KR20070113143A - 열처리판의 온도 제어 방법, 컴퓨터 기억 매체 및열처리판의 온도 제어 장치 - Google Patents

열처리판의 온도 제어 방법, 컴퓨터 기억 매체 및열처리판의 온도 제어 장치 Download PDF

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료오이찌 우에무라
미쯔떼루 야노
신이찌 시노즈까
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도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명에 있어서는, 기판이 열판에 적재되었을 때의 각 열판 영역의 온도 강하량을 검출하여 기판의 휨 상태를 검출한다. 각 열판 영역의 온도 강하량으로부터 각 열판 영역의 설정 온도의 보정치를 산출한다. 이 각 열판 영역의 설정 온도의 보정치의 산출은 미리 구해진 관계를 이용하여, 각 열판 영역의 온도 강하량으로부터 그 열판 상에서 열처리되는 기판 면내의 정상 온도를 추정한다. 그리고, 그 추정한 기판 면내의 정상 온도와 열판 영역의 온도 강하량으로부터 각 열판 영역의 설정 온도의 보정치를 산출한다. 이 설정 온도의 보정치를 기초로 하여 열판 영역의 온도 설정이 변경된다.
반송 장치, 고정밀도 온조 장치, 냉각부, 인터페이스부, 트랜지션 장치

Description

열처리판의 온도 제어 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 열처리판의 온도 제어 장치 {TEMPERATURE CONTROL METHOD FOR HEAT TREATING PLATE, COMPUTER STORAGE MEDIUM AND TEMPERATURE CONTROL APPARATUS FOR HEAT TREATING PLATE}
도1은 본 실시 형태를 실시하기 위한 도포 현상 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 평면도.
도2는 도1의 도포 현상 처리 시스템의 정면도.
도3은 도1의 도포 현상 처리 시스템의 배면도.
도4는 PEB 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면의 설명도.
도5는 PEB 장치의 구성의 개략을 도시하는 횡단면의 설명도.
도6은 PEB 장치의 열판의 구성을 도시하는 평면도.
도7은 온도 센서가 배치된 열판의 이면도.
도8은 제어부의 구성을 도시하는 블록도.
도9는 웨이퍼의 정상 온도와 열판의 온도 강하량과의 관계를 나타내는 그래프.
도10은 가열 처리시의 웨이퍼의 온도 변동을 나타내는 그래프.
도11은 가열 처리시의 열판의 온도 변동을 나타내는 그래프.
도12a는 열판 상의 웨이퍼가 오목형으로 휜 모습을 나타내는 설명도이고, 도 12b는 열판 상의 웨이퍼가 볼록형으로 휜 모습을 나타내는 설명도.
도13은 웨이퍼의 정상 온도와 열판의 온도 강하량과의 관계의 산출예를 나타내는 설명도.
도14는 열판의 설정 온도의 보정치와 열판의 온도 강하량과의 관계를 나타내는 그래프.
도15는 온도 제어 프로세스의 흐름도.
도16은 새로운 온도 설정에 있어서의 열처리시의 열판의 온도 변동을 나타내는 그래프.
도17은 과도 온도를 제어하는 온도 제어 프로세스의 흐름도.
도18은 과도 온도의 설정을 변경한 경우의 가열 처리시의 웨이퍼의 온도 변동을 나타내는 그래프.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 도포 현상 처리 시스템
2 : 카세트 스테이션
3 : 처리 스테이션
4 : 인터페이스부
5 : 적재대
6 : 반송로
7 : 웨이퍼 반송체
60 : 온조 장치
61 : 트랜지션 장치
65 : 고온도 열처리 장치
70 : 고정밀도 온조 장치
92 : 가열 처리 장치
[문헌 1] 일본 특허 공개 제2001-143850호 공보
본 발명은 열처리판의 온도 제어 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 열처리판의 온도 제어 장치에 관한 것이다.
예를 들어 반도체 디바이스의 제조에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 예를 들어 웨이퍼 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 레지스트막을 소정의 패턴으로 노광하는 노광 처리, 노광 후에 레지스트막 내의 화학 반응을 촉진시키는 가열 처리(포스트 익스포저 베이킹), 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리 등이 순차 행해지고, 웨이퍼 상에 소정의 레지스트 패턴이 형성된다. 이들 일련의 처리는 상기 각종 처리를 행하는 다수의 처리 장치가 탑재된 도포 현상 처리 시스템에 있어서 연속적으로 행해지고 있다.
예를 들어 상술한 포스트 익스포저 베이킹 등의 가열 처리는 통상 가열 처리 장치에서 행해지고 있다. 가열 처리 장치는 웨이퍼를 적재하여 가열하는 열판을 구비하고 있다. 열판에는 예를 들어 전력의 공급에 의해 발열하는 히터가 내장되어 있고, 이 히터에 의한 발열에 의해 열판은 원하는 온도로 조정되어 있다.
상술한 가열 처리에 있어서의 웨이퍼의 처리 온도는 최종적으로 웨이퍼 상에 형성되는 레지스트 패턴의 선 폭에 큰 영향을 준다. 그래서, 가열시의 웨이퍼 면내의 온도를 엄격하게 제어하기 위해, 상술한 가열 처리 장치의 열판은 복수의 영역으로 분할되고, 각 영역마다 독립된 히터가 내장되어 각 영역마다 온도 조정되고 있다(일본 특허 공개 제2001-143850호 공보).
그런데, 열판 상에서 처리되는 웨이퍼에는, 성막이나 에칭 등의 전처리의 영향에 의해 휨이 발생하고 있는 것이 있다. 휨이 있는 웨이퍼는 열처리시에 열판의 열이 웨이퍼에 균일하게 전달되지 않고, 웨이퍼가 부분적으로 적정한 온도로 가열되지 않게 된다. 이러한 경우, 최종적으로 웨이퍼 상에 형성되는 레지스트 패턴의 선 폭이 변동되게 된다. 그래서, 예를 들어 도포 현상 처리 시스템에 레이저 변위계를 갖는 전용의 휨 측정 장치를 탑재하고, 휨 측정 장치를 이용하여 웨이퍼의 휨량을 측정하고, 그 휨량에 따라서 열판의 각 영역의 온도를 조정하는 것이 고려된다.
그러나, 이 경우 어느 정도의 선 폭의 균일성의 향상은 기대할 수 있지만, 더욱 선 폭의 균일성의 향상을 도모하기 위해서는, 실제로 웨이퍼가 열판 상에 적재되었을 때의 웨이퍼의 휨 상태를 정확하게 파악할 필요가 있다. 그러나, 예를 들어 휨 측정 장치의 레이저 변위계를 가열 중의 열판 상에 실장하는 것은 기술적 으로 곤란하다. 또한 전용의 휨 측정 장치를 도포 현상 처리 시스템에 탑재하면, 그 만큼 넓은 공간이 필요해지고, 또한 비용도 상승하게 된다.
본 발명은, 이러한 점에 비추어 이루어진 것으로, 전용의 휨 측정 장치를 이용하지 않고, 웨이퍼 등의 기판의 휨에 따라서 열판 등의 열처리판의 온도 제어를 적정하게 행하는 것을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하는 본 발명은, 기판을 적재하여 열처리하는 열처리판의 온도 제어 방법이며, 열처리판은 복수의 영역으로 구획되고, 상기 영역마다 온도 제어 가능하며, 기판을 열처리판에 적재하였을 때의 열처리판 면내의 온도 강하량을 검출하여 기판의 휨 상태를 검출하는 공정과, 상기 기판의 휨 상태를 기초로 하여 열처리판의 각 영역의 온도를 제어하는 공정을 갖고 있다.
본 발명에 따르면, 전용의 휨 측정 장치를 이용할 필요가 없으므로, 비용의 저감이 도모된다. 또한, 실제로 열처리판 상에 기판이 적재되었을 때의 기판의 휨 상태를 기초로 하여 열처리판 면내의 온도를 엄격하게 제어할 수 있으므로, 기판 면내의 열처리를 더욱 균일하게 행할 수 있고, 이에 의해 기판의 최종적인 처리 결과의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
다른 관점에 따르면, 본 발명은 복수의 영역으로 구획되고, 또한 상기 영역마다 온도 제어 가능한 열처리판을 제어하기 위한 컴퓨터 프로그램을 저장한 컴퓨터 기억 매체이다. 그리고 상기 열처리판의 제어는, 기판을 열처리판에 적재하였을 때의 열처리판 면내의 온도 강하량을 검출하여 기판의 휨 상태를 검출하는 공정과, 상기 기판의 휨 상태를 기초로 하여 열처리판의 각 영역의 온도를 제어하는 공 정을 갖고 있다.
또한 다른 관점에 따르면, 본 발명은 기판을 적재하여 열처리하는 열처리판의 온도 제어 장치이며, 열처리판은 복수의 영역으로 구획되고, 상기 영역마다 온도 제어 가능하며, 기판을 열처리판에 적재하였을 때의 열처리판 면내의 온도 강하량을 검출하여 기판의 휨 상태를 검출하는 검출부와, 상기 기판의 휨 상태를 기초로 하여 열처리판의 각 영역의 온도를 제어하는 제어부를 갖고 있다.
본 발명에 따르면, 전용의 휨 측정 장치를 이용할 필요가 없으므로 비용을 저감시킬 수 있다. 또한, 열처리판 면내의 온도 제어를 적정하게 행할 수 있으므로, 기판 처리의 면내 균일성을 향상시킬 수 있어 수율을 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해 설명한다. 도1은 본 실시 형태에 관한 열처리판의 온도 제어 장치가 구비된 도포 현상 처리 시스템(1)의 구성의 개략을 도시하는 평면도이고, 도2는 도포 현상 처리 시스템(1)의 정면도이고, 도3은 도포 현상 처리 시스템(1)의 배면도이다.
도포 현상 처리 시스템(1)은, 도1에 도시한 바와 같이 예를 들어 25매의 웨이퍼(W)를 카세트 단위로 외부로부터 도포 현상 처리 시스템(1)에 대해 반입 및 반출하거나, 카세트(C)에 대해 웨이퍼(W)를 반입 및 반출하는 카세트 스테이션(2)과, 포토리소그래피 공정 중에서 낱장식으로 소정의 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 다단으로 배치하고 있는 처리 스테이션(3)과, 이 처리 스테이션(3)에 인접하여 설치되어 있는 도시하지 않은 노광 장치와의 사이에서 웨이퍼(W)의 교환을 하 는 인터페이스부(4)를 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.
카세트 스테이션(2)에는 카세트 적재대(5)가 설치되고, 상기 카세트 적재대(5)는 복수의 카세트(U)를 X 방향(도1 중 상하 방향)으로 일렬로 적재 가능하게 되어 있다. 카세트 스테이션(2)에는, 반송로(6) 상을 X 방향을 향해 이동 가능한 웨이퍼 반송체(7)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송체(7)는 카세트(U)에 수용된 웨이퍼(W)의 웨이퍼 배열 방향(Z 방향 ; 연직 방향)으로도 이동 가능하고, X 방향으로 배열된 각 카세트(U) 내의 웨이퍼(W)에 대해 선택적으로 액세스할 수 있다.
웨이퍼 반송체(7)는 Z축 주위의 θ방향으로 회전 가능하고, 후술하는 처리 스테이션(3)측의 제3 처리 장치군(G3)에 속하는 온조(溫調) 장치(60)나 트랜지션 장치(61)에 대해서도 액세스할 수 있다.
카세트 스테이션(2)에 인접하는 처리 스테이션(3)은 복수의 처리 장치가 다단으로 배치된, 예를 들어 5개의 처리 장치군(G1 내지 G5)을 구비하고 있다. 처리 스테이션(3)의 X 방향 마이너스 방향(도1 중 하방향)측에는 카세트 스테이션(2)측으로부터 제1 처리 장치군(G1), 제2 처리 장치군(G2)이 차례로 배치되어 있다. 처리 스테이션(3)의 X 방향 플러스 방향(도1 중 상방향)측에는 카세트 스테이션(2)측으로부터 제3 처리 장치군(G3), 제4 처리 장치군(G4) 및 제5 처리 장치군(G5)이 차례로 배치되어 있다. 제3 처리 장치군(G3)과 제4 처리 장치군(G4) 사이에는 제1 반송 장치(10)가 설치되어 있다. 제1 반송 장치(10)는 제1 처리 장치군(G1), 제3 처리 장치군(G3) 및 제4 처리 장치군(G4) 내의 각 처리 장치에 선택적으로 액세스하여 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 제4 처리 장치군(G4)과 제5 처리 장치군(G5) 사이에는 제2 반송 장치(11)가 설치되어 있다. 제2 반송 장치(11)는 제2 처리 장치군(G2), 제4 처리 장치군(G4) 및 제5 처리 장치군(G5) 내의 각 처리 장치에 선택적으로 액세스하여 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
도2에 도시한 바와 같이 제1 처리 장치군(G1)에는, 웨이퍼(W)에 소정의 액체를 공급하여 처리를 행하는 액처리 장치, 예를 들어 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포 장치(20, 21, 22), 노광 처리시의 광의 반사를 방지하는 반사 방지막을 형성하는 하부 코팅 장치(23, 24)가 아래로부터 차례로 5단으로 중첩되어 있다. 제2 처리 장치군(G2)에는, 액처리 장치, 예를 들어 웨이퍼(W)에 현상액을 공급하여 현상 처리하는 현상 처리 장치(30 내지 34)가 아래부터 차례로 5단으로 중첩되어 있다. 또한, 제1 처리 장치군(G1) 및 제2 처리 장치군(G2)의 최하단에는, 각 처리 장치군(G1, G2) 내의 액처리 장치에 각종 처리액을 공급하기 위한 케미컬실(40, 41)이 각각 설치되어 있다.
예를 들어 도3에 도시한 바와 같이 제3 처리 장치군(G3)에는, 온조 장치(60), 웨이퍼(W)의 교환을 행하기 위한 트랜지션 장치(61), 정밀도가 높은 온도 관리하에서 웨이퍼(W)를 온도 조절하는 고정밀도 온조 장치(62 내지 64) 및 웨이퍼(W)를 고온으로 가열 처리하는 고온도 열처리 장치(65 내지 68)가 아래부터 차례로 9단으로 중첩되어 있다.
제4 처리 장치군(G4)에서는, 예를 들어 고정밀도 온조 장치(70), 레지스트 도포 처리 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 프리 베이킹 장치(71 내지 74) 및 현상 처리 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 포스트 베이킹 장치(75 내지 79)가 아래부터 차례로 10단으로 중첩되어 있다.
제5 처리 장치군(G5)에서는 웨이퍼(W)를 열처리하는 복수의 열처리 장치, 예를 들어 고정밀도 온조 장치(80 내지 83), 노광 후 현상 전의 웨이퍼(W)의 가열 처리를 행하는 복수의 포스트 익스포저 베이킹 장치(이하「PEB 장치」라 함)(84 내지 89)가 하부로부터 차례로 10단으로 중첩되어 있다.
도1에 도시한 바와 같이 제1 반송 장치(10)의 X 방향 정방향측에는 복수의 처리 장치가 배치되어 있고, 예를 들어 도3에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)를 소수화 처리하기 위한 점착(adhesion) 장치(90, 91), 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 처리 장치(92, 93)가 하부로부터 차례로 4단으로 중첩되어 있다. 도1에 도시한 바와 같이 제2 반송 장치(11)의 X 방향 정방향측에는 예를 들어 웨이퍼(W)의 에지부만을 선택적으로 노광하는 주변 노광 장치(94)가 배치되어 있다.
인터페이스부(4)에는, 예를 들어 도1에 도시한 바와 같이 X 방향을 향해 연장되는 반송로(100) 상을 이동하는 웨이퍼 반송체(101)와, 버퍼 카세트(102)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송체(101)는 상하 이동 가능하고 또한 θ 방향으로도 회전 가능하고, 인터페이스부(4)에 인접한 도시하지 않은 노광 장치와, 버퍼 카세트(102) 및 제5 처리 장치군(G5)에 대해 액세스하여 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
이 도포 현상 처리 시스템(1)에서는, 예를 들어 다음과 같은 포토리소그래피 공정의 웨이퍼 처리가 행해진다. 우선, 웨이퍼 반송체(7)에 의해 카세트 적재대(5) 상의 카세트(U)로부터 미처리 웨이퍼(W)가 1매씩 취출되어 제3 처리 장치군(G3)의 온조 장치(60)로 반송된다. 온조 장치(60)에 반송된 웨이퍼(W)는 소정 온도로 온도 조절되고, 그 후 제1 반송 장치(10)에 의해 하부 코팅 장치(23)에 반송되어 반사 방지막이 형성된다. 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는 제1 반송 장치(10)에 의해 가열 처리 장치(92), 고온도 열처리 장치(65), 고정밀도 온조 장치(70)에 순차 반송되어, 각 장치에서 소정의 처리가 실시된다. 그 후 웨이퍼(W)는 레지스트 도포 장치(20)에 반송되고, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된 후, 제1 반송 장치(10)에 의해 프리 베이킹 장치(71)에 반송되어 프리 베이킹 처리가 실시된다.
계속해서 웨이퍼(W)는 제2 반송 장치(11)에 의해 주변 노광 장치(94), 고정 밀도 온조 장치(83)에 순차 반송되어, 각 장치에 있어서 소정의 처리가 실시된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 인터페이스부(4)의 웨이퍼 반송체(101)에 의해 도시하지 않은 노광 장치에 반송되어 노광된다. 노광 처리가 종료된 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송체(101)에 의해 예를 들어 PEB 장치(84)에 반송되고, 포스트 익스포저 베이킹 처리가 실시된 후, 제2 반송 장치(11)에 의해 고정밀도 온조 장치(81)에 반송되어 온도 조절된다. 그 후, 현상 처리 장치(30)에 반송되어 웨이퍼(W) 상의 레지스트막이 현상된다. 그 후 웨이퍼(W)는 제2 반송 장치(11)에 의해 포스트 베이킹 장치(75)에 반송되어 포스트 베이킹이 실시된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 고정밀도 온조 장치(63)에 반송되어 온도 조절된다. 그리고 웨이퍼(W)는 제1 반송 장치(10)에 의해 트랜지션 장치(61)에 반송되고, 웨이퍼 반송체(7)에 의해 카세트(U)로 복귀되어 일련의 웨이퍼 처리가 종료된다.
다음에, 상술한 PEB 장치(84)의 구성에 대해 설명한다. PEB 장치(84)는 도4 및 도5에 도시한 바와 같이 하우징(120) 내에 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 가열부(121)와, 웨이퍼(W)를 냉각 처리하는 냉각부(122)를 구비하고 있다.
가열부(121)는 도4에 도시한 바와 같이 상측에 위치하고 상하 이동 가능한 덮개체(130)와, 하측에 위치하고 그 덮개체(130)와 일체가 되어 처리실(S)을 형성하는 열판 수용부(131)를 구비하고 있다.
덮개체(130)는 중심부를 향해 점점 높아지는 대략 원뿔 형상의 형태를 갖고, 정상부에는 배기부(130a)가 설치되어 있다. 처리실(S) 내의 분위기는 배기부(130a)로부터 균일하게 배기된다.
열판 수용부(131)의 중앙에는 웨이퍼(W)를 적재하여 가열하는 열처리판으로서의 열판(140)이 설치되어 있다. 열판(140)은 두께가 있는 대략 원반 형상을 갖고 있다.
열판(140)은 도6에 도시한 바와 같이 복수, 예를 들어 5개의 열판 영역(R1, R2, R3, R4, R5)으로 구획되어 있다. 열판(140)은 예를 들어 평면으로부터 보아 중심부에 위치하고 원형인 열판 영역(R1)과, 그 주위를 원호 형상으로 4등분한 열판 영역(R2 내지 R5)으로 구획되어 있다.
열판(140)의 각 열판 영역(R1 내지 R5)에는 급전에 의해 발열하는 히터(141)가 개별로 내장되어 각 열판 영역(R1 내지 R5)마다 가열할 수 있다. 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 히터(141)의 발열량은, 예를 들어 히터 제어 장치(142)에 의해 조 정되어 있다. 히터 제어 장치(142)는 각 히터(141)의 발열량을 조정하여 각 열판 영역(R1 내지 R5)을 소정의 온도로 제어할 수 있다. 히터 제어 장치(142)에 있어서의 온도 제어는, 예를 들어 후술하는 온도 제어 장치(190)의 제어부(191)에 의해 행해진다.
열판(140)의 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 이면측에는, 도7에 도시한 바와 같이 각 영역의 온도를 검출하는 검출부로서의 온도 센서(145)가 각각 설치되어 있다. 이 온도 센서(145)에 의해 웨이퍼(W)가 열판(140)에 적재되었을 때의 후술하는 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 강하량을 검출할 수 있다. 온도 센서(145)에 의한 온도 검출 결과는, 예를 들어 온도 제어 장치(190)의 제어부(191)에 출력할 수 있다.
도4에 도시한 바와 같이 열판(140)의 하방에는 웨이퍼(W)를 하방으로부터 지지하여 승강시키기 위한 제1 승강 핀(150)이 설치되어 있다. 제1 승강 핀(150)은 승강 구동 기구(151)에 의해 상하 이동할 수 있다. 열판(140)의 중앙부 부근에는 열판(140)을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(152)이 형성되어 있다. 제1 승강 핀(150)은 열판(140)의 하방으로부터 상승하여 관통 구멍(152)을 통과하고, 열판(140)의 상방으로 돌출하여 웨이퍼(W)를 지지할 수 있다.
열판 수용부(131)는 열판(140)을 수용하여 열판(140)의 외주부를 보유 지지하는 고리 형상의 보유 지지 부재(160)와, 그 보유 지지 부재(160)의 외주를 둘러싸는 대략 통 형상의 서포트 링(161)을 갖고 있다. 서포트 링(161)의 상면에는 처 리실(S) 내부를 향해 예를 들어 불활성 가스를 분출하는 취출구(161a)가 형성되어 있다. 이 취출구(161a)로부터 불활성 가스를 분출함으로써 처리실(S) 내부를 퍼지할 수 있다. 또한, 서포트 링(161)의 외측에는 열판 수용부(131)의 외주가 되는 원통 형상의 케이스(162)가 설치되어 있다.
가열부(121)에 인접하는 냉각부(122)에는 예를 들어 웨이퍼(W)를 적재하여 냉각하는 냉각판(170)이 설치되어 있다. 냉각판(170)은 예를 들어 도5에 도시한 바와 같이 대략 사각형의 평판 형상을 갖고, 가열부(121)측의 단부면이 원호 형상으로 만곡되어 있다. 도4에 도시한 바와 같이 냉각판(170)의 내부에는, 예를 들어 펠티에 소자 등의 냉각 부재(170a)가 내장되어 있고, 냉각판(170)을 소정의 설정 온도로 조정할 수 있다.
냉각판(170)은 가열부(121)측을 향해 연신하는 레일(171)에 설치되어 있다. 냉각판(170)은 구동부(172)에 의해 레일(171) 상을 이동하여 가열부(121)측의 열판(140)의 상방까지 이동할 수 있다.
냉각판(170)에는 예를 들어 도5에 도시한 바와 같이 X 방향에 따른 2개의 슬릿(173)이 형성되어 있다. 슬릿(173)은 냉각판(170)의 가열부(121)측의 단부면으로부터 냉각판(170)의 중앙부 부근까지 형성되어 있다. 이 슬릿(173)에 의해 가열부(121)측으로 이동한 냉각판(170)과 열판(140) 상으로 돌출된 제1 승강 핀(150)의 간섭이 방지된다. 도4에 도시한 바와 같이 냉각부(122) 내의 냉각판(170)의 하방에는 제2 승강 핀(174)이 설치되어 있다. 제2 승강 핀(174)은 승강 구동부(175)에 의해 승강할 수 있다. 제2 승강 핀(174)은 냉각판(170)의 하방으로부터 상승하여 슬릿(173)을 통과하고, 냉각판(170)의 상방으로 돌출되어 웨이퍼(W)를 지지할 수 있다.
도5에 도시한 바와 같이 냉각판(170)을 사이에 둔 하우징(120)의 양측면에는 웨이퍼(W)를 반입 및 반출하기 위한 반입출구(180)가 형성되어 있다.
이 PEB 장치(84)에서는, 우선 반입출구(180)로부터 웨이퍼(W)가 반입되어 냉각판(170) 상에 적재된다. 계속해서 냉각판(170)이 이동하여 웨이퍼(W)가 열판(140)의 상방으로 이동된다. 제1 승강 핀(150)에 의해, 웨이퍼(W)가 열판(140) 상에 적재되어 웨이퍼(W)가 가열된다. 그리고, 소정 시간 경과 후, 웨이퍼(W)가 다시 열판(140)으로부터 냉각판(170)으로 전달되어 냉각되고, 상기 냉각판(170)으로부터 반입출구(180)를 통해 PEB 장치(84)의 외부로 반출되어 일련의 열처리가 종료된다.
다음에, 상기 PEB 장치(84)의 열판(140)의 온도 제어를 행하는 온도 제어 장치(190)의 구성에 대해 설명한다. 본 실시 형태에 있어서 온도 제어 장치(190)는 예를 들어 도7에 도시하는 온도 센서(145)와 제어부(191)에 의해 구성되어 있다. 예를 들어, 제어부(191)는 예를 들어 CPU나 메모리 등을 구비한 범용 컴퓨터에 의해 구성되고, 열판(140)의 히터 제어 장치(142)에 접속되어 있다.
제어부(191)는 예를 들어 도8에 도시한 바와 같이 각종 프로그램을 실행하는 연산부(200)와, 예를 들어 온도 제어를 위한 각종 정보를 입력하는 입력부(201)와, 온도 제어를 위한 각종 정보를 저장하는 데이터 저장부(202)와, 온도 제어를 위한 각종 프로그램을 저장하는 프로그램 저장부(203)와, 열판(140)의 온도 제어의 설정 을 변경하기 위해 히터 제어 장치(142)와 통신하는 통신부(204) 등을 구비하고 있다.
예를 들어 데이터 저장부(202)에는, 도9에 도시한 바와 같은 예를 들어 웨이퍼(W)가 적재되었을 때의 열판(140)의 온도 강하량과 그 열판(140) 상에서 가열되었을 때의 웨이퍼(W)의 정상(定常) 온도와의 관계 Ⅰ이 기억되어 있다. 또한, 정상 온도라 함은, 도10에 도시한 바와 같이 열판(140) 상에 적재된 웨이퍼(W)의 온도가 열판(140)의 열에 의해 상승하여 안정된 안정 기간(H1)의 온도(Tf)이다.
도8에 도시하는 프로그램 저장부(203)에는 열판(140)에 웨이퍼(W)가 적재되었을 때의 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 강하량으로부터 그 가열시의 웨이퍼 면내의 정상 온도 분포를 추정하고, 그 웨이퍼 면내의 정상 온도 분포로부터 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 설정 온도의 보정치를 산출하는 프로그램(P1)이 저장되어 있다.
또한, 프로그램 저장부(203)에는, 예를 들어 산출된 설정 온도의 보정치를 기초로 하여 히터 제어 장치(142)의 기존의 설정 온도를 변경하는 프로그램(P2)이 저장되어 있다. 또, 제어부(191)의 기능을 실현하기 위한 각종 프로그램은 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 의해 제어부(191)에 설치된 것이라도 좋다.
여기서, 상술한 프로그램(P1)에 대해 상세하게 설명한다.
웨이퍼(W)가 열판(140) 표면에 적재되었을 때에는, 도11에 도시한 바와 같이 저온의 웨이퍼(W)에 일시적으로 열판(140)의 열을 빼앗겨 열판(140)의 온도가 강하한다. 웨이퍼(W)와 열판(140)과의 거리가 가까울수록 많은 열을 빼앗기므로, 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 강하량(ΔT1 내지 ΔT5)을 검출함으로써, 각 열판 영역(R1 내지 R5)과 웨이퍼(W)와의 거리, 즉 웨이퍼(W)의 휨 상태를 검출할 수 있다. 예를 들어 웨이퍼(W)의 중심부에 대응하는 열판 영역(R1)의 온도 강하량(ΔT1)이 크고, 웨이퍼(W)의 외주부에 대응하는 열판 영역(R2 내지 R5)의 온도 강하량(ΔT2 내지 ΔT5)이 작은 경우, 도12a에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)의 중심부가 외주부측에 비해 열판(140)에 가까우므로, 웨이퍼(W)의 휨 형상이 아래로 볼록하게 만곡된 오목형으로 되어 있다. 한편, 열판 영역(R1)의 온도 강하량(ΔT1)이 작고, 열판 영역(R2 내지 R5)의 온도 강하량(ΔT2 내지 ΔT5)이 큰 경우, 도12b에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)의 중심부가 외주부측에 비해 열판(140)으로부터 멀기 때문에, 웨이퍼(W)의 휨 형상이 위로 볼록하게 만곡된 볼록형으로 되어 있다.
프로그램(P1)은 웨이퍼(W)의 휨 상태를 나타내는 열판 면내의 온도 강하량(ΔT1 내지 ΔT5)으로부터 관계 Ⅰ을 이용하여 열판(140) 상의 각 웨이퍼 영역(W1 내지 W5)의 정상 온도(웨이퍼 면내의 정상 온도 분포)를 추정할 수 있다. 각 웨이퍼 영역(W1 내지 W5)은 웨이퍼(W)가 열판(140)에 적재되었을 때에 각 열판 영역(R1 내지 R5)에 각각 대응하는 영역이다.
관계 Ⅰ은, 도13에 도시한 바와 같이 열판(140)의 온도 강하량과 웨이퍼(W)의 휨량[웨이퍼(W)와 열판(140)과의 거리]과의 관계 Ia와, 웨이퍼(W)의 휨량과 웨 이퍼(W)의 정상 온도와의 관계 Ib로부터 구할 수 있다. 관계 Ia, Ib는 미리 행해진 실험 등에 의해 구할 수 있다.
프로그램(P1)은 관계 Ⅰ을 이용하여 추정된 각 웨이퍼 영역(W1 내지 W5)의 정상 온도로부터, 예를 들어 그것들의 정상 온도의 변동이 없어지도록 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 설정 온도의 보정치를 산출할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 열판(140)의 온도 강하량과 웨이퍼(W)의 정상 온도의 관계 Ⅰ을 역함수화함으로써, 도14에 도시한 바와 같은 열판(140)의 온도 강하량과 설정 온도의 보정치와의 관계 Ⅱ를 구할 수 있고, 이 관계 Ⅱ를 이용하여 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 설정 온도의 보정치를 산출할 수 있다.
다음에, 이상과 같이 구성된 온도 제어 장치(190)를 이용한 PEB 장치(84)에 있어서의 열판(140)의 온도 제어 프로세스에 대해 설명한다. 도15는 이러한 온도 제어 프로세스를 나타내는 흐름도이다.
우선, 예를 들어 도포 현상 처리 시스템(1)에 있어서 노광 처리가 종료된 웨이퍼(W)가 PEB 장치(84)에 반입되어 열판(140)에 적재되었을 때에, 온도 센서(145)에 의해 열판(140)의 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 강하량(ΔT1 내지 ΔT5)이 검출된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 휨 상태가 검출된다(도15의 공정 Q1).
각 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 강하량(ΔT1 내지 ΔT5)의 데이터는 제어부(191)에 출력된다. 제어부(191)에서는, 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 강하 량(ΔT1 내지 ΔT5)으로부터 관계 Ⅰ을 이용하여 각 웨이퍼 영역(W1 내지 W5)의 정상 온도(Tf1 내지 Tf5)가 추정된다(도15의 공정 Q2). 다음에 제어부(191)에서는, 그 웨이퍼 면내의 정상 온도 분포와 열판 면내의 온도 강하량으로부터, 예를 들어 관계 Ⅱ를 이용하여 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 설정 온도(Ts)의 보정치(ΔTs1 내지 ΔTs5)가 산출된다(도15의 공정 Q3). 이 보정치(ΔTs1 내지 ΔTs5)는 정상 온도(Tf1 내지 Tf5)의 변동이 없어지도록 산출된다.
그 후, 각 보정치(ΔTs1 내지 ΔTs5)의 정보가 통신부(204)로부터 히터 제어 장치(142)로 출력되고, 히터 제어 장치(142)에 의해 열판(140)의 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 설정 온도(Ts)의 보정치(ΔTs1 내지 ΔTs5)가 변경되어, 각 열판 영역(R1 내지 R5)에 새로운 설정 온도(Ts)가 설정된다(도15의 공정 Q4). 이에 의해, 예를 들어 도16에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)의 휨에 의해 웨이퍼(W)와 열판(140)과의 거리가 멀어지는 영역(R)의 설정 온도(Ts)가 가까워지는 영역(R)의 설정 온도(Ts)보다도 높아진다. 예를 들어 웨이퍼(W)의 휨이 오목형인 경우에는, 열판 영역(R2 내지 R5)의 설정 온도(Ts)가 열판 영역(R1)보다도 높아지고, 웨이퍼(W)의 휨이 볼록형인 경우에는, 열판 영역(R1)의 설정 온도(Ts)가 열판 영역(R2 내지 R5)보다도 높아진다.
이 새로운 온도 설정은, PEB 장치(84)에 있어서 웨이퍼(W)가 열판(140)에 적재된 직후이며 웨이퍼(W)가 정상 온도가 되기 전에 행해지고, 웨이퍼(W)는 변경 후의 새로운 온도 설정에 의해 열처리된다.
이상의 실시 형태에 따르면, 웨이퍼(W)가 적재된 열판(140)의 각 영역(R1 내지 R5)의 온도 강하량(ΔT1 내지 ΔT5)에 의해 웨이퍼(W)의 휨 상태를 검출할 수 있으므로, 전용의 휨 측정 장치를 이용할 필요가 없어 그만큼 비용을 저감시킬 수 있다. 또한, 도포 현상 처리 시스템(1)의 장치 탑재 공간이 휨 측정 장치가 없는 만큼 넓어지므로, 그곳에 다른 처리 장치를 탑재하여, 예를 들어 웨이퍼 처리의 처리량을 향상시킬 수 있다. 또한, 실제로 열판(140)에 적재되었 때의 웨이퍼(W)의 휨을 검출할 수 있으므로, 별도 휨 측정 장치를 이용한 경우에 비해 휨이 정확하게 검출되고, 그 휨에 따른 설정 온도의 보정치(ΔTs)도 정확하게 산출된다. 이 결과, 열판(140)의 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 제어가 적절하게 행해진다. 그리고, 가열 처리시의 웨이퍼 면내에서 정상 온도(Tf)가 일정해지므로, 선 폭에 영향을 미치는 웨이퍼 면내의 축적 열량이 균일화되어, 웨이퍼 면내의 처리 상태, 예를 들어 선 폭의 균일성이 향상된다.
또한, 본 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)가 열판(140)에 적재된 직후에, 설정 온도의 보정치(ΔTs)를 산출하여 새로운 설정 온도로 설정하고 그 웨이퍼(W)의 열처리를 행하였으므로, 각 웨이퍼 고유의 휨 상태에 대응한 온도 제어를 행하여 각 웨이퍼(W)를 열처리할 수 있다. 따라서, 웨이퍼 면내의 선 폭의 균일성을 더욱 향 상시킬 수 있다.
이상의 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)가 열판(140)에 적재되었을 때의 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 강하량(ΔT1 내지 ΔT5)을 기초로 하여 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 설정 온도(Ts)를 제어하고 있었지만, 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 강하량(ΔT1 내지 ΔT5)을 기초로 하여 웨이퍼(W)의 과도(過渡) 온도를 제어해도 좋다. 도10에 도시한 바와 같이 과도 온도(Ti)는 저온의 웨이퍼(W)가 열판(140)에 적재된 후 정상 온도(Tf)로 안정될 때까지의 온도 변동 기간(H2)의 온도이다.
이러한 경우, 예를 들어 웨이퍼(W)가 열판(140)에 적재되었을 때의 열판(140)의 온도 강하량과 웨이퍼(W)의 과도 온도(Ti)와의 관계 Ⅲ를 구해 둔다. 이 관계 Ⅲ는, 예를 들어 열판(140)의 온도 강하량과 웨이퍼(W)의 휨량과의 관계와, 웨이퍼(W)의 휨량과 웨이퍼(W)의 과도 온도(Ti)와의 관계로부터 구할 수 있다.
도17은 이러한 경우의 온도 제어 프로세스를 나타내는 흐름도이다. 웨이퍼(W)가 PEB 장치(84)에 반입되어 열판(140) 상에 적재되었을 때에, 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 강하량(ΔT1 내지 ΔT5)이 검출되어 웨이퍼(W)의 휨 상태가 검출되는(도17의 공정 P1) 그 온도 강하량(ΔT1 내지 ΔT5)으로부터, 관계 Ⅲ를 이용하여 각 웨이퍼 영역(W1 내지 W5)의 과도 온도(Ti1 내지 Ti5)(웨이퍼 면내의 과도 온도)가 추정된다(도17의 공정 P2). 그리고, 도18에 도시하는 바와 같이 그 추정된 각 웨이퍼 영역(W1 내지 W5)의 과도 온도(Ti1 내지 Ti5)의 어긋남이 없어지는 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 히터(141)의 출력 제어의 보정치가 산출된다(도17의 공정 P3). 구체적으로는, 예를 들어 열판(140)의 온도 강하량과 웨이퍼(W)의 과도 온도(Ti)와의 관계 Ⅲ의 역함수를 구하고, 그 역함수에 의해 온도 강하량(ΔT1 내지 ΔT5)으로부터 각 영역(R1 내지 R5)의 히터 출력 제어의 보정치를 구할 수 있다. 이 온도 강하량(ΔT1 내지 ΔT5)으로부터 히터 출력 제어의 보정치의 산출은, 예를 들어 제어부(191)의 프로그램 저장부(203)에 저장된 프로그램에 의해 행해진다.
산출된 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 히터 출력 제어의 보정치의 정보는 히터 제어 장치(142)에 출력되고, 히터(141)의 출력 제어의 설정이 변경되어 새로운 출력 제어로 설정된다(도17의 공정 P4). 이렇게 하여, 열판(140) 상에서 가열되는 웨이퍼(W)의 각 영역(W1 내지 W5)의 과도 온도(Ti)가 일정해진다.
이러한 경우, 웨이퍼 면내에서 과도 온도(Ti)를 일정하게 함으로써, 선 폭에 영향을 미치는 웨이퍼 면내의 축적 열량이 균일화되므로, 웨이퍼 면내의 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한, 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 강하량(ΔT1 내지 ΔT5)을 기초로 하여 웨이퍼(W)의 설정 온도(Ts), 또는 과도 온도(Ti) 중 어느 하나를 제어해도 좋고, 양쪽을 제어해도 좋다. 양쪽을 제어함으로써, 열처리시의 웨이퍼 면내의 축적 열량이 더욱 균일화되어 웨이퍼 면내의 선 폭의 균일성이 향상된다.
또한, 이상의 실시 형태에서는, PEB 장치(84)에 있어서 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 강하량을 검출하고, 그 후 바로 새로운 설정 온도를 설정하여 웨이퍼(W)를 열처리하고 있었지만, 그 열처리보다 전의 열처리를 행하는 다른 열처리 장치의 열처리판에 있어서 온도 강하량을 검출하여 웨이퍼(W)의 휨을 검출하고, PEB 장치(84)의 열판(140)의 온도 제어를 행해도 좋다.
예를 들어, 하부 코팅 후의 열처리를 행하는 열처리 장치나, 레지스트 도포 후의 열처리를 행하는 프리 베이킹 장치에 있어서 행해도 좋다. 이 경우의 열처리 장치나 프리 베이킹 장치는 PEB 장치(84)와 같은 구성을 갖고, 각 장치의 열판의 각 열판 영역에는 온도 센서가 설치된다. 그리고, 일련의 포토리소그래피 공정에 있어서, 웨이퍼(W)가 예를 들어 프리 베이킹 장치에 반송되어 열판 상에 적재되었을 때에 각 열판 영역의 온도 강하량이 검출된다. 이 데이터가 제어부(191)에 출력되어, 예를 들어 상기 실시 형태와 마찬가지로 관계 Ⅰ 등을 이용하여 PEB 장치(84)의 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 보정치가 산출된다. 그리고, PEB 장치(84)의 열판(140)의 온도 설정이 변경되고, 그 온도 설정으로 웨이퍼(W)가 열처리된다.
이러한 경우도 휨 측정 장치를 이용할 필요가 없어 장치 비용을 저감시킬 수 있다. 또한, 실제의 열판에 적재되었을 때의 온도 강하량으로부터 웨이퍼(W)의 휨이 검출되고, 그 휨에 따른 온도 제어가 행해지므로, 웨이퍼 면내의 선 폭의 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한, 일련의 포토리소그래피 공정에 있어서, 레지스트막이 형성된 후에, 레지스트막의 상부에 반사 방지막 등의 막을 형성하는 상부 코팅 을 행하고, 그 후에 가열 처리를 행하는 경우에는, 그 가열 처리에 있어서 열판의 각 영역의 온도 강하량을 검출해도 좋다. 또한, 온도 강하량의 검출은 도포 현상 처리 시스템(1)에 탑재된 온도 강하량을 검출하는 전용의 열처리 장치의 열판을 이용하여 행해도 좋다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시 형태에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허청구범위에 기재된 사상의 범위 내에 있어서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명백하며, 그것들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다.
예를 들어, 이상의 실시 형태에서는, 1매의 웨이퍼(W)마다 휨을 검출하여 열판(140)의 온도 제어를 행하고 있었지만, 복수매의 웨이퍼로 이루어지는 로트마다 열판(140)의 온도 제어를 행해도 좋다.
예를 들어 상기 실시 형태에 있어서, 온도 제어되는 열판(140)은 5개의 영역으로 분할되어 있었지만, 그 수는 임의로 선택할 수 있다. 또한, 열판(140)의 분할 영역의 형상도 임의로 선택할 수 있다.
상기 실시 형태에서는, PEB 장치(84)의 열판(140)의 온도 제어를 행하는 예였지만, 프리 베이킹 장치나 포스트 베이킹 장치 등에 있는 다른 열처리를 행하는 열판의 온도 제어나, 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 처리 장치의 냉각판의 온도 제어를 행하는 경우에도 본 발명은 적용할 수 있다. 또한, 이상의 실시 형태에서는, 최종적으로 웨이퍼 면내의 선 폭이 균일해지도록 열판의 온도 제어를 행하고 있었 지만, 웨이퍼 면내의 선 폭 이외의 다른 처리 상태, 예를 들어 레지스트 패턴의 홈의 측벽의 각도(사이드 월 앵글)나 레지스트 패턴의 막 두께가 웨이퍼 면내에서 균일해지도록 PEB 장치, 프리 베이킹 장치, 포스트 베이킹 장치 등의 열처리판의 온도 제어를 행하도록 해도 좋다. 또한, 이상의 실시 형태에서는, 포토리소그래피 공정 후이며, 에칭 공정 전의 패턴의 선 폭이 균일해지도록 열판의 온도 제어를 행하고 있었지만, 에칭 공정 후의 패턴의 선 폭이나 사이드 월 앵글이 균일해지도록 각 열처리판의 온도 제어를 행해도 좋다. 또한, 본 발명은 웨이퍼 이외의 예를 들어 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용 마스크 레티클 등의 다른 기판을 열처리하는 열처리판의 온도 제어에도 적용할 수 있다.
본 발명에 따르면, 전용의 휨 측정 장치를 이용할 필요가 없으므로 비용의 저감이 도모된다. 또한, 실제로 열처리판 상에 기판이 적재되었을 때의 기판의 휨 상태를 기초로 하여 열처리판 면내의 온도를 엄격하게 제어할 수 있으므로, 기판 면내의 열처리를 보다 균일하게 행할 수 있고, 이에 의해 기판의 최종적인 처리 결과의 면내 균일성을 향상시킬 수 있고, 전용의 휨 측정 장치를 이용하는 필요가 없으므로 비용을 저감시킬 수 있으며, 열처리판 면내의 온도 제어를 적정하게 행할 수 있으므로, 기판 처리의 면내 균일성을 향상시킬 수 있어 수율을 향상시킬 수 있다.

Claims (17)

  1. 기판을 적재하여 열처리하는 열처리판의 온도 제어 방법이며,
    열처리판은 복수의 영역으로 구획되고, 또한 상기 영역마다 온도 제어 가능하고, 기판을 열처리판에 적재하였을 때의 열처리판 면내의 온도 강하량을 검출하여 기판의 휨 상태를 검출하는 공정과,
    상기 기판의 휨 상태를 기초로 하여 열처리판의 각 영역의 온도를 제어하는 공정을 갖는 열처리판의 온도 제어 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 열처리판 면내의 온도 강하량으로부터 상기 열처리판의 각 영역의 설정 온도의 보정치를 산출하고, 그 보정치에 의해 각 영역의 설정 온도를 보정하는 열처리판의 온도 제어 방법.
  3. 제2항에 있어서, 기판을 적재하였을 때의 열처리판의 온도 강하량과 상기 열처리판 상에서 열처리되었을 때의 기판의 정상 온도와의 관계를 미리 구해 두고,
    상기 검출된 열처리판 면내의 온도 강하량으로부터 상기 관계를 이용하여 기판 면내의 정상 온도를 추정하고, 그 추정한 기판 면내의 정상 온도로부터 상기 각 영역의 설정 온도의 보정치를 산출하는 열처리판의 온도 제어 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 열처리판의 온도 강하량과 상기 열처리판 상의 기판의 정상 온도와의 관계는, 열처리판의 온도 강하량과 기판의 휨량과의 관계와, 기판의 휨량과 열처리판 상의 기판의 정상 온도와의 관계로부터 구하는 열처리판의 온도 제어 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 열처리판의 각 영역의 온도를 제어하는 데 있어서는, 상기 검출된 열처리판 면내의 온도 강하량을 기초로 하여 기판이 열처리판에 적재된 후 기판이 정상 온도가 될 때까지의 기판 면내의 과도 온도를 제어하는 열처리판의 온도 제어 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 열처리판의 각 영역의 온도를 제어하는 데 있어서는, 상기 열처리판에 적재된 기판의 축적 열량이 기판 면내에서 균일해지도록 상기 각 영역의 온도를 제어하는 열처리판의 온도 제어 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 열처리판에서 행해지는 열처리에 있어서는,
    하나의 기판이 열처리판에 적재된 직후에 상기 열처리판 면내의 온도 강하량을 검출하여 상기 하나의 기판의 휨 상태를 검출하고, 상기 하나의 기판의 휨 상태를 기초로 하여 상기 열처리판의 각 영역의 온도를 제어하고, 그 후 상기 열처리판 상에서 상기 하나의 기판이 열처리되는 열처리판의 온도 제어 방법.
  8. 제1항에 있어서, 열처리판의 온도 제어가 행해지는 하나의 열처리 전에 다른 열처리를 갖는 일련의 기판 처리에 있어서는,
    기판이 상기 다른 열처리의 열처리판에 적재되었을 때에, 상기 열처리판의 온도 강하량을 검출하여 상기 기판의 휨 상태를 검출하고, 그 기판의 휨 상태를 기초로 하여 상기 하나의 열처리의 열처리판의 각 영역의 온도가 제어되는 열처리판의 온도 제어 방법.
  9. 복수의 영역으로 구획되고, 또한 상기 영역마다 온도 제어 가능한 열처리판을 제어하기 위한 컴퓨터 프로그램을 저장한 컴퓨터 기억 매체이며,
    상기 열처리판의 제어는,
    기판을 열처리판에 적재하였을 때의 열처리판 면내의 온도 강하량을 검출하여 기판의 휨 상태를 검출하는 공정과,
    상기 기판의 휨 상태를 기초로 하여 열처리판의 각 영역의 온도를 제어하는 공정을 갖는 컴퓨터 기억 매체.
  10. 기판을 적재하여 열처리하는 열처리판의 온도 제어 장치이며,
    상기 열처리판은 복수의 영역으로 구획되고, 또한 상기 영역마다 온도 제어 가능하며, 기판을 열처리판에 적재하였을 때의 열처리판 면내의 온도 강하량을 검출하여 기판의 휨 상태를 검출하는 검출부와,
    상기 기판의 휨 상태를 기초로 하여 열처리판의 각 영역의 온도를 제어하는 제어부를 갖는 열처리판의 온도 제어 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제어부는 상기 열처리판 면내의 온도 강하량으로부터 상기 열처리판의 각 영역의 설정 온도의 보정치를 산출하고, 그 보정치에 의해 각 영역의 설정 온도를 보정하는 열처리판의 온도 제어 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제어부는 기판을 적재하였을 때의 열처리판의 온도 강하량과 상기 열처리판 상에서 열처리되었을 때의 기판의 정상 온도와의 관계를 이용하여, 상기 열처리판 면내의 온도 강하량으로부터 상기 관계를 이용하여 기판 면내의 정상 온도를 추정하고, 그 추정한 기판 면내의 정상 온도로부터 상기 각 영역의 설정 온도의 보정치를 산출하는 열처리판의 온도 제어 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 열처리판의 온도 강하량과 상기 열처리판 상의 기판의 정상 온도와의 관계는, 열처리판의 온도 강하량과 기판의 휨량과의 관계와, 기판의 휨량과 열처리판 상의 기판의 정상 온도와의 관계로부터 구하는 열처리판의 온도 제어 장치.
  14. 제10항에 있어서, 상기 제어부는 상기 열처리판의 각 영역의 온도를 제어하는 데 있어서, 상기 검출된 열처리판 면내의 온도 강하량을 기초로 하여 기판이 열처리판에 적재된 후 기판이 정상 온도가 될 때까지의 기판 면내의 과도 온도를 제어하는 열처리판의 온도 제어 장치.
  15. 제10항에 있어서, 상기 제어부는 상기 열처리판에 적재된 기판의 축적 열량이 기판 면내에서 균일화되도록 상기 각 영역의 온도 제어를 행하는 열처리판의 온도 제어 장치.
  16. 제10항에 있어서, 상기 열처리판에서 행해지는 열처리에 있어서는,
    하나의 기판이 열처리판에 적재된 직후에 상기 열처리판 면내의 온도 강하량을 검출하여 상기 하나의 기판의 휨 상태를 검출하고, 상기 하나의 기판의 휨 상태를 기초로 하여 상기 열처리판의 각 영역의 온도를 제어하고, 그 후 상기 열처리판 상에서 상기 하나의 기판을 열처리하는 열처리판의 온도 제어 장치.
  17. 제10항에 있어서, 열처리판의 온도 제어가 행해지는 하나의 열처리 전에 다른 열처리를 갖는 일련의 기판 처리에 있어서는,
    기판이 상기 다른 열처리의 열처리판에 적재되었을 때에, 상기 열처리판의 온도 강하량을 검출하여 상기 기판의 휨 상태를 검출하고, 그 기판의 휨 상태를 기초로 하여 상기 하나의 열처리의 열처리판의 각 영역의 온도를 제어하는 열처리판의 온도 제어 장치.
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