KR20070038006A - 표시 장치 - Google Patents

Abstract

각 화소에 표시 소자를 구비하는 표시 장치에서 검사 정밀도를 향상한다. 각 화소에는, 표시 소자와, 이 표시 소자의 동작을 제어하는 화소 트랜지스터와, 표시 데이터에 따른 전하를 일정 기간 유지하는 축적 용량을 구비한다. 통상 동작 시에는 각 축적 용량에 접속된 용량 라인에 출력 용량 신호를 소정 주기로 교류 구동함으로써, 표시 품질 등의 향상을 도모한다. 한편, 화소의 결함 검사 등에서는, 용량 라인에 출력하는 용량 신호를 고정 레벨로 하는 구성을 화소 회로 등과 동시에 기판 상에 형성해 둔다. 이에 따라, 검사 시에, 각 화소의 결함 검사를 각 화소에서의 용량치 데이터 등으로부터 검출하는 경우에, 검사 정밀도를 향상시키는 것을 가능하게 한다. 또한, 검사 시에, 고정 레벨을 검사에 적합한 임의의 검사용 전압으로 설정 가능하게 해도 된다.

화소, 레지스터, 축적 용량, 잔상

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}

도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 발광 표시 장치의 개략 등가 회로를 도시하는 설명도.

도 2는 실시 형태1에 따른 V 드라이버의 회로 구성의 일례를 도시하는 도면.

도 3은 도 2의 구성의 일부를 확대한 도면.

도 4는 도 2의 회로 구성의 동작을 도시하는 타이밍차트.

도 5는 실시 형태2에 따른 V 드라이버의 회로 구성의 일례를 도시하는 도면.

도 6은 실시 형태3에 따른 V 드라이버의 회로 구성의 일례를 도시하는 도면.

도 7은 도 6의 회로 구성의 동작을 도시하는 타이밍차트.

도 8은 도 6의 회로 구성을 일반화한 논리 회로 구성을 설명하는 도면.

도 9는 도 8의 회로 구성의 동작을 도시하는 타이밍차트.

도 10은 본 발명의 실시 형태에 따른 액정 표시 장치의 개략 등가 회로를 도시하는 설명도.

도 11은 도 10의 회로 구성의 통상 표시 동작 시의 구동 파형을 도시하는 도면.

도 12는 종래의 발광 표시 장치의 1 화소에 관한 등가 회로를 도시하는 도면.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

10:선택 라인

12:용량 라인

14:데이터 라인

16:전원 라인

100:표시부

110:패널 기판

200:드라이버(주변 구동 회로)

210:H 드라이버

220:V 드라이버

222:수직 전송 레지스터

224:전송 제어 게이트

228:논리 제어 게이트

230:신호 발생 논리부

232:논리곱 회로

234:선택 라인용 NOR 회로

240, 250:용량 라인용 NOR 회로

260, 280:선택 신호 작성부(선택 신호용 논리곱 회로)

300, 600:용량 신호 고정부

302:레벨 설정부

[특허문헌1] 일본 특허 공개 평성 11-24604호

[특허문헌2] 일본 특허 공개 2003-150127호

본 발명은, 각 화소의 표시 소자로서, 예를 들면 유기 EL 소자 등을 이용한 표시 장치의 검사에 관한 것이다.

각 화소의 표시 소자로서, 전류 구동형의 발광 소자인 유기 EL 소자를 이용한 표시 장치가 알려져 있고, 특히 각 화소에 설치된 유기 EL 소자를 화소마다 개별적으로 구동하기 위한 트랜지스터(박막 트랜지스터:TFT)를 각 화소에 구비하는 소위 액티브 매트릭스형 표시 장치의 개발이 진행되고 있다.

이와 같은 액티브 매트릭스형 표시 장치에서, 수평 주사 방향(행 방향)에 게이트 라인 GL, 수직 주사 방향(열 방향)은 데이터 라인 DL 및 전원 라인 PL이 설치되고, 이들에 의해 화소가 정의된다. 각 화소의 등가 회로로서는, 도 12에 도시하는 바와 같은 것이 알려져 있고, 각 화소는, n채널형 TFT로 이루어지는 선택 트랜지스터 Ts, 축적 용량 Cs, p채널형 TFT로 이루어지는 소자 구동 트랜지스터 Td, 유기 EL 소자 EL을 갖는다. 선택 트랜지스터 Ts는, 그 드레인이 수직 주사 방향으로 배열된 각 화소에 대하여 데이터 전압을 공급하는 데이터 라인 DL에 접속되고, 그 게이트는 수평 주사 방향으로 배열된 화소를 선택하는 게이트 라인 GL에 접속되고, 그 소스는, 소자 구동 트랜지스터 Td의 게이트에 접속되어 있다.

또한, 소자 구동 트랜지스터 Td는, 그 소스가 전원 라인 PL에 접속되고, 드레인은 유기 EL 소자 EL의 애노드에 접속되어 있다. 또한, 이 유기 EL 소자 EL의 캐소드는, 각 화소 공통으로 형성되고, 캐소드 전원 CV에 접속되어 있다. 또한, 소자 구동 트랜지스터 Td의 게이트 및 선택 트랜지스터 Ts의 소스 사이에는, 축적 용량 Cs의 한쪽의 전극이 접속되고, 이 축적 용량 Cs의 다른 쪽의 전극은, 예를 들면 그라운드 등의 일정 전압의 전원에 접속되어 있다.

이와 같은 회로에서, 게이트 라인 GL이 H 레벨로 되면, 선택 트랜지스터 Ts가 온으로 되어 데이터 라인 DL의 데이터 전압이, 선택 트랜지스터 Ts를 통하여 소자 구동 트랜지스터 Td의 게이트에 공급되고, 축적 용량 Cs에 데이터 전압에 따른 전압이 유지된다. 이에 따라, 소자 구동 트랜지스터 Td가 그 게이트 전압(축적 용량 Cs에 유지된 전압)에 따른 구동 전류를 흘리고, 게이트 라인 GL이 L 레벨로 되어도, 축적 용량 Cs에 유지된 전압에 따라, 소자 구동 트랜지스터 Td는 유기 EL 소자 EL에 구동 전원 PVDD에 접속된 전원 라인 PL로부터의 구동 전류를 공급하고, 유기 EL 소자 EL은, 이 구동 전류에 따른 강도로 발광한다.

또한, 본 발명에 관련되는 문헌으로서는, 상기 특허 문헌1 및 특허 문헌2를 들 수 있다.

상기 유기 EL 소자는, 전류의 공급·정지에 대한 응답성이 매우 좋고, 본질적으로는 잔상이 발생하기 어려운데도 불구하고, 전술한 바와 같은 화소 회로를 이 용하는 표시 장치에서, 잔상이 발생하여, 표시 품질이 열화한다는 문제가 있다. 이것은, p채널형의 소자 구동 트랜지스터의 히스테리시스에 기인하고 있다고 생각된다. 즉, 소자 구동 트랜지스터는, 축적 용량에 유지되고 게이트에 공급되는 데이터 전압에 따라, 전원 Pvdd로부터의 구동 전류를 거의 1 프레임 기간에 걸쳐 흘리고, 다음의 데이터 전압이 축적 용량 Cs에 기입됨으로써, 다음의 프레임 기간, 새로운 데이터 전압에 따른 구동 전류를 흘린다. 이와 같이 1 프레임 기간 중 소자 구동 트랜지스터 Td는, 동일한 전류를 계속하여 흘리기 때문에, 그 상태가 기억되고, 다음의 데이터 전압이 공급된 경우에도, 전에 기입된 데이터 전압의 영향이 남게 된다. 이 현상은, 데이터 전압이 중간 레벨인 경우에 현저해지고, 또한, 데이터 전압의 변화가 큰 동화상을 표시하는 경우에 특히 문제로 된다.

따라서, 본 발명에서는, 이와 같은 잔상의 발생의 개선을 도모한다.

또한, 본 발명에서는, 교류 구동되는 용량 라인을 제어함으로써 표시 영역에서의 검사 정밀도를 유지하고, 또는 정밀도 향상을 도모한다.

본 발명은, 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 화소를 구비하는 표시 영역과, 상기 표시 영역 내의 상기 복수의 화소를 구동하기 위한 구동 회로를 구비하는 표시 장치로서, 상기 표시 영역에서, 상기 복수의 화소의 각각은, 표시 소자와, 상기 표시 소자를 표시 데이터에 따라 제어하는 화소 트랜지스터와, 상기 표시 데이터를 소정 기간 유지하기 위한 축적 용량을 구비하고, 상기 축적 용량은, 제1 전극 및 제2 전극을 구비하고, 상기 제1 전극은, 상기 화소 트랜지스터와 상기 표시 소자 사이에 접속되고, 상기 제2 전극은, 용량 라인에 접속된다. 상기 구동 회로는, 적어도 수직 방향 구동부 및 용량 신호 고정부를 갖고, 상기 수직 방향 구동부는, 상기 용량 라인에 대하여, 소정의 교류 신호를 용량 신호로서 출력하는 용량 신호 작성부를 구비하고, 상기 용량 신호 고정부는, 상기 용량 신호 작성부로부터 출력되는 상기 용량 신호를 선택적으로, 직류 레벨에 고정한다.

또한 본 발명의 다른 양태에서는, 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 화소를 구비하는 표시 영역과, 상기 표시 영역 내의 상기 복수의 화소를 구동하기 위한 구동 회로를 구비하는 표시 장치로서, 상기 표시 영역에서, 상기 복수의 화소의 각각은, 표시 소자와, 상기 표시 소자를 표시 데이터에 따라 제어하는 화소 트랜지스터와, 상기 표시 데이터를 소정 기간 유지하기 위한 축적 용량을 구비하고, 상기 축적 용량은, 제1 전극 및 제2 전극을 구비하고, 상기 제1 전극은, 상기 화소 트랜지스터와 상기 표시 소자 사이에 접속되고, 제2 전극은, 용량 라인에 접속되고, 상기 표시 영역의 수평 주사 방향으로는, 대응하는 화소의 화소 트랜지스터를 선택하기 위한 선택 라인과, 상기 축적 용량의 상기 제2 전극의 전위를 제어하는 용량 라인이 연장 형성되고, 상기 구동 회로는, 적어도 수직 방향 구동부 및 용량 신호 고정부를 갖고, 상기 수직 방향 구동부는, 1 수직 주사 기간의 개시 타이밍을 나타내는 수직 스타트 신호에 기초하여, 대응하는 행의 상기 화소 트랜지스터를 선택하기 위해 상기 선택 라인에 순차적으로 출력하는 선택 신호와, 상기 수직 스타트 신호에 기초하여 1 수평 주사 기간 중에 제1 전압 레벨 기간과 제2 전압 레벨 기간이 설정되고, 상기 용량 라인에 순차적으로 출력되는 용량 신호를 작성하고, 상기 용량 신 호 고정부는, 상기 수직 방향 구동부로부터 출력되는 상기 용량 신호를 선택적으로 직류 레벨에 고정한다.

본 발명의 다른 양태에서는, 상기 표시 장치에서, 상기 용량 신호 작성부는, 상기 용량 라인에 상기 용량 신호를 출력하기 위한 논리 회로를 갖고, 상기 논리 회로의 1개의 입력단에는, 상기 용량 신호 고정부로부터의 소정 레벨의 고정 제어 신호가 공급되고, 해당 고정 제어 신호에 따라 상기 논리 회로로부터의 상기 용량 신호의 출력 레벨이 고정된다.

본 발명의 다른 양태에서는, 상기 표시 장치에서, 또한, 상기 용량 신호 작성부로부터 출력되는 상기 용량 신호의 상기 전압 레벨을 설정하는 레벨 설정부를 구비한다.

본 발명의 다른 양태에서는, 이 레벨 설정부는, 상기 용량 신호 고정부로부터 고정 제어 신호가 출력되는 것을 검출하여, 상기 용량 신호 작성부의 용량 신호 출력부에서 해당 용량 신호의 전압치를 결정하기 위한 출력부 전원 전압의 레벨을 설정할 수 있다.

또한, 상기 상기 레벨 설정부는, 레벨 설정용 단자를 갖고, 해당 레벨 설정용 단자에 접속되는 설정용 전원에 따라 상기 용량 신호의 상기 전압 레벨을 설정할 수 있다.

본 발명의 다른 양태에서는, 상기 용량 신호 고정부는, 고정 제어용 단자를 갖고, 해당 고정 제어용 단자에 접속되는 전원 전압에 따라 상기 용량 신호의 직류 레벨에의 고정 제어를 행한다.

또한, 본 발명의 다른 양태에서는, 상기 용량 신호 고정부는, 상기 표시 영역에서의 동작 검사 모드에서, 상기 용량 신호의 레벨을 고정할 수 있다.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해, 도면에 기초하여 설명한다.

(실시 형태1)

본 실시 형태에서, 표시 장치는, 여기에서는, 액티브 매트릭스형의 EL 표시 장치를 예로 설명한다. 이 EL 표시 장치는, 복수의 화소가, 글래스 등의 패널 기판 상(110)에 매트릭스 형상으로 배치되어 있다. 도 1은, 이 실시 형태에 따른 액티브 매트릭스형 표시 장치의 등가 회로 구성을 도시하는 도면이다. 또한, 도 2는, 도 1의 V 드라이버 및 용량 고정 제어부의 보다 구체적인 회로 구성을 도시하고 있다. 패널 기판(110)의 매트릭스의 수평 주사(행) 방향으로는, 순차적으로 선택 신호가 출력되는 게이트 라인(선택 라인)(10)(GL)이 형성되어 있고, 수직 주사(열) 방향으로는, 데이터 신호가 출력되는 데이터 라인(14)(DL)과, 피구동 소자인 유기 EL 소자에 동작 전원(PVDD)을 공급하기 위한 전원 라인(16)(PL)이 설치되어 있다.

각 화소는, 대강 이들의 라인에 의해 정의되는 영역에 설치되어 있고, 각 화소의 회로 구성은, 피구동 소자로서 유기 EL 소자를 갖고, 화소 트랜지스터로서, n채널의 TFT로 구성된 선택 트랜지스터 Tr1 및 p채널의 TFT로 구성된 소자 구동 트랜지스터 Tr2를 갖고, 또한 축적 용량 Cs를 갖는다.

선택 트랜지스터 Tr1은, 그 드레인이 수직 주사 방향으로 배열되는 각 화소에 데이터 전압을 공급하는 데이터 라인(14)에 접속되고, 게이트가 1 수평 주사 라인 상에 배열되는 화소를 선택하기 위한 게이트 라인(10)에 접속되고, 그 소스는 소자 구동 트랜지스터 Tr2의 게이트에 접속되어 있다.

소자 구동 트랜지스터 Tr2는, 그 소스가 전원 라인(16)에 접속되고, 드레인이 유기 EL 소자 EL의 애노드(양극)에 접속되어 있다. 또한, 유기 EL 소자 EL의 캐소드(음극)는 각 화소 공통으로 형성되어 있고 캐소드 전원 CV에 접속되어 있다.

또한, 소자 구동 트랜지스터 Tr2의 게이트 및 선택 트랜지스터 Tr1의 소스에는, 축적 용량 Cs의 제1 전극이 접속되고, 이 축적 용량 Cs의 제2 전극은 용량 라인(12)(SC)에 접속되어 있다. 용량 라인(12)은, 선택 라인(10)과 평행하게 행 방향으로 연장 형성되어 있고, 후술하는 바와 같이 각 화소에서의 잔상을 개선하기 위해, 주기적으로 전압이 변동하는 용량 신호가 공급된다.

또한, 상기 선택 트랜지스터 Tr1 및 소자 구동 트랜지스터 Tr2는, 모두, 능동층으로서 반도체 재료가 이용되고, 예를 들면 레이저 어닐링 등에 의해 다결정화된 다결정 실리콘 등, 결정성 실리콘이 이용되고, 또한 불순물로서 각각 n도전형과, p도전형이 도프된 n채널형, p채널형의 박막 트랜지스터(TFT)로 구성할 수 있다. 또한，TFT의 능동층으로서는, 다결정 실리콘에 한정되지 않고, 소위 아몰퍼스 실리콘을 채용할 수도 있다.

화소 회로의 트랜지스터로서, 상기와 같이 결정성 실리콘을 능동층에 이용한 TFT를 채용한 경우, 이 결정성 실리콘 TFT는, 각 화소 회로뿐 아니라, 각 화소를 순차적으로 선택, 제어하기 위한 주변 구동 회로의 회로 소자로서도 이용할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태에서는, 표시부(100)가 형성되는 패널 기판(110)에서, 화소 회로용 트랜지스터의 제조와 동시에, 또한 표시부(100)의 외측에, 화소 회로 와 마찬가지의 결정성 실리콘 TFT를 형성하고, 주변 구동 회로(200)를 내장한다. 또한, 표시부(100)는, 전술한 바와 같은 구성의 복수의 화소가 매트릭스 형상으로 배치되어 있다.

구동부(드라이버)(200)는, 표시부(100)의 각 화소를 구동하기 위한 각종 제어 신호를 출력한다. 구체적으로는, 구동부(200)는, H 드라이버(수평 방향 구동 회로)(210)와, V 드라이버(수직 방향 구동 회로)(220)를 갖고，H 드라이버(210)는, 매트릭스의 열 방향으로 연장되는 복수의 데이터 라인(14)에 대하여 대응하는 데이터 신호를 출력한다.

V 드라이버(220)는, 매트릭스의 행 방향으로 연장되는 복수의 선택 라인(10)에 대하여, 1 수평 주사(1H) 기간마다 제1 TFTr1을 온시키기 위한 선택 신호를 작성하여 순차적으로 출력하는 선택 신호 작성부(선택 신호 출력부)와, 주기적으로 용량 라인(12)의 전위를 변동시키는 축적 용량 신호를 작성하여 출력하는 용량 신호 작성부(용량 신호 출력부)를 구비한다.

또한, 본 실시 형태에서는, 상기 용량 신호 출력부로부터의 축적 용량 신호를 선택적으로 고정하는 용량 신호 고정부(300)를 내장한다. 이 용량 신호 고정부(300)는, 표시 장치의 통상 표시 시에는 용량 신호의 출력을 제한하지 않고(교류의 용량 신호의 출력을 허가), 한편, 공장 출하 시 등, 표시 패널의 결함 검사를 행할 때에는, 용량 신호의 전압 레벨을 고정하여 직류 신호로 한다.

본 실시 형태에서, 상기 용량 신호 작성부의 적어도 신호 출력부는, 후술하는 바와 같이 각 행마다 설치된 논리 회로(여기서는 NOR 회로)(240)로 구성하고 있 고, 바꾸어 말하면 디지털적인 신호 처리 구성을 구비한다. 이 때문에, 용량 신호 고정부(300)는, 적어도 소정의 외부 전원에 접속 가능한 셀렉터 단자(고정 제어용 단자) Tsc를 구비하면 되고, 이 셀렉터 단자 Tsc로부터 용량 신호 작성부의 논리 회로(240)에 소정 레벨의 용량 고정 제어 신호(고정 제어 신호)를 출력함으로써, 논리 회로(240)의 다른 입력단에 공급되는 신호에 상관없이, 이 논리 회로(240)의 출력 레벨을 고정할 수 있다. 특히, 본 실시 형태의 구성에서는, 셀렉터 단자 Tsc에, 고정 제어용 전원으로서, VVDD를 외부로부터 접속·공급함으로써, 용량 신호 출력부(NOR 회로(240))의 1 입력을 H 레벨에 고정할 수 있고, 자동적으로 NOR 회로(240)의 출력을 여기에서는 L 레벨에 고정하고 있다.

또한, 본 실시 형태에서 용량 신호 고정부(300)는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 상기 셀렉터 단자 Tsc에 추가로, 스위치 소자(310)를 구비한다. 이 스위치 소자(310)는, 화소 회로, 주변 구동부(200)와 동일 구조의 박막 트랜지스터, 보다 구체적으로는, 예를 들면 n채널형 TFT에 의해 구성할 수 있다. n채널형 TFT의 경우, 게이트는 고전압원(VVDD)에 접속되고, 드레인(또는 소스)은 GND에 접속(접지)되어 있다. 또한 저압측 전원 VVSS에 접속되어 있는 경우도 있다. 소스(또는 드레인)에는, 셀렉터 단자 Tsc에 접속되고, 또한, 레벨 시프터(320), 버퍼(330)를 통하여 용량 신호 출력부에 접속되어 있다.

n채널형 TFT(310)는, 항상 온 상태이지만, 화소 회로의 결함 검사 등, 소정의 검사 모드에서는, 셀렉터 단자 Tsc에 VVDD 전원이 선택적으로 접속됨으로써, 용량 신호 출력부에는, 셀렉터 단자 Tsc의 VVDD에 따른 H 레벨 신호가 공급된다. 반 대로, 소정의 결함 검사 이외의 검사 시나, 검사 종료 후의 공장 출하 시(유저 사용 시:통상 동작 시)에는, 셀렉터 단자 Tsc는 예를 들면 저압측 전원인 VVSS나 GND에 접속되고, 혹은 플로팅으로 설정된다. 전술한 바와 같이 TFT(310)는 항상 온하고 있기 때문에, 셀렉터 단자 Tsc가 플로팅으로 설정되면，TFT(310)의 드레인(또는 소스)에 접속되어 있는 전원(GND 또는 VVSS)의 전압에 따른 L 레벨 신호가 TFT(310)를 통하여 용량 신호 작성부(출력부)에 공급된다. 또한, 여기에서, 항상 온 상태의 TFT(310)에서의 전력 소비를 저감하는 관점으로부터, TFT(310)의 상기 드레인(또는 소스)이 GND에 접속되어 있는 경우, 통상 동작 시 또는 다른 검사 시에 셀렉터 단자 Tsc에 접속되는 L 레벨 전원으로서는 GND가 바람직하고, VVSS가 접속되어 있는 경우에는 셀렉터 단자 Tsc에 접속되는 L 레벨 전원은 VVSS로 하는 것이 바람직하다.

다음으로, 도 1에 도시하는 회로 구성에서, 통상 동작 모드 시의 동작·구동 방법에 대해 설명한다. 각 화소 회로에서, 선택 라인(10)에 출력되는 선택 신호가 H 레벨로 되면, 선택 트랜지스터 Tr1이 온하고, 데이터 라인(14)의 데이터 신호에 따른 데이터 전압이 선택 트랜지스터 Tr1의 드레인 소스 드레인 간을 통하여, 소자 구동 트랜지스터 Tr2의 게이트 및 축적 용량 Cs의 제1 전극에 인가된다.

축적 용량 Cs는, 그 제1 전극에 인가된 데이터 전압과, 제2 전극에 접속된 용량 라인(12)으로부터 공급되는 용량 제어 전압의 전위차에 따른 전압을 유지한다. 본 실시 형태에서，데이터 전압의 기입 시에는, 용량 라인(12)의 용량 신호의 전압은, 제1 전압 레벨 Vsc1로서 예를 들면 그라운드 레벨(0V) 등의 낮은 일정 전 압으로 유지되어 있고, 축적 용량 Cs의 제1 전극에 인가되는 데이터 전압이, 소자 구동 트랜지스터 Tr2의 게이트 전압으로서 유지된다. 더 정확하게는, 해당 데이터 전압이, 용량 라인(12)에 인가되는 제1 전압 레벨과의 전위차로서 축적 용량 Cs에 유지된다. 소자 구동 트랜지스터 Tr2가 p채널형이기 때문에, 데이터 전압은, 전원 전압 PVDD에 대하여 어느 정도 낮은지에 따라 소자 구동 트랜지스터 Tr2가 흘리는 구동 전류를 결정하고 있어서, 데이터 전압이 전원 전압에 대하여 낮을수록 구동 전류가 크고, 즉, 유기 EL 소자의 발광 휘도가 커진다.

선택 라인(10)의 선택 신호가 L 레벨로 되어, 선택 트랜지스터 Tr1이 오프 상태로 되어도, 축적 용량 Cs가 데이터 신호에 따른 전압을 유지한다. 따라서, 소자 구동 트랜지스터 Tr2는 유기 EL 소자 EL에의 구동 전류의 공급을 유지하고, 데이터 전압에 따라 유기 EL 소자 EL이 발광한다.

본 실시 형태에서는, 대응하는 화소가 다음의 수직 주사(1 프레임) 기간에 선택되어 새로운 데이터 신호가 기입될 때까지, 앞의 데이터 신호에 따라 유기 EL 소자를 계속 발광시키는 것은 아니고, 데이터 전압에 따라 소정 기간 유기 EL 소자를 발광시킨 후, 다음의 프레임 기간까지의 동안에, 소자 구동 트랜지스터 Tr2를 오프 제어하여, 유기 EL 소자를 소등시킨다.

구체적으로는, 용량 라인(12)에 출력하는 용량 신호의 제1 전압 레벨 Vsc1을 소정 기간 경과 후, 소자 구동 트랜지스터 Tr2를 오프 제어하기 위해 충분히 높은 제2 전압 레벨 Vsc2(예를 들면 10V)로 승압시킨다. 이 축적 용량 Cs의 제1 전극은, 전술한 바와 같이 소자 구동 트랜지스터 Tr2의 게이트 및 선택 트랜지스터 Tr1 의 소스에 접속되어 있고, 이 축적 용량 Cs의 제2 전극의 전위가 용량 라인(용량 제어 라인) SC에 의해 제2 전압 Vsc2로 승압되면, 승압분 ΔV(Vsc2-Vsc1)에 따라 축적 용량 Cs의 제1 전극 전위가 상승한다. 또한, 전원 전압 PVDD는, 예를 들면 8V로 설정되어 있다. 따라서, 용량 신호가 제2 전위 레벨 Vsc2로 상승하면, 소자 구동 트랜지스터 Tr2의 게이트 전압 Vg는, 소스 전위인 전원 전압 PVDD보다 높아져서(낮은 경우에도, 해당 트랜지스터 Tr2의 동작 임계치 Vthp보다 작은 전위차로 됨), 소자 구동 트랜지스터 Tr2는 오프한다.

이 때문에, 임의의 화소에 대해 주목한 경우에, 이 주목 화소가 다음의 프레임 기간에 다시 선택되어 새로운 데이터 신호에 따라 유기 EL 소자가 발광하기 전에, 소자 구동 트랜지스터 Tr2가 오프 제어되고, 유기 EL 소자가 강제적으로 소등 되게 된다. 이와 같이 일단 소자 구동 트랜지스터 Tr2가 오프 제어되어 유기 EL 소자가 소등되어, 잔상의 개선 효과가 얻어진다.

본 실시 형태에서는, 또한, 소자 구동 트랜지스터 Tr2의 게이트 절연막에 캐리어(정공)가 트랩되어 있던 경우에도, 다음의 프레임 기간의 표시가 개시되기 전에, 소자 구동 트랜지스터 Tr2의 게이트 전압 Vg가 축적 용량 Cs의 제1 전극의 승압 ΔV에 따라 승압되기 때문에, 상기 트랩되어 있던 캐리어가, 게이트로부터 저전위의 소스에 터널 전류로 되어 뽑아내어진다. 따라서, 소자 구동 트랜지스터 Tr2의 전기적 특성이 일단 초기화되어, 확실하게 유기 EL 소자에의 구동 전류의 공급을 일단 완전하게 정지할 수 있다.

본 실시 형태에서는, 이 용량 전압(용량 제어 전압) 절환을 위한 구성을 패 널 기판 상에 내장시키고 있다. 외장 IC에 의해 용량 라인(12)의 전압을 제어하는 것도 가능하지만, 그 경우, 외장 회로로부터의 신호를 받는 패널 접속 단자 수에는 제한이 있기 때문에, 전용량 라인(12)을 일괄적으로 제어하는 것이 바람직하고, 귀선 기간 중에 일괄적으로 용량 신호의 전위를 승압하게 된다. 그러나, 내장 드라이버 중에 용량 제어 전압 절환을 위한 구성을 설치함으로써, 행마다 제어하는 것이 용이해지고, 그 때문에, 승압 기간도 임의로 설정하는 것이 가능해진다. 또한 행마다 용량 라인(12)의 전위를 제어함으로써, 어느 화면 상의 어느 행 위치의 화소에 대해서도 동등한 기간, 소자 구동 트랜지스터 Tr2의 오프 제어를 하는 것이 가능해진다. 외장 IC에서 귀선 시간 중에 일괄적으로 전용량 라인(12)의 전위를 승압하는 경우, 수직 귀선 시간 직전에 선택되는 화소에 대해서 보면, 데이터 신호를 축적 용량에 기입한 후, 즉시 용량 라인으로부터 해당 축적 용량에 고전압이 인가되게 되기 때문에, 선택 트랜지스터의 리크 전류가 커져서 표시해야 했던 데이터가 손실되기 쉬워져, 표시 품위가 저하할 가능성이 있다. 그러나, 내장함으로써 표시 품위의 저하를 방지할 수 있다.

또한，외부 IC로부터 용량 라인(12)의 전압을 제1 및 제2 전압 레벨 사이에서 제어하면, 실제의 소자 구동 트랜지스터의 게이트 도달 전압은, 배선 저항이나 배선에 대한 기생 용량 등의 영향으로 저하하고, 외부 IC로부터의 출력 전압의 진폭을 크게 하는 등 외부 IC의 구동 능력이 요구되고, 혹은 외부 IC에서의 소비 전력이 커진다. 패널에 내장되는 드라이버 내에 이와 같은 용량 라인(12)에 출력하는 용량 신호를 작성하는 회로를 설치하면, 전술한 바와 같이 그 진폭은 선택 신호 등과 큰 차가 없으므로, 선택 신호 작성 회로의 전원 등을 공통 이용하는 등에 의해, 드라이버의 소비 전력의 상승을 최소한으로 하면서 필요한 진폭의 용량 신호를 간이한 구성에 의해 작성할 수 있다. 또한, 내장 드라이버에서 작성한 용량 신호를 용량 라인에 출력하기 때문에, 제2 전압 레벨 Vsc2를 출력했을 때의 소자 구동 트랜지스터의 게이트 전압 Vg의 목표 도달 전위가, 외부 IC에 의한 제어와 비교하여 예를 들면 10%~20% 정도, 또는 그 이상 높아지고, 또한 도달 시간의 단축을 도모하는 것도 용이해진다.

이상과 같이 용량 제어 전압 절환을 위한 구성을 패널 내에 내장함으로써, 표시 품질을 높이는 것이 보다 확실해진다. 한편, 구동 회로가 내장되어 있는 경우, 그 회로 동작은, 패널의 공장 출하 전에서의 각 화소 회로의 결함 검사에서도, 정해진 대로, 즉 일반적으로 통상 사용 시와 마찬가지로만 동작한다. 즉, 본 실시 형태의 경우이면, 용량 신호의 레벨이 크게 변동한다. 그러나, 각 화소 회로의 결함 검사에 있어서는, 화소 회로의 미세한 용량을 측정하고, 축적 용량 Cs나 구동 트랜지스터 등에서의 결함 등을 판정하기 때문에, 측정 시에, 용량 라인의 전위가 크게 변동하면, 각 화소의 용량치의 변동이 커서, 정밀도 좋게 미소한 용량 변화를 측정할 수 없다.

이에 반하여, 본 실시 형태에서는 용량 전압(용량 제어 전압) 절환의 구성을 내장함과 함께, 용량 신호 고정부(300)를 내장하고, 용량 전압 레벨을 요구에 따라 고정할 수 있다. 구체적으로는, 화소 회로의 결함 검사 모드나, 잔상 검사 모드 일 때에는, 제어 단자 Tsc에 VVDD 등의 고전압 전원을 공급하고, 이 전원 전압을 H 레벨 신호로서, 용량 신호 작성부에 입력한다. 이에 따라, 도 2 등에 도시하는 바와 같이, NOR 회로로 구성되는 논리 회로(240)의 출력은, 다른 쪽의 입력 신호에 상관없이, L 레벨에 고정된다. 따라서, 용량 제어 라인 SC의 전위 변동이 없는 상태에서, 순차적으로 각 화소를 선택하여 검사용 데이터 신호를 기입함으로써, 화소 회로의 결함 검출을 실행할 수 있다. 화소 회로의 결함 검출은, 예를 들면, 각 화소에 검사용 데이터를 기입한 후, 데이터 라인의 전위 변동을 측정하거나, 혹은 용량 제어 라인의 전위 변동을 측정하는 등에 의해 실행할 수 있다.

또한, 상기 화소 회로의 결함 검사나 잔상 검사 이외의 검사, 구체적으로는, 예를 들면, 표시 장치, 전압 마진 검사 등 실제로 동작을 수반하는 검사의 경우, 통상 동작 시와 마찬가지로, 적어도 셀렉터 단자 Tsc는, 고전압 레벨에는 고정되지 않는다. 즉, 그때, 용량 신호 작성부에 출력되는 고정 제어 신호의 레벨은, 셀렉터 단자 Tsc에 접속되는 저압 전원이나, TFT(310)를 통하여 공급되는 저압 전원에 따른 저전압 레벨로 된다. 이 때문에, 논리 회로(240)로부터의 용량 신호의 레벨은 고정되지 않고, 논리 회로(240)의 제2 입력에 공급되는 레지스터 출력 타이밍 차에 따른 신호 G_(k-1)-k에 따라 변화된다. 즉, 용량 신호는 통상 표시 동작 시와 마찬가지로 소정 타이밍에서 그 레벨이 변화한다(교류 구동된다).

이하, 본 실시 형태에 따른 용량 라인(12)의 제어 회로 및 용량 신호 고정부(300)를 패널 내에 내장한 경우의 보다 구체적인 드라이버 구성 및 동작예에 대해, 도 2~도 4를 참조하여 설명한다.

먼저, H 드라이버(210) 및 V 드라이버(220)의 기본 구성을 설명한다. H 드라이버(21O)는, 도면에는 구체적으로는 도시하고 있지 않지만, 표시부(1OO)의 열 수 m에 따른 단 수의 레지스터를 갖는 수평 전송 레지스터, 샘플링 회로 등을 구비한다. 수평 전송 레지스터는, 1 수평 주사 기간의 개시를 지시하는 H 스타트 신호 STH를 1 수평 주사 방향의 화소 수에 따른 주파수의 수평 클럭 CKH에 따라 순차적으로, 다음단(이웃 열)의 레지스터에 전송한다. 또한, 샘플링 회로는, 예를 들면, R, G, B, W(화이트) 각각의 표시 신호 Vdata를, 수평 전송 레지스터의 각 단의 레지스터로부터 순차적으로 출력되는 STH에 따른 선택 신호에 의해 샘플링하고, 이것을 데이터 신호 DL로서 대응하는 데이터 라인(14)에 출력한다.

V 드라이버(220)는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 표시부(100)의 행 수 n에 따른 단 수 k(도 2에서는 k=n+2)의 레지스터를 갖는 수직 전송 레지스터(222), 레지스터 VSR의 데이터 전송 방향을 제어하는 전송 제어 게이트(224), 및 선택 신호와 용량 신호를 작성하는 신호 작성부(230)(신호 발생 논리부)를 갖는다. 신호 발생 논리부(230)는, 레지스터 VSR가 전송하는 V 스타트 신호 STV에 기초하여, 각 용량 라인(12)에 출력하는 용량 신호 SC1~SCk를 작성하는 논리부와, 각 선택 라인(10)에 순차적으로 출력하는 선택 신호 GL1~GLk를 작성하는 논리부를 갖는다. 또한, 상기 레지스터 VSR의 데이터 전송 방향의 제어와 마찬가지로, 신호 작성 논리부(230) 내에서 논리 연산할 인접 행을 절환하는 논리 제어 게이트(228)를 갖는다.

각 레지스터 VSR1~VSRk는, 1 수직 주사 기간의 개시를 지시하는 V(수직) 스 타트 신호 STV를, 1 수평 주사 기간의 2분의 1의 주파수의 수직 클럭 CKV에 따라 순차적으로, 이웃(이웃 행) 레지스터 VSR1~VSRk에 전송한다. 전송 제어 게이트 회로(224)는, 전송 방향 제어 신호 CSV에 따라 각 레지스터 VSR1~VSRk의 V 스타트 신호 STV의 전송 방향을 제어한다. 도 2의 예에서는, CSV가 H 레벨일 때, CSV가 게이트에 입력되는 n채널형 TFT가 모두 온하고, 반대로 CSV가 게이트에 입력되어 있는 p채널 TFT는 모두 오프함으로써, 레지스터 VSR1의 입력 단자 in에 V 스타트 신호 STV가 공급되고, 이 레지스터 VSR1의 출력 단자 out이 레지스터 VSR2의 입력 단자 in에 접속되고, 마찬가지로, 레지스터 VSR2의 출력 단자 out이 레지스터 VSR3의 입력 단자 in에 접속되도록, 레지스터에의 입출력이 절환 제어된다. 이 때문에, CSV가 H 레벨일 때에는, 도 4의 타이밍차트에 도시하는 바와 같이, 수직 전송 레지스터(222)의 데이터 전송 방향은, VSR1, VSR2, …, VSRk에 순차적으로 진행한다. 반대로 CSV가 L 레벨일 때에는, V 스타트 신호 STV가 VSRk의 입력 단자 in에 공급되고, VSRk, …VSR1로 순서대로 이 V 스타트 신호 STV에 따른 데이터가 전송된다.

여기서, 도 4에 도시하는 바와 같이, V 스타트 신호 STV는, 1 수직 주사(1 프레임) 기간의 처음에 스타트를 의미하는 H 레벨로 되어 1 프레임 내의 소정의 기간, 그 H 레벨을 유지하고, 잔여의 기간이 L 레벨로 된다. 이 V 스타트 신호 STV의 H 레벨 기간은, 통상은 1 수평 주사 기간 정도의 길이이지만, 본 실시 형태에서는, 예를 들면 200 수평 주사 기간분 정도로 길게 설정되어 있고, 이 H 레벨 기간의 길이가, 후술하는 바와 같이 각 용량 라인(12)에 출력하는 유지 제어 신호의 점등 기간의 길이를 결정하도록 논리 회로가 설치되어 있다. 또한, 도 4에서는, 도 시의 형편 상, 상기 H 레벨 기간의 길이는 4 수평 주사 기간 정도로 나타내고 있다. 물론 도 4에 도시하는 바와 같이 4 수평 주사 기간 정도의 H 레벨 기간으로 설정되는 경우도 있다.

이하, CSV 신호가 H 레벨이고, 순방향으로 데이터를 전송하는 경우를 예로, 구체적으로, 각 부의 동작을 설명한다. 먼저, V 스타트 신호 STV는, 수직 전송 클럭 CKV의 상승에서, 처음의 레지스터 VSR1에 수신되고, 동시에 레지스터 VSR1의 출력 SR1은 H 레벨로 된다. 이 출력 SR1의 H 레벨 기간은, 레지스터 VSR1에 공급되는 V 스타트 신호가 L 레벨로 되고나서 처음의 CKV의 상승 타이밍에서 L 레벨로 될 때까지 계속한다. 즉, 이 레지스터 출력 SR1의 H 레벨 기간은, V 스타트 신호 STV의 H 레벨 계속 기간(펄스 폭)에 따른 길이로 된다.

각 레지스터의 데이터 수신 타이밍은, 서로 수직 클럭 신호 CKV의 반주기마다 어긋나 있고, 따라서, 도 4에 도시하는 바와 같이, CSV의 다음의 하강 타이밍 (CSV 반전 신호(CSV2)의 상승)에서, 2번째의 레지스터 VSR2가 레지스터 VSR1의 출력 SR1을 수신하고, 이것에 따라 그 출력 SR2가 H 레벨로 된다. 이와 같이 하여, 순차적으로, 뒤의 행의 레지스터 VSR3, VSRk-1, VSRk가 전단 레지스터의 출력을 수신하여 이것을 전송해 간다. 따라서, 각 레지스터 VSR1~VSRk의 출력 SR1~SRk는, 도 4에 도시하는 바와 같이, 순차적으로, V 스타트 신호에 따른 기간 H 레벨을 유지하는 파형으로 된다.

수직 전송 레지스터(222)의 출력측에는, 신호 발생 논리부(230)의 논리곱 회로(232)가 설치되어 있다. 이 논리곱 회로(232)는, 인접단의 레지스터 출력 SRk-1 과 SRk의 NAND 연산하는 NAND 회로와, 그 출력측에 설치된 반전 기능을 갖는 레벨 시프터(L/S)에 의해 구성되어 있다.

여기에서, 도 2에 도시하는 중단의 레지스터 VSR7~VSR9의 출력 SR7~SR9로부터 6행째의 화소에 공급하는 선택 신호 GL7, 용량 신호 SC7을 작성하는 구성을 확대하여 나타낸 도 3을 더욱 참조하여, 이 중단의 레지스터 출력에 기초하는 선택 신호 GL7과, 용량 신호 SC7의 작성 수순을 설명한다. 레지스터 VSR7과 VSR8의 출력이, 대응하는 논리곱 회로(232-7)의 NAND 회로에서 NAND 연산되고, 또한 반전 기능을 갖는 L/S에 의해 그 NAND 출력의 레벨이 시프트되고, 또한 H, L 레벨을 반전하여 출력한다. 얻어진 반전 출력은 도 4에 G7-8로서 도시되어 있고, 논리곱 회로(232-7)에서, 레지스터 VSR7과 VSR8의 출력의 타이밍의 차이에 따라 논리곱 신호(G7-8)가 얻어진다. 또한, 레지스터 VSR8과 VSR9의 출력이, 대응하는 논리곱 회로(232-8)의 NAND 회로에서 NAND 연산되고, 또한, 반전 기능이 부가된 L/S에 의해 그 NAND 출력의 레벨이 시프트되고, 또한 레벨 반전되어 출력된다. 얻어진는 이 반전 출력은, 도 4에 G8-9로 나타나 있고, 논리곱 회로(232-8)에서, 레지스터 VSR8과 VSR9의 출력의 타이밍의 차이에 따라 논리곱 신호(G8-9)가 얻어진다.

상기 반전 기능을 갖는 레벨 시프터 L/S는, 후단의 NOR 회로를 통하여 선택 라인(10)에 출력되는 선택 신호의 레벨이, 대응하는 행의 선택 트랜지스터 Tr1을 확실하게 온 오프시키기 위해 필요한 레벨로 되도록 설치되어 있다. 구체적으로는, 논리곱 회로(232)의 NAND 회로의 출력의 L 레벨이 0V, H 레벨이 10V이었을 경우에, H 레벨이 -2V, L 레벨이 10V로 되도록 시프트·레벨 반전하고 있다. 이상과 같이 하여, 논리곱 회로(232-7, 232-8)로부터는, 도 4의 G7-8, G8-9와 같은 타이밍에서 논리곱 신호가 출력된다.

논리곱 신호 G7-8, G8-9는, 논리 제어 게이트(228)를 통하여 NOR 회로(234, 240)에 각각 공급된다. 논리 제어 게이트(228)는, CSV 신호가 H 레벨이기 때문에, 논리곱 회로(232-7)로부터의 출력 G7-8과, 논리곱 회로(232-8)로부터의 출력 G8-9가 6행째의 화소용의 NOR 회로(234-7, 240-7)의 각각에 공급되도록 절환 제어되어 있다.

6행째의 화소에 대하여 선택 신호 GL7을 출력하는 선택 신호용 NOR 회로(234-7)에는, 인버터(236-7)에서 반전된 논리곱 출력 G7-8의 반전 신호와, 8번째의 논리곱 출력 G8-9와, 1 수평 주사(1H) 기간의 절환 타이밍에서의 선택 신호의 출력을 금지하기 위한 인에이블 신호 ENB(본 실시 형태의 회로 구성에서는 실제로는 도 4에 도시하는 바와 같은 반전 인에이블 신호 XENB)가 공급된다.

따라서, 이 7번째의 NOR 회로(234-7)로부터는, 3개의 입력 신호의 모두가 L 레벨로 될 때에만, H 레벨(10V)로 되는 NOR 연산 신호가 출력된다. 여기에서, 7번째의 논리곱 회로(232-7)의 출력 G7-8의 반전 신호와, 8번째의 논리곱 회로(232-8)의 출력 G8-9 모두가 L로 되는 것은, 도 4에서 출력 G7-8이 H 레벨로 되고나서, 다음에 출력 G8-9가 H 레벨로 될 때까지의 CKV의 반주기(1H 기간)이고, 또한，XENB 신호의 1H의 최초와 최후의 기간 이외의 기간이다. 따라서, XENB 신호가 L 레벨로 된 타이밍으로부터 H 레벨로 상승할 때까지의 기간, NOR 회로(234-7)로부터, 도 4에 GL7로서 도시하는 바와 같이 H 레벨의 선택 신호 GL7이 출력된다. 또한，XENB 신호 및 ENB 신호는, 모두 외부 구동 IC로부터 예를 들면 0V, 3V의 진폭으로 공급되지만, 각 NOR 회로(234)에 공급되기 전에, 예를 들면 레벨 시프터 L/S에 의해, -2V, 10V의 진폭의 신호로 시프트되어 있다.

용량 신호를 출력하는 7번째의 NOR 회로(240-7)에는, 용량 신호 고정부(300)로부터의 모든 행에 대하여 공통의 출력과, 논리곱 회로(232-7)의 출력 G7-8이 입력되어 있다. 전술한 바와 같이, 결함 검사 모드에서는, 결함 검사용의 외부 IC로부터 용량 신호 고정부(300)의 셀렉터 단자 Tsc에 VVDD 전원이 공급되고, 용량 신호 고정부(300)의 출력은 H 레벨에 고정된다.

이 때문에, NOR 회로(240-7)로부터 출력되는 용량 신호 SC7은, L 레벨에 고정되고, 6행째의 화소의 축적 용량 제2 전극 전위는, 일정한 L 레벨로 유지된다. 이 때문에, 대응하는 용량 라인(12)의 축적 용량 SC는, 데이터 라인 DL로부터 스위칭 트랜지스터 Tr1을 통하여 공급되는 데이터 신호를, 용량 신호 SC7과의 전위차로서 유지한다.

한편, 통상 동작 모드(소정의 결함 검사 이외의 검사에서도 마찬가지)에서， 셀렉터 단자 Tsc는, GND에 접속되기 때문에(또는 플로팅), 용량 신호 고정부(300)로부터의 출력은, L 레벨로 된다. 이 때문에, NOR 회로(240-7)의 출력은, 논리곱 회로(232-7)의 출력 G7-8이 H 레벨로 되는 기간, L 레벨로 되는 용량 신호 SC7을 출력한다(논리곱 회로(232-7)의 출력의 반전 회로와 마찬가지로 기능한다).

통상 동작 모드에서는, 이와 같이, 용량 신호 SC가, L 레벨로부터 H 레벨로 변화함으로써, p채널형의 소자 구동 트랜지스터 Tr2의 게이트 전위를 상승시키고, 이 소자 구동 트랜지스터 Tr2를 오프 제어한다. 용량 신호 SC는, 그 L 레벨(제1 전압 레벨 Vsc1) 기간이, 각 논리곱 회로(232)로부터 출력의 H 레벨 기간과 동등하고, 1 수직 주사 기간의 내의 나머지의 기간이 H 레벨(제2 전압 레벨 Vsc2), 즉, 소자 구동 트랜지스터 Tr2의 오프 제어 기간(EL 소자의 소등 기간)으로 된다. 즉, 각 행의 EL 소자의 소등 기간은, V 스타트 신호 STV의 L 레벨 기간에 대응하고 있고, STV의 L 레벨 기간(펄스 폭)을 조정함으로써 소등 기간을 조정하는 것이 가능해진다.

또한, 도 4에 도시하는 바와 같이, 다음 행의 화소를 위한 선택 신호 GL8은, GL7이 H 레벨로 된 다음의 1 수평 주사 기간에 H 레벨로 된다. 결함 검사 모드이면 용량 신호 SC8은, 6행째의 용량 신호 SC7과 마찬가지로, 항상 H 레벨에 고정된다. 통상 동작 모드이면, 논리곱 출력 G8-9가 H 레벨인 기간, 다음 행의 용량 신호 SC8은, L 레벨을 유지하고, 논리곱 출력 G8-9가 L 레벨로 된 타이밍에서 H 레벨로 되고, 8행째의 각 화소의 EL 소자를 소등시킨다.

이와 같이, 셀렉터 단자 Tsc가 소정 L 레벨(GND 또는 VVSS) 또는 플로팅으로 설정된 때에만, 각 행의 용량 라인(12)에는, 행 마다 1 수평 주사 기간 어긋나고, 또한, 각각 동일한 기간, EL 소자를 소등시키는 H 레벨로 되는 용량 신호(용량 라인 제어 신호)가 출력된다. 이 EL 소등 기간(용량 신호의 승압 기간)은, 상기한 바와 같이 V 스타트 신호 STV에 의해 가변이고, 예를 들면 2ms 정도의 길이로 할 수 있고, EL 소자의 발광에 깜빡거림(플리커)이 발생하지 않는 범위에서 더 길게 할 수도 있고, 1 수직 주사 기간(1 프레임) 중의 16ms 중에서, 사람의 눈에 플리커 로서 인식되는 최장의 시간인 4ms 정도까지 연장 가능하다. 외장 IC에 의해, 수직 귀선 기간에 모든 용량 라인(12)에 대하여 소등 레벨로 되도록 제어하는 경우, 소등 기간으로서 확보할 수 있는 기간은 900㎲ 정도이다. 이에 반하여, 내장 드라이버에 의해 용량 라인(12)에 용량 신호를 작성함으로써, 행마다 각 화소의 소자 구동 트랜지스터 Tr2 및 EL 소자를 오프 제어하는 것이 가능해지고, 장기간 이 오프 제어 기간을 설정할 수 있어 확실하게 잔상을 해소하는 것이 가능해진다.

이상 설명한 바와 같이, 도 2에 도시하는 바와 같은 V 드라이버의 구성에 의해, 선택 신호는,

GLs=Gs-(s+1) AND XG(s+1)-(s+2)

로 나타나는 논리 연산에 의해 얻어진다. 또한, 여기서 s는, 화소의 행 수에서 1~n의 범위로 되고, XG는, 대응하는 G 신호의 반전 신호를 의미한다.

용량 신호는, 통상 동작 모드의 경우,

SCs=Gs-(s+1)의 반전에 의해 얻어진다.

또한, 도 2의 회로 구성에서, PVDD=8V, GND=0V, VVDD=10V, VVSS=-2V, CV=-2V 등의 전압을 준비하고, 용량 라인(12) 및 게이트 라인(10)에 출력하는 용량 신호 SC, 선택 신호 GL 모두, H 레벨=VVDD, L 레벨=VVSS로 설정할 수 있다. 이와 같은 전압 관계로 함으로써, 각 화소의 선택 트랜지스터 Tr1의 온 오프, 소자 구동 트랜지스터 Tr2의 온 오프, EL 소자의 점등, 소등을 확실하고 또한, 정확하게 제어하는 것이 가능해진다.

또한, 도 2에서, 레지스터는, 화소의 행 수 n+2와 동등한 k단 설치되어 있 다. 또한, 1행째의 화소의 앞 행의 더미 화소와, n행째의 화소의 다음 행의 더미 화소에 선택 신호 GL1, GLk-1, 용량 신호 SC1, SCk-1이 출력되어 있다. 이 더미 화소는 현실적으로 패널 위에 형성되어 있지 않아도 된다. 레지스터가 k단 설치되어 있는 것은, 도 2의 회로 구성에서는 전술한 바와 같이, s-1~s+1까지의 합계 3단의 레지스터 출력을 이용하여 s번째의 출력(s-1행 화소용 출력)을 작성하기 위해서이다.

(실시 형태2)

다음으로, 실시 형태2로서, 용량 신호를 제어하기 위한 다른 양태에 대해, 또한 도 5를 참조하여 설명한다. 실시 형태1과의 차이는, 실시 형태2에서는, 용량 신호 고정부(300) 이외에, 용량 신호의 출력 전압을 결정하는 용량 신호 출력부의 전원 전압을 모드에 따라 설정 가능하게 한 것이다. 구체적으로는, 레벨 설정부(302)를 구비함으로써 레벨 설정을 실현하고 있다.

레벨 설정부(302)는, 레벨 설정용 단자 Tv3p에 의해 구성할 수 있다. 이 레벨 설정용 단자 Tv3p는, 용량 신호 출력부(논리 회로(240))의 저압측 전원 배선에 보호 회로를 통하여 접속되어 있다. 소정의 결함 검사 시에는, 이 전원 제어 단자 Tv3p를 임의인 레벨 설정용 전원(외부 검사용 전원) V3P에 접속함으로써, 논리 회로(240)에는 그 저압측 전원으로서, 이 검사용 전원 V3P가 공급된다. 또한, 결함 검사 시에서, 용량 신호 고정부(300)는, 상기 실시 형태1과 마찬가지, 통상 시에는 교류 구동되는 용량 신호의 전압 레벨을 H 레벨, L 레벨의 한쪽(여기서는 L 레벨)에 고정하고, 또한, 레벨 설정부(302)가, 이 용량 신호의 고정 전압 레벨을 상기 전원 제어 단자 Tv3p에 공급하는 검사용 전원에 따른 레벨로 제어한다.

검사용 전원 V3P는, 화소 회로 내의 용량의 미소한 변동 등에 관해서도 이것을 검사 회로가 정밀도 좋게 검출하는 것이 가능한 임의의 전압으로 설정할 수 있고, 화소 회로 구성수와, 검사 불량 레벨에 따라 최적화를 행한다. 예를 들면, 일반적으로 입력 비디오 신호와 동일 전위이거나, PVDD와 동일 전위로 할 수 있다.

또한, 도 5에 도시하는 구성에서는, 전원 제어 단자 Tv3p 이외에, 패널(110) 상에 내장되는 H, V 드라이버(210, 220) 등의 회로와 공통의 하측 전원 VEE와, 전원 제어 단자 Tv3p 사이에, 스위치 소자(340)가 더 설치되어 있다. 스위치 소자(340)는, 예를 들면 스위치 소자(320)와 마찬가지로, n채널형 박막 트랜지스터(TFT)에 의해 구성되고, 화소 회로 등과 동시에 형성 가능하다. 이 TFT(340)의 게이트 전극은, 셀렉터 단자 Tsc로부터 용량 신호 작성부에의 신호 배선 경로에 접속되어 있다. 구체적으로는, 이 게이트 전극은, 셀렉터 단자 Tsc에 보호 회로를 통하여 접속된 레벨 시프터(320)의 출력측에 설치된 인버터(330)에 접속되어 있고, 도 5에서는，2개 직렬 접속된 인버터 내의 처음의 인버터의 출력에 접속되어 있다. 또한, 스위치 소자(340)의 소스 또는 드레인의 한쪽은, 전원 VEE에 접속되고, 다른 쪽은, 용량 신호 작성부의 출력부(여기서는 NOR 회로(240)로 이루어지는 논리 회로)의 저압측 전원 라인과, 전원 제어 단자 Tvp3에 접속되어 있다.

실시 형태1에서 설명한 바와 같이, 소정의 결함 검사 모드인 경우, 셀렉터 단자 Tsc에는 VVDD가 접속된다. 이 때문에, 스위치 소자(340)의 게이트에는, 인버터에서 반전되고, 소정 기준에 대하여 VVDD와 역극성의 소위 L 레벨의 전압이 인가 된다. 상기와 같이 스위치 소자(340)는, n채널형 TFT로 구성되어 있으므로, L 레벨 전압이 게이트 전극에 인가됨으로써 오프한다. 즉, 소정의 결함 검사 모드로 되어, 셀렉터 단자 Tsc에 고레벨의 전원 VVDD가 접속될 때에만, 스위치 소자(340)가 오프하고, 용량 신호 출력부(논리 회로(240))의 저압측 전원 라인은, 통상 동작 시에는 스위치 소자(340)를 통하여 접속되는 전원 VEE로부터 분리된다. 그리고, 이때, 보호 회로를 통하여 전류 제어 단자 Tvp3에 공급되는 검사용 전원 V3P가, 논리 회로(240)의 하측 전원으로서 공급된다.

또한, 통상 동작 시 등, 용량 제어 라인을 교류 구동하는 경우에는, 레벨 시프터(320)에의 입력 전압은, VVSS 또는 GND에 따른 L 레벨이고, 스위치 소자(340)의 게이트에 인가되는 전압은 H 레벨로 되고, 스위치 소자(340)는 온 상태를 유지한다. 따라서, 특별한 절환 신호를 작성하지 않고, 통상 동작 시 등은, 스위치 소자(340)를 통하여, 논리 회로(240)의 하측 전원으로서, 다른 논리 회로의 하측 전원과 동일한 전원 VEE를 공급하는 것이 가능하게 되어 있다.

여기서, 화소 회로의 결함 검사에서, 각 화소 회로의 특성 변동은, 화소의 용량치를 검출함으로써 측정할 수 있다. 일례로서, 도 1에 도시하는 선택 트랜지스터 Tr1을 온시키고, 검사용 데이터를 데이터 라인(14)에 출력하고, 그때의 용량치를 데이터 라인(14)을 통하여 외부 회로에서 판독한다. 이때, 논리 회로(240)의 출력, 즉 용량 제어 라인(12)의 전압을 검사 장치의 특성에 따라 충분히 낮은 검사용 전압 V3P로 해 둠으로써, 화소의 축적 용량 Cs에 충분한 양의 전하를 충전할 수 있다. 특히 p채널 TFT로 구성되어 있는 소자 구동 트랜지스터 Tr2를 온시키는 데 충분한 낮은 레벨의 검사용 데이터를 선택 트랜지스터 Tr1을 통하여 소자 구동 트랜지스터 Tr2의 게이트에 인가하는 경우에도, 용량 제어 라인(12)을 검사용 데이터보다 충분히 낮은 전압으로 유지함으로써, 축적 용량 Cs에 정확하게 검사용 데이터를 기입할 수 있다. 또한, 충분한 전하량을 축적 용량 Cs에 공급할 수 있기 때문에, 예를 들면 상기한 바와 같이 데이터 라인(14)을 통하여 유지 전하량에 따른 전압을 검출할 때의 정밀도를 높이는 것이 가능해진다.

고정되는 용량 신호가 설정할 수 있는 전압은, 용량 신호 출력부가 동작 가능하고, 또한 검사용 전압 V3P로서 공급 가능한 범위 내에 임의로 설정할 수 있어, 결함 검사의 조건 설정의 자유도가 향상된다. 또한, 이 검사용 전압 V3P를 복수 종류 설정하여, 전압을 변경하여 검사를 하면, 측정 조건을 광범위하게 설정할 수 있어, 화소 회로의 구성에 수반하는 기생 용량의 영향을 저감하여, 고정밀도의(결함 검사의 일환으로서) 용량치 측정을 실행할 수 있다.

또한, 본 실시 형태2에서도, 상기 실시 형태1과 마찬가지로, 통상 동작 시 및 상기 소정 검사 이외의 검사일 때에는, 용량 신호 고정부(300)에 의한 용량 신호의 고정 제어는 해제하고, 용량 라인은 교류 구동된다. 또한, 그때의 출력 전압 레벨의 저압측(L 레벨)은, 그때에 용량 신호 출력부에 공급되는 하측 전원으로 되고, 이것은, 다른 내장 회로에서의 저압측 전원의 전압 레벨(VEE)로 할 수 있다.

(실시 형태3)

다음으로, 실시 형태3에 대해 설명한다. 실시 형태3에서는, 수직 전송 레지스터(222)의 각 레지스터로부터의 출력에 기초하여 실시 형태1과 마찬가지의 선택 신호 GL 및 용량 신호 SC를 작성하기 위한 보다 간이한 회로 구성을 구비하고, 또한, 소정 검사 시에는 용량 신호 SC의 교류 구동을 정지하고, 또한 이 용량 신호 SC를 실시 형태2와 마찬가지로 임의의 설정 전압으로 고정하는 구성을 구비한다.

구체적으로는 도 6에 도시하는 바와 같이 이하의 구성을 구비한다. 입력되는 수직 스타트 신호 STV를 수직 전송 레지스터(222)의 각 레지스터 VSR가 전송하고, 이 각 레지스터 VSR의 데이터 입출력 방향이, 전송 제어 게이트(224)에 의해 제어되는 점은, 상기 도 2의 구성과 공통된다. 서로 다른 점은, 도 2의 논리 제어 게이트(228), 논리곱 회로(232)가 생략되어 있는 점, 그리고, 용량 라인(12)에 출력하는 용량 신호의 작성부가 NOR 회로(250)에 간략화(통상 동작 시에는 인버터로서 동작)되어 있는 점, 선택 신호 작성부의 구성(논리)이다. 또한, 도 2에서는, 더미 화소가, 패널의 최상행 및 최하행에 설치되어 있고, 이들의 행에 대해서도 선택 신호 GL, 용량 신호 SC를 작성하여 출력하고 있지만, 도 6의 구성예에서는, 이와 같은 더미 화소가 상하 2행씩 설치되어 있다. 이 때문에, 1행째의 화소용의 레지스터 VSR1의 앞 단에는, 더미용 레지스터 VSRd1, VSRd2가 설치되어 있다.

또한, 본 실시 형태3에서는, 용량 신호의 작성부를 구성하는 NOR 회로(250)에서, 그 한쪽의 입력단에 대응하는 1개 전의 레지스터로부터의 비반전 출력이 공급되고, 다른 쪽의 입력단에는, 용량 신호 고정부(300)로부터의 용량 고정 제어 신호가 공급되고 있다. 실시 형태1, 2와 마찬가지로, 화소 회로의 결함 검사 모드나, 잔상 검사 모드일 때에는, 제어 단자 Tsc에 VVDD 등의 고전압 전원이 공급되고, 이 전원 전압이 H 레벨 신호로서, 용량 제어용의 논리 회로인 NOR 회로(250)에 입력된다. 따라서, 이 경우, NOR 회로(250)로부터의 출력은, L 레벨에 고정된다. 또한, 레벨 설정부(302)를 구비한다. 즉, 외부 전원에 접속 가능한 레벨 설정용 단자 Tv3p을 구비하고, 이 단자 Tv3p는, 용량 신호 출력부인 NOR 회로(250)의 하측전원에 접속되어 있다. 따라서, 잔상 검사 등에서，NOR 회로(250)의 출력이 고정될 때, 그 출력의 고정 L 레벨이, 그때 단자 Tv3p에 접속되는 검사용의 전원 전압에 따른 전압 레벨에 제어된다.

도 6의 회로의 전체 구성 및 그 동작은 이하와 같다. 전송 방향 제어 신호 CSV가 H 레벨일 때, 1번째의 더미용 레지스터 VSRd1의 입력 단자 in에 V 스타트 신호 STV가 공급되고, 레지스터 VSRd1은, 이것을 수직 클럭 CKV1의 상승에서 수신하여 출력 단자 out으로부터 출력한다. 레지스터 VSRd1로부터의 출력 SRd1은, 2번째의 더미용 레지스터 VSRd2에 입력되고, 레지스터 VSRd2는, CKV1의 다음의 하강 타이밍(CKV2의 상승 타이밍)에서, 이 출력 SRd1을 수신하여, 출력 단자 out으로부터 SRd2를 출력한다. 레지스터 VSR1의 입력 단자 in에는, 상기 레지스터 VSRd2의 출력 SRd2가 공급되고, 레지스터 VSR1은, CKV1의 다음의 상승 타이밍에서 출력 SRd2를 수신하고, 출력 단자 out으로부터 SR1을 출력한다. 레지스터 VSR1~VSRn은, 실제의 화소에 선택 신호 GL1~GLn 및 용량 신호 SC1~SCn을 출력하기 위한 레지스터이고, 레지스터 VSRn의 후단에는, 더미 화소에 대응하는 VSRd3 및 VSRd4가 설치되어 있는데, 모두, 순차적으로, CKV1의 상승 또는 하강에 따라서 앞 단의 레지스터의 출력을 수신하여 후단 레지스터에 출력한다.

n단째의 레지스터 VSRn에의 입력 라인과 n행째의 용량 라인 SCn 사이에는 용 량 신호 작성부로서, 전술한 바와 같이 NOR 회로(250)가 설치되어 있다. NOR 회로(250)의 제1 입력에는 상기 레지스터 VSRn-1의 출력 신호가 공급되고, 제2 입력에 용량 신호 고정부(300)로부터의 제어 신호가 공급되고 있다.

통상 표시 동작 시에는, 단자 Tsc에 공급되는 전원 VVSS 또는 GND에 따라, 용량 신호 고정부(300)로부터, NOR 회로(250)의 제2 입력에는, L 레벨의 제어 신호가 공급된다. 따라서, NOR 회로(250)는, 실질적으로는, 그 제1 입력에 공급되는 레지스터 VSRn-1의 출력 신호 SRn-1을 반전하는 인버터로서 기능하고, NOR 회로(250)로부터 대응하는 용량 라인 SCn에는, 레지스터 출력 신호 SRn-1의 반전 신호가, n행째의 화소의 용량 신호 SCn으로서 출력된다.

여기서, 본 실시 형태에서, 용량 신호의 전압 레벨을 결정하는 출력부에 상당하는 NOR 회로(250)에서는，H 레벨용 전원으로서 VVDD가 공급되어 있다. 또한, L 레벨용 전원(저압측 전원)으로서, 통상 동작 시에는 스위치 소자(340)를 통하여 전원 VEE가 공급되고, 소정의 검사 시에는, 전원 제어 단자 Tv3p에 접속되는 검사용 전원 V3P가 공급된다. 따라서, 통상 동작 시에서，NOR 회로(250)로부터 출력되는 용량 신호 SC의 L 레벨(제1 전압 레벨 Vsc1)은, VEE와 동등한 전압 레벨(예를 들면 -2V)로 되고, H 레벨(제2 전위 Vsc2)은, VVDD와 동일한, 예를 들면 10V로 된다. 또한, 소정 검사 시에는, 용량 신호 SC는 소정 전압으로 고정되고, 또한, 그 전압치는, 검사용 전원의 전압 V3P로 된다. 전압 V3P는, 대상 회로 구성에 대하여, 사전에 최적화된 값을 이용하는 것이 바람직하다.

다음으로, 선택 신호 작성부(260)에 대해 설명한다. 본 실시 형태에서는, 선택 신호 작성부(260)는, 레지스터 VSRn(그 출력)과 선택 라인(10n) 사이에 설치되고, 논리 회로로 구성되어 있다.

구체적으로는, 이 선택 신호 작성부(260)는, 인버터(261), NOR 회로(262), 인버터(264, 266)를 갖는다. NOR 회로(262)의 제1 입력단에는, 레지스터 VSRn의 출력 SRn이 공급되고, 제2 입력단에는 인버터(261)를 통하여 레지스터 VSRn에의 입력 신호의 반전 신호(XSRn-1)가 공급되고, 제3 입력단에는, 인에이블 신호의 반전 신호 XENB가 공급되어 있다. 따라서, NOR 회로(262)는, 레지스터 출력 SRn과, XSRn-1, 반전 인에이블 신호 XENB의 NOR 연산을 행한다. 인버터(264)는, NOR 회로(262)의 출력을 반전하고, 인버터(266)가, 이 인버터(264)의 출력을 더 반전하고, 이것을 n행째의 화소의 선택 라인(10)에 공급한다. NOR 회로(262), 인버터(264, 266)는, 전체적으로, 출력 SRn-1과 출력 SRn의 NOR 연산을 하는 NOR 게이트를 구성하고, NOR 연산 결과를 n행째의 선택 라인(10)에 선택 신호 GLn으로서 출력한다. 또한, 인버터(264)는, 도 2에서 논리곱 회로(232)의 출력측에 설치되어 있는 반전 기능이 부가된 레벨 시프트를 채용하고, 출력의 극성을 반전함과 함께 신호의 전압 레벨을 필요에 따라 전압 레벨로 시프트 하고, 이것을 인버터(266)에 출력해도 된다.

1행째의 레지스터 VSR1의 입력은, 전단 레지스터인 더미용의 레지스터 VSRd2의 출력 SRd2이고, 이 출력 SRd2는, NOR 회로(250)에서 반전되고(통상 동작 시), 1행째의 화소의 용량 신호 SC1로서 용량 라인(12)에 출력되어 있다. 또한，1행째의 선택 신호용 논리 회로(260)는, 레지스터 VSR1의 출력 SRd2의 반전 신호 XSRd2와, 레지스터 VSR1의 출력 SR1의 NOR 연산의 결과를 1행째의 선택 라인(10)에 선택 신호 GL1로서 출력하고 있다.

이상과 같이, 도 6과 같은 V 드라이버의 회로 구성에 의해서도, V 스타트 신호 STV의 L 레벨 기간에 따른 기간이, 용량 신호 SCn의 H 레벨, 즉 대응하는 행의 화소의 EL 소자의 소등 기간으로 된다. 따라서, 실시 형태2의 회로 구성에서도, V 스타트 신호 STV의 조정에 의해, 행마다, EL 소자의 소등 및 소자 구동 트랜지스터 Tr2의 오프 제어를 실행하는 것이 가능해진다. 또한, 전술한 바와 같이, 도 2의 회로 구성에 비교하여 전송 게이트나 논리 회로의 생략이 가능하게 되어 있고, V 드라이버(220)를 최소한의 회로 소자 수로 구성할 수 있고, V 드라이버의 면적을 작게 하는 것이 가능하게 되어 있다. 패널 상에서의 회로 면적 저감이 강하게 요구되는 소형 표시 장치, 예를 들면 전자 뷰 파인더(EVF) 등에서는, 패널 상에 내장되는 회로 소자 면적을 삭감할 필요가 있다. 따라서, 실시 형태2에 설명한 바와 같은 구성은, 이 EVF 등의 표시 장치용으로서 유리하고, 또한 이 구성을 채용함으로써 소비 전력의 저감을 도모하는 것도 가능해진다.

도 8은, 상기 도 6에서 구체적으로 설명한 회로 구성을 보다 일반화한 경우의 논리 회로 구성을 도시하고, 도 9는, 도 8에 도시하는 구성에서의 타이밍차트이다. 여기에서, 도 8의 회로 구성에서도, 도 2의 전송 제어 게이트(224)와 마찬가지의 전송 제어 게이트는 존재하지만, 전송 방향 제어 신호 CSV가 H 레벨로서, 레지스터 VSRn-1로부터 VSRn을 향하여 데이터(V 스타트 신호 STV)가 전송되는 경우를 예로 들어, 도 8에서는 도시를 생략하고 있다. 또한, 용량 신호 작성부(NOR 회 로(250)), 용량 신호 고정부(300), 고정 용량 신호의 레벨 제어를 위한 구성, 동작은 모두 도 6 및 도 7과 마찬가지이다.

도 8에서는，V 드라이버의 중간단 부분으로서, 레지스터 VSR6~VSR8과 그 출력을 이용하여 선택 신호 GL7~GL9 및 용량 신호 SC7~SC9를 작성하는 신호 작성부를 도시하고 있다. 스타트 신호 STV는, 수직 클럭 CKV에 따라서 순차적으로 레지스터에 전송된다. 전단 레지스터 VSR5의 출력 SR5가, 레지스터 VSR6에 입력되면, 레지스터 VSR6은, CKV에 따라 이 출력 SR5을 수신하고, SR6을 출력한다. 출력 SR6은, 7행째의 선택 라인용의 논리곱 회로(280)에 공급되고, 또한 NOR 회로(250)의 제1 입력에 공급된다. 통상 동작 시, 용량 신호 고정부(300)로부터 레벨 신호가 NOR 회로(250)의 제2 입력에 공급되어 있다. 따라서, 제1 입력에 공급되는 상기 출력 SR6에 대한 인버터로서 기능하여 출력 SR6의 H, L 레벨을 반전한다. 또한, 예를 들면 이 출력 SR6의 H 레벨을 1.0V(VVDD), L 레벨이 -2V(VEE)로 되도록 레벨 시프트 하고, 얻어진 신호를 용량 신호 SC7로서, 7행째의 화소의 용량 라인에 출력한다.

7행째의 선택 신호 작성 회로(선택 신호용 논리곱 회로)(280)는, 인버터(281), NAND 회로(282) 및 인버터(284)를 갖는다. NAND 회로(282)의 제1 입력에는, 레지스터 VSR6의 출력 SR6이 공급되고, 제2 입력에는, 인버터(281)를 통하여 다음단의 시프트 레지스터 VSR7의 출력 SR7의 반전 출력 XSR8이 공급되고, 제3 입력에는 인에이블 신호가 공급된다. NAND 회로(282)는, 이 3개의 입력의 NAND 연산을 행하고, 연산 출력을 인버터(284)가 극성 반전한다. 따라서, 출력 SR6과, 반전 출력 XSR7의 모두가 H 레벨로 되고, 또한 ENB가 상승하여 각 선택 라인에의 선택 신호가 허가된 기간에 H 레벨로 되는 선택 신호 GL7이, 7행째의 화소의 선택 라인에 출력된다. 또한, 논리곱 회로(280)로부터 출력되는 선택 신호 GL 레벨이 각 화소의 선택 트랜지스터를 충분히 구동할 수 있도록 하기 위해, 레지스터 VSRn로부터 대응하는 논리곱 회로(280)의 경로, 또는 회로(280) 내에는, 레지스터 출력 SRn의 H 레벨, L 레벨을, 각각 10V, -2V로 하기 위한 레벨 시프터가 설치되어 있을 것이 필요하다.

이상과 같이, 도 8과 같은 논리 회로 구성에 의해, 상기 도 6에 도시하는 구체적인 회로 구성과 마찬가지, 통상 동작 시에는, 각 행의 용량 라인에, V 스타트 신호 STV의 H 레벨 기간에 따른 기간 H 레벨로 되는 용량 신호 SCn을 출력할 수 있다. 또한, 각 선택 라인(10)에는, 1 수평 주사 기간마다 선택 신호를 출력하고, 대응하는 화소에 표시 내용에 따른 데이터 신호를 기입함과 함께, 용량 라인(12)에 대하여 상기와 같이 용량 신호 SC를 출력하고, EL 소자의 소등 제어 및 소자 구동 트랜지스터 Tr2의 오프 제어를 실행할 수 있다.

(실시 형태4)

상기 실시 형태에서는, EL 소자를 각 화소의 표시 화소로서 이용한 EL 표시 장치의 경우에서의 용량 라인의 제어 구성을 예로 설명하였지만, 본 발명은 액정 표시 장치에 대해서도 적용할 수 있다. 이하, 실시 형태4로서, 액정 표시 장치에의 적용예를 도 10을 참조하여 설명한다.

각 화소의 표시 소자로서, EL 소자를 이용한 경우, 특히 유기 EL 소자는, 전 류 구동형 소자로서 다이오드 구조이기 때문에, 양극으로부터 음극을 향하여 일방향으로 표시 데이터에 따른 전류를 흘림으로써 발광 표시가 행해진다. 상기 실시 형태1~실시 형태3에서, 용량 라인(512)을 교류 구동하는 것은, 축적 용량 Cs를 통하여 이 용량 라인(12)에 접속된 소자 구동 트랜지스터 Tr2를 주기적으로 오프시키기 위해서이다. 그리고, 화소의 결함 검사 시에, 이 용량 라인(12)에의 교류 신호출력을 정지하여 출력 전압을 고정 전압으로 유지한다.

한편, 본 실시 형태4에 따른 액정 표시 장치(이하 LCD)에서는, 표시 소자로서, 전압 구동형의 액정 소자(C1c)가 채용된다. 이 LCD에서는, 액정의 소부 방지를 위해 액정을 교류 구동하는 것이 알려져 있다. LCD 내, 화소마다의 고정밀도의 제어가 가능한 액티브 매트릭스형 LCD에서는, 각 화소에서 액정을 개별적으로 제어하기 위한 화소 트랜지스터 Tr11과, 이 트랜지스터 Tr11에 대하여 액정 소자와 병렬 접속되고, 소정 기간, 액정에 인가하는 전압을 유지하기 위한 축적 용량 Cs를 구비한다. 그리고, 이 액티브 매트릭스형 LCD에서, 소부 방지를 위해 액정을 교류 구동을 교류 구동하는 경우에는, 각 화소의 축적 용량 Cs에 접속된 용량 라인(512)에 출력되는 용량 신호를 주기적으로 교류 구동하는 방법이 존재한다. 이 방법이 채용되어 있는 경우에, 각 화소의 결함 검사를 실행하면, 검사 중에 용량 라인(512)에 출력되는 용량 신호가 변동하고, 상기 실시 형태와 마찬가지로, 각 화소의 용량치를 정확하게 측정하는 것이 곤란해진다. 따라서, 고정밀도의 결함 검사를 실현하기 위해, 검사 시에는, 선택적으로 용량 신호를 소정 레벨에 고정할 수 있는 것이 요망된다. 또한, 각 화소 회로를 구동하기 위한 H 드라이버(410) 및 V 드라이버(420)를 표시부(400)의 각 화소 TFT와 동일한 기판에 내장 형성하는 경우, 검사 시에 용량 라인(512)에 출력하는 용량 신호의 전압 레벨을 고정하기 위한 구성을 조립하는 것이 필요해진다.

따라서, 본 실시 형태4에서는, 드라이버 내장형의 액티브 매트릭스형 LCD에서, 예를 들면 실시 형태1과 마찬가지의 구성의 용량 신호 고정부(600)를 설치하고, 또한 도 10에는 도시하고 있지 않지만 도 4와 마찬가지의 레벨 설정부를 기판 상에 설치함으로써, 화소의 결함 검사 시에 용량 라인(514)에 출력하는 용량 신호의 전압 레벨을 고정하는 것을 가능하게 하고 있다.

이하, 상세히 설명한다. 먼저, LCD에서는，한 쌍의 기판 사이에 봉입된 액정층의 배향 상태를, 각 기판의 액정측에 각각 형성된 제1 전극과 제2 전극에 인가하는 전압을, 제어함으로써 표시를 행한다. 액정 분자는, 인가되는 전압의 극성과 관계없이, 그 절대치에 따라 배향 상태가 결정되어, 소위 표시의 소부를 방지하는 관점으로부터, 인가 전압을 주기적으로 극성 반전해도, 절대치가 동등하면 동일한 표시를 유지할 수 있다. 따라서，LCD에서는, 액정층에의 인가 전압 극성을 주기적으로 반전하는 극성 반전 구동, 소위 교류 구동이 채용된다. 이 액정의 교류 구동 방법으로서는, 각 화소의 액정에 인가하는 전압의 극성을, 프레임 또는 필드 기간마다 반전하는 프레임 또는 필드 반전 구동 방법, 1 라인마다(1 수평 주사 기간마다) 반전하는 라인 반전 구동 방법, 1 화소마다 반전시키는 도트 반전 구동 방법이 존재한다.

상기 액티브 매트릭스형 LCD에서는, 제1 기판측에, 화소마다 액정을 구동하 기 위한 제1 전극으로서, 화소마다 개별 패턴의 화소 전극이 형성되고, 제1 기판과의 사이에 액정층을 끼워서 대향 배치되는 제2 기판측에는, 각 화소에 대하여 공통의 공통 전극(대향 전극)이 형성된다.

제1 기판에는, 상기 화소 전극에 접속되는 화소 트랜지스터 Tr11 및 축적 용량 Cs가 형성되어 있다. 또한, 제1 기판에는 이들 화소에 표시 데이터 신호를 공급하기 위한 데이터 라인(514), 각 화소 트랜지스터 Tr11을 선택하는 선택 라인(게이트 라인)(510), 각 화소의 축적 용량 Cs의 한쪽의 전극에 접속된 용량 라인(512)(축적 용량 Cs 다른 쪽의 전극은, 화소 전극에 접속되어 있음)이 형성되어 있다.

또한, 본 실시 형태에서는, 동일한 제1 기판 상의 표시부(400)의 주변 영역에, 화소 회로를 제어 구동하기 위한 H 드라이버(410) 및 V 드라이버(420)가 형성되어 있다.

화소 트랜지스터 Tr11은, TFT로 구성되고, 여기에서는, 도 10에 도시하는 바와 같이 n채널형 TFT가 이용되고 있다. 또한, 내장 드라이버(H 드라이버(410), V 드라이버(420))는, 상기 화소 트랜지스터 Tr11과 기본적으로 동일 공정에서 제조 가능한 TFT로 구성되어 있고, 보다 구체적으로는，n채널형 TFT와, p채널형 TFT가 이용되고, 많은 회로 블록이 CM0S 구조로 설치되어 있다.

액티브 매트릭스형 LCD에서, 전술한 바와 같은 다양한 주기로 행해지는 액정의 극성 반전 구동은, 기본적으로는, 각 화소에 데이터 라인(514)으로부터 공급하는 표시 데이터 신호의 극성을 소정 주기로 반전시킴으로써 실행한다. 또한 이 표 시 데이터 신호 Vdata의 극성 반전 구동과 아울러, 공통 전극 전압 및 용량 전극 전압(용량 라인 전압)의 일방 또는 양방을 표시 데이터 신호의 기준에 대한 극성과 역극성으로 반전 구동이 행해진다. 이와 같이 공통 전극(Vcom) 또는 용량 전극(Vsc)의 양방 또는 일방을 교류 구동함으로써, 표시 데이터 신호의 극성 반전 후의 진폭을 작게 하면서, 화소의 액정 용량 C1c를 확실하게 교류 구동하고, 또한 일정 기간, 확실하게 축적 용량 Cs에 표시 데이터에 따른 전하를 유지할 수 있다. 또한, 대면적이고 또한 IT0(Indium Tin 0xide)나 IZ0(Indium Zinc 0xide) 등의 도전성 투명 금속 산화물이 이용되는 공통 전극은, 많은 금속 도전층에 이용되는 Al이나 Cu 등과 비교하여 고저항이다. 따라서, 공통 전극의 전압의 극성 반전 주기가 짧아지면(교류 구동의 주파수가 높아지면), 소비 전력이 높아진다. 따라서，1층의 저소비 전력화를 위해 표시 데이터 신호와 용량 신호만 교류 구동할 수도 있다.

본 실시 형태4에서는, 공통 전극 전압을 교류 구동하는지 여부에 관계없이, 용량 신호를 교류하는 경우에 적용할 수 있다. 완성된 LCD에 대하여 공장 출하 전에 표시 결함 검사를 행하는 경우, 각 화소를 선택하여 검사용 데이터를 기입하고, 그때의 각 화소에서의 용량치의 변화를 전압 신호로서 데이터 라인 등으로부터 판독한다. 따라서, 용량 라인에 인가되는 용량 신호의 전압이, 검사 시에 교류 구동에 의해 변동하면, 축적 용량 Cs의 전극 전압이 변동하게 되어, 충분한 검사 정밀도가 얻어지지 않는다. 따라서, 결함 검사 시에는, 용량 신호의 교류 구동을 정지하고, 용량 라인에 출력되는 용량 신호 전압을 고정하는 것이 바람직하다. 특히, 내장 드라이버를 조립한 경우에는, 표시부는 항상 내장 드라이버의 제어에 따라서만 동작하고, 전술한 실시 형태와 같이, LCD의 TFT가 형성되는 TFT 어레이 기판(여기서는 제1 기판)에 용량 신호 고정부(600)를 형성하는 것이 필요하다.

LCD의 H 드라이버(410), V 드라이버(420)의 회로 구성은, 전술한 EL 표시 장치의 드라이버와 기본적인 기능은 공통된다. 즉, H 드라이버(410)는, 수평 스타트 신호 STH에 기초하여, 열마다 설치된 데이터 라인(514)에, 대응하는 화소의 표시 내용에 따른 표시 데이터 신호 Vdata를 출력한다.

V 드라이버(420)는, 수직 스타트 신호 STV에 기초하여 표시부(400)에서 매트릭스 배치되어 있는 각 화소를 행마다 선택하기 위한 선택 신호를 작성하여 행마다 설치된 선택 라인(게이트 라인)(510)에 순차적으로 출력하고, 각 화소의 축적 용량 Cs에 접속된 용량 라인(512)에 용량 신호 Vsc를 출력한다.

V 드라이버(420)는, 도 2, 도 6,도 8 등에 도시하는 바와 같이, 수직 스타트 신호 STV를 순차적으로 전송하는 V 시프트 레지스터(VSR)와, 레지스터 출력 SR에 기초하여 선택 신호를 작성하고, 또한 용량 신호를 작성하는 신호 작성부를 구비한다. 선택 신호의 파형 및 출력 타이밍은, 예를 들면 도 4, 도 7, 도 9 등에 도시하는 선택 신호 GL와 마찬가지이면 되고, 선택 신호 작성부의 논리 구성은, 상기 도 2, 도 6, 도 8 등과 마찬가지의 구성을 채용할 수 있다. 한편, 용량 신호 작성부는, 예를 들면, 용량 신호를 행마다 극성 반전하는 경우에는, 반전 주기가 1H(1 수평 주사 기간)으로 되는 논리 구성을 이용한다.

또한, 화소마다 극성 반전하는 도트 반전 구동을 채용한 경우에서, 용량 신 호도 화소마다(행 방향으로 인접하는 화소마다)에 서로 다른 극성으로 하는 것이 효과적이다. 한편, 표시 데이터 신호를 축적 용량에 기입한 후, 다음으로, 새로 표시 데이터 신호를 기입할 때까지의 기간에는, 가능한 한 유지한 데이터 신호를 잃어버리지 않도록 하는 관점으로부터, 축적 용량 전극 전압은 변동하지 않는 것이 바람직하다. 따라서, 도트 반전의 경우, 용량 라인(512)은, 1행당 2개 설치하고, 그 중의 한쪽의 용량 라인(512o)은, 홀수 열의 화소의 축적 용량 Cs에 접속하고, 다른 쪽의 용량 라인(512e)은, 홀수 열의 화소와 역극성의 표시 데이터 신호가 공급되는 짝수 열의 화소의 축적 용량 Cs에 접속한다. 그리고, V 드라이버(420)의 이 용량 신호 작성부의 논리부는, 홀수열용 용량 라인과, 짝수열용 용량 라인에 대하여, 각각 행마다 극성 반전 타이밍의 설정된 용량 신호를 작성한다.

도 11은, 용량 라인을 교류 구동하는 경우의 통상 표시 동작 시에서의 1 화소에 대하여 주목한 경우의 각 신호의 파형의 일례를 도시하고 있다. 각 행에 출력되는 선택 신호는, 1 수평 주사 기간마다 대응하는 행의 화소 트랜지스터 Tr11을 온시키는 레벨(여기서는 H 레벨)로 된다. 이때 대응하는 데이터 라인(514)에는, 도 11의 예에서는, 동일 화소에 대하여 1필드마다 극성의 반전된 표시 데이터 신호Vdata가 출력되어 있다.

선택 신호가 L 레벨로부터 H 레벨(선택 레벨)로 변화되어 화소 트랜지스터 Tr11이 온하고, 표시 데이터 신호가 트랜지스터 Tr11의 드레인 소스 간을 통하여 화소 전극과, 축적 용량의 한쪽의 전극에 인가된다. 다음으로, 선택 신호가 H 레벨로부터 L 레벨로 하강하면, 화소 트랜지스터 Tr11는, 오프하고, 축적 용량 Cs에 의 충전은 정지하고, 화소 전극에 인가되는 전압 Vp가 결정된다. 용량 신호는, 화소 전극 전압이 결정될 때까지는, 일정 전압으로 유지되고, 결정 후(트랜지스터 Tr11의 오프 후), 기준 전압(여기서는 중심 전압 Vc)에 대한 극성이 반전한다. 이 예에서는, 표시 데이터 신호의 Vc에 대한 극성이 H 레벨일 때, 트랜지스터 Tr11이 오프한 후에, 용량 신호 Vsc가 L 레벨로부터 H 레벨로 변화된다. 반대로, 데이터 신호의 극성이 L 레벨일 때에는 반대로 트랜지스터 Tr11가 오프한 후에, H 레벨로부터 L 레벨로 변화된다. 기입한 표시 데이터 신호와 동일한 극성으로 되도록 용량 신호 Vsc를 변화시킴으로써, 도 11과 같이, 용량 신호 Vsc의 변화에 따라 축적 용량 Cs에 유지된 표시 데이터 전압 Vp를 레벨 시프트시키는 것이 가능하게 되어 있다. 따라서, 표시 데이터 신호 Vdata의 진폭을 최소한으로 억제하면서도, 최종적으로 각 화소에서 액정 용량 Clc에 인가되는 표시 데이터 전압 Vp를 크게 하는 것이 가능하게 되어 있다.

이와 같은 구성에서, 표시 결함의 검사를 행하는 경우, 통상대로 각 화소를 구동하면, 화소 트랜지스터 Tr11을 온시켜, 검사용 데이터를 축적 용량 Cs에 기입한 후에, 용량 신호 Vsc의 레벨이 변화된다. 즉, 기입한 검사 데이터를 데이터 라인를 통하여 판독하고 있을 때에, 화소 전극 전압이 크게 변동하게 되어, 검사 정밀도의 저하를 초래하기 쉽다. 따라서, 검사 시에는, 이 용량 신호의 레벨 변화(교류 구동)를 정지하고, 또한, 화소 전극 전압을 용량 라인(512)을 통하여 검사 정밀도를 보다 높이는 것이 가능한 전압으로 설정할 수 있는 것이 바람직하다.

이와 같이 용량 라인이 교류 구동되는 경우에, 용량 신호 작성부는, 도 11과 같은 파형의 용량 신호는, V 시프트 레지스터 등으로부터의 출력을 논리 연산을 함으로써 작성할 수 있다. 단순하게 소정 레지스터 출력이 반전함으로써 용량 신호 를 작성할 수 있는 경우도 있다. 따라서, 본 실시 형태에서도, 용량 신호의 출력단에 논리 회로를 설치하고, 또한, 도 2 등과 마찬가지의 구성의 용량 신호 고정부(600)를 설치하고, 용량 신호의 출력 회로(도 2의 논리 회로(240) 등)에 대하여, 그 출력 레벨을 요구에 따라 고정하기 위한 용량 고정 제어 신호를 공급한다. 이에 따라, 표시 장치의 통상 표시 시에는 용량 신호의 교류 출력을 제한하지 않고, 한편, 공장 출하 시 등, 표시 패널의 결함 검사를 행할 때에는, 용량 신호의 전압 레벨을 소정 레벨에 고정할 수 있다. 또한, 최종 논리 회로의 입력에 용량 고정 제어 신호를 입력하는 구성에 한정하지 않고, 별도 출력 전압 절환 전용의 TFT를 드라이버와 동시에 기판 상에 형성하고，이것을 용량 라인(512)에 접속하고, 검사 시 등 요구에 따라 TFT를 동작시키고, 용량 신호의 전압 레벨을 일정 전압의 전원에 접속하는 구성을 채용해도 된다.

또한, 도 2와 마찬가지의 구성의 레벨 설정부를 설치하고, 용량 신호 고정 시의 용량 신호의 전압 레벨을 설정용 단자 Tv3p에 접속하는 전원 V3P에 의해 임의의 레벨로 설정할 수 있다.

이상 각 실시 형태에서, 고정 제어용 단자 Tsc 및 레벨 설정용 단자 Tv3p가 각각 보호 회로를 통하여 용량 신호 작성부의 대응하는 회로에 접속되어 있는 것은, 주로, 이들 단자로부터 정전기 노이즈 등이 침입하여, 패널 상의 회로를 정전 파괴시키는 것을 방지하기 위해서이다.

이상과 같이 본 발명에 따르면, 각 화소에 설치된 축적 용량에 접속된 용량 라인에 출력되고, 교류 구동되는 용량 신호를, 선택적으로 고정할 수 있다. 즉, 제품의 공장 출하 전 등에, 화소가 형성된 표시 패널에 대하여 결함 검사를 행하는 경우 등, 필요에 따라 용량 신호를 고정할 수 있다. 상기 검사 시에는 각 화소의 매우 작은 용량치의 변동 등을 검사한다. 따라서, 검사 시에 용량 신호의 레벨이 크게 변동하게 되면, 측정 대상인 각 화소의 용량치의 변동이 커서, 정밀도 좋게 미소한 용량 변화를 측정할 수 없지만, 본 발명에서는, 요구에 따라 용량 신호의 변화를 정지할 수 있기 때문에, 통상 동작 시의 표시 품질의 향상과, 결함 검사의 정밀도 향상의 양립을 도모할 수 있다.

또한, 용량 신호 고정부에 의해, 용량 라인에 출력하는 전압 레벨을 소정 레벨로 설정 가능하게 함으로써, 결함 검사에서, 측정 조건을 광범위하게 설정할 수 있어, 보다 고정밀도의 검사를 하는 것이 가능해진다. 또한, 결함 검사에서 얻어지는 검출 신호의 S/N비의 향상이 가능하기 때문에, 측정 시간의 단축, 처리 능력의 향상을 도모할 수도 있다.

또한, 통상 표시 동작 시 등은, 용량 신호를 교류 구동하는 것이 가능하기 때문에, 대응하는 화소의 화소 트랜지스터를 강제적으로 오프 제어함으로써 표시 소자를 동작을 오프 제어하고, 잔상의 발생을 억제하거나, 표시 소자의 교류 구동하여 소부를 방지하거나 할 수 있다.

Claims (14)

1. 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 화소를 구비하는 표시 영역과, 상기 표시 영역 내의 상기 복수의 화소를 구동하기 위한 구동 회로를 구비하는 표시 장치로서,

   상기 표시 영역에서, 상기 복수의 화소의 각각은, 표시 소자와, 상기 표시 소자를 표시 데이터에 따라 제어하는 화소 트랜지스터와, 상기 표시 데이터를 소정 기간 유지하기 위한 축적 용량을 구비하고,

   상기 축적 용량은, 제1 전극 및 제2 전극을 구비하고, 상기 제1 전극은, 상기 화소 트랜지스터와 상기 표시 소자 사이에 접속되고, 상기 제2 전극은, 용량 라인에 접속되고,

   상기 구동 회로는, 적어도 수직 방향 구동부 및 용량 신호 고정부를 갖고,

   상기 수직 방향 구동부는, 상기 용량 라인에 대하여, 소정의 교류 신호를 용량 신호로서 출력하는 용량 신호 작성부를 구비하고,

   상기 용량 신호 고정부는, 상기 용량 신호 작성부로부터 출력되는 상기 용량 신호를 선택적으로, 직류 레벨에 고정하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
2. 제1항에 있어서,

   상기 용량 신호 작성부로부터 출력되는 상기 용량 신호의 상기 전압 레벨을 설정하는 레벨 설정부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
3. 제2항에 있어서,

   상기 레벨 설정부는, 상기 용량 신호 고정부로부터 고정 제어 신호가 출력되는 것을 검출하여, 상기 용량 신호 작성부의 용량 신호 출력부에서 그 용량 신호의 전압치를 결정하기 위한 출력부 전원 전압의 레벨을 설정하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
4. 제2항에 있어서,

   상기 레벨 설정부는, 레벨 설정용 단자를 갖고, 그 레벨 설정용 단자에 접속되는 설정용 전원에 따라 상기 용량 신호의 상기 전압 레벨이 설정되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
5. 제1항에 있어서,

   상기 용량 신호 고정부는, 고정 제어용 단자를 갖고, 그 고정 제어용 단자에 접속되는 전원 전압에 따라 상기 용량 신호의 직류 레벨에의 고정 제어를 행하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
6. 제1항에 있어서,

   상기 용량 신호 고정부는, 상기 표시 영역에서의 동작 검사 모드에서, 상기 용량 신호의 레벨을 고정하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
7. 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 화소를 구비하는 표시 영역과, 상기 표시 영역 내의 상기 복수의 화소를 구동하기 위한 구동 회로를 구비하는 표시 장치로서,

   상기 표시 영역에서, 상기 복수의 화소의 각각은, 표시 소자와, 상기 표시 소자를 표시 데이터에 따라 제어하는 화소 트랜지스터와, 상기 표시 데이터를 소정기간 유지하기 위한 축적 용량을 구비하고,

   상기 축적 용량은, 제1 전극 및 제2 전극을 구비하고, 상기 제1 전극은, 상기 화소 트랜지스터와 상기 표시 소자 사이에 접속되고, 제2 전극은, 용량 라인에 접속되고,

   상기 표시 영역의 수평 주사 방향으로는, 대응하는 화소의 화소 트랜지스터를 선택하기 위한 선택 라인과, 상기 축적 용량의 상기 제2 전극의 전위를 제어하는 용량 라인이 연장 형성되고,

   상기 구동 회로는, 적어도 수직 방향 구동부 및 용량 신호 고정부를 갖고,

   상기 수직 방향 구동부는, 1 수직 주사 기간의 개시 타이밍을 나타내는 수직 스타트 신호에 기초하여, 대응하는 행의 상기 화소 트랜지스터를 선택하기 위해 상기 선택 라인에 순차적으로 출력하는 선택 신호와, 상기 수직 스타트 신호에 기초해 1 수평 주사 기간 중에 제1 전압 레벨 기간과 제2 전압 레벨 기간이 설정되고, 상기 용량 라인에 순차적으로 출력되는 용량 신호를 작성하고,

   상기 용량 신호 고정부는, 상기 수직 방향 구동부로부터 출력되는 상기 용량 신호를 선택적으로 직류 레벨에 고정하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
8. 제7항에 있어서,

   상기 수직 방향 구동부는,

   상기 수직 스타트 신호를 수신하여 순차적으로 전송하는 복수 단의 레지스터를 갖는 수직 전송 레지스터와,

   상기 수직 전송 레지스터의 출력에 기초하여 상기 선택 라인에 공급되는 상기 선택 신호를 작성하는 선택 신호 작성부와,

   상기 수직 전송 레지스터의 출력에 기초하여 상기 용량 신호를 작성하는 용량 신호 작성부

   를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
9. 제8항에 있어서,

   상기 용량 신호 작성부는, 상기 용량 라인에 상기 용량 신호를 출력하기 위한 논리 회로를 갖고,

   상기 논리 회로의 1개의 입력단에는, 상기 용량 신호 고정부에서의 소정 레벨의 고정 제어 신호가 공급되고, 그 고정 제어 신호에 따라 상기 논리 회로로부터의 상기 용량 신호의 출력 레벨이 고정되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
10. 제7항에 있어서,

    상기 용량 신호 작성부로부터 출력되는 상기 용량 신호의 상기 전압 레벨을 설정하는 레벨 설정부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
11. 제10항에 있어서,

    상기 레벨 설정부는, 상기 용량 신호 고정부로부터 고정 제어 신호가 출력되는 것을 검출하여, 상기 용량 신호 작성부의 용량 신호 출력부에서 그 용량 신호의 전압치를 결정하기 위한 출력부 전원 전압의 레벨을 설정하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
12. 제10항에 있어서,

    상기 레벨 설정부는, 레벨 설정용 단자를 갖고, 그 레벨 설정용 단자에 접속되는 설정용 전원에 따라 상기 용량 신호의 상기 전압 레벨이 설정되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
13. 제7항에 있어서,

    상기 용량 신호 고정부는, 고정 제어용 단자를 갖고, 그 고정 제어용 단자에 접속되는 전원 전압에 따라 상기 용량 신호의 직류 레벨에의 고정 제어를 행하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
14. 제7항에 있어서,

    상기 용량 신호 고정부는, 상기 표시 영역에서의 동작 검사 모드에서, 상기 용량 신호의 레벨을 고정하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.

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