KR20070114036A - 몰드 세정 조성물 - Google Patents

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KR20070114036A
KR20070114036A KR1020070050840A KR20070050840A KR20070114036A KR 20070114036 A KR20070114036 A KR 20070114036A KR 1020070050840 A KR1020070050840 A KR 1020070050840A KR 20070050840 A KR20070050840 A KR 20070050840A KR 20070114036 A KR20070114036 A KR 20070114036A
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mold cleaning
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KR1020070050840A
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코이치 타카시마
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 미가황 고무, 세정제 및 가황제를 포함하는 몰드 세정 조성물에 관한 것이고, 세정 조성물은 겔 침투 크로마토그래피(GPC)에 의한 측정에 따라 전체적으로 200,000 내지 460,000의 범위 이내의 중량 평균 분자량(Mw)을 갖는다. 몰드 세정 조성물은 탁월한 몰드 내 충전 성질을 가지고, 탁월한 충전 성질에 의해 몰드 오염물의 탁월한 세정 효과를 보여줄 수 있다.
몰드 세정 조성물, 미가황 고무, 세정제, 가황제

Description

몰드 세정 조성물{MOLD CLEANING COMPOSITION}
도 1은 발명의 하나의 구체예에 따른 시트형 몰드 세정 조성물을 도시한 투시도이다.
도 2는 슬릿이 시트형 몰드 세정 조성물 상에 형성되어 있는 상태의 예시이다.
도 3은 슬릿의 일부를 도시한 확대된 측면도이다.
도 4는 시트형 몰드 세정 조성물의 이용 상태를 도시한 투시도이다.
도 5는 시트형 몰드 세정 조성물의 이용 상태를 도시한 투시도이다.
도 6은 시트형 몰드 세정 조성물의 이용 상태를 도시한 투시도이다.
도 7은 반도체 장치의 몰딩용 시트형 몰드 세정 조성물의 결과의 예시이다.
도 8은 반도체 장치의 몰딩용 시트형 몰드 세정 조성물의 결과의 예시이다.
<주요 도면 부호에 대한 설명>
10: 시트
11: 슬릿
기술 분야
본 발명은 반복적인 몰딩 작업에 의해 오염된 열가소성 수지 조성물 몰딩 재료용 몰드와 같은 몰드의 세정, 재생 등에 이용되는 몰드 세정 재료인 몰드 세정 조성물에 관한 것이고, 특히 에폭시 수지 몰딩용 재료를 이용하는 이송 몰딩에 의해 반도체 소자를 몰드하기 위한 몰드 작업에 이용되는 이송 몰딩용 몰드의 몰드 세정, 재생 등에 이용되는 몰드 세정 재료에 관한 것이다.
배경 기술
종래의 몰드 세정 방법으로서, 모래 분사 방법, 드라이아이스 분사 방법, 물 분출 방법 및 강알칼리 세정 방법과 같은, 몰딩 장치로부터 몰드의 분리에 의한 몰드 세정 작업을 수행하는 방법이 공지되어 왔다. 그러나, 몰딩 장치로부터 몰드의 분리에 의한 몰드 세정 작업을 수행하는 경우 장시간의 작업이 요구되고, 많은 양의 노동이 작업에 요구된다. 따라서, 몰드 장치상에 몰드가 마운팅(mounting)된 상태에서 세정 작업을 수행하는 방법이 더 빈번하게 사용되어 왔고, 이러한 세정 방법으로서 멜라민 수지를 이용하는 세정 방법, 자외선 조사에 의한 세정 방법, 시트형 세정 조성물을 이용하는 세정 방법 등이 수행되어 왔다. 이 중, 탁월한 작업 효율 때문에, 몰드 내에 위치하는 시트형 몰드 세정 조성물을 가열 경화하여 몰드로부터 오염물을 제거하고, 경화된 시트형 몰드 세정 조성물 상으로 오염물을 이송하기 위하여 경화된 시트형 몰드 세정 조성물을 제거하는 몰드 세정 방법이 수행되어 왔다.
이러한 시트형 몰드 세정 조성물로서, 예를 들어, 미가황 고무를 이용하는 몰드 세정 조성물을 언급할 수 있다(특허 문헌 1 참조). 또한, 시트형 베이스 재료가 세정을 위해 몰딩될 수 있는 화합물로써 코팅되는 몰드 세정 재료를 언급할 수 있다(특허 문헌 2 참조).
특허 문헌 1: 일본 특허 공개 제9-262843A호
특허 문헌 2: 일본 특허 공개 제63-502497T호
발명의 개요
그러나, 오염물을 제거하기 위해 시트형 세정 조성물을 이용하고, 시트형 세정 조성물 상에 오염물을 이동시키는 몰드 세정 방법은 몰드의 공동(cavity)의 크기 또는 형상에 따라 몰드 시 공동 내에 공기가 함유되고, 공동의 모서리에 축적된 공기가 모서리 내에 시트형 세정 조성물이 충전되지 않는 상태를 유발하여 오염물의 불충분한 제거의 원인이 되는 문제를 갖는다. 예를 들어, 일본 특허 공개 제9-262843A호에 개시된 몰드 세정 조성물로는 몰드 내 열 가황 후 고무 시트의 제거 과정에서 고무 시트가 절단되는 것을 방지하고, 몰드 내에 고무 시트가 잔존하는 것을 방지하기 위해서 클램핑(clamping) 시 상부 및 하부 몰드를 미세하게 개방함으로써 약 1 내지 1.5 ㎜의 갭(틈)을 남겨둘 필요가 있다. 그러나, 작은 크기 및 큰 깊이의 몰드 공동을 갖는 공동에서, 공기가 공동의 모서리에서 포획되어 비충전된 부분의 형성의 원인이 된다. 그 결과, 비충전된 부분에서 오염물의 불충분한 제거의 문제가 대두된다. 마찬가지로, 일본 특허 공개 제63-502497T호에 개시된 몰드 세정 조성물로는 공동의 전체 표면이 덮여 있기 때문에, 포획된 공기가 공동으로부 터 탈출하지 못하게 되어 비충전된 부분을 형성하고, 이로 인해 비충전된 부분에서 오염물의 불충분한 제거의 문제의 원인이 된다.
따라서, 상기 기술된 문제에 노출되는 몰드 내 시트형 세정 조성물을 이용하는 것은 적합하지 않기 때문에, 시트형 세정 조성물을 이용하는 방법과 다른 세정 방법을 이러한 몰드를 위해 사용하여 왔다. 그러나, 다른 세정 방법은 상기 기술된 바와 같이 장시간을 요구하고, 많은 양의 수고는 사실상 부담이 된다.
본 발명은 상기 기술된 상황을 고려하여 완성되었고, 그리고 이의 목적은 탁월한 몰드 충전 성질을 갖고, 몰드 내 오염물의 탁월한 세정 효과를 달성하는 몰드 세정 조성물을 제공하는 것이다.
발명의 자세한 설명
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 몰드 세정 조성물은 필수 성분으로서 미가황 고무, 세정제 및 가황제를 함유하는 몰딩 재료의 몰딩을 위해 반복적으로 가열 몰딩하는 데 이용되는 몰드에 이용되는 세정 조성물이고, 전체적으로 세정 조성물의 중량 평균 분자량(Mw)은 겔 침투 크로마토그래피에 의한 측정에 따라 200,000 내지 460,000의 범위로 설정된다.
본 발명의 발명자는 광범위한 연구를 수행하여 몰드 세정 조성물을 이용하는 몰드 세정 작업 시 발생하는 공기 포획에 의해 유발하는 비충전 부분의 형성을 방지함으로써 몰드 공동의 모든 부분을 만족스럽게 충전할 뿐 아니라 몰드 공동 내 오염물을 효과적으로 제거할 수 있는 세정 조성물을 얻었다. 본 발명자는 몰드 공 동에 대한 충전 성질에 초점을 맞추고, 몰드 공동 내 세정 조성물을 충전하는 과정에서 공기 포획을 최소화할 수 있는 세정 조성물의 유동성에 대한 일련의 연구를 주로 진행하였다. 보다 구체적으로, 몰드 공동에 대한 충전 성질을 향상시키기 위해, 세정 조성물을 충전하는 과정에서 공기 포획의 최소화를 가능케 하는 흐름 상태를 달성할 뿐 아니라 몰드 공동의 내부 압력의 증가를 위해 몰딩(클램핑) 시 몰드 틈을 감소시킬 필요가 있다. 특히, 몰드 공동에 대한 맞춤 성질의 관점으로부터 세정 조성물의 점도가 바람직하게는 낮을 수 있지만, 점도가 너무 낮은 경우에는 몰딩 시 몰드 공동의 내부 압력이 감소되어 포획된 공기의 파괴가 실패하고, 이는 비충전 부분의 형성의 원인이 된다. 한편, 세정 조성물의 점도가 너무 높은 경우에는, 몰드 공동에 대한 맞춤 성질을 악화시켜 용이하게 비충전된 부분의 형성을 유발한다. 본 발명자는 적절한 점도를 갖는 세정 조성물을 얻기 위해 상기 발견에 기초하여 추가 연구를 진행하였고, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)에 의한 측정에 따라 상기 특정된 범위 내의 중량 평균 분자량(Mw)을 갖는 세정 조성물이 적절한 점도 및 우수한 충전 성질을 가능케 한다는 것을 발견함으로써, 본 발명을 완성하였다.
즉, 본 발명은 다음에 관한 것이다.
(1) 미가황 고무, 세정제 및 가황제를 포함하는 몰드 세정 조성물로서, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)에 의한 측정에 따라 전체적으로 200,000 내지 460,000의 범위 이내의 중량 평균 분자량(Mw)을 갖는 몰드 세정 조성물.
(2) 상기 세정 조성물이 겔 침투 크로마토그래피(GPC)에 의한 측정에 따라 전체적으로 220,000 내지 430,000의 범위 이내의 중량 평균 분자량(Mw)을 갖는 (1) 에 따른 몰드 세정 조성물.
(3) 시트형 형상 또는 스트립(strip) 형상을 갖는 (1) 또는 (2)에 따른 몰드 세정 조성물.
(4) 세정제가 글리콜에테르, 이미다졸, 이미다졸린 및 아미노알코올로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 구성원인 (1) 내지 (3) 중 어느 한 항에 따른 몰드 세정 조성물.
(5) 미가황 고무 100 중량부에 대해 세정제가 10 내지 60 중량부의 양으로 함유되는 (1) 내지 (4) 중 어느 한 항에 따른 몰드 세정 조성물.
(6) 1 내지 20 중량%의 양으로 물을 더 포함하는 (1) 내지 (5) 중 어느 한 항에 따른 몰드 세정 조성물.
(7) 박리제(releasing agent)를 더 포함하는 (1) 내지 (6) 중 어느 한 항에 따른 몰드 세정 조성물.
(8) 몰드 세정 조성물이 복수의 선형 슬릿이 시트 표면상에 소정의 간격 및 서로 평행하게 하나의 방향으로 배치되어 있는 시트형 형상을 갖는 (1) 내지 (7) 중 어느 한 항에 따른 몰드 세정 조성물.
(9) 상기 슬릿이 상기 시트형 몰드 세정 조성물이 접힐 수 있도록 배치된 (8)에 따른 몰드 세정 조성물.
(10) 상기 슬릿이 상기 시트형 몰드 세정 조성물이 상기 슬릿을 따라 절단될 수 있도록 배치된 (8)에 따른 몰드 세정 조성물.
(11) 몰딩 재료를 몰딩하기 위해 반복적으로 가열 몰딩하는 데 이용되는 몰 드에 이용되는 세정 조성물인 (1) 내지 (10) 중 어느 한 항에 따른 몰드 세정 조성물.
상기 기술된 바와 같이, 본 발명의 몰드 세정 조성물은 필수 성분으로서 미가황 고무, 세정제 및 가황제를 함유하고, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)에 의한 측정에 따라 특정 범위 내의 중량 평균 분자량(Mw)을 전체적으로 갖는다. 따라서, 세정 조성물은 적절한 점도를 가지고, 몰드 내로의 탁월한 충전 성질을 달성한다. 그러므로, 몰드 표면을 본 발명의 몰드 세정 조성물을 이용하여 세정하는 경우, 몰드 공동은 몰드 세정 조성물로써 균일하게 충전되어 몰드 표면상 오염물이 몰드 세정 조성물에 부착됨을 유발함으로써, 몰드로부터 몰드 세정 조성물과 오염물을 일체로 효과적으로 제거한다. 예를 들어, 에폭시 수지 조성물을 이용한 몰딩에 반복적으로 이용된 반도체 소자를 몰드하기 위한 이동 몰딩을 위한 몰드 표면상의 오염물이 몰드 세정 조성물로부터 제조되는 몰드된 물품 내로 조합되어 몰드로부터 효과적으로 제거되고, 이에 의해 몰드의 세정이 효과적으로 수행될 수 있다. 따라서, 본 발명의 몰드 세정 조성물로써 세정되는 몰드를 이용함으로써 형성되는 반도체 장치는 탁월한 외관을 가진다.
몰드 세정 조성물이 시트형 형상 또는 스트립 형상을 가지는 경우에, 몰드 공동을 세정하기 위한 이러한 몰드 세정 조성물을 용이하게 위치시키는 것이 가능하다.
더 나아가, 세정제로서 글리콜에테르, 이미다졸, 이미다졸린 또는 아미노알코올을 이용함으로써 탁월한 몰드 세정 효과를 얻는 것이 가능하다.
몰드 세정 조성물이 1 내지 20 중량%의 양으로 물을 함유할 때, 더 탁월한 세정 성질을 달성하는 것이 가능하다.
시트형 형상을 갖도록 몰드 세정 조성물이 몰드되고, 이의 시트 표면상에 한 방향으로 배치되는 복수의 선형 슬릿이 제공되는 경우, 슬릿을 따라 시트를 접음으로써 시트를 용이하게 적층함이 가능하다. 이 경우에서, 평행한 슬릿에 의해 구분되는 개별 블록 조각이 슬릿 아래의 부분에서 서로 연결되어 있기 때문에, 시트는 접는 동안 전치(轉置) 없이 깔끔하게 적층될 수 있고, 그리고 개별 블록 조각은 적층 시에 교차 등이 되지 않는다. 따라서, 얻은 적층은 불규칙한 형상이 아니다. 깔끔하게 적층된 시트형 세정 조성물을 이용하여 몰드를 세정함으로써, 예를 들어, 미가황 고무와 몰드 표면 사이의 불충분한 가압 접촉에 의해 유발되는 세정 실패를 제거하는 것이 가능하다. 더 나아가, 시트를 동일한 크기를 갖는 조각으로 절단하기 위한 시트 크기의 측정 및 적층을 위해 절단된 시트 조각을 정렬하는 복잡한 작업의 수행이 불필요하기 때문에, 세정 작업의 간소화가 가능하다.
더 나아가, 시트형 몰드 세정 조성물이 슬릿을 따라 절단되는 것이 가능하도록 몰드 세정 조성물이 시트형 형상을 가지고, 특히 이의 시트 표면상에 한 방향으로 배치되어 있는 복수의 선형 슬릿이 제공되는 경우, 시트를 불규칙성 없이 더 작은 몰드 크기에 꼭 맞도록 용이하게 절단하는 것이 가능하다.
이하 본 발명의 구체예를 기술할 것이다.
본 발명의 몰드 세정 조성물은 전체적으로 특정한 중량 평균 분자량을 가지고, 필수 성분으로서 베이스 재료로서 작용하는 미가황 고무, 세정제 및 가황제를 를 이용함으로써 얻을 수 있다.
미가황 고무로서 이용되는 고무 재료의 예는 특별하게 제한되지는 않으나, 부타디엔 고무(BR), 에틸렌-프로필렌-다이엔 고무(EPDM), 에틸렌-프로필렌 고무(EPM) 및 스티렌-부타디엔 고무(SBR)와 같은 통상적인 고무를 포함한다. 이는 단독으로 또는 이들의 2 이상의 조합으로 이용될 수 있다. 이 미가황 고무 각각은 몰드 내에서 가황되어 가황 고무가 된다.
이 중, EPM, EPDM, BR 또는 이의 혼합물이 미가황 고무로서 바람직하게 이용될 수 있고, 이는 이 고무가 몰드를 이용하는 몰딩 시에 가황될 때 덜 오염되고, 가황 동안 악취가 덜 나기 때문이다.
더 구체적으로는, EPDM은 에틸렌, α-올레핀(특히 프로필렌) 및 이하 열거되는 폴리엔 단량체를 함유하는 삼원 공중합체이고, 폴리엔 단량체의 예는 다이사이클로펜타다이엔, 1,5-사이클로옥타다이엔, 1,1-사이클로옥타다이엔, 1,6-사이클로도데카다이엔, 1,7-사이클로도데카다이엔, 1,5,9-사이클로도데카트라이엔, 1,4-사이클로헵타다이엔, 1,4-사이클로헥사다이엔, 노보나다이엔, 메틸렌노보넨, 2-메틸펜타다이엔-1,4,1,5-헥사다이엔, 1,6-헵타다이엔, 메틸-테트라하이드로인덴 및 1,4-헥사다이엔을 포함한다.
EPDM 내 단량체의 각 공중합 비율은 삼원 공중합체 내 에틸렌 30 내지 80 몰%, 폴리엔 단량체 0.1 내지 20 몰% 및 나머지는 α-올레핀일 수 있다. 더 바람직하게는, 에틸렌은 30 내지 60 몰%이다. 100,000 내지 300,000, 더 바람직하게는 150,000 내지 250,000의 중량 평균 분자량(Mw)을 갖는 EPDM을 이용하는 것이 바람 직하다.
부타디엔 고무(BR)로서, 1,2-폴리부타디엔, 1,4-폴리부타디엔 또는 이의 혼합물이 이용될 수 있다. 부타디엔 고무의 무니(Mooney) 점도 ML1 +4(100℃)는 20 내지 80, 더 바람직하게는 35 내지 60일 수 있다. 200,000 내지 600,000, 더 바람직하게는 400,000 내지 600,000의 중량 평균 분자량(Mw)을 갖는 부타디엔 고무를 이용하는 것이 바람직하다.
세정제의 예는 글리콜에테르, 이미다졸, 이미다졸린 및 아미노알코올을 포함한다. 이는 단독으로 또는 이들의 2 이상의 조합으로 이용될 수 있다.
상기 언급한 글리콜에테르는 하기 화학식 1로 표현되는 화합물이다.
Figure 112007038312761-PAT00001
(화학식 1에서, n은 양의 정수이고, R1 및 R2는 각각 수소 또는 알킬기이다. R1 및 R2 중 하나가 수소일 때, 다른 것은 알킬기이다. R1 및 R2 모두가 알킬기일 때, R1 및 R2는 동일하거나 또는 상이할 수 있다.)
화학식 1로 표현되는 글리콜에테르의 예는 에틸렌글리콜다이메틸에테르, 다이에틸렌글리콜다이메틸에테르, 트라이에틸렌글리콜다이메틸에테르, 테트라에틸렌글리콜다이메틸에테르, 폴리에틸렌글리콜다이메틸에테르, 다이에틸렌글리콜모노프로필에테르, 다이에틸렌글리콜모노부틸에테르, 다이에틸렌글리콜다이에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르 및 에틸렌글리콜모노부틸에테르를 포함한다. 이는 단독으로 또는 이들의 2 이상의 조합으로 이용될 수 있다.
화학식 1로 표현되는 상기 글리콜에테르 중, 반복 숫자 n은 1 내지 2이고, R1 및 R2 중 하나가 수소일 때, 다른 것이 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬기인 것; 또는 반복 숫자 n은 1 내지 2이고, R1 및 R2 모두가 알킬기일 때, R1 및 R2는 1 내지 4개의 탄소 원자를 각각 갖는 알킬기인 것을 이용하는 것이 바람직하다. 본 명세서에서, 고무와의 융화성은 반복 숫자 n이 3 이상인 경우에 악화된다. 더 나아가, 알킬기의 탄소 원자의 수가 5 이상인 경우, 박리제 등의 산화 분해(degradation) 층에 대한 투과성이 악화된다. 글리콜에테르의 비등점은 바람직하게는 약 130℃ 내지 250℃일 수 있다. 더 구체적으로, 몰드 몰딩은 보통 150℃ 내지 185℃에서 수행되기 때문에, 글리콜에테르의 비등점이 130℃ 미만인 경우, 세정 시 증발이 현저하게 빨라 몇몇의 경우에서는 세정 작업 환경이 악화됨을 유발한다. 비등점이 250℃를 초과하는 경우, 증발이 어렵게 되어 글리콜 에테르가 가황 고무 내에 잔존함을 유발하고, 이에 의해 세정 후 가황 고무의 강도가 감소되고, 몰드로부터 세정 조성물을 제거할 시 가황 고무가 부서질 수 있다. 따라서, 몰드의 표면으로부터 박리제 등의 산화 분해 층을 만족스럽게 제거하는 것이 어렵게 되어, 세정 작업 효율이 악화되는 경향의 원인이 된다.
글리콜에테르 각각은 그 자체로서 또는 사용 시에 물, 메탄올, 에탄올 및 n- 프로판올과 같은 알코올, 또는 톨루엔 및 자일렌과 같은 유기 용매와 혼합하여 이용될 수 있다. 유기 용매와 글리콜에테르를 혼합하는 경우, 유기 용매의 양은 글리콜에테르 100 중량부에 대해 바람직하게는 50 중량부 이하, 더 바람직하게는 20 중량부 이하로 설정될 수 있다.
상기 언급한 이미다졸로서 하기 화학식 2로 표현되는 이미다졸을 이용함으로써 유리한 효과가 달성될 수 있다.
Figure 112007038312761-PAT00002
(화학식 2에서, 각각의 R은 H, 치환기 및 10개 이하의 탄소 원자를 갖는 선형 탄화수소기, 치환기가 존재하지 않고 10개 이하의 탄소 원자 또는 방향족 기를 갖는 선형 탄화수소기이고, R은 동일하거나 또는 상이할 수 있다.)
이러한 이미다졸의 예는 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸 및 2,4-다이아미노-6[2'-메틸이미다졸일-(1)']에틸-s-트라이아딘을 포함한다. 이는 단독으로 또는 이들의 2 이상의 조합으로 이용될 수 있다.
상기 언급한 이미다졸린으로서 하기 화학식 3으로 표현되는 이미다졸린을 이용함으로써 유리한 효과가 달성될 수 있다.
Figure 112007038312761-PAT00003
(화학식 3에서, 각각의 R은 H, 치환기 및 10개 이하의 탄소 원자를 갖는 선형 탄화수소기, 치환기가 존재하지 않고 10개 이하의 탄소 원자 또는 방향족 기를 갖는 선형 탄화수소기이고, R은 동일하거나 또는 상이할 수 있다.)
이미다졸린의 예는 2-메틸이미다졸린, 2-메틸-4-에틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린, 1-벤질-2-메틸이미다졸린, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸린, 2,4-다이아미노-6[2'-메틸이미다졸리닐-(1)']에틸-s-트라이아딘, 2,4-다이아미노-6[2'-메틸-4'-이미다졸리닐-(1)']에틸-s-트라이아딘, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸린 및 1-시아노에틸-2-메틸-4-에틸이미다졸린을 포함한다. 이는 단독으로 또는 이들의 2 이상의 조합으로 이용될 수 있다.
글리콜에테르의 경우에서와 같이, 각각의 이미다졸 및 이미다졸린은 그 자체로서 이용될 수 있거나 또는 사용 시에 메탄올, 에탄올 및 n-프로판올과 같은 알코올 및 톨루엔 및 자일렌과 같은 유기 용매와 혼합하여 이용될 수 있다. 이미다졸을 알코올 또는 유기 용매와 혼합하는 경우에서, 알코올 또는 유기 용매의 양은 하나 이상의 이미다졸 및 이미다졸린 100 중량부에 대해 바람직하게는 50 중량부 이하, 더 바람직하게는 20 중량부 이하로 설정될 수 있다.
상기 언급한 아미노알코올로서, 유리한 효과를 달성하기 위해 하기 아미노알 코올을 이용할 수 있다.
아미노알코올의 대표적인 예는 모노에탄올아민, 다이에탄올아민, 트라이에탄올아민, N-메틸에탄올아민, N,N-다이메틸에탄올아민, N,N-다이부틸에탄올아민, N,N-다이에틸에탄올아민, N-메틸-N,N-다이에탄올아민, 2-아미노-2-메틸프로판올, 3-아미노프로판올 및 2-아미노프로판올을 포함한다. 이는 단독으로 또는 이들의 2 이상의 조합으로 이용될 수 있다.
아미노알코올은 상기 기술한 다른 세정제의 경우에서와 같이, 그 자체로서 또는 사용 시에 메탄올, 에탄올 및 n-프로판올과 같은 알코올 및 톨루엔 및 자일렌과 같은 유기 용매와 혼합하여 이용될 수 있다. 알코올 아민을 알코올 및 유기 용매와 혼합하는 경우에서, 알코올 또는 유기 용매의 양은 아미노알코올 100 중량부에 대해 바람직하게는 50 중량부 이하, 더 바람직하게는 20 중량부 이하의 양으로 설정될 수 있다.
세정제(글리콜에테르, 이미다졸, 이미다졸린 또는 아미노알코올)의 함량은 미가황 고무 100 중량부에 대해 바람직하게는 10 내지 60 중량부, 더 바람직하게는 15 내지 25 중량부의 범위로 설정될 수 있다. 세정제의 함량이 10 중량부 미만일 때, 몰드에 대해 만족스러운 세정 효과를 발휘하는 것은 어렵다. 얻어진 몰드 세정 조성물을 이용하여 몰드를 세정하는 경우에서, 이의 함량이 60 중량부를 초과하는 경우, 조성물이 몰드에 부착하고, 몰드로부터 조성물의 제거 작업 효율이 악화된다.
가황제는 특별하게 제한되지는 않고, 통상적인 가황제를 사용할 수 있다. 가 황제의 예는 황 및 n-부틸-4,4-비스(t-부틸퍼옥시)발레레이트 및 1,1-다이(t-부틸퍼옥시)-3,3,5-트라이메틸사이클로헥산과 같은 유기 퍼옥사이드를 포함한다. 이는 단독으로 또는 이들의 2 이상의 조합으로 이용될 수 있다. 가황제의 함량은 바람직하게는 미가황 고무 100 중량부에 대해 1 내지 3 중량부의 범위로 설정될 수 있다.
더 나아가, 본 발명의 몰드 세정 조성물은 미가황 고무, 세정제 및 가황제 이외에 선택적으로 박리제, 보강제 등을 함유할 수 있다.
박리제는 특별하게 제한되지는 않고, 통상적인 박리제를 사용할 수 있다. 박리제의 예는 스테아르산 및 베헨산과 같은 장쇄 지방산; 아연 스테아레이트 및 칼슘 스테아레이트로 대표되는 장쇄 지방산의 금속염; 카노바 왁스, 몬탄 왁스 및 몬탄산의 부분적으로 비누화된 에스테르로 대표되는 에스테르계 왁스; 스테아릴에틸렌다이아마이드로 대표되는 장쇄 지방족 아마이드; 및 폴리에틸렌 왁스로 대표되는 왁스를 포함한다.
박리제의 함량은 몰드 세정 조성물 전체 중량에 대해 바람직하게는 1 내지 10 중량%의 범위로 설정될 수 있다. 박리제의 함량이 1 중량% 미만인 경우에는, 충분한 이형 효과를 보여주는 것이 어렵다. 이의 함량이 10 중량%를 초과하는 경우에는, 세정 능력이 악화될 수 있고, 재활용 후 몰드를 이용하여 제조되는 몰드된 물품의 외형이 악화될 수 있다.
보강제의 예는 실리카, 알루미나, 카본 블랙, 탄산 칼슘, 칼슘 실리케이트, 수산화 알루미늄, 티타늄 다이옥사이드 및 수산화 티타늄과 같은 무기 보강제(충전제)를 포함한다. 보강제의 함량은 미가황 고무 100 중량부에 대해 바람직하게는 10 내지 50 중량부의 범위로 설정될 수 있다.
더 나아가, 세정 조성물이 베이스 재료로서 미가황 고무 반죽을 함유할 때, 미가황 고무에 물을 첨가하는 것이 가능하다. 물의 함량은 바람직하게는 몰드 세정 조성물 전체 중량에 대해 1 내지 20 중량%의 범위로 설정될 수 있다.
본 발명의 몰드 세정 조성물은 예를 들어, 하기 기술된 바와 같이 제조될 수 있다. 베이스 물질로서 작용하는 미가황 고무, 세정제, 가황제 및 기타 첨가물을 혼합하고, 그리고 혼합물을 배치(batch)형 반죽기(kneader)에 의해 반죽하고, 그 다음 압출기 또는 롤러를 이용하여 시트형 형상 또는 스트립 형상으로 형성함으로써, 몰드 세정 조성물을 얻을 수 있다. 몰드 세정 조성물이 시트로서 이용되는 경우에서, 시트의 두께는 보통 3 내지 10 ㎜로 설정된다.
이에 따라 얻은 몰드 세정 조성물의 중량 평균 분자량(Mw)을 전체적으로 200,000 내지 460,000로 조정할 필요가 있고, 이는 겔 침투 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정된다. 이의 특히 바람직한 중량 평균 분자량(Mw)은 220,000 내지 430,000이다. Mw가 200,000 미만이면, 몰드 세정 조성물의 점도가 낮아지고, 그리고 압력이 몰딩 동안 몰드의 틈으로부터 새어나가 몰드 공동 내 압력의 감소로 인해 몰드 세정 조성물이 몰드의 모든 부분에 확산되는 것이 실패하고, 이는 비충전된 부분의 형성의 원인이 된다. 이의 Mw이 460,000을 초과하는 경우, 몰드 세정 조성물의 점도가 상승하여 몰드 공동에 대한 몰드 세정 조성물의 맞춤 성질을 감소시키고, 이는 비충전된 부분의 형성의 원인이 된다.
예를 들어, GPC 측정은 하기 기술된 바와 같이 수행된다. 얻어진 몰드 세정 조성물을 클로로포름으로 침액하여 3일 동안 정치시킨다. 그 다음, 클로로포름 용해 부분을 핫 플레이트 상에서 가열하여 건조 및 고화시킨다. 얻어진 건조 및 고화 물질을 0.1 중량% 테트라하이드로퓨란(THF) 용액을 이용함으로써 조정하여 1일 동안 스탠드에 정치시킨다. 그 다음, 용액을 0.45 ㎛의 막 필터를 이용하여 여과하고, 여과액의 GPC 측정을 소정의 조건 하에서 소정의 분석기를 이용하여 수행한다. GPC 측정에서 이용되는 용매는 THF 용액으로 제한되지는 않고, 측정 대상인 세정 조성물의 성분에 따라 적절하게 선택된다.
몰드 세정 조성물은 바람직하게는 백색 및 백색에 가까운 회색과 옅은 색을 가질 수 있다. 색을 조정함으로써, 몰드 세정 후 몰드 세정 조성물에 부착되고 몰드로부터 제거되는 오염물을 육안으로 용이하게 확인하는 것이 가능하고, 이로써 몰드 세정의 상태를 용이하게 확인하는 것을 가능케 하는 효과를 달성한다.
본 발명의 몰드 세정 조성물을 이용하는 경우에서, 시트형으로 몰드된 몰드 세정 조성물을 이용하는 것이 바람직하다. 시트형 몰드 세정 조성물을 이용하는 경우, 시트형 몰드 세정 조성물 등을 이용한 몰드 세정 작업의 용이함의 관점으로부터, 시트(10)의 접음을 가능케 하는 도 1에 도시된 바와 같이 서로 평행하게 소정의 간격으로 배치되어 있는 복수의 선형 슬릿(11)이 시트 표면상에 제공되는 시트(10)가 적합하게 이용된다. 더 바람직하게는, 시트(10)는 줄무늬 패턴을 갖는 시트 표면을 가진다. 슬릿(11)을 이용하여 시트(10)를 접음으로써, 시트(10)를 깔끔하게 적층하는 것이 가능하다.
슬릿(11)이 제공되는 시트(10)는 하기 기술된 바와 같이 제조될 수 있다. 상 기 기술된 바와 같이 얻은 회전된(rolled) 시트를 소정의 형상 및 크기로 절단하여 시트(10)를 얻고, 그리고 슬릿(11)을 각각의 시트(10)의 상부 표면상에 형성한다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 원형 절단 블레이드(13)가 회전축(12)에 부착되어 있는 리본 슬리터를 이용하고, 시트(10)의 상부 표면으로부터 소정의 깊이 및 서로 평행한 슬릿(11)을 형성하기 위해 시트(10)의 폭 방향으로 시트(10) 내에 파묻히는 절단 블레이드(13)를 이동시킴으로써, 슬릿(11)의 형성을 수행한다. 상기 공정의 반복에 의해, 일정한 간격으로 배치되고 서로 평행한 슬릿(11)이 시트(10)의 상부 표면의 전체 부분 상에 형성된다. 시트(10)는 슬릿(11)에 의해 동일한 크기를 갖는 블록 조각(10a)으로 분할된다. 슬릿(11)이 일정한 간격으로 형성되기 때문에, 슬릿(11)은 시트가 접힐 때 눈금의 기능을 갖게 되어, 세정되는 몰드 또는 공동의 크기에 따라 시트(10)를 접거나 또는 절단할 수 있다.
더 나아가, 도 3에 도시한 바와 같이, 각 슬릿(11)의 말단 및 슬릿(11)의 말단과 마주하는 시트 표면 사이의 거리(D)는 바람직하게는 약 0.1 내지 0.8 ㎜, 더 바람직하게는 0.2 내지 0.5 ㎜로 설정될 수 있다. 볼록 조각(10a)은 거리가 0.1 ㎜ 미만인 경우 용이하게 분리되는 경향이 있고, 거리가 0.8 ㎜를 초과하는 경우 접음이 덜 부드럽다.
시트형 형상으로 형성되는 본 발명의 몰드 세정 조성물을 이용하는 몰드의 세정 방법은 반도체 장치의 몰딩에 이용되는 몰드 상에서 수행된다. 예를 들어, 미가황 상태의 시트가 몰드 내에 위치되고, 그리고 나서 열 가황하여 오염물이 시트에 일체로 부착됨을 유발한다. 그 다음, 몰드의 세정은 몰드로부터 가황 시트를 제 거함으로써 수행된다.
시트형 몰드 세정 조성물을 이용하는 몰드 세정 방법을 이하 과정의 순서로 상세하게 기술할 것이다.
먼저, 본 발명의 시트형 몰드 세정 조성물을 준비한다. 그리고 나서, 함몰(3a)이 형성되어 있는 상부 몰드(1)와 함몰(3b)이 형성되어 있는 하부 몰드(2) 사이에 시트형 몰드 세정 조성물(10)을 도 4에 도시한 바와 같이 위치시키고, 그리고 상부 몰드(1) 및 하부 몰드(2)를 도 5에 도시한 바와 같이 가압 몰딩을 위해 시트형 몰드 세정 조성물(10)을 사이에 끼워 넣어 고정시킨다. 시트(10)는 상부 몰드(1) 내 형성되어 있는 함몰(3a) 및 하부 몰드(2) 내 형성되어 있는 함몰(3b)로 형성되는 공동(3) 내로 채워지고, 몰딩을 위한 압력에 의해 몰드 표면과 가압 접촉을 유발한다. 이 상태에서, 미가황 고무는 몰딩을 위한 열에 의해 열 가황되어 가황 고무가 되고, 공동(3)에 형성되는 박리제 등의 산화 분해 층이 가황 고무와 조합된다. 몇몇의 경우에서, 공동(3) 주위의 거친 부분(burr) 또한 미가황 고무와 조합된다. 그 다음, 도 6에 도시된 바와 같이, 상부 몰드(1) 및 하부 몰드(2)는 소정의 시간 동안 개방되어 상부 및 하부 몰드(1 및 2)로부터 가황 고무가 된 시트형 몰드 세정 조성물(10)을 제거하고, 이로써 상부 및 하부 몰드(1 및 2)의 표면으로부터 시트(10)와 조합된 산화 분해 층 등을 제거한다. 따라서, 몰드 세정이 수행된다.
시트형 몰드 세정 조성물로서, 시트(10)의 접음을 가능케 하는 도 1에 도시된 바와 같이 소정의 간격으로 서로 평행하게 시트의 표면상에 형성되어 있는 복수 의 선형 슬릿(11)이 제공된 시트형 몰드 세정 조성물을 이용하는 것이 가능하다.
이러한 시트형 세정 조성물을 이용하는 경우에서, 도 7에 도시된 바와 같이 요구되는 수의 블록 조각(10a)이 슬릿(11)을 따라 시트(10)로부터 절단된다. 이 절단은 손가락으로써 시트(10)를 들어올리고, 반복적으로 슬릿(11)을 따라 접음으로써 또는 칼 등을 이용함으로써 수행된다. 그 다음, 도 8에 도시된 바와 같이, 시트(10)를 시트(10)의 상부 표면(슬릿(11)이 형성되어 있는 표면)이 바깥을 향하도록 슬릿(11)을 따라 접고(본 명세서에서, 4 개의 블록 조각(10a)이 도 8에서 절단된다), 그리고 시트(10)는 도 8에 도시된 바와 같이 이의 하부 표면이 서로 접촉하여 블록 조각(10a)을 적층할 때까지 지속적으로 접힌다. 블록 조각(10)은 슬릿(11)의 하부(11a)에서 서로 연결되어 있기 때문에, 접음 시에 서로 분리되지 않는다. 따라서, 접음의 간단한 동작만으로써, 서로 교차하는 블록 조각(10a) 없이 길이 방향 및 폭 방향을 따라 정렬되는 블록 조각(10a)을 깔끔하게 적층하는 것이 가능하다. 그러므로, 독립된 블록 조각(10a)의 정렬 또는 시트(10)의 동일한 크기를 가지는 조각으로의 절단을 위해 시트(10)의 크기를 측정하는 수고를 제거하는 것이 가능하다.
4개의 블록 조각의 중심에서 시트로부터 절단된 4개의 블록 조각(10a)을 접음으로써 2개의 블록 조각(10a)이 다른 2개의 블록 조각(10a) 상에 적층되어 있는 상태가 도 8에 도시되어 있지만, 본 발명이 이에 제한되지는 않고, 그리고 세정되는 몰드 또는 공동의 크기에 따라 적절한 수의 블록 조각(10a)을 절단 및 접고, 적절한 크기(예를 들어, 3개의 블록 조각(10a)이 다른 3개의 블록 조각(10a) 상에 적 층되어 6개의 블록 조각(10a)을 이용한다)로 블록 조각(10a)을 적층하는 것이 가능하다.
본 발명의 몰드 세정 조성물이 이용되기 위한 몰드의 일례는 예를 들어, 반복적인 몰딩이 열경화성 수지 조성물을 이용하여 수행되는 반도체 장치의 몰딩을 위한 몰드이다.
본 발명의 몰드 세정 조성물이 이용되기 위한 몰드의 일례인 반도체 장치의 몰딩을 위한 몰드에서, 몰드 수지 재료로서 이용되는 열경화성 수지 조성물의 예는 주성분으로서 에폭시 수지를 함유하는 에폭시 수지 조성물을 포함한다.
열경화성 수지 조성물에서, 주원료로서 작용하는 에폭시 수지와 함께 경화제가 보통 이용될 수 있다.
본 발명의 몰드 세정 조성물로써 세정되는 몰드는 오염물이 존재하지 않고, 초기 상태의 몰드 표면으로 복구되기 때문에, 몰드 재료로서 작용하는 열경화성 수지 조성물을 이용하여 반도체 패키지를 몰딩하기 전에 보통은 박리제가 몰드 표면상에 코팅된다. 예를 들어, 박리제로서 몬탄산 왁스를 함유하는 몰드 재료의 몰딩의 경우에서, 몬탄산 왁스를 코팅하는 것이 바람직하다. 몰드 표면상에 몬탄산 왁스를 코팅하는 방법으로서, 전술한 미가황 고무와 박리제를 혼합함으로써 얻을 수 있는 시트와 같은 몬탄산 왁스를 함유하고 시트 형상으로 형성된 미가황 고무 조성물을 이용하는 것이 바람직하다. 몬탄산 왁스를 함유하는 미가황 고무 조성물에 의해 형성되는 시트가 몰드 내에 위치하되, 시트형 몰드 세정 조성물을 이용하는 세정 처리와 동일한 방식으로 가열되어, 그 안에 함유되어 있는 몬탄산 왁스가 몰드 표면상에 코팅된다. 미가황 고무 조성물 내 몬탄산 왁스가 열 가황에 의해 용융되고 몰드 표면에 스며들어 표면상에 균일한 박리제 필름을 형성하는 경우가 고려된다.
몬탄산 왁스의 함량은 미가황 고무 조성물 내 고무 재료 100 중량부에 대해 바람직하게는 15 내지 35 중량부, 더 바람직하게는 20 내지 30 중량부의 비율로 설정될 수 있다. 몬탄산 왁스의 함량이 15 중량부 미만일 때, 충분한 이형 효과를 보여주지 않는다. 이의 함량이 35 중량부를 초과할 때, 몬탄산 왁스는 초과량으로 몰드 표면상에 코팅되어 세정 및 재활용 후 몰드를 이용하여 얻어지는 몰드된 물품의 외관의 악화를 유발한다.
이하 실시예 및 비교예를 기술할 것이다.
실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 5
표 1 내지 2에 나타낸 비율로 성분을 혼합하고, 그리고 각 혼합물을 반죽기에 의해 반죽하고, 가압 롤러를 이용하여 회전시켜 두께 5 ㎜를 갖는 시트를 얻음으로써, 목적하는 시트형 몰드 세정 조성물을 얻었다.
각 시트형 몰드 세정 조성물의 중량 평균 분자량(Mw)을 이하 기술한 바와 같이 측정하였다. 시트형 몰드 세정 조성물을 클로로포름에 침액시켜 3일 동안 정치시켰다. 그 다음, 클로로포름 용해된 분획을 50℃ 핫 플레이트 상에서 가열하여 건조 및 고화시켰고, 얻은 건조 및 고화된 물질은 0.1 중량% 테트라하이드로퓨란(THF)을 이용하여 조정하여 1일 동안 스탠드에 정치시켰다. 그 다음, 용액을 0.45 ㎛의 막 필터를 이용하여 여과하였고, 그리고 하기 측정 조건 하에서 GPC 분 석기(HLC-8120GPC, Tosoh Corporation 제조)를 이용하여 여과물의 중량 평균 분자량(Mw)의 측정을 수행하였다.
측정 조건
컬럼: GMHXL + GMHXL + G3000HXL, Tosoh Corporation 제조)
컬럼 크기: 각각 7.8 ㎜ × 30 ㎝의 직경을 가짐, 전체 크기: 90 ㎝
컬럼 온도: 40℃
용출액: THF
유속: 0.8 ㎖/min
주입 압력: 2.3 MPa
주입량: 100 ㎕
검출기: 시차굴절계(RI)
표준 시료: 폴리스티렌(PS)
데이터 처리 장치: GPC-8020, Tosoh Corporation 제조
실시예, 비교예 및 종래예의 얻은 시트형 몰드 세정 조성물 각각의 충전 성질을 이하 기술된 바와 같이 평가하였다. 충전 성질의 평가[몰드 크기: 24 ㎜ × 91 ㎜, 몰드 공동 크기: 4 ㎜ × 5 ㎜ × 2.0 ㎜(상부 및 하부 공동의 전체 깊이)]를 위한 몰드를 이용함으로써, 16개의 공동 중 충전 성질이 가장 나쁜 공동의 충전율을 평가하였다. 결과를 표 1 및 2에 나타내었다.
충전율을 몰드 공동의 하부 표면적 및 얻은 몰드된 물품의 공동 부분의 하부 표면적을 계산하고 나서, 하부 표면적들 사이의 비율을 계산함으로써 검출하였다. 도 4에 도시된 바와 같이, 상부 몰드(1) 및 하부 몰드(2)로 형성된 몰드 내 8개의 공동(3)이 서로 평행하게 각각 2열로 정렬되어 있다. 상기 기술된 바와 같이 서로 평행하게 배치되는 공동(3) 사이의 갭은 10 ㎜이고, 그리고 각 열로 정렬된 8개의 공동(3)이 1 ㎜의 간격으로 배치되어 있다. 시료로서 이용되는 시트형 몰드 세정 조성물(10)의 크기는 10 ㎜의 폭, 91 ㎜의 길이 및 5 ㎜의 두께로 설정되었고, 그리고 시료를 평가를 위한 몰드 내 공동(3)의 열 사이에 배치하였고, 가열 몰딩을 위해 몰드를 폐쇄하였다. 몰딩 조건으로서, 몰딩을 5분 동안 175℃에서 수행하였고, 클램핑을 위한 몰드 사이의 갭은 0.5 ㎜였다.
(부)
실시예
1 2 3 4 5 6
EPDM *1 100 30 50 30 30 30
BR *2 - 70 50 70 70 70
백색 탄소 40 40 40 40 40 40
몬탄산 왁스 12 12 12 12 12 12
이미다졸 *3 10 10 5 - - -
이미다졸린 *4 - - - 5 - -
글리콜에테르 *5 - - - - 10 -
아미노알코올 *6 - - - - - 5
유기 퍼옥사이드 *7 2 2 2 2 2 2
물 5 5 5 5 5 5
몰드 세정 조성물의 중량 평균 분자량(Mw) 220,000 430,000 370,000 430,000 430,000 430,000
공동 충전률(%) 100% 100% 100% 100% 100% 100%
*1: 에틸렌(a), 프로필렌(b) 및 에틸리덴노보넨(c) 간의 공중합 비율은 몰비로 67/31/2이다; 중량 평균 분자량(Mw)은 220,000이다.
*2: 1,4-폴리부타디엔; 무니 점도 ML1 +4(100℃)는 45 M이고; 중량 평균 분자량(Mw)은 490,000이다.
*3: 2,4-다이아미노-6[2'-메틸이미다졸리닐-(1)']에틸-s-트라이아딘.
*4: 2-메틸-4-에틸이미다졸린.
*5: 에틸렌글리콜모노메틸에테르.
*6: 2-아미노-2-메틸프로판올.
*7: n-부틸-4,4-비스(t-부틸퍼옥시)발레레이트.
(부)
비교예
1 2 3 4 5
EPDM *1 100 - 100 100 100
BR *1 - 100 - - -
백색 탄소 40 40 40 40 40
몬탄산 왁스 12 12 12 12 12
이미다졸 *3 10 10 - - -
이미다졸린 *4 - - 5 - -
글리콜에테르 *5 - - - 10 -
아미노알코올 *6 - - - - 5
유기 퍼옥사이드 *7 2 2 2 2 2
물 5 5 5 5 5
몰드 세정 조성물의 중량 평균 분자량(Mw) 180,000 490,000 180,000 180,000 180,000
공동 충전률(%) 80% 90% 75% 70% 70%
*1: 에틸렌(a), 프로필렌(b) 및 에틸리덴노보넨(c) 간의 공중합 비율은 몰비로 64/34/2이다; 중량 평균 분자량(Mw)은 180,000이다.
*2: 1,4-폴리부타디엔; 무니 점도 ML1 +4(100℃)는 45 M이고; 중량 평균 분자량(Mw)은 490,000이다.
*3: 2,4-다이아미노-6[2'-메틸이미다졸리닐-(1)']에틸-s-트라이아딘.
*4: 2-메틸-4-에틸이미다졸린.
*5: 에틸렌글리콜모노메틸에테르.
*6: 2-아미노-2-메틸프로판올.
*7: n-부틸-4,4-비스(t-부틸퍼옥시)발레레이트.
상기 결과로부터, 각각 특정 범위 이내의 중량 평균 분자량(Mw)을 갖는 시트형 세정 조성물인 시료의 실시예의 시료들은 100%의 충전률을 보여주었고, 이는 현저하게 탁월한 충전 성질이다. 대조적으로, 특정 범위를 벗어난 중량 평균 분자량(Mw)를 각각 갖는 시트형 세정 조성물인 비교예의 시료들은 실시예의 것보다 더 낮은 충전률을 보여주었고, 낮은 충전 성질에 의해 비교예를 실용적으로 이용하는 것은 어렵다.
이하 슬릿이 제공된 시트형 몰드 세정 조성물을 이용하는 실시예를 기술할 것이다.
실시예 7
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 기술된 실시예 1 내지 6에서 얻은 각 시트형 몰드 세정 조성물(5 ㎜의 두께(도 1에서 T))을 230 ㎜의 폭(도 1에서 A) 및 300 ㎜의 길이(도 1에서 B)를 갖는 시트(10)로 절단하였다. 각각 4.5㎜의 깊이를 갖는 슬릿(11)을 15 ㎜의 간격으로 서로 평행하게 시트(10)의 상부 표면의 전체 부분 상에 시트(10)의 폭의 방향으로 형성하였다. 즉, 각 슬릿(11)의 말단과 말단과 마주보는 시트(10)의 시트 표면 사이의 거리(도 3에서 D)는 0.5 ㎜였다. 이 시트(10)에서, 20개의 블록 조각(10a)이 형성되었다. 슬릿(11)이 제공되는 각 시트형 몰드 세정 조성물(10)을 다양한 몰드 크기의 몇 가지 유형의 이동 몰딩 장치에 따라 절단하였고, 적층되면서 몰드 내에 위치되는 슬릿(11)의 부분에서 접었다. 그 후, 몰드를 폐쇄하여 충전률을 측정하기 위한 열 몰딩을 수행하였다. 그 결과, 충전률은 높았고, 충전 성질은 전술한 시트형 몰드 세정 조성물과 같이 현저하게 탁월하였다.
본 발명의 몰드 세정 조성물은 열경화성 수지 몰딩 재료에 이용되는 것과 같이 몰드를 세정 및 재활용하는 데, 예를 들어 에폭시 수지 몰딩 재료를 이용하는 이송 몰딩에 의해 반도체 소자를 몰드하는 데 이용되는 이송 몰딩용 몰드를 세정 및 재활용하는 데 유용하다.
본 발명을 상세히 그리고 이의 구체적인 구체예를 참조하여 기술하였지만, 다양한 변화 및 변경이 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 이루어질 수 있음은 당업자에게 자명할 것이다.
이 출원은 2006년 5월 25일에 출원된 일본 특허 출원 제2006-145544호에 기초하고, 이의 전체 내용은 본 명세서에 참조에 의해 편입된다.
더 나아가, 본 명세서에서 인용된 모든 참고 문헌은 전체적으로 편입된다.
본 발명의 세정 조성물은 적절한 점도를 가지고, 몰드 내로의 탁월한 충전 성질을 가짐에 따라, 몰드 내 오염물의 탁월한 세정 효과가 있다. 따라서, 본 발명의 몰드 세정 조성물로써 세정되는 몰드를 이용함으로써 형성되는 반도체 장치는 탁월한 외관을 가지는 효과가 있다.

Claims (11)

  1. 미가황 고무, 세정제 및 가황제를 포함하는 몰드 세정 조성물로서, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)에 의한 측정에 따라 전체적으로 200,000 내지 460,000의 범위 이내의 중량 평균 분자량(Mw)을 갖는 몰드 세정 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 세정 조성물이 겔 침투 크로마토그래피(GPC)에 의한 측정에 따라 전체적으로 220,000 내지 430,000의 범위 이내의 중량 평균 분자량(Mw)을 갖는 몰드 세정 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 시트형 형상 또는 스트립 형상을 갖는 몰드 세정 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 세정제가 글리콜에테르, 이미다졸, 이미다졸린 및 아미노알코올로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 구성원인 몰드 세정 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 미가황 고무 100 중량부에 대해 세정제가 10 내지 60 중량부의 양으로 함유되는 몰드 세정 조성물.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 1 내지 20 중량%의 양으로 물을 더 포함하는 몰드 세정 조성물.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 박리제를 더 포함하는 몰드 세정 조성물.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 몰드 세정 조성물이 복수의 선형 슬릿이 시트 표면상에 소정의 간격 및 서로 평행하게 한 방향으로 배치되어 있는 시트형 형상을 갖는 몰드 세정 조성물.
  9. 제8항에 있어서, 상기 슬릿이 상기 시트형 몰드 세정 조성물이 접힐 수 있도록 배치된 몰드 세정 조성물.
  10. 제8항에 있어서, 상기 슬릿이 상기 시트형 몰드 세정 조성물이 상기 슬릿을 따라 절단될 수 있도록 배치된 몰드 세정 조성물.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 몰딩 재료를 몰딩하기 위해 반복적으로 가열 몰딩하는 데 이용되는 몰드에 이용되는 몰드 세정 조성물.
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