KR20070017580A

KR20070017580A - 투광성 전자파 실드막 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR20070017580A
Application number: KR1020077001276A
Authority: KR
Inventors: 히로토모 사사키; 료 니시자쿠라
Original assignee: 후지필름 홀딩스 가부시끼가이샤
Priority date: 2004-06-23
Filing date: 2005-06-22
Publication date: 2007-02-12
Also published as: CN102548379A; WO2006001461A1; US20080211371A1; US7934966B2; EP1781077A1; EP1781077A4; JP4531763B2; CN101002519B; JPWO2006001461A1; KR101020144B1; CN101002519A; CN102548379B

Abstract

지지체상에 금속은부가 메시상으로 형성된 도전성 은박막으로서, 메시상으로 형성된 상기 금속은부는, 선폭이 18㎛이하이고 개구율이 85%이상이며, Ag를 80~100질량% 함유하고, 또한, 표면 저항값이 5Ω/sq이하인 투광성 전자파 실드막. 이 투광성 전자파 실드막은, 높은 전자파 실드성과 높은 투명성을 동시에 갖고, 또한, 메시부가 흑색이라는 특징을 갖는다.

Description

투광성 전자파 실드막 및 그 제조방법{TRANSPARENT ELECTROMAGNETIC SHIELDING FILM AND METHOD FOR PRODUCING SAME}

본 발명은, CRT(음극선관), PDP(플라즈마 디스플레이 패널), 액정, EL(일렉트로루미네센스), FED(필드에미션 디스플레이) 등의 디스플레이 앞면, 전자레인지, 전자기기 및 프린트 배선판 등으로부터 발생하는 전자파를 차폐하고, 또한, 투명성을 갖는 전자파 차폐재료인 투광성 전자파 실드막 및 그 제조방법, 및, 플라즈마 디스플레이 패널용 투광성 전자파 실드막 및 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.

최근, 각종 전기설비나 전자응용설비의 이용의 증가에 따라, 전자파 장해(Electro-Magnetic Interference:EMI)가 급증하고 있다. EMI는, 전자, 전기기기의 오동작이나 장해의 원인이 되는 것 외에, 이들 장치의 오퍼레이터에게도 건강 장해를 주는 것이 지적되고 있다. 이 때문에, 전자전기기기에서는, 전자파 방출의 강도를 규격 또는 규제내로 억제하는 것이 요구되고 있다.

상기 EMI의 대책에는 전자파를 실드할 필요가 있지만, 그것에는 금속의 전자파를 관통시키지 않는 성질을 이용하면 좋은 것은 자명하다. 예를 들면, 케이스체를 금속체 또는 고도전체로 하는 방법이나, 회로기판과 회로기판 사이에 금속판을 삽입하는 방법이나, 케이블을 금속박으로 덮는 방법 등이 채용되고 있다. 그러나, CRT나 PDP 등에서는 오퍼레이터가 화면에 표시되는 문자 등을 인식할 필요가 있기 때문에, 디스플레이에 있어서의 투명성이 요구된다. 이 때문에, 상기의 방법에서는, 모두 디스플레이 앞면이 불투명해지는 일이 많아, 전자파의 실드법으로서는 부적절한 것이었다.

특히, PDP는, CRT 등과 비교하면 다량의 전자파를 발생시키기 때문에, 보다 강한 전자파 실드 능력이 요구되고 있다. 전자파 실드 능력은, 간편하게는 표면 저항값으로 나타낼 수 있다. 예를 들면, CRT용 투광성 전자파 실드 재료에서는, 표면 저항값은 대개 300Ω/sq이하인 것이 요구되는 것에 대해, PDP용 투광성 전자파 실드 재료에서는, 2.5Ω/sq이하인 것이 요구되고, PDP를 이용한 민생용 플라즈마 텔레비젼에 있어서는, 1.5Ω/sq이하로 할 필요성이 높고, 보다 바람직하게는 0.1Ω/sq이하라는 매우 높은 도전성이 요구되고 있다.

또한, 투명성에 관한 요구 레벨은, CRT용으로서는 대개 전체 가시광 투과율이 70%이상, PDP용으로서는 전체 가시광 투과율이 80%이상인 것이 요구되고 있고, 또한 높은 투명성이 요구되고 있다.

상기의 문제를 해결하기 위해서, 이하에 나타내어지는 바와 같이, 개구부를 갖는 금속메시를 이용해서 전자파 실드성과 투명성을 양립시키는 여러가지 재료·방법이 지금까지 제안되고 있다.

(1) 은페이스트를 인쇄한 메시

예를 들면, 은분말로 이루어지는 페이스트를 메시상으로 인쇄하여, 은메시를 얻는 방법이 개시되어 있다(예를 들면 일본 특허공개 2000-13088호 공보 참조). 이 방법으로 얻어진 은메시는, 인쇄법에 의한다는 점에서 선폭이 굵고 투과율이 저하된다는 등의 문제가 있고, 또한 표면 저항값이 높고 전자파 실드 능력이 작다. 이 때문에, 전자파 실드 능력을 높이기 위해서는 얻어진 은메시에 도금처리를 실시할 필요가 있었다.

(2) 불규칙 메시상의 은메시

예를 들면, 불규칙한 미소한 메시상의 은메시 및 그 제조방법이 개시되어 있다(예를 들면, 일본 특허공개 평10-340629호 공보 참조). 그러나, 이 제조방법에서는 표면 저항값이 10Ω/sq로 큰(전자파 실드 능력이 낮음) 메시밖에 얻어지지 않는 문제가 있다. 또한 헤이즈가 커서 십수%이상이며, 디스플레이 화상이 흐릿해지는 문제가 있었다.

(3) 포토리소그래피법을 이용한 에칭가공 동메시

포토리소그래피법을 이용해서 동박을 에칭가공하고, 투명기체상에 동메시를 형성하는 방법이 제안되고 있다(예를 들면 일본 특허공개 평10-41682호 공보 참조). 이 방법에서는, 메시의 미세가공이 가능하기 때문에, 고개구율(고투과율)의 메시를 제작할 수 있고, 강력한 전자파 방출도 차폐할 수 있다고 하는 이점을 갖는다. 그러나, 그 제조공정은 매우 많은 공정을 포함하고, 이들을 거쳐서 제조하지 않으면 안된다는 문제점이 있었다.

또한, 동박을 사용한다는 점에서, 완성된 메시가 흑색이 아니라 동박의 색으로 된다는 점에서, 디스플레이 기기에 있어서의 영상의 콘트라스트 저하의 원인으 로 되는 문제가 있었다. 또한, 에칭공법에 의한다는 점에서, 격자모양의 교점부가 직선부분의 선폭보다 굵다는 문제가 있고, 모아레의 문제와 관련해서 개선이 요망되고 있었다.

(4) 은염을 이용한 도전성 은형성법

1960년대에, 물리 현상핵에 은을 침착시키는 은염 확산 전사법에 의해 도전성을 갖는 금속은박막 패턴을 형성하는 방법이 개시되어 있다(예를 들면, 일본 특허공고 소42-23746호 공보 참조).

그러나, 이러한 방법으로 도전성 금속은박막을 제작해서 CRT나 PDP 등의 디스플레이의 화상 표시면으로부터 방사되는 전자파를 화상 표시를 방해하지 않고, 실드하는 방책에 대해서는 전혀 알려져 있지 않았다.

또한 이 방법에 의하면, 10Ω/sq~100KΩ/sq의 은박막이 얻어지지지만, 이 도전성 레벨에서는, PDP용도로서는 불충분하다. 또한, 투명성의 면에서도 충분하지 않아, 투명성과 도전성의 양립을 달성할 수 없는 문제가 있었다.

따라서, 상기 은염 확산 전사법을 그대로 사용해도, 전자 디스플레이 기기에 있어서의 화상 표시면으로부터 방출되는 전자파를 실드하기 위해서 바람직한, 광투과성과 도전성이 우수한 투광성 전자파 실드 재료는 얻을 수 없었다.

상술한 바와 같이, 종래의 전자파 차폐재료나 그 제조방법에는, 각각 문제점이 있었다. 그 중에서도, 투명한 유리나 플라스틱 기판면에 금속박막으로 이루어지는 메시를 형성한 전자파 차폐판은, 매우 높은 전자파 실드성을 갖고, 또한 양호한 광투과성이 얻어진다는 점에서, 최근, PDP 등의 디스플레이용 패널 등의 전자파 실드재로서 사용되도록 되어 왔다.

그러나, 그 가격은 매우 고가였기 때문에, 제조 비용의 저감화가 강하게 요망되고 있었다. 또한, 디스플레이에서는, 높은 화상의 명도가 요구되기 때문에, 100%에 가까운 광투과성이나, 메시의 색이 흑색인 것이 요구되고 있었다. 그러나, 광투과성을 향상시키기 위해서, 개구율(메시를 이루는 세선이 없는 부분)이 전체에 차지하는 비율을 높이면, 도전성이 저하되어 전자파 실드 효과가 손상되기 때문에, 도전성(전자파 실드 효과)과 광투과성을 동시에 향상시키는 것은, 지금까지의 기술로는 매우 곤란했다.

본 발명은, 이러한 사정을 감안해서 이루어진 것이며, 본 발명의 목적은, 높은 전자파 실드성과 높은 투명성을 동시에 갖고, 또한, 메시부가 흑색의 투광성 전자파 실드막을 제공하는 것, 및, 세선상 패턴의 형성이 단공정으로 가능하며, 저렴·대량으로 제조할 수 있는 투광성 전자파 실드막의 제조방법을 제공하는 것에 있다. 또한 본 발명의 다른 목적은, 상기 제조방법에 의해 얻어지는 투광성 전자파 실드막을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널용 투광성 전자파 실드막 및 이것을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것에 있다.

본 발명자들은, 높은 전자파 실드성과 높은 투명성을 동시에 얻으면서, PDP화상의 화질 열화를 최소로 하는 관점에서, 예의 검토한 결과, 상기 목적은, 이하의 투광성 전자파 실드막 및 그 제조방법에 의해 효과적으로 달성할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하는데에 이르렀다.

(1) 지지체상에 금속은부가 메시상으로 형성된 도전성 은박막으로서, 메시상으로 형성된 상기 금속은부는 선폭이 18㎛이하이고 개구율이 85%이상이며, Ag를 80~100질량% 함유하고, 또한, 표면 저항값이 5Ω/sq이하인 것을 특징으로 하는 투광성 전자파 실드막.

(2) 헤이즈가 10%이하인 것을 특징으로 하는 (1)에 기재된 투광성 전자파 실드막.

(3) 상기 도전성 은박막의 금속은부 이외의 부분으로 구성되는 광투과성부의 전체 가시광 투과율이 95%이상인 (1) 또는 (2)에 기재된 투광성 전자파 실드막.

(4) (1)~(3) 중 어느 한 항에 기재된 투광성 전자파 실드막의 제조방법으로서, 지지체상에 형성된 은염을 함유하는 은염 함유층을 메시상으로 노광하는 공정과, 현상처리를 실시함으로써 노광부 및 미노광부에 각각 금속은부 및 광투과성부를 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 투광성 전자파 실드막의 제조방법.

(5) 상기 금속은부에 물리현상 및/또는 도금처리를 실질적으로 실시하지 않는 것을 특징으로 하는 (4)에 기재된 투광성 전자파 실드막의 제조방법.

(6) 상기 은염 함유층의 Ag/바인더 체적비가 1/2이상인 것을 특징으로 하는 (4) 또는 (5)에 기재된 투광성 전자파 실드막의 제조방법.

(7) (1)~(3) 중 어느 한 항에 기재된 투광성 전자파 실드막을 포함해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 투광성 전자파 실드막.

(8) (1)~(3) 중 어느 한 항에 기재된 투광성 전자파 실드막을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널.

본 발명에 의하면, 높은 전자파 실드성과 높은 투명성을 갖고, 또한, 메시부가 흑색의 투광성 전자파 실드막을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 세선상 패턴의 형성이 단공정으로 가능하며, 높은 전자파 실드성과 높은 투명성을 갖고, 또한, 메시부가 흑색의 투광성 전자파 실드막을 저렴·대량으로 제조하는 것이 가능한 투광성 전자파 실드막의 제조방법을 제공할 수 있다. 또한 본 발명에 의하면, 상기 제조방법에 의해 얻어지는 투광성 전자파 실드막을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널용 투광성 전자파 실드막 및 이것을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공할 수 있다.

이하에 본 발명의 투광성 전자파 실드막 및 그 제조방법 대해서 상세하게 설명한다.

또한, 본 명세서에 있어서 「~」는, 그 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 의미로서 사용된다.

《투광성 전자파 실드막》

본 발명의 투광성 전자파 실드막은, 지지체상에 금속은부가 메시상으로 형성된 도전성 은박막으로서, 메시상으로 형성된 상기 금속은부는 선폭이 18㎛이하 및 개구율이 85%이상, 및, Ag를 80~100질량% 함유하고 있고, 또한, 표면 저항값이 5Ω/sq이하인 것을 특징으로 한다.

[지지체]

본 발명에 있어서, 상기 지지체로서는, 플라스틱 필름, 플라스틱판, 또는, 유리 등을 사용할 수 있다.

상기 플라스틱 필름 및 플라스틱판의 원료로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 및 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르류; 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌, 및 EVA 등의 폴리올레핀류; 폴리염화비닐, 및 폴리염화비닐리덴 등의 비닐계 수지; 그 밖에, 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리설폰(PSF), 폴리에테르설폰(PES), 폴리카보네이트(PC), 폴리아미드, 폴리이미드, 아크릴수지, 트리아세틸셀룰로오스(TAC) 등을 사용할 수 있다.

투명성, 내열성, 취급의 용이함 및 가격의 점에서, 상기 플라스틱 필름은 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름인 것이 바람직하다.

또한, 디스플레이용의 전자파 실드재에서는 투명성이 요구되기 때문에, 지지체의 투명성은 높은 것이 바람직하다. 이 경우에 있어서의 플라스틱 필름 또는 플라스틱판의 전체 가시광 투과율은 70~100%가 바람직하고, 더욱 바람직하게는85~100%이며, 특히 바람직하게는 90~100%이다. 또한 본 발명에서는, 상기 플라스틱 필름 및 플라스틱판을 본 발명의 목적을 방해하지 않는 정도로 착색한 것을 지지체로서 사용할 수도 있다.

본 발명에 있어서의 지지체로서 사용할 수 있는 플라스틱 필름 및 플라스틱판은, 단층으로 사용할 수도 있지만, 2층 이상을 조합한 다층 필름으로서 사용하는 것도 가능하다.

본 발명에 있어서의 지지체로서 유리판을 사용하는 경우, 그 종류는 특별하게 한정되지 않지만, 디스플레이용 전자파 실드의 용도로 사용하는 경우에는, 표면 에 강화층을 형성한 강화유리를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 강화유리는, 강화처리하지 않은 유리를 사용한 경우에 비해서 파손을 방지할 수 있는 가능성이 높다. 또한, 풍냉법에 의해 얻어지는 강화유리는, 만일 파손되어도 그 파쇄 파편이 작고, 또한 끝면도 예리해지는 일은 없기 때문에, 안전상 바람직하다.

[금속은부(도전성 금속부)]

다음에, 본 발명에 있어서의 도전성 금속부에 대해서 설명한다.

본 발명에서는, 금속은부가 도전성 금속부의 작용을 담당한다. 상기 금속은부는, 은염 함유층에 노광 및 현상처리를 실시함으로써 형성할 수 있고, 노광부에 금속은부가 형성된다.

본 발명에 있어서의 도전성 금속부(금속은부)가 경시적으로 산화되어 변색되는 것을 방지하는 관점에서는, 금속은부에 변색 방지 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 그 수단으로서는, 금속표면에 이용되는 부식 억제제를 이용하는 것 등을 들 수 있고, 상기 부식 억제제로서는, 예를 들면 메르캅토 화합물 등을 이용할 수 있다.

본 발명에 있어서의 금속은부는, 양호한 도전성을 갖고 있다. 본 발명에 있어서의 금속은부의 표면 저항값은, 5Ω/sq이하이며, 2.5Ω/sq이하인 것이 보다 바람직하고, 1Ω/sq이하인 것이 가장 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서 표면 저항값은 낮을수록 바람직하고, 하한에 대해서는 특별하게 한정은 없지만, 통상 0.01 Ω/sq이상 정도이다.

또한 본 발명에 있어서의 금속은부는, 양호한 도전성을 얻기 위해서 Ag를 80~100질량%, 바람직하게는 90~100질량%, 더욱 바람직하게는 95~100질량% 함유한다. 이렇게, 본 발명의 투광성 전자파 실드막은, Ag함유량이 높은 금속은부를 구비함으로써 양호한 도전성을 확보하고, 표면 저항값을 낮게 억제할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서는 도전성 금속으로서 은을 이용하기 때문에 투광성 전자파 실드막의 메시를 흑색으로 할 수 있다. 이것에 의해, 플라즈마 디스플레이 패널 등에 이용한 경우에 화상의 콘트라스트의 저하를 방지할 수 있다.

본 발명에 있어서의 금속은부는, 메시상의 형태를 하고 있고, 정삼각형, 이등변삼각형, 직각삼각형 등의 삼각형, 정방형, 장방형, 다이아몬드형, 평행사변형, 사다리꼴 등의 사각형, (정)육각형, (정)팔각형 등의 (정)n각형, 원, 타원, 별형 등을 조합한 기하학 도형으로 이루어지는 것이 바람직하다. 전자파 실드성의 관점에서는 삼각형의 형상이 가장 유효하지만, 가시광 투과성의 관점에서는 동일한 라인폭이면 (정)n각형의 n수가 클수록 개구율이 높아져 가시광 투과성이 커지므로 유리하다.

투광성 전자파 실드막의 용도에 있어서, 상기 금속은부의 선폭은, 메시형상을 육안으로 확인했을 때에 판별할 수 있는 것에서는 문제가 있기 때문에, 판별할 수 없는 정도로 세선인 것이 PDP용도로서 요구되고 있다. 본 발명에 있어서 상기 금속은부의 선폭은 18㎛이하이며, 3㎛~14㎛가 바람직하고, 3㎛~10㎛가 보다 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서 상기 금속은부의 선폭이 18㎛이하이다란, 반드시 모든 선폭이 18㎛이하인 것을 의미하는 것은 아니고, 선폭 전체의 60%이상(바람직하게는 80%이상)이 18㎛이하인 것을 의미한다. 이 때문에, 선폭의 일부가 18㎛를 넘 는 개소가 있는 경우이여도, 선폭 전체의 60%이상이 18㎛이하인 경우에는, 본 발명의 효과를 나타낼 수 있다.

본 발명에 있어서의 금속은부의 막두께는 얇은 것이 모아레 등 화질의 관점에서 바람직하고, 도전성을 확보하는 의미에서 2.5㎛이상의 막두께가 바람직하고, 2.5㎛~8㎛가 바람직하며, 2.5㎛이상 5㎛미만이 바람직하고, 2.5㎛~4㎛가 보다 바람직하다.

또한, 본 발명에 있어서의 금속은부의 피치는, 60㎛~450㎛가 바람직하고, 120㎛~400㎛가 보다 바람직하다.

또한 금속은부는, 어스 접속 등의 목적에 있어서는, 선폭은 20㎛보다 넓은 부분을 갖고 있어도 좋다.

본 발명에 있어서의 금속은부는, 가시광 투과율의 점에서 개구율이 85%이상이며 90%이상인 것이 바람직하고, 93%이상인 것이 가장 바람직하다. 여기에서 본 발명에 있어서의 금속은부의 「개구율」이란, 메시를 이루는 금속은부의 세선이 없는 부분(공간)이 전체에 차지하는 비율이며, 예를 들면, 선폭 10㎛, 피치 200㎛의 정방형의 격자상 메시의 개구율은 90%이다.

또한, 본 발명에 있어서의 금속은부의 개구율에 대해서 특별히 상한의 한정은 없지만, 표면 저항값 및 선폭값의 관계로부터, 상기 개구율로서는, 98%이하인 것이 바람직하다.

본 발명의 투광성 전자파 실드막의 헤이즈는, 작을수록 바람직하다. 헤이즈가 클수록 PDP화상이 흐릿해지기 때문이다. 본 발명에 있어서 투광성 전자파 실드 막의 헤이즈는 10%이하가 바람직하고, 5%이하가 바람직하며, 3%이하가 보다 바람직하고, 2%이하가 더욱 바람직하고, 가장 바람직하게는 1%이하이다.

[광투과성부]

본 발명에 있어서의 「광투과성부」란, 투광성 전자파 실드막 중 도전성 금속부(금속은부) 이외의 투명성을 갖는 부분을 의미한다.

광투과성부에 있어서의 전체 가시광 투과율은, 95%이상, 바람직하게는 97%이상이며, 가장 바람직하게는 99%이상이다.

또한, 본 발명에 있어서의 「전체 가시광 투과율」이란, 특별히 언급하지 않는 한, 지지체의 광흡수 및 반사의 기여를 제거한 380~780㎚의 파장 영역에 있어서의 투과율의 평균으로 나타내어지는 투과율을 가리킨다. 본 발명에 있어서의 전체 가시광 투과율은, (투광성 전자파 실드재료의 전체 가시광 투과율)/(지지체의 전체 가시광 투과율)×100(%)으로 나타내어지고, 본 발명의 형태이면 개구율이 거의 같다.

본 발명에 있어서 광투과성부는, 투과성을 향상시키는 관점에서 실질적으로 물리 현상핵을 갖지 않는 것이 바람직하다. 본 발명은, 종래의 은착염 확산 전사법 과는 달리, 미노광의 할로겐화 은을 용해해서 가용성 은착 화합물로 변환시킨 후, 확산시킬 필요가 없기 때문에, 광투과성부에는 물리 현상핵을 실질적으로 갖지 않는다.

여기에, 「실질적으로 물리 현상핵을 갖지 않는다」란, 광투과성부에 있어서의 물리 현상핵의 존재율이 0~5%의 범위인 것을 말한다.

본 발명에 있어서의 광투과성부는, 상기 은염 함유층을 노광 및 현상처리함으로써, 금속은부와 함께 형성된다.

[투광성 전자파 실드막의 층구성]

본 발명의 투광성 전자파 실드막에 있어서의 지지체의 두께는, 5~200㎛인 것이 바람직하고, 30~150㎛인 것이 더욱 바람직하다. 5~200㎛의 범위이면 원하는 가시광의 투과율이 얻어지고, 또한 취급도 용이하다.

금속은부는 1층으로 구성되어 있어도 좋고, 2층 이상의 중층구성이여도 좋다. 금속은부가 패턴상이며, 또한 2층 이상의 중층구성인 경우, 다른 파장으로 감광할 수 있도록, 다른 감색성을 부여할 수 있다. 이것에 의해, 노광 파장을 바꿔서 노광하면, 각 층에 있어서 다른 패턴도 형성할 수 있다.

디스플레이의 전자파 실드재 용도로서는, 도전성 금속부인 금속은부의 두께는, 얇을수록 디스플레이의 시야각이 넓어지기 때문에 바람직하다. 또한, 도전성 배선재료의 용도로서는, 고밀도화의 요청으로부터 박막화가 요구된다.

본 발명에서는, 상술한 은염 함유층의 도포 두께를 컨트롤함으로써 원하는 두께의 금속은부를 형성할 수 있는 점에서, 5㎛미만, 바람직하게는 3㎛미만의 두께를 갖는 투광성 전자파 실드막이여도 용이하게 형성할 수 있다.

[전자파 실드 이외의 기능성 막]

본 발명에서는, 필요에 따라, 별도로 원하는 기능을 갖는 기능층을 형성해도 좋다. 이 기능층은, 용도마다 여러가지 사양으로 할 수 있다. 예를 들면, 디스플레이용 전자파 실드재 용도로서는, 굴절율이나 막두께를 조정한 반사방지기능이 부여 된 반사방지층; 논글레어층 또는 안티글레어층(모두 글레어 방지기능을 갖는다); 근적외선을 흡수하는 화합물이나 금속으로 이루어지는 근적외선 흡수층; 특정의 파장 영역의 가시광을 흡수하는 색조조절기능을 갖는 층; 지문 등의 오염을 제거하기 쉬운 기능을 갖는 방오층; 손상되기 어려운 하드코트층; 충격흡수기능을 갖는 층; 유리 파손시의 유리비산 방지기능을 갖는 층; 등을 형성할 수 있다. 이들 기능층은, 은염 함유층과 지지체를 사이에 두고 반대측의 면에 형성해도 좋고, 또한 동일면측에 형성해도 좋다.

이들 기능성 막은 PDP에 직접 부착해도 좋고, 플라즈마 디스플레이 패널 본체 와는 별도로, 유리판이나 아크릴 수지판 등의 투명기판에 부착해도 좋다. 이들 기능성 막을 광학필터(또는 단순하게 필터)라고 부른다.

반사방지기능을 부여한 반사방지층은, 외광의 반사를 억제해서 콘트라스트의 저하를 억제하기 위해서, 금속산화물, 불화물, 규화물, 붕화물, 탄화물, 질화물, 황화물 등의 무기물을 진공증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 이온빔 어시스트법 등으로 단층 또는 다층으로 적층시키는 방법; 아크릴 수지, 불소 수지 등의 굴절율이 다른 수지를 단층 또는 다층으로 적층시키는 방법 등에 의해 형성할 수 있다. 또한, 반사방지처리를 실시한 필름을 상기 필터상에 부착할 수도 있다. 또한, 필요하면 논글레어층 또는 안티글레어층을 형성할 수도 있다. 논글레어층이나 안티글레어층을 형성할 때에는, 실리카, 멜라민, 아크릴 등의 미분체를 잉크화해서, 표면에 코팅하는 방법 등을 사용할 수 있다. 이러한 잉크의 경화는 열경화 또는 광경화 등을 사용할 수 있다. 또한, 논글레어 처리 또는 안티글레어 처리를 한 필름을 상기 필터상에 부착할 수도 있다. 또한 필요하면 하드코트층을 형성할 수도 있다.

상기 근적외선 흡수층으로서는, 금속착체 화합물 등의 근적외선 흡수 색소를 함유하는 층, 또는, 은스퍼터층 등을 들 수 있다. 은스퍼터층은, 유전체층과 금속층을 기재상에 교대로 스퍼터링 등으로 적층시킴으로써 근적외선, 원적외선에서 전자파까지 1000㎚이상의 광을 컷팅할 수도 있다. 상기 유전체층에 함유되는 유전물질로서는 산화인듐, 산화아연 등의 투명한 금속산화물 등을 들 수 있다. 또한 금속층에 함유되는 금속으로서는, 은 또는 은-팔라듐 합금이 일반적이다. 상기 은스퍼터층은, 통상, 유전체층에서 시작되어 3층, 5층, 7층 또는 11층 정도 적층된 구조를 갖는다.

PDP에 구비된 청색을 발광하는 형광체는, 청색 이외에도 약간이지만 적색을 발광하는 특성을 갖고 있다. 이 때문에, 청색으로 표시되어야 하는 부분이 보라색 빛을 띠는 색으로 표시된다고 하는 문제가 있다. 상기 특정의 파장 영역의 가시광을 흡수하는 색조조절기능을 갖는 층은, 이 대책으로서 발색광의 보정을 행하는 층이며, 595㎚ 부근의 광을 흡수하는 색소를 함유한다.

[PDP용 전자파 실드막의 제조방법]

다음에, 본 발명의 PDP용 전자파 실드막의 제조방법에 대해서 서술한다.

본 발명의 투광성 전자파 실드막의 제조방법은, 이하의 어느 하나의 방법을 채용해도 좋다.

(a) 메시상의 금속은부를 전해 도금에 의해 얻은 후, 투명지지체에 메시상의 금속은부를 전사해서 본 발명의 투광성 전자파 실드막을 얻는 방법.

(b) 무전해 도금 촉매의 메시상 패턴을 지지체상에 형성하고, 무전해 도금함으로써 메시상의 금속은부를 형성하여, 본 발명의 투광성 전자파 실드막을 얻는 방법.

(c) 도전성 은페이스트로 메시상 패턴을 형성함으로써 본 발명의 투광성 전자파 실드막을 얻는 방법.

(d) 지지체상에 형성된 은염을 함유하는 은염 함유층을 노광하고, 현상처리 함으로써 노광부에 금속은부를 형성하고, 미노광부에 광투과성부를 형성함으로써 본 발명의 투광성 전자파 실드막을 얻는 방법.

(e) 지지체상의 금속박막을 에칭하는 방법.

상술의 제조방법 중 상기 (a)에 있어서의 제조방법은, 금속판상에 레지스트 패턴을 형성한 후, 전해 도금에 의해 금속판상에 메시상의 도전성 금속박막(금속은부)을 형성시키고, 그것을, 접착제를 갖는 접착 필름 등에 전사시키는 방법이다.

또한, 상기 (b)에 있어서의 제조방법은, 팔라듐 촉매 등의 무전해 도금 촉매의 메시상 패턴을 여러가지 인쇄법 등에 의해 지지체상에 형성하고, 무전해 도금함으로써 메시상의 금속은부를 형성하는 방법이다.

상기 (c)에 있어서의 제조방법은, 도전성 은페이스트를 이용하여 여러가지 인쇄법 등에 의해 지지체상에 메시상의 금속은부를 형성하는 방법이다.

상기 (d)에 있어서의 제조방법은, 본 발명의 투광성 전자파 실드막에 관해서 바람직한 제조방법이며, 이하에서 상세하게 설명한다.

상기 (e)에 있어서의 제조방법은, 지지체상에 같은 은을 함유한 금속박막을 형성하고, 레지스트 패턴을 그 위에 형성한 후, 에칭에 의해 메시상의 금속박막(금속은부)을 얻는 방법이다. 에칭방법에는, 산화제를 함유한 에칭액을 이용하는 웨트 에칭법(케미컬에칭법)을 들 수 있고, 그 밖에, 드라이에칭법도 들 수 있다.

본 발명의 투광성 전자파 실드막은, 바람직하게는, 상기 (d)에 있어서의 제조방법(이하, 이러한 제조방법을 「본 발명의 제조방법」이라고 칭한다.)에 의해 제조된다. 이하, 이러한 제조방법에 대해서, 보다 자세하게 설명한다.

본 발명의 제조방법은, 상기의 본 발명의 투광성 전자파 실드막의 제조방법으로서, 지지체상에 형성된 은염을 함유하는 은염 함유층을 노광하고, 현상처리함으로써 노광부에 금속은부를 형성하고, 미노광부에 광투과성부를 형성하는 것을 특징으로 한다.

[은염 함유층]

본 발명의 제조방법에 있어서, 광센서로서 은염을 함유하는 층(은염 함유층)이 지지체상에 형성된다. 은염 함유층은 은염 외에, 바인더, 용매 등을 함유할 수 있다.

<은염>

본 발명에서 이용되는 은염으로서는, 할로겐화은 등의 무기은염 및 초산은 등의 유기은염을 들 수 있지만, 광센서로서의 특성이 우수한 할로겐화은을 사용하는 것이 바람직하다.

본 발명에서 바람직하게 이용되는 할로겐화은에 대해서 더 설명한다.

상술한 바와 같이 본 발명에서는, 광센서로서 기능시키기 위해서 할로겐화은 을 사용할 수 있다. 할로겐화은에 관한 은염사진필름이나 인화지, 인쇄제판용 필름, 포토마스크용 에멀젼 마스크 등으로 이용되는 기술은, 본 발명에 있어서도 그대로 사용할 수도 있다.

할로겐화은에 함유되는 할로겐 원소는, 염소, 브롬, 요오드 및 불소 중 어느 하나이여도 좋고, 이들을 조합해도 좋다. 예를 들면, AgCl, AgBr, AgI를 주체로 한 할로겐화은이 바람직하게 이용되고, AgBr을 주체로 한 할로겐화은이 더욱 바람직하게 이용된다.

여기에서, 「AgBr(브롬화은)을 주체로 한 할로겐화은」이란, 할로겐화은 조성 중에 차지하는 브롬화물 이온의 몰분율이 50%이상인 할로겐화은을 말한다. 이 AgBr을 주체로 한 할로겐화은 입자는, 브롬화물 이온 외에 요오드화물 이온, 염화물 이온을 함유하고 있어도 좋다.

할로겐화은은 고체 입자상이며, 노광, 현상처리후에 형성되는 패턴상 금속은층의 화상 품질의 관점에서는, 할로겐화은의 평균 입자 사이즈는, 구상당 직경으로 0.1~1000㎚(1㎛)인 것이 바람직하고, 0.1~100㎚인 것이 보다 바람직하고, 1~50㎚인 것이 더욱 바람직하다.

또한, 할로겐화은 입자의 구상당 직경이란, 입자형상이 구형과 같은 체적을 갖는 입자의 직경이다.

할로겐화은 입자의 형상은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 구상, 입방체상, 평판상(육각 평판상, 삼각형 평판상, 사각형 평판상 등), 팔면체상, 14면체상 등 여러가지 형상일 수 있다.

본 발명에서 이용되는 할로겐화은은, 또 다른 원소를 함유하고 있어도 좋다. 예를 들면, 사진유제에 있어서, 경조한 유제를 얻기 위해서 이용되는 금속이온을 도프하는 것도 유용하다. 특히 로듐 이온이나 이리듐 이온 등의 천이금속이온은, 금속은상의 생성시에 노광부와 미노광부의 차가 명확하게 발생하기 쉬워지기 때문에 바람직하게 이용된다. 로듐 이온, 이리듐 이온으로 대표되는 천이금속이온은, 각종 배위자를 갖는 화합물일 수도 있다. 그러한 배위자로서는, 예를 들면, 시안화물 이온이나 할로겐 이온, 티오시아네이트 이온, 니트로실 이온, 물, 수산화물 이온 등을 들 수 있다. 구체적인 화합물의 예로서는, K₃Rh₂Br₉ 및 K₂IrCl₆ 등을 들 수 있다.

본 발명에 있어서, 할로겐화은에 함유되는 로듐 화합물 및 / 또는 이리듐 화합물의 함유율은, 할로겐화은의 은의 몰수에 대하여, 10^-10~10^-2몰/몰Ag인 것이 바람직하고, 10^-9~10^-3몰/몰Ag인 것이 더욱 바람직하다.

그 밖에, 본 발명에서는, Pd(II)이온 및 / 또는 Pd금속을 함유하는 할로겐화은도 바람직하게 사용할 수 있다. Pd는 할로겐화은 입자내에 균일하게 분포되어 있어도 좋지만, 할로겐화은 입자의 표층 근방에 함유시키는 것이 바람직하다. 여기에서, Pd가 「할로겐화은 입자의 표층 근방에 함유된다」란, 할로겐화은 입자의 표면으로부터 깊이방향으로 50㎚이내에 있어서, 다른 층보다 팔라듐의 함유율이 높은 층을 갖는 것을 의미한다. 이러한 할로겐화은 입자는, 할로겐화은 입자를 형성하는 도중에 Pd를 첨가함으로써 제작할 수 있고, 은 이온과 할로겐 이온을 각각 총 첨가 량의 50%이상 첨가한 후에, Pd를 첨가하는 것이 바람직하다. 또한 Pd(II)이온을 후숙시에 첨가하는 등의 방법으로 할로겐화은 표층에 존재시키는 것도 바람직하다.

이 Pd함유 할로겐화은 입자는, 물리현상이나 무전해 도금의 속도를 빠르게 하여, 원하는 전자파 실드재의 생산 효율을 높이고, 생산 비용의 저감에 기여한다. Pd는, 무전해 도금 촉매로서 잘 알려져서 이용되고 있지만, 본 발명에서는, 할로겐화은 입자의 표층에 Pd를 편재시키는 것이 가능하기 때문에, 매우 고가인 Pd를 절약하는 것이 가능하다.

본 발명에 있어서, 할로겐화은에 함유되는 Pd이온 및 / 또는 Pd금속의 함유율은, 할로겐화은의 은의 몰수에 대하여 10^-4~0.5몰/몰Ag인 것이 바람직하고, 0.01~0.3몰/몰Ag인 것이 더욱 바람직하다.

사용하는 Pd화합물의 예로서는, PdCl₄나, Na₂PdCl₄ 등을 들 수 있다.

본 발명에서는, 광센서로서의 감도를 더욱 향상시키기 위해서, 사진유제로 행해지는 화학 증감을 실시할 수도 있다. 화학 증감으로서는, 예를 들면, 금 증감 등의 귀금속 증감, 유황 증감 등의 칼코겐 증감, 환원 증감 등을 이용할 수 있다.

본 발명에서 사용할 수 있는 유제로서는, 예를 들면 일본 특허공개 평11-305396호 공보, 일본 특허공개 2000-321698호 공보, 일본 특허공개 평13-281815호 공보 및 일본 특허공개 2002-72429호 공보의 실시예에 기재된 컬러 네거티브 필름용 유제; 일본 특허공개 2002-214731호 공보에 기재된 컬러 리버설 필름용 유제; 일본 특허공개 2002-107865호 공보에 기재된 컬러 인화지용 유제 등을 바람직하게 사용할 수 있다.

<바인더>

본 발명의 제조방법에 있어서의 은염 함유층에 있어서, 바인더는 은염입자를 균일하게 분산시키고, 또한 은염 함유층과 지지체의 밀착을 보조하는 목적으로 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서는, 비수용성 폴리머 및 수용성 폴리머 모두 바인더로서 이용할 수 있지만, 수용성 폴리머를 이용하는 것이 바람직하다.

상기 바인더로서는, 예를 들면, 젤라틴, 폴리비닐알코올(PVA), 폴리비닐피롤리돈(PVP), 전분 등의 다당류, 셀룰로오스 및 그 유도체, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리사카라이드, 폴리비닐아민, 키토산, 폴리리신, 폴리아크릴산, 폴리알긴산, 폴리 히알루론산, 카르복시셀룰로오스 등을 들 수 있다. 이들은, 관능기의 이온성에 의해 중성, 음이온성, 양이온성의 성질을 갖는다.

본 발명의 제조방법에 있어서의 은염 함유층 중에 함유되는 바인더의 함유량은, 분산성과 밀착성을 발휘할 수 있는 범위에서 적당히 결정할 수 있다. 금속입자끼리가 서로 접촉되기 쉽고, 높은 도전성을 얻기 위해서, 은염 함유층 중의 바인더의 함유량은, Ag/바인더 체적비로 1/2~2인 것이 바람직하고, 1/1~2인 것이 더욱 바람직하다.

<용매>

본 발명의 제조방법에 있어서의 은염 함유층에서 이용되는 용매는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 물, 유기용매(예를 들면, 메탄올 등 알코올류, 아세톤 등 케톤류, 포름아미드 등의 아미드류, 디메틸술폭시드 등의 술폭시드류, 초산에틸 등의 에스테르류, 에테르류 등), 이온성 액체, 및 이들의 혼합용매를 들 수 있다.

본 발명의 은염 함유층에 이용되는 용매의 함유량은, 상기 은함유층에 함유되는 은염, 바인더 등의 합계의 질량에 대하여 30~90질량%의 범위이며, 50~80질량%의 범위인 것이 바람직하다.

[노광]

본 발명의 제조방법에서는, 지지체상에 형성된 은염 함유층의 노광을 행한다. 노광은, 전자파를 이용하여 행할 수 있다. 전자파로서는, 예를 들면 가시광선, 자외선 등의 광, X선 등의 방사선 등을 들 수 있다. 또한, 노광에는 파장 분포를 갖는 광원을 이용해도 좋고, 특정의 파장의 광원을 이용해도 좋다.

상기 광원으로서는, 예를 들면 음극선(CRT)을 사용한 주사노광을 들 수 있다. 음극선관 노광장치는, 레이저를 사용한 장치에 비해서, 간편하고 또한 콤팩트하며, 저비용이 된다. 또한 광축이나 색의 조정도 용이하다. 화상 노광에 사용하는 음극선관에는, 필요에 따라서 스펙트럼 영역에 발광을 나타내는 각종 발광체가 이용된다. 발광체로서는, 예를 들면 적색 발광체, 녹색 발광체, 청색 발광체 중 어느 1종 또는 2종 이상이 혼합되어서 이용된다. 스펙트럼 영역은, 상기의 적색, 녹색 및 청색에 한정되지 않고, 노란색, 주황색, 보라색 혹은 적외영역에 발광하는 형광체도 이용된다. 특히, 이들 발광체를 혼합해서 백색으로 발광하는 음극선관이 자주 이용된다. 또한, 자외선 램프도 바람직하고, 수은 램프의 g선, 수은 램프의 i선 등도 이용된다.

또한 본 발명의 제조방법에서는, 노광을 여러가지 레이저빔을 이용하여 행할 수 있다. 예를 들면, 본 발명에 있어서의 노광은, 가스레이저, 발광 다이오드, 반도체 레이저, 반도체 레이저 또는 반도체 레이저를 여기광원에 이용한 고체 레이저와 비선형 광학결정을 조합한 제2고조파 발광 광원(SHG) 등의 단색 고밀도광을 이용한 주사노광방식을 바람직하게 사용할 수 있고, 또한 KrF엑시머레이저, ArF엑시머레이저, F2레이저 등도 사용할 수 있다. 시스템을 콤팩트하고, 저렴한 것으로 하기 위해서, 노광은 반도체 레이저, 반도체 레이저 혹은 고체 레이저와 비선형 광학결정을 조합한 제2고조파 발생 광원(SHG)을 이용해서 행하는 것이 바람직하다. 특히 콤팩트하고, 저렴하며, 또한 수명이 길고, 안정성이 높은 장치를 설계하기 위해서는, 노광은 반도체 레이저를 이용해서 행하는 것이 바람직하다.

레이저 광원으로서는, 구체적으로는, 파장 430~460㎚의 청색 반도체 레이저(2001년 3월 제48회 응용물리학 관계 연합 강연회에서 니치아화학발표), 반도체 레이저(발진 파장 약 1060㎚)를 도파로상의 반전 도메인 구조를 갖는 LiNbO₃의 SHG결정에 의해 파장 변환해서 꺼낸 약 530㎚의 녹색 레이저, 파장 약 685㎚의 적색 반도체 레이저(히타치 타입 No.HL6738MG), 파장 약 650㎚의 적색 반도체 레이저(히타치 타입 No.HL6501MG) 등이 바람직하게 이용된다.

은염 함유층을 패턴상으로 노광하는 방법은, 포토마스크를 이용한 면노광으로 행해도 좋고, 레이저빔에 의한 주사노광으로 행해도 좋다. 이 때, 렌즈를 이용한 굴절식 노광으로도 반사경을 사용한 반사식 노광으로도 좋고, 콘택트 노광, 프 록시미티 노광, 축소 투영 노광, 반사 투영 노광 등의 노광방식을 사용할 수 있다.

[현상처리]

본 발명의 제조방법에서는, 은염 함유층을 노광한 후, 다시 현상처리가 실시된다.

상기 현상처리는, 은염사진필름이나 인화지, 인쇄제판용 필름, 포토마스크용 에멀젼 마스크 등에 이용되는 통상의 현상처리의 기술을 사용할 수 있다. 현상액 에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, PQ현상액, MQ현상액, MAA현상액 등을 사용할 수도 있다. 시판품으로서는, 예를 들면, 후지필름사제의 CN-16, CR-56, CP45X, FD-3, 파피톨이나, KODAK사제의 C-41, E-6, RA-4, Dsd-19, D-72 등의 현상액, 또는 그키트에 함유되는 현상액을 사용할 수 있다. 또한 리스 현상액을 사용할 수도 있다. 리스 현상액으로서는, KODAK사제의 D85 등을 사용할 수 있다.

본 발명의 제조방법에서는, 상기의 노광 및 현상처리를 행함으로써 노광부에 패턴상의 금속은부가 형성되는 동시에, 미노광부에 후술하는 광투과성부가 형성된다.

본 발명의 제조방법에 있어서의 현상처리는, 미노광 부분의 은염을 제거해서 안정화시키는 목적으로 행해지는 정착처리를 포함할 수 있다. 본 발명의 제조방법에 있어서 정착처리는, 은염사진필름이나 인화지, 인쇄제판용 필름, 포토마스크용 에멀젼 마스크 등에 이용되는 정착처리의 기술을 이용할 수 있다.

현상처리에서 이용되는 현상액에는, 화질을 향상시키는 목적으로, 화질 향상제를 함유할 수 있다. 상기 화질 향상제로서는, 예를 들면 벤조트리아졸 등의 질소 함유 헤테로환 화합물을 들 수 있다. 또한, 리스 현상액을 이용하는 경우에는, 특히 폴리에틸렌글리콜을 사용하는 것도 바람직하다.

현상처리후의 노광부에 함유되는 금속은의 질량은, 노광전의 노광부에 함유되어 있던 은의 질량에 대하여 50질량%이상의 함유율인 것이 바람직하고, 80질량%이상인 것이 더욱 바람직하다. 노광부에 함유되는 은의 질량이 노광전의 노광부에 함유되어 있던 은의 질량에 대하여 50질량%이상이면, 높은 도전성을 얻기 쉽기 때문에 바람직하다.

본 발명에 있어서의 현상처리후의 계조는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 4.0을 넘는 것이 바람직하다. 현상처리후의 계조가 4.0을 넘으면, 광투과성부의 투명성을 높게 유지한 채, 도전성 금속부의 도전성을 높일 수 있다. 계조를 4.0이상으로 하는 수단으로서는, 예를 들면 상술의 로듐 이온, 이리듐 이온의 도프를 들 수 있다.

[산화처리]

본 발명의 제조방법에서는, 현상처리후의 금속은부는 바람직하게는 산화처리가 행해진다. 산화처리를 행함으로써, 예를 들면 광투과성부에 금속이 약간 침착되어 있던 경우에, 상기 금속을 제거하여, 광투과성부의 투과성을 거의 100%로 할 수 있다.

상기 산화처리로서는, 예를 들면, Fe(III)이온처리 등, 여러가지 산화제를 이용한 공지의 방법을 들 수 있다. 산화처리는, 은염 함유층의 노광 및 현상처리후에 행할 수 있다.

본 발명에서는, 노광 및 현상처리후의 금속은부를 Pd를 함유하는 용액으로 더 처리할 수도 있다. Pd는, 2가의 팔라듐 이온이여도 금속 팔라듐이여도 좋다. 이 처리에 의해 금속은부의 흑색이 경시변화하는 것을 억제할 수 있다.

또한, 본 발명의 제조방법에 있어서는, 선폭, 개구율, Ag함유량을 특정한 메시상의 금속은부를 노광·현상처리에 의해 직접 지지체상에 형성하기 때문에 충분한 표면 저항값을 갖는다는 점에서, 금속은부에 물리현상 및 / 또는 도금처리를 더 실시해서 다시 도전성을 부여할 필요가 없다. 이 때문에, 간이한 공정으로 투광성 전자파 실드막을 제조할 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 투광성 전자파 실드는, 플라즈마 디스플레이 패널용 투광성 전자파 실드막으로서 바람직하게 사용할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 투광성 전자파 실드막을 포함해서 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널용 투광성 전자파 실드막을 이용하여 형성된 플라즈마 디스플레이 패널은, 고전자파 실드 능력, 고콘트라스트 및 고명도이며, 또한 저비용으로 제작할 수 있다.

이하에 본 발명의 실시예를 들어서 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 또한, 이하의 실시예에 나타내어지는 재료, 사용량, 비율, 처리내용, 처리순서 등은 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한 적당히 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 구체예에 의해 한정적으로 해석되어야 하는 것은 아니다.

(실시예1~2)

수매체 중의 Ag 60g에 대하여 젤라틴 4.6g을 함유하고, 구상당 직경 평균 0.09㎛의 염브롬화은 입자를 함유하는 유제를 조제했다. 이 유제의 Ag/젤라틴 체적 비는 1/0.6이었다. 또한, 젤라틴종으로서는, 평균 분자량 2만의 저분자량 젤라틴과, 평균 분자량 10만의 고분자량 젤라틴과, 평균 분자량 10만의 산화처리 젤라틴을 혼합해서 사용했다.

또한, 이 유제 중에는 K₃Rh₂Br₉ 및 K₂IrCl₆을 첨가하고, 브롬화은 입자에 Rh이온, Ir이온을 도프했다. 이어서, 이 유제에 Na₂PdCl₄를 첨가하고 다시 염화금산과 티오황산나트륨을 이용해서 금유황 증감을 행했다. 증감후, 젤라틴 경막제와 함께, 은의 도포량이 15g/㎡로 되도록 유제를 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)상에 도포하고, 그 후 건조시켰다. PET에는 도포전에 미리 친수화 처리한 것을 사용했다.

이어서, 건조시킨 도포막에 라인/스페이스=5㎛/195㎛의 현상 은상을 부여할 수 있는 격자상의 포토마스크(라인/스페이스=195㎛/5㎛(피치 200㎛)의 스페이스가 격자상인 포토마스크)를 통해 고압수은램프를 광원으로 한 평행광을 이용해서 노광하고, 하기의 현상액으로 현상하고, 다시 정착액(상품명:CN16X용 N3X-R:후지샤신필름사제)을 이용하여 현상처리를 행한 후, 순수로 린스하여, 선폭 및 개구율이 다른 본 발명의 샘플A 및 B를 얻었다.

[현상액의 조성]

현상액 1리터 중에, 이하의 화합물이 함유된다.

하이드로퀴논 0.037mol/L

N-메틸아미노페놀 0.016mol/L

메타붕산나트륨 0.140mol/L

수산화나트륨 0.360mol/L

브롬화나트륨 0.031mol/L

메타중아황산칼륨 0.187mol/L

(비교예1~4)

-비교 샘플의 제작-

종래 알려져 있는 것 중에서 가장 도전성이 높고 또한 광투과성이 높은 기술과 비교하기 위해서, 상술의 종래 기술란의 「포토그래피법을 이용한 에칭가공 동메시」의 대표로서, 일본 특허공개 평10-41682호 공보에 기재된 금속메시의 제작법 에 따라서, 이하의 순서에 의해 비교예1의 샘플을 제작했다. 즉, 우선 두께 50㎛의 투명 PET필름 위에 접착층으로 이루어지는 에폭시계 접착시트(니카플렉스SAF;닛칸코교(주)제)를 통해서, 두께 18㎛의 전해 동박을 180℃, 30kgf/㎠의 조건으로 가열 라미네이트해서 접착시켰다. 이 때, 전해 동박의 조화면이 에폭시계 접착시트측이 되도록 했다. 얻어진 동박이 부착된 PET필름에 실시예1 및 2와 같은 피치 200㎛의 포토마스크를 사용해서 포토리소그래피 공정(레지스트 필름 부착-노광-현상-케미컬 에칭=레지스트 필름 박리)을 실시하여, 메시형상을 형성했다.

또한, 상술의 종래 기술란의 「은염을 이용한 도전성 은형성법」인, 물리 현상핵에 은을 침착시키는 은염확산 전사법의 대표로서 일본 특허공고 소42-23745호의 실시예3에 기재된 금속메시의 제작법에 따라서, 이하의 순서에 의해 비교예2의 샘플을 제작했다. 즉, 후지샤신필름(주)제 TAC(트리아세틸셀룰로오스)를 이접착처 리함으로써 친수화했다. 0.2% AgNO₃(10ml), 1% KBr(1ml), 2% 포르말린(10ml) 및 0.03mol/L의 NaOH(100ml)로 이루어지는 액과, 젤라틴(3g)과 물(100ml)로 이루어지는 액을 혼합하고, 투석으로 염류 등을 제거한 후, 전체량을 500ml로 하고, 100g/㎡의 도포량(Ag로서 0.004g/㎡에 상당)으로 친수화 처리가 완료된 TAC위에 도포, 건조시켜, 물리 현상핵층을 형성했다. 다시 그 위에 염화은유제를 도포, 건조시킴으로써, 감광층을 형성했다. 피치 200㎛의 메시상 포토마스크를 통해 노광을 부여하고, DTR법에 의한 현상을 행해서 샘플을 제작했다.

또한, 상술의 종래 기술란의 「은페이스트를 인쇄한 메시」의 대표로서 일본 특허공개 2000-13088호 공보에 기재된 금속메시의 제작법에 따라서, 이하의 순서에 의해 개구율이 다른 비교예3 및 4의 샘플을 제작했다. 즉, 우선 두께 50㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)필름(도요보세키가부시키가이샤제, 상품명 A-4100)의 표면상에 오목판 오프셋 인쇄법을 이용해서 표 1에 나타내는 메시형상을 갖는 은페이스트의 패턴을 형성했다. 그 후, 150℃에서 3시간, 도전성 페이스트 수지를 가열 경화하여, 전자파 실드 필름을 제작했다.

(평가)

이렇게 해서 얻어진, 도전성 금속부와 광투과성부를 갖는 본 발명의 샘플 및 비교예의 샘플의 도전성 금속부의 선폭을 측정해서 개구율을 구하고, 또한 표면 저항값을 측정했다. 또한, 각 측정에는 광학현미경, 주사형 전자현미경 및 저저항율계를 사용했다.

또한, 메시의 금속부의 색을 육안으로 평가하고, 흑색인 것을 「○」, 갈색 내지 회색인 것을 「×」로 했다. 또한 제조방법에 있어서의 공정수에 대해서, 5이하의 공정을 갖는 것을 「○」로 하고, 5를 넘는 공정을 요하는 것을 「×」로 평가했다.

평가결과를, 비교 샘플의 데이터와 함께 하기 표에 나타낸다.

표 1로부터 알 수 있듯이, 비교예3의 에칭 동메시는, 메시의 색이 갈색이며, 공정수도 다공정이었다. 또한, 비교예4의 은염을 이용한 메시는, 표면 저항값이 커서 전자파 실드 능력이 불충분했다. 또한 비교예5의 은페이스트를 인쇄한 메시는, 선폭이 굵기 때문에 개구율이 낮았다. 또한, 이러한 메시는, 비교예6의 은페이스트를 인쇄한 메시와 같이 피치를 넓혀서 개구율을 높이는 것은 가능하지만, 그 경우표면 저항값이 커졌다.

이것에 대하여 본 발명의 샘플(실시예1 및 2)은, 상기 비교예의 문제점이 없고, 선폭이 좁고, 개구율이 크며, 또한 표면 저항값이 낮다(전자파 실드 능력이 높다). 또한, 메시의 금속부가 흑색인 점에서, 디스플레이의 화상에의 악영향(콘트라스트 저하)을 피할 수 있다. 또한, 제조시의 공정수가 단공정이었다.

본 발명의 투광성 전자파 실드막은, 높은 전자파 실드성과 높은 투명성을 동시에 갖고, 또한, 메시부가 흑색이다. 또한, 본 발명의 제조방법은, 이러한 특징을 갖는 투광성 전자파 실드막을 효율적이며, 저렴하고 대량으로 제조할 수 있다. 이러한 본 발명에 의해 제공되는 투광성 전자파 실드막은, 플라즈마 디스플레이 패널 등에 효과적으로 이용된다. 따라서, 본 발명의 산업상의 이용가능성은 높다.

Claims

지지체상에 금속은부가 메시상으로 형성된 도전성 은박막으로서, 메시상으로 형성된 상기 금속은부는 선폭이 18㎛이하이고 개구율이 85%이상이며, Ag를 80~100질량% 함유하고, 또한, 표면 저항값이 5Ω/sq이하인 것을 특징으로 하는 투광성 전자파 실드막.
제1항에 있어서, 헤이즈가 10%이하인 것을 특징으로 하는 투광성 전자파 실드막.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지지체가 플라스틱 필름, 플라스틱판 또는 유리인 것을 특징으로 하는 투광성 전자파 실드막.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지지체가 폴리에틸렌테레프탈레이트인 것을 특징으로 하는 투광성 전자파 실드막.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지체의 전체 가시광 투과율이 70~100%인 것을 특징으로 하는 투광성 전자파 실드막.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지체의 두께가 5~200㎛인 것을 특징으로 하는 투광성 전자파 실드막.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속은부의 막두께가 2.5~8㎛인 것을 특징으로 하는 투광성 전자파 실드막.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속은부의 피치가 60~450㎛인 것을 특징으로 하는 투광성 전자파 실드막.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도전성 은박막의 금속은부 이외의 부분으로 구성되는 광투과성부의 전체 가시광 투과율이 95%이상인 것을 특징으로 하는 투광성 전자파 실드막.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도전성 은박막의 금속은부 이외의 부분으로 구성되는 광투과성부가 실질적으로 물리 현상핵을 갖지 않는 것을 특징으로 하는 투광성 전자파 실드막.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 투광성 전자파 실드막의 제조방법으로서, 지지체상에 형성된 은염을 함유하는 은염 함유층을 메시상으로 노광하는 공정과, 현상처리를 실시함으로써 노광부 및 미노광부에 각각 금속은부 및 광투과성부를 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 투광성 전자파 실드막의 제조방 법.
제11항에 있어서, 상기 은염이 할로겐화은인 것을 특징으로 하는 투광성 전자파 실드막의 제조방법.
제11항에 있어서, 상기 은염이 AgBr을 주체로 한 할로겐화은인 것을 특징으로 하는 투광성 전자파 실드막의 제조방법.
제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 할로겐화은의 평균 입자 사이즈가 구상당 직경으로 0.1~1000㎚인 것을 특징으로 하는 투광성 전자파 실드막의 제조방법.
제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 은함유층이 로듐 또는 이리듐을 함유하는 것을 특징으로 하는 투광성 전자파 실드막의 제조방법.
제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 은함유층이 바인더로서 젤라틴을 함유하는 것을 특징으로 하는 투광성 전자파 실드막의 제조방법.
제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 은염 함유층의 Ag/바인더 체적비가 1/2이상인 것을 특징으로 하는 투광성 전자파 실드막의 제조방법.
제11항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속은부에 물리현상 및 / 또는 도금처리를 실질적으로 실시하지 않는 것을 특징으로 하는 투광성 전자파 실드막의 제조방법.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 투광성 전자파 실드막을 포함해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 투광성 전자파 실드막.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 투광성 전자파 실드막을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.