KR20070100129A - Uv-방출 인광체 및 이를 포함하는 램프 - Google Patents

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KR20070100129A
KR20070100129A KR1020070033185A KR20070033185A KR20070100129A KR 20070100129 A KR20070100129 A KR 20070100129A KR 1020070033185 A KR1020070033185 A KR 1020070033185A KR 20070033185 A KR20070033185 A KR 20070033185A KR 20070100129 A KR20070100129 A KR 20070100129A
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그레고리 에이. 마킹
토마스 엠. 스나이더
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오스람 실바니아 인코포레이티드
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Abstract

UV-방출 인광체 및 이를 포함하는 램프에 대하여 서술하였다. 인광체는 화학식 (Ca2 -X,SrX)P2O7:Pr로 나타내어지며, 0≤x≤2인 프라세오디뮴-활성 파이로포스페이트계 인광체이다. 인광체는 진공 자외선(VUV)에 의한 여기가 가능하며, 특히 Xe-엑시머 방전에 의하여 여기될 수도 있어, 무수은 UV-방출 램프를 제공한다. 인광체는 약 230~240 nm의 파장범위에서 발생하는 피크 방출과 약 220~280 nm의 파장 범위의 UVC 영역에서 넓은 폭의 방출을 보인다. 인광체의 방출 특성은 Sr/Ca 비에 의존하여 변할 수 있다.
인광체, UV-방출, 무수은 UV-방출 램프

Description

UV-방출 인광체 및 이를 포함하는 램프{UV-EMITTING PHOSPHOR AND LAMP CONTAINING SAME}
도 1은 DIN 살균 기능 커브 (GAC)에 비교한 172 nm 복사에 의한 여기 하에서 α-Ca2P2O7:Pr, β-Ca2P2O7:Pr, α-Sr2P2O7:Pr 인광체의 UVC 방출 스펙트럼의 그래프이다.
도 2은 172 nm 복사에 의한 여기 하에서 α-Ca2P2O7:Pr, LaPO4:Pr, 및 YPO4:Pr 인광체의 UVC 방출 스펙트럼을 비교한 그래프이다.
도 3은 172 nm 복사에 의한 여기 하에서 α-Ca2P2O7:Pr, β-Ca2P2O7:Pr, α-Sr2P2O7:Pr 인광체의 UVC 방출 스펙트럼을 LaPO4:Pr과 비교한 것이다.
도 4는 UVC-방출 인광체α-Ca2P2O7:Pr, β-Ca2P2O7:Pr, LaPO4:Pr, 및 YPO4:Pr의 여기 스펙트럼을 나타낸다.
도 5는 α-Ca2P2O7:Pr, β-Ca2P2O7:Pr, α-Sr2P2O7:Pr의 x-선 회절 패턴을 나타낸다.
도 6은 172 nm 복사에 의한 여기 하에서 실시예 14~16의 UVC 방출 스펙트럼의 그래프이다.
도 7은 172 nm 복사에 의한 여기 하에서 실시예 44, 47 및 50의 UVC 방출 스펙트럼의 그래프이다.
도 8은 스트론튬 양이온의 퍼센트가 0%에서 50%로 증가함에 따라 172 nm 여기 하에서 본원 발명의 인광체의 UVC 방출의 변화를 나타낸다.
도 9는 스트론튬 양이온의 퍼센트가 50%에서 100%로 증가함에 따라 172 nm 여기 하에서 본원 발명의 인광체의 UVC 방출의 변화를 나타낸다.
도 10은 본원 발명의 인광체를 포함하는 램프의 단면의 예시이다.
자외선 스펙트럼은 일반적으로 세 가지 영역으로 나누어진다: UVA (400~320 nm), UVB (320~290 nm), 및 UVC (290~200 nm). UVA 및 UVB 영역은 주로 선탠 램프 및 의학용 광치료에 응용되며, UVC는 주로 살균 램프에 응용된다.
최근 휴대용 음료수의 공급, 특히 자연 재해 동안의 공급에 대한 염려 때문에 살균 램프에 대한 관심이 증가하고 있다. 뿐만 아니라, 수은의 광범위한 사용을 감소시키는 것이 세계적인 공동의 관심거리가 되고 있는데, 이는 수은의 환경에 대한 충격 때문이다. 이러한 두 가지 요소가 함께 작용하여 무수은(Hg-프리) 살균 램프의 발전을 이끌었다. 미국 특허 6,398,970호에 기재된 물 소독 장치와 같은 것은 약 220~280 nm 살균 범위에서 방출하는 인광체로 코팅된 Xe-플라즈마계 진공 자외선 (VUV) 여기 램프이다.
물의 정화뿐 아니라, UVC-방출 인광체는 표면과 공기의 정화 및 개방형 상처의 의학적 멸균과 같은 다른 살균에 응용될 수도 있다. 살균하는데 적용하는 것 이외의 다른 잠재적인 용도로는 의학적인 광 치료 및 UV에 민감한 고분자 또는 수지의 광 경화가 있다. 또한, 저압의 수은 형광등에서 UVC-방출 인광체를 사용하면 185 nm 복사 때문에 저하가 감소되고 빛의 출력이 향상되는 것이 보고된 바 있다. 미국특허 6,734,631호 참고.
본 발명은 새로운 UV-방출 인광체 및 이를 포함하는 램프에 관한 것이다. 인광체는 화학식 (Ca2 -X,SrX)P2O7:Pr로 나타내어지며, 0≤X≤2인 프라세오디뮴-활성 파이로포스페이트계 인광체이다. 화학식이 나타내는 것처럼, 인광체의 조성물은 Ca2P2O7:Pr에서 Sr2P2O7:Pr까지의 조성물의 전체 범위를 포함한다. 그 사이에서는 외관상 고용체인 Sr2P2O7:Pr와 Ca2P2O7:Pr 상의 혼합물이 존재한다.
본 발명의 인광체는 진공 자외선 (VUV) 복사에 의하여 여기될 수 있으며, 특히 Xe-엑시머의 방전에 의하여 방출되는 172 nm 복사에 의하여 여기될 수 있다. 인광체는 약 230~240 nm의 파장 범위에서 발생하는 피크 방출과 함께 약 220~280 nm의 파장 범위의 UVC 영역에서 폭이 넓은 방출을 보인다. 인광체의 방출 특성은 Sr/Ca의 비에 따라 변화할 수 있다.
바람직한 구체예에서 인광체는 총 양이온의 양에 비하여 약간 과잉의 파이로 포스페이트 음이온을 갖도록 배합된다. 이러한 화학량론의 약간의 편차는 고안된 인광체 블렌드에서 음이온 종이 약간 과잉으로 사용되면 소성된 인광체 물질에서 밝기를 향상시킨다는 것으로 많은 인광체에 있어서 널리 알려진 개념이다. 또한 Pr3+ 활성자를 위한 전하 밸런스를 공급하기 위하여 1+의 금속 양이온을 포함하는 것이 바람직하며, Na+를 포함하는 것이 더욱 바람직하다.
세륨-활성 칼슘 파이로포스페이트 인광체에서 이러한 배합의 조절이 알려져 있다. 예를 들면, 미국특허 4,757,233호는 화학식 Ca(2-w-x-y)(NSF)wCexNayP2O7으로 나타내어지는 Ce-활성 칼슘 파이로포스페이트 인광체를 기재하고 있는데, 여기서 NSF는 화학량론적 요소가 아니며, w는 0에서 0.1의 범위이고, x는 0.05에서 0.20의 범위이며, y는 0.05에서 0.20의 범위이다. 이러한 경우에 총 전하 밸런스를 위하여 인광체에서 Na+의 양은 Ce3 +의 양과 대략 동일하다.
따라서, 좀더 바람직한 구체예에서, 본원 발명의 인광체는 화학식 Ca(2-w-x-y-z)SrxAyPrzP2O7으로 나타내어진다. 여기서 A는 1+ 금속 양이온, 바람직하게는 Na+이고; w는 0에서 약 0.1의 범위의 비화학량론적인 요소이며 좀더 바람직하게는 약 0.06이고; x는 0에서 2-w-y-z의 범위이고; y는 0에서 약 0.25의 범위이며 좀더 바람직하게는 z-0.01에서 z+0.01이고; z는 0 초과 약 0.12까지, 좀더 바람직하게는 약 0.02에서 약 0.08의 범위이다. 1+ 금속 양이온은 본래 전하의 밸런스를 위하여 포함된다. 그러므로 1+ 금속 양이온의 양은 Pr 활성자의 양과 동일한 것, 즉 y=z인 것이 바람직하다.
Ca2P2O7과 Sr2P2O7모두는 β상에서 α상으로의 전이를 하는 것으로 알려져 있다. 정방정계인 β상에서 단사정계 구조인 α상으로의 이러한 전이는 각각 약 1140 ℃ 와 775 ℃에서 발생한다. 두 개의 상은 모두 본원 발명의 UV-방출 인광체를 형성하기 위하여 프라세오디뮴으로 활성화될 수 있다. 더욱이, 인광체는 각각이 상이한 방출 특성을 가진 α-상 및 β-상의 혼합물일 수 있다. 바람직한 인광체는 α-Ca2P2O7:Pr과 β-Ca2P2O7:Pr, α-Sr2P2O7:Pr 이다.
Ca2P2O7:Pr 인광체 (x=0) 에서 바람직한 화학식은 Ca(2-w-y-z)AyPrzP2O7 이며, 여기서 A는 1+ 금속 양이온, 바람직하게는 Na+이고; w는 0에서 약 0.1, 좀더 바람직하게는 약 0.06이고; y는 0에서 약 0.25, 좀더 바람직하게는 z-0.01에서 z+0.01의 범위이고; z는 β-Ca2P2O7:Pr에서는 약 0.04 에서 약 0.12, α-Ca2P2O7:Pr에서는 약 0.02에서 약 0.08의 범위이다. 좀더 바람직하게는 두 개의 상에서 y=z이다.
Sr2P2O7:Pr 인광체 (x=2) 에서 바람직한 화학식은 Sr(2-w-y-z)AyPrzP2O7 이며, 여기서 A는 1+ 금속 양이온, 바람직하게는 Na+이고; w는 0에서 약 0.1, 좀더 바람직하게는 약 0.06이고; y는 0에서 약 0.25, 좀더 바람직하게는 z-0.01에서 z+0.01의 범위이고; z는 약 0.03에서 약 0.08의 범위이다. α-상은 스트론튬 파이로포스페이트 인광체인 것이 바람직하다. 전하 밸런스를 위하여, y=z인 것이 좀더 바람직하다.
본 발명의 다른 또는 추가의 목적, 이점, 및 가능성과 함께 본원 발명을 좀더 잘 이해하기 위하여, 상기 기재된 도면과 함께 덧붙여진 청구항 및 다음의 설명이 참고될 수 있다.
많은 물질에서 Pr3 +는 Ce3 +대신 치환될 수 있는데, 이는 그들이 유사한 반경을 가진 화학적으로 유사한 희토류 이온이기 때문이다. 그러나, Pr3 + 및 Ce3 +의 전기적 상태는 매우 다르며, 이들 두 상이한 활성자 이온에 의한 동일한 인광체 격자의 광학적 특성은 전형적으로 매우 다르다. 예를 들면, LaPO4:Pr 및 YPO4:Pr은 각각 우수한 UVC-방출 인광체인 반면에, LaPO4:Ce 및 YPO4:Ce는 각각 우수한 UVB- 및 UVA-방출 인광체이다. 동일한 사실이 Ca2P2O7 시스템에도 적용된다. 미국특허 4,757,233에 기재된 Ce-활성 인광체는 254 nm 복사에 의하여 자극받았을 때 약 330 nm에서 방출하지만, 반면에 Pr3 +가 활성자 이온으로서 치환되었을 때는 172 nm 복사에 의한 여기에 대한 반응으로 약 230 nm에서 방출이 발생한다.
이미 기재한 바와 같이, Ca2P2O7과 Sr2P2O7은 약 1140 ℃ 및 775 ℃에서 각각, 정방정계인 β상에서 단사정계 구조인 α상으로의 상 전이를 갖는 것으로 알려져 있다. 예전에 α-상은 사방정계로서 보고되었으나, 좀더 최근 그 구조가 직각의 사방정계 격자로부터 매우 작은 편차를 갖는 단사정계로 결정되었다.
미국특허 4,757,233에서 공표된 Ce-활성 칼슘 파이로포스페이트는 β-상 물질이며 일반적으로 1000 ℃에서 소성된다. 동일 원료 블랜드를 1200 ℃에서 소성하 면 α-상 물질을 형성할 것이다. β-상 Ca2P2O7:Ce 인광체는 254 nm 복사하에서 ~335 nm를 중심으로 하는 단일의 넓은 폭의 방출 피크를 갖고, 이것은 적어도 두 개의 분리된 방출 피크로 겹쳐서 나타난다. α-상 Ca2P2O7:Ce 인광체는 254 nm 복사하에서 326 nm 및 344 nm를 중심으로 하는 두 개의 별도의 피크로 조금 덜 강한 방출을 보인다. 진공 자외선 복사하에서 고온의 α-상 인광체가 저온의 β-상 인광체보다 훨씬 강한 방출 강도를 갖는 것을 제외하면 유사한 반응이 Ca2P2O7:Pr 인광체에서도 관찰된다. 특히 α-Ca2P2O7:Pr은 대략 231 nm, 240 nm, 258 nm, 및 267 nm를 중심으로 하는 네 개의 구별된 방출 피크를 갖는 것에 비하여, β-Ca2P2O7:Pr은 대략 235 nm 및 263 nm를 중심으로 하는 두 개의 폭이 넓은 피크를 갖는다. 172 nm의 여기 하에서 이러한 인광체의 UVC 방출 스펙트럼을 도 1에 나타내었다. 또한 이콜라이 박테리아의 UV 비활성에 대한 DIN 살균 기능 커브(GAC)가 표현되어 있다. DIN 5031-10, Strahlungsphysik im optischen bereich und lichttechnik, Deutsches Insitut fur Normung (1996).
상전이 온도에서 예측되는 것과 같이, α-Ca2P2O7:Pr은 약 1140 ℃보다 높은 온도의 환원 대기에서 형성되지만, 반면에 β-Ca2P2O7:Pr는 약 1140 ℃보다 낮은 온도의 환원 대기하에서 생성된다. 유사하게, α-Sr2P2O7:Pr은 1000 ~ 1200 ℃의 환원대기에서 형성된다. 도 1에 나타낸 것과 같이, 이러한 인광체는 또한 VUV 여기하에서 대략 234 nm, 245 nm, 및 262 nm를 중심으로 하는 피크의 강한 방출 스펙트럼과 약 222 nm 및 273 nm에서 보다 약한 숄더를 갖는다. 대조적으로, β-Sr2P2O7은 775 ℃ 이하의 온도에서 형성하는 것으로 보고되어 있지만, 750 ℃에서 제조된 Sr2P2O7:Pr 인광체는 단지 α-Sr2P2O7:Pr의 방출 스펙트럼을 보인다.
이러한 물질들의 상전이 온도는 일부 반응물 블랜드의 배합에 의존한다. 두개의 Ca2P2O7:Pr 상의 혼합물은 1050~1150 ℃의 범위의 온도에서 제조될 수 있다. 그러나 (Ca2 -X,SrX)P2O7:Pr 인광체 (x>0.4) 는 1000 ℃에서 소성될 때조차 주로 α-상이 되는 경향이 있다. x≤0.4일 때 β-상이 감지되었다. α-Ca2P2O7:Pr, β-Ca2P2O7:Pr, α-Sr2P2O7:Pr의 X-선 회절 패턴을 도 5에 나타내었다.
본원 발명의 인광체는 다른 UVC-방출 인광체 및, 특히, LaPO4:Pr 및 YPO4:Pr에 비교할만한 방출 스펙트럼을 갖는다. 예를 들어, 제조된 α-Ca2P2O7:Pr 인광체는 172 nm 여기 복사하에서 LaPO4:Pr에 비하여 127 %까지의 적분된 UVC 방출 강도를 가졌다. 유사하게, α-Sr2P2O7:Pr 인광체는 LaPO4:Pr의 UVC 방출 강도의 105 %까지 되도록 제조되었고, α-(Ca,Sr)2P2O7:Pr 인광체는 LaPO4:Pr의 방출 강도의 116 %까지 달성하였다. 도 2에서는 172 nm 복사에 의한 여기하에서 α-Ca2P2O7:Pr와 LaPO4:Pr 및 YPO4:Pr의 방출 스펙트럼을 비교하였다. 도 3에서는 172 nm 여기 하에서 α-Ca2P2O7:Pr, β-Ca2P2O7:Pr, α-Sr2P2O7:Pr 인광체의 UVC 방출 스펙트럼을 LaPO4:Pr 과 비교하였다. 도 4는 α-Ca2P2O7:Pr, β-Ca2P2O7:Pr, LaPO4:Pr, 및 YPO4:Pr의 여기 스펙트럼을 보여준다. 도 4에서 여기 스펙트럼을 얻기 위하여, 지적한 방출 파장의 강도는 140 nm에서 220 nm로 변화하는 여기 파장으로 측정하였다.
실시예 1~31 - Ca2P2O7:Pr 인광체
Ca2P2O7:Pr은 적당한 반응물을 완전히 건조 블랜딩하고, 그 후 블랜딩한 물질을 환원 대기에서, 바람직하게는 5 %H2 - 95 %N2 대기, 1000 ~ 1200 ℃에서 2~4 시간동안 소성시켜 제조할 수 있다. 반응물은 바람직하게는 칼슘 하이드로겐 포스페이트 (CaHPO4), 디암모늄 하이드로겐 포스페이트((NH4)2HPO4), 소듐 카르보네이트 (Na2CO3), 및 프라세오디뮴 옥사이드 (Pr4O7)를 포함한다. 소성된 케이크는 2~12 시간 동안 탈이온수에 담궈 연화시키고, 그 후 -60 메쉬로 습식체질(wet-sieved)을 하고 건조할 수 있다. 선택적으로, 건조 소성 케이크를 작은 조각으로 부수고, 마쇄하여 -60 메쉬로 건조체질 할 수도 있다. 인광체 파우더는 입자 손상으로 인한 밝기에 최소한의 손실과 함께 볼-밀링 기술을 이용하여 적당한 크기로 습식-밀링을 할 수도 있다.
실시예 1~4는 롤-블랜딩 및 페인트-쉐이킹 기술을 이용하여 500 ml 플라스틱 병에서 반응물을 완전히 블랜딩하여 준비하였다. 모든 반응물을 분석 평가하였고, 디암모늄 하이드로겐 포스페이트 (DAP)는 사용하기 전에 마쇄하여 -60 메쉬로 체질 하였다. 각각의 반응물 블랜드 ~75 g을 알루미나 도가니에 넣었다. 그 후 도가니를 실리카 보트에 위치시키고 튜브 용광로를 통하여 2 시간의 전체 시간동안 5 %H2 -95 %N2의 환원 대기 하 1000 ℃의 뜨거운 영역으로 밀어넣었다. 소성된 인광체는 튜브 용광로 안에서 냉각시킨 후 꺼내고, 조각으로 부수고, 마쇄하여 -60 메쉬로 체질하였다. 172 nm 여기 복사 하에서 인광체의 UVC 방출 스펙트럼은 중수소 광원과 VM-504 진공 모노크로마터를 보유하는 듀테륨 빛 소스로 Acton SpectraPro-2500i 모노크로마터/스펙트로그래프를 이용하여 측정하였다.
추가의 동일한 반응물 블랜드 ~75 g을 상기와 동일한 방법으로 1150 ℃에서 소성하고 상기 방식과 동일한 방식으로 처리하였다. 표 1에는 실시예 1~4의 반응물의 중량 및 몰비를 열거하였다. 표 2는 172 nm 복사에 의한 여기에 대응하는 210~310 nm 사이의 인광체의 적분된 UVC 방출 강도를 제공한다. 적분된 방출 강도는 컨트롤로서 사용된 LaPO4:Pr 및 YPO4:Pr 인광체에 비하여 기재하였다.
Figure 112007026072211-PAT00001
Figure 112007026072211-PAT00002
실시예 5~8을 실시예 1~4에서와 같은 방식으로 준비하여, 1150 ℃에서 소성하고, 처리하고, 분석하였다. 표 3에는 실시예 5~8의 반응물의 몰비와 중량을 열거하였다. 표 4는 172 nm 여기 하에서 LaPO4:Pr 컨트롤에 대하여 210~310 nm 사이에서 적분된 UVC 방출 강도뿐 아니라 활성자, 음이온, 및 양이온 레벨을 제공한다. 이들 실시예에서, 더 낮은 레벨의 Pr3 + 활성자를 사용하였고, DAP의 양은 인광체 형성이 보다 잘 되도록 0.15 몰로 유지하였다. 인광체 배합을 위한 바람직한 화학량론은 파이로포스페이트 음이온 1.00 몰(2.00 몰 P)에 약간 부족한 1.94 몰의 양이온( Ca2++Na++Pr3+)이다. Pr3 + 0.02 몰로 준비된 실시예 6은 과잉의 [P2O2]4- 0.025 몰을 가지고 있었고, Pr3 + 0.02 몰로 준비되었고, 과잉의 [P2O2]4- 음이온을 갖지 않았던 실시예 1에 비하여 밝기가 상당히 낮았다.
Figure 112007026072211-PAT00003
Figure 112007026072211-PAT00004
실시예 9~13을 Ca2P2O7:Pr상에 소성 온도의 효과를 좀더 자세히 조사하면서 이전의 실시예와 유사한 방식으로 준비하였다. 단번으로 대량의 반응물 블랜드를 0.045 몰 Pr/몰 인광체로 제조하였다. 아래의 표 5에 반응물의 몰비와 중량을 열거하였다. 분리된 75 g의 블랜드를 1000 ~ 1200 ℃의 범위의 온도에서 소성하였다. 표 6은 172 nm 여기 복사 하에서, LaPO4:Pr 및 YPO4:Pr 컨트롤에 대하여, 210 ~ 310 nm 사이에서 Ca2P2O7:Pr 인광체의 적분 UVC 방출 강도 및 X-선 회절 (XRD) 상 분석의 결과를 제공한다. 표 7은 또한 172 nm 여기 하에서, LaPO4:Pr에 비하여 Ca2P2O7:Pr 인광체의 최대 피크 강도 및 최대 피크 파장을 제공한다.
XRD 결과는 인광체는 소성온도가 증가함에 따라 상 변이를 겪는 것을 보여준다: 1000 ℃에서 전체적으로 β-상으로부터, 1050~1150 ℃ 에서는 β-상과 α-상의 혼합물, 1200 ℃에서는 전체적으로 α-상이다. UVC 방출 자료는 172 nm 여기에서 좀더 높은 UVC 방출을 얻기 위하여 존재하는 적어도 일부의 α-상을 갖는 것이 바람직하다는 것을 나타낸다.
Figure 112007026072211-PAT00005
Figure 112007026072211-PAT00006
Figure 112007026072211-PAT00007
실시예 14~19는 이전의 샘플과 같은 방식으로 준비되고, 1100 ℃ 및 1200 ℃에서 소성되고, 처리되고 분석되었다. Pr3 + 활성자 레벨은 각각의 경우에 0.04 몰 Pr/몰 인광체로 유지되었으나, 파이로포스페이트 음이온 [P2O7]4- 및 Na+ 레벨은 음이온/양이온 비의 변화에 의한 효과를 조사하기 위하여 바람직한 비 1.00/1.94로 부터 변화시키고, 전하 밸런스의 변경의 효과를 결정하기 위하여 (Na+ 몰에서 Pr3 + 몰로) 변화시켰다. 하기 표 8에는 실시예 14~19의 반응물의 몰비 및 중량을 열거하였다. 표 9는 172 nm 하에서 LaPO4:Pr 컨트롤에 대하여, 210~310 nm사이에서 적분된 UVC 방출 강도뿐 아니라 파이로포스페이트 음이온, Na+ 및 총 양이온 레벨을 제공한다.
도 6은 1100 ℃에서 소성된 실시예 14~16의 방출 스펙트럼을 나타낸다. 실시예 14는 1100 ℃에서 소성되었을 때 고온 α-상의 방출 특성을 보인다. 실시예 15는 1100 ℃에서 소성되었을 때 α-상 및 저온 β-상 모두의 특성을 보인다. 실시예 16~19는 1100 ℃에서 소성되어 β-상의 특성을 주로 보인다. 모든 실시예 14~19는 1200 ℃에서 소성되었을 때 고온 α-상의 스펙트럼 특성을 보인다. 또한, 전하 밸런싱을 위한 Na+ 없이 만들어진 인광체 (실시예 18 및 19) 는 전하 밸런싱된 인광체보다 상당히 약한 강도를 보였다. 바람직하게 1.00/1.94, 음이온/양이온 비일 때에 가장 강한 UVC 방출 강도를 갖는 전하 밸런싱된 인광체 (실시예 14)가 제조되었다.
Figure 112007026072211-PAT00008
Figure 112007026072211-PAT00009
실시예 20~27은 이전의 샘플과 동일한 방식으로 준비되고 1100 ℃ 및 1200 ℃에서 소성되고, 처리되고, 분석되었다. Pr3 + 활성자 레벨은 Ca2P2O7:Pr 인광체를 위한 바람직한 활성자 레벨을 좀더 구체적으로 결정하기 위하여 변화시켰다. Na+ 레벨은 전하 밸런싱의 목적으로 Pr3 + 레벨과 동량으로 유지시켰다. 하기 표 10에는 실시예 20~27의 반응물의 몰비 및 중량을 열거하였다. 표 11은 172 nm 여기하에서 LaPO4:Pr 및 YPO4:Pr 컨트롤에 대하여, 210~310 nm 사이에서 적분한 UVC 방출 강도 및 Pr 활성자 레벨을 제공한다.
실시예 20은 1100 ℃에서 소성되었을 때 저온의 β-상 특성을 갖는 방출을 했다. 실시예 21은 1100 ℃에서 소성되었을 때 고온의 α-상 및 β-상 모두의 방출 특성을 보인다. 실시예 22~27은 1100 ℃에서 소성되었을 때 주로 α-상 특성을 보였다. 실시예 20~27은 모두 1200 ℃에서 소성되었을 때 고온의 α-상 스펙트럼 특성을 보였다. 가장 강한 UVC 방출은 1100 ℃에서 형성된 인광체의 경우는 0.05 몰 Pr/ 몰 인광체에서 얻어졌고, 1200 ℃에서 형성된 인광체의 경우에 가장 강한 방출은 0.03 몰 Pr/몰 인광체에서 얻어졌다.
Figure 112007026072211-PAT00010
Figure 112007026072211-PAT00011
실시예 14~27의 결과로부터, 반응물 블랜드의 배합은 저온 β-상과 고온 α-상 사이의 변이 온도에 영향을 준다는 것이 명백하다. 배합의 변화는 Pr3 + 활성자 레벨(Pr4O7), DAP 반응물 및 플럭스 레벨, CaHPO4 반응물 레벨, 및 Na+ (Na2CO3) 전하 밸런스 레벨을 포함한다. 그러나 자료로부터 어떠한 배합의 변화가 전이 온도를 제어하는 주요한 요소로서 작용하는지는 그리 명백하지는 않다.
실시예 28~31은 이전의 샘플에서와 같은 방식으로 준비되고 1100 ℃ 및 1200 ℃에서 소성되고, 처리되고, 분석되었다. 이들 실시예는 이러한 인광체 시스템에서 반응물로서 사용되는 DAP (디암모늄 하이드로겐 포스페이트)의 양 및 플럭스의 변화의 효과를 조사하기 위하여 제조되었다. 파이로포스페이트 음이온 [P2O7]4- 1.0 몰에 총 양이온 1.94 몰의 바람직한 화학량론이 두 가지 Pr3 + 활성자 레벨 (0.03 및 0.04 몰/몰 인광체) 과 함께 사용되었다. CaCO3가 더 높은 DAP 레벨을 갖는 샘플에서 Ca2 + 양이온을 부가하기 위하여 반응물로서 사용되었다. 하기 표 12에 실시예 28~31의 반응물의 몰비와 중량을 열거하였다. 표 13은 172 nm 여기 하에서 LaPO4:Pr 및 YPO4:Pr의 컨트롤에 대하여, DAP 및 Pr3 + 레벨, 및 210~310 nm 사이에서 적분한 UVC 방출 강도를 제공한다.
실시예 28~31은 172 nm 여기 하에서, 1100 ℃에서 소성되었을 때 주로 저온 β-상 특성의 방출을 하였고, 1200 ℃에서 소성되었을 때 주로 α-상 특성의 방출을 하였다. 밝기에 있어 DAP 레벨의 효과는 연구된 범위에서는 무시해도 좋을 정도였고, 높은 Pr3 + 활성자 함량을 가진 실시예들은 약간 밝아졌다.
Figure 112007026072211-PAT00012
Figure 112007026072211-PAT00013
표 14에는 선택된 α-Ca2P2O7:Pr 및 β-Ca2P2O7:Pr 인광체에 대하여 210 ~ 310 nm 사이에서 적분한 UVC 방출 강도를 열거하였다 (172 nm 여기하 LaPO4:Pr 및 YPO4:Pr 컨트롤에 비하여). 살균 기능은 LaPO4:Pr에 비하여 인광체의 방출 자료에 DIN 살균 기능 커브 (도 1) 를 곱하여 계산하였다. 자료는 Ca2P2O7:Pr 인광체가 일반적으로 적어도 LaPO4:Pr 인광체만큼 효과적인 살균 기능를 가지는 것을 기대할 수 있으며, α-Ca2P2O7:Pr 인광체는 LaPO4:Pr 인광체에 비하여 상당히 높은 살균 기능을 가지는 것을 예상할 수 있다는 것을 보여준다.
Figure 112007026072211-PAT00014
실시예 32~43 Sr2P2O7 인광체
Sr2P2O7:Pr 인광체는 Ca2P2O7:Pr 인광체와 유사하게 제조될 수 있다. 반응물은 바람직하게는 스트론튬 하이드로겐 포스페이트(SrHPO4), 디암모늄 하이드로겐 포스페이트((NH4)2HPO4), 소듐 카르보네이트(Na2CO3), 및 프라세오디뮴 옥사이드(Pr4O7)을 포함한다.
실시예 32~35를 준비하여 Sr2P2O7:Pr 인광체를 형성하기 위하여 환원 분위기하에서 준비되고 750 ℃, 1000 ℃, 및 1150 ℃에서 소성하였다. 그 후 인광체는 이전 실시예에서와 같은 방식으로 처리되고 분석되었다. 이러한 예들은 이들 인광체 시스템 상에서 소성 온도 및 Pr3 + 활성자 레벨의 변화에 따른 효과를 조사하기 위하여 고안되었다. 1.94 몰의 총 양이온에 1.0 몰의 음이온 [P2O7]4- 의 바람직한 화학량론이 Pr3+ 활성자의 네 가지 레벨 (0.02, 0.04, 0.08, 및 0.12 Pr/몰 인광체) 과 함께 사용되었다. 하기 표 15에 반응물의 몰비와 중량을 열거하였다. 표 16은 Sr2P2O7:Pr 인광체의 172 nm 여기 하에서 LaPO4:Pr 컨트롤에 비한 Pr3 + 레벨, 및 180~340 nm 사이에서 적분한 UVC 방출 강도를 제공한다.
실시예 32~ 35는 모두 172 nm 여기하에서 고온 α-상 특성의 방출을 했다. 1000 ℃ 및 1150 ℃의 소성 온도에서 가장 강한 강도를 갖는 활성자 레벨은 인광체 몰당 0.04 몰의 Pr3 + 였다. 1000 ℃의 소성온도에서는 1150 ℃에서 소성한 것보다 약간 더 강한 강도를 갖는 인광체가 생겼다. 750 ℃에서 형성된 인광체는 1000 ℃ 및 1150 ℃에서 형성된 인광체보다 상당히 약한 강도를 보였다.
Figure 112007026072211-PAT00015
Figure 112007026072211-PAT00016
실시예 36~43을 준비하여 Sr2P2O7:Pr 인광체를 형성하기 위하여 환원 대기 하에서 1050 ℃, 1100 ℃, 및 1150 ℃에서 소성하였다. 그 후 이전 샘플에서와 동일한 방식으로 인광체를 처리하고 분석하였다. 1.94 몰의 총 양이온에 1.0 몰의 음이온 [P2O7]4- 의 바람직한 화학량론이 Pr3 + 활성자의 여덟 가지 레벨 (0.01, 0.02, 0.03, 0.04, 0.05, 0.06, 0.07, 및 0.08 Pr/몰 인광체) 과 함께 사용되었다. 하기 표 17에 실시예 36~43의 반응물의 몰비와 중량을 열거하였다. 표 18은 Sr2P2O7:Pr 인광체의 172 nm 여기 하에서 LaPO4:Pr 컨트롤에 비한 Pr3 + 레벨, 및 180~340 nm 사이에서 적분한 UVC 방출 강도를 제공한다.
Sr2P2O7:Pr 인광체는 모두 172 nm 여기하에서 고온 α-상 특성의 방출을 했다. 실시예 37, 39 및 43의 방출 강도는 1150 ℃에서 소성된 실시예 32, 33, 및 34에 강도에 비교하여 약간 낮은 것이 발견되었다. 생각컨대 이것은 사용된 SrHPO4 반응물의 특별히 많음의 변화에 기한 것으로 보였다. 0.03에서 0.06 몰 Pr/몰 인광체 사이의 활성자 레벨은 모든 소성온도에서 우수한 강도를 가졌다. 0.07 몰 Pr/ 몰 인광체로 준비되고 1100 ℃에서 소성된 인광체가 가장 큰 방출 강도를 보였다.
Figure 112007026072211-PAT00017
Figure 112007026072211-PAT00018
실시예 44~50 (Ca2 - XSrX)P2O7:Pr 인광체
(Ca2 -X,SrX)P2O7:Pr 인광체는 Ca2P2O7:Pr 인광체와 유사하게 제조될 수 있다. 반응물은 바람직하게는 칼슘 하이드로겐 포스페이트, (CaHPO4), 스트론튬 하이드로겐 포스페이트 (SrHPO4), 디암모늄 하이드로겐 포스페이트((NH4)2HPO4), 소듐카르보네이트 (Na2CO3), 및 프라세오디뮴 옥사이드 (Pr4O7)를 포함한다.
(Ca2 -X,SrX)P2O7:Pr 인광체를 형성하기 위하여 실시예 44~50을 준비하여, 1000 ℃, 1100 ℃, 및 1200 ℃, 환원 분위기 하에서 소성하였다. 그 후 인광체를 이전의 샘플에서와 같은 방식으로 처리하고 분석하였다. 바람직한 화학량론인 1.94 몰의 총 양이온에 1.0 몰의 음이온 [P2O7]4- 를 일정한 Pr3 + 활성자 레벨 0.04 몰 Pr/ 몰 인광체와 함께 사용하였다. 하기 표 19에 실시예 44~50의 반응물의 몰비와 중량을 열거하였다. 표 20은 Sr 및 Ca의 총 몰수에 대하여 Sr의 몰수의 비를 퍼센트로 표현하여 제공하고 잇다. 표 20은 또한 X-선 회절(XRD) 에 의하여 결정되는 1000 ℃에서 소성된 인광체의 상 특성뿐 아니라, (Ca2 -X,SrX)P2O7:Pr 인광체의 172 nm VUV 여기 하에서 LaPO4:Pr 컨트롤에 비한 180~340 nm 사이에서 적분한 방출 강도를 제공한다. 표 21에는 172 nm 여기하에서 인광체의 가장 강한 방출 피크의 피크 파장을 열거하였다.
이러한 인광체는 소성온도 및 Sr2 +/Ca2 + 양이온 비의 변화의 효과를 조사하기 위하여 준비하였다. α-Sr2P2O7:Pr 및 α-Ca2P2O7:Pr 인광체가 동일한 구조를 형성하기 때문에, 완전한 고용체 행동이 기대되었다. 인광체의 X-선 회절 분석이 이러한 기대에 부응하였다. 1200 ℃에서 소성된 인광체는, VUV 여기하에서 방출 강도는 Ca2 + 함량이 증가함에 따라 연속적으로 증가하였다. Sr2 +/Ca2 + 이 혼합된 인광체는 1000 ℃에서 소성되었을 때 VUV 여기하에서 가장 높은 방출 강도를 보여주었다. 모든 실시예에서 VUV 여기 하에서 가장 강한 방출 피크의 피크 파장 또한, Ca2 + 함량이 증가함에 따라서 연속적으로 증가하였다.
Figure 112007026072211-PAT00019
Figure 112007026072211-PAT00020
Figure 112007026072211-PAT00021
도 7은 172 nm 여기하에서 실시예 44, 47, 및 50의 UVC 방출 스펙트럼을 보여준다. 세 개의 인광체는 모두 1200 ℃에서 소성되었다. 인광체의 UVC 방출은 α-상 물질임을 암시한다. 도 7은 또한 UVC 방출이 어떻게 조성에 의존하며 변하는지 보여준다. 실시예 44는 Sr2 +를 포함하지 않고, 실시예 50은 Ca2 +를 포함하지 않았다. 실시예 47은 두 가지 양이온을 동량으로 포함했다. 도 8 및 9는 Sr2 + 양이온의 퍼센트가 증가함에 따라 UVC 방출이 변하는 것을 좀더 잘 입증한다.
자외선-방출 램프
도 10은 일반적으로 유전체 장벽 방전 램프로 불리는 VUV-여기장치의 하나의 타입을 예시한다. 평평한 직사각형 모양의 장치의 단면적을 나타내었다. 방전 용기 10은 유리와 같은 투명한 소재를 구성하였고, 플레이트 주위에 프레임 5에 의하여 연결되어 있는 앞 플레이트 3 및 후 플레이트 2를 포함한다. 방전 용기 10은 희 가스, 전형적인 크세논, 또는 희가스의 혼합물을 포함하고, 진공 자외선 (VUV) 복사를 방출하는 방전을 발생시키는데 사용되는 방전 챔버 15를 에워싸고 있다. 바람직한 방전은 약 172 nm에서 VUV 복사를 방출하는 Xe-엑시머 방전이다. 후면 플레이트 2는 작동하는 동안 양극 및 음극으로 작동할 수 있는 다중의 스트립 전극 6을 갖는다. 전극 6'의 적어도 일부는 유전체 장벽 층 7로 덮여있다. 유전체 장벽 방전 램프의 추가의 실시예는 미국특허 6,566,840, 6,246,171 및 6,469,435에 기재되어 있다.
바람직한 구현예에서, UV-방출 램프는 본원 발명의 UV-방출 인광체를 포함하는 인광체 층 11로 후면 플레이트 2 및 상부 플레이트 3의 내부 표면을 코팅하여 형성될 수 있다. UV-방출 인광체는 VUV 복사의 적어도 일부를 가스 방전으로 부터 더 긴 파장의 UV 복사로 변환시킨다. 좀더 바람직하게는, 램프는 살균 응용분야에 사용될 수 있는 UVC 복사를 방출한다.
본원 발명의 바람직한 구체예로 고려되는 것들을 보이고 서술하였지만, 첨가된 청구항에 의하여 정의되는 것과 같은 발명의 범위로부터 벗어남 없이 다양한 변화와 변경이 있을 수 있다는 것은 당업자에게 명백하다.
본 발명의 인광체는 진공 자외선 (VUV) 복사에 의하여 여기될 수 있으며, 특히 Xe-엑시머의 방전에 의하여 방출되는 172 nm 복사에 의하여 여기될 수 있다. 인광체는 약 230~240 nm의 파장 범위에서 발생하는 피크 방출과 함께 약 220~280 nm의 파장 범위의 UVC 영역에서 폭이 넓은 방출을 보인다. 인광체의 방출 특성은 Sr/Ca의 비에 따라 변화할 수 있다.

Claims (31)

  1. 화학식 (Ca2 -x,Srx)P2O7:Pr로 나타내어지며, 0≤x≤2인 조성을 갖는 UV-방출 인광체.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 인광체가 진공 자외선 복사에 의한 여기 하에서 자외선을 방출하는 것인 인광체.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 인광체는 Xe-엑시머 방전에 의한 여기 하에서 자외선을 방출하는 것인 인광체.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 인광체는 약 230 ~ 240 nm의 파장 범위에서 피크 방출을 보이는 것인 인광체.
  5. 화학식 Ca(2-w-x-y-z)SrxAyPrzP2O7로 나타내어지며, 여기서 A는 1+ 금속 양이온이고; w는 0에서 약 0.1의 범위이며; x는 0에서 2-w-y-z의 범위이고; y는 0에서 약 0.25의 범위이며; z는 0 초과 약 0.12까지의 범위인 조성을 갖는 UV-방출 인광체.
  6. 청구항 5에 있어서, A는 Na+인 인광체.
  7. 청구항 5에 있어서, y는 z-0.01에서 z+0.01의 범위인 인광체.
  8. 청구항 5에 있어서, z는 약 0.02에서 약 0.08의 범위인 인광체.
  9. 청구항 5에 있어서, y=z인 인광체.
  10. 화학식 Ca(2-w-x-y-z)SrxNayPrzP2O7로 나타내어지며, 여기서 w는 0에서 약 0.1의 범위이며; x는 0에서 2-w-y-z의 범위이고; y는 0에서 약 0.25의 범위이며; z는 0 초과 약 0.12까지의 범위인 조성을 갖는 UV-방출 인광체.
  11. 청구항 10에 있어서, y는 z-0.01에서 z+0.01의 범위인 인광체.
  12. 청구항 10에 있어서, z는 약 0.02에서 약 0.08의 범위인 인광체.
  13. 청구항 10에 있어서, y=z인 인광체.
  14. 청구항 10에 있어서, w=0.06인 인광체.
  15. 청구항 14에 있어서, y=z인 인광체.
  16. 프라세오디뮴-활성 칼슘 스트론튬 파이로포스페이트를 포함하는 UV-방출 인광체.
  17. 프라세오디뮴-활성 칼슘 파이로포스페이트를 포함하는 UV-방출 인광체.
  18. 청구항 17에 있어서, 화학식 Ca(2-w-y-z)AyPrzP2O7로 나타내어지며, 여기서 A는 1+ 금속 양이온이고; w는 0에서 약 0.1의 범위이며; y는 0에서 약 0.25의 범위이며; z는 0 초과 약 0.12까지의 범위인 조성을 갖는 UV-방출 인광체.
  19. 청구항 18에 있어서, 상기 인광체는 β-상 칼슘 파이로포스페이트이고, z는 약 0.04에서 약 0.12의 범위인 인광체.
  20. 청구항 18에 있어서, 상기 인광체는 α-상 칼슘 파이로포스페이트이고, z는 약 0.02에서 약 0.08의 범위인 인광체.
  21. 청구항 18에 있어서, A는 Na+인 인광체.
  22. 프라세오디뮴-활성 스트론튬 파이로포스페이트를 포함하는 UV-방출 인광체.
  23. 청구항 22에 있어서, 상기 인광체는 화학식 Sr(2-w-y-z)AyPrzP2O7로 나타내어지며, 여기서 A는 1+ 금속 양이온이고; w는 0에서 약 0.1의 범위이며; y는 0에서 약 0.25의 범위이며; z는 약 0.03에서 약 0.08까지의 범위인 조성을 갖는 인광체.
  24. 청구항 22에 있어서, 상기 인광체는 α-상 스트론튬 파이로포스페이트인 인광체.
  25. 청구항 23에 있어서, y=z인 인광체.
  26. 방전 용기를 포함하는 UV-방출 램프로서, 상기 방전용기는 내부 벽상에 UV-방출 인광체 및 진공 자외선 복사 소스를 함유하고, 상기 UV-방출 인광체는 화학식 (Ca2-x,Srx)P2O7:Pr으로 나타내어지며 0≤x≤2인 조성을 갖는 것인 UV-방출 램프.
  27. 청구항 26에 있어서, 상기 진공 자외선 복사 소스가 크세논 엑시머 방전인 것인 UV-방출 램프.
  28. 청구항 27에 있어서, 상기 방전 용기는 유전성의 지연 전극인 것인 UV-방출 램프.
  29. 청구항 1에 있어서, 상기 인광체는 총 양이온 양에 비하여 파이로포스페이트 음이온을 약간 과잉의 몰로 갖도록 배합된 것인 인광체.
  30. 청구항 1에 있어서, 상기 인광체는 파이로포스페이트 음이온 1.00 몰에 양이온 1.95 몰의 비를 갖도록 배합된 것인 인광체.
  31. 청구항 1에 있어서, 상기 인광체는 α-상 및 β-상의 혼합물인 것인 인광체.
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Families Citing this family (338)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7396490B2 (en) * 2006-04-06 2008-07-08 Osram Sylvania Inc. Ce,Pr-coactivated calcium pyrophosphate phosphor and lamp containing same
EP2231815A1 (en) * 2007-12-14 2010-09-29 Basf Se Inorganic phosphor, obtainable by wet milling
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
JPWO2010058607A1 (ja) * 2008-11-21 2012-04-19 国立大学法人徳島大学 屋外水の紫外線殺菌装置
JP2012518698A (ja) * 2009-02-25 2012-08-16 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Uv光を発する放電ランプ
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US20120119119A1 (en) * 2009-07-24 2012-05-17 Soltesz-Nagy Attila Uv-converter, uv lamp arrangement with the uv-converter, and a lighting unit comprising the uv lamp arrangement
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
TWI361215B (en) * 2009-10-12 2012-04-01 Ind Tech Res Inst Phosphors, fabricating method thereof, and light emitting device employing the same
CN102985512B (zh) * 2010-07-13 2015-03-25 皇家飞利浦电子股份有限公司 发射uv-a或uv-b的放电灯
WO2012052905A1 (en) * 2010-10-22 2012-04-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. Luminescent material and light emitting device comprising such luminescent material
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US20140099798A1 (en) * 2012-10-05 2014-04-10 Asm Ip Holding B.V. UV-Curing Apparatus Provided With Wavelength-Tuned Excimer Lamp and Method of Processing Semiconductor Substrate Using Same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
TWI448538B (zh) 2012-10-23 2014-08-11 Ind Tech Res Inst 螢光材料與紫外光發光裝置
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US10174424B2 (en) * 2013-04-25 2019-01-08 Polyvalor, Limited Partnership Methods for the photo-initiated chemical vapor deposition (PICVD) of coatings and coatings produced by these methods
EP2997108B1 (en) 2013-05-13 2020-02-05 Signify Holding B.V. Uv radiation device
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
JP6181454B2 (ja) * 2013-07-26 2017-08-16 岩崎電気株式会社 蛍光体
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202344708A (zh) 2018-05-08 2023-11-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
JP6963720B2 (ja) 2018-08-30 2021-11-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
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US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
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USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
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CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
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USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2427728A (en) * 1941-04-10 1947-09-23 Gen Electric Alkaline earth phosphor
US3882041A (en) 1973-09-26 1975-05-06 Rca Corp Europium-activated alkaline-earth pyrophosphate phosphors
US4757233A (en) 1984-12-21 1988-07-12 Gte Laboratories Inc. Efficient UV-emitting phosphors based on cerium-activated calcium pyrophosphate and lamps containing the same
ATE242546T1 (de) 1997-03-21 2003-06-15 Vollkommer Frank Dr Gasentladungslampe mit dielektrisch behinderten elektroden
DE19826808C2 (de) 1998-06-16 2003-04-17 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden
DE19843419A1 (de) 1998-09-22 2000-03-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden
DE19919169A1 (de) 1999-04-28 2000-11-02 Philips Corp Intellectual Pty Vorrichtung zur Desinfektion von Wasser mit einer UV-C-Gasentladungslampe
DE10129630A1 (de) 2001-06-20 2003-01-02 Philips Corp Intellectual Pty Niederdruckgasentladungslampe mit Leuchtstoffbeschichtung

Also Published As

Publication number Publication date
EP1842892A1 (en) 2007-10-10
US20070235690A1 (en) 2007-10-11
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DE602007009588D1 (de) 2010-11-18

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