JP2007027748A - Cmosイメージセンサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板に、アクティブ領域を区画する素子分離膜を形成させ、アクティブ領域にゲート電極を形成させ、それに隣接したフォトダイオード領域に第1の低濃度の拡散領域を形成し、その後半導体基板の全面にギャザリング層となるバッファ層を形成し、そのバッファ層がフォトダイオード領域にのみ残されるように選択的に除去する。形成されたギャザリング層の存在のもとで、フォトダイオード領域やトランジスタ領域の不純物イオンの熱拡散を行う。
【選択図】図4j
Description
Claims (20)
- 半導体基板上に、フォトダイオード領域とトランジスタ領域を有するアクティブ領域とを区画する素子分離膜を形成する段階と、
前記トランジスタ領域に、ゲート絶縁膜を介在させてゲート電極を形成する段階と、
前記フォトダイオード領域に第1の低濃度の拡散領域を形成する段階と、
前記トランジスタ領域に第2の低濃度の拡散領域を形成する段階と、
前記半導体基板の全面に、ギャザリング層となるバッファ層を形成し、そのバッファ層が前記フォトダイオード領域にのみ残されるように選択的に除去する段階と、
前記半導体基板の全面にエッチング選択比が異なる第1の絶縁膜と第2の絶縁膜を順に形成する段階と、
前記第2の絶縁膜を選択的にエッチングし、前記ゲート電極の両側面に第2の絶縁膜による側壁を形成する段階と、
前記フォトダイオード領域を除いた領域に形成された前記第1の絶縁膜を選択的に除去する段階と、
前記露出されたトランジスタ領域において前記第2の低濃度の拡散領域と部分的に重畳するように高濃度の拡散領域を形成する段階と、
前記高濃度の拡散領域の表面に金属シリサイド膜を形成する段階と、を備えることを特徴とするCMOSイメージセンサの製造方法。 - 前記第1の絶縁膜は、酸化膜で形成することを特徴とする請求項1に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
- 前記第2の絶縁膜は、窒化膜で形成することを特徴とする請求項1に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
- 前記酸化膜は、熱酸化膜またはTEOS系列の酸化膜で形成することを特徴とする請求項2に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
- 前記バッファ層は、O3−TEOS膜またはBPSG膜で形成することを特徴とする請求項1に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
- 前記バッファ層は、400Å〜3000Åの厚さで形成することを特徴とする請求項1に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
- 前記バッファ層の選択的除去は、シランガスを利用することを特徴とする請求項1に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
- 前記第1及び第2の低濃度の拡散領域を形成した後、1次熱処理工程を実施する段階をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
- 前記高濃度の拡散領域を形成した後、2次熱処理工程を実施する段階をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
- 前記1次及び2次熱処理は、800℃〜1200℃の温度で実施することを特徴とする請求項8又は9に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
- 前記金属シリサイド膜を形成した後、前記半導体基板の全面に拡散及びエッチングストッパ膜を形成する段階と、
前記フォトダイオード領域の上部に形成された前記拡散及びエッチングストッパ膜の一部を選択的に除去する段階と、をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。 - 前記残留する拡散及びエッチングストッパ膜を含む前記半導体基板の全面に層間絶縁膜を形成する段階をさらに備えることを特徴とする請求項11に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
- 前記拡散及びエッチングストッパ膜は、窒化膜で形成することを特徴とする請求項11に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
- 前記層間絶縁膜は、シラン系列の絶縁膜で形成することを特徴とする請求項12に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
- 半導体基板上に形成され、フォトダイオード領域とトランジスタ領域を含むアクティブ領域を区画する素子分離膜と、
前記トランジスタ領域に形成されたゲート絶縁膜及びゲート電極を含むゲートと、
前記基板内の前記フォトダイオード領域に形成された第1の低濃度の拡散領域と、
前記トランジスタ領域において前記基板内に形成された第2の低濃度の拡散領域及びこれと部分的に重畳するように形成された高濃度の拡散領域と、
前記基板上に形成され、前記フォトダイオード領域をカバーするギャザリング層となるバッファ層と、
前記ゲートの両側面に形成された絶縁膜側壁と、
前記高濃度の拡散領域の表面に選択的に形成された金属シリサイド膜と、を備えることを特徴とするCMOSイメージセンサ。 - 前記バッファ層は、前記フォトダイオード領域から前記ゲートの上部にまで延びていることを特徴とする請求項15に記載のCMOSイメージセンサ。
- 前記バッファ層は、O3−TEOS膜またはBPSG膜で形成することを特徴とする請求項15に記載のCMOSイメージセンサ。
- 前記基板の全面に形成され、且つ前記フォトダイオード領域に形成された前記バッファ層を露出させる拡散及びエッチングストッパ膜と、
前記拡散及びエッチングストッパ膜が形成された基板の全面に形成された層間絶縁膜と、をさらに備えることを特徴とする請求項15に記載のCMOSイメージセンサ。 - 前記拡散及びエッチングストッパ膜は、窒化膜であることを特徴とする請求項18に記載のCMOSイメージセンサ。
- 前記層間絶縁膜は、シラン系列の絶縁膜であることを特徴とする請求項18に記載のCMOSイメージセンサ。
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