JP2000149773A - プラズマディスプレイ用表示電極及びその作製方法 - Google Patents
プラズマディスプレイ用表示電極及びその作製方法Info
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- JP2000149773A JP2000149773A JP31525198A JP31525198A JP2000149773A JP 2000149773 A JP2000149773 A JP 2000149773A JP 31525198 A JP31525198 A JP 31525198A JP 31525198 A JP31525198 A JP 31525198A JP 2000149773 A JP2000149773 A JP 2000149773A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明の課題は、直接プラズマディスプレイ用
背面基板に作製される表示電極とその方法を提供するこ
とにある。 【解決手段】背面基板上に表示電極層を設けてなる、プ
ラズマディスプレイ用表示電極において、該背面基板上
に物理現像核を有し、該表示電極層がハロゲン化銀が溶
解され、現像時に該物理現像核によって受像して得られ
る銀膜であることを特徴とするプラズマディスプレイ用
表示電極。物理現像核を有する背面基板上に、ハロゲン
化銀乳剤を含有する感光層を形成し、光照射部のハロゲ
ン化銀を感光層中で現像すると同時に、光未照射部分の
ハロゲン化銀を溶解し、現像時に該物理現像核部分にて
受像して銀膜を形成し、感光層を除去することを特徴と
するプラズマディスプレイ用表示電極の製造方法。
背面基板に作製される表示電極とその方法を提供するこ
とにある。 【解決手段】背面基板上に表示電極層を設けてなる、プ
ラズマディスプレイ用表示電極において、該背面基板上
に物理現像核を有し、該表示電極層がハロゲン化銀が溶
解され、現像時に該物理現像核によって受像して得られ
る銀膜であることを特徴とするプラズマディスプレイ用
表示電極。物理現像核を有する背面基板上に、ハロゲン
化銀乳剤を含有する感光層を形成し、光照射部のハロゲ
ン化銀を感光層中で現像すると同時に、光未照射部分の
ハロゲン化銀を溶解し、現像時に該物理現像核部分にて
受像して銀膜を形成し、感光層を除去することを特徴と
するプラズマディスプレイ用表示電極の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、プラズマディス
プレイ用表示電極とその製造方法に関する。
プレイ用表示電極とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のプラズマディスプレイ用の背面基
板の表示電極層は、背面基板上にシルクスクリーン印刷
方式によって銀ロウを印刷し、これを焼き付けて作製し
ていた。しかし、印刷法では線幅の限界は１００μｍ程
度であり、これ以上の細線の再現性は十分ではなかっ
た。また、版の作製にコストがかかり、しかも製造精度
が向上するとともに位置合わせの問題が発生するなど、
直接表示電極を作製するなど、新しい表示電極の作製方
法の提案が必要になっている。
板の表示電極層は、背面基板上にシルクスクリーン印刷
方式によって銀ロウを印刷し、これを焼き付けて作製し
ていた。しかし、印刷法では線幅の限界は１００μｍ程
度であり、これ以上の細線の再現性は十分ではなかっ
た。また、版の作製にコストがかかり、しかも製造精度
が向上するとともに位置合わせの問題が発生するなど、
直接表示電極を作製するなど、新しい表示電極の作製方
法の提案が必要になっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、高い
細線再現性で直接プラズマディスプレイ用背面基板上に
作製できる表示電極とその方法を提供することにある。
細線再現性で直接プラズマディスプレイ用背面基板上に
作製できる表示電極とその方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは検討した結
果、背面基板上に表示電極層を設けてなる、プラズマデ
ィスプレイ用表示電極において、該背面基板上に物理現
像核を有し、該表示電極層がハロゲン化銀が溶解され、
現像時に該物理現像核によって受像して得られる銀膜で
あることを特徴とするプラズマディスプレイ用表示電極
によって上記問題を解決した。また、物理現像核を有す
る背面基板上に、ハロゲン化銀乳剤を含有する感光層を
形成し、光照射部のハロゲン化銀を感光層中で現像する
と同時に、光未照射部分のハロゲン化銀を溶解し、現像
時に該物理現像核部分にて受像して銀膜を形成し、感光
層を除去することを特徴とするプラズマディスプレイ用
表示電極の製造方法によって上記問題を解決した。更
に、背面基板上に表示電極膜を設けてなる、プラズマデ
ィスプレイ用表示電極において、該表示電極層がハロゲ
ン化銀が溶解され、現像時に物理現像核によって受像し
て得られる銀膜であって、該物理現像核が金属酸化物に
よって背面基板上に保持されていることを特徴とするプ
ラズマディスプレイ用表示電極によって上記問題を解決
した。
果、背面基板上に表示電極層を設けてなる、プラズマデ
ィスプレイ用表示電極において、該背面基板上に物理現
像核を有し、該表示電極層がハロゲン化銀が溶解され、
現像時に該物理現像核によって受像して得られる銀膜で
あることを特徴とするプラズマディスプレイ用表示電極
によって上記問題を解決した。また、物理現像核を有す
る背面基板上に、ハロゲン化銀乳剤を含有する感光層を
形成し、光照射部のハロゲン化銀を感光層中で現像する
と同時に、光未照射部分のハロゲン化銀を溶解し、現像
時に該物理現像核部分にて受像して銀膜を形成し、感光
層を除去することを特徴とするプラズマディスプレイ用
表示電極の製造方法によって上記問題を解決した。更
に、背面基板上に表示電極膜を設けてなる、プラズマデ
ィスプレイ用表示電極において、該表示電極層がハロゲ
ン化銀が溶解され、現像時に物理現像核によって受像し
て得られる銀膜であって、該物理現像核が金属酸化物に
よって背面基板上に保持されていることを特徴とするプ
ラズマディスプレイ用表示電極によって上記問題を解決
した。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
本発明はまず銀錯塩拡散転写法（以後ＤＴＲ法と称す
る）の原理によって背面基材上に銀膜を形成させる。Ｄ
ＴＲ法とは米国特許第２３５２０１４号明細書或いは
「Photographic Silver Halide DiffusionProcesse
s」、Andre Rott、Edith Weyde著、The Focal Press
（１９７２年）に記載されているように、未露光のハロ
ゲン化銀が溶解し、可溶性銀錯化合物に変換され、これ
がハロゲン化銀乳剤層中を拡散し、物理現像核の存在場
所にて現像され銀膜を形成する。一方、露光部のハロゲ
ン化銀は、光照射によって潜像核が形成しており、その
潜像核によってハロゲン化銀は該乳剤層中にて現像され
る。
本発明はまず銀錯塩拡散転写法（以後ＤＴＲ法と称す
る）の原理によって背面基材上に銀膜を形成させる。Ｄ
ＴＲ法とは米国特許第２３５２０１４号明細書或いは
「Photographic Silver Halide DiffusionProcesse
s」、Andre Rott、Edith Weyde著、The Focal Press
（１９７２年）に記載されているように、未露光のハロ
ゲン化銀が溶解し、可溶性銀錯化合物に変換され、これ
がハロゲン化銀乳剤層中を拡散し、物理現像核の存在場
所にて現像され銀膜を形成する。一方、露光部のハロゲ
ン化銀は、光照射によって潜像核が形成しており、その
潜像核によってハロゲン化銀は該乳剤層中にて現像され
る。
【０００６】次に、ハロゲン化銀乳剤層を例えば熱水な
どで除去すると、未露光部で物理現像核上に形成した銀
膜だけが背面基材上に残り画像を形成する。この銀膜は
導電性を有しており、プラズマディスプレイ用表示電極
層として利用できる。このように作製される銀膜は、適
切な露光域で露光し、適切に現像すると１０〜２０μｍ
程度の細線の再現性も可能になり、従来の印刷法に比べ
格段にその精度は向上する。
どで除去すると、未露光部で物理現像核上に形成した銀
膜だけが背面基材上に残り画像を形成する。この銀膜は
導電性を有しており、プラズマディスプレイ用表示電極
層として利用できる。このように作製される銀膜は、適
切な露光域で露光し、適切に現像すると１０〜２０μｍ
程度の細線の再現性も可能になり、従来の印刷法に比べ
格段にその精度は向上する。
【０００７】一般に上記方法によって、未露光部に銀膜
による表示電極層を形成できるが、予めハロゲン化銀中
に潜像核を形成しておき、ハロゲン化銀周辺に電子受容
性物質を併用すると、露光部においてのみ潜像核を酸化
消滅させるなどして、背面基板上に銀膜による表示電極
層を形成しうる、露光に対して反転型となる表示電極層
の形成方法も可能である。
による表示電極層を形成できるが、予めハロゲン化銀中
に潜像核を形成しておき、ハロゲン化銀周辺に電子受容
性物質を併用すると、露光部においてのみ潜像核を酸化
消滅させるなどして、背面基板上に銀膜による表示電極
層を形成しうる、露光に対して反転型となる表示電極層
の形成方法も可能である。
【０００８】背面基板としては、ソーダ石灰、ホワイト
クラウンなどのソーダライムガラス、ホウケイ酸、無ア
ルカリ、アルミノケイ酸等の低膨張ガラス、合成石英ガ
ラス、ポリエステルフィルムなどが使用できるが、耐熱
性や耐紫外線性を考慮すると無機ガラスを用いた透明基
材が適切である。
クラウンなどのソーダライムガラス、ホウケイ酸、無ア
ルカリ、アルミノケイ酸等の低膨張ガラス、合成石英ガ
ラス、ポリエステルフィルムなどが使用できるが、耐熱
性や耐紫外線性を考慮すると無機ガラスを用いた透明基
材が適切である。
【０００９】物理現像核とは、重金属の硫化物、例えば
アンチモン、ビスマス、カドミウム、コバルト、鉛、ニ
ッケル、パラジウム、白金、金、銀、亜鉛などの硫化物
がある。更には、セレナイド、ポリセレナイド、ポリサ
ルファイド、メルカプタン及びハロゲン化錫（II）等の
塩、重金属、好ましくは銀、金、白金、パラジウム、水
銀などである。本発明で使用する更に好ましい物理現像
核としては、ヨーロッパ公開特許第５４６５９８号公報
に記載されているような６ｎｍ未満の平均直径を有する
硫化パラジウム核である。
アンチモン、ビスマス、カドミウム、コバルト、鉛、ニ
ッケル、パラジウム、白金、金、銀、亜鉛などの硫化物
がある。更には、セレナイド、ポリセレナイド、ポリサ
ルファイド、メルカプタン及びハロゲン化錫（II）等の
塩、重金属、好ましくは銀、金、白金、パラジウム、水
銀などである。本発明で使用する更に好ましい物理現像
核としては、ヨーロッパ公開特許第５４６５９８号公報
に記載されているような６ｎｍ未満の平均直径を有する
硫化パラジウム核である。
【００１０】本発明に用いられるハロゲン化銀とは、塩
化銀、臭化銀、ヨウ化銀等を使用することができる。こ
れらはゼラチン中で銀イオンとハロゲンイオンを反応さ
せて合成されるが、平板状やコアシェル型など多様な結
晶構造のハロゲン銀が利用できる。一般にハロゲン化銀
の粒子径は、径が大きくなるほど高感度に、小さくなる
ほど低感度になるといわれているが、０．０５から１．
００μｍの範囲で使用される。
化銀、臭化銀、ヨウ化銀等を使用することができる。こ
れらはゼラチン中で銀イオンとハロゲンイオンを反応さ
せて合成されるが、平板状やコアシェル型など多様な結
晶構造のハロゲン銀が利用できる。一般にハロゲン化銀
の粒子径は、径が大きくなるほど高感度に、小さくなる
ほど低感度になるといわれているが、０．０５から１．
００μｍの範囲で使用される。
【００１１】また銀イオン、ハロゲンイオンの反応時に
イリジウムやロジウム含有化合物などを添加して、ハロ
ゲン化銀粒子の表面状態のコントロールを行うこともで
きる。これら添加化合物は、銀１モルについて１０-8か
ら１０-3モル、好ましくは１０-7から１０-6モル程度で
ある。更に、化学増感剤、分光増感色素、帯電防止剤等
も添加することができる。
イリジウムやロジウム含有化合物などを添加して、ハロ
ゲン化銀粒子の表面状態のコントロールを行うこともで
きる。これら添加化合物は、銀１モルについて１０-8か
ら１０-3モル、好ましくは１０-7から１０-6モル程度で
ある。更に、化学増感剤、分光増感色素、帯電防止剤等
も添加することができる。
【００１２】ハロゲン化銀はゼラチン中で反応合成され
るが、ゼラチン中のイオン性不純物はハロゲン化銀の写
真特性に影響を与え易いので十分に除去する必要があ
る。また合成時にハロゲン化銀のゼラチン水溶液での分
散安定性を付与するために、乳剤安定剤を混合すること
もできる。好ましい安定剤としては、アザインデン類、
複素環式メルカプト化合物などがある。本発明では、こ
れらハロゲン化銀、ゼラチン、添加化合物、分散安定剤
等を含む材料をハロゲン化銀乳剤と呼び、背面基板上に
形成された層を感光層と呼ぶ。感光層はハロゲン化銀を
その重量の１０から９０％程度含む状態で、０．５から
２０μｍ程度、好ましくは２から１５μｍ程度保持され
る。
るが、ゼラチン中のイオン性不純物はハロゲン化銀の写
真特性に影響を与え易いので十分に除去する必要があ
る。また合成時にハロゲン化銀のゼラチン水溶液での分
散安定性を付与するために、乳剤安定剤を混合すること
もできる。好ましい安定剤としては、アザインデン類、
複素環式メルカプト化合物などがある。本発明では、こ
れらハロゲン化銀、ゼラチン、添加化合物、分散安定剤
等を含む材料をハロゲン化銀乳剤と呼び、背面基板上に
形成された層を感光層と呼ぶ。感光層はハロゲン化銀を
その重量の１０から９０％程度含む状態で、０．５から
２０μｍ程度、好ましくは２から１５μｍ程度保持され
る。
【００１３】ハロゲン化銀を溶解させるには、アルカノ
ールアミン、チオエーテル、トリアゾリウムチオレート
に代表されるメソイオン化合物、亜硫酸塩、チオ硫酸
塩、アミン、２−メルカプト安息香酸、環式イミド化合
物、アルキルスルホンなどが利用できる。また、４，６
−ジヒドロキシピリミジンと他のハロゲン化銀溶剤等の
２種以上組み合わせても使用できる。これらは現像溶液
に加えて使用される。
ールアミン、チオエーテル、トリアゾリウムチオレート
に代表されるメソイオン化合物、亜硫酸塩、チオ硫酸
塩、アミン、２−メルカプト安息香酸、環式イミド化合
物、アルキルスルホンなどが利用できる。また、４，６
−ジヒドロキシピリミジンと他のハロゲン化銀溶剤等の
２種以上組み合わせても使用できる。これらは現像溶液
に加えて使用される。
【００１４】現像剤としては、例えばハイドロキノン、
メチルハイドロキンオン、クロルハイドロキノン等のｐ
−ジヒドロキシベンゼン系、例えばナトリウム、カリウ
ム又はアンモニウムチオサルフェート、ナトリウム、カ
リウム又はアンモニウムチオシナネートなどがある。こ
れらは現像液に加えて使用される。
メチルハイドロキンオン、クロルハイドロキノン等のｐ
−ジヒドロキシベンゼン系、例えばナトリウム、カリウ
ム又はアンモニウムチオサルフェート、ナトリウム、カ
リウム又はアンモニウムチオシナネートなどがある。こ
れらは現像液に加えて使用される。
【００１５】本発明における物理現像核を保持するため
の金属酸化物とは、例えばコロイダルシリカ、コロイダ
ルアルミナ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム
などの金属酸化物或いはこれらの水酸化物を示す。保持
とは物理現像核が金属酸化物層表面にあるか、金属酸化
物層中のいずれかにあることを示す。コロイダルシリカ
とは非晶質無水ケイ酸のコロイド状物で、無変性の他に
シリカ表面をアンモニア、カルシウム、及びアルミナ等
のイオンや化合物で表面を修飾し、粒子のイオン性やｐ
Ｈ変動に対する挙動を変えた変性コロイダルシリカも包
含される。コロイダルアルミナとは無定型或いは擬べー
マイト（広義のベーマイトを包含する）状アルミナ水和
物の羽毛状、繊維状、或いは板状等の分散形状を有する
コロイド状物である。
の金属酸化物とは、例えばコロイダルシリカ、コロイダ
ルアルミナ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム
などの金属酸化物或いはこれらの水酸化物を示す。保持
とは物理現像核が金属酸化物層表面にあるか、金属酸化
物層中のいずれかにあることを示す。コロイダルシリカ
とは非晶質無水ケイ酸のコロイド状物で、無変性の他に
シリカ表面をアンモニア、カルシウム、及びアルミナ等
のイオンや化合物で表面を修飾し、粒子のイオン性やｐ
Ｈ変動に対する挙動を変えた変性コロイダルシリカも包
含される。コロイダルアルミナとは無定型或いは擬べー
マイト（広義のベーマイトを包含する）状アルミナ水和
物の羽毛状、繊維状、或いは板状等の分散形状を有する
コロイド状物である。
【００１６】更にサポナイト、ヘクトライト、及びモン
モリロナイト等のスメクタイト群、バーミキュライト
群、カオリナイト及びハロサイト等のカオリナイト−蛇
紋石群、セピオライト等の天然粘土鉱物、例えばフッ素
金雲母、フッ素四ケイ素雲母、テニオライト等のフッ素
雲母や合成スメクタイト等の合成無機高分子なども使用
できる。
モリロナイト等のスメクタイト群、バーミキュライト
群、カオリナイト及びハロサイト等のカオリナイト−蛇
紋石群、セピオライト等の天然粘土鉱物、例えばフッ素
金雲母、フッ素四ケイ素雲母、テニオライト等のフッ素
雲母や合成スメクタイト等の合成無機高分子なども使用
できる。
【００１７】これらの金属酸化物或いは水酸化物は、水
を含む溶媒中で微細に分散され、物理現像核と混合させ
た後、背面基板上に塗布され保持される。微細に分散さ
れた金属酸化物或いは水酸化物の粒径としては１ｎｍか
ら１００μｍ程度で用いられる。更に、有機金属化合物
により、金属酸化物層を作製することもできる。金属酸
化物は背面基板上に塗布された後、乾燥され、金属酸化
物粒子の粒子間の結合力を高める為に、１５０℃以上に
加熱してもかまわない。また、６００℃以上にまで加熱
すると有機物が燃焼除去できるほか、金属酸化物の粒子
成長が引き起こされ、膜強度は向上する。
を含む溶媒中で微細に分散され、物理現像核と混合させ
た後、背面基板上に塗布され保持される。微細に分散さ
れた金属酸化物或いは水酸化物の粒径としては１ｎｍか
ら１００μｍ程度で用いられる。更に、有機金属化合物
により、金属酸化物層を作製することもできる。金属酸
化物は背面基板上に塗布された後、乾燥され、金属酸化
物粒子の粒子間の結合力を高める為に、１５０℃以上に
加熱してもかまわない。また、６００℃以上にまで加熱
すると有機物が燃焼除去できるほか、金属酸化物の粒子
成長が引き起こされ、膜強度は向上する。
【００１８】有機金属化合物としては、テトラエトキシ
シラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトイ
シシラン、Ｎ−（β−アミノエチル）−γ−アミノプロ
ピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピル
トリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメト
キシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシ
シラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシ
シラン、アルミニウムイソプロポキシド、酢酸アルミニ
ウム、インジウムアセチルアセテート、亜鉛アセチルア
セテート、ステアリン酸亜鉛、オルトチタン酸テトラエ
チル、オルトチタン酸テトライソプロピル、オルトチタ
ン酸テトラブチル、シュウ酸バリウム等の有機金属化合
物を用いることができる。
シラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトイ
シシラン、Ｎ−（β−アミノエチル）−γ−アミノプロ
ピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピル
トリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメト
キシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシ
シラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシ
シラン、アルミニウムイソプロポキシド、酢酸アルミニ
ウム、インジウムアセチルアセテート、亜鉛アセチルア
セテート、ステアリン酸亜鉛、オルトチタン酸テトラエ
チル、オルトチタン酸テトライソプロピル、オルトチタ
ン酸テトラブチル、シュウ酸バリウム等の有機金属化合
物を用いることができる。
【００１９】また場合によっては、これら有機金属化合
物と、例えばジメチルジクロルシラン、ジフェニルジク
ロルシラン、ジメチルフェニルクロルシラン、塩化アル
ミニウム、四塩化チタン等の金属塩化物を組み合わせる
こともできる。これらの有機金属化合物は、焼結によっ
て金属酸化物層となり、背面基板と物理現像核の保持
性、接着性を向上させ、最終的には生成する銀膜の接着
性を向上させる。
物と、例えばジメチルジクロルシラン、ジフェニルジク
ロルシラン、ジメチルフェニルクロルシラン、塩化アル
ミニウム、四塩化チタン等の金属塩化物を組み合わせる
こともできる。これらの有機金属化合物は、焼結によっ
て金属酸化物層となり、背面基板と物理現像核の保持
性、接着性を向上させ、最終的には生成する銀膜の接着
性を向上させる。
【００２０】背面基板上に保持される物理現像核の量
は、０．４ｍｇ／ｍ2以上２５ｍｇ／ｍ2以下の範囲であ
り、好ましくは１ｍｇ／ｍ2から２０ｍｇ／ｍ2の範囲で
ある。また、金属酸化物は０．１μｍから５０μｍ程
度、好ましくは０．２μｍから１０μｍ程度で使用され
る。物理現像核は金属酸化物層中に混合されていてもよ
く、この場合、金属酸化物の量は物理現像核の量に対し
０．０１から１０００００程度の重量比で、好ましくは
１から１００００程度の重量比で用いられる。
は、０．４ｍｇ／ｍ2以上２５ｍｇ／ｍ2以下の範囲であ
り、好ましくは１ｍｇ／ｍ2から２０ｍｇ／ｍ2の範囲で
ある。また、金属酸化物は０．１μｍから５０μｍ程
度、好ましくは０．２μｍから１０μｍ程度で使用され
る。物理現像核は金属酸化物層中に混合されていてもよ
く、この場合、金属酸化物の量は物理現像核の量に対し
０．０１から１０００００程度の重量比で、好ましくは
１から１００００程度の重量比で用いられる。
【００２１】
【実施例】以下、実施例により更に本発明を詳細に説明
するが、本発明の趣旨を超えない限り、これらに限定さ
れるものではない。
するが、本発明の趣旨を超えない限り、これらに限定さ
れるものではない。
【００２２】実施例１ 物理現像核液の調整更に蒸留水２０００重量部を３０℃
の状態で塩化パラジウム１．７７重量部、チオ硫酸ナト
リウム３．１６重量部、硫化ナトリウム０．３９重量部
を加えて物理現像核としての硫化パラジウムを得た。こ
の時の硫化パラジウムの核径は平均１．５ｎｍであっ
た。
の状態で塩化パラジウム１．７７重量部、チオ硫酸ナト
リウム３．１６重量部、硫化ナトリウム０．３９重量部
を加えて物理現像核としての硫化パラジウムを得た。こ
の時の硫化パラジウムの核径は平均１．５ｎｍであっ
た。
【００２３】物理現像核層の作製 先に作製した物理現像核液を、スピナーによってガラス
基板上に塗布し、８０℃で３０分加熱し乾燥した。
基板上に塗布し、８０℃で３０分加熱し乾燥した。
【００２４】感光層の作製 塩化ロジウム、塩化イリジウムを極微量含有し、平均粒
径が０．２μｍの、塩化銀７０重量部と写真用ゼラチン
（新田ゼラチン製）３０重量部、蒸留水３００重量より
なる塩化銀乳剤を作製し、この乳剤を４０℃に加熱し
て、スピナーによって物理現像核層上に塗布し、急冷し
て２５℃において冷風によって１２時間乾燥し、乾燥後
４μｍとなる感光層を作製した。乳剤の作製、塗布、乾
燥工程は全て暗室で行った。
径が０．２μｍの、塩化銀７０重量部と写真用ゼラチン
（新田ゼラチン製）３０重量部、蒸留水３００重量より
なる塩化銀乳剤を作製し、この乳剤を４０℃に加熱し
て、スピナーによって物理現像核層上に塗布し、急冷し
て２５℃において冷風によって１２時間乾燥し、乾燥後
４μｍとなる感光層を作製した。乳剤の作製、塗布、乾
燥工程は全て暗室で行った。
【００２５】現像液の作製 カルボキシメチルセルロース ４．０重量部 水酸化ナトリウム ２２．５重量部 無水亜硫酸ナトリウム １２０．０重量部 ハイドロキノン ２０．０重量部 臭化カリウム ０．８重量部 無水チオ硫酸ナトリウム ８．０重量部 蒸留水 １０００．０重量部 の液を作製し、現像液とした。
【００２６】露光及び現像 １０Ｗの蛍光灯４本を並べ、一部遮光して感光層上５０
ｃｍの距離から３０秒間光を照射した。その後２５℃の
現像液に３０秒浸漬してＤＴＲ法による現像を行った。
次に３５℃の温水にて感光層を除去し、背面基板上に銀
による、表示電極層を得た。この銀膜の厚みは０．８μ
ｍであって、抵抗値は３Ω／□であった。また、３０μ
ｍの細線が再現した。
ｃｍの距離から３０秒間光を照射した。その後２５℃の
現像液に３０秒浸漬してＤＴＲ法による現像を行った。
次に３５℃の温水にて感光層を除去し、背面基板上に銀
による、表示電極層を得た。この銀膜の厚みは０．８μ
ｍであって、抵抗値は３Ω／□であった。また、３０μ
ｍの細線が再現した。
【００２７】実施例２ 物理現像層の作製 酸化チタン分散液を作製し、スピナーで塗布し、６００
℃で６０分加熱し、厚さ３μｍの金属酸化物層を作製し
た。次に、実施例１で作製した物理現像液をガラス基板
上にスピナーで塗布し、その後１２０℃で加熱して物理
現像核層を作製した。この層上に実施例１と同様に５μ
ｍの感光層を作製し、露光現像して、最後に感光層を除
去して、表示電極層を得た。表示電極層の厚みは１．０
μｍであって、抵抗値は２．５Ω／□であった。また、
２５μｍの細線が再現した。
℃で６０分加熱し、厚さ３μｍの金属酸化物層を作製し
た。次に、実施例１で作製した物理現像液をガラス基板
上にスピナーで塗布し、その後１２０℃で加熱して物理
現像核層を作製した。この層上に実施例１と同様に５μ
ｍの感光層を作製し、露光現像して、最後に感光層を除
去して、表示電極層を得た。表示電極層の厚みは１．０
μｍであって、抵抗値は２．５Ω／□であった。また、
２５μｍの細線が再現した。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
簡便に、直接露光によりプラズマディスプレイ用背面基
板上に表示電極を得ることができた。
簡便に、直接露光によりプラズマディスプレイ用背面基
板上に表示電極を得ることができた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5C027 AA01 AA10 5C040 GC19 JA15 JA40 MA24 5C058 AA11 AB01 BA35
Claims (3)
- 【請求項１】 背面基板上に表示電極層を設けてなる、
プラズマディスプレイ用表示電極において、該背面基板
上に物理現像核を有し、該表示電極層がハロゲン化銀が
溶解され、現像時に該物理現像核によって受像して得ら
れる銀膜であることを特徴とするプラズマディスプレイ
用表示電極。 - 【請求項２】 物理現像核を有する背面基板上に、ハロ
ゲン化銀乳剤を含有する感光層を形成し、光照射部のハ
ロゲン化銀を感光層中で現像すると同時に、光未照射部
分のハロゲン化銀を溶解し、現像時に該物理現像核部分
にて受像して銀膜を形成し、感光層を除去することを特
徴とするプラズマディスプレイ用表示電極の製造方法。 - 【請求項３】 背面基板上に表示電極膜を設けてなる、
プラズマディスプレイ用表示電極において、該表示電極
層がハロゲン化銀が溶解され、現像時に物理現像核によ
って受像して得られる銀膜であって、該物理現像核が金
属酸化物によって背面基板上に保持されていることを特
徴とするプラズマディスプレイ用表示電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31525198A JP2000149773A (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | プラズマディスプレイ用表示電極及びその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31525198A JP2000149773A (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | プラズマディスプレイ用表示電極及びその作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000149773A true JP2000149773A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18063194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31525198A Pending JP2000149773A (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | プラズマディスプレイ用表示電極及びその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000149773A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1998
- 1998-11-06 JP JP31525198A patent/JP2000149773A/ja active Pending
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