KR20070108701A - 저 열저항 파워 모듈 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판에 가해지는 스트레스를 버퍼링하여 기판의 불량을 방지한 저 열저항 파워 모듈 및 그 파워 모듈의 제조방법을 제공한다. 그 저 열저항 파워 모듈은 기판; 기판 상에 형성된 도전성 접착층; 접착층 상에 형성된 지지 탭(support tab), 파워 소자 및 RLC 소자를 구비하는 소자부층; 및 소자부층을 밀봉하는 밀봉재;를 포함한다. 본 발명에 따른 저 열저항 파워 모듈은 지지 탭을 형성하여 지지 핀을 통해 기판으로 가해지는 스트레스를 버퍼링함으로써, 기판 내의 세라믹층의 깨어짐을 방지하고, 그에 따라 절연파괴(Isolation Breakdown) 전압의 에러 방지 및 전체 파워 모듈의 불량을 방지할 수 있다.

Description

저 열저항 파워 모듈 및 그 제조방법{Power module for low thermal resistance and method of fabricating of the same power module}
도 1a은 종래 저 열저항 파워 모듈에 대한 단면도이다.
도 1b는 도 1의 A부분을 확대하여 보여주는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 저 열저항 파워 모듈을 보여주는 단면도이다.
도 3a ~ 3c는 도 2의 저 열저항 파워 모듈에 적용될 수 있는 지지 탭의 수평 단면을 보여주는 평면도들이다.
도 4a ~ 4d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 저 열저항 파워 모듈의 제조방법을 보여주는 단면도들이다.
<도면에 주요부분에 대한 설명>
100:기판 120:하부 구리층
140:세라믹층 160:상부 구리층
200:접착층 300:소자부층
320:파워 소자 340:RLC 소자
360:지지 탭 400:밀봉재
450:지지 핀 홀 500:리드선
본 발명은 파워 모듈에 관한 것으로, 특히 기판의 특성 및 저 열저항 특성을 개선한 파워 모듈에 관한 것이다.
일반적으로 절연형 파워 모듈은 하나 혹은 두 개의 반도체 칩이 리드 프레임 다이 패드 위에 실장되어 에폭시 몰딩 화합물 등의 몰딩 수지로 형성되어 패키지화된다. 이러한 에폭시 몰딩 화합물은 절연성을 제공하는 절연 재료로 사용되는 동시에 열전달 경로로 이용된다.
최근 전자 기기의 고속도화, 대용량화, 고집적도화에 따라 자동차, 산업기기, 가전 제품 등에 적용되는 제어용 전력 변환 시스템의 저비용 및 소형 경량화를 이루고 저소음, 고신뢰성의 특성을 얻기 위해서는 반도체 칩에서 발생되는 열을 보다 효과적으로 방출해야 한다는 요구가 증가되고 있다.
이러한 요구에 대응하여 파워 모듈용 기판으로 DBC(direct bonding copper)기판 또는 IMS(insulated metal substrate) 기판이 많이 이용되고 있다. DBC 기판은 세라믹 절연 판의 저면과 상면에 압착시킨 구리층으로 형성되며, 이때 상면의 경우에는 설계된 패턴에 따라 부분적으로 형성되기도 한다. 또한, IMS 기판은 알루미늄 기판의 상면에 폴리머 절연층을 형성한 후, 폴리머 절연층 위에 설계된 패턴 모양에 따라 구리층을 형성하여 이루어진다.
도 1a은 종래의 DBC 기판을 사용하는 저 열저항 파워 모듈에 대한 단면도이 다.
도 1a을 참조하면, 파워 모듈은 DBC 기판(10) 상에 형성된 도전층 접착제(20), 도전층 접착제(20)에 의해 고정된 소자부층(30) 및 소자부층(30)의 각 소자들을 밀봉하는 밀봉재(40)를 포함한다.
DBC 기판(10)은 전술한 대로 세라믹층(14)을 중심으로 상하부로 상부 구리층(16) 및 하부 구리층(12)이 접착되어 형성된다. 한편, 소자부층(30)은 RLC 회로 소자(34) 및 반도체를 이용한 파워 소자(20)를 포함한다. 한편, 소자부층(30)은 리드선(50)과의 연결을 위한 패드를 포함할 수 있다.
밀봉재(40)는 일반적으로 몰딩 수지 예컨대, 에폭시(epoxy)를 이용하여 이송 성형(transfer mold) 방법으로 형성될 수 있다. 밀봉재(40)에는 지지 핀 홀(45)이 형성되는데, 지지 핀 홀(45)은 지지대의 지지 핀이 DCB 기판(10)을 누르고 있는 상태에서 에폭시 수지에 의한 이송 성형이 수행된 후, 지지 핀이 제거됨으로써 형성된다. 성형 공정 중에 DCB 기판(10)을 누르는 지지 핀에 의해 기판의 편평도를 유지되고 몰드의 찌꺼기, 즉 몰드 플래시(flash)가 발생되는 것을 방지한다.
그러나 이러한 지지 핀이 기판을 누름으로써 기판에 스트레스를 가하게 되고, DBC 기판(10)의 세라믹층(14)의 깨어짐과 같은 불량을 야기한다.
도 1b는 도 1의 A부분을 확대하여 보여주는 사시도로서, 지지 핀(60)이 기판(10)을 누르고 있는 상태를 보여준다. 도 1b에서 도시된 바와 같이 지지 핀(60)이 기판을 누르게 되면, DCB 기판(10)이 압축력에 의한 스트레스를 받게 되고 그에 따라, 연성이 거의 없는 세라믹층(14)에 금이 가거나 깨어지는 부분(B)이 발생하여 절연파괴(isolation breakdown) 전압의 에러 등을 초래하여 결국 전체 파워 모듈의 불량을 야기한다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 지지 핀에 의한 기판의 불량을 최소화하고 경제적인 DBC 기판을 사용할 수 있는 저 열저항 파워 모듈 및 그 제조방법을 제공하는 데에 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 형성된 도전성 접착층; 상기 접착층 상에 형성된 지지 탭(support tab), 파워 소자 및 RLC 소자를 구비하는 소자부층; 및 상기 소자부층을 밀봉하는 밀봉재;를 포함하는 저 열저항 파워 모듈을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 기판은 DBC(directed bonded copper), 세라믹 또는 IMS(insulated metal substrate)로 형성된 저 열저항용 기판이고, 바람직하게는 상기 기판은 하부 구리층, 세라믹층 및 상부 구리층으로 형성된 DBC 기판이고, 상기 세라믹층은 알루미늄옥사이드(Al2O3), 알루미늄나이트라이드(AlN), 베릴륨옥사이드(BeO) 및 실리콘나이트라이드(SiN) 중 적어도 하나의 물질을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 세라믹층의 두께는 0.1 ~ 1 mm 정도, 또는 바람직하게는 0.1 ~ 0.4 mm 정도로 형성될 수 있고, 상하부 구리층의 두께는 50 ~ 400 ㎛ 정도로 형성될 수 있다.
상기 지지 탭은 수평 단면이 다각형, 원형 또는 타원형의 다양한 형태로 형성될 수 있고, 두께는 0.1 ~ 5mm 정도이고, 넓이는 0.1 mm2 ~ 1 cm2 정도로 형성될 수 있다. 이러한 상기 지지 탭은 상기 기판의 기계적 스트레스(mechanical stress)에 버퍼 역할을 할 수 있는 재질로 형성될 수 있는데, 예컨대 구리, 알루미늄 또는 철(iron) 등과 같은 금속으로 형성되는 것이 바람직하다.
한편, 상기 밀봉재 형성 공정 중에 상기 기판의 편평도 유지 및 밀봉재 플래쉬 제거를 위해 지지 핀이 상기 기판을 누르게 되는데, 상기 지지 탭은 상기 지지 핀에 대응되는 부분에 형성되어 상기 지지 핀에 의해 기판에 가해지는 스트레스를 버퍼링하여 상기 기판의 깨어짐을 방지할 수 있다.
본 발명은 또한 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 기판에 도전성 접착물질로 접착층을 형성하는 단계; 상기 접착층에 파워 소자, RLC 소자 및 지지 탭(support tab)을 포함한 소자부층을 형성하는 단계; 상기 소자부층의 각 소자에 전기 배선을 형성하는 단계; 및 상기 소자부층을 밀봉하는 밀봉재를 형성하는 단계;를 포함하는 저 열저항 파워 모듈 제조방법을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 소자부층은 자동 마운팅 설비인 픽앤플레이스(pick and place) 머신을 이용하여 형성하고, 상기 밀봉재는 이송 성형(transfer mold) 방법으로 형성할 수 있다. 상기 접착층은 땜납(solder)으로 형성하되, 스크린 프린트(screen print) 방법으로 형성할 수 있다.
상기 기판 및 지지 탭 등은 앞서 언급한 재질 및 사이즈로 형성될 수 있으 며, 상기 밀봉재 형성 단계에서 상기 기판의 편평도 유지 및 밀봉재 플래쉬 제거를 위해 지지 핀이 기판을 누르게 되고 상기 지지 탭은 상기 지지 핀 홀에 대응되는 부분에 형성되며, 상기 지지 핀에 의한 스트레스를 버퍼링하고 상기 기판의 깨어짐을 방지함은 전술한 바와 같다.
본 발명에 따라 제작된 저 열저항 파워 모듈은 SPM(smart power module), PDP(plasma display panel) 모듈 또는 IGBT(insulated gate bipolar transistor) 모듈 등 여러 파워 모듈에 유용하게 이용될 수 있다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 이하의 설명에서 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 상부에 존재한다고 기술될 때, 이는 다른 구성 요소의 바로 위에 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 구성 요소가 개재될 수도 있다. 또한, 도면에서 각 구성 요소의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되었고, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 한편, 사용되는 용어들은 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 저 열저항 파워 모듈을 보여주는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 저 열저항 파워 모듈은 기판(100), 기판(100) 상에 형성된 접착층(200), 접착층(200)에 고정된 소자부층(300) 및 소자부층(300)을 밀봉하는 밀봉재(400)를 포함한다.
기판(100)은 DBC 기판이며, 세라믹층(140)을 중심으로 상하부로 상부 구리층(160) 및 하부 구리층(120)이 접착되어 형성된다. 본 실시예에서는 DBC 기판을 사용하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 세라믹 또는 IMS(insulated metal substrate)이 사용될 수 있음은 물론이다.
세라믹층(140)은 알루미늄옥사이드(Al2O3), 알루미늄나이트라이드(AlN), 베릴륨옥사이드(BeO) 및 실리콘나이트라이드(SiN) 중 적어도 하나의 물질을 포함하여 형성될 수 있고, 두께 0.1 ~ 1 mm 또는 바람직하게 0.1 ~ 0.4 mm 정도로 형성될 수 있다. 한편, 상부 및 하부 구리층(160,120)은 50 ~ 400 ㎛ 정도의 두께로 형성될 수 있다.
일반적으로 DBC 기판의 세라믹층(140)으로 고가의 AlN이 주로 사용되었으나, 본 실시예에서는 저가의 Al2O3 재질의 세라믹층(140)의 사용이 가능하며, 또한 두께에 있어서도 종래 0.63 mm 이상이 요구되었으나. 그 이하의 두께로 형성될 수 있으며, 그에 따라 파워 모듈의 전체 두께를 줄일 수 있는 장점을 가진다. 이와 같은 본 실시예의 특징은 차후에 설명되는 지지 탭의 존재에 기인한다.
접착층(200)은 일반적으로 도전성 접착제, 예컨대 땜납(solder)을 기판(100) 상부에 스크린 프린트(screen print)하여 형성된다. 이러한 접착층(200)은 스크린 프린트에 의해 소자들이 접착될 부분에만 형성된 패터닝된 접착층이다.
소자부층(300)은 파워 소자(320), RLC 소자(340) 및 지지 탭(360, support tab)을 포함한다. 여기서 RLC 소자(340)는 저항, 커패시터, 또는 인덕터 등을 통합 하여 지칭한다. 따라서, 도면 상의 RLC 소자(340)는 저항, 커패시터, 또는 인덕터 중의 어느 한 소자가 될 수 있다. 파워 소자(320)는 일반적으로 반도체를 이용하여 형성될 수 있는데, 파워 트랜지스터 등이 이에 해당될 수 있다. 한편, 소자부층(300)으로는 리드선(500)과의 연결을 위해 패드가 형성될 수 있다.
지지 탭(360)은 밀봉재(400)에 형성된 지지 핀 홀(450) 하부 부분에 형성되는데, 일반적으로 연성이 있는 금속, 예컨대 구리, 알루미늄 또는 철(iron) 등으로 형성될 수 있다. 이와 같은 지지 탭(360)이 형성됨으로써, 지지 핀에 의해 기판(100)에 가해지는 기계적 스트레스가 방지되고, 그에 따라 세라믹층(140)이 금이 가거나 깨어지는 것을 방지할 수 있다.
좀더 상세히 설명하면, 일반적으로 성형 공정, 즉 밀봉재(400) 형성 공정 중에 기판(100)의 편평도 유지 및 몰드 플래시를 제거를 위해 지지 핀이 기판(100)을 누르게 되는데, 이때 이러한 지지 핀에 의해 기판(100)으로 압축력이 가해지고, 압축력에 의한 스트레스로 인해 기판(100)의 세라믹층(140)이 금이 가거나 깨어짐이 발생하게 된다. 종래, 그러한 세라믹층(140)의 깨어짐 방지 및 낮은 열저항을 얻기 위하여, 세라믹층의 두께를 0.63 mm 이상을 유지하였고 또한, 고가의 AlN 재질을 사용하였다.
그러나 본 실시예와 같이 지지 탭(360)이 기판(100)에 가해지는 스트레스에 버버 역할을 함으로써, 종래의 세라믹층(140)의 깨어짐을 방지할 수 있고, 그에 따라, 세라믹층(140)이 저가의 Al2O3로 제작될 수 있으며, 그 두께도 상당히 줄일 수 있는 장점을 가진다.
이러한 지지 탭(360)은 수평 단면이 다각형, 원형 또는 타원형 등의 여러 가지로 형성될 수 있고, 두께 0.1 ~ 5mm 정도와 넓이 0.1 mm2 ~ 1 cm2 정도로 형성될 수 있다.
밀봉재(400)는 일반적으로 몰딩 수지, 예컨대 에폭시(epoxy)와 같은 합성 수지를 이송 성형(transfer mold) 방법을 통해 형성하는데, 밀봉재를 형성하는 재료 및 성형 방법은 이에 한정되지 않고 다양한 재료 및 성형방법을 이용하여 형성될 수 있음은 물론이다. 이러한, 밀봉재(400)는 소자부층(300)의 각 소자들을 절연시키며, 또한 열 배출을 위한 경로의 역할을 한다.
한편, 밀봉재(400)에는 지지 핀 홀(450)이 형성되는데, 전술한 대로 성형 공정 중에 기판(100)의 편평도 유지 및 그에 따른 몰드 플래시 발생을 방지하기 위한 지지 핀(미도시)이 존재했던 곳이다. 한편, 이와 같은 지지 핀 홀은 기술의 발전과 함께 완전히 제거될 수도 있다.
도 3a ~ 3c는 도 2의 지지 탭에 적용될 수 있는 지지 탭의 수평 단면을 보여주는 평면도들이다. 도 3a의 경우 지지 탭의 수평 단면이 직사각형으로 형성된 모습을 보여주며, 도 3b의 경우, 타원형의 지지 탭의 수평 단면을 보여주고 있다. 또한, 도 3c의 경우 원형의 지지 탭의 수평 단면을 보여준다.
이러한 지지 탭의 수평 단면은 일 예시에 지나지 않으며, 다양한 형태의 수평 단면을 가진 지지 탭이 본 실시예의 파워 모듈에 적용될 수 있음은 물론이다. 지지 탭의 형태 및 두께는 형성되는 파워 모듈의 다양한 특징 및 재료, 예컨대 기판의 세라믹층의 재료 및 두께 등을 고려하여 적절하게 선택되어야 할 것이다.
본 실시예의 저 열저항 파워 모듈은 지지 핀에 대응되는 곳에 지지 탭이 형성됨으로써, 기판의 스트레스에 대한 버퍼 역할을 하여 세라믹층의 깨어짐을 방지한다. 그에 따라, 세라믹층의 재료 선택 및 두께 감소의 측면에서 장점을 가지며, 절연파괴 전압 에러 방지, 공정 마진 및 공정 안정성 향상 그리고 양산성 향상 등의 장점을 가진다. 이러한 장점들에 기인하여, 저가이면서도 고 품질의 저 열저항 파워 모듈을 생산할 수 있으며, 이러한 저 열저항 파워 모듈은 SPM(smart power module), PDP(plasma display panel) 모듈 또는 IGBT(insulated gate bipolar transistor) 모듈 등의 여러 파워 모듈에 유용하게 이용될 수 있다.
도 4a ~ 4d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 저 열저항 파워 모듈의 제조방법을 보여주는 단면도들이다.
도 4a를 참조하면, 먼저, DBC 기판(100) 상에 땜납 등의 도전성 접착제를 스크린 프린트 방법을 이용하여 접착층(200)을 형성한다. 본 실시예에서는 DBC 기판을 사용하였으나, 순수 세라믹 또는 IMS 등을 사용할 수 있음은 물론이다.
DBC 기판(100)은 세라믹층(140) 및 상하부 구리층(160,120)이 접착되어 형성되는데, 세라믹층(140)은 Al2O3, AlN, BeO 및 SiN 중 적어도 하나의 물질을 포함하여 형성할 수 있고, 두께 0.1 ~ 1 mm 또는 바람직하게 0.1 ~ 0.4 mm 정도로 형성할 수 있다. 한편, 상부 및 하부 구리층(160,120)은 50 ~ 400 ㎛ 정도의 두께로 형성 할 수 있다.
도 4b를 참조하면, 접착층 형성 후 접착층(200) 상부로 소자부층(300)을 형성한다. 소자부층(300)은 파워 소자(320), RLC 소자 및 지지 탭(360)을 포함한다. 이러한 소자부층(300)은 자동 마운팅 설비인 픽앤플레이스(pick and place) 머신을 이용하여 상기 접착층(200)에 접착 고정시킨다.
지지 탭(300)은 몰딩재 형성공정 중에 기판을 누르는 지지 핀에 대응되는 부분의 기판(100) 상부에 형성한다. 이러한 지지 탭(300)은 연성이 있는 금속, 예컨대 구리, 알루미늄 또는 철(iron) 등으로 형성하며, 다각형, 원형 또는 타원형 등의 수평 단면을 가진 여러 가지 형태로 형성할 수 있고, 두께 0.1 ~ 5mm 정도와 넓이 0.1 mm2 ~ 1 cm2 정도로 형성할 수 있다.
도 4c를 참조하면, 소자부층(300) 형성 후에 각 소자에 대한 배선 형성 및 리드선(500) 연결 등의 와이어 본딩 및 전기 배선 공정을 행한다.
도 4d를 참조하면, 배선 공정 진행 후, 소자부층(300)을 밀봉하기 위한 밀봉재(400)를 형성한다. 이러한 밀봉재(400)는 이송 성형 방법을 이용하여 형성할 수 있으나, 그에 한정되지는 않는다. 한편, 밀봉재(400)에는 밀봉재 형성 공정 중에 기판을 누르던 지지 핀이 제거됨으로써 지지 핀 홀(450)이 형성될 수 있는데, 이러한 지지 핀 홀(450)의 하부로 지지 탭(360)이 형성됨은 당연하다. 한편, 지지 핀 홀(450)은 기술의 발전으로 완전히 제거될 수도 있음은 전술한 바와 같다.
이후, 트리밍(trimming) 및/또는 포밍(forming) 공정 등의 일반적인 파워 모 듈에 대한 공정 등이 진행되나 그에 대한 설명은 생략한다.
본 실시예를 의한 저 열저항 파워 모듈의 제조방법은 지지 핀에 대응되는 부분에 지지 탭을 형성함으로써, 지지 핀에 의해 기판에 가해지는 스트레스를 버퍼링하여 기판 내의 세라믹층의 깨어짐을 방지한다. 그에 따라, 세라믹층의 재료 및 두께 측면에서 선택을 폭이 넓어지는 이점이 있으며, 공정 마진 및 안정성 그리고 양산성에 있어서 향상을 가져올 수 있다. 또한, 이러한 장점들에 기인하여 고품질 및 저가의 저 열저항 파워 모듈의 제작이 가능하고, 이러한 파워 모듈을 SPM, PDP모듈 또는 IGBT 모듈 등의 여러 파워 모듈에 유용하게 이용할 수 있다.
지금까지, 본 발명을 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 저 열저항 파워 모듈은 지지 탭을 형성하여 지지 핀을 통해 기판으로 가해지는 스트레스를 버퍼링함으로써, 기판 내의 세라믹층의 깨어짐을 방지하고, 그에 따라 절연파괴 전압의 에러 방지 및 전체 파워 모듈의 불량을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 저 열저항 파워 모듈은 지지 탭에 의해 세라믹층의 깨어짐 이 방지됨으로써, 세라믹층의 재료, 즉 저가의 Al2O3 사용이 가능하고 두께의 축소가 가능하다. 그에 따라, 저가의 얇고 고품질의 저 열저항 파워 모듈을 생산할 수 있다.

Claims (25)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 도전성 접착층;
    상기 접착층 상에 형성된 지지 탭(support tab), 파워 소자 및 RLC 소자를 구비하는 소자부층; 및
    상기 소자부층을 밀봉하는 밀봉재;를 포함하는 저 열저항 파워 모듈.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 기판은 DBC(directed bonded copper), 세라믹 또는 IMS(insulated metal substrate)로 형성된 저 열저항용 기판인 것을 특징으로 하는 저 열저항 파워 모듈.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 기판은 DBC 기판이고,
    상기 DBC 기판은 하부 구리층, 세라믹층 및 상부 구리층으로 형성되되, 상기 세라믹층은 알루미늄옥사이드(Al2O3), 알루미늄나이트라이드(AlN), 베릴륨옥사이드(BeO) 및 실리콘나이트라이드(SiN) 중 적어도 하나의 물질을 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 저 열저항 파워 모듈.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 세라믹층의 두께는 0.1 ~ 1 mm 인 것을 특징으로 하는 저 열저항 파워 모듈.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 세라믹층의 두께는 0.1 ~ 0.4 mm 이고, 상하부 구리층의 두께는 50 ~ 400 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 저 열저항 파워 모듈.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 지지 탭은 수평 단면이 다각형, 원형 또는 타원형인 것을 특징으로 하는 저 열저항 파워 모듈.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 지지 탭은 두께 0.1 ~ 5mm 이고, 넓이는 0.1 mm2 ~ 1 cm2 인 것을 특징으로 하는 저 열저항 파워 모듈.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 지지 탭은 상기 밀봉재 형성 공정 중에 상기 기판을 누르는 지지 핀에 대응하는 부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 저 열저항 파워 모듈.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 지지 탭은 상기 지지 핀과 상기 기판 사이에 형성되어 상기 지지 핀에 의한 스트레스를 버퍼링하고 상기 기판의 깨어짐을 방지하는 것을 특징으로 하는 저 열저항 파워 모듈.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 지지 핀은 상기 밀봉재 형성 공정 중에 상기 기판의 편평도 유지 및 밀봉재 플래시(flash) 제거 기능을 하는 것을 특징으로 하는 저 열저항 파워 모듈.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 지지 탭은 상기 기판의 기계적 스트레스(mechanical strees)에 버퍼 역할을 할 수 있는 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 저 열저항 파워 모듈.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 지지 탭은 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 저 열저항 파워 모듈.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 금속은 구리, 알루미늄 또는 철(iron)인 것을 특징으로 하는 저 열저항 파워 모듈.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 도전성 접착층은 땜납(solder)으로 형성된 것을 특징으로 하는 저 열저항 파워 모듈.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 소자부층은 리드선과 연결되는 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 저 열저항 파워 모듈.
  16. 제1 항에 있어서,
    상기 저 열저항 파워 모듈이 SPM(smart power module), PDP(plasma display panel) 모듈 또는 IGBT(insulated gate bipolar transistor) 모듈에 이용되는 것을 특징으로 하는 저 열저항 파워 모듈.
  17. 기판에 도전성 접착물질로 접착층을 형성하는 단계;
    상기 접착층에 파워 소자, RLC 소자 및 지지 탭(support tab)을 포함한 소자부층을 형성하는 단계;
    상기 소자부층의 각 소자에 전기 배선을 형성하는 단계; 및
    상기 소자부층을 밀봉하는 밀봉재를 형성하는 단계;를 포함하는 저 열저항 파워 모듈 제조방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 소자부층은 자동 마운팅 설비인 픽앤플레이스(pick and place) 머신을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 저 열저항 파워 모듈 제조방법.
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 밀봉재는 이송 성형(trnasfer mold) 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 저 열저항 파워 모듈 제조방법.
  20. 제17 항에 있어서,
    상기 지지 탭은 상기 밀봉재에 형성 공정 중에 기판을 누르는 지지 핀에 대응되는 부분에 형성하는 것을 특징으로 하는 저 열저항 파워 모듈 제조방법.,
  21. 제20 항에 있어서,
    상기 지지 탭은 상기 지지 핀과 상기 기판 사이에 형성되어 상기 지지 핀에 의한 스트레스를 버퍼링하고 상기 기판의 깨어짐을 방지하는 것을 특징으로 하는 저 열저항 파워 모듈 제조방법.
  22. 제20 항에 있어서,
    상기 지지 탭은 상기 지지 핀에 의한 상기 기판의 기계적 스트레스(mechanical stress)에 대하여 버퍼 역할을 할 수 있는 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 저 열저항 파워 모듈 제조방법.
  23. 제22 항에 있어서,
    상기 지지 탭은 금속으로 형성하는 것을 특징으로 하는 저 열저항 파워 모듈제조방법 .
  24. 제17 항에 있어서,
    상기 기판은 DBC 기판이고,
    상기 DBC 기판은 하부 구리층, 세라믹층 및 상부 구리층으로 형성하되, 상기 세라믹층은 알루미늄옥사이드(Al2O3), 알루미늄나이트라이드(AlN), 베릴륨옥사이드(BeO) 및 실리콘나이트라이드(SiN) 중 적어도 하나의 물질을 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 저 열저항 파워 모듈 제조방법.
  25. 제17 항에 있어서,
    상기 접착층은 땜납(solder)으로 형성하되, 스크린 프린트(screen print) 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 저 열저항 파워 모듈 제조방법.
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