KR20070009825A - 씨모스 이미지 센서의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (14)
- 포토 다이오드 영역과 트랜지스터 영역을 갖는 액티브 영역을 정의하기 위해 반도체 기판의 소자 분리 영역에 소자 분리막을 형성시키는 단계;상기 트랜지스터 영역에 게이트 절연막을 개재하여 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 포토 다이오드 영역에 제 1 저농도 n형 확산영역을 형성하는 단계;상기 트랜지스터 영역에 제 2 저농도 n형 확산영역을 형성하는 단계;상기 반도체 기판의 전면에 버퍼층을 형성하고 상기 버퍼층이 상기 포토 다이오드 영역에만 남도록 선택적으로 제거하는 단계;상기 반도체 기판의 전면에 식각 선택비가 다른 제 1 절연막과 제 2 절연막을 차례로 형성하는 단계;상기 제 2 절연막을 선택적으로 식각하여 상기 게이트 전극의 양측면에 제 2 절연막 측벽을 형성하는 단계;상기 포토다이오드 영역을 제외한 제 1 절연막을 선택적으로 제거하는 단계;상기 노출된 트랜지스터 영역에 고농도 n형 확산영역을 형성하는 단계상기 고농도 n형 확산영역의 표면에 금속 실리사이드막을 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 절연막은 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 절연막은 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 산화막은 열산화막 또는 TEOS 계열의 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 버퍼층은 O3-TEOS막 또는 BPSG막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 버퍼층은 400 ~ 3000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 버퍼층은 사일렌 가스를 이용하여 선택적으로 제거하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 저농도 n형 확산영역을 형성하고 1차로 열처리 공정을 실시하는 단계를 더 포함하여 형성함을 특징으로 하는 씨모스 이미 지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 고농도 n형 확산영역을 형성하고 2차로 열처리 공정을 실시하는 단계를 더 포함하여 형성함을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 1차 및 2차 열처리는 800 ~ 1200℃의 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 식각 저지막은 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 층간 절연막은 사일렌계열의 절연막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속 실리사이드막을 형성한 후 상기 반도체 기판의 전면에 확산 저지막을 형성하고 상기 포토다이오드 영역 상부의 확산 저지막을 선택적으로 제거하는 단계를 더 포함하여 형성함을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항 또는 제 13 항에 있어서, 상기 잔류하는 확산 저지막을 포함한 반도체 기판의 전면에 층간 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하여 형성함을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
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