KR20070014048A - 도금 용액의 화학적 농도를 측정하는 시스템 및 방법 - Google Patents

도금 용액의 화학적 농도를 측정하는 시스템 및 방법 Download PDF

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Abstract

도금 용액을 저장하는 하나 이상의 도금 셀 저장기 및 하나 이상의 도금 셀 저장기들과 유체적으로 연통하는 화학적 분석기를 포함하는 전기화학적 도금 시스템이 제공된다. 화학적 분석기는 도금 용액의 화학적 농도를 측정하도록 구성된다. 또한, 도금 시스템은 하나 이상의 도금 셀 저장기들과 화학적 분석기 사이의 유체적 연통을 용이하게 하고 하나 이상의 도금 셀 저장기의 하나 이상의 도금 셀들에 의해 발생되는 전기적 노이즈로부터 화학적 분석기를 실질적으로 절연시키도록 구성된 배관 시스템을 더 포함한다.

Description

도금 용액의 화학적 농도를 측정하는 시스템 및 방법{SYSTEM AND METHODS FOR MEASURING CHEMICAL CONCENTRATIONS OF A PLATING SOLUTION}
도 1은 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따른 전기화학적 도금 시스템의 상부도.
도 2는 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따라 도금 셀로부터 화학적 분석기로 및 화학적 분석기로부터 도금 셀로, 예를 들어 도금 용액과 같이 액체를 전달하는 배관(plumbing) 시스템의 개략도.
도 3은 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따라 도금 용액과 같은 액체가 재순환 단계 동안 전달될 수 있는 방식의 개략도.
도 4는 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따라 샘플링 저장기로부터 각각의 도금 셀 저장기로 도금 용액의 흐름을 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따라 배관 시스템으로부터 예를 들어 탈이온수 또는 표준용액(standard solution)과 같은 액체의 흐름을 나타내는 도면.
* 도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명 *
100 : ECP 시스템 113 : 메인프레임 또는 플랫폼
114, 116: 프로세싱 셀 115: 잉크 터널
120: 이송 로봇 122, 124: 블레이드
130: 팩토리 인터페이스 132: 로봇
134: 카세트 135: 어닐링 스테이션
136 : 냉각 플레이트 140 : 이송 로봇
본 발명의 실시예들은 전기화학적 도금 시스템, 특히 전기화학적 도금 시스템에 사용되는 도금 용액의 분석에 관한 것이다.
서브-쿼터 미크론(sub-quarter micron) 크기 피쳐의 금속배선(metallization)은 현재 및 차세대 집적회로 제조 프로세스에서 기본 기술이다. 특히, 극초대규모 집적형 디바이스와 같은 디바이스, 즉, 백만 이상의 로직 게이트가 구비된 집적회로를 포함하는 디바이스들에서, 이들 디바이스들 내부에 놓이는 멀티레벨 상소접속부들은 예를 들어, 구리 또는 알루미늄과 같은 도전성 물질로 고종횡비의 상호접속 피쳐들(features)을 채움으로써 형성된다. 통상적으로, 화학적 기상 증착(CVD) 및 물리적 기상 증착(PVD)과 같은 증착 기술들이 상호접속 피쳐들을 채우는데 이용된다. 그러나 상호접속부 크기가 감소되고 종횡비가 증가함에 따라, 종래의 증착 기술을 통해서는 보이드 없이 효과적으로 상호접속 피쳐를 채우는 것이 점점 어려워지고 있다. 이러한 결과로서, 예를 들어 전기화학적 도금(ECP) 및 무전해 도금과 같은 도금 기술이 집적회로 제조 프로세스에서 서브-쿼터 미크론 크기의 고종횡비 상호접속 피쳐를 채우는데 이용가능한 프로세스로서 고안되었다.
ECP 프로세스에서, 예를 들어 기판 표면에 형성된 서브-쿼터 미크론 크기 고종횡비 피쳐는 예를 들어 구리와 같은 도전성 물질로 효과적으로 채워질 수 있다. ECP 도금 프로세스는 일반적으로 2 단계 프로세스로, 먼저 기판 표면 및 피쳐 상에 시드층이 형성된 다음, 기판 표면 및 피쳐가 도금 용액에 노출되고, 도금 용액 내에 위치된 애노드와 기판 사이에 전기적 바이어스가 동시적으로 인가된다. 도금 용액은 일반적으로 기판의 표면상에 도금되는 이온이 풍부하여, 전기적 바이어스 인가는 상기 이온들이 도금 용액으로부터 자극되어 시드층상에 도금되게 한다.
특정한 관심 도금 파라미터 중 하나는 기판 도금에 사용되는 도금 용액의 화학적 조성이다. 전형적인 도금 용액은 탈이온수(DI water)를 포함하는 상이한 화학적 용액들의 혼합을 포함한다. 기판 표면에 대해 원하는 도금 특성을 얻기 위해, 도금 용액은 이들 화학적 용액의 적절한 농도를 포함해야 한다. 이들 화학적 용액의 적절한 농도가 도금 유체에 제공되지 않는다면, 기판 표면에 대해 원하는 도금 특성이 달성될 수 없다. 따라서, 기판의 도금 이전 및 도금 동안 도금 용액에서 화학적 용액의 원하는 농도를 적절히 설정하고 유지하는 것이 바람직하다.
도금 주기 동안 도금 용액의 화학적 용액의 원하는 농도를 유지하는 방안 중 하나는 용액의 농도를 연속적으로 변화시키는 것이다. 이에 대한 이유중 하나는 도금 주기 동안 화학적 용액들이 연속적으로 소모, 분해 및/또는 다른 화학물(chemical)들과 조합되기 때문이다. 따라서, 도금 용액에서 다양한 화학물들의 농도는 도금 용액만이 남게 될 경우 시간에 따라 변한다. 따라서, 전형적인 ECP 도 금 셀은 도금 주기 동안 도금 유체의 화학물들의 농도를 제어하는 특정한 디바이스를 포함한다.
이러한 특정화된 디바이스 중 하나로 화학적 분석기가 있으며, 이는 도금 용액을 탐침조사하여(probe) 도금 용액 내의 화학물의 농도를 주기적으로 검출하는 디바이스이다. 도금 용액의 화학물의 현재 농도의 정보를 이용하여, 화학적 분석기가 도금 용액에 부가될 필요가 있는 화학물의 양을 결정한다. 또한, 화학적 분석기는 도금 용액의 화학물에 대한 원하는 농도를 달성하기 위해 화학물을 첨가하기 이전에 배출될 필요가 있는 도금 용액의 양을 결정할 수 있다.
다수의 도금 셀을 포함하는 도금 시스템은 다수의 화학적 분석기, 즉, 각각의 도금 셀에 대해 하나의 화학적 분석기를 포함할 수 있다. 주어진 도금 시스템에 대한 각각의 화학적 분석기는 서로 교정될 필요가 있다. 각각의 화학적 분석기의 변이성 및 상기 화학적 분석기 부근의 온도로 인해, 이들 모두를 동시에 교정하는 것이 어려울 수 있다. 또한, 도금 시스템 내에서 각각의 도금 셀에 대한 하나의 화학적 분석기 사용은 상당히 비싸다.
따라서, 도금 용액의 화학적 농도를 측정하는 데 있어 개선된 시스템 및 방법이 요구된다.
본 발명의 목적은 도금 용액의 화학적 농도를 측정하는 데 있어 개선된 시스템 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예들은 도금 용액을 저장하는 하나 이상의 도금 셀 저장기 및 상기 하나 이상의 도금 셀 저장기와 유체적으로 연통하는 화학적 분석기를 포함하는 전기화학적 도금 시스템에 관한 것이다. 화학적 분석기는 도금 용액의 화학적 농도를 측정하도록 구성된다. 또한, 도금 시스템은 상기 하나 이상의 도금 셀 저장기와 상기 화학적 분석기 사이의 유체적 연통을 용이하게 하고 상기 하나 이상의 도금 셀 저장기의 하나 이상의 도금 셀에 의해 생성된 전기적 노이즈로부터 화학적 분석기를 실질적으로 절연시키도록 구성된 배관(plumbing) 시스템을 포함한다.
또한, 본 발명의 실시예는 도금 용액의 화학적 농도를 측정하는 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 하나 이상의 도금 셀 저장기로부터 샘플링 저장기로 도금 용액의 일부를 전달하는 단계 및 화학적 분석기를 통해 도금 용액의 일부를 순환시키는 단계 및 하나 이상의 도금 셀 저장기와 화학적 분석기 사이의 유체 연통을 차단하는 단계를 포함한다.
본 발명의 상기 언급된 특징들이 실시예를 참조로 상기 간략히 요약된 본 발명의 보다 상세한 설명을 통해 이해될 것이며, 실시예의 일부는 첨부된 도면에 도시된다. 그러나 첨부된 도면은 단지 본 발명의 전형적인 실시예를 나타내는 것으로, 본 발명의 범주를 제한하고자 하는 것은 아니며, 본 발명에 대해 다양한 다른 등가적 실시예들이 허용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따라 전기화학적 도금(ECP) 시스템(100)의 상부도를 나타낸다. 시스템(100)은 일반적으로 기판 로딩 스테이션이라 불리는 팩토리 인터페이스(FI)(130)를 포함한다. 팩토리 인터페이스(130)는 기판 을 포함하는 카세트(134)와 상호작용하도록 구성된 다수의 기판 로딩 스테이션을 포함할 수 있다. 로봇(132)은 팩토리 인터페이스(130)에 위치될 수 있으며 카세트(134)에 포함된 기판이 액세스되도록 구성될 수 있다. 또한, 로봇(132)은 프로세싱 메인프레임 또는 플랫폼(113)에 팩토리 인터페이스(130)를 접속하는 잉크 터널(115)속으로 연장될 수 있다. 로봇(132)의 위치는 로봇이 기판 카세트(134)로 액세스하여 기판을 회수하고 상기 기판을 메인프레임(113) 상에 위치된 프로세싱 셀(114, 116) 중 하나로 또는 선택적으로 어닐링 스테이션(135)으로 전달하도록 설정된다. 유사하게, 로봇(132)은 기판 프로세싱 시퀀스가 종료된 이후 프로세싱 셀(114, 116) 또는 어닐링 스테이션(135)으로부터 기판을 회수하는데 이용될 수 있다. 다음 로봇(132)이 시스템(100)으로부터의 제거를 위해 카세트(134) 중 하나로 기판을 다시 전달할 수 있다.
시스템(100)은 냉각 플레이트/위치(136), 가열 플레이트/위치(137) 및 상기 두 개의 플레이트(136, 137) 사이에 위치된 기판 이송 로봇(140)을 포함할 수 있는 어닐링 스테이션(135)을 더 포함할 수 있다. 이송 로봇(140)은 각각의 가열 플레이트(137) 및 냉각 플레이트(136) 사이에서 기판을 이동시키도록 구성될 수 있다.
상기 언급된 것처럼, 시스템(100)은 그 상부 중심에 기판 이송 로봇(120)이 배치된 프로세싱 메인프레임(113)을 포함할 수도 있다. 일반적으로 이송 로봇(120)은 그 상부에서 기판을 지지하고 기판을 이송하도록 구성된 하나 이상의 암/블레이드(122, 124)를 포함한다. 부가적으로, 이송 로봇(120) 및 수반되는 블레이드(122, 124)는 일반적으로 연장되고 회전하고 수직으로 이동하도록 구성되어 이송 로봇(120)이 메인프레임(113) 상에 위치된 다수의 프로세싱 지점들(102, 104, 106, 108, 110, 112, 114, 116)에 대해 기판을 삽입 및 제거할 수 있다. 프로세싱 지점들(102, 104, 106, 108, 110, 112, 114, 116)은 전기화학적 도금 플랫폼에서 이용되는 임의의 수의 프로세싱 셀들일 수 있다. 특히, 프로세싱 지점들은 전기화학적 도금 셀들, 린싱 셀들, 베벨 세정(bevel clean) 셀들, 스핀 린스 드라이 셀들, 기판 표면 세정 셀들(총괄적으로, 세정, 린싱 및 에칭 셀들), 무전해 도금 셀들, 계측 검사(metrology inspection) 스테이션 및/또는 도금 플랫폼에 바람직하게 사용될 수 있는 다른 프로세싱 셀들로 구성될 수 있다. 개별 프로세싱 셀들 및 로봇들 각각은 일반적으로 입력에 따라 시스템(100)의 동작을 바람직하게 제어하고 시스템(100) 상에 위치된 다양한 센서들 및/또는 사용자 모두로부터의 입력을 수신하도록 구성된 마이크로프로세서-기반 제어 시스템일 수 있는 시스템 제어기(111)와 연통한다.
프로세싱 지점들(114, 116)은 메인프레임(113) 상의 습식 프로세싱 스테이션들과 잉크 터널(115)의 건식 프로세싱 영역 사이의 인터페이스, 어닐링 스테이션(135) 및 팩토리 인터페이스(130)로서 구성될 수 있다. 인터페이스 지점에 위치된 프로세싱 셀들은 스핀 린스 드라이 셀들 및/또는 기판 세정 셀들일 수 있다. 특히, 지점들(114, 116) 각각은 스핀 린스 드라이 셀과 기판 세정 셀 모두를 적층된 구성으로 포함할 수 있다. 지점들(102, 104, 110, 112)은 예를 들어, 전기화학적 도금 셀들 또는 무전해 도금 셀들중 하나의 도금 셀로 구성될 수 있다. 따라서, 도금 셀들(102, 104, 110, 112)은 각각 도금 셀 저장기(142, 144, 146, 148)와 유체적으로 연통할 수 있다. 각각의 도금 셀 저장기는 예를 들어, 약 20 리터의 대용량 도금 용액을 유지하도록 구성된다. 지점(106, 108)은 기판 베벨 세정 세들로서 구성될 수 있다. ECP 시스템(100)의 다양한 부품들의 상세한 설명은 본 명세서에서 참조되며, 2003년 7월 8일자로 "MULTI-CHEMISTRY PLATING SYSTEM"이란 명칭으로 출원된 공동 양도된 미국 특허 출원 번호 10/616,284호에 개시된다. 일 실시예에서, ECP 시스템(100)은 캘리포니아 산타클라라의 Applied Materials, Inc.로부터 입수가능한 슬림셀(SlimCell) 도금 시스템일 수 있다.
시스템(100)은 화학적 분석기(150)를 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 화학적 분석기는 로드아일랜드, 크랜스톤의 Technic, Inc.로부터 입수가능한 실시간 분석기(RTA)이다. 화학적 분석기(150)는 도금 용액의 샘플링을 탐침조사하고 도금 용액의 샘플링에서 화학적 농도를 측정하도록 구성된다. 측정 기술은 AC 및 DC 전압-전류법(voltammetry)에 기초한다. 전압은 도금 배쓰 용액에 침지된 금속 전극에 인가된다. 인가된 전압은 전기도금 동안 전류가 흐르게 한다. 전류 응답은 다양한 화학적 농도와 양적으로 관련될 수 있다. 화학적 분석기(150)는 화학적 분석기(150)의 동작을 제어하는 제어기를 포함할 수 있으며, 화학적 분석기(150)에 대한 제어기는 측정되는 특정 도금 셀 저장기를 결정할 수 있는 시스템 제어기(111)와 통신 될 수 있다.
화학적 분석기(150)는 메인프레임(113) 상에서 프로세싱 셀들 중 하나로부터 도금 용액의 샘플링을 보유하도록 구성된 샘플링 저장기(160)와 결합된다. 일 실시예에서, 샘플링 저장기(160)는 약 300mL 내지 약 600mL의 액체를 보유하도록 구 성된다. 샘플링 저장기(160)는 샘플링 저장기(160) 내부에, 이를 테면 도금 용액과 같은 액체의 온도를 유지 또는 제어하도록 구성된 온도 제어기(170)에 결합될 수 있다. 온도 제어기(170)는 열교환기 또는 냉동기(chiller)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 온도 제어기(170)는 섭씨 약 18도 내지 섭씨 약 22도와 같이, 예정된 범위 내에서 샘플링 저장기(160) 내부의 액체 온도를 유지하도록 구성된다. 또 다른 실시예에서, 온도 제어기(170)는 섭씨 약 20도에서 샘플링 저장기(160) 내부의 액체를 유지하도록 구성된다. 또한, 온도 제어기(170)는 온도 제어기(170)의 동작을 제어하기 위해 시스템 제어기(111)와 통신될 수 있다.
시스템(100)은 프로세싱 셀 저장기로부터 샘플링 저장기(160)로 그리고 샘플링 저장기(160)로부터 프로세싱 셀 저장기로, 이를 테면 도금 용액과 같은 액체를 이동시키도록 구성된 펌프(180)를 더 포함할 수 있다. 펌프(180)는 펌프(180)의 동작을 제어하기 위해 시스템 제어기(111)와 통신 될 수 있다. 액체가 프로세싱 셀들과 화학적 분석기 사이로 전달되는 방식의 상세한 설명은 도 2-5를 참조로 하기에 개시된다.
도 2는 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따라 도금 셀들로부터 화학적 분석기(150)로 그리고 화학적 분석기(150)로부터 도금 셀들로, 이를 테면 도금 용액과 같은 액체를 전달하기 위한 배관 시스템(200)의 개략도를 나타낸다. 배관 시스템(200)은 각각의 도금 셀 저장기들로부터 샘플링 저장기(160)로 그리고 샘플링 저장기(160)로부터 각각의 도금 셀 저장기들로 액체가 흐르게 하는 밸브들(210, 220, 230, 240)을 포함한다. 도금 셀 저장기들에 대해 단지 4개의 밸브가 도시되었지 만, 배관 시스템(200)은 이들 각각의 도금 셀 저장기들에 대해 임의의 개수의 밸브를 포함할 수 있다. 각각의 밸브는 공기압 2-웨이 밸브이다. 그러나 당업계에 공지된 또 다른 형태의 밸브들이 본 발명의 실시예들과 관련하여 사용될 수 있다. 밸브(205)는 개방 위치에서 배관 시스템(200)으로부터 액체가 배출되도록 구성된다. 밸브(250)는 개방 위치에서 보정(calibration) 동안 샘플링 저장기(160)로 보정 또는 표준 용액이 흐르도록 구성된다. 밸브(260)는 개방 위치에서 샘플링 저장기(160)로 탈이온수(DIW)가 흐르도록 구성된다. 개방 위치에서 밸브(270)는 복귀(return) 단계 동안 도금 셀 저장기로 액체가 다시 흐르도록 구성되며, 이는 하기에보다 상세히 설명된다. 개방 위치에서 밸브(280)는 채움(filling) 단계 동안 도금 셀 저장기로부터의 도금 용액, 탈이온수 또는 표준 용액이 펌프(180)로 흐르도록 구성되며, 이는 하기에 보다 상세히 설명된다. 밸브(285)는 개방 위치에서 펌프(180)로부터 화학적 분석기(150)로 액체가 흐르도록 구성된다. 밸브(290)는 개방 위치에서 샘플링 저장기(160)로부터 펌프(180)로 액체가 흐르도록 구성된다.
도 2는 도금 용액의 화학적 농도를 측정하기 이전에 수행되는 전형적인 하나의 또는 제 1 단계인 채움 단계 동안 도금 셀 저장기로부터 샘플링 저장기(160)로 이를테면 도금 용액과 같은 액체의 흐름을 나타낸다. 예시적으로, 개방 밸브(240)를 통해 프로세싱 셀 저장기로부터 도금 용액을 흘려보냄으로써 채움 단계가 시작된다. 다음 도금 용액이 개방 밸브(280)를 통해 펌프(180)로 흐르게 된다. 도금 용액은 펌프(180)로부터 개방 밸브(285) 및 화학적 분석기(150)를 통해 샘플링 저장기(160)로 흐름이 지속된다. 밸브(205, 210, 220, 230, 250, 260, 270, 290)은 폐쇄된다.
일 실시예에서, 일단 샘플링 저장기(160)가 도금 용액으로 채워지고 화학적 분석기(150)에 의해 측정될 준비가 되면, 밸브(240) 및 밸브(280)는 폐쇄될 수 있다. 이런 방식으로, 화학적 분석기(150)는 도금 용액이 배출되는 도금 셀을 포함하는 주변 도금 셀들에 인가된 전압에 의해 발생되는 임의의 전기적 노이즈로부터 완전히 절연될 수 있다.
도금 용액이 도금 셀 저장기로부터 샘플링 저장기(160)로 전달됨에 따라, 도금 용액의 온도는 펌프(180)의 온도 및/또는 외부 온도에 의해 증가할 수 있다. 따라서, 일단 샘플링 저장기(160)가 도금 용액으로 채워지면, 샘플링 저장기(160) 내부의 도금 용액 온도는 온도 제어기(170)에 의해 냉각될 수 있다. 일 실시예에서, 도금 용액의 온도가 이를 테면 섭씨 약 18 도 내지 섭씨 약 22도 사이의 예정된 범위에 도달하게 되면, 도금 용액은 샘플링 저장기(160) 내부의 도금 용액의 화학적 농도를 측정하는 화학적 분석기를 통해 재순환된다. 또 다른 실시예에서, 샘플링 저장기(160) 내부 도금 용액의 온도는 섭씨 약 20도로 냉각될 수 있다. 이런 방식으로, 다양한 도금 셀 저장기로부터의 도금 용액의 화학적 농도의 측정이 보다 일정하고 정확한 방식으로 수행될 수 있다.
도 3은 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따른 재순환(recirculation) 단계 동안, 이를 테면 도금 용액과 같은 액체가 전달될 수 있는 방법의 개략도를 나타낸다. 재순환 단계에서, 이를 테면 도금 용액과 같은 액체가 개방 밸브(290)를 통해 샘플링 저장기(160)로부터 펌프(180)로 흐른다. 다음 도금 용액은 개방 밸브 (285)를 통해 화학적 분석기(150)로 흐르고 다시 샘플링 저장기(160)로 흐른다. 밸브(205, 210, 220, 230, 240, 250, 260, 270, 280)는 폐쇄된다. 화학적 분석기(150)는 임의의 회수로 반복될 수 있는 상기 재순환 단계 동안 도금 용액의 화학적 농도를 측정할 수 있다.
일단 화학적 분석기(150)가 샘플링 저장기(160)의 도금 용액의 화학적 농도 측정을 완료하면, 도금 용액은 도금 용액이 배출되는 개별 도금 셀 저장기로 복귀될 수 있다. 도 4는 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따라 샘플링 저장기(160)로부터 각각의 도금 셀 저장기로의 도금 용액 흐름을 나타낸다. 도금 용액은 개방 밸브(290)를 통해 샘플링 저장기(160)로부터 펌프(180)로 흐른다. 다음 도금 용액은 펌프(180)로부터 개방 밸브(270) 및 개방 밸브(240)를 통해 도금 용액이 배출되는 개별 도금 저장기로 흐른다. 밸브(205, 210, 220, 230, 250, 260, 280, 285)는 폐쇄된다. 또한 도금 용액은 화학적 분석기(150)에 의해 화학적 농도 측정의 완료에 따라 배관 시스템(200)으로부터 배출될 수 있다. 배관 시스템으로부터 액체가 배출되는 방식은 도 5를 참조로 상세히 설명된다.
탈이온수가 배관 시스템(200)을 통해 순환하거나 또는 화학적 분석기(150)가 표준 용액으로 교정될 수 있는 상황에서, 액체는 탈이온수 또는 표준 용액의 순환 완료에 따라 배관 시스템(200)으로부터 배출될 수 있다. 도 5는 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따라, 배관 시스템(200)으로부터 이를 테면, 탈이온수 또는 표준 용액과 같은 액체의 흐름을 나타낸다. 액체는 개방 밸브(290)를 통해 샘플링 저장기(160)로부터 펌프(180)로 흐른다. 다음 액체는 배관 시스템(200)으로부터 개방 밸브(270) 및 개방 밸브(205)를 통해 펌프(180)로부터 흐른다. 밸브(210, 220, 230, 240, 250, 260, 280, 285)는 폐쇄된다.
지금까지 본 발명의 실시예들에 대해 설명하였지만, 본 발명의 또 다른 및 추가적인 실시예들이 첨부되는 특허청구항들에 의해 결정되는 본 발명의 기본 정신 및 범주를 이탈하지 않고 고안될 수 있다.
본 발명의 도금 시스템으로 하나 이상의 도금 셀 저장기와 화학적 분석기 사이의 유체적 연통이 용이하고 하나 이상의 도금 셀 저장기의 하나 이상의 도금 셀에 의해 생성된 전기적 노이즈가 화학적 분석기로부터 절연될 수 있다.

Claims (21)

  1. 도금 용액을 저장하는 하나 이상의 도금 셀 저장기들;
    상기 하나 이상의 도금 셀 저장기들과 유체적으로 연통되는 화학적 분석기 - 상기 화학적 분석기는 상기 도금 용액의 화학적 농도를 측정하도록 구성됨 - ; 및
    상기 하나 이상의 도금 셀 저장기들과 화학적 분석기 사이의 유체적 연통을 용이하게 하고 상기 하나 이상의 도금 셀 저장기들의 하나 이상의 도금 셀들에 의해 발생되는 전기적 노이즈로부터 상기 화학적 분석기를 실질적으로 절연시키도록 구성된 배관 시스템
    을 포함하는, 전기화학적 도금 셀.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 화학적 분석기에 결합된 샘플링 저장기를 더 포함하며, 상기 샘플링 저장기는 상기 도금 용액의 일부를 보유하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 전기화학적 도금 셀.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 배관 시스템은 상기 하나 이상의 도금 셀 저장기들로부터 상기 샘플링 저장기로 도금 용액의 일부를 전달하는 제 1 흐름 경로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학적 도금 셀.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 배관 시스템은 상기 화학적 분석기를 통해 상기 도금 용액의 일부를 순환시키는 제 2 흐름 경로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학적 도금 셀.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 배관 시스템은 적어도 하나의 밸브를 포함하며, 상기 적어도 하나의 밸브가 개방 위치에 있을 때, 상기 적어도 하나의 밸브는 상기 하나 이상의 도금 셀 저장기로부터 상기 샘플링 저장기로 도금 용액의 일부가 흐르게 하는 것을 특징으로 하는 전기화학적 도금 셀.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 밸브는, 일단 상기 샘플링 저장기가 상기 전기적 노이즈로부터 상기 화학적 분석기를 실질적으로 절연시키도록 상기 도금 용액의 일부로 채워지면, 폐쇄 위치로 전환되는 것을 특징으로 하는 전기화학적 도금 셀.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 배관 시스템은 상기 하나 이상의 도금 셀 저장기들로 상기 도금 용액의 일부를 복귀시키는 제 3 흐름 경로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학적 도금 셀.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 3 흐름 경로는 상기 도금 용액의 일부의 화학적 농도의 측정 완료를 수행하는데 이용되는 것을 특징으로 하는 전기화학적 도금 셀.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 배관 시스템은 상기 샘플링 저장기로부터의 액체를 배관 시스템 밖으로 배출하는 제 4 경로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학적 도금 셀.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 4 경로는 탈이온수 및 표준 용액중 하나를 폐기하는데 이용되는 것을 특징으로 하는 전기화학적 도금 셀.
  11. 제 2 항에 있어서,
    상기 샘플링 저장기 내부의 액체 온도를 예정된 범위 내에서 유지하는 온도 제어기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학적 도금 셀.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 예정된 범위는 섭씨 약 18도 내지 섭씨 약 22도인 것을 특징으로 하는 전기화학적 도금 셀.
  13. 제 2 항에 있어서,
    상기 샘플링 저장기 내부 액체의 온도를 섭씨 약 20도로 유지하는 온도 제어기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학적 도금 셀.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 전기적 노이즈는 상기 하나 이상의 도금 셀들의 전압 인가에 의해 발생되는 것을 특징으로 하는 전기화학적 도금 셀.
  15. 하나 이상의 도금 셀 저장기들로부터 샘플링 저장기로 도금 용액의 일부를 전달하는 단계;
    화학적 분석기를 통해 상기 도금 용액의 일부를 순환시키는 단계; 및
    상기 하나 이상의 도금 셀 저장기들과 상기 화학적 분석기 사이의 유체적 연통을 차단하는 단계
    를 포함하는, 도금 용액의 화학적 농도를 측정하는 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 유체적 연통을 차단하는 단계는 상기 하나 이상의 도금 셀 저장기들로부터 상기 샘플링 저장기로 상기 도금 용액의 일부가 흐르는 것을 허용하는 적어도 하나의 밸브를 폐쇄시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도금 용액의 화학 적 농도를 측정하는 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 밸브는 상기 샘플링 저장기가 상기 도금 용액의 일부로 채워진 이후 폐쇄되는 것을 특징으로 하는 도금 용액의 화학적 농도를 측정하는 방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 도금 용액 일부의 화학적 농도를 측정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도금 용액의 화학적 농도를 측정하는 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 화학적 농도가 측정된 이후 상기 하나 이상의 도금 셀 저장기들로 상기 도금 용액의 일부를 복귀시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도금 용액의 화학적 농도를 측정하는 방법.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 샘프링 저장기 내부의 도금 용액의 일부 온도를 예정된 온도 범위로 유지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도금 용액의 화학적 농도를 측정하는 방법.
  21. 제 18 항에 있어서,
    상기 예정된 온도는 섭씨 약 18 도 내지 섭씨 약 22도인 것을 특징으로 하는 도금 용액의 화학적 농도를 측정하는 방법.
KR1020060069684A 2005-07-26 2006-07-25 도금 용액의 화학적 농도들을 측정하기 위한 시스템 및 방법들 KR101355155B1 (ko)

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009053435A1 (en) * 2007-10-24 2009-04-30 Oc Oerlikon Balzers Ag Method for manufacturing workpieces and apparatus
CN102879356A (zh) * 2012-09-28 2013-01-16 邢台钢铁线材精制有限责任公司 测量电镀钝化槽液浓度的方法
CN108531965A (zh) * 2018-05-24 2018-09-14 无锡运通涂装设备有限公司 一种自动在线分析电泳槽
CN112630277A (zh) * 2020-08-28 2021-04-09 广东工业大学 一种溶液实时检测设备及方法
CN116590763B (zh) * 2023-06-09 2024-03-19 广东捷盟智能装备股份有限公司 一种镀液浓度的梯度控制系统、方法、设备及存储介质

Family Cites Families (117)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3229198A (en) * 1962-09-28 1966-01-11 Hugo L Libby Eddy current nondestructive testing device for measuring multiple parameter variables of a metal sample
US3602033A (en) 1969-06-30 1971-08-31 Exxon Production Research Co Calibration method for percent oil detector
US3649509A (en) 1969-07-08 1972-03-14 Buckbee Mears Co Electrodeposition systems
US3887110A (en) 1970-09-10 1975-06-03 Upjohn Co Dispensing methods and apparatus
IT1046971B (it) 1975-03-11 1980-09-10 Oxy Metal Industries Corp Begno per l elettrodeposizione di rame e metodo per prepararlo
DE2521282C2 (de) 1975-05-13 1977-03-03 Siemens Ag Prozessteueranlage zum selbsttaetigen analysieren und auffrischen von galvanischen baedern
USRE31694E (en) 1976-02-19 1984-10-02 Macdermid Incorporated Apparatus and method for automatically maintaining an electroless copper plating bath
US4045304A (en) 1976-05-05 1977-08-30 Electroplating Engineers Of Japan, Ltd. High speed nickel plating method using insoluble anode
US4132605A (en) 1976-12-27 1979-01-02 Rockwell International Corporation Method for evaluating the quality of electroplating baths
US4102756A (en) 1976-12-30 1978-07-25 International Business Machines Corporation Nickel-iron (80:20) alloy thin film electroplating method and electrochemical treatment and plating apparatus
US4102770A (en) 1977-07-18 1978-07-25 American Chemical And Refining Company Incorporated Electroplating test cell
US4314823A (en) 1979-03-05 1982-02-09 Dionex Corporation Combination apparatus and method for chromatographic separation and quantitative analysis of multiple ionic species
DE2911073C2 (de) 1979-03-21 1984-01-12 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren und Vorrichtung zum automatischen Messen und Regeln der Konzentration der Hauptkomponenten eines Bades zum stromlosen Abscheiden von Kupfer
US4326940A (en) 1979-05-21 1982-04-27 Rohco Incorporated Automatic analyzer and control system for electroplating baths
GB2051393A (en) 1979-05-23 1981-01-14 Ibm Electrochromic electrolyte
US4321322A (en) 1979-06-18 1982-03-23 Ahnell Joseph E Pulsed voltammetric detection of microorganisms
US4252027A (en) 1979-09-17 1981-02-24 Rockwell International Corporation Method of determining the plating properties of a plating bath
US4276323A (en) 1979-12-21 1981-06-30 Hitachi, Ltd. Process for controlling of chemical copper plating solution
US4315059A (en) 1980-07-18 1982-02-09 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Molten salt lithium cells
US4405416A (en) 1980-07-18 1983-09-20 Raistrick Ian D Molten salt lithium cells
DE3030664C2 (de) 1980-08-13 1982-10-21 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur Bestimmung der Stromausbeute bei galvanischen Bädern
US4364263A (en) 1980-09-15 1982-12-21 Burroughs Wellcome Co. High pressure liquid chromatographic system
US4336114A (en) 1981-03-26 1982-06-22 Hooker Chemicals & Plastics Corp. Electrodeposition of bright copper
US4376685A (en) 1981-06-24 1983-03-15 M&T Chemicals Inc. Acid copper electroplating baths containing brightening and leveling additives
EP0076569B1 (en) 1981-10-01 1986-08-27 EMI Limited Electroplating arrangements
US4528158A (en) 1982-06-14 1985-07-09 Baird Corporation Automatic sampling system
US4469564A (en) 1982-08-11 1984-09-04 At&T Bell Laboratories Copper electroplating process
US4468331A (en) 1982-09-13 1984-08-28 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method and system for liquid choromatography separations
US4479852A (en) 1983-01-21 1984-10-30 International Business Machines Corporation Method for determination of concentration of organic additive in plating bath
US4789445A (en) 1983-05-16 1988-12-06 Asarco Incorporated Method for the electrodeposition of metals
US4725339A (en) 1984-02-13 1988-02-16 International Business Machines Corporation Method for monitoring metal ion concentrations in plating baths
US4694682A (en) 1984-03-29 1987-09-22 Etd Technology, Inc. Analysis of organic additives in plating baths using novel chromatographic methods in a mass balance approach
US4628726A (en) 1984-03-29 1986-12-16 Etd Technology, Inc. Analysis of organic compounds in baths used in the manufacture of printed circuit board using novel chromatographic methods
US4514265A (en) 1984-07-05 1985-04-30 Rca Corporation Bonding pads for semiconductor devices
JPS61110799A (ja) 1984-10-30 1986-05-29 インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン 金属めつき槽の制御装置
JPS61199069A (ja) 1985-02-28 1986-09-03 C Uyemura & Co Ltd めっき液濃度自動連続管理装置
US4631116A (en) 1985-06-05 1986-12-23 Hughes Aircraft Company Method of monitoring trace constituents in plating baths
US4692346A (en) 1986-04-21 1987-09-08 International Business Machines Corporation Method and apparatus for controlling the surface chemistry on objects plated in an electroless plating bath
US4774101A (en) 1986-12-10 1988-09-27 American Telephone And Telegraph Company, At&T Technologies, Inc. Automated method for the analysis and control of the electroless metal plating solution
US4750977A (en) 1986-12-17 1988-06-14 Bacharach, Inc. Electrochemical plating of platinum black utilizing ultrasonic agitation
US5244811A (en) 1987-03-02 1993-09-14 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organization Method and system for determining organic matter in an aqueous solution
WO1988008973A1 (en) * 1987-05-15 1988-11-17 Beckman Instruments, Inc. Improved flow cell
US5235995A (en) 1989-03-27 1993-08-17 Semitool, Inc. Semiconductor processor apparatus with dynamic wafer vapor treatment and particulate volatilization
US5224504A (en) 1988-05-25 1993-07-06 Semitool, Inc. Single wafer processor
US5230743A (en) 1988-05-25 1993-07-27 Semitool, Inc. Method for single wafer processing in which a semiconductor wafer is contacted with a fluid
US5092975A (en) 1988-06-14 1992-03-03 Yamaha Corporation Metal plating apparatus
US4932518A (en) 1988-08-23 1990-06-12 Shipley Company Inc. Method and apparatus for determining throwing power of an electroplating solution
US5316974A (en) 1988-12-19 1994-05-31 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit copper metallization process using a lift-off seed layer and a thick-plated conductor layer
US5039381A (en) 1989-05-25 1991-08-13 Mullarkey Edward J Method of electroplating a precious metal on a semiconductor device, integrated circuit or the like
US5055425A (en) 1989-06-01 1991-10-08 Hewlett-Packard Company Stacked solid via formation in integrated circuit systems
US5162260A (en) 1989-06-01 1992-11-10 Hewlett-Packard Company Stacked solid via formation in integrated circuit systems
US5119020A (en) * 1989-11-06 1992-06-02 Woven Electronics Corporation Electrical cable assembly for a signal measuring instrument and method
US5222310A (en) 1990-05-18 1993-06-29 Semitool, Inc. Single wafer processor with a frame
US5256274A (en) 1990-08-01 1993-10-26 Jaime Poris Selective metal electrodeposition process
US5368711A (en) 1990-08-01 1994-11-29 Poris; Jaime Selective metal electrodeposition process and apparatus
FR2673289B1 (fr) 1991-02-21 1994-06-17 Asulab Sa Capteur de mesure de la quantite d'un composant en solution.
US5223118A (en) 1991-03-08 1993-06-29 Shipley Company Inc. Method for analyzing organic additives in an electroplating bath
US5192403A (en) 1991-05-16 1993-03-09 International Business Machines Corporation Cyclic voltammetric method for the measurement of concentrations of subcomponents of plating solution additive mixtures
US5352350A (en) 1992-02-14 1994-10-04 International Business Machines Corporation Method for controlling chemical species concentration
US5196096A (en) 1992-03-24 1993-03-23 International Business Machines Corporation Method for analyzing the addition agents in solutions for electroplating of PbSn alloys
US5484626A (en) 1992-04-06 1996-01-16 Shipley Company L.L.C. Methods and apparatus for maintaining electroless plating solutions
DE4391640T1 (de) 1992-04-17 1994-05-05 Nippon Denso Co Verfahren und Gerät zum Detektieren einer Konzentration einer chemischen Behandlungslösung und automatisches Steuergerät dafür
JP3200468B2 (ja) 1992-05-21 2001-08-20 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 ウエーハ用めっき装置
JPH07507630A (ja) 1992-06-01 1995-08-24 シンシナティ・ミラクロン・インコーポレーテッド 金属工作流体の監視および制御方法
FR2692983B1 (fr) 1992-06-30 1994-10-14 Hospal Ind Procédé d'étalonnage d'un couple de capteurs placés dans un circuit de dialyse et rein artificiel pour la mise en Óoeuvre du procédé.
US5389215A (en) 1992-11-05 1995-02-14 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Electrochemical detection method and apparatus therefor
US5298129A (en) 1992-11-13 1994-03-29 Hughes Aircraft Company Method of selectively monitoring trace constituents in plating baths
US5320724A (en) 1992-11-17 1994-06-14 Hughes Aircraft Company Method of monitoring constituents in plating baths
US5328589A (en) 1992-12-23 1994-07-12 Enthone-Omi, Inc. Functional fluid additives for acid copper electroplating baths
US5364510A (en) 1993-02-12 1994-11-15 Sematech, Inc. Scheme for bath chemistry measurement and control for improved semiconductor wet processing
US5368715A (en) 1993-02-23 1994-11-29 Enthone-Omi, Inc. Method and system for controlling plating bath parameters
US5298132A (en) 1993-03-25 1994-03-29 Hughes Aircraft Company Method for monitoring purification treatment in plating baths
US5391271A (en) 1993-09-27 1995-02-21 Hughes Aircraft Company Method of monitoring acid concentration in plating baths
ATE159551T1 (de) 1993-11-30 1997-11-15 Danieli Off Mecc Verfahren zum rückleiten von behandlungsgut bei oberflächenbehandlungen und fertigbearbeitungen
DE4344387C2 (de) 1993-12-24 1996-09-05 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von Kupfer und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens
JP3377849B2 (ja) 1994-02-02 2003-02-17 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 ウエーハ用メッキ装置
DE4405741C1 (de) 1994-02-23 1995-06-01 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von Metallen aus Elektrolyten mit Prozeßorganik
US5705223A (en) 1994-07-26 1998-01-06 International Business Machine Corp. Method and apparatus for coating a semiconductor wafer
IL112018A (en) 1994-12-19 2001-04-30 Israel State A device containing a micro-cell for removal by design injection for a volumetric test of metal traces
US5750014A (en) 1995-02-09 1998-05-12 International Hardcoat, Inc. Apparatus for selectively coating metal parts
US5516412A (en) 1995-05-16 1996-05-14 International Business Machines Corporation Vertical paddle plating cell
US5631845A (en) 1995-10-10 1997-05-20 Ford Motor Company Method and system for controlling phosphate bath constituents
US5755954A (en) 1996-01-17 1998-05-26 Technic, Inc. Method of monitoring constituents in electroless plating baths
DE19616760C2 (de) 1996-04-26 1999-12-23 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Vorrichtung zur kontinuierlichen Bestimmung gasförmiger Oxidationsprodukte
US5730866A (en) 1996-07-19 1998-03-24 Delco Electronics Corporation Automatic ionic cleanliness tester
US5972192A (en) 1997-07-23 1999-10-26 Advanced Micro Devices, Inc. Pulse electroplating copper or copper alloys
US5908540A (en) 1997-08-07 1999-06-01 International Business Machines Corporation Copper anode assembly for stabilizing organic additives in electroplating of copper
US6024857A (en) 1997-10-08 2000-02-15 Novellus Systems, Inc. Electroplating additive for filling sub-micron features
US6024856A (en) 1997-10-10 2000-02-15 Enthone-Omi, Inc. Copper metallization of silicon wafers using insoluble anodes
JP3185191B2 (ja) 1997-12-02 2001-07-09 株式会社山本鍍金試験器 高速電気めっき試験装置
US6113771A (en) 1998-04-21 2000-09-05 Applied Materials, Inc. Electro deposition chemistry
US6365033B1 (en) 1999-05-03 2002-04-02 Semitoof, Inc. Methods for controlling and/or measuring additive concentration in an electroplating bath
US6176992B1 (en) 1998-11-03 2001-01-23 Nutool, Inc. Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition
US6258220B1 (en) 1998-11-30 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition system
US6254760B1 (en) 1999-03-05 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition system and method
US6471845B1 (en) 1998-12-15 2002-10-29 International Business Machines Corporation Method of controlling chemical bath composition in a manufacturing environment
US6113759A (en) 1998-12-18 2000-09-05 International Business Machines Corporation Anode design for semiconductor deposition having novel electrical contact assembly
US6140241A (en) 1999-03-18 2000-10-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Multi-step electrochemical copper deposition process with improved filling capability
US6241953B1 (en) * 1999-06-21 2001-06-05 Ceramic Oxides International B.V. Thermal reactor with self-regulating transfer mechanism
EP1087432A1 (en) 1999-09-24 2001-03-28 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw A method for improving the quality of a metal layer deposited from a plating bath
US6596148B1 (en) * 1999-08-04 2003-07-22 Mykrolis Corporation Regeneration of plating baths and system therefore
US6391209B1 (en) * 1999-08-04 2002-05-21 Mykrolis Corporation Regeneration of plating baths
US6224737B1 (en) 1999-08-19 2001-05-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for improvement of gap filling capability of electrochemical deposition of copper
US6280602B1 (en) 1999-10-20 2001-08-28 Advanced Technology Materials, Inc. Method and apparatus for determination of additives in metal plating baths
US6942779B2 (en) * 2000-05-25 2005-09-13 Mykrolis Corporation Method and system for regenerating of plating baths
US6454927B1 (en) 2000-06-26 2002-09-24 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for electro chemical deposition
US6458262B1 (en) 2001-03-09 2002-10-01 Novellus Systems, Inc. Electroplating chemistry on-line monitoring and control system
AU2002311951A1 (en) * 2001-05-18 2002-12-03 Regents Of The University Of Minnesota Metal/metal oxide electrode as ph-sensor and methods of production
US6592736B2 (en) 2001-07-09 2003-07-15 Semitool, Inc. Methods and apparatus for controlling an amount of a chemical constituent of an electrochemical bath
JP3874259B2 (ja) * 2002-03-20 2007-01-31 大日本スクリーン製造株式会社 メッキ液管理装置、それを備えたメッキ装置、およびメッキ液組成調整方法
US7223323B2 (en) 2002-07-24 2007-05-29 Applied Materials, Inc. Multi-chemistry plating system
JP4131395B2 (ja) 2003-02-21 2008-08-13 株式会社デンソー 車両用回生制動装置
US7473339B2 (en) 2003-04-18 2009-01-06 Applied Materials, Inc. Slim cell platform plumbing
US6860944B2 (en) * 2003-06-16 2005-03-01 Blue29 Llc Microelectronic fabrication system components and method for processing a wafer using such components
US7157051B2 (en) * 2003-09-10 2007-01-02 Advanced Technology Materials, Inc. Sampling management for a process analysis tool to minimize sample usage and decrease sampling time
US20050077182A1 (en) 2003-10-10 2005-04-14 Applied Materials, Inc. Volume measurement apparatus and method
JP4280993B2 (ja) 2003-12-24 2009-06-17 ソニー株式会社 撮像装置及びその方法並びにプログラム

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