KR20070005528A - 리소그래피 장치, 오염물 트랩 및 디바이스 제조방법 - Google Patents

리소그래피 장치, 오염물 트랩 및 디바이스 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20070005528A
KR20070005528A KR1020060063617A KR20060063617A KR20070005528A KR 20070005528 A KR20070005528 A KR 20070005528A KR 1020060063617 A KR1020060063617 A KR 1020060063617A KR 20060063617 A KR20060063617 A KR 20060063617A KR 20070005528 A KR20070005528 A KR 20070005528A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
radiation
contaminant trap
radiation beam
foil
Prior art date
Application number
KR1020060063617A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100803741B1 (ko
Inventor
레오니드 아이지코비치 쇼마에녹
바딤 예프겐예비치 바니네
요제푸스 야코부스 슈미츠
람베르투스 아드리아누스 반 덴 빌덴베르크
알렉산더 알렉산드로비치 슈미트
아르노우트 코르넬리스 바싱크
파울 페터 안나 안토니우스 브롬
에릭 루이스 빌렘 베르팔렌
안토니우스 요한네스 반 데 파스
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20070005528A publication Critical patent/KR20070005528A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100803741B1 publication Critical patent/KR100803741B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G03F7/70166—Capillary or channel elements, e.g. nested extreme ultraviolet [EUV] mirrors or shells, optical fibers or light guides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants

Abstract

리소그래피 장치는 방사선 빔의 생성을 위한 방사선 소스를 포함하는 방사선 시스템, 및 상기 방사선 빔의 경로에 배치되는 오염물 트랩을 포함한다. 상기 오염물 트랩은 상기 방사선 빔의 전파 방향과 실질적으로 평행하게 배치되는 채널들을 형성하는 복수의 포일들 또는 플레이트들을 포함한다. 상기 포일들 또는 플레이트들은 상기 방사선 빔의 광학 축선에 대해 실질적으로 반경 방향으로 배향될 수 있다. 상기 오염물 트랩에는 2 이상의 상이한 위치에서 상기 오염물 트랩의 채널들 중 1 이상에 직접적으로 가스를 주입하도록 구성되는 가스 주입기가 제공될 수 있다.

Description

리소그래피 장치, 오염물 트랩 및 디바이스 제조방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS, CONTAMINANT TRAP, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
이하, 대응되는 참조부호들이 대응되는 참조부분들을 나타내는 개략적인 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들이 예시의 방법으로 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 나타낸 도;
도 2는 본 발명의 추가 실시예에 따른 리소그래피 장치의 부분을 개략적으로 나타낸 도;
도 3a는 가스 주입 모세관을 포함하는 오염물 트랩의 제 1 실시예의 사시도;
도 3b는 포일들을 나타내지 않은, 도 3a와 유사한 도;
도 4는 모세관들을 나타내지 않은, 오염물 트랩의 제 2 실시예의 정면도;
도 5는 오염물 트랩의 제 1 실시예의 주변 단면(circumferential cross-section)의 상세도;
도 6은 도 5의 라인 Ⅵ-Ⅵ에 걸친 단면도;
도 7은 소스와 콜렉터 및 보다 상세하게는 다수의 방사선 경로에 대한 모세관들 중 2개의 방위를 나타내는 제 1 실시예의 부분 개방된 측면도;
도 8은, 방사선 소스 및 오염물 트랩의 대향하는 측면들 부근의 선택적(optional) 헬륨 공급기를 나타내는, 도 2의 실시예의 세부를 개략적으로 나타낸 도;
도 9a는 가스 주입 링들을 포함하는 오염물 트랩의 제 2 실시예의 사시도;
도 9b는 포일을 나타내지 않은, 도 9a와 유사한 도;
도 10은 오염물 트랩의 제 2 실시예의 가스 공급 링의 세부의 측면도;
도 11은 도 10의 라인 XI-XI에 걸친 단면도;
도 12는 오염물 트랩의 제 2 실시예의 대안적인 가스 주입기의 가스 공급 링 섹션들의 두 그룹 중 하나의 측면도;
도 13은 도 12에 나타낸 링 섹션들의 그룹의 사시도;
도 14는 본 발명의 대안실시예의 상세도;
도 15는 본 발명의 일 실시예의 상세도;
도 16은 본 발명의 추가 실시예의 포일의 개략적인 측면도;
도 17a는 도 16의 포일의 평면도;
도 17b는 포일의 벤딩을 나타내는 도 17a와 유사한 도;
도 18은 열 실드를 포함하는 추가 실시예의 부분의 단면도;
도 19는 도 18의 실시예의 포일의 측면사시도;
도 20은 도 19에 나타낸 포일의 평면도; 및
도 21은 가스 공급 튜브 없이 도 18의 실시예의 세부의 측면사시도로서, 특히 포일들의 오버래핑 열 실드 세그먼트들을 나타낸 도이다.
본 발명은 리소그래피 장치, 오염물 트랩, 디바이스 제조방법 및 그에 의해 제조된 디바이스에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판상에, 통상적으로는 기판의 타겟부상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 상황에서, 마스크 또는 레티클로도 지칭되는 패터닝장치가 IC의 개별층에 형성될 회로 패턴을 생성하는데 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예를 들어, 실리콘웨이퍼)상의 (예를 들어, 1 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부상에 전사(transfer)될 수 있다. 통상적으로, 패턴의 전사는 기판상에 제공되는 방사선 감응재(레지스트)의 층상으로의 묘화를 통해 이루어진다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부상의 전체패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향 또는 반대 방향으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판상으로 패턴을 임프린팅(imprinting)함으로써 패터닝장치로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
본 명세서에서 인용 참조되는 WO 99/42904는 소스 데브리(debris)를 트래핑하는, 필터라 불리는 오염물 트랩에 대해 개시하고 있다. 상기 공지된 오염물 트랩 은, 편평하거나 원뿔형이고 방사선 소스로부터 반경 방향으로 배치되는 복수의 포일(foils) 또는 플레이트들을 포함한다. 소스, 필터 및 투영시스템은, 압력이 0.5 Torr인 버퍼 가스, 예를 들어 크립톤 내에 배치될 수도 있다. 그 다음, 오염물 입자들은 버퍼 가스의 온도, 예를 들어 실온을 취하여, 그들이 필터로 들어가기 이전에 입자의 속도를 충분히 저감시킨다. 공지된 오염물 트랩의 압력은 그것의 환경의 압력과 동일하다. 이 트랩은 소스로부터 2 cm의 위치에 배치되고, 그것의 플레이트들은 방사선의 전파 방향으로 1 cm 이상, 바람직하게는 7 cm 의 길이를 갖는다. 이 디자인은 상대적으로 크고, 따라서 소스 방사선을 번들링(bundle) 및 성형(shape)하고 그것을 마스크로 안내하기 위한 고가의 수집 및 안내/성형 광학기를 필요로 한다.
유럽특허출원 제 1203899.8 호는, 예컨대 플라즈마 소스에 의하여 방출되거나 EUV 방사선에 대해 노광되는 레지스트로부터의 더브리를 트래핑하기 위한 더욱 개선된 디바이스에 대해 개시하고 있다. 이 문헌은, 방사선 빔의 전파 방향과 평행하게 배치되는 플레이트 부재들의 제 1 세트 및 전파 방향과 평행하게 배치되는 플레이트 부재들의 제 2 세트를 포함하는 오염물 트랩에 대해 개시하고 있다. 상기 제 1 및 제 2 세트는 방사선 빔의 광학 축선을 따라 서로 이격되어 있다. 상기 플레이트 부재들의 제 1 세트와 제 2 세트 사이에는 공간이 존재한다. 상기 공간에는, 오염물 입자들을 트래핑하기 위한 고압의 가스를 제공하기 위해 플러싱 가스(flushing gas)가 공급된다. 플레이트 부재들의 상기 두 세트는, 가스의 누출이 최소화되고, 트랩 외측의 가스의 압력이 낮게 유지되도록 설계된다. 하지만, 여전히 상대적으로 높은 압력을 갖는 이 가스에 의하여 상당한 양의 EUV가 흡수된다.
본 발명의 일 실시형태는, 더브리의 트래핑 및/또는 완화(mitigting)를 더욱 개선시키는 한편, 오염물 트랩에 대해 비교적 단순한 디자인을 갖도록 하는 것이다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 방사선 빔의 생성을 위한 방사선 소스를 포함하는 방사선 시스템; 및 상기 방사선 빔의 경로에 배치되고, 상기 방사선 빔의 전파 방향과 실질적으로 평행하게 배치되는 채널들을 형성하는 복수의 플레이트 또는 포일들을 포함하는 오염물 트랩을 포함하되, 상기 오염물 트랩에는 2 이상의 상이한 위치에서 상기 오염물 트랩의 채널들 중 1이상에 직접적으로 가스를 주입시키도록 구성되는 가스 주입기(gas injector)가 제공되는, 리소그래피 장치가 제공된다. 예를 들어, 일 실시예에서 포일들 또는 플레이트들은 방사선 빔의 광학 축선에 대해 실질적으로 반경방향으로 배향될 수 있다. 예를 들어, 가스는, 2 이상, 3 이상, 또는 4 이상의 상이한 위치에서 채널 내로 주입될 수 있다.
일 실시예에서는, 방사선 빔의 생성을 위한 방사선 소스를 포함하는 방사선 시스템; 및 상기 방사선 빔의 경로에 배치되고, 상기 방사선 빔의 전파 방향과 실질적으로 평행하게 배치되는 채널들을 형성하는 복수의 플레이트 또는 포일들을 포함하는 오염물 트랩을 포함하되, 상기 오염물 트랩에는 상기 오염물 트랩의 각각의 채널 내로 주입되도록 구성된 가스 공급 시스템이 제공되는, 리소그래피 장치가 제공된다. 상기 가스 공급 시스템은:
각각의 채널에서,
Figure 112006048623788-PAT00001
를 달성하도록 구성되는데, 여기서 p(x)는 채널의 위치 x에서의 압력-Pa-이고, x1은 채널 입구의 위치-m-이며, x2는 채널의 가스 유출 개구부(들)의 위치-m-이다.
또한, 일 실시예에서는, 사용시 방사선 빔의 경로에 배치되고, 사용시 방사선 빔을 실질적으로 투과시키는 방사선 투과 채널을 형성하는 복수의 플레이트 또는 포일을 포함하도록 구성되는 오염물 트랩이 제공되는데, 상기 오염물 트랩에는 2 이상의 상이한 위치에서 오염물 트랩의 채널들 중 1이상에 직접적으로 가스를 주입시키도록 구성되는 가스 공급 시스템이 제공된다. 예를 들어, 사용시 방사선 빔의 경로에 배치되고, 사용시 방사선 빔을 실질적으로 투과시키는 방사선 투과 채널들을 형성하는 복수의 플레이트들 또는 포일들을 포함하도록 구성되는 오염물 트랩이 제공되는데, 상기 오염물 트랩에는 2 이상의 상이한 위치에서 상기 오염물 트랩의 채널들 중 1 이상에 직접적으로 가스를 주입시키도록 배치되는 가스 공급 시스템이 제공되며, 상기 가스 공급 시스템은,
각각의 채널에서,
Figure 112006048623788-PAT00002
를 달성하도록 구성되는데, 여기서 p(x)는 채널의 위치 x에서의 압력이고, x1은 채널 입구의 위치이며, x2는 채널의 가스 유출 개구부(들)의 위치이다.
또한, 일 실시예에 따르면, 방사선 빔을 생성하기 위한 방사선 소스를 포함하는 방사선 시스템, 및 상기 방사선 빔의 경로에 배치되는 오염물 트랩을 포함하는 방사선 시스템을 포함하는 리소그래피 장치가 제공되는데, 상기 오염물 트랩은 상기 방사선 빔을 실질적으로 투과시키기 위한 채널들을 형성하는 복수의 플레이트 또는 포일들을 포함하고, 각각의 포일 또는 플레이트에는 적어도 제 1 섹션 및 제 2 섹션이 제공되고, 포일 또는 플레이트의 제 1 및 제 2 섹션은 서로에 대해 상이한 방향으로 연장되고 중간 라인을 따라 서로 인접하며, 중간 라인의 실질상의 연장부는 방사선 소스의 중심과 교차한다.
예를 들어, 포일 또는 플레이트의 제 1 및 제 2 섹션은 서로 180°보다 작은 각도, 예를 들어 170°이하의 각도를 포함할 수 있다.
또한, 일 실시예에서는, 방사선 빔을 생성하기 위한 방사선 소스를 포함하는 방사선 시스템, 및 상기 방사선 빔의 경로에 배치되는 오염물 트랩을 포함하는 방사선 시스템을 포함하는 리소그래피 장치가 제공되는데, 상기 오염물 트랩은 상기 방사선 빔을 실질적으로 투과시키기 위한 채널들을 형성하는 복수의 플레이트 또는 포일들을 포함하고, 상기 오염물 트랩에는, 1 이상의 위치에서 상기 오염물 트랩의 채널들 중 1이상에 직접적으로 가스를 주입시키도록 구성되는 가스 주입기가 제공되고, 상기 가스 주입기에는 상기 포일들 또는 플레이트들을 따라 연장되는 1 이상의 가스 공급 튜브들, 예를 들어 가스 공급 링들 또는 링 섹션들이 제공되며, 상기 오염물 트랩에는 사용시 상기 방사선 빔으로부터 상기 1 이상의 가스 공급 튜브를 실질적으로 실딩(shield)하도록 구성되는 1 이상의 열 실드(heat shield)가 제공된다. 일 예시로서, 간단한 실시예에서는, 각각의 열 실드가 포일들 또는 플레이트들로부터 연장되는 열 실드 세그먼트들, 예를 들어 상기 포일들 또는 플레이트들로부터 만곡되어 나온(bended out) 세그먼트들로부터 형성되며, 이웃하는 포일들 또는 플레이트들의 바람직한 열 실드 세그먼트들은 방사선 빔의 방사선 전파 방향에서 보았을 때 서로 오버랩된다.
더욱이, 청구항 15 항의 특징들에 따른 디바이스 제조방법이 제공된다. 예를 들어, 패터닝된 방사선 빔을 기판 상으로 투영하는 단계를 포함하는 방법이 제공되는데, 방사선 빔을 생성하기 위한 소스가 제공되고, 방사선 빔의 경로에 오염물 트랩이 제공되고, 상기 오염물 트랩은 상기 방사선 빔을 실질적으로 투과시키는 방사선 투과 채널들을 형성하는 복수의 포일들 또는 플레이트들을 포함하며, 2개의 상이한 위치에서 상기 오염물 트랩의 채널들 중 1 이상에 직접적으로 가스가 공급될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 상술된 방법 또는 상술된 장치에 의하여 제조되는 디바이스가 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시하고 있다. 상기 장치는: 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 여타 방사선)을 콘디셔닝하도록 구성된 조명시스템(일루미네이터)(IL); 패터닝 디바이스(MA)(예를 들어, 마스크)를 지지하고, 특정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성되는 제 1 위치설정장치(PM)에 연결되도록 구성된 지지구조체(예를 들어, 마스크테이블)(MT); 기판(W)(예를 들어, 레지스트코팅된 웨이퍼)을 잡아주고, 특정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정장치(PW)에 연결되도록 구성된 기판테이블(예를 들어, 웨이퍼테이블)(WT); 및 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함함)상에 투영하도록 구성된 투영시스템(PS)(예를 들어, 굴절형 투영렌즈 시스템)을 포함한다.
조명시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어시키기 위하여 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 및 여타 유형의 광학 구성요소, 또는 그들의 조합과 같은 다양한 종류의 광학 구성요소를 포함할 수도 있다.
지지구조체는, 패터닝 디바이스의 무게를 지지, 즉 지탱한다. 지지구조체는, 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경내에서 유지되는지의 여부와 같은 여타 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지시킨다. 지지구조체는 패터닝 디바이스를 유지시키기 위하여 기계적, 진공, 정전기 또는 여타의 클램핑 기술을 사용할 수 있다. 지지구조체는 필요에 따라 고정되거나 이동할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 상기 지지구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영시스템에 대해 원하는 위치에 있을 수 있도록 한다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 어떠한 용어의 사용도 "패터닝 디바이스"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
여기서 사용되는 "패터닝 디바이스(patterning device)"라는 용어는 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 디바이스를 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 예를 들어, 패턴이 위상-시프팅 피처 또는 소위 어시스트 피처들을 포함하는 경우 방사선 빔에 부여된 패턴은 기판의 타겟부내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것에 유의해야 한다. 일반적으로, 투영빔에 부여된 패턴은 집적회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스내의 특정기능층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크형식도 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일례는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광방사선에 대하여, 또는 침지 액체(immersion liquid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 여타의 인자에 대하여 적절하다면, 굴절광학시스템, 반사광학시스템, 카타디옵트릭시스템, 자기시스템, 전자기시스템 및 정전기 광학시스템 또는 그들의 조합을 포함하는 소정 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 반사형 마스크를 채용한) 반사형이다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 투과형 마스크를 채용한) 투과형일 수도 있다.
리소그래피 장치는 2개(듀얼 스테이지)이상의 기판테이블(및/또는 2이상의 마스크테이블)을 갖는 형태로 구성될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 1이상의 테이블이 노광을 위해 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
리소그래피 장치는 또한, 기판의 적어도 일 부분이 기판과 투영시스템의 최종요소 사이의 공간을 채우기 위한, 상대적으로 높은 굴절률을 갖는 액체, 예를 들어 물에 의해 덮히는 타입으로 이루어질 수도 있다. 침지 액체는 리소그래피 장치의 여타 공간, 예를 들어 마스크와 투영시스템 사이의 공간에 적용될 수도 있다. 침지 기술은 당 업계에서 투영시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키는 것으로 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 "침지(immersion)"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 잠겨야(submerge)한다는 것을 의미하기 보다는, 노광시 투영시스템과 기판 사이에 액체가 배치된다는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(S0)로부터 방사선의 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 부분을 형성하는 것으로 간주되지는 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어, 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스펜더를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 상기 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 여타의 경우, 예를 들어 상기 방사선 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 또한, 예를 들어 소스(SO), 특히 EUV 방사선을 생성시키는 방사선 소스로부터 나오는 오염물을 트래핑하기 위하여, 상기 소스(SO)에 대해 하류에 오염물 트랩(10, 110, 510)이 제공될 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요하다면 빔 전달 시스템(BD) 및/또는 오염물 트랩(10, 110, 510)과 함께 방사선 시스템이라 칭할 수도 있다.
일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도세기분포를 조정하는 조정기구(AD)를 포함할 수도 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필평면 내의 세기분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터 및 콘덴서와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터(IL)는 그 단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 갖도록 방사선 빔을 콘디셔닝하는데 사용될 수도 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지구조체(예를 들어, 마스크테이블(MT))상에서 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크(MA)) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 방사선 빔(B)은, 마스크(MA)를 가로질러 투영시스템(PS)을 통과하고, 상기 투영시스템은 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정장치(PW) 및 위치센서(IF2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 선형 인코더(linear encoder) 또는 캐퍼서티 센서(capacitive sensor))의 도움으로, 기판테이블(WT)은, 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확 하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정장치(PM) 및 또 다른 위치센서(IF1)는, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은, 긴 행정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이며, 이는 제 1 위치설정장치(PM)의 일부를 형성한다. 이와 유사하게, 기판테이블(WT)의 이동은 제 2 위치설정장치(PW)의 일부를 형성하는 긴 행정 모듈 및 짧은 행정 모듈을 사용하여 실현될 수도 있다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 상기 마스크테이블(MT)은 단지 짧은 행정액츄에이터에만 연결되거나 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬마크(M1, M2) 및 기판 정렬마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수도 있다. 예시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 할당된 타겟부를 점유하기는 하나, 그들은 타겟부들 사이의 공간들에 배치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려져 있음). 이와 유사하게, 마스크(MA) 상에 1이상의 다이가 제공되는 상황에서는, 다이들 사이에 마스크 정렬 마크들이 배치될 수도 있다.
상술된 장치는 다음의 모드들 중 1 이상에서 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드에서, 마스크테이블(MT) 및 기판테이블(WT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다{즉, 단일 정적 노광(single static exposure)}. 그런 후, 기판테이블(WT)은 X 및/또는 Y 방향으로 시프트되어 다른 타겟부(C)가 노광될 수 있다. 스텝 모드에서, 노광필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 묘화되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 마스크테이블(MT)과 기판테이블(WT)은 방사선 빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다{즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)}. 마스크테이블(MT)에 대한 기판테이블(WT)의 속도 및 방향은 확대(축소) 및 투영시스템(PS)의 이미지 반전 특성에 의하여 판정된다. 스캔 모드에서, 노광필드의 최대크기는 단일 동적노광시 타켓부의 (스캐닝되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 마스크테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안, 기판테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채용되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔중에 계속되는 방사선펄스 사이에서 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 상기 언급된 바와 같은 종류의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 상이한 사용 모드들이 채용될 수도 있다.
도 2는 도 1에 따른 리소그래피 장치의 일 부분을 나타낸다. 특히, 도 2는 방사선 소스(SO), 오염물 트랩(10, 110) 및 방사선 콜렉터(CO)의 구성을 나타내고 있다. 오염물 트랩(10, 110)은 상기 방사선 소스(SO)와 방사선 콜렉터(CO) 사이에 배치된다. 방사선 콜렉터는, 예를 들어 사용시 방사선 소스로부터 방사선을 수용하는 거울 표면을 포함할 수 있다.
개략적으로 도시된 바와 같이, 사용 중에 소스(SO)로부터 방사선 빔(R)이 나올 수 있고 방사선 빔(R)의 경로에 배치되는 오염물 트랩(10, 110)의 방향으로 전파될 수 있다. 방사선은 소스로부터 다양한 방향으로, 예를 들어 분기되는(diverging) 방식으로 전파될 수 있다는 것을 염두해 두어야 한다(도 7 참조). 오염물 트랩(10, 110)은, (도 3-7에 나타낸 바와 같이) 소스(SO)로부터 방사선 콜렉터(CO)를 향하여 방사선 빔(R)의 대부분을 투과시키도록 구성되는, 다수의 실질적으로 평행한 채널들(Ch)을 포함할 수 있다. 또한, 사용 중에, 오염물 입자들(CP)은 소스(SO)로부터 오염물 트랩(10, 110)을 향하여 그리고 상기 오염물 트랩(10, 110) 내로 이동될 수 있다. 이러한 오염물은, 예를 들어 방사선 소스(SO)로부터 나올 수 있는 이온들 및/또는 원자들을 포함할 수 있다. 작동시, 방사선 빔의 일반적인 전파 방향으로의 오염물 트랩(10, 110)에 들어가는 오염물 입자들의 개수와 비교하여, 방사선 빔(R)의 전파 방향으로의 오염물 트랩(10, 110)에는 훨씬 더 적은 오염물 입자들(CP)이 남는다는 것이 판명되었다.
도 2의 실시예에서, 리소그래피 장치에는 오염물 트랩(10, 110)의 채널들 중 1 이상에 적어도 제 1 가스를 직접적으로 주입시키도록 구성되는 가스 공급 시스템 (GS, 12, 13, 112, 113)이 제공된다. 가스 공급 시스템은, 1 이상의 가스 소스(GS), 채널 내에 직접적으로 가스를 주입하기 위한 가스 주입기 또는 매니폴드(12, 112) 및 상기 가스 소스(GS)를 상기 가스 주입기(12, 112)에 커플링하는 1 이상의 가스 공급 라인(13, 113)을 포함할 수 있다. 이러한 가스 공급 라인(13, 113) 및 가스 소스(GS)는 당업자들에게 잘 알려진 다양한 방식으로 구성될 수 있다. 추가 실시형태에서는, 적어도, 가스 주입기(12, 112)에 연결될 수 있거나 연결되어 그에 대해 제 1 가스를 공급하는 제 1 가스 소스(GS)가 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 가스는 아르곤 또는 여타 적합한 가스일 수 있다. 상기 가스 주입기(12, 112)는, 사용시 방사선 소스(SO)로부터 방사선 콜렉터(CO)의 거울면들을 향하여 투과되는 방사선의 투과를 실질적으로 차단하지 않도록 구성되는 것이 바람직하다.
더욱이, 상기 장치는 소스와 오염물 트랩(10, 110) 사이에 추가 가스-유동(CG)을 제공하도록 구성되며, 상기 가스-유동(CG)은 방사선 빔(R)의 전파 방향에 대해 실질적으로 횡방향으로 또는 여타 적합한 방향으로, 소스(SO)를 나오는 방사선을 실질적으로 가로질러 유동할 수 있다. 이러한 추가적인 가스의 유동 또는 반대의 가스 유동은, 상술된 적어도 제 1 가스가 방사선 소스(SO)로 들어가는 것을 방해하거나 방지할 수 있다(도 8 참조). 또한, 이러한 추가적인 가스의 유동(CG)은 방사선 소스로부터 나오는 오염물들을 보다 잘 캡처링 할 수 있다. 예를 들어, 상기 장치는 버트-엔드(butt-end:19)로부터 유동해 나가는 제 1 가스를 캐치하고, 방향전환시키고(divert), 및/또는 감속시키기 위하여 오염물 트랩(10)의 버트-엔드(19) 부근 위치에 적어도 제 2 가스를 주입시키도록 구성되는 1 이상의 가스 공급 기(20)를 포함한다. 이러한 가스 공급기는 도 2 및 7에 점괘선(dashed line)(20)에 의하여 개략적으로 나타나 있다. 이 가스 공급기(20)는 다양한 방식으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 도 8에 나타낸 바와 같이, 이 가스 공급기(20)는 방사선 소스(SO)의 벽 부분 상에 장착되거나 또는 상기 벽 부분의 일부를 형성할 수 있다. 본 발명의 일 실시형태에서, 상기 제 2 가스는 헬륨이다.
또한, 가스의 횡방향 유동이 주입된 가스의 적어도 일부를 포함하도록, 상기 장치에는 방사선 빔의 전파 방향에 대해 반경방향 및 바깥쪽 방향으로 그리고 오염물 트랩의 입구를 따라 가스의 횡방향 유동을 생성시키도록 배치되는 배출 시스템(drain system)이 제공된다. 상기 배출 시스템은 다양한 방식으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 배출 시스템은, 사용시 오염물 트랩(10)의 환경을 펌핑 다운(pump down)하도록 구성될 수 있는 1 이상의 진공 펌프(VP)를 포함할 수 있다. 상기 배출 시스템은 또한 상이한 방식으로 구성될 수 있다.
도 3a, 3b, 4-7은 상술된 리소그래피 장치에 사용될 수 있는 오염물 트랩(10)의 제 1 실시예를 나타낸다. 상기 제 1 오염물 트랩 실시예(10)는 방사선 투과 채널(Ch)을 형성하는 복수의 정적(static) 포일 또는 플레이트(11)를 포함한다. 포일 또는 플레이트(11)는 그들 스스로에 어퍼처들을 포함하지 않는 실질적으로 중실의(solid) 포일 또는 플레이트(11)일 수 있다. 상기 채널(Ch)들은 사용시 상기 방사선 빔의 전파 방향과 실질적으로 평행하게 배치되고, 방사선 빔(R)의 광학 축선(Y)에 대해 실질적으로 반경 방향으로 또는 다른 방향들로 연장될 수 있다. 더욱이, 본 실시예에서, 포일 또는 플레이트(11)들은 방사선 빔(R)의 광학 축선(Y)에 대해 실질적으로 반경방향으로 배향된다. 또한, 예를 들면 각각의 포일 또는 플레이트는 트랩(10)의 반경방향 내측 부분 또는 내측 윤곽(contour)으로부터 반경향향 외측 트랩 부분 또는 외측 윤곽으로 연장될 수 있다.
포일 또는 플레이트(11)들은 채널(Ch)들이 실질적으로 동일한 볼륨을 갖도록 트랩(10)의 중심 축선 주위에 규칙적이고 대칭적으로 분포될 수 있다. 포일 또는 플레이트(11)들은, 예를 들어 외측 포일 커넥터(18a)에 의하여 반경방향 외측에서 서로 연결될 수 있다. 포일 또는 플레이트(11)들은 반경방향 내측 측면에서 서로 직접적으로 연결되거나 또는 예를 들어 내측 포일 커넥터(18b)에 의하여 연결될 수 있다. 상기 포일 커넥터들(18a, 18b)은, 예를 들어 실질적으로 폐쇄되거나 중실의 원통 또는 원뿔대 벽(도 3a 및 3b 참조)과 같이 다양한 방식 또는 상이한 방식으로 구성될 수 있다. 본 실시예에서, 오염물 트랩(10)의 각각의 방사선 투과 채널(Ch)은, 횡방향 단면에서 보았을 때 실질적으로 이웃하는 포일들 또는 플레이트들(11), 및 외측과 내측 포일 커넥터(18a, 18b)에 의하여 둘러싸인다(도 4 참조). 본 발명의 일 실시형태에서, 오염물 트랩(10)은 다수, 예를 들어 대략 100개 이상 또는 대략 180개 이상의 상대적으로 좁거나 슬릿-형태의 채널들을 포함할 수 있다. 이 경우에, 각각의 채널(Ch)들은 사용시 방사선 빔(R)의 광학 축선에 대해 실질적으로 반경방향으로 배향될 수 있다.
오염물 트랩(10)에는, 2 이상의 상이한 위치에서 오염물 트랩의 채널(Ch)들 중 1 이상에 직접적으로 가스를 주입시키도록 구성되는 상술된 가스 주입기(12)가 제공된다. 본 실시예에서, 이 가스 주입기는 2 이상의 상이한 위치에서 오염물 트 랩(10)의 각각의 채널(Ch)에 가스를 직접적으로 주입하도록 구성된다.
도 3a, 3b, 4-7의 실시예에서, 가스 주입기(12)는 본 명세서에서 가스 공급 링(12)이라고도 칭해지는 3개의 실질적으로 동심의(concentric), 이격된 링 형상 (원형) 가스 공급 튜브(12a, 12b, 12c)를 포함한다. 이들 가스 공급 링(12a, 12b, 12c)은 또한 상기 광학 빔 축선(Y)에 대해 실질적으로 동심적이다. 이들 링(12) 각각은 상이한 채널(Ch)들과 연관된 상이한 가스 유출 개구부에 연결된다. 이러한 목표를 위해, 각각의 동심 가스 공급 링(12a, 12b, 12c)에는 복수의 가스 주입 모세관(14a, 14b, 14c) 또는 유사한 얇은 튜브 또는 가스 공급 니들(needle)이 제공된다. 이 모세관들(니들들)은 채널들(Ch)의 결정된 위치로 제어된 가스의 유동을 공급하는데 사용될 수 있다. 가스 주입 모세관들(14a, 14b, 14c) 각각은, 방사선 투과 채널들(Ch) 중 하나 내로 연장되어(도 3b, 5 및 6 참조), 채널들(Ch) 각각에 이들 가스 주입 모세관들(14)(도 6 참조) 중 3개가 제공된다. 모세관(14)들은, 예를 들어 "데드(dead)" 각도로 반경 방향을 따라 위치될 수 있다. 또한, 모세관(14) 각각의 벽은 복수의 이격된 가스 유출 개구부(17)를 포함할 수 있다(도 5-7 참조).
도 5는 다수의 이웃하는 채널들 Ch(1)-Ch(6)의 세부로서, 각각의 외측 모세관(14a)을 정면도로 나타내고 있으며, 도 6은 이들 채널 부분들 중 하나(Ch(6))의 단면도로서, 가스를 채널(Ch(6)) 내로 주입하도록 구성되는 3개의 모세관들(14a, 14b, 14c)의 각 그룹을 나타낸다. 본 발명의 일 실시예에서, 각 모세관(14)의 말단부는 폐쇄될 수 있다(도 6 참조). 도 7에 따르면, 가스 주입기(7)의 모세관들(14)은 방사선 소스(SO)로부터 방사선 콜렉터(CO)의 거울면을 향한 방사선의 투과를 실 질적으로 방해하지 않도록 구성된다.
따라서, 도 3a, 3b, 4-6의 실시예에서, 가스 주입기는 모세관들의 3개의 그룹(14a, 14b, 14c)에 의하여 제공되는 이격된 유출 개구부의 복수의 그룹들을 포함하는데, 이격된 유출 개구부의 각각의 그룹(17a, 17b, 17c)은 상기 채널로 가스를 공급하기 위한 상기 채널들(Ch) 중 하나와 연관되어 있다. 본 실시예에서, 각각의 모세관(14a, 14b, 14c)은 오염물 트랩에서 상이한 반경 방향으로 연장되기 때문에, 이격된 유출 개구부들의 각 그룹의 유출 개구부(17a, 17b, 17c)는 방사선 빔의 광학 축선(Y)에 대해 상이한 반경방향 위치에 배치된다. 더욱이, 이격된 유출 개구부들의 각 그룹의 유출 개구부들은 방사선 빔의 광학 축선(Y)에 대해 상이한 및/또는 실질적으로 동일한 축선 방향 위치에 배치될 수 있다. 또한, 이격된 유출 개구부들의 각 그룹의 유출 개구부들은, 예를 들어 상이한 유출 개구부들을 통해 주입되는 가스의 양을 독립적으로 조절하기 위하여 가스 공급 링들(12a, 12b, 12c)을 통해 상이한 가스 공급 라인(13)들에 연결될 수 있다. 한편, 이격된 유출 개구부들의 3개의 그룹들의 유출 개구부는 동일한 가스 공급 라인(13)에 연결될 수 있다.
모세관(14)들의 유출 개구부(17)들은 다양한 방식으로 구성될 수 있다. 본 발명의 일 실시형태에서는, 트랩(10) 내에 주입되는 가스의 전체적으로 동일한 양으로 채널(Ch)에서 상대적으로 균일한 가스의 유동을 제공하기 위하여, 상대적으로 많은 수의 상대적으로 작은 유출 개구부들이 제공된다. 예를 들어, 유출 개구부(17)들 중 1 이상은 초음파 가스 스트림을 각각의 채널(Ch) 내에 주입하도록 구성되는 초음파 노즐을 포함할 수 있다. 대안적으로, 이러한 초음파 마이크로-노즐은 포일 또는 플레이트(11)들의 에지 상에 직접적으로 배치되거나 상이한 위치에 배치될 수 있다. 또한, 가스 주입기는 오염물 트랩(10)을 통한 방사선 빔의 전파 방향과는 상이한 방향으로 가스를 주입하도록 구성될 수 있다. 본 실시예에서, 가스 주입기는, 모세관(14)들의 가스 유출 개구부(17)들을 통해 채널(Ch) 내에 실질적으로 횡방향으로 가스를 주입하도록 구성된다. 유출 개구부(17)들 각각은, 예를 들어 대략 0.0018 mm ＋/－ 0.002 mm의 최소 직경 또는 다른 직경을 가질 수 있다. 유출 개구부(17)는, 예를 들어 레이저 커팅 또는 상이한 기술을 사용하여 제조될 수 있다. 이들 개구부들의 에지는 버어(burr)가 없는 첨예한(sharp) 에지를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 가스 공급 시스템은 가스 유동 초크 조건들(gas flow choke conditions) 하에서 오염물 트랩의 채널들(Ch) 중 1 이상 내에 가스를 공급하도록 구성될 수 있다. 이 경우에는, 특히 가스가 초크 조건 하에 복수의 유출 개구부(17)를 통해 주입된다면 정상적(steady) 가스 주입이 얻어질 수 있다. 이러한 조건들은, 예를 들어 모세관(14)의 환경 압력이 내측 압력보다 2 배 이상 낮은 경우, 특히 제 1 가스가 아르곤인 경우 달성될 수 있다. 또한, 초킹 효과(choking effect)를 얻기 위해 각각의 유출-개구부(17)를 통한 압력의 전이(pressure transition)가 급변(abrupt)할 수 있다. 예를 들어, 이러한 목표를 위해, 가스 공급 시스템은 복수의 가스 유출 개구부(17)를 포함하는 벽을 갖는 1 이상의 튜브 또는 모세관(14)을 포함할 수 있는데, 튜브 벽을 통해 측정되는 각각의 가스 유출 개구부(17)의 길이(H)는 가스 유출 개구부의 단면 또는 직경(G)보다 크 다. 이것은 도 11과 관련하여 후술될 것이다. 모세관(14) 및 유출 개구부(17)의 크기는, 생성된 가스 주입기가 작동 온도에서 그것의 형태를 유지하기에 충분한 강성을 가지고(rigid), 가스 주입기가 과도압력에 의해 그 내부에 생성되는 인장력을 견딜 수 있도록 설계될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 가스 주입기(12) 및 가스 공급부(GS)는:
사용시,
Figure 112006048623788-PAT00003
를 달성하도록 구성될 수 있으며, 여기서, p(x)는 채널의 위치 x에서의 압력이고, x1은 채널의 방사선용 입구의 위치이며, x2는 채널의 가스 유출 개구부(들)의 위치이다. 도면들에 나타낸 바와 같이, 사용시 오염물 트랩의 각각의 채널(Ch)의 입구는 방사선 소스(SO)를 향해 지향되어 그들로부터 방사선을 수용할 수 있다.
Figure 112006048623788-PAT00004
라면, 오염물 트랩(10)에 의해 양호한 오염물 트래핑이 달성되어, 예를 들어 1 이상의 높은 에너지의(energetic) 원자 데브리 성분들을 트래핑할 수 있다는 것이 판명되었다. 더욱이, 가스는 오염물 트랩(10)의 채널들(Ch) 내부로 주입될 수 있기 때문에, 상술된 수학식이 달성될 수 있으며, 오염물 트랩(10) 외측의 압력이 충분히 낮게 유지될 수 있다.
도 2-8의 실시예는, 기판 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법에서 사용될 수 있으며, 방사선 빔을 생성시키기 위하여 소 스(SO)가 제공되며; 방사선 빔의 경로에는 오염물 트랩(10)이 제공된다. 그 다음, 방사선 빔이 트랩(10)을 통과해 콜렉터(DB)에 이를 수 있도록, 트랩(10)의 포일들 또는 플레이트들은 방사선 빔(Y)의 광학 축선에 대해 실질적으로 반경방향으로 배향된다(도 7 참조). 제 1 가스, 예를 들어 아르곤은 주입 모세관(14)에 의하여, 상이한 위치에서 오염물 트랩(10)의 각각의 채널들(Ch)에 직접적으로 주입된다. 본 실시예에서, 제 1 가스는 방사선 전파 방향과 반드시 일치하지는 않는 주입-방향들로 주입되지만, 상기 방향들은 채널의 효율적인 충전을 제공할 수 있다. 각각의 채널(Ch) 내로 주입되는 제 1 가스의 양은, 방사선 소스(SO)로부터 나오는 데브리를 상대적으로 잘 캡처링할 수 있도록 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상술된 바와 같이, 가스는 채널(Ch)에서 수학식
Figure 112006048623788-PAT00005
(또는 보다 단순한 항 p.d＞1 Pa.m)이 충족되도록 주입될 수 있다. 제 1 가스로서 아르곤이 사용되는 경우, 각각의 포일 트랩 채널 내로 주입되는 아르곤의 양은, 예를 들어 초당 대략 10-6 kg 이상 또는 한편으로는 예를들어 보다 낮은 양, 예컨대 초당 대략 10-6 kg 이하일 수 있다. 오염물 트랩이 많은 수의 슬릿-형 채널들(Ch), 예를 들어 100개 이상의 채널들(Ch)을 포함하는 경우, 주입된 제 1 가스는 상술된 수학식을 상대적으로 잘 달성할 수 있다. 주입된 후에, 상기 제 1 가스는 하나의 단부 또는 두 단부 모두에서 오염물 트랩(10)을 떠날 수 있는며, 오염물 트랩(10) 외부의 압력은 통상적으로 원하는 낮은 값으로 유지될 수 있다.
또한, 도 8에 나타낸 바와 같이, 가스의 횡방향 유동이 주입된 가스의 적어도 일부를 포함하도록, 제 2 가스(CG)의 횡방향 유동은 방사선 빔의 일반적인 전파 방향(Y')에 대해 반경 방향 및 외측 방향으로 그리고 오염물 트랩(10)의 입구를 따라 생성될 수 있다. 본 실시예에서, 제 2 가스는 방사선 빔에 걸쳐, 그리고 방사선 빔의 전파 방향에 대해 실질적으로 횡방향으로 교차 가스 유동을 제공한다. 제 2 가스는 제 1 가스가 방사선 소스(SO)로 들어가는 것을 방지할 수 있다. 제 2 가스는, 예를 들어 헬륨일 수 있다. 헬륨은 제 1 가스가 방사선 소스(SO)로 들어가는 제 1 가스에 대해 방사선 소스(SO)를 상대적으로 잘 보호할 수 있으며, 헬륨은 상기 방사선 소스(SO)의 작동에 그리 많은 영향을 미치지 않고 상대적으로 높은 압력에서 사용될 수 있다는 것이 판명되었다.
도 2-8의 실시예의 사용시, 제 1 가스는 방사선 빔의 광학 축선에서 보았을 때, 3개의 상이한 반경 방향 위치에서 복수의 상대적으로 작은 가스 유출 개구부(17a, 17b, 17c)를 통해 각각의 채널(Ch) 내로 주입될 수 있다. 따라서, 상대적으로 많은 양의 가스가 채널(Ch) 내로 상대적으로 균일하게 주입될 수 있다. 제 1 가스는 초크 조건 하에 채널들 내로 주입된다. 예를 들어, 이러한 목적을 위하여, 각 모세관(14) 내측의 가스의 압력은 유출 개구부(17) 하류의 각 채널(Ch) 내의 가스 압력의 2배 이상일 수 있다.
내부 가스 공급 개구부들(17)을 사용하여 인터-포일 갭 또는 채널(Ch)을 충전시키는 것은, 대부분의 활성적인 데브리 성분, 예를 들어 근본적으로 EUV 수집 광학기의 열화에 기여할 수 있는 데브리의 열중성자화(thermalization) 및 후속하 는 트래핑을 위해 충분한, 포일 트랩 내의 반경방향 거리에 걸친 압력 p(x)dx의 적분값을 얻을 수 있도록 한다. 가스는 오염물 트랩(10) 내로 직접적으로 주입될 수 있기 때문에, 상대적으로 큰 p(x)dx 압력의 적분값이 얻어질 수 있으며, 오염물 트랩(10) 외측의 예측하지 못한 압력의 상승이 방지될 수 있다. 이것은, 예를 들어 아르곤의 최대 압력이 0.5 Pa인 방사선 소스(SO)를 포함하는 EUV 소스 구역에서, 특히 방사선 소스가 Sn 소스인 경우 유리하다. 더욱이, 본 실시예의 이용 동안, 각 채널(Ch) 내의 내부 가스 주입은 좁은 인터-포일 채널들(Ch) 내에 높은 드래그 힘(drag force)을 갖는 가스 유동을 발생시켜, 그 내부에 상대적으로 높은 압력을 제공한다. 채널(ch) 외측에서는, 상기 드래그 힘이 사라져, 가스의 가속 및 압력의 강하를 초래한다.
또한, 내부 주입은 채널 내의 상대적으로 높은 압력의 가스 충전을 제공하는데, 이는 드래그 힘(본질적으로 압력을 증가시킴)으로 인하여 채널로부터의 누출이 늦춰질 수 있다.
채널(Ch)로부터 유동해 나온 가스의 일 부분으로부터의 방사선 소스(SO)의 추가적인 보호는 제 2 가스에 의해 제공되는 상술된 카운터 가스(CG) 유동을 이용하여 수행될 수 있다. 이 카운터 가스 유동은 낮은 정압(static pressure) 및 높은 속도를 가져, 소스(SO)로부터 안전한 거리에서 전체 카운터 압력을 유지할 수 있다. 결과적으로, 제 1 가스의 남아 있는 유출 부분은 드레인 시스템으로 재-지향될 수 있다. 사용시, 오염물 틀배의 길이에 걸쳐 최대 허용가능한 압력의 적분 p(x)dx가 얻어질 수 있으며, 상기 압력의 적분은 오염물 트랩(10)을 통한 방사선 빔의 원 하는 방사선 투과량에 의해 제한되는 것이 바람직하다. 또한, 사용시, 오염물 트랩(10)의 내측 및 외측의 압력 분포의 높은 콘트라스트가 얻어져, 방사선 소스(SO)를 포함하는 소스 구역에서 원하는 낮은 압력을 제공할 수 있다. 더욱이, 가스 유동의 효율적인 사용이 얻어질 수 있다.
도 9a, 9b, 10, 11은, 예를 들어 상술된 리소그래피 방법에서 사용될 수 있는 오염물 트랩(110)의 제 2 실시예를 나타내고 있다. 제 2 실시예(110)는, 가스 주입기가 가스 주입 모세관들을 포함하지 않는다는 점에서 제 1 오염물 트랩 실시예(10)와 상이하다.
제 2 실시예에서, 가스 주입기는 실질적으로 동심의 원형 가스 공급 링(112)을 포함하며, 이들 링(112) 각각은 도 12에 나타낸 바와 같이 복수의 가스 유출 개구부를 포함한다. 가스 공급 링(112)은 1 이상의 가스 공급 라인(113)을 통해 상술된 가스 소스(GS)에 연결된다. 상기 링(112)은 포일 또는 플레이트(111)들을 통해 장착된다. 또한, 동심 가스 공급 링(112) 각각은 포일 또는 플레이트(111)들을 통해 실질적으로 직각으로 연장된다. 이러한 목적을 위해서, 포일 또는 플레이트(111)들에는 그를 통해 가스공급 링(112)들이 연장되는 어퍼처들이 제공된다. 가스 공급 링(112) 각각은 각각의 채널(Ch) 내로 가스를 주입하기 위한 가스 유출 개구부(117)들을 포함한다. 도 11에 나타낸 바와 같이, 각각의 가스 공급 링(112)의 튜브 벽을 통해 횡방향으로 측정되는, 각각의 가스 유출 개구부(117)의 길이(H)는 상기 가스 유출 개구부(117)의 단면 또는 직경(G)보다 크다. 이것은, 상술된 바와 같이 유출 개구부에 걸친 압력 강하에 따라, 사용 중에 초크 조건들을 유도할 수 있 다. 또한, 제 2 트랩 실시예(110)에 있어, 각각의 채널(Ch)에서 이격된 유출 개구부(17)들은 상이한 반경 위치에서 방사선 빔의 광학 축선(Y)에 대해 배치되어 주입된 가스의 상대적으로 균일한 분포를 제공한다.
도 12 및 13은 제 2 오염물 트랩 실시예(110)에서 구현될 수 있는 가스 주입기의 대안실시예의 제 1 부분을 나타내고 있다. 도 12 및 13의 대안실시예에서, 가스 주입기는 4개의 실질적으로 동심인 가스 공급 링 섹션들(112A', 112B', 112C', 112D')의 2개의 세트들을 포함한다. 상기 세트들 중 하나만이 도시되어 있다. 실질적으로 동심인 가스 공급 링 섹션들의 2개의 별도 그룹들은, 도 9b에 도시된 바와 같이 가스 주입기의 공급 링(112)들과 유사한 실질적으로 폐쇄된 링들을 같이 형성하도록 구성되어 있다. 장착 후에, 각각의 동심인 가스 공급 링 섹션들(112A', 112B', 112C', 112D')은 오염물 트랩(110)의 포일 또는 플레이트(111)들을 통해 실질적으로 직각으로 연장된다. 이러한 가스 주입구의 두 세그먼트로의 분할에 의하여, 오염물 트랩에 가스 주입구의 보다 간단하고 똑바른(straight-forward) 장착이 얻어질 수 있다.
대안의 가스 주입기에서, 각각의 가스 공급 링 섹션들(112A', 112B', 112C', 112D')은 상이한 방사선 투과 채널들(Ch)과 연관되는 이격된 가스 유출 개구부들(도시 안됨)을 포함하여, 이들 채널들(Ch)로 가스를 공급한다. 각 섹션 세트의 4개의 가스 공급 링 섹션들(112A', 112B', 112C', 112D')은 실질적으로 반경 방향으로 연장된 연결부들(113)에 의하여 서로 연결된다. 이들 실질적으로 반경 방향으로 연장된 연결부들에는 4개의 상이한 가스 공급 라인들이 제공되어, 상이한 가스 링 섹 션들에 개별적으로 가스를 공급한다. 또한, 연결부들은 동심적 가스 공급 링 섹션들(112A', 112B', 112C', 112D')의 각 그룹의 링 섹션들(112A', 112B', 112C', 112D')을, 그들의 둘레부를 따라 측정하였을 때 대략 그들의 중간에서 서로 연결시킨다(도 13 참조). 이것은 링 섹션들(112A', 112B', 112C', 112D')의 안정적인 장착을 제공한다. 가스 주입기의 본 실시예는, 4 이상의 상이한 위치에서 오염물 트랩(110)의 각각의 채널들(Ch)에 2 이상의 가스들을 직접적으로 주입시키는데 사용될 수 있다. 이격된 유출 개구부들의 각 그룹의 유출 개구부들은 상이한 가스 공급 라인들(113A, 113B, 113C, 113D)에 연결되기 때문에, 적절한 유동 제어기들 및/또는 가스 소스들을 사용하여 상이한 링 섹션들로 공급되는 가스의 양 및/또는 타입들이 독립적으로 조정될 수 있다. 이러한 가스 유동 및/또는 가스 타입의 조절은 오염물 트랩(110)에서의 오염물의 트래핑을 최적화하도록 되어 있으며, 이는 당업자들이라면 명확히 이해할 수 있을 것이다.
도 12 및 13에서, 이격된 유출 개구부들의 각 그룹의 유출 개구부들은, 상이한 반경 방향 위치들에서 방사선 빔의 광학 축선에 대해 배치된다(도 13 참조). 또한, 이격된 유출 개구부들의 각 그룹의 유출 개구부들은 상이한 축선 방향 위치에서 방사선 빔의 광학 축선에 대해 배치된다. 상이한 축선 방향 위치들에서 이격된 유출 개구부들의 배치는 큰 pd 적분값들에 도달할 수 있도록 최적의 주입 포인트가 얻어질 수 있게 한다.
도 14는 오염물 트랩의 일 실시예의 상세도이다. 이 실시예의 전체 구조는 도 3-13의 상술된 실시예들 중 1 이상의 구조와 유사할 수 있다. 도 14의 실시예에 서, 가스 공급 시스템 또는 가스 주입기의 가스 주입 모세관(214)들 중 1 이상은 가스를 선택된 주입 포인트로 공급하기 위하여 트랩의 포일(211)들 중 1 이상 내에서 연장된다. 도 14에는 하나의 모세관(214)을 포함하는 포일(211)들 중 하나의 단지 일부만이 도시되어 있다. 포일(211)의 모세관(214)은 가스를 오염물 트랩의 1 이상의 인접한 채널들에 주입하기 위하여 1 이상의 선택된 주입 포인트들 또는 유출 개구부들까지 연장된다(도 14에는 도시되지 않음). 포일(211)의 모세관(214)은 다양한 방식, 예를 들어 얇은 포일 스트립(290)들에 의해 양 측면 상에서 커버링되는 포일 어퍼처에 의해 제조될 수 있다.
도 15는 오염물 트랩의 일 실시예의 상세도를 나타내고 있다. 이 실시예의 전체 구조는 도 3-14의 상술된 실시예들 중 1 이상의 구조와 유사할 수 있다. 도 15의 실시예에서, 메인 포일(311A)들의 그룹은 채널들을 형성하며, 1 이상의 추가 포일(311B)들은 채널들 중 1 이상에서 메인 포일(311a)들 사이에 설치된다. 도 15의 실시예에서, 각각의 채널에는 하나의 추가적인 반경방향 포일(311B)이 설치되었다. 예를 들어, 추가적인 포일들은 오염물 트랩의 주변 구역에 포함될 수 있다. 추가적 포일(311B)은 소스(SO)로부터 상당한 거리에서 넓게 이루어질 수 있는 메인 포일(311A)들 사이에서 기본적인 인터-포일 공간들을, 가스를 위한 보다 높은 드래그(마찰) 힘을 갖는 2 이상의 좁은 채널들로 나누어 pd-적분의 증가를 가져온다. 추가적인 포일들은 소스(SO)로부터 충분히 멀리 떨어져 있어, 기하학적 투명도의 추가적인 감소가 상대적으로 작다. 단지 예시로서, 상술된 추가적인 포일(311B)의 크기는 메인 포일(311A) 크기의 대략 절반일 수 있다. 또한, 다른 크기들의 추가적 인 포일들이 적용될 수도 있다. 예시로서, 100개 보다 많은 메인 포일(311A)들 및 100개 보다 많은 추가적 포일들(311B)이 적용될 수 있다.
오염물 트랩(10, 110)의 상술된 실시예들에 있어, 진공 환경에서 다수의 분리된 격실(Ch) 내로의 제어된 균일한 가스 유동(예를 들어, 아르곤)이 얻어질 수 있다. 예를 들어, 균일성은 볼륨 당 아르곤 매스에 있어 편차가 대략 10%보다 작도록 이루어진다. 오염물 트랩(10, 110)은, -예를 들어- 소스에 대해 회전되지 않는 정적 트랩으로서 기능할 수 있다. 그것은, 예를 들어 방사선 소스로부터의 Sn 이온들 및 원자들을 "캐치"하도록 기능할 수 있으며, 트랩(10, 110)은 방사선 투과율의 최대치를 제공할 수 있다. 상술된 바와 같이, 방사선의 투과를 억제하지 않기 위하여, 가스 주입기는 콜렉터 셸(collector shell) 및 예를 들어 방사선 콜렉터의 반경방향으로 위치되는 장착 요소들의 시스템의 "섀도우 경로(shadow path)"에 의하여 형성되는 볼륨에서 실질적으로 연장되도록 설계될 수 있다.
오염물 트랩(10, 110)은 다양한 방식으로 제조될 수 있다. 예를 들어, 상술된 가스 주입기의 부분들은 포일 또는 플레이트(11)들의 납땜 또는 용접 후에 납땜 또는 용접될 수 있다. 더욱이, 가스 주입기 및 포일 또는 플레이트(11, 111)들은 동일한 단계에서 납땜 또는 용접될 수 있다.
예를 들어, 용접 또는 납땜은 벽 두께 ＞ 0.1 mm를 갖는 가스 주입기의 미세한 시트 금속 부분들에 대해 사용될 수 있다. 또한, 예를 들어, 가스 공급 링 또는 링 섹션들의 벽 두께가 ＜ 0.1 mm인 경우에 대해 전기주조(electroforming)가 적합할 수 있다. 전기주조를 이용함으로써, 폼의 형성(development)이 자유롭다. 더욱 이, 예를 들어, 상술된 초킹 효과를 실현시키기 위하여 가스 유출 개구부에서 보다 얇은 벽 두께를 얻도록, 그리고 개선된 강성(stiffness)을 위하여 전체 가스 주입기 표면에서 보다 두꺼운 벽 두께를 제공하기 위하여, 가스 주입기에는 벽 두께 등이 국부적으로 변하는 강화 리브(stiffening ribs)가 제공될 수 있다. 또한, 상이한 조립 방법들이 사용될 수 있다.
더욱이, 온도차로 인하여, 정상적인 수행 및 세정 절차가 진행되는 동안, 가스 주입기 또는 매니폴드의 치수설정(demensioning)을 위해 확장 및 수축 효과(expanding and shrinking effects)가 고려될 수 있다. 최적의 방사선 투과를 위해, 콜렉터 셸 위치의 방사선-경로에는 가스 주입 링들 또는 링 섹션들이 설계되어, 그들이 콜렉터 셸 자체보다 실질적으로 더 많은 방사선을 차단하지 않도록 한다. 가스 주입기는, 가스 공급 링(12, 112)을 통해 최소의 압력-강하가 이루어지도록 설계되는 것이 바람직하다. 또한, 가스 주입기 링들 또는 링 섹션들은, 사용시 열 확장 및 수축 효과들이 특정한 공차의 할당범위(tolerance budget)를 소모하지 않도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 작동 중에, 콜렉터 셸 및 가스 주입기 재료들이 그들의 열적으로 확장된 위치들에 도달되는 경우, 그들은 방사선 투과 방향을 따라 보았을 때 서로에 대해 직렬로(inline) 이루어지는 것이 바람직하다.
사용시, 가스 주입기는 상대적으로 높은 온도, 예를 들어 1500K의 평가된 환경 온도에 노출될 수 있다. 따라서, 가스 주입기의 재료는 높은 열 저항을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 일 실시예에서, 가스 주입기 재료는 높은 온도에서 충분한 인장 강도를 가지며, 용접, 납땜 또는 전기주조하기에 적합할 수 있다. 또한, 상기 재료는 특정 배기 할당범위(outgassing budget)를 충족시키는 것이 바람직하다.
도 16-17은 오염물 트랩의 추가 실시예의 포일(또는 플레이트)(411)을 나타내고 있다. 이 경우에, 트랩은 상술된 오염물 트랩과 실질적으로 동일하며, 복수의 포일들 또는 플레이트들(411)을 포함하는 트랩은 방사선 빔의 전파 방향과 실질적으로 평행하게 배치되는 채널들을 형성하는 복수의 포일 또는 플레이트(411)들을 포함한다. 예를 들어, 포일들 또는 플레이트들은 가상의(virtual) 평면을 따라 연장되며, 상기 가상의 평면은 사용시 실질적으로 방사선 소스(SO)의 중심에서 서로 교차한다. 예를 들어, 포일 또는 플레이트(411)들은 방사선 빔의 광학 축선에 대해(또는 트랩의 중심 축선에 대해) 실질적으로 반경 방향으로 또는 다른 방향들로 배향될 수 있다. 예를 들어, 각각의 포일 또는 플레이트는 트랩의 반경 방향 내측 부분 또는 내측 윤곽으로부터 반경방향 외측 트랩 부분 또는 외측 윤곽으로 연장될 수 있다. 예를 들어, 포일 또는 플레이트(411)들은, 채널(Ch)들이 실질적으로 동일한 볼륨을 갖도록 트랩(10)의 중심 축선 주위에서 규칙적이고 대칭적으로 분포될 수 있다. 포일들 또는 플레이트들(411)은, 예를 들어 적합한 외측 포일 커넥터(18a)에 의하여 반경 방향 외측 측면들(471)에서 서로 연결될 수 있다. 포일 또는 플레이트(411)들은 반경 방향 내측 측면들(472)에서 또는 예를 들어 내측 포일 커넥터(18b)에 의하여 서로 직접적으로 연결될 수 있다. 이 경우에, 포일(411)들 사이의 채널들에 가스를 주입시키기 위해 가스 주입 시스템이 제공될 수 있으나, 필수 사항은 아니다.
본 포일(또는 플레이트) 실시예(411)에는, 제 1 외측 섹션(411Q) 및 제 2 내 측 섹션(411R)이 제공된다. 조립 후에, 본 실시예에서는, 제 1 섹션(411Q)이 제 2 섹션(411R)에 대해 반경 방향 외측으로 배치된다. 대안적으로, 포일에는 이러한 섹션들이 보다 많이 제공될 수 있다.
2개의 포일 섹션들(411Q, 411R)은 서로에 대해 약간 상이한 방향으로 연장되며, 사용시 서로에 대해 2개의 섹션들의 특정 피봇 움직임을 허용하는 중간 라인(470), 예를 들어 벤딩 라인 또는 소정의 라인을 따라 서로 인접하다. 예를 들어, 포일(또는 플레이트)(411)의 제 1 및 제 2 섹션은 서로 180°보다 작은 각도(β), 예를 들어 170°이하의 각도(β)를 포함할 수 있다. 도 17에 상기 각도(β)가 나타나 있다. 예를 들어, 섹션(411Q, 411R)은 서로에 대해 10°이상에 걸쳐 베딩되거나 또는 상이한(예를 들어, 보다 작은) 각도에 걸쳐 벤딩될 수 있다. 10°이상(즉, β ≤ 대략 170°)의 벤딩 각도가 양호한 결과들을 제공할 수 있다는 것이 판명되었다.
포일(411)은 간단하게 하나의 피스로 만들어지며, 포일(411)은 원하는 벤딩 라인(470)을 따라 포일을 벤딩함으로써 상이한 반경 방향 섹션들로 나누어지는 것이 바람직하다.
연장부가 점괘선(470')으로 나타나 있는 중간 라인(470)의 가상의 연장부는 방사선 소스(SO)의 중심(소위 "핀치")과 교차한다. 이와 유사하게, 포일(411)의 외측 에지(또는 측면)(471)의 가상의 연장부(도 16에서 점괘선(471')으로 나타남) 또한 방사선 소스(SO)의 중심과 교차한다. 동일한 방식으로, 포일(411)의, 점괘선(472')으로 나타낸 내측 에지(또는 측면)(472)의 가상의 연장부는 방사선 소스(SO) 의 중심과 교차한다. 도 16에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에서는, 중간 벤딩 라인(470), 외측 포일 에지(471) 및 내측 포일 에지(472)의 상술된 연장부들(470', 471', 472')은 동일한 가상의 포인트에서 서로 교차하는 것이 바람직하다.
도 16-17의 실시예의 장점은, 포일(411)의 열적으로(예를 들어, 방사선으로부터의 열로 인해) 유발된 확장이 중간 벤딩 라인(470)에 대한 포일(411)의 벤딩을 유도할 수 있다는 점이다. 예를 들어, 도 17a는 포일(411)의 제 1 위치를 나타내고 있으며, 열적으로 유발된 벤딩은 아직 발생하지 않았다. 도 17b에서, 점괘선(411')은 포일의 확장으로 인한 벤딩 후의 포일의 위치를 개략적으로 나타내고 있다. 이 변형된 상태에서, 포일은 방사선 빔의 전파 방향에 대해 실질적으로 길이방향으로 연장된다(또는: 열적 변형 후에, 포일은 가상의 평면들이 방사선 소스(SO)의 중심에서 교차하는 가상의 평면들을 따라 연장된다).
이러한 방식으로, 예컨대 리소그래피 프로세스가 진행되는 동안의 가열로 인해 포일(411)들이 확장되는 경우에도, 사용시 오염물 트랩을 통한, 원하는 높은 또는 최대의 방사선 투과율이 유지될 수 있다.
도 16-17의 실시예에서는, 가열을 통한 포일(411)의 확장을 보상하기 위하여, 2개의 인접한 포일 섹션들(411Q, 411R)이 제공되도록, 포일(411)을 벤딩, 특히 중간 라인(470)을 따라 포일을 벤딩하는 것이 선택된다. 상술된 바와 같이, 사용시 광의 투과를 억제하지 않기 위하여, 두 포일 섹션 모두는 핀치(광의 근원(origin)), 즉 방사선 소스(SO)의 중심으로부터 나오는 광 레이와 직렬로 유지된다. 이러한 방식으로, 포일(411)의 확장시, 포일 섹션들은 벤딩된 라인(470)을 회 전축으로 하여 가지고 서로에 대해 회전되어 포일(411)의 직렬 상황을 유지할 수 있다. 상술된 바와 같이, 이를 실현시키기 위하여, 포일(411)의 길이방향 에지들(471, 472)은 또한 중심점으로서 소스의 중심(SO)(핀치)를 통해 이어지는 것이 바람직하다. 예를 들어, 본 실시예에서, 포일(411)의 길이방향 에지들(471, 472)은 적절한 포일 커넥터들(18a, 18b)에 피봇가능하게 고정되어, 중간의 벤딩된 라인(470)이 포일(411)의 확장시 핀치를 통해 이어져 유지될 수 있도록 한다. 당업자라면, 이러한 피봇 연결이 다양한 방식으로 얻어질 수 있다는 것을 이해할 것이다.
도 18-21은 또 다른 실시예에 따른 오염물 트랩(510)의 부분을 나타내고 있다. 또한, 이 경우에는 트랩(510)이 상술된 오염물 트랩과 실질적으로 동일할 수 있으며, 예를 들어 상기 트랩은 방사선 빔의 전파 방향과 실질적으로 평행하게 배치되는 채널들을 형성하는 복수의 포일들 또는 플레이트들(511)을 포함한다. 예를 들어, 포일 또는 플레이트(511)들은 가상의 평면들을 따라 연장될 수 있으며, 사용시 상기 가상의 평면들은 방사선 소스(SO)의 중심에서 교차한다. 예를 들어, 포일들 또는 플레이트들(511)은 방사선 빔의 광학 축선에 대해 실질적으로 반경 방향 또는 다른 방향들로 배향될 수 있다. 예를 들어, 채널들을 형성하는 메인 포일(511)들의 그룹이 제공될 수 있으며, 도 15의 실시예에서와 같이 1 이상의 추가적인 포일들이 상기 메인 포일들 사이에 설치될 수 있다. 또한, 예를 들어 메인 포일(511)들은 각각 벤딩가능하거나, 또는 상기 메인 포일(511)들에는 도 16-17의 실시예에서와 같이 2 이상의 섹션들이 제공될 수 있다.
도 18-21의 실시예에서, 오염물 트랩(510)에는 수 개 이상의 위치들에서 오 염물 트랩(510)의 채널들에 가스를 직접적으로 주입시키도록 구성되는 가스 주입기(또는 매니폴드)가 제공된다. 가스 주입기에는, 1 이상의 가스 공급 튜브(512A', 512B', 512C', 512D')가 제공될 수 있으며, 본 실시예에서는 가스 공급 링들 또는 링 섹션들(512)(예를 들어 도 9-13의 실시예 참조)이 포일 또는 플레이트(511)들을 통해 연장된다. 도 18에 나타낸 단면에서는, 4개의 링 섹션들(512A', 512B', 512C, 512D')을 확인할 수 있다. 예를 들어, 각각의 튜브(512)는 방사선 소스(SO)를 향한 방향, 방사선 소스(SO)로부터 먼, 대향된 방향 및/또는 여타 방향으로 트랩 채널에 가스를 주입하도록 구성될 수 있다.
도 18-21의 실시예에서, 오염물 트랩에는, 사용시 실질적으로 방사선 빔의 방사선(R)으로부터 가스 공급 튜브(512)들을 실딩(shield)하도록 구성되는 열 실드(heat shield:580)가 제공된다. 상기 열 실드는 다양한 방식으로 제공될 수 있다.
열 실드들은 포일 또는 플레이트(511)들로부터 연장되는 열 실드 세그먼트(580)로부터 형성되는 것이 유리하다. 본 실시예에서, 이들 열 실드 세그먼트들(580)은 간단하게 포일 또는 플레이트(511)들로부터 나와 벤딩되거나(bend out) 또는 퍼져 나오는(emanate) 섹션들이다. 더욱이, 방사선 빔의 방사선 전파 방향에서 보았을 때 이웃하는 포일 또는 플레이트(511)들의 열 실드 세그먼트(580)들은 서로 오버래핑되는 것이 바람직하다. 이러한 오버랩은 도 21에서 명확히 확인할 수 있다. 또한, 예를 들어 열 실드(580)들은 가스 덕트(512)로부터 이격될 수 있다(도 21 참조).
예를 들어, 포일(또는 플레이트)(511)의 각각의 열 실드 부분은 각각의 포일 (511)에 대해 실질적으로 직각으로 또는 또 다른 방향으로 연장될 수 있다. 도 21에서 알 수 있듯이, 세그먼트(580)들은 각 포일(511)들의 각각의 법선들(normals)(도시 안됨)에 대하여, 예를 들어 (조립 후에) 방사선 소스로부터 먼 방향으로 또는 트랩의 상류 버트-엔드(19)로부터 먼 쪽으로 약간 경사질 수 있다. 열 실드 세그먼트들이 가스 주입 덕트들(512A', 512B', 512C', 512D')을 포함하는 하류의 섀도우 영역들을 제공하도록, 열 실드 세그먼트(580)들은 적어도 조립 후에 방사선 소스(SO)의 중심과 각각의 가스 주입 덕트들(512A', 512B', 512C', 512D') 사이에서 연장되는 것이 바람직하다. 또한, 열 실드 세그먼트(580)들은 포일(511)들의 상술된 열적으로 유발된 확장(및 역으로는 수축)을 허용하는 것이 바람직하다.
도 19 및 20은 본 오염물 트랩의 포일의 실시예를 나타내고 있으며, 상기 포일(511)에는 조립 후에 가스 공급 링(512)들이 연장될 수 있는 어퍼처(570) 또는 슬릿이 제공된다. 어퍼처(570)의 에지를 따라, 다수(본 실시예에서는 4개)의 열 실드 세그먼트(580)들이 제공된다. 세그먼트(580)들은 포일(511)과 일 피스로 만들어지고, 바람직하게는 포일(511)과 동일한 재료로 만들어지는 포일(511)의 통합(integral) 부분들인 것이 바람직하다. 특히, 각각의 포일(511)에는, 제 1 열 실드 세그먼트(580A), 제 2 실드 세그먼트(580B), 제 3 열 실드 세그먼트(580C) 및 제 4 열 실드 세그먼트(580D)가 제공된다. 도 21에 나타낸 바와 같이, 포일(511)들의 제 1 열 실드 세그먼트(580A)들은 조립 후에 이러한 세그먼트들의 어레이를 형성할 수 있으며, 상기 어레이는 실딩될 각각의 가스 주입 덕트(512A')의 전방으로 연장된다. 이와 유사하게, 열 실드 세그먼트들의 어레이는 조립 후에 제 2, 제 3 및 제 4 의 열 실드 세그먼트(580B, 580C, 580D)들에 의하여 형성된다.
예를 들어, (도 16-17에서와 같이) 열 실드 세그먼트들의 각각의 어레이에 있어, 특히 포일(511)들에 상술된 벤딩-라인들이 제공되는 경우에 포일(511)의 열적으로 유발된 확장을 허용하기 위하여 세그먼트(580)들은 서로에 대해 이동가능하다. 예를 들어, 열 실드 세그먼트들의 각각의 어레이에서 세그먼트(580)들은 서로 접촉하지 않고 오버랩되거나, 또는 열적으로 관련된 트랩 변형의 경우에 세그먼트(580)들은 서로에 대해 슬라이딩될 수 있다.
또한, 도 21에서 알 수 있듯이, 포일(511)의 각각의 열 실드 세그먼트(580)는 적합한 거리에 걸친 이웃하는 포일(511)의 상술된 어퍼처를 통해 일 채널(Ch(I))로부터 이웃하는 채널(Ch(II))로 도달되어 상술된 오버랩을 제공한다. 따라서, 각각의 열 실드 세그먼트(580)는 채널(Ch)에 도달되는 자유 단부를 갖는다.
열 실드 세그먼트(580)들은 다양한 형상 및 크기들을 가질 수 있다. 예를 들어, 트랩(510)의 각각의 둘레 방향에서 측정하였을 때, 세그먼트(580)들의 길이는 채널(Ch)들을 브릿지시키기(bridge) 위하여 적어도 채널(Ch)들의 폭보다 클 수 있다. 또한, 본 실시예에서 열 실드 세그먼트(580)들은 실질적으로 직사각형이나, 상이한 형상들 또한 적용될 수 있다.
오염물 트랩 실시예(510)의 사용시, 트랩의 격실 또는 채널들(Ch)에 걸쳐 특정한 균일성을 갖는 가스의 유동이 공급될 수 있다. 열 실드(580)가 적용되지 않는 경우에, 가스 매니폴드(512)는 방사선(R)에 의해 완전하게 노광될 수 있어, 매니폴드 링(512)들의 길이에 걸쳐 온도 구배를 생성시킨다. 이는, 매니폴드 링(512)의 길이에 걸쳐 가스의 밀도 변화를 가져온다. 이는, 트랩 격실에 걸친 질량 유동의 균일성과 관련해 악영향을 미칠 수 있다. 열 실드(580)를 적용함으로써, 균일성과 관련한 이러한 악영향이 방지되거나 또는 적어도 현저하게 감소될 수 있다.
또한, 열 실드(580)들이 가열되고 온도로 인해 확장되고 있는 경우, 그들은 특히 오염물 트랩(510)의 여하한의 기준 부분 상의 기계적 변형을 유발하지 않고 가스 주입 링 부분(512)을 바람직하게 실딩하여 유지시킬 수 있다. 또한, 열 실드(580)들은 가스 공급 튜브들의 낮은 작동 온도들을 유도하여 구조 재료(들)의 선택을 단순화시킨다. 또한, 본 실시예에서, 열 실드 세그먼트들을 포일(511)과 통합함으로써, 포일들의 단순한 디자인 및 제조가 제공된다. 더욱이, 열은 예를 들어 각각의 포일을 통해 단순한 방식으로 열 실드 세그먼트(580)들로부터 오염물 트랩의 적합한 냉각 시스템(도시 안됨)(예를 들어, 시스템은 포일들과 열적으로 커플링되는 냉각수 덕트들을 포함함)으로 제거될 수 있다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서 리소그래피장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 상술된 리소그래피장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 여타의 응용례를 가질 수도 있다는 것을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용되는 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해해야 한다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 또는 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판처리툴과 여타의 기판처리툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 여러 번 처리된 층들을 이미 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
광학 리소그래피의 배경에서 본 발명의 실시예들의 용례와 관련하여 언급하였으나, 본 발명은, 여타 응용례, 예를 들어 임프린트(imprint) 리소그래피에서 사용될 수도 있으며, 여건이 허락한다면, 광학 리소그래피만으로 제한되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성되는 패턴을 형성한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 기판으로 공급되는 레지스트의 층 내로 가압될 수 있으며, 레지스트는 전자기 방사선, 열 압력 또는 그들의 조합을 적용시킴으로써 경화된다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 레지스트로부터 벗어 나오며 레지스트에 패턴을 남긴다.
본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는, (예를 들어, 파장이 대략 365, 355, 248, 193, 157 또는 126㎚인) 자외(UV)선 및 (예를 들어, 파장이 5-20 nm인) 극자외(EUV)선을 포함하는 모든 형태의 전자기방사선뿐만 아니라 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔들을 포괄한다.
본 명세서에서 사용되는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 구성요소들 중 하나 또는 그들의 조합을 지칭할 수도 있다.
본 발명의 특정 실시예들에 대해 상술하였으나, 본 발명은 설명된 것과는 달리 실행될 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 예를 들어, 본 발명은, 상술된 바와 같은 방법을 설명하는 기계-판독가능 명령어들의 1이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램이나, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 내부에 저장되는 데이터 저장매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수도 있다.
본 응용례에서, "포함하는(comprising)"이라는 용어는 다른 요소나 단계들을 배제하는 것이 아니라는 점을 이해해야 한다. 또한, "하나의"("a" 및 "an")라는 용어는 복수를 배제하지 않는다. 청구항 내의 참조부호들은 청구항의 범위를 제한하는 것으로서 구성된 것은 아니다.
상기 설명들은 예시를 위한 것이지 제한의 의도는 없다. 따라서, 당업자라면, 후술되는 청구항의 범위를 벗어나지 않는, 상술된 바와 같은 본 발명의 수정례들이 구성될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 특정의 최적화된 구조를 갖는 추가적인 반경 방향 포일들은 각 오염물 트랩 채널의 메인 포일들 사이에 설치될 수 있다. 예를 들어, 드래그 힘을 증가시키고 보다 큰 p(x)dx 적분값들을 얻을 수 있도록, 이러한 추가적인 반경 방향 포일들은 트랩의 먼 단부의 에지들 부근에 설치될 수 있다.
본 발명에 따르면, 더브리의 트래핑 및/또는 완화를 더욱 개선시키는 한편, 오염물 트랩에 대해 비교적 단순한 디자인을 갖도록 할 수 있다.

Claims (15)

  1. 리소그래피 장치에 있어서,
    방사선 빔을 생성시키기 위한 방사선 소스를 포함하는 방사선 시스템; 및
    상기 방사선 빔의 경로에 배치되고, 상기 방사선 빔의 전파 방향과 실질적으로 평행하게 배치되는 채널(Ch)들을 형성하는 복수의 포일들 또는 플레이트들(11; 111; 211; 311; 411; 511)을 포함하는 오염물 트랩(10; 110; 510)을 포함하며,
    상기 오염물 트랩(10; 110; 510)에는 2 이상의 상이한 위치에서 상기 오염물 트랩의 채널들 중 1 이상에 직접적으로 가스를 주입하도록 구성되는 가스 주입기(12; 112; 512)가 제공되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 주입기는 이격된 유출 개구부들의 복수의 그룹을 포함하고,
    이격된 유출 개구부들의 각각의 그룹은 가스를 상기 채널로 공급하기 위하여 상기 채널들 중 하나와 연관되어 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 가스 주입기는 복수의 실질적으로 동심적인 가스 공급 링들 또는 실질적으로 동심적인 가스 공급 링 섹션들을 포함하고,
    상기 링들 또는 링 섹션들 각각은 상이한 채널들과 연관되는 상이한 가스 유 출 개구부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 가스 공급 링들 또는 링 섹션들은 1 이상의 연결부들에 의해 서로 연결되고, 상기 연결부들에는 상기 가스 공급 링들 또는 링 섹션들로 가스를 공급하기 위한 1 이상의 가스 공급 라인들이 제공되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 가스 공급 시스템은 실질적으로 동심적인 가스 공급 링 섹션들의 2 이상의 개별 그룹들을 포함하고, 상기 그룹들은 함께 실질적으로 폐쇄된 링들을 형성하고, 바람직하게는 실질적으로 동심적인 가스 공급 링 섹션들의 각 그룹의 링 섹션들을 서로 연결시키는 1 이상의 연결부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 주입기는 가스 유동 초크 조건 하에 상기 오염물 트랩의 채널들 중 1 이상에 가스를 공급하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 가스 주입기는 복수의 가스 유출 개구부들을 포함하는 벽을 갖는 1 이 상의 가스 공급 튜브를 포함하고,
    각각의 가스 유출 개구부의 길이는 상기 가스 유출 개구부의 단면 또는 직경보다 큰 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 주입기로 가스를 공급하기 위한 가스 공급부를 더 포함하고, 상기 가스 주입기 및 상기 가스 공급부는:
    사용시,
    Figure 112006048623788-PAT00006
    를 달성하도록 구성되며,
    여기서 p(x)는 채널 내의 위치 x에서의 압력, x1은 상기 채널의 입구의 위치, x2는 상기 채널 내의 가스 유출 개구부(들)의 위치인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 주입기에 연결가능하거나 또는 연결되어 상기 가스 주입기에 적어도 제 1 가스를 공급하는 적어도 제 1 가스 소스를 더 포함하고, 상기 제 1 가스는 아르곤인 것이 바람직하고, 상기 장치는 상기 오염물 트랩의 버트-엔드 부근의 위치에 적어도 제 2 가스를 주입하여 상기 버트-엔드로부터 유동해 나오는 제 1 가스 를 캐치, 방향전환 및/또는 감속시키도록 구성되는 1 이상의 가스 공급기를 더 포함하며, 상기 제 2 가스는 헬륨인 것인 바람직한 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    메인 포일들 또는 플레이트들의 그룹이 상기 채널들을 형성하고,
    1이상의 추가적인 포일들 또는 플레이트들은 상기 채널들 중 1 이상의 상기 메인 포일들 사이에 설치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  11. 리소그래피 장치, 예를 들어 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 장치에 있어서,
    방사선 빔의 생성을 위한 방사선 소스를 포함하는 방사선 시스템; 및
    상기 방사선 빔의 경로에 배치되고, 상기 방사선 빔을 실질적으로 전달하기 위한 채널들을 형성하는 복수의 포일들 또는 플레이트들(411)을 포함하는 오염물 트랩을 포함하며,
    각각의 포일 또는 플레이트(411)에는 적어도 제 1 섹션(411Q) 및 제 2 섹션(411R)이 제공되고, 포일 또는 플레이트(411)의 상기 제 1 및 제 2 섹션(411Q, 411R)은 서로에 대해 상이한 방향들로 연장되고 중간 라인(470)을 따라 서로 인접하며, 상기 중간 라인(470)의 가상의 연장부는 상기 방사선 소스(SO)의 중심과 교차하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    포일 또는 플레이트(411)의 상기 제 1 및 제 2 섹션은 서로 180°보다 작은 각도(β), 예를 들어 대략 170°이하의 각도(β)를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  13. 리소그래피 장치, 예를 들어 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 따른 장치에 있어서,
    방사선 빔의 생성을 위한 방사선 소스를 포함하는 방사선 시스템;
    상기 방사선 빔의 경로에 배치되고, 상기 방사선 빔을 실질적으로 전달하기 위한 채널들을 형성하는 복수의 포일들 또는 플레이트들을 포함하는 오염물 트랩을 포함하며,
    상기 오염물 트랩에는 1 이상의 위치에서 상기 오염물 트랩의 채널들 중 1 이상에 직접적으로 가스를 주입하도록 구성되는 가스 주입기가 제공되고, 상기 가스 주입기에는 1 이상의 가스 공급 튜브(512), 예를 들어 상기 포일 또는 플레이트(511)들을 통해 연장되는 가스 공급 링들 또는 링 섹션들이 제공되고, 상기 오염물 트랩에는 사용시, 실질적으로 상기 방사선 빔으로부터 상기 1 이상의 가스 공급 튜브(512)를 실딩하도록 구성되는 1 이상의 열 실드(580)가 제공되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    각각의 열 실드는 상기 포일 또는 플레이트(511)들로부터 연장되는 열 실드 세그먼트(580), 예를 들어 상기 포일 또는 플레이트(511)들로부터 벤딩되어 나온 세그먼트들로부터 형성되고, 이웃하는 포일들 또는 플레이트들의 바람직한 열 실드 세그먼트들은 상기 방사선 빔의 방사선 전파 방향에서 보았을 때 서로 오버랩되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  15. 패터닝된 방사선 빔을 기판 상에 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법에 있어서,
    제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 장치가 제공되며,
    가스는 2 이상의 상이한 위치에서 상기 오염물 트랩의 채널들 중 1 이상에 직접적으로 주입되는 것이 바람직한 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
KR1020060063617A 2005-07-06 2006-07-06 리소그래피 장치, 오염물 트랩 및 디바이스 제조방법 KR100803741B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/175,036 US7397056B2 (en) 2005-07-06 2005-07-06 Lithographic apparatus, contaminant trap, and device manufacturing method
US11/175,036 2005-07-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070005528A true KR20070005528A (ko) 2007-01-10
KR100803741B1 KR100803741B1 (ko) 2008-02-15

Family

ID=37116128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060063617A KR100803741B1 (ko) 2005-07-06 2006-07-06 리소그래피 장치, 오염물 트랩 및 디바이스 제조방법

Country Status (8)

Country Link
US (2) US7397056B2 (ko)
EP (1) EP1742110B1 (ko)
JP (1) JP4463243B2 (ko)
KR (1) KR100803741B1 (ko)
CN (1) CN1892441B (ko)
DE (1) DE602006002439D1 (ko)
SG (2) SG128670A1 (ko)
TW (1) TWI341443B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100119580A (ko) * 2008-02-28 2010-11-09 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 회전하는 포일 트랩 및 구동 어셈블리를 갖는 파편 경감 장치
KR20160003324A (ko) * 2008-09-11 2016-01-08 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 방사선 소스 및 리소그래피 장치

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1008352C2 (nl) 1998-02-19 1999-08-20 Stichting Tech Wetenschapp Inrichting, geschikt voor extreem ultraviolet lithografie, omvattende een stralingsbron en een verwerkingsorgaan voor het verwerken van de van de stralingsbron afkomstige straling, alsmede een filter voor het onderdrukken van ongewenste atomaire en microscopische deeltjes welke door een stralingsbron zijn uitgezonden.
CN100476585C (zh) * 2002-12-23 2009-04-08 Asml荷兰有限公司 具有可扩展薄片的杂质屏蔽
US7446329B2 (en) * 2003-08-07 2008-11-04 Intel Corporation Erosion resistance of EUV source electrodes
SG123770A1 (en) * 2004-12-28 2006-07-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, radiation system and filt er system
SG123767A1 (en) * 2004-12-28 2006-07-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, illumination system and filter system
JP4366358B2 (ja) * 2004-12-29 2009-11-18 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置、照明システム、フィルタ・システム、およびそのようなフィルタ・システムのサポートを冷却するための方法
US7397056B2 (en) * 2005-07-06 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, contaminant trap, and device manufacturing method
US7453077B2 (en) * 2005-11-05 2008-11-18 Cymer, Inc. EUV light source
US7332731B2 (en) * 2005-12-06 2008-02-19 Asml Netherlands, B.V. Radiation system and lithographic apparatus
US7465943B2 (en) * 2005-12-08 2008-12-16 Asml Netherlands B.V. Controlling the flow through the collector during cleaning
US7468521B2 (en) * 2005-12-28 2008-12-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7453071B2 (en) * 2006-03-29 2008-11-18 Asml Netherlands B.V. Contamination barrier and lithographic apparatus comprising same
US7368733B2 (en) * 2006-03-30 2008-05-06 Asml Netherlands B.V. Contamination barrier and lithographic apparatus comprising same
US7442948B2 (en) * 2006-05-15 2008-10-28 Asml Netherlands B.V. Contamination barrier and lithographic apparatus
US7696492B2 (en) 2006-12-13 2010-04-13 Asml Netherlands B.V. Radiation system and lithographic apparatus
JP5103976B2 (ja) 2007-03-23 2012-12-19 ウシオ電機株式会社 ホイルトラップ及びこのホイルトラップを用いた極端紫外光光源装置
US7839482B2 (en) * 2007-05-21 2010-11-23 Asml Netherlands B.V. Assembly comprising a radiation source, a reflector and a contaminant barrier
US8227771B2 (en) * 2007-07-23 2012-07-24 Asml Netherlands B.V. Debris prevention system and lithographic apparatus
JP2009199058A (ja) * 2007-11-05 2009-09-03 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 液浸リソグラフィーのための組成物および方法
WO2009144609A1 (en) * 2008-05-28 2009-12-03 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Debris mitigation device
JP5732392B2 (ja) * 2008-08-14 2015-06-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 放射源およびリソグラフィ装置
KR101819053B1 (ko) * 2010-04-22 2018-01-16 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 극자외 방사선을 생성하는 컬렉터 거울 조립체 및 방법
CN107402417B (zh) 2010-06-25 2020-08-04 Asml荷兰有限公司 多层反射镜
US9268031B2 (en) * 2012-04-09 2016-02-23 Kla-Tencor Corporation Advanced debris mitigation of EUV light source
US9753383B2 (en) * 2012-06-22 2017-09-05 Asml Netherlands B.V. Radiation source and lithographic apparatus
EP2866753A1 (en) 2012-06-29 2015-05-06 The Procter & Gamble Company System and method for high-speed continuous application of a strip material to a moving sheet-like substrate material
KR20140036538A (ko) * 2012-09-17 2014-03-26 삼성전자주식회사 극자외선 생성 장치, 이를 포함하는 노광 장치 및 이러한 노광 장치를 사용해서 제조된 전자 디바이스
CN103237401A (zh) * 2013-04-01 2013-08-07 哈尔滨工业大学 一种去除毛细管放电极紫外光刻光源中碎屑的除屑系统
KR102115543B1 (ko) * 2013-04-26 2020-05-26 삼성전자주식회사 극자외선 광원 장치
KR102094800B1 (ko) * 2013-07-25 2020-03-31 삼성디스플레이 주식회사 오염 물질 측정 기판, 이를 이용한 기판 제조 장치 및 제조 방법
NL2014159A (en) 2014-02-20 2015-08-25 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
US9609731B2 (en) 2014-07-07 2017-03-28 Media Lario Srl Systems and methods for synchronous operation of debris-mitigation devices
WO2019043773A1 (ja) * 2017-08-29 2019-03-07 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
US11307119B2 (en) * 2019-04-23 2022-04-19 Pall Corporation Aircraft air contaminant collector device and method of use

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4408338A (en) * 1981-12-31 1983-10-04 International Business Machines Corporation Pulsed electromagnetic radiation source having a barrier for discharged debris
US4837794A (en) * 1984-10-12 1989-06-06 Maxwell Laboratories Inc. Filter apparatus for use with an x-ray source
JPH07120267B2 (ja) * 1987-03-04 1995-12-20 日本電信電話株式会社 カウンタ回路
JPH09320792A (ja) 1996-05-27 1997-12-12 Nikon Corp Ｘ線発生装置
US6566668B2 (en) * 1997-05-12 2003-05-20 Cymer, Inc. Plasma focus light source with tandem ellipsoidal mirror units
US6566667B1 (en) 1997-05-12 2003-05-20 Cymer, Inc. Plasma focus light source with improved pulse power system
NL1008352C2 (nl) 1998-02-19 1999-08-20 Stichting Tech Wetenschapp Inrichting, geschikt voor extreem ultraviolet lithografie, omvattende een stralingsbron en een verwerkingsorgaan voor het verwerken van de van de stralingsbron afkomstige straling, alsmede een filter voor het onderdrukken van ongewenste atomaire en microscopische deeltjes welke door een stralingsbron zijn uitgezonden.
US6459472B1 (en) * 1998-05-15 2002-10-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic device
JP2000098098A (ja) 1998-09-21 2000-04-07 Nikon Corp Ｘ線発生装置
JP4329177B2 (ja) 1999-08-18 2009-09-09 株式会社ニコン Ｘ線発生装置及びこれを備えた投影露光装置及び露光方法
US7180081B2 (en) * 2000-06-09 2007-02-20 Cymer, Inc. Discharge produced plasma EUV light source
JP4800472B2 (ja) 2000-11-06 2011-10-26 Ｎｓｋワーナー株式会社 発進クラッチ及び発進クラッチの制御方法
JP2004519868A (ja) * 2001-04-17 2004-07-02 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ Ｅｕｖに透明な境界構造
JP2003022950A (ja) 2001-07-05 2003-01-24 Canon Inc Ｘ線光源用デブリ除去装置及び、デブリ除去装置を用いた露光装置
WO2003034153A2 (en) * 2001-10-12 2003-04-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10215469B4 (de) * 2002-04-05 2005-03-17 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung zur Unterdrückung von Teilchenemission bei einer Strahlungserzeugung auf Basis eines heißen Plasmas
EP1389747B1 (en) 2002-08-15 2008-10-15 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and reflector asembly for use in said apparatus
US6838684B2 (en) * 2002-08-23 2005-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and particle barrier for use therein
JP4235480B2 (ja) * 2002-09-03 2009-03-11 キヤノン株式会社 差動排気システム及び露光装置
CN100476585C (zh) * 2002-12-23 2009-04-08 Asml荷兰有限公司 具有可扩展薄片的杂质屏蔽
US7217941B2 (en) * 2003-04-08 2007-05-15 Cymer, Inc. Systems and methods for deflecting plasma-generated ions to prevent the ions from reaching an internal component of an EUV light source
TWI237733B (en) * 2003-06-27 2005-08-11 Asml Netherlands Bv Laser produced plasma radiation system with foil trap
TWI282488B (en) * 2003-11-11 2007-06-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus with contamination suppression, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7307263B2 (en) * 2004-07-14 2007-12-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, radiation system, contaminant trap, device manufacturing method, and method for trapping contaminants in a contaminant trap
KR100576512B1 (ko) * 2004-07-15 2006-05-03 동부일렉트로닉스 주식회사 오염 방지 노광장치
US7145132B2 (en) * 2004-12-27 2006-12-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, illumination system and debris trapping system
SG123767A1 (en) * 2004-12-28 2006-07-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, illumination system and filter system
SG123770A1 (en) * 2004-12-28 2006-07-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, radiation system and filt er system
US7414251B2 (en) * 2004-12-28 2008-08-19 Asml Netherlands B.V. Method for providing an operable filter system for filtering particles out of a beam of radiation, filter system, apparatus and lithographic apparatus comprising the filter system
JP4366358B2 (ja) * 2004-12-29 2009-11-18 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置、照明システム、フィルタ・システム、およびそのようなフィルタ・システムのサポートを冷却するための方法
US7106832B2 (en) * 2005-01-10 2006-09-12 Asml Netherlands B.V. Apparatus including a radiation source, a filter system for filtering particles out of radiation emitted by the source, and a processing system for processing the radiation, a lithographic apparatus including such an apparatus, and a method of filtering particles out of radiation emitting and propagating from a radiation source
US7233010B2 (en) * 2005-05-20 2007-06-19 Asml Netherlands B.V. Radiation system and lithographic apparatus
EP1938120B1 (en) 2005-06-13 2015-09-23 Nokia Technologies Oy Supporting an assisted satellite based positioning
US8873021B2 (en) 2005-06-14 2014-10-28 Koninklijke Philips N.V. Debris mitigation system with improved gas distribution
US7397056B2 (en) * 2005-07-06 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, contaminant trap, and device manufacturing method
US7453071B2 (en) * 2006-03-29 2008-11-18 Asml Netherlands B.V. Contamination barrier and lithographic apparatus comprising same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100119580A (ko) * 2008-02-28 2010-11-09 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 회전하는 포일 트랩 및 구동 어셈블리를 갖는 파편 경감 장치
KR20160003324A (ko) * 2008-09-11 2016-01-08 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 방사선 소스 및 리소그래피 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20070023706A1 (en) 2007-02-01
JP2007019510A (ja) 2007-01-25
TWI341443B (en) 2011-05-01
JP4463243B2 (ja) 2010-05-19
US7612353B2 (en) 2009-11-03
SG128670A1 (en) 2007-01-30
CN1892441A (zh) 2007-01-10
EP1742110A2 (en) 2007-01-10
DE602006002439D1 (de) 2008-10-09
SG149006A1 (en) 2009-01-29
US20070018118A1 (en) 2007-01-25
CN1892441B (zh) 2011-04-06
EP1742110B1 (en) 2008-08-27
KR100803741B1 (ko) 2008-02-15
EP1742110A3 (en) 2007-05-23
US7397056B2 (en) 2008-07-08
TW200712787A (en) 2007-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100803741B1 (ko) 리소그래피 장치, 오염물 트랩 및 디바이스 제조방법
CN102859442B (zh) 收集器反射镜组件以及用于产生极紫外辐射的方法
US7030958B2 (en) Optical attenuator device, radiation system and lithographic apparatus therewith and device manufacturing method
CN102119365B (zh) 辐射源、光刻设备和器件制造方法
KR101495208B1 (ko) 극자외 방사선을 생성하는 방법 및 모듈
EP1674932B1 (en) Lithographic apparatus, illumination system and debris trapping system
KR100674698B1 (ko) 리소그래피 장치, 방사선 시스템 및 필터 시스템
US8269179B2 (en) Illumination system and filter system
US8749756B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100768946B1 (ko) 가스 플러싱 디바이스를 구비한 리소그래피 장치
JP2009105442A (ja) リソグラフィ機器、放射システム、汚染物質トラップ、デバイスの製造方法、及び汚染物質トラップ内で汚染物質を捕らえる方法
CN102736442B (zh) 光刻设备和方法
KR20150058455A (ko) 리소그래피 방법 및 장치
JP2016515755A (ja) ソースコレクタ装置、リソグラフィ装置及び方法
JP5531053B2 (ja) 放射源、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
KR20120040667A (ko) 가스 매니폴드, 리소그래피 장치용 모듈, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
TW202142971A (zh) 收集器流動環

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130131

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140124

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee