다음으로, 주사 전극(4), 유지 전극(5) 및 블랙 스트라이프(차광층)(7)를 덮도록 전면 유리 기판(3) 상에 유전체 페이스트를 다이코팅법 등에 의해 도포하여 유전체 페이스트층(유전체 재료층)을 형성한다. 유전체 페이스트를 도포한 후, 소정의 시간 방치함으로써 도포된 유전체 페이스트의 표면은 레벨링되어 평탄화된다. 그 후, 유전체 페이스트층을 소성 고화함으로써 주사 전극(4), 유지 전극(5) 및 블랙 스트라이프(차광층)(7)를 덮는 유전체층(8)이 형성된다. 한편, 유전체 페이스트는 유리 분말 등의 유전체 재료, 바인더 및 용제를 포함하는 도료이다. 다음으로, 유전체층(8) 상에 산화마그네슘(MgO)으로 이루어지는 보호층(9)을 진공 증착법에 의해 형성한다. 이상의 공정에 의해 전면 유리 기판(3) 상에 소정의 구성물, 예컨대 주사 전극(4), 유지 전극(5), 블랙 스트라이프(차광층)(7), 유전체층(8) 및 보호층(9)이 형성되어, 전면판(2)이 완성된다.
한편, 배면판(10)은 다음과 같이하여 형성된다. 우선, 배면 유리 기판(11) 상에, 은 재료를 포함하는 페이스트를 스크린 인쇄하는 방법이나, 금속막을 전면에 형성한 후, 포토리소그라피법을 이용하여 패터닝하는 방법 등에 의해 어드레스 전극(12)용의 구성물이 되는 재료층을 형성하고, 그것을 소정의 온도로 소성함으로써 어드레스 전극(12)을 형성한다.
다음으로, 어드레스 전극(12)이 형성된 배면 유리 기판(11) 상에 다이코팅법 등에 의해 어드레스 전극(12)을 덮도록 유전체 페이스트를 도포하여 유전체 페이스트층을 형성한다. 그 후, 유전체 페이스트층을 소성함으로써 베이스 유전체층(13)을 형성한다. 한편, 유전체 페이스트는 유리 분말 등의 유전체 재료와 바인더 및 용제를 포함한 도료이다.
다음으로, 베이스 유전체층(13) 상에 격벽 재료를 포함하는 격벽 형성용 페이스트를 도포하여 소정의 형상으로 패터닝함으로써 격벽 재료층을 형성한 후, 소성함으로써 격벽(14)을 형성한다. 여기서, 베이스 유전체층(13) 상에 도포한 격벽용 페이스트를 패터닝하는 방법으로서는, 포토리소그라피법이나 샌드블라스트법을 이용할 수 있다.
다음으로, 인접하는 격벽(14)사이의 베이스 유전체층(13) 상, 및 격벽(14)의 측면에 형광체 재료를 포함하는 형광체 페이스트를 도포하고, 소성함으로써 형광체층(15)이 형성된다. 이상의 공정에 의해, 배면 유리 기판(11) 상에 소정의 구성부재를 갖는 배면판(10)이 완성된다.
이렇게 하여 소정의 구성부재를 갖춘 전면판(2)과, 배면판(10)을, 주사 전극(4)과 어드레스 전극(12)이 직교하도록 대향 배치하고, 그 주위를 유리 플릿으로 봉착하고, 방전 공간(16)에 네온, 제논 등을 포함하는 방전 가스를 봉입함으로써 PDP(1)가 완성된다.
전면판(2)의 유전체층(8)을 구성하는 제 1 유전체층(81)과, 제 2 유전체층(82)에 대하여 설명한다. 제 1 유전체층(81)의 유전체 재료는, 다음의 재료 조성으로 구성되어 있다. 즉, 산화비스무트(Bi2O3)를 25중량% 내지 40중량%, 산화아연(ZnO)을 27.5중량% 내지 34중량%, 산화붕소(B2O3)를 17중량% 내지 36중량%, 산화규소(SiO2)를 1.4중량% 내지 4.2중량%, 산화알루미늄(Al2O3)을 0.5중량% 내지 4.4중량% 포함하고 있다. 또한, 산화칼슘(CaO), 산화스트론튬(SrO), 산화바륨(BaO)으로부터 선택되는 적어도 1종을 5중량% 내지 13중량% 포함하고, 산화몰리브덴(MoO3), 산화텅스텐(WO3)으로부터 선택되는 적어도 1종을 0.1중량% 내지 7중량% 포함하고 있다.
한편, 산화몰리브덴(MoO3), 산화텅스텐(WO3) 대신에, 산화세륨(CeO2), 산화구리(CuO), 이산화망간(MnO2), 산화크로뮴(Cr2O3), 산화코발트(Co2O3), 산화바나듐(V2O7), 산화안티몬(Sb2O3)으로부터 선택되는 적어도 1종을 0.1중량% 내지 7중량% 포함하더라도 좋다.
이들의 조성 성분으로 이루어지는 유전체 재료를, 습식 젯밀이나 볼밀로 평균 입경이 0.5㎛ 내지 2.5㎛가 되도록 분쇄하여 유전체 재료 분말을 작성한다. 다음으로, 이 유전체 재료 분말 55중량% 내지 70중량%와, 바인더 성분 30중량% 내지 45중량%를, 예컨대 3개의 롤로 잘 혼련하여, 다이코팅용 또는 인쇄용의 제 1 유전체층용 페이스트를 작성한다. 바인더 성분은 에틸셀룰로스, 또는 아크릴 수지 1중량% 내지 20중량%를 포함하는 터피네올, 또는 뷰틸칼비톨아세테이트이다. 또한, 페이스트 중에는, 필요에 따라 가소제로서 프탈산다이옥틸, 프탈산다이뷰틸, 인산트라이페닐, 인산트라이뷰틸을 첨가하고, 분산제로서 글리세롤모노올레이트, 솔비탄세스퀴올리헤이트, 호모게놀(Kao Corporation사제의 등록상표), 알킬알릴기의 인산에스터 등을 첨가하여, 인쇄성을 향상시킬 수도 있다.
다음으로, 이 제 1 유전체층용 페이스트를 이용하여, 표시 전극(6)을 덮도록 전면 유리 기판(3)에 다이코팅법, 또는 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 건조시키고, 그 후, 유전체 재료의 연화점보다 조금 높은 온도인 575℃ 내지 590℃에서 소성한다.
다음으로, 제 2 유전체층(82)에 대하여 설명한다. 제 2 유전체층(82)의 유전체 재료는, 다음의 재료 조성으로 구성되어 있다. 즉, 산화비스무트(Bi2O3)를 11중량% 내지 20중량%, 산화아연(ZnO)을 26.1중량% 내지 39.3중량%, 산화붕소(B2O3)를 23중량% 내지 32.2중량%, 산화규소(SiO2)를 1.0중량% 내지 3.8중량%, 산화알루미늄(Al2O3)을 0.1중량% 내지 10.2중량% 포함하고 있다. 또한, 산화칼슘(CaO), 산화스트론튬(SrO), 산화바륨(BaO)으로부터 선택되는 적어도 1종을 9.7중량% 내지 29.4중량% 포함하고, 산화세륨(CeO2)을 0.1중량% 내지 5중량% 포함하고 있다.
이들의 조성 성분으로 이루어지는 유전체 재료를, 습식 젯밀이나 볼밀로 평균 입경이 0.5㎛ 내지 2.5㎛가 되도록 분쇄하여 유전체 재료 분말을 작성한다. 다음으로, 이 유전체 재료 분말 55중량% 내지 70중량%와, 바인더 성분 30중량% 내지 45중량%를 3개의 롤로 잘 혼련하여 다이코팅용, 또는 인쇄용의 제 2 유전체층용 페이스트를 작성한다. 바인더 성분은 에틸셀룰로스, 또는 아크릴 수지를 1중량% 내지 20중량%를 포함하는 터피네올, 또는 뷰틸칼비톨아세테이트이다. 또한, 페이스트 중에는, 필요에 따라 가소제로서 프탈산다이옥틸, 프탈산다이뷰틸, 인산트라이페닐, 인산트라이뷰틸을 첨가하여, 분산제로서 글리세롤모노올레이트, 솔비탄세스퀴올리헤이트, 호모게놀(Kao Corporation사제의 등록상표), 알킬알릴기의 인산에스터 등을 첨가하여, 인쇄성을 향상시킬 수도 있다.
다음으로, 이 제 2 유전체층용 페이스트를 이용하여, 제 1 유전체층(81) 상에 스크린 인쇄법으로, 또는 다이코팅법으로 인쇄하여 건조시키고, 그 후, 유전체 재료의 연화점보다 조금 높은 온도인 550℃ 내지 590℃에서 소성한다.
여기서, 유전체층(8)의 막 두께에 관해서는, 제 1 유전체층(81)과 제 2 유전체층(82)을 합쳐, 가시광 투과율을 확보하기 위해서는 41㎛ 이하가 바람직하다. 제 1 유전체층(81)은, 금속 버스 전극(4b,5b)의 은(Ag)과의 반응을 억제하기 위해서, 산화비스무트의 함유량을 제 2 유전체층(82)의 산화비스무트 함유량보다도 많게 하여, 25중량% 내지 40중량%로 하고 있다. 그 때문에, 제 1 유전체층(81)의 가시광 투과율이, 제 2 유전체층(82)의 가시광 투과율보다도 낮게 되기 때문에, 제 1 유전체층(81)의 막 두께를, 제 2 유전체층(82)의 막 두께보다도 얇게 하고 있다.
한편, 제 2 유전체층(82)에 있어서 산화비스무트(Bi2O3)가 11중량% 이하이면, 가시광 투과율은 저하되기 어렵게 되지만, 제 2 유전체층(82) 중에 기포가 발생하기 쉽고 바람직하지 못하다. 또한, 20중량%를 초과하면 가시광 투과율을 올리는 목적으로는 바람직하지 못하다.
또한, 유전체층(8)의 막 두께가 작아질수록, 패널 휘도의 향상과 방전 전압을 저감시킨다고 하는 효과는 현저하게 된다. 그러나 유전체층(8)의 막 두께를 지나치게 작게 하면, 필요한 절연 내압을 얻을 수 없게 된다.
이와 같이, 금속 버스 전극(4b,5b)의 은과의 반응을 억제하기 위해서, 금속 버스 전극(4b,5b)을 덮는 제 1 유전체층(81)은 산화비스무트 함유량을 많게 할 필요가 있다. 또한, 절연 내압을 얻기 위해서는, 소정의 유전체층(8)의 막 두께가 필요하게 되기 때문에, 가시광 투과율을 극단적으로 저하시키지 않는, 산화비스무트 함유량이 적은 소정 두께의 제 2 유전체층(82)이 필요하게 된다.
그래서, 상술의 조건을 만족시키는 제 1 유전체층(81)과, 제 2 유전체층(82)의 두께를 조사한 결과, 제 2 유전체층(82)의 제 1 유전체층(81)에 대한 두께의 비는, 1.3 이상 7.2 이하로 하는 것이 좋음을 알게 되었다. 즉, 이 두께의 비가 1.3 미만이면, 필요한 절연 내압을 얻을 수 없고, 7.2를 초과하면, 가시광 투과율의 저하가 현저하게 되기 때문이다.
다음으로, 본 발명의 실시의 형태에 있어서의 PDP에서, 이들의 유전체 재료에 의해서 제 1 유전체층(81)에서의 착색 및 기포의 발생이 억제되는 이유에 대하여 고찰한다. 즉, 산화비스무트(Bi2O3)를 포함하는 유전체 유리 재료에 산화몰리브덴(MoO3), 또는 산화텅스텐(WO3)을 첨가함으로써, Ag2MoO4, Ag2Mo2O7, Ag2Mo4O13, Ag2WO4, Ag2W2O7, Ag2W4O13이라고 하는 화합물이 580℃ 이하의 저온에서 생성되기 쉬운 것이 알려져 있다.
본 발명의 실시의 형태에서는, 유전체층(8)의 소성 온도가 550℃ 내지 590℃인 것으로부터, 소성 중에 유전체층(8) 중에 확산된 Ag 이온(Ag+)은 유전체층(8) 중의 산화몰리브덴(MoO3), 산화텅스텐(WO3)과 반응하여, 안정한 화합물을 생성하여 안정화된다. 즉, Ag 이온(Ag+)이 환원되는 일없이 안정화되기 때문에, 응집하여 콜로이드를 생성하는 일이 없다. 따라서, Ag 이온(Ag+)이 안정화함으로써, 은(Ag)의 콜로이드화에 따르는 산소의 발생도 적어지기 때문에, 유전체층(8) 중에의 기포의 발생도 적어진다.
한편, 이들의 효과를 유효하게 하기 위해서는, 산화비스무트(Bi2O3)를 포함하는 유전체 유리 재료 중에 산화몰리브덴(MoO3), 또는 산화텅스텐(WO3)의 함유량을 0.1중량% 이상으로 하는 것이 바람직하지만, 0.1중량% 이상 7중량% 이하가 더욱 바람직하다. 특히, 0.1중량% 이하에서는 착색을 억제하는 효과가 적고, 7중량%보다 많아지면 유전체 유리 재료에 착색이 일어나 바람직하지 못하다.
즉, 본 발명의 실시의 형태에 따르는 PDP의 유전체층(8)은, 은 재료로 이루어지는 금속 버스 전극(4b,5b)과 접하는 제 1 유전체층(81)에서는 착색 현상과, 기포 발생을 억제하고, 제 1 유전체층(81) 상에 설치한 제 2 유전체층(82)에 의해, 절연 내압을 확보하면서 높은 가시광 투과율을 실현하고 있다. 그 결과, 유전체층(8) 전체로서, 기포나 착색의 발생이 매우 적고, 가시광 투과율이 높은 PDP를 실현하는 것이 가능해진다.
본 발명의 PDP는, 유전체층의 착색이나 절연 내압 성능의 열화가 없고, 환경에 우수하고 표시 품질이 우수한 PDP를 실현하여 대화면의 표시 디바이스 등에 유용하다.

Claims (5)

  1. 유리 기판 상에 표시 전극과 유전체층과 보호층이 형성된 전면판과, 기판 상에 전극과 격벽과 형광체층이 형성된 배면판을 대향 배치함과 동시에, 주위를 봉착하여 방전 공간을 형성한 플라즈마 디스플레이 패널로서,
    상기 표시 전극이 적어도 은을 함유함과 동시에,
    상기 유전체층이
    상기 표시 전극을 덮고 산화비스무트를 함유하는 제 1 유전체층과,
    상기 제 1 유전체층을 덮고 산화비스무트를 함유하는 제 2 유전체층으로 구성되고,
    상기 제 2 유전체층의 상기 제 1 유전체층에 대한 두께의 비를, 1.3 이상 7.2 이하로 한 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유전체층은,
    상기 표시 전극을 덮는 제 1 유전체층과,
    상기 제 1 유전체층을 덮고 산화비스무트의 함유량이 상기 제 1 유전체층의 산화비스무트의 함유량보다도 작은 제 2 유전체층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 유전체층이,
    산화몰리브덴, 산화텅스텐 중의 적어도 하나를 0.1중량% 이상 7중량% 이하 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 유전체층이,
    산화비스무트를 11중량% 이상 20중량% 이하 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 유전체층 및 상기 제 2 유전체층이, 산화아연, 산화붕소, 산화규소, 산화알루미늄, 산화칼슘, 산화스트론튬, 산화바륨 중의 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
KR1020077029754A 2006-02-14 2007-02-08 플라즈마 디스플레이 패널 KR100948713B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2006-00036347 2006-02-14
JP2006036347A JP4089733B2 (ja) 2006-02-14 2006-02-14 プラズマディスプレイパネル

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080011441A true KR20080011441A (ko) 2008-02-04
KR100948713B1 KR100948713B1 (ko) 2010-03-22

Family

ID=38371426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020077029754A KR100948713B1 (ko) 2006-02-14 2007-02-08 플라즈마 디스플레이 패널

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8072142B2 (ko)
EP (1) EP1887601A4 (ko)
JP (1) JP4089733B2 (ko)
KR (1) KR100948713B1 (ko)
CN (1) CN101326611B (ko)
WO (1) WO2007094239A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5298578B2 (ja) * 2008-03-10 2013-09-25 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
US8436537B2 (en) 2008-07-07 2013-05-07 Samsung Sdi Co., Ltd. Substrate structure for plasma display panel, method of manufacturing the substrate structure, and plasma display panel including the substrate structure
EP2144269A3 (en) * 2008-07-07 2010-09-01 Samsung SDI Co., Ltd. Substrate structure for plasma display panel, method of manufacturing the substrate structure, and plasma display panel including the substrate structure
US8329066B2 (en) * 2008-07-07 2012-12-11 Samsung Sdi Co., Ltd. Paste containing aluminum for preparing PDP electrode, method of preparing the PDP electrode using the paste and PDP electrode prepared using the method

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3778223B2 (ja) * 1995-05-26 2006-05-24 株式会社日立プラズマパテントライセンシング プラズマディスプレイパネル
KR19980065367A (ko) * 1996-06-02 1998-10-15 오평희 액정표시소자용 백라이트
US6159066A (en) * 1996-12-18 2000-12-12 Fujitsu Limited Glass material used in, and fabrication method of, a plasma display panel
JP4331862B2 (ja) * 1999-04-28 2009-09-16 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
EP1093147B1 (en) * 1999-04-28 2011-03-30 Panasonic Corporation Plasma display panel
JP2003162962A (ja) * 1999-12-21 2003-06-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
US6777872B2 (en) * 1999-12-21 2004-08-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma display panel and method for production thereof
FR2805393A1 (fr) * 2000-02-23 2001-08-24 Thomson Plasma Procede de realisation d'une couche dielectrique sur un substrat en verre recouvert d'electrodes conductrices
JP2001266753A (ja) 2000-03-24 2001-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイパネル
CN1183497C (zh) * 2000-03-31 2005-01-05 松下电器产业株式会社 显示板及其制造方法
JP2003115261A (ja) 2000-03-31 2003-04-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd ディスプレイパネルの製造方法
JP3879373B2 (ja) * 2000-07-06 2007-02-14 東レ株式会社 ディスプレイの誘電体層形成用ペーストならびにそれを用いたディスプレイ用部材およびディスプレイ
JP2002053342A (ja) 2000-08-10 2002-02-19 Asahi Glass Co Ltd 電極被覆用低融点ガラス
US6786064B2 (en) * 2000-10-23 2004-09-07 Hoya Corporation Process for the production of glass molded article
JP3827987B2 (ja) 2001-10-22 2006-09-27 旭テクノグラス株式会社 無鉛ガラスフリット
JP2003192376A (ja) 2001-12-27 2003-07-09 Asahi Glass Co Ltd 低融点ガラス、ガラスセラミックス組成物およびプラズマディスプレイパネル背面基板
JP2004345913A (ja) 2003-05-23 2004-12-09 Nihon Yamamura Glass Co Ltd プラズマディスプレイパネル用誘電体材料
JP2005041734A (ja) 2003-05-26 2005-02-17 Nippon Electric Glass Co Ltd 誘電体形成用ガラス及びプラズマディスプレーパネル用誘電体形成材料
JP2005038824A (ja) 2003-06-27 2005-02-10 Nippon Electric Glass Co Ltd プラズマディスプレイパネルの誘電体構造
JP4275472B2 (ja) * 2003-07-08 2009-06-10 株式会社日立製作所 プラズマディスプレイ装置
TW200520008A (en) * 2003-11-06 2005-06-16 Asahi Glass Co Ltd Glass for forming barrier ribs, and plasma display panel
KR20050077391A (ko) 2004-01-27 2005-08-02 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
JP2005231923A (ja) 2004-02-18 2005-09-02 Central Glass Co Ltd 無鉛低融点ガラス
JP2005320227A (ja) * 2004-04-06 2005-11-17 Okuno Chem Ind Co Ltd 無鉛低融点ガラス組成物
US20050242725A1 (en) * 2004-04-26 2005-11-03 Shinya Hasegawa Glass composition and paste composition suitable for a plasma display panel, and plasma display panel
KR20060000515A (ko) * 2004-06-29 2006-01-06 대주전자재료 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 격벽용 무연 유리 조성물
JP2004327456A (ja) 2004-08-20 2004-11-18 Toray Ind Inc プラズマディスプレイ用基板およびその製造方法
JP4119477B2 (ja) * 2005-04-04 2008-07-16 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
JP4089740B2 (ja) * 2005-10-03 2008-05-28 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネル
JP4089739B2 (ja) * 2005-10-03 2008-05-28 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネル

Also Published As

Publication number Publication date
JP4089733B2 (ja) 2008-05-28
JP2007220330A (ja) 2007-08-30
KR100948713B1 (ko) 2010-03-22
US8072142B2 (en) 2011-12-06
EP1887601A1 (en) 2008-02-13
US20100219743A1 (en) 2010-09-02
CN101326611A (zh) 2008-12-17
EP1887601A4 (en) 2008-10-29
CN101326611B (zh) 2010-06-02
WO2007094239A1 (ja) 2007-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4089739B2 (ja) プラズマディスプレイパネル
KR100916878B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR100929477B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR100948713B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
JP4089740B2 (ja) プラズマディスプレイパネル
JP4910558B2 (ja) プラズマディスプレイパネル
KR100920858B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR100942878B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법
JP5245224B2 (ja) プラズマディスプレイパネル
JP4289434B2 (ja) プラズマディスプレイパネル
JP2010015698A (ja) プラズマディスプレイパネル
JP4289433B2 (ja) プラズマディスプレイパネル
JP4915106B2 (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法およびプラズマディスプレイパネル用の誘電体ペースト
JP4329861B2 (ja) プラズマディスプレイパネル
JP4329862B2 (ja) プラズマディスプレイパネル
JP4382148B2 (ja) プラズマディスプレイパネル

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee