KR20070050426A - 프로그램 시간 제어를 하는 비-휘발성 메모리 시스템 - Google Patents
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- 비-휘발성 메모리 시스템에 있어서,복수의 전하 저장 소자(charge storage element)와;상기 복수의 전하 저장 소자를 프로그래밍하기 위해 프로그래밍 사이클 동안에 적어도 얼마의 펄스 중에 각각의 진폭이 이전의 펄스에 대해 증가하는 경우에 전압 펌프 펄스를 연속으로 제공하는 전하 펌프(charge pump)와;상기 일련의 전압 펌프 펄스를 수신하는 제1 입력단과, 기준 전압의 진폭이 설정 시간 간격에서 증가하는 기준 전압을 수신하는 제2의 입력단과, 상기 전압 펌프 펄스와 상기 기준 전압의 비교를 나타내는 출력 신호를 제공하는 출력단을 구비하는 비교기; 및프로그래밍 사이클의 끝까지 실제로 불변으로 남아 있는 값으로 조정되도록 전하 저장 소자에 전압 펌프 펄스의 인가에 대해 할당된 프로그램 시간을 상기 프로그램 시간 제어 신호가 일으키며, 출력 신호에 응답하여 프로그램 시간 제어 신호를 발생하는 회로를 포함하는, 비-휘발성 메모리 시스템.
- 제 1항에 있어서, 상기 회로는 상기 프로그램 시간 제어 신호를 저장하는 래치(latch)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 비-휘발성 메모리 시스템.
- 제 2항에 있어서, 상기 래치는 프로그래밍 사이클의 끝에서 리세트 가능한 것을 특징으로 하는, 비-휘발성 메모리 시스템.
- 제 2항에 있어서, 상기 전하 펌프에 의해 제공된 전압 펌프 펄스의 프로그램 시간을 제어하는 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기가 프로그래밍 사이클의 끝에서 래치를 리세트하는 것을 특징으로 하는, 비-휘발성 메모리 시스템.
- 제 2항에 있어서, 상기 래치는 SR 플립 플롭(flip flop)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 비-휘발성 메모리 시스템.
- 제 1항에 있어서, 상기 비교기에 기준 전압을 공급하는 제어기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 비-휘발성 메모리 시스템.
- 제 6항에 있어서, 상기 제어기는 상기 전하 펌프에 의해 제공된 전압 펌프 펄스의 프로그램 시간을 제어하는 것을 특징으로 하는, 비-휘발성 메모리 시스템.
- 제 1항에 있어서, 프로그래밍 사이클의 끝까지 실제로 불변으로 남아 있는 설정 값으로 증가하도록 제공된 상기 전압 펌프 펄스의 펄스 폭을 상기 펄스 폭 제어 신호가 일으키는 것을 특징으로 하는, 비-휘발성 메모리 시스템.
- 제 1항에 있어서, 상기 프로그램 시간은 제 1의 값에서 설정되고, 상기 프로 그램 시간 제어 신호는 프로그램 시간이 제 1의 값보다 더 높은 제 2의 값으로 증가하도록 유도하는 것을 특징으로 하는, 비-휘발성 메모리 시스템.
- 복수의 전하 저장 소자를 포함하는 비-휘발성 메모리 시스템을 프로그래밍하는 방법에 있어서, 상기 방법은:상기 복수의 전하 저장 소자를 프로그래밍하기 위해 프로그래밍 사이클 동안에 적어도 얼마의 펄스 중에 각각의 진폭이 이전의 펄스에 대해 증가하는 경우에 전압 펌프 펄스를 연속으로 제공하는 단계와;기준 전압의 진폭이 설정 시간 간격에서 증가하는 기준 전압과 상기 일련의 전압 펌프 펄스를 비교하고, 상기 전압 펌프 펄스와 상기 기준 전압의 비교를 나타내는 출력 신호를 제공하는 단계; 및프로그래밍 사이클의 끝까지 실제로 불변으로 남아 있는 값으로 조절되도록 제공된 상기 전압 펌프 펄스의 프로그램 시간을 프로그램 시간 제어 신호가 일으키고, 상기 출력 신호에 응답하여 상기 프로그램 시간 제어 신호를 발생하는 단계를 포함하는, 비-휘발성 메모리 시스템을 프로그래밍하는 방법.
- 제 10항에 있어서, 상기 프로그램 시간 제어 신호를 저장하는 단계를 더 포함하는, 비-휘발성 메모리 시스템을 프로그래밍하는 방법.
- 제 10항에 있어서, 상기 프로그래밍 사이클의 끝에서 상기 전압 펌프 펄스의 프로그램 시간을 리세트하는 단계를 더 포함하는, 비-휘발성 메모리 시스템을 프로그래밍하는 방법.
- 제 10항에 있어서, 프로그래밍 사이클의 끝까지 실제로 불변으로 남아 있는 설정 값으로 증가하도록 제공된 상기 전압 펌프 펄스의 프로그램 시간을 상기 프로그램 시간 제어 신호가 일으키는 것을 특징으로 하는, 비-휘발성 메모리 시스템을 프로그래밍하는 방법.
- 제 10항에 있어서, 상기 프로그램 시간을 초기의 제1의 값으로 설정하는 단계를 더 포함하고, 상기 프로그램 시간 제어 신호는 프로그램 시간이 제 1의 값보다 더 높은 제 2의 값으로 증가하도록 유도하는 것을 특징으로 하는, 비-휘발성 메모리 시스템을 프로그래밍하는 방법.
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