KR20080004345A - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20080004345A
KR20080004345A KR1020070056087A KR20070056087A KR20080004345A KR 20080004345 A KR20080004345 A KR 20080004345A KR 1020070056087 A KR1020070056087 A KR 1020070056087A KR 20070056087 A KR20070056087 A KR 20070056087A KR 20080004345 A KR20080004345 A KR 20080004345A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
board
holding plate
substrate holding
temperature
Prior art date
Application number
KR1020070056087A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100865844B1 (ko
Inventor
다카시 가키무라
Original Assignee
다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 filed Critical 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤
Publication of KR20080004345A publication Critical patent/KR20080004345A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100865844B1 publication Critical patent/KR100865844B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/60—Substrates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
    • G03F7/2016—Contact mask being integral part of the photosensitive element and subject to destructive removal during post-exposure processing
    • G03F7/202—Masking pattern being obtained by thermal means, e.g. laser ablation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 하면(下面)의 오염 및 손상을 방지함과 동시에, 기판의 면 내를 균일하게 열처리할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
기판 처리 장치(1)는, 기판 유지 플레이트(12) 상에 기판(90)을 비접촉으로 유지하고, 기판(90)을 일방향으로 이동시키면서 가열 처리를 행한다. 이로 인해, 기판(90)의 하면에 지지핀 등의 부재가 접촉하는 일은 없어, 기판(90)의 손상이나 오염이 방지된다. 또, 지지핀 등의 부재에 의해 가열 처리가 부분적으로 불균일하게 되는 일도 없다. 또, 기판(90)을 반송하면서 가열 처리를 행하기 때문에, 기판(90)의 하면 측에서의 기체의 흐름에 상관없이 기판(90)의 면 내를 균일하게 열처리할 수 있다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
도 1은 제1 실시 형태에 있어서의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 2는 제1 실시 형태에 있어서의 기판 처리 장치의 종단면도이다.
도 3은 제1 실시 형태에 있어서의 제어부와 각 부 사이의 접속 구성을 나타낸 블록도이다.
도 4는 제1 실시 형태에 있어서의 기판 처리의 상태를 나타낸 도면이다.
도 5는 기판 처리 장치에 있어서의 기판 처리의 상태를 나타낸 도면이다.
도 6은 기판 처리 장치에 있어서의 기판 처리의 상태를 나타낸 도면이다.
도 7은 기판 처리 장치에 있어서의 기판 처리의 상태를 나타낸 도면이다.
도 8은 제2 실시 형태에 있어서의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 9는 제2 실시 형태에 있어서의 기판 처리 장치의 종단면도이다.
도 10은 요동 기구를 구비한 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 11은 슬릿폭 조정용 플레이트의 상면도이다.
도 12는 슬릿폭 조정용 플레이트의 종단면도이다.
도 13은 슬릿폭 조정용 플레이트의 상면도이다.
도 14는 슬릿폭 조정용 플레이트의 종단면도이다.
도 15는 제3 실시 형태에 있어서의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 16은 제3 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 처리부의 종단면도이다.
도 17은 제3 실시 형태에 있어서의 열처리부의 종단면도이다.
도 18은 제3 실시 형태에 있어서의 제어부와 각 부 사이의 접속 구성을 나타낸 블록도이다.
도 19는 제3 실시 형태에 있어서의 열처리부의 온도 분포의 예를 나타낸 도면이다.
도 20은 종래의 기판 처리 장치의 구성을 나타낸 도면이다.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
1, 2, 3 : 기판 처리 장치 4 : 레지스트 도포 처리부
5∼9 : 열처리부 10 : 기판 유지 플레이트
11, 41, 51 : 챔버
12, 22, 42, 52 : 기판 유지 플레이트
12a, 22a, 42a, 52a : 토출 구멍
12b, 22b, 42b, 52b : 흡인 구멍
12c : 히터 13, 31 : 기판 반송 기구
13a, 31a : 레일부 13b, 31b : 이동부
13c, 31c : 접촉부 14d : 히터
15, 32 : 제어부 16 : 요동(搖動) 기구
22c : 슬릿폭 조정용 플레이트
22d : 슬릿폭 조정용 플레이트
52c : 온도 조절부 54d : 온도 조절부
90 : 기판
본 발명은, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 유리 기판, PDP용 유리 기판 등의 기판에 대해 열처리를 행하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
종래부터, 기판의 제조 공정에서는, 기판의 표면에 레지스트액을 도포하는 처리가 행해지고, 그 후, 기판 표면과 레지스트와의 밀착성을 향상시키기 위해 열처리(가열 처리 및 냉각 처리)가 행해진다. 열처리를 행하는 종래의 기판 처리 장치는, 챔버 내에 배치된 기판 유지 플레이트 상에 기판을 탑재하고, 해당 기판을 가열 또는 냉각한다.
도 20에 도시한 바와 같이, 종래의 기판 처리 장치(100)는, 기판 유지 플레이트(101) 상에 프록시미티핀 등의 복수의 지지핀(102)을 갖고, 이들 지지핀(102) 상에 기판(109)을 탑재하면서 기판(109)을 가열 또는 냉각하는 구성으로 되어 있었다. 이러한 종래의 기판 처리 장치의 구성은, 예를 들면 특허 문헌 1에 개시되어 있다.
[특허 문헌 1] 일본국 특개평11-283909호 공보
그러나, 종래의 기판 처리 장치에서는, 기판의 하면에 부분적으로 지지핀이 접촉되어 있기 때문에, 지지핀에 의해 기판의 하면이 오염 또는 손상될 우려가 있었다. 또, 종래의 기판 처리 장치에서는, 기판의 하면에 부분적으로 지지핀이 접촉된 상태에서 기판에 열처리를 행하기 때문에, 기판의 면 내에서 열처리의 상태가 불균일하게 될 우려가 있었다. 특히, 최근에는, 처리 대상이 되는 기판이 대형화되는 경향이 있기 때문에, 1장의 기판을 다수의 지지핀에 의해 유지할 필요가 있다. 이러한 상황 하에서는, 상기의 문제는 보다 현저한 것으로 되어 있었다.
본 발명은, 이러한 사정에 감안하여 이루어진 것으로, 기판 하면의 오염 및 손상을 방지함과 동시에, 기판의 면 내를 균일하게 열처리할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 청구항 1에 따른 발명은, 기판에 대해 열처리를 행하는 기판 처리 장치로서, 상면에 형성된 복수의 토출 구멍으로부터 기체를 토출함으로써 상기 상면에 기판을 비접촉으로 유지하는 기판 유지 플레이트와, 상기 기판 유지 플레이트의 상기 상면에 비접촉으로 유지된 기판을 온도 조절하는 온도 조절 수단과, 상기 기판 유지 플레이트의 상기 상면에 비접촉으로 유지된 기판을 상기 상면을 따라 반송하는 반송 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
청구항 2에 따른 발명은, 청구항 1에 기재된 기판 처리 장치로서, 상기 기판 유지 플레이트의 상기 상면에는, 상방의 기체를 흡인하는 복수의 흡인 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
청구항 3에 따른 발명은, 청구항 2에 기재된 기판 처리 장치로서, 상기 복수 의 토출 구멍 및 상기 복수의 흡인 구멍은, 상기 기판 유지 플레이트의 상기 상면에서 격자 형상으로 배열된 스폿 형상의 천공(穿孔)인 것을 특징으로 한다.
청구항 4에 따른 발명은, 청구항 2에 기재된 기판 처리 장치로서, 상기 복수의 토출 구멍 및 상기 복수의 흡인 구멍은, 상기 기판 유지 플레이트의 상기 상면에서 상기 반송 수단의 반송 방향과 직교하는 방향으로 형성된 슬릿 형상의 천공인 것을 특징으로 한다.
청구항 5에 따른 발명은, 청구항 4에 기재된 기판 처리 장치로서, 상기 복수의 토출 구멍 및 상기 복수의 흡인 구멍은, 상기 기판 유지 플레이트의 상기 상면에서 상기 반송 수단의 반송 방향을 따라 교대로 배열되어 있는 것을 특징으로 한다.
청구항 6에 따른 발명은, 청구항 4에 기재된 기판 처리 장치로서, 상기 복수의 토출 구멍 또는 상기 복수의 흡인 구멍의 슬릿폭을 조절하는 슬릿폭 조절 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
청구항 7에 따른 발명은, 청구항 1에 기재된 기판 처리 장치로서, 상기 반송 수단은, 반송 방향의 후방 측으로부터 기판에 접촉하는 접촉부와, 상기 접촉부를 반송 방향으로 이동시키는 이동부를 갖는 것을 특징으로 한다.
청구항 8에 따른 발명은, 청구항 1에 기재된 기판 처리 장치로서, 상기 반송 수단은, 기판을 요동시키는 요동 수단을 갖는 것을 특징으로 한다.
청구항 9에 따른 발명은, 청구항 1에 기재된 기판 처리 장치로서, 상기 온도 조절 수단은, 상기 기판 유지 플레이트와 기판 사이의 열의 복사에 의해 기판을 온 도 조절하는 제1 온도 조절 수단과, 상기 복수의 토출 구멍으로부터 토출되는 기체와 기판 사이의 열교환에 의해 기판을 온도 조절하는 제2 온도 조절 수단을 갖는 것을 특징으로 한다.
청구항 10에 따른 발명은, 청구항 9에 기재된 기판 처리 장치로서, 상기 반송 수단의 반송 방향을 따라 배열된 복수의 상기 기판 유지 플레이트를 구비하고, 상기 제1 온도 조절 수단은, 복수의 상기 기판 유지 플레이트를 개별적으로 온도 조절하는 것을 특징으로 한다.
청구항 11에 따른 발명은, 청구항 10에 기재된 기판 처리 장치로서, 상기 제1 온도 조절 수단은, 복수의 상기 기판 유지 플레이트의 각각을 영역마다 개별적으로 온도 조절하는 것을 특징으로 한다.
청구항 12에 따른 발명은, 청구항 11에 기재된 기판 처리 장치로서, 상기 제2 온도 조절 수단은, 상기 기판 유지 플레이트의 각 영역의 온도에 따라 해당 영역에 형성되어 있는 토출 구멍으로부터 토출되는 기체를 온도 조절하는 것을 특징으로 한다.
청구항 13에 따른 발명은, 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 장치로서, 상기 기판 유지 플레이트에 대해 상기 반송 수단의 반송 방향 상류 측에, 기판의 상면에 처리액을 도포하는 도포 처리부를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
(발명의 실시 형태)
이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해, 도면을 참조하면서 설명한다.
〈1. 제1 실시 형태〉
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 구성을 나타낸 평면도이다. 또, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치(1)를 II-II선으로 절단했을 때의 종단면도이다. 도 2에는, 기판 처리 장치(1)에 대한 급배기계의 구성도 도시되어 있다. 또한, 도 1, 도 2 및 이하의 각 도면에는, 각 부위의 위치 관계를 명확하게 나타내기 위해, xyz 직교 좌표계가 첨부되어 있다.
이 기판 처리 장치(1)는, 액정 표시 장치용의 각형(角形) 유리 기판(이하, 간단히 「기판」이라고 한다)(90)의 표면을 선택적으로 에칭하는 포토리소그래피 공정에서, 레지스트 도포 후의 기판(90)에 가열 처리를 행하기 위한 장치이다. 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 주로 챔버(11)와, 기판 유지 플레이트(12)와, 기판 반송 기구(13)를 구비하고 있다.
챔버(11)는, 기판(90)에 대해 가열 처리를 행하기 위한 공간을 내부에 갖는 하우징체이다. 기판 유지 플레이트(12) 및 기판 반송 기구(13)는, 챔버(11)의 내부에 수용되어 있다. 또, 챔버(11)의 측면의 일부에는, 챔버(11)에 대해 기판(90)을 반출입하기 위한 반출입구(11a)와, 반출입구(11a)를 개폐하기 위한 개폐 도어(11b)가 설치되어 있다. 기판(90)을 챔버(11) 내에 반입할 때, 및 기판(90)을 챔버(11) 밖으로 반출할 때에는, 개폐 도어(11b)가 개방되어, 반출입구(11a)를 통해 기판(90)이 반송된다. 또, 챔버(11) 내에서 기판(90)에 가열 처리를 행할 때에는, 개폐 도어(11b)가 폐쇄되어, 챔버(11)의 내부는 기밀 상태가 된다.
기판 유지 플레이트(12)는, 표면에 기판(90)을 비접촉으로 유지하고, 유지된 기판(90)을 가열하기 위한 플레이트이다. 기판 유지 플레이트(12)는, 평판 형상의 외형을 갖고 있으며, 수평 자세로 챔버(11) 내에 설치되어 있다. 기판 유지 플레이트(12)에는, 상방을 향해 질소가스를 토출하기 위한 복수의 토출 구멍(12a)과, 플레이트 상부의 기체를 흡인하기 위한 복수의 흡인 구멍(12b)이 형성되어 있다.
복수의 토출 구멍(12a)은, 기판 유지 플레이트(12)를 상하로 관통하는 천공으로, 상면에서 볼 때 스폿(반점) 형상으로 형성되어 있다. 각 토출 구멍(12a)은, 기판 유지 플레이트(12)의 하면 측에서 급기 배관(14a)과 접속되어 있다. 급기 배관(14a)의 상류 측에는 질소가스 공급원(14b)이 접속되어 있으며, 급기 배관(14a)의 경로 도중에는 개폐 밸브(14c)와 히터(14d)가 개재 삽입되어 있다. 이로 인해, 개폐 밸브(14c)를 개방함과 동시에 히터(14d)를 동작시키면, 질소가스 공급원(14b)으로부터 질소가스가 공급되고, 히터(14d)에 의해 가열된 질소가스가 토출 구멍(12a)으로부터 기판 유지 플레이트(12)의 상부를 향해 토출된다.
한편, 복수의 흡인 구멍(12b)은, 기판 유지 플레이트(12)를 상하로 관통하는 천공으로, 상면에서 볼 때 스폿(반점) 형상으로 형성되어 있다. 각 흡인 구멍(12b)은, 기판 유지 플레이트(12)의 하면 측에서 배기 배관(14e)과 접속되어 있다. 배기 배관(14e)의 하류 측에는, 진공 펌프 등에 의해 강제 배기를 행하는 배기부(14f)가 접속되어 있으며, 배기 배관(14e)의 경로 도중에는 개폐 밸브(14g)가 개재 삽입되어 있다. 이로 인해, 개폐 밸브(14g)를 개방하면, 기판 유지 플레이트(12) 상부의 기체가 흡인 구멍(12b)으로 흡인되고, 배기 배관(14e)을 경유하여 배기부(14f)로 배기된다.
기판 유지 플레이트(12) 상에 기판(90)을 탑재하고, 상기 개폐 밸브(14c) 및 개폐 밸브(14g)를 개방하면, 복수의 토출 구멍(12a)으로부터 기판(90)의 하면으로 질소가스가 분사됨과 동시에, 기판 유지 플레이트(12)와 기판(90) 사이의 기체가 복수의 흡인 구멍(12b)으로 흡인된다. 이에 따라, 기판(90)에 대해 상방으로의 부력과 기판 유지 플레이트(12)로의 흡착력이 작용하여, 기판(90)은 기판 유지 플레이트(12) 상에 일정한 높이에서 비접촉으로 유지된다.
또한, 복수의 토출 구멍(12a) 및 복수의 흡인 구멍(12b)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 상면에서 볼 때 격자 형상으로 교대로 배치되어 있다. 즉, 기판 유지 플레이트(12) 상에서, 복수의 토출 구멍(12a) 및 복수의 흡인 구멍(12b)은 모두 균일하게 배열되어 있다. 이로 인해, 기판(90)에 대한 부력과 흡착력은 모두 기판(90)의 면 내에 균일하게 작용하여, 기판(90)은 수평 자세를 유지하면서 안정되게 기판 유지 플레이트(12) 상에 유지된다.
또, 기판 유지 플레이트(12)의 내부에는 히터(12c)가 매설되어 있다. 히터(12c)를 동작시키면, 기판 유지 플레이트(12)는 가열되어 소정의 온도로 승온(昇溫)한다. 이로 인해, 기판 유지 플레이트(12) 상에 유지된 기판(90)은, 기판 유지 플레이트(12)로부터의 복사열을 받아 가열된다. 또, 기판 유지 플레이트(12) 상에 유지된 기판(90)의 하면에는, 히터(14d)에 의해 가열되어 복수의 토출 구멍(12a)으로부터 토출된 질소가스가 분사된다. 이로 인해, 기판(90)은 질소가스로부터도 열을 받아 가열된다. 즉, 이 기판 처리 장치(1)는, 히터(12c)로부터 발생한 열을 기판 유지 플레이트(12)를 통해 기판(90)에 부여하는 제1 가열 수단과, 히터(14d)로 부터 발생한 열을 복수의 토출 구멍(12a)으로부터 토출하는 질소가스를 통해 기판(90)에 부여하는 제2 가열 수단을 갖고 있다.
기판 반송 기구(13)는, 기판 유지 플레이트(12) 상에 비접촉으로 유지된 기판(90)을 반송하기 위한 기구이다. 기판 반송 기구(13)는, 기판 유지 플레이트(12)의 좌우(＋y측 및 ―y측)에 기판 유지 플레이트(12)를 따라 부설(敷設)된 한 쌍의 레일부(13a)와, 레일부(13a)를 따라 이동하는 한 쌍의 이동부(13b)를 갖고 있다. 레일부(13a) 및 이동부(13b)는, 공지된 여러 가지 이동 기구에 의해 구성할 수 있지만, 예를 들면, 모터의 회전 구동을 볼나사나 반송 벨트를 개재하여 직동(直動) 운동으로 변환하는 기구나, 리니어 모터를 이용한 기구에 의해 구성할 수 있다.
기판 반송 기구(13)를 동작시키면, 한 쌍의 이동부(13b)는 레일부(13a)를 따라 x축 방향으로 병진(竝進)한다. 또, 각 이동부(13b)에는, 기판(90)의 ―x측의 단면에 접촉하기 위한 접촉부(13c)가 고정 설치되어 있다. 이 때문에, 한 쌍의 이동부(13b)를 ＋x방향으로 이동시키면, 기판 유지 플레이트(12) 상에 비접촉으로 유지된 기판(90)의 단면에 접촉부(13c)가 접촉하여, 접촉부(13c)와 함께 기판(90)이＋x방향으로 이동한다.
또, 이 기판 처리 장치(1)는, 상기 구성에 추가하여 제어부(15)를 구비하고 있다. 도 3은, 기판 처리 장치(1) 내의 상기 각 부와 제어부(15) 사이의 접속 구성을 나타낸 블록도이다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 제어부(15)는, 개폐 도어(11b), 기판 반송 기구(13), 개폐 밸브(14c, 14g), 히터(12c, 14d)와 전기적으로 접속되어 있으며, 이들 동작을 제어한다. 또한, 제어부(15)는, 구체적으로는 CPU나 메모리를 갖는 컴퓨터에 의해 구성되어 있으며, 컴퓨터에 인스톨된 프로그램에 따라 컴퓨터가 동작함으로써, 상기 제어 동작을 행한다.
도 4∼도 7은, 상기한 기판 처리 장치(1)에서 기판(90)을 처리할 때의 각 단계의 처리 상태를 나타낸 도면이다. 도 4∼도 7을 참조하면서, 기판 처리 장치(1)의 처리의 흐름에 대해, 이하에 설명한다.
레지스트 도포 후의 기판(90)이 소정의 반송 로봇(R)에 의해 반송되어 오면, 우선, 기판 처리 장치(1)는, 개폐 도어(11b)을 개방하고, 반출입구(11a)를 통해 기판(90)을 챔버(11) 내에 반입한다(도 4의 상태). 챔버(11) 내의 기판 유지 플레이트(12) 상에서는, 복수의 토출 구멍(12a)으로부터의 질소가스의 토출과, 복수의 흡인 구멍(12b)으로의 기체의 흡인이 개시되고 있다. 또, 한 쌍의 이동부(13b)는, 챔버(11)의 가장 내측(―x측)의 이동 개시 위치에서 대기하고 있다. 챔버(11) 내에 반입된 기판(90)은, 기판 유지 플레이트(12) 상의 이동부(13b)의 앞에 비접촉으로 탑재된다.
기판(90)이 기판 유지 플레이트(12) 상에 탑재되면, 반송 로봇(R)은 챔버(11)의 외부로 퇴피하고, 개폐 도어(11b)이 폐쇄된다(도 5의 상태). 그 후, 한 쌍의 이동부(13b)(도 1 참조)는 레일부(13a)(도 1 참조)를 따라 ＋x방향으로 천천히 이동한다. 이에 따라, 접촉부(13c)가 기판(90)의 ―x측의 단면에 접촉하고, 기판(90)은 ＋x방향으로 천천히 반송된다(도 6의 상태). 기판(90)은, 기판 유지 플레이트(12) 상에서 반송되면서, 기판 유지 플레이트(12)로부터의 복사열과 복수의 토출 구멍(12a)으로부터의 질소가스를 받아, 가열된다.
소정 시간의 가열 처리가 종료하고, 기판(90)이 반송 종료 위치까지 반송되면, 기판 처리 장치(1)는, 개폐 도어(11b)를 개방하고, 반송 로봇(R)에 의해 기판(90)을 챔버(11)의 외부로 반출한다(도 7의 상태). 여기서, 기판(90)은 기판 유지 플레이트(12) 상에 비접촉으로 유지되어 있었기 때문에, 기판 유지 플레이트(12)로부터 기판(90)을 떼어낼 때에 기판(90)에 박리 대전이 발생하는 일은 없다. 따라서, 정전적 작용에 의해 기판(90)의 표면에 파티클이 부착되는 일은 없다.
이상과 같이, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(1)는, 기판 유지 플레이트(12) 상에 기판(90)을 비접촉으로 유지하고, 기판(90)을 일방향으로 이동시키면서 가열 처리를 행한다. 이로 인해, 기판(90)의 하면에 지지핀 등의 부재가 접촉하는 일은 없어, 기판(90)의 손상이나 오염이 방지된다. 또, 지지핀 등의 부재에 의해 가열 처리가 부분적으로 불균일하게 되는 일도 없다. 또, 기판(90)을 반송하면서 가열 처리를 행하기 때문에, 기판(90)의 하면 측에서의 기체의 흐름에 상관없이, 기판(90)의 면 내를 균일하게 열처리할 수 있다.
〈2. 제2 실시 형태〉
도 8은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(2)의 구성을 나타낸 평면도이다. 또, 도 9는 도 8의 기판 처리 장치(2)를 IX-IX선으로 절단했을 때의 종단면도이다. 이 기판 처리 장치(2)는, 기판 유지 플레이트(12)에 형성되는 토출 구멍 및 흡인 구멍를 제외하고, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치(1)와 동등한 구성 을 갖는다. 이 때문에, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치(1)와 공통되는 부분에 대해서는 도 8 및 도 9 중에 도 1 및 도 2와 동일한 부호를 부여하여, 이하에서는 중복 설명을 생략한다.
기판 처리 장치(2)의 기판 유지 플레이트(22)에는, 상방을 향해 질소가스를 토출하기 위한 복수의 토출 구멍(22a)과, 플레이트 상부의 기체를 흡인하기 위한 복수의 흡인 구멍(22b)이 형성되어 있다. 복수의 토출 구멍(22a)은, 기판 유지 플레이트(12)의 상면 측에 형성된 슬릿 형상의 천공이다. 각 토출 구멍(22a)은, 기판(90)의 반송 방향으로 직행하는 방향(y축 방향)으로 형성되고, 기판(90)의 반송 방향(x축 방향)을 따라 배열되어 있다. 제1 실시 형태의 기판 처리 장치(1)와 동일하게, 각 토출 구멍(22a)에는 급기 배관(14a)이 접속되어 있다. 급기 배관(14a)의 상류 측에는 질소가스 공급원(14b)이 접속되어 있으며, 급기 배관(14a)의 경로 도중에는 개폐 밸브(14c)와 히터(14d)가 개재 삽입되어 있다. 이로 인해, 개폐 밸브(14c)를 개방함과 동시에 히터(14d)를 동작시키면, 질소가스 공급원(14b)으로부터 질소가스가 공급되고, 히터(14d)에 의해 가열된 질소가스가 토출 구멍(22a)으로부터 기판 유지 플레이트(12)의 상부를 향해 토출된다.
한편, 복수의 흡인 구멍(22b)은, 기판 유지 플레이트(12)의 상면 측에 형성된 슬릿 형상의 천공이다. 각 흡인 구멍(22b)은, 기판(90)의 반송 방향에 직교하는 방향(y축 방향)으로 형성되고, 기판(90)의 반송 방향(x축 방향)을 따라 배열되어 있다. 제1 실시 형태의 기판 처리 장치(1)와 동일하게, 각 흡인 구멍(22b)에는 배기 배관(14e)이 접속되어 있다. 배기 배관(14e)의 하류 측에는, 진공 펌프 등에 의해 강제 배기를 행하는 배기부(14f)가 접속되어 있으며, 배기 배관(14e)의 경로 도중에는 개폐 밸브(14g)가 개재 삽입되어 있다. 이로 인해, 개폐 밸브(14g)를 개방하면, 기판 유지 플레이트(12) 상부의 기체가 흡인 구멍(22b)으로 흡인되고, 배기 배관(14e)을 경유하여 배기부(14f)로 배기된다.
기판 유지 플레이트(12) 상에 기판(90)을 탑재하고, 상기 개폐 밸브(14c) 및 개폐 밸브(14g)를 개방하면, 복수의 토출 구멍(22a)으로부터 기판(90)의 하면으로 질소가스가 분사됨과 동시에, 기판 유지 플레이트(12)와 기판(90) 사이의 기체가 복수의 흡인 구멍(22b)으로 흡인된다. 이에 따라, 기판(90)에 대해 상방으로의 부력과 기판 유지 플레이트(12)로의 흡착력이 작용하여, 기판(90)은 기판 유지 플레이트(12) 상에 일정한 높이에서 비접촉으로 유지된다.
또, 복수의 토출 구멍(22a) 및 복수의 흡인 구멍(22b)은, 도 1에 도시하는 바와 같이, x축 방향을 따라 교대로 배열되어 있다. 즉, 기판 유지 플레이트(12) 상에서, 복수의 토출 구멍(22a) 및 복수의 흡인 구멍(22b)은 모두 균일하게 배열되어 있다. 이로 인해, 기판(90)에 대한 부력 및 흡착력은 모두 기판(90)의 면 내에 균일하게 작용하여, 기판(90)은 수평 자세를 유지하면서 안정되게 기판 유지 플레이트(12) 상에 유지된다.
이 기판 처리 장치(2)에서 기판(90)에 열처리를 행할 때에는, 도 4∼도 7에 도시한 제1 실시 형태의 처리 순서와 동일한 순서로 처리를 행한다. 즉, 기판 처리 장치(2)는, 반출입구(11a)를 통해 기판(90)을 챔버(11) 내에 반입하고(도 4 참조), 기판 유지 플레이트(12) 상에 기판(90)을 비접촉으로 유지한다(도 5 참조). 그리고, 접촉부(13c)에 의해 기판(90)을 ＋x방향으로 반송하면서 기판(90)을 가열하고(도 6 참조), 다시 반출입구(11a)를 통해 기판(90)을 챔버(11)의 외부로 반출한다(도 7 참조).
본 실시 형태의 기판 처리 장치(2)도, 기판 유지 플레이트(12) 상에 기판(90)을 비접촉으로 유지하고, 기판(90)을 일방향으로 이동시키면서 가열 처리를 행한다. 이로 인해, 기판(90)의 하면에 지지핀 등의 부재가 접촉하는 일은 없어, 기판(90)의 손상이나 오염이 방지된다. 또, 지지핀 등의 부재에 의해 가열 처리가 부분적으로 불균일하게 되는 일도 없다. 또, 기판(90)을 반송하면서 가열 처리를 행하기 때문에, 기판(90)의 하면 측에서의 기체의 흐름에 상관없이, 기판(90)의 면 내를 균일하게 열처리할 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 토출 구멍(22a) 및 흡인 구멍(22b)은, 기판(90)의 반송 방향과 직교하는 방향으로 슬릿 형상으로 형성되어 있다. 이로 인해, 기판(90)의 반송 방향과 직교하는 방향에 관해 기판 유지 플레이트(12) 상의 기체의 흐름은 균일하게 된다. 따라서, 기판(90)은, 반송 방향 및 반송 방향에 직교하는 방향 중 어느 방향에 관해서도 균일하게 가열되어, 기판(90)의 면 내 전체가 매우 균일하게 가열된다.
〈3. 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태의 변형예〉
상기 기판 처리 장치(1, 2)는, 기판(90)을 가열하기 위한 장치였지만, 본 발명의 기판 처리 장치는, 기판(90)을 냉각하기 위한 장치여도 된다. 기판(90)을 냉각하는 경우에는, 상기 기판 처리 장치(1, 2)의 히터(12c) 및 히터(14d)를, 각각 냉각 기구로 치환하면 된다. 냉각 기구는 여러 가지의 공지된 기구에 의해 실현할 수 있는데, 예를 들면, 냉각수를 통과한 수냉관에 의해 기판 유지 플레이트(12) 또는 급기 배관(14a) 내의 질소가스를 냉각하는 구성으로 하면 된다.
또, 상기 기판 반송 기구(13)는, 기판(90)의 반송 방향 후방 측으로부터 기판(90)에 추력(推力)을 부여하는 기구였지만, 본 발명에 있어서의 기판 반송 수단은 상기의 기구에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 기판(90)의 좌우(+y측 및―y측)로부터 기판(90)을 사이에 끼우면서 기판(90)을 x축 방향으로 반송하는 기구여도 되고, 기판(90)의 반송 방향 전방 측으로부터 기판(90)을 끌어당기는 기구여도 된다.
또, 상기 기판 반송 기구(13)는, 기판(90)을 일방향(＋x방향)으로만 반송하는 것이었지만, 본 발명에 있어서의 기판 반송 수단은, 기판(90)을 2 이상의 방향으로 반송하는 것이어도 된다. 예를 들면, 도 10과 같이, 기판(90)을 ＋x방향 및 ―x방향으로 교대로 반송하는 요동 기구(16)여도 된다. 도 10의 요동 기구(16)는, 기판(16)은, 기판(90)의 ―x측에 설치된 제1 이동부(16b)와, 기판(90)의 ＋x측에 설치된 제2 이동부(16d)를 갖는 제1 이동부(16b) 및 제2 이동부(16d)는, 기판 유지 플레이트(12)의 측부를 따라 부설된 레일부(16a)를 따라 x축 방향으로 이동하고, 각 이동부의 상부에는 기판(90)의 단면에 접촉하는 접촉부(16c, 16e)가 설치되어 있다. 요동 기구(16)는, 제1 이동부(16b) 및 제2 이동부(16d)를 ＋x방향과 ―x방향으로 교대로 이동시킴으로써, 접촉부(16c, 16e)에서 기판(90)을 ＋x방향과 ―x방향으로 교대로 반송한다. 이렇게 하면, 협소한 스페이스라 하더라도 기판(90)을 반송하면서 가열할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(1(또는 2))의 점유 면적을 삭감할 수 있다.
또, 상기 기판 처리 장치(2)에서는, 토출 구멍(22a) 및 흡인 구멍(22b)의 슬릿폭은 일정했지만, 기판(90)의 처리 조건에 따라 이들 슬릿폭을 조정할 수 있도록 해도 된다. 예를 들면, 도 11 및 도 12에 도시한 바와 같이, 토출 구멍(22a)의 상부에 한 쌍의 슬릿폭 조정용 플레이트(22c)를 장착해도 된다. 한 쌍의 슬릿폭 조정용 플레이트(22c)는, 토출 구멍(22a)을 따라 기판 유지 플레이트(12)의 상면에 장착되고, 그 장착 위치를 토출 구멍(22a)의 폭 방향으로 조정할 수 있다. 이렇게 하면, 각 슬릿폭 조정용 플레이트(22c)의 장착 위치를 조정함으로써, 토출 구멍(22a)의 슬릿폭을 조정할 수 있다. 흡인 구멍(22b)의 상부에도, 동일한 슬릿폭 조정용 플레이트(22c)를 장착해도 된다.
혹은, 도 13 및 도 14에 도시한 바와 같이, 소정폭의 슬릿(SL)이 관통 형성된 1장의 슬릿폭 조정용 플레이트(22d)를 토출 구멍(22a)의 상부에 장착해도 된다. 슬릿폭 조정용 플레이트(22d)는, 기판 유지 플레이트(12)의 토출 구멍(22a)의 상부에 장착된다. 슬릿(SL)의 폭이 다른 슬릿폭 조정용 플레이트(22d)를 복수 준비해 두면, 토출 구멍(22a)상의 슬릿폭 조정용 플레이트(22d)를 교환함으로써, 토출 구멍(22a)의 슬릿폭을 조정할 수 있다. 흡인 구멍(22b)의 상부에도, 동일한 슬릿폭 조정용 플레이트(22d)를 장착해도 된다.
또, 상기 기판 처리 장치(1, 2)는, 히터(12c)로부터의 열을 기판 유지 플레이트(12)를 통해 기판(90)에 부여하는 제1 가열 수단과, 히터(14d)로부터의 열을 질소가스를 통해 기판(90)에 부여하는 제2 가열 수단을 갖고 있었지만, 이들 가열 수단은 어느 한쪽만이어도 된다. 단, 이들 2가지의 가열 수단을 이용하면, 기판 유지 플레이트(12) 상의 기판(90)을 보다 균일하게 가열할 수 있다.
또, 상기 기판 처리 장치(1, 2)는, 액정 표시 장치용의 각형 유리 기판에 대해 처리를 행하는 장치였지만, 본 발명의 기판 처리 장치는, 반도체 웨이퍼나 PDP용 유리 기판 등의 다른 기판을 처리 대상으로 하는 것이어도 된다.
〈4. 제3 실시 형태〉
도 15는 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(3)의 구성을 나타낸 평면도이다. 이 기판 처리 장치(3)는, 기판(90)의 표면을 선택적으로 에칭하는 포토리소그래피 공정에서, 기판(90)에 대해 레지스트 도포 처리, 가열 처리, 및 냉각 처리를 행하기 위한 장치이다. 기판 처리 장치(3)는, 주로 레지스트 도포 처리부(4)와, 복수의 열처리부(5∼9)와, 기판 반송 기구(31)를 구비하고 있다.
도 16은 레지스트 도포 처리부(4)의 종단면도이다. 우선, 도 15 및 도 16을 참조하면서 레지스트 도포 처리부(4)의 구성에 대해 설명한다. 레지스트 도포 처리부(4)는, 기판(90)의 상면에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하기 위한 처리부이다. 도 15 및 도 16에 도시한 바와 같이, 레지스트 도포 처리부(4)는, 주로 챔버(41)와, 기판 유지 플레이트(42)와, 노즐부(43)를 구비하고 있다.
챔버(41)는, 서로 대향하는 챔버 상부(41a)와 챔버 하부(41b)를 갖고 있다. 챔버 상부(41a)는 상하로 승강 가능한 구성으로 되어 있으며, 챔버 상부(41a)가 하강했을 때에는, 챔버 상부(41a)와 챔버 하부(41b)가 접촉하여 기밀한 챔버(41)가 형성된다. 또, 챔버 상부(41a)가 상승했을 때에는, 챔버 상부(41a)와 챔버 하부(41b) 사이에 간극이 생겨, 챔버(41)의 내부와 외부 사이에서 기판(90)을 반송할 수 있는 상태가 된다(도 16의 상태).
기판 유지 플레이트(42)는, 챔버(41)의 내부에서 기판(90)을 유지하기 위한 플레이트이다. 기판 유지 플레이트(42)는, 평판 형상의 외형을 갖고 있으며, 그 상면에 기판(90)을 수평하게 탑재한다. 기판 유지 플레이트(42)에는, 상방을 향해 질소가스를 토출하기 위한 복수의 토출 구멍(42a)과, 플레이트 상부의 기체를 흡인하기 위한 복수의 흡인 구멍(42b)이 형성되어 있다.
복수의 토출 구멍(42a)은, 기판 유지 플레이트(42)를 상하로 관통하는 천공으로, 상면에서 볼 때 스폿(반점) 형상으로 형성되어 있다. 각 토출 구멍(42a)은, 기판 유지 플레이트(42)의 하면 측에서 급기 배관(44a)과 접속되어 있다. 급기 배관(44a)의 상류 측에는 질소가스 공급원(44b)이 접속되어 있으며, 급기 배관(44a)의 경로 도중에는 개폐 밸브(44c)가 개재 삽입되어 있다. 이로 인해, 개폐 밸브(44c)를 개방하면, 질소가스 공급원(44b)으로부터 질소가스가 공급되어, 토출 구멍(42a)으로부터 기판 유지 플레이트(12)의 상부를 향해 질소가스가 토출된다.
한편, 복수의 흡인 구멍(42b)은, 기판 유지 플레이트(42)를 상하로 관통하는 천공으로, 상면에서 볼 때 스폿(반점) 형상으로 형성되어 있다. 각 흡인 구멍(42b)은, 기판 유지 플레이트(42)의 하면 측에서 배기 배관(44e)과 접속되어 있다. 배기 배관(44e)의 하류 측에는, 진공 펌프 등에 의해 강제 배기를 행하는 배기부(44f)가 접속되어 있으며, 배기 배관(44e)의 경로 도중에는 개폐 밸브(44g)가 개재 삽입되어 있다. 이로 인해, 개폐 밸브(44g)를 개방하면, 기판 유지 플레이트(42) 상부의 기체가 흡인 구멍(42b)에 흡인되어, 배기 배관(44e)을 경유하여 배기부(44f)로 배기된다.
기판 유지 플레이트(42)상에 기판(90)을 탑재하고, 상기 개폐 밸브(44c) 및 개폐 밸브(44g)를 개방하면, 복수의 토출 구멍(42a)으로부터 기판(90)의 하면으로 질소가스가 분사됨과 동시에, 기판 유지 플레이트(42)와 기판(90) 사이에 있는 기체가 복수의 흡인 구멍(42b)으로 흡인된다. 이에 따라, 기판(90)에 대해 상방으로의 부력과 기판 유지 플레이트(42)로의 흡착력이 작용하여, 기판(90)은 기판 유지 플레이트(42)상에 일정한 높이에서 비접촉으로 유지된다.
또한, 복수의 토출 구멍(42a) 및 복수의 흡인 구멍(42b)은, 상면에서 볼 때 격자 형상으로 교대로 배치되어 있다. 즉, 기판 유지 플레이트(42)상에서, 복수의 토출 구멍(42a) 및 복수의 흡인 구멍(42b)은 모두 균일하게 배열되어 있다. 이로 인해, 기판에 대한 부력과 흡착력은 모두 기판(90)의 면 내에 균일하게 작용하고, 기판(90)은 수평 자세를 유지하면서 안정되게 기판 유지 플레이트(12) 상에 유지된다.
노즐부(43)는, 기판 유지 플레이트(42)상에 유지된 기판(90)의 상면에 레지스트액을 토출하기 위한 토출 기구이다. 노즐부(43)는 도시하지 않은 레지스트액 공급원과 접속되어 있으며, 또, 노즐부(43)의 하부에는 y축 방향으로 구멍이 뚫린 슬릿 형상의 토출구가 형성되어 있다. 또, 노즐부(43)는, 기판 유지 플레이트(42)상의 기판(90)의 표면을 따라 x축 방향으로 이동 가능한 구성으로 되어 있다. 이 로 인해, 노즐부(43)는, 기판 유지 플레이트(42)상에 유지된 기판(90)의 상면을 주사(走査)하면서, 레지스트액 공급원으로부터 공급되는 레지스트액을 기판(90)의 상면에 도포할 수 있다.
열처리부(5∼9)는 모두 동등한 구성을 갖고 있으며, 도 17은 그 종단면도이다. 이하에서는 도 15 및 도 17을 참조하면서, 열처리부(5∼9)의 구성에 대해 설명한다. 도 15 및 도 17에 도시한 바와 같이, 열처리부(5∼9)의 각각은, 챔버(51)와 기판 유지 플레이트(52)를 구비하고 있다.
챔버(51)는, 서로 대향하는 챔버 상부(51a)와 챔버 하부(51b)를 갖고 있다. 챔버 상부(51a)는 상하로 승강 가능한 구성으로 되어 있으며, 챔버 상부(51a)가 하강했을 때에는, 챔버 상부(51a)와 챔버 하부(51b)가 접촉하여 기밀한 챔버(51)가 형성된다. 또, 챔버 상부(51a)가 상승했을 때에는, 챔버 상부(51a)와 챔버 하부(51b) 사이에 간극이 생겨, 챔버(51)의 내부와 외부 사이에서 기판(90)을 반송할 수 있는 상태가 된다(도 17의 상태).
기판 유지 플레이트(52)는, 챔버(51)의 내부에서 기판(90)을 비접촉으로 유지하고, 유지된 기판(90)을 가열하기 위한 플레이트이다. 기판 유지 플레이트(52)는, 평판 형상의 외형을 갖고 있으며, 수평 자세로 챔버(51) 내에 설치되어 있다. 기판 유지 플레이트(52)에는, 상방을 향해 질소가스를 토출하기 위한 복수의 토출 구멍(52a)과, 플레이트 상부의 기체를 흡인하기 위한 복수의 흡인 구멍(52b)이 형성되어 있다.
복수의 토출 구멍(52a)은, 기판 유지 플레이트(52)의 상면 측에 형성된 슬릿 형상의 천공이다. 각 토출 구멍(52a)은, 기판(90)의 반송 방향으로 직행하는 방향(y축 방향)으로 형성되고, 기판(90)의 반송 방향(x축 방향)을 따라 배열되어 있다. 각 토출 구멍(52a)에는 급기 배관(54a)이 접속되어 있다. 급기 배관(54a)의 상류 측에는 질소가스 공급원(54b)이 접속되어 있으며, 급기 배관(54a)의 경로 도중에는 개폐 밸브(54c)가 개재 삽입되어 있다. 또, 급기 배관(54a)에는, 토출 구멍(52a)마다 개별 제어 가능한 복수의 온도 조절부(54d)가 설치되어 있다. 각 온도 조절부(54d)는, 급기 배관(54a) 내의 질소가스를 가열하는 히터 또는 급기 배관(54a) 내의 질소가스를 냉각하는 수냉관에 의해 구성되어 있다. 이로 인해, 개폐 밸브(54c)를 개방함과 동시에 각 온도 조절부(54d)를 동작시키면, 질소가스 공급원(54b)으로부터 공급되어 각 온도 조절부(54d)에 의해 가열 또는 냉각된 질소가스가, 각 토출 구멍(52a)으로부터 기판 유지 플레이트(52)의 상부를 향해 토출된다.
한편, 복수의 흡인 구멍(52b)은, 기판 유지 플레이트(52)의 상면 측에 형성된 슬릿 형상의 천공이다. 각 흡인 구멍(52b)은, 기판(90)의 반송 방향에 직교하는 방향(y축 방향)으로 형성되고, 기판(90)의 반송 방향(x축 방향)을 따라 배열되어 있다. 각 흡인 구멍(52b)에는 배기 배관(54e)이 접속되어 있다. 배기 배관(54e)의 하류 측에는, 진공 펌프 등에 의해 강제 배기를 행하는 배기부(54f)가 접속되어 있으며, 배기 배관(54e)의 경로 도중에는 개폐 밸브(54g)가 개재 삽입되어 있다. 이로 인해, 개폐 밸브(54g)를 개방하면, 기판 유지 플레이트(52) 상부의 기체가 흡인 구멍(52b)으로 흡인되고, 배기 배관(54e)을 경유하여 배기부(54f)로 배기된다.
기판 유지 플레이트(52) 상에 기판(90)을 탑재하고, 상기 개폐 밸브(54a) 및개폐 밸브(54g)를 개방하면, 복수의 토출 구멍(52a)으로부터 기판(90)의 하면으로 질소가스가 분사됨과 동시에, 기판 유지 플레이트(52)와 기판(90) 사이의 기체가 복수의 흡인 구멍(52b)으로 흡인된다. 이에 따라, 기판(90)에 대해 상방으로의 부력과 기판 유지 플레이트(52)로의 흡착력이 작용하여, 기판(90)은 기판 유지 플레이트(52) 상에 일정한 높이에서 비접촉으로 유지된다.
또, 복수의 토출 구멍(52a) 및 복수의 흡인 구멍(52b)은, x축 방향을 따라 교대로 배열되어 있다. 즉, 기판 유지 플레이트(52) 상에서, 복수의 토출 구멍(52a) 및 복수의 흡인 구멍(52b)은 모두 균일하게 배열되어 있다. 이로 인해, 기판(90)에 대한 부력 및 흡착력은 모두 기판(90)의 면 내에 균일하게 작용하여, 기판(90)은 수평 자세를 유지하면서 안정되게 기판 유지 플레이트(52) 상에 유지된다.
또, 기판 유지 플레이트(52)의 바닥부에는, 기판 유지 플레이트(52)를 가열하는 히터 또는 기판 유지 플레이트를 냉각하는 수냉관에 의해 구성된 복수의 온도 조절부(52c)가 장착되어 있다. 복수의 온도 조절부(52c)는, 기판(90)의 반송 방향으로 배열되고, 각 온도 조절부(52c)의 출력(가열력 또는 냉각력)은 개별적으로 제어 가능하게 되어 있다. 이로 인해, 각 온도 조절부(52c)를 동작시키면, 기판 유지 플레이트(52)의 각 위치는 개별적으로 온도 제어된다. 예를 들면, 각 온도 조절부(52)를 상이한 출력으로 동작시키면, 기판 유지 플레이트(52) 상에는 x축 방향 의 온도 구배가 형성된다. 기판 유지 플레이트(52) 상에 유지된 기판(90)은, 그 유지 위치에서의 기판 유지 플레이트(52)의 온도에 따라 가열 또는 냉각되게 된다.
또, 기판 유지 플레이트(12) 상에 유지된 기판(90)의 하면에는, 온도 조절부(54d)에 의해 가열 또는 냉각된 질소가스가 분사되어 있다. 이로 인해, 기판(90)과 질소가스 사이에서도 열의 교환이 행해지고, 기판(90)은 가열 또는 냉각된다. 복수의 온도 조절부(54d)의 출력은, 복수의 온도 조절부(52c)의 출력에 따라 개별적으로 제어된다. 이로 인해, 각 토출 구멍(52a)으로부터 토출되는 질소가스의 온도도, 기판 유지 플레이트(52) 상의 온도 구배에 따라 제어된 것으로 되어 있으며, 기판(90)은 그 온도에 따라 가열 또는 냉각된다. 이와 같이, 열처리부(5∼9)는, 복수의 온도 조절부(52c)에 의해 구성되는 제1 온도 조절 수단과, 복수의 온도 조절부(54d)에 의해 구성되는 제2 온도 조절 수단을 갖고 있다.
기판 반송 기구(31)는, 레지스트 도포 처리부(4)로부터 열처리부(9)까지 기판(90)을 수평하게 반송하기 위한 기구이다. 도 15에 도시한 바와 같이, 기판 반송 기구(31)는, 레지스트 도포 처리부(4) 및 열처리부(5∼9) 좌우의 측부를 따라 부설된 한 쌍의 레일부(31a)와, 레일부(31a)를 따라 이동하는 한 쌍의 이동부(31b)를 갖고 있다. 레일부(31a) 및 이동부(31b)는, 공지된 여러 가지 이동 기구에 의해 구성할 수 있지만, 예를 들면, 모터의 회전 구동을 볼나사나 반송 벨트를 개재하여 직동 운동으로 변환하는 기구나, 리니어 모터를 이용한 기구에 의해 구성할 수 있다.
기판 반송 기구(31)를 동작시키면, 한 쌍의 이동부(31b)는 레일부(31a)를 따 라 x축 방향으로 병진한다. 또, 각 이동부(31b)에는, 기판(90)의 ―x측의 단면에 접촉하기 위한 접촉부(31c)가 고정 설치되어 있다. 이로 인해, 한 쌍의 이동부(13b)를 ＋x방향으로 이동시키면, 각 처리부의 기판 유지 플레이트(42, 52) 상에 비접촉으로 유지된 기판(90)의 단면에 접촉부(31c)가 접촉하고, 접촉부(31c)와 함께 기판(90)이 ＋x방향으로 이동한다. 또한, 접촉부(31c)는 이동부(31b) 상에서 회동 가능하게 되어 있으며, 각 처리부의 챔버(41, 51)가 폐쇄되어 있을 때는, 접촉부(31c)는 챔버(41, 51)의 측방 회동하여 퇴피한다(도 15의 가상선의 상태).
또, 이 기판 처리 장치(3)는, 상기의 구성에 추가하여 제어부(32)를 구비하고 있다. 도 18은 기판 처리 장치(1) 내의 상기 각 부와 제어부(32) 사이의 접속 구성을 나타낸 블록도이다. 도 18에 도시한 바와 같이, 제어부(32)는, 챔버 상부(41a, 51a), 개폐 밸브(44c, 44g, 54c, 54g), 온도 조절부(52c, 54d), 기판 반송 기구(31)와 전기적으로 접속되어 있으며, 이들 동작을 제어한다. 또한, 제어부(32)는, 구체적으로는 CPU나 메모리를 갖는 컴퓨터에 의해 구성되어 있으며, 컴퓨터에 인스톨된 프로그램에 따라 컴퓨터가 동작함으로써, 상기 제어 동작을 행한다.
기판 처리 장치(3)에서 기판(90)의 처리를 행할 때에는, 우선, 레지스트 도포 처리부(4)의 챔버(41) 내에 기판(90)이 반입된다. 기판(90)은, 챔버(41) 내에서 기판 유지 플레이트(42) 상에 비접촉으로 유지된다. 노즐부(43)는, 기판 유지 플레이트(42) 상에 유지된 기판(90)의 상부를 ―x방향으로 이동하면서, 기판(90)의 상면에 레지스트액을 도포한다. 또한, 레지스트 도포의 단계에서는 기판 유지 플 레이트(42) 상에 기판(90)을 접촉 유지하고, 레지스트 도포 후에 복수의 토출 구멍(42a)으로부터 질소가스를 토출하여 기판(90)을 부상시키도록 해도 된다.
다음에, 기판 반송 기구(31)는, 접촉부(31c)를 기판(90)의 ―x측의 단부에 접촉시키고, ＋x방향으로 이동함으로써 기판(90)을 ＋x방향으로 반송한다. 기판(90)은, 레지스트 도포 처리부(4)로부터 반출되고, 열처리부(5∼9)의 각 기판 유지 플레이트(52) 상을 천천히 반송된다. 각 기판 유지 플레이트(52)는 복수의 온도 조절부(52c)에 의해 온도 조절되고, 복수의 토출 구멍(52a)으로부터 토출되는 질소가스는 복수의 온도 조절부(54d)에 의해 온도 조절되어 있다. 이로 인해, 기판(90)은 ＋x방향으로 반송되면서, 각 기판 유지 플레이트(52) 상에서 온도 조절된다.
도 19는 열처리부(5∼9)에서의 각 기판 유지 플레이트(52)의 온도 분포의 예를 나타낸 도면이다. 도 19에서, 가로축은 각 기판 유지 플레이트(52)의 x축 방향의 위치를 나타내고 있고, 세로축은 설정 온도를 나타내고 있다. 도 19의 예에서는, 열처리부(5)의 기판 유지 플레이트(52)에는, 상온 T0으로부터 최고 온도 T1까지＋x방향으로 서서히 온도가 상승하도록 온도 구배가 형성되어 있으며, 열처리부(6, 7)의 기판 유지 플레이트(52)는 전체가 최고 온도 T1이 되도록 설정되어 있다. 또, 열처리부(8)의 기판 유지 플레이트(52)에는, 최고 온도 T1로부터 상온 T0까지 ＋x방향으로 서서히 온도가 하강하도록 온도 구배가 형성되어 있으며, 열처리부(9)의 기판 유지 플레이트(52)는 전체가 상온 T0이 되도록 설정되어 있다. 또, 기판 유지 플레이트(52) 상의 각 토출 구멍(52a)으로부터 토출되는 질소가스의 온 도도, 그 x축 방향의 위치에 따라, 도 19의 온도 분포에 대응하는 온도로 설정되어 있다.
이러한 열처리부(5∼9)에서 기판(90)이 반송되면, 우선, 기판(90)은, 열처리부(5)에서, 기판 유지 플레이트(52)의 온도 구배에 따라 상온 T0으로부터 최고 온도 T1까지 천천히 가열된다. 그리고, 기판(90)은, 열처리부(6∼7)를 통과하는 동안 최고 온도 T1로 유지된다. 또, 기판(90)은 열처리부(8)에서, 기판 유지 플레이트(52)의 온도 구배에 따라 최고 온도 T1로부터 상온 T0까지 천천히 냉각되고, 열처리부(9)를 통과하는 동안 상온 T0으로 유지된다. 이로 인해, 기판(90)의 온도가 급격하게 상승 또는 하강하는 일은 없어, 기판(90)은 얼룩 없이 열처리된다. 기판(90)의 급격한 온도 상승을 방지하기 위해, 열처리부(5)의 선두 부분의 온도 T2는, 예를 들면 상온 ＋30℃ 이하가 되도록 설정하는 것이 바람직하다. 또, 기판(90)의 급격한 온도 저하를 방지하기 위해, 열처리부(8)의 선두 부분의 온도 T3은, 예를 들면 최고 온도 T1 －30℃ 이상이 되도록 설정하는 것이 바람직하다.
또, 이 기판 처리 장치(3)에서는, 열처리부(5∼9)에서의 기판(90)의 급격한 온도 변화를 방지할 수 있기 때문에, 레지스트 도포 후에 기판(90)을 완전하게 건조시키지 않더라도, 열처리 시에 기판(90)의 표면 상태에 얼룩이 생기는 일은 없다. 따라서, 레지스트 도포 후의 감압 건조 처리를 생략할 수 있어, 기판 처리 장치(3)의 구성을 간이화할 수 있다.
또, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(3)도, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치(1)나 제2 실시 형태의 기판 처리 장치(2)와 동일하게, 기판 유지 플레이트(52) 상에 기판(90)을 비접촉으로 유지하고, 기판(90)을 일방향으로 이동시키면서 가열 처리 또는 냉각 처리를 행한다. 이로 인해, 기판(90)의 하면에 지지핀 등의 부재가 접촉하는 일은 없어, 기판(90)의 손상이나 오염이 방지된다. 또, 지지핀 등의 부재에 의해 가열 처리가 부분적으로 불균일하게 되는 일도 없다. 또, 기판(90)을 반송하면서 가열 처리를 행하기 때문에, 기판(90)의 하면 측에서의 기체의 흐름에 상관없이, 기판(90)의 면 내를 균일하게 열처리할 수 있다.
또, 본 실시 형태의 토출 구멍(52a) 및 흡인 구멍(52b)은, 기판(90)의 반송 방향과 직교하는 방향으로 슬릿 형상으로 형성되어 있다. 이로 인해, 기판(90)의 반송 방향과 직교하는 방향에 관해 기판 유지 플레이트(12) 상의 기체의 흐름은 균일하게 된다. 따라서, 기판(90)은, 반송 방향 및 반송 방향에 직교하는 방향 중 어느 방향에 관해서도 균일하게 가열되어, 기판(90)의 면 내 전체가 매우 균일하게 열처리된다.
〈5. 제3 실시 형태의 변형예〉
제3 실시 형태의 기판 반송 기구(31)는, 기판(90)의 반송 방향 후방 측으로부터 기판(90)에 추력을 부여하는 기구였지만, 본 발명에 있어서의 기판 반송 수단은 상기한 기구에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 기판(90)의 좌우(＋y측 및 ―y측)로부터 기판(90)을 사이에 끼우면서 기판(90)을 x축 방향으로 반송하는 기구여도 되고, 기판(90)의 반송 방향 전방 측으로부터 기판(90)을 끌어당기는 기구여도 된다.
또, 상기 기판 반송 기구(13)는, 기판(90)을 일방향(＋x방향)으로만 반송하 는 것이었지만, 본 발명에 있어서의 기판 반송 수단은, 기판(90)을 2 이상의 방향으로 반송하는 것이어도 된다. 예를 들면, 도 10과 같은 요동 기구(16)를 기판 처리 장치(3)에 적용하고, 기판 유지 플레이트(52)의 온도가 일정하게 되는 부분에서는, 기판(90)을 ＋x방향과 ―x방향으로 교대로 반송하도록 해도 된다. 이렇게 하면, 기판(90)의 반송 스페이스를 협소화할 수 있으므로, 기판 처리 장치(3)의 점유 면적을 삭감할 수 있다.
또, 상기 기판 처리 장치(3)에서는, 토출 구멍(52a) 및 흡인 구멍(52b)의 슬릿폭은 일정했지만, 기판(90)의 처리 조건에 따라 이들 슬릿폭을 조정할 수 있도록 해도 된다. 예를 들면, 도 11 및 도 12에 도시한 바와 같은 슬릿폭 조정용 플레이트(22c)나, 도 13 및 도 14에 도시한 바와 같은 슬릿폭 조정용 플레이트(22d)를 이용하여, 토출 구멍(52a) 및 흡인 구멍(52b)의 슬릿폭을 조정하도록 해도 된다. 또, 토출 구멍(52a) 및 흡인 구멍(12b)은, 제1 실시 형태의 토출 구멍(12a) 및 흡인 구멍(12b)과 같은 스폿 형상의 천공이어도 된다.
상기 기판 처리 장치(3)는, 복수의 온도 조절부(52c)에 의해 구성된 제1 온도 조절 수단과, 복수의 온도 조절부(54d)에 의해 구성된 제2 온도 조절 수단을 갖고 있었지만, 이들 온도 조절 수단은 어느 한쪽만이어도 된다. 단, 이들 2가지의 온도 조절 수단을 이용하면, 기판 유지 플레이트(52) 상의 기판(90)을 보다 얼룩 없이 온도 조절할 수 있다.
또, 상기 예에서는, 열처리부(5∼9)에 있어서의 기판 유지 플레이트(52)의 설정 온도의 예로서 도 18을 도시하였지만, 기판 유지 플레이트(52)의 설정 온도는 도 18의 예에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 1개의 기판 유지 플레이트(52) 내에는 온도 구배를 만들지 않고, 열처리부마다 각 기판 유지 플레이트(52)의 온도에 차를 주도록 해도 된다.
또, 상기 예에서는, 열처리부(5∼9)에 대해 기판의 반송 방향 상류 측에 레지스트 도포 처리부(4)가 배치되어 있었지만, 기판의 상면에 다른 처리액을 도포하는 도포 처리부가 레지스트 도포 처리부(4) 대신에 배치되어 있어도 된다.
또, 상기 기판 처리 장치(3)는, 액정 표시 장치용의 각형 유리 기판에 대해 처리를 행하는 장치였지만, 본 발명의 기판 처리 장치는, 반도체 웨이퍼나 PDP용 유리 기판 등의 다른 기판을 처리 대상으로 하는 것이어도 된다.
청구항 1∼13에 기재된 발명에 의하면, 상면에 형성된 복수의 토출 구멍으로부터 기체를 토출함으로써 상면에 기판을 비접촉으로 유지하는 기판 유지 플레이트와, 기판 유지 플레이트의 상면에 비접촉으로 유지된 기판을 온도 조절하는 온도 조절 수단과, 기판 유지 플레이트의 상면에 비접촉으로 유지된 기판을 상면을 따라 반송하는 반송 수단을 구비한다. 이로 인해, 기판의 하면에 지지핀 등의 부재가 접촉하지 않아, 기판의 손상이나 오염이 방지된다. 또, 지지핀 등의 부재에 의해 열처리가 부분적으로 불균일하게 되는 일도 없다. 또, 기판을 반송하면서 열처리를 행하기 때문에, 기판의 하면 측에서의 기체의 흐름에 상관없이, 기판의 면 내를 균일하게 열처리할 수 있다.
특히, 청구항 2에 기재된 발명에 의하면, 기판 유지 플레이트의 상면에는, 상방의 기체를 흡인하는 흡인 구멍이 형성되어 있다. 이로 인해, 기판에 대해 상방으로의 부력과 기판 유지 플레이트로의 흡착력이 작용하여, 기판은 기판 유지 플레이트 상에 일정한 높이로 안정되게 유지된다.
특히, 청구항 3에 기재된 발명에 의하면, 복수의 토출 구멍 및 복수의 흡인 구멍은, 기판 유지 플레이트의 상면에서 격자 형상으로 배열된 스폿 형상의 천공이다. 이로 인해, 기판 유지 플레이트 상에서 복수의 토출 구멍 및 복수의 흡인 구멍은 모두 균일하게 배열되고, 기판은 수평 자세를 유지하면서 안정되게 기판 유지 플레이트 상에 유지된다.
특히, 청구항 4에 기재된 발명에 의하면, 복수의 토출 구멍 및 복수의 흡인 구멍은, 기판 유지 플레이트의 상면에서 반송 수단의 반송 방향과 직교하는 방향으로 형성된 슬릿 형상의 천공이다. 이로 인해, 기판의 반송 방향과 직교하는 방향에 관해 기판 유지 플레이트 상의 기체의 흐름은 균일하게 된다. 따라서, 기판은, 반송 방향 및 반송 방향에 직교하는 방향 중 어느 방향에 관해서도 균일하게 가열되어, 기판의 면 내 전체가 매우 균일하게 가열된다.
특히, 청구항 5에 기재된 발명에 의하면, 복수의 토출 구멍 및 복수의 흡인 구멍은, 기판 유지 플레이트의 상면에서 반송 수단의 반송 방향을 따라 교대로 배열되어 있다. 이로 인해, 기판 유지 플레이트 상에서 복수의 토출 구멍 및 복수의 흡인 구멍은 모두 균일하게 배열되고, 기판은 수평 자세를 유지하면서 안정되게 기판 유지 플레이트 상에 유지된다.
특히, 청구항 6에 기재된 발명에 의하면, 기판 처리 장치는, 복수의 토출 구 멍 또는 복수의 흡인 구멍의 슬릿폭을 조절하는 슬릿폭 조절 수단을 더 구비한다. 이로 인해, 복수의 토출 구멍으로부터 토출되는 기체의 토출량 또는 복수의 흡인 구멍으로의 기체의 흡인량을 임의로 조절할 수 있다.
특히, 청구항 7에 기재된 발명에 의하면, 반송 수단은, 반송 방향의 후방 측으로부터 기판에 접촉하는 접촉부와, 접촉부를 반송 방향으로 이동시키는 이동부를 갖는다. 이로 인해, 기판을 간이하면서도 안정되게 반송할 수 있다.
특히, 청구항 8에 기재된 발명에 의하면, 반송 수단은, 기판을 요동시키는 요동 수단을 갖는다. 이 때문에, 협소한 스페이스라 하더라도 기판을 반송하면서 열처리할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치의 점유 면적을 삭감할 수 있다.
특히, 청구항 9에 기재된 발명에 의하면, 온도 조절 수단은, 기판 유지 플레이트와 기판 사이의 열의 복사에 의해 기판을 온도 조절하는 제1 온도 조절 수단과, 복수의 토출 구멍으로부터 토출되는 기체와 기판 사이의 열교환에 의해 기판을 온도 조절하는 제2 온도 조절 수단을 갖는다. 이로 인해, 기판의 면 내를 보다 균일하게 열처리할 수 있다.
특히, 청구항 10에 기재된 발명에 의하면, 기판 처리 장치는, 반송 수단의 반송 방향을 따라 배열된 복수의 기판 유지 플레이트를 구비하고, 제1 온도 조절 수단은, 복수의 기판 유지 플레이트를 개별적으로 온도 조절한다. 이로 인해, 반송 수단에 의해 기판을 연속적으로 반송하면서, 기판에 열처리를 행할 수 있다. 또, 기판의 급격한 온도 변화를 방지할 수 있기 때문에, 기판을 얼룩 없이 열처리할 수 있다.
특히, 청구항 11에 기재된 발명에 의하면, 제1 온도 조절 수단은, 복수의 기판 유지 플레이트의 각각을 영역마다 개별적으로 온도 조절한다. 이로 인해, 기판을 보다 완만하게 온도 변화시킬 수 있다.
특히, 청구항 12에 기재된 발명에 의하면, 제2 온도 조절 수단은, 기판 유지 플레이트의 각 영역의 온도에 따라 해당 영역에 형성되어 있는 토출 구멍으로부터 토출되는 기체를 온도 조절한다. 이로 인해, 기판 유지 플레이트 상의 기판을 보다 얼룩 없이 열처리할 수 있다.
특히, 청구항 13에 기재된 발명에 의하면, 기판 처리 장치는, 기판 유지 플레이트에 대해 반송 수단의 반송 방향 상류 측에, 기판의 상면에 처리액을 도포하는 도포 처리부를 더 구비한다. 이로 인해, 기판의 상면에 처리액을 도포하고, 그 후의 기판을 얼룩 없이 열처리할 수 있다. 따라서, 처리액 도포 후의 건조 처리를 생략할 수 있어, 기판 처리 장치의 구성을 간이화할 수 있다.

Claims (13)

  1. 기판에 대해 열처리를 행하는 기판 처리 장치로서,
    상면에 형성된 복수의 토출 구멍으로부터 기체를 토출함으로써 상기 상면에 기판을 비접촉으로 유지하는 기판 유지 플레이트와,
    상기 기판 유지 플레이트의 상기 상면에 비접촉으로 유지된 기판을 온도 조절하는 온도 조절 수단과,
    상기 기판 유지 플레이트의 상기 상면에 비접촉으로 유지된 기판을 상기 상면을 따라 반송하는 반송 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판 유지 플레이트의 상기 상면에는, 상방의 기체를 흡인하는 복수의 흡인 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 복수의 토출 구멍 및 상기 복수의 흡인 구멍은, 상기 기판 유지 플레이트의 상기 상면에서 격자 형상으로 배열된 스폿 형상의 천공인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 복수의 토출 구멍 및 상기 복수의 흡인 구멍은, 상기 기판 유지 플레이트의 상기 상면에서 상기 반송 수단의 반송 방향과 직교하는 방향으로 형성된 슬릿 형상의 천공인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 복수의 토출 구멍 및 상기 복수의 흡인 구멍는, 상기 기판 유지 플레이트의 상기 상면에서 상기 반송 수단의 반송 방향을 따라 교대로 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 복수의 토출 구멍 또는 상기 복수의 흡인 구멍의 슬릿폭을 조절하는 슬릿폭 조절 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 반송 수단은, 반송 방향의 후방 측으로부터 기판에 접촉하는 접촉부와, 상기 접촉부를 반송 방향으로 이동시키는 이동부를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 반송 수단은, 기판을 요동(搖動)시키는 요동 수단을 갖는 것을 특징으 로 하는 기판 처리 장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 온도 조절 수단은, 상기 기판 유지 플레이트와 기판 사이의 열의 복사에 의해 기판을 온도 조절하는 제1 온도 조절 수단과, 상기 복수의 토출 구멍으로부터 토출되는 기체와 기판 사이의 열교환에 의해 기판을 온도 조절하는 제2 온도 조절 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 반송 수단의 반송 방향을 따라 배열된 복수의 상기 기판 유지 플레이트를 구비하고,
    상기 제1 온도 조절 수단은, 복수의 상기 기판 유지 플레이트를 개별적으로 온도 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 제1 온도 조절 수단은, 복수의 상기 기판 유지 플레이트의 각각을 영역마다 개별적으로 온도 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 제2 온도 조절 수단은, 상기 기판 유지 플레이트의 각 영역의 온도에 따라 해당 영역에 형성되어 있는 토출 구멍으로부터 토출되는 기체를 온도 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 유지 플레이트에 대해 상기 반송 수단의 반송 방향 상류 측에, 기판의 상면에 처리액을 도포하는 도포 처리부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
KR1020070056087A 2006-07-04 2007-06-08 기판 처리 장치 KR100865844B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2006-00184405 2006-07-04
JP2006184405A JP2008016543A (ja) 2006-07-04 2006-07-04 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080004345A true KR20080004345A (ko) 2008-01-09
KR100865844B1 KR100865844B1 (ko) 2008-10-29

Family

ID=39036064

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070056087A KR100865844B1 (ko) 2006-07-04 2007-06-08 기판 처리 장치

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2008016543A (ko)
KR (1) KR100865844B1 (ko)
CN (1) CN101101856B (ko)
TW (1) TWI340411B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180009471A (ko) * 2016-07-19 2018-01-29 주식회사 케이씨텍 기판 가열 장치 및 이를 구비한 기판 처리 시스템

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5049303B2 (ja) * 2008-03-17 2012-10-17 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、熱処理装置の温度調整方法、及び、プログラム
JP4638931B2 (ja) * 2008-09-12 2011-02-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5399153B2 (ja) * 2008-12-12 2014-01-29 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置、真空処理システムおよび処理方法
JP5431863B2 (ja) * 2009-10-19 2014-03-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5372695B2 (ja) * 2009-10-19 2013-12-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR101117019B1 (ko) * 2009-10-19 2012-03-19 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2011124342A (ja) * 2009-12-09 2011-06-23 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及びこの基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP2011216572A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
WO2012114850A1 (ja) * 2011-02-24 2012-08-30 シャープ株式会社 塗布膜乾燥方法及び塗布膜乾燥装置
JP5869782B2 (ja) * 2011-05-30 2016-02-24 東レエンジニアリング株式会社 浮上搬送加熱装置
JP5465701B2 (ja) * 2011-08-12 2014-04-09 株式会社上村工業 液晶ディスプレイ等の製造工程におけるガラス基盤面の急速且つ高精度調温装置
JP5851295B2 (ja) * 2012-03-16 2016-02-03 東レエンジニアリング株式会社 熱処理装置
JP5988359B2 (ja) * 2012-07-18 2016-09-07 東レエンジニアリング株式会社 熱処理装置
JP5995675B2 (ja) * 2012-11-20 2016-09-21 東レエンジニアリング株式会社 冷却装置
TWI590367B (zh) * 2012-11-20 2017-07-01 Toray Eng Co Ltd Suspension transfer heat treatment device
JP5858438B2 (ja) * 2013-03-26 2016-02-10 株式会社日本製鋼所 アニール被処理体の製造方法、レーザアニール基台およびレーザアニール装置
CN103274604B (zh) 2013-04-23 2015-05-06 北京京东方光电科技有限公司 一种基板加热设备
JP5724014B1 (ja) * 2014-04-22 2015-05-27 株式会社幸和 基板支持装置及び基板処理装置
JP6898009B2 (ja) * 2017-08-01 2021-07-07 株式会社新川 フレームフィーダ
CN108996242B (zh) * 2018-08-17 2021-04-09 通彩智能科技集团有限公司 一种非接触式的气浮爪装置
CN112344679A (zh) * 2019-10-25 2021-02-09 广东聚华印刷显示技术有限公司 烤箱及气悬浮装置
KR102334200B1 (ko) * 2020-06-03 2021-12-02 한국고요써모시스템(주) 열처리 장치의 기판 반송 유닛

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63202516A (ja) * 1987-02-17 1988-08-22 Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd 板状物の移送装置
JPH11283909A (ja) 1998-03-31 1999-10-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板熱処理装置
JP2000072251A (ja) * 1998-08-31 2000-03-07 Watanabe Shoko:Kk 浮上搬送装置および浮上搬送システム
JP2000181080A (ja) * 1998-12-21 2000-06-30 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性樹脂層積層方法
JP4426276B2 (ja) * 2003-10-06 2010-03-03 住友重機械工業株式会社 搬送装置、塗布システム、及び検査システム
JP4373175B2 (ja) * 2003-10-17 2009-11-25 オリンパス株式会社 基板搬送装置
KR100782448B1 (ko) * 2003-11-21 2007-12-05 가부시키가이샤 아이에이치아이 기판 카세트, 기판 반송 장치, 기판 보관 반송 장치, 기판반입 시스템, 기판 반출 시스템 및 기판 반입/반출 시스템
JP4305918B2 (ja) * 2004-01-30 2009-07-29 東京エレクトロン株式会社 浮上式基板搬送処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180009471A (ko) * 2016-07-19 2018-01-29 주식회사 케이씨텍 기판 가열 장치 및 이를 구비한 기판 처리 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
CN101101856B (zh) 2010-10-13
CN101101856A (zh) 2008-01-09
JP2008016543A (ja) 2008-01-24
TW200811956A (en) 2008-03-01
TWI340411B (en) 2011-04-11
KR100865844B1 (ko) 2008-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100865844B1 (ko) 기판 처리 장치
US8113142B2 (en) Apparatus for processing a substrate
US8113141B2 (en) Apparatus for processing a substrate
TWI485798B (zh) 基板處理裝置
JP4485374B2 (ja) 冷却処理装置
KR100628584B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP5470460B2 (ja) 基板搬送方法および基板搬送システム
US8115142B2 (en) Plate, apparatus for adjusting temperature of substrate having the plate and apparatus for processing substrate having the plate
US20160035601A1 (en) Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method
KR20070006768A (ko) 비접촉 열 플랫폼
CN109671649B (zh) 基板处理方法和装置
CN114068373A (zh) 真空搬送装置、基板处理系统和基板处理方法
JP2018040512A (ja) 減圧乾燥装置、減圧乾燥システム、減圧乾燥方法
KR20090002933A (ko) 공조 시스템을 갖는 기판 처리 장치
KR101935940B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JPH09148417A (ja) 基板熱処理装置
JPH1022189A (ja) 基板熱処理装置
KR101776018B1 (ko) 기판 가열 방법 및 기판 처리 장치
JP4327345B2 (ja) 液供給装置及び液供給方法
KR102245560B1 (ko) 기판 베이킹 장치
KR102081704B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2009004404A (ja) 熱処理装置
KR20240044165A (ko) 가열 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20220159003A (ko) 가열 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR20220059127A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110920

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121002

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee