JP4463243B2 - リソグラフィ装置、汚染物質トラップ、およびデバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明はリソグラフィ装置、汚染物質トラップ、デバイス製造方法、およびそれによって製造されたデバイスに関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板の目標部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用可能である。その場合、代替的にマスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスは、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンの生成に使用することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェハ）上の目標部分（例えば１つあるいはそれ以上のダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射線感光材料（レジスト）の層への描像を介する。一般的に、１枚の基板は、順次照射される近接目標部分のネットワークを含んでいる。既知のリソグラフィ装置は、パターン全体を目標部分に１回露光することによって各目標部分が照射される、いわゆるステッパと、所定の方向（「走査」方向）にパターンを投影ビームで走査し、これと同時に基板をこの方向と平行に、あるいは反平行に走査することにより、各目標部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板に刻印することによって、パターニングデバイスからのパターンを基板へと転写することも可能である。

参照により本明細書に組み込まれる国際特許第ＷＯ９９／４２９０４号は、光源のごみを捕捉するためにフィルタと呼ばれる汚染物質トラップを開示している。既知の前記汚染物質トラップは複数の箔または板を有し、これは平坦または円錐形でよく、放射線ソースから半径方向に配置構成される。ソース、フィルタおよび投影システムは、０．５トルの圧力である例えばクリプトンなどのバッファガス中に配置構成してよい。これで、汚染物質粒子はバッファガスの温度、例えば室温になり、それによってフィルタに入る前に粒子の速度を十分に減少させる。知られている汚染物質トラップの圧力は、環境のそれと等しい。このトラップは、ソースから２ｃｍ離れていて、その板は、放射線の伝播方向に少なくとも１ｃｍ、好ましくは７ｃｍの長さを有する。この設計は、ソース放射線を束にして、成形し、それをマスクへと案内するために比較的大きく、したがって費用がかかる収集および案内／成形光学系を必要とする。

欧州特許出願第１２０３８９９．８号は、プラズマソース、またはＥＵＶ放射線に曝露したレジストによって放出されるようなくずを捕捉するために、さらに改良されたデバイスを説明している。この文書は、放射線ビームの伝播の方向に平行に配置構成された第一セットの板部材、および伝播の方向に平行に配置構成された第二セットの板部材を有する汚染物質トラップについて説明している。第一および第二セットは、放射線ビームの光軸に沿って別のセットから隔置される。洗浄ガスをその空間に供給して、汚染物質粒子を捕捉する高いガス圧を提供する。２セットの板部材は、ガスの漏れを最小限に抑え、トラップの外側のガス圧を低く維持するように設計される。しかし、それでもある量のＥＵＶが、比較的高い圧力のこのガスによって吸収されてしまう。

汚染物質トラップ用に比較的単純な設計を有しながら、くずの捕捉および／または軽減をさらに改善することが、本発明の態様である。

本発明の態様によると、リソグラフィ装置が提供され、これは放射線ビームを生成する放射線ソースを含む放射線システム、および放射線ビームの経路に配置構成された汚染物質トラップを有し、汚染物質トラップは、前記放射線ビームの伝播の方向にほぼ平行に配置構成された路を画定する複数の箔または板を有し、汚染物質トラップには、少なくとも２つの異なる位置で汚染物質トラップの路の少なくとも１つにガスを直接噴射するように構成された噴射器を設ける。例えば、１つの実施形態では箔または板を、放射線ビームの光軸に対してほぼ放射状に配向することができる。例えば、ガスは、少なくとも２つ、少なくとも３つ、４つ、またはさらに多くの異なる位置で路に噴射することができる。

ある実施形態では、リソグラフィ装置を提供することができ、これは、放射線ビームを生成するソースを含む放射線システム、および放射線ビームの経路に配置構成された汚染物質トラップを有し、汚染物質トラップは、前記放射線ビームの伝播の方向にほぼ平行に配置構成された路を画定する複数の箔または板を有し、汚染物質トラップには、汚染物質トラップの路のそれぞれにガスを直接噴射するように構成されたガス供給システムを設ける。これで、ガス供給システムは、各路で

を達成するように構成することができ、ここでｐ（ｘ）は路の位置ｘにおけるＰａ単位の圧力であり、ｘ１は路の入口のｍ単位の位置であり、ｘ２は路のガス流出開口のｍ単位の位置である。

また、ある実施形態では使用中に放射線ビームの経路に配置構成するように構成された汚染物質トラップが提供され、汚染物質トラップは、使用中に放射線ビームをほぼ透過する放射線透過路を画定する複数の箔または板を有し、汚染物質トラップには、少なくとも２つの異なる位置で汚染物質トラップの路の少なくとも１つにガスを直接噴射するように配置構成されるガス供給システムを提供する。例えば、使用中に放射線ビームの路に配置構成するように構成された汚染物質トラップを提供することができ、トラップは、使用中に放射線をほぼ透過する放射線透過路を画定する複数の箔または板を有し、汚染物質トラップには、少なくとも２つの異なる位置で汚染物質トラップの路の少なくとも１つのガスを直接噴射するように配置構成されるガス供給システムを設け、ガス供給システムは、各路で、

を達成するように構成され、ここでｐ（ｘ）は路の位置ｘにおける圧力であり、ｘ１は路の入口の位置であり、ｘ２は路のガス流出開口の位置である。

また、ある実施形態によるとリソグラフィ装置を提供することができ、これは放射線ビームを生成する放射線ソースを含む放射線システム、および放射線ビームの経路に配置構成された汚染物質トラップを有し、汚染物質トラップは、前記放射線ビームをほぼ透過するために路を画定する複数の箔または板を有し、各箔または板には少なくとも第一区間および第二区間を設け、箔または板の第一および第二区間は、相互に対して異なる方向に延在し、中間線に沿って相互に隣接し、中間線の仮想延長部が放射線ソースの中心で交差する。

例えば、箔または板の第一および第二区間は、相互に対して１８０°未満の角度、例えば約１７０°以内の角度を含むことができる。

また、ある実施形態ではリソグラフィ装置が提供され、これは放射線ビームを生成する放射線ソースを含む放射線システム、および放射線ビームの経路に配置構成された汚染物質トラップを有し、汚染物質トラップは、前記放射線ビームをほぼ透過するために路を画定する複数の箔または板を有し、汚染物質トラップには、１つまたは複数の位置で汚染物質トラップの少なくとも１つの路にガスを直接噴射するように構成されたガス噴射器を設け、ガス噴射器には、箔または板を通って延在する１つまたは複数のガス供給管、例えばガス供給リングまたはリング区間を設け、汚染物質トラップには、使用中に１つまたは複数のガス供給管を放射線ビームからほぼ遮蔽するように構成された１つまたは複数の熱シールドを設ける。一例として単純な実施形態では、各熱シールドは、箔または板から延在する熱シールドセグメント、例えば箔または板から外側に曲がるセグメントから形成することができ、隣接する箔または板の熱シールドセグメントは、放射線ビームの放射線伝播方向で見ると相互に重なることが好ましい。

また、請求項１５の特徴によるデバイス製造方法が提供される。例えば、パターン形成した放射線のビームを基板上に投影することを含む方法を提供することができ、ソースは、放射線ビームを生成するために提供され、汚染物質トラップは放射線ビームの経路に設けられ、汚染物質トラップは、前記放射線ビームをほぼ透過する放射線透過路を画定する複数の箔または板を有し、ガスは、少なくとも２つの異なる位置で汚染物質トラップの路の少なくとも１つの直接噴射することができる。

さらに、本発明により上述した方法によって、または上述した装置によって製造されるデバイスが提供される。

次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照に、例示の方法においてのみ説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示すものとする。

図１は、本発明の１つの実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、放射線ビームＢ（例えばＵＶ放射線または他の放射線）を調整するように構成された照明システム（照明装置）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、かつ、特定のパラメータに従って正確にパターニングデバイスの位置決めを行うように構成された第一位置決め装置ＰＭに連結を行った支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジスト塗布したウェハ）Ｗを支持するように構築され、かつ、特定のパラメータに従って正確に基板の位置決めを行うように構成された第二位置決め装置ＰＷに連結を行った基板テーブル（例えばウェハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射線ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つあるいはそれ以上のダイから成る）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折性投影レンズシステム）ＰＳとを含む。

照明システムは、放射線の誘導、成形、あるいは制御を行うために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気、または他のタイプの光学構成要素、またはその組み合わせなどの様々なタイプの光学構成要素を含むことができる。

支持構造は、パターニングデバイスを支持、つまりその重量を担持する。これは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、および他の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気、または他の締め付け技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレームもしくはテーブルでよく、これは必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となる。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して所望の位置にあることを保証することができる。本明細書において使用する「レチクル」または「マスク」なる用語は、より一般的な「パターニングデバイス」なる用語と同義と見なすことができる。

本明細書において使用する「パターニングデバイス」なる用語は、基板の目標部分にパターンを生成するように、放射線ビームの断面にパターンを与えるために使用し得るデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射線ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが移相形体またはいわゆるアシスト形体を含む場合、基板の目標部分における所望のパターンに正確に対応しないことがあることに留意されたい。一般的に、放射線ビームに与えられるパターンは、集積回路などの目標部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。

パターニングデバイスは透過性または反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、様々なハイブリッドマスクタイプのみならず、バイナリマスク、レベンソンマスク、減衰位相シフトマスクといったようなマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例は小さなミラーのマトリクス配列を用いる。そのミラーの各々は、異なる方向に入射の放射線ビームを反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射線ビームにパターンを与える。

本明細書において使用する「投影システム」なる用語は、例えば使用する露光放射線、または浸漬流体の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システムおよび静電気光学システムを含むさまざまなタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」なる用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」なる用語と同義と見なされる。

ここで示しているように、本装置は反射タイプである（例えば反射マスクを使用する）。あるいは、装置は透過タイプでもよい（例えば透過マスクを使用する）。

リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）あるいはそれ以上の基板テーブル（および／または２つもしくはそれ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものであっても良い。このような「多段」機械においては、追加のテーブルが並列して使用される。もしくは、１つ以上の他のテーブルが露光に使用されている間に予備工程が１つ以上のテーブルにて実行される。

リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するよう、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆うタイプでもよい。浸漬液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用してもよい。浸漬技術は、投影システムの開口数を増加させるために使用可能である。本明細書で使用する「浸漬」なる用語は、基板などの構造を液体に浸さなければいけないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体を配置するというだけの意味である。

図１を参照すると、照明装置ＩＬは放射線ソースＳＯから放射線ビームを受け取る。ソースとリソグラフィ装置とは、例えばソースがエキシマレーザである場合に、別個の存在でよい。このような場合、ソースはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射線ビームは、例えば適切な集光ミラーおよび／またはビーム拡大器などを含むビーム送出システムＢＤの助けにより、ソースＳＯから照明装置ＩＬへと渡される。他の場合、例えばソースが水銀ランプの場合は、ソースが装置の一体部品でもよい。また、汚染物質トラップ１０、１１０、５１０は、例えばソースＳＯ、特にＥＵＶ放射線を生成する放射線ソースから発する汚染物質を捕捉するために、ソースＳＯに対して下流に設けることができる。ソースＳＯおよび照明装置ＩＬは、必要に応じてビーム送出システムＢＤおよび／または汚染物質トラップ１０、１１０、５１０とともに放射線システムと呼ぶことができる。

照明装置ＩＬは、放射線ビームの角度強度分布を調節するように構成された調節装置ＡＤを含んでよい。一般的に、照明装置の瞳面における強度分布の外部および／あるいは内部放射範囲（一般的にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、照明装置ＩＬは、積分器ＩＮおよびコンデンサＣＯのような他の様々な構成要素を含む。照明装置は、その断面に亘り所望する均一性と強度分布とを有するように、放射線ビームの調整に使用することができる。

放射線ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。放射線ビームＢはマスクＭＡを通り抜けて、基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＳを通過する。第二位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量性センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴは、例えば放射線ビームＢの経路における異なる目標部分Ｃに位置を合わせるために正確に運動可能である。同様に、第一位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、あるいは走査運動の間に、放射線ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、マスクテーブルＭＴの運動は、第一位置決め装置ＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）にて行われる。同様に、基板テーブルＷＴの運動は、第二位置決め装置ＰＷの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴはショートストロークアクチュエータに連結されるだけであるか、あるいは固定される。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアラインメントマークＭ１、Ｍ２および基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用の目標位置を占有するが、目標部分の間の空間に配置してもよい（スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる）。同様に、マスクＭＡに複数のダイを設ける状況では、マスクアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。

ここに表した装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
１．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に保たれている。そして、放射線ビームに与えたパターン全体が１回で目標部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に基板テーブルＷＴがＸ方向および／あるいはＹ方向にシフトされ、異なる目標部分Ｃが照射され得る。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の静止露光で描像される目標部分Ｃのサイズを制限する。
２．走査モードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期走査する一方、放射線ビームに与えられたパターンを目標部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＬの拡大（縮小）および像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の動的露光で目標部分の（非走査方向における）幅を制限し、走査動作の長さが目標部分の（走査方向における）高さを決定する。
３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴが基本的に静止状態に維持されて、プログラマブルパターニングデバイスを保持し、放射線ビームに与えられたパターンを目標部分Ｃに投影する間に、基板テーブルＷＴが動作するか、走査される。このモードでは、一般的にパルス状放射線ソースを使用して、基板テーブルＷＴを動作させるごとに、または走査中に連続する放射線パルス間に、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクなしリソグラフィに容易に適用することができる。

上述した使用モードの組合せおよび／または変形、または全く異なる使用モードも使用することができる。

図２は、図１によるリソグラフィ装置の一部を示したものである。図２は特に、放射線ソースＳＯ、汚染物質トラップ１０、１１０および放射線集光器ＣＯの配置構成を示す。汚染物質トラップ１０、１１０は、前記放射線ソースＳＯと放射線集光器ＣＯの間に配置される。放射線集光器は、例えば使用中に放射線ソースから放射線を受けるミラー表面などを含むことができる。

概略的に示すように、使用中に放射線ビームＲはソースＳＯから発して、その放射線ビームＲの経路に配置構成された汚染物質トラップ１０、１１０の方向に伝播することができる。放射線はソースから様々な方向に、例えば発散状態などで伝播できることに留意されたい（図７参照）。汚染物質トラップ１０、１１０は、ソースＳＯから放射線集光器ＣＯに向かう放射線ビームＲの大部分を透過するように構成された多数のほぼ平行な路Ｃｈ（例えば図３から図７で図示の通り）を含むことができる。これも使用中に、汚染物質粒子ＣＰは、ソースＳＯから汚染物質トラップ１０、１１０へ、およびその中へと移動することができる。このような汚染物質は、例えば放射線ソースＳＯから発し得るイオンおよび／または原子を含むことができる。動作中に、放射線ビームの一般的な伝播方向で汚染物質トラップ１０、１１０に入る汚染物質粒子の数と比較して、放射線ビームＲの伝播方向で汚染物質トラップ１０、１１０から出る汚染物質粒子ＣＰははるかに少ないことが判明している。

図２の実施形態では、リソグラフィ装置に、少なくとも第一ガスを汚染物質トラップ１０、１１０の路の少なくとも１つに直接噴射するように配置構成されるガス供給システムＧＳ、１２、１３、１１２、１１３を設ける。ガス供給システムは、１つまたは複数のガスソースＧＳ、ガスを路に直接噴射するガス噴射器またはマニホルド１２、１１２（以下参照）、およびガスソースＧＳをガス噴射器１２、１１２に結合する１つまたは複数のガス供給ライン１３、１１３を含むことができる。このようなガス供給ライン１３、１１３およびガスソースＧＳは、当業者には明白であるように様々な方向で構築することができる。さらなる態様では、少なくとも第一ガスソースＧＳを提供することができ、これは少なくとも第一ガスをガス噴射器１２、１１２に供給するために、これと接続可能であるか、接続される。例えば、第一ガスはアルゴン、または他の適切なガスでよい。ガス噴射器１２、１１２は、使用中に放射線ソースＳＯから放射線集光器ＣＯのミラー表面に向かって透過する放射線の透過をほぼ遮蔽しないように構成することが好ましい。

また、装置は、ソースと汚染物質トラップ１０、１１０の間にさらなるガス流ＣＧを提供するように構成することができ、ガス流ＣＧは、ソースＳＯを出る放射線をほぼ横切って、放射線ビームＲの伝播の方向に対してほぼ横方向に、または他の適切な方向に流れることができる。このようなさらなるガス流、またはカウンタガス流は、上述した少なくとも第一のガスが放射線ソースＳＯに入るのを打ち消すか、防止することができる（図８参照）。また、このようなさらなるガス流ＣＧは、放射線ソースから発する汚染物質をさらに捕捉することができる。例えば、装置は、元口１９から流出する第一ガスを捕捉、分流および／または減速するために、少なくとも第二ガスを汚染物質トラップ１０の元口１９付近の位置に噴射するように構成された少なくとも１つのガス供給装置２０を含むことができる。このようなガス供給装置が、図２および図７の点線２０で概略的に図示されている。このガス供給装置２０は様々な方法で構成することができる。例えば図８で示すように、このガス供給装置２０は、放射線ソースの壁部分に装着するか、その一部を形成することができる。本発明のある態様では、第二ガスはヘリウムである。

また、装置にはガスの横断流が噴射されたガスの少なくとも一部を有するように、放射線ビームの伝播方向に対して半径方向外向きに、および汚染物質トラップの入口に沿ってガスの横断流を生成するように配置構成された排出システムを設けることができる。排出システムは様々な方法で構成することができる。例えば、排出システムは、使用中に汚染物質トラップ１０の環境をポンプダウンするように構成可能な１つまたは複数の真空ポンプＶＰを含むことができる。排出システムは、異なる方法でも構成することができる。

図３Ａ、図３Ｂ、図４から図７は、上述したリソグラフィ装置で使用可能な汚染物質トラップ１０の第一実施形態を示す。この汚染物質トラップの第一実施形態１０は、放射線透過路Ｃｈを画定する複数の静止箔または板１１を有する。箔または板１１は、それ自体は開口を含まないほぼ中実の箔または板１１でよい。路Ｃｈは、使用中に前記放射線が伝播する方向にほぼ平行に配置構成することができ、放射線ビームＲの光軸Ｙに対してほぼ放射方向に、または他の方向に延在することができる。また、この実施形態では、箔または板１１は、放射線ビームＲの光軸Ｙに対してほぼ放射状に配向される。また、例えば各箔または板は、トラップ１０の半径方向内側の部分、または内部輪郭からトラップの半径方向外側の部分、または外側の輪郭へと延在することができる。

箔または板１１は、路Ｃｈがほぼ同じ容積を有するように、トラップ１０の中心軸の周囲に規則的かつ対称に分布させることができる。箔または板１１は、例えば半径方向外側で外部箔コネクタ１８ａによって相互に接続することができる。箔または板１１は、半径方向内側で、または例えば内部箔コネクタ１８ｂによって相互に直接接続することができる。前記箔コネクタ１８ａ、１８ｂは、様々な方法で、例えばほぼ閉じた、または中実の円筒形または円錐台形の壁として（図３Ａおよび図３Ｂ参照）、または異なる方法で構築することができる。この実施形態では、汚染物質トラップ１０の各放射線透過路Ｃｈは、隣接する箔または板１１、および横断面で見て（図４も参照）内側の箔コネクタ１８ａ、１８ｂによってほぼ囲まれる。本発明のある態様では、汚染物質トラップ１０は、多数の比較的細い、またはスリット状の路、例えば少なくとも約１００本の路、または少なくとも約１８０本の路を含むことができる。その場合、路Ｃｈはそれぞれ、使用中に放射線ビームＲの光軸Ｙに対してほぼ放射状に配向することができる。

汚染物質トラップ１０には、少なくとも２つの異なる位置でガスを汚染物質トラップの路Ｃｈの少なくとも１本に直接噴射するように構成された上述のガス噴射器１２を設ける。この実施形態では、このガス噴射器は、少なくとも２つの異なる位置でガスを汚染物質トラップ１０の路Ｃｈのそれぞれに直接噴射するように構成される。

図３Ａ、図３Ｂ、図４から図７の実施形態では、ガス噴射器１２は３本のほぼ同心で隔置されたリング形（円形）のガス供給管１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃを含み、これは本明細書ではガス供給リング１２とも呼ぶ。これらのガス供給リング１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃは、前記ビーム光軸Ｙに対してもほぼ同心である。これらのリング１２はそれぞれ、異なる路Ｃｈを伴う異なるガス流出開口に接続される。そのために、同心のガス供給リング１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃのそれぞれに、複数のガス噴射毛管１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、または同様の細い管またはガス供給針を設ける。毛管（針）は、路Ｃｈの決定された位置への制御された供給流のために使用することができる。ガス噴射毛管１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃはそれぞれ、放射線透過路Ｃｈの１つの中へと延在し（図３Ｂ、図５および図６参照）、したがって路Ｃｈにはそれぞれ、これらのガス噴射毛管１４のうち３本を設ける（図６参照）。毛管１４は、例えば半径方向に沿って「死」角で位置決めすることができる。また、各毛管１４の壁は、隔置された複数のガス流出開口１７を含むことができる（図５から図７参照）。

図５は、隣接する幾つかの路Ｃｈ（１）〜Ｃｈ（６）の細部を示し、個々の外部毛管１４Ａを前面図で示し、図６はこれらの路部分Ｃｈ（６）の１つの断面図を示し、ガスをその路Ｃｈ（６）内に噴射するように構成された３本の毛管１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃの個々のグループを示す。本発明のある実施形態では、各毛管１４の遠位端を閉じることができる（図６参照）。図７から分かるように、ガス噴射器１２の毛管１４は、放射線ソースＳＯから放射線集光器ＣＯのミラー表面に向かう放射線の透過を実質的に遮蔽しないように構成される。

したがって、図３Ａ、図３Ｂ、図４から図６の実施形態では、ガス噴射器は、３グループの毛管１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃによって提供された複数グループの隔置された流出開口を有し、隔置された流出開口１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃの各グループは、前記路Ｃｈの１つを伴い、ガスをその路に供給する。この実施形態では、隔置された流出開口の各グループの流出開口１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃは、放射線ビームの光軸Ｙに対して異なる半径方向の位置に配置される。というのは、個々の毛管１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃが汚染物質トラップの異なる半径方向位置にて延在するからである。また、隔置された流出開口の各グループの流出開口は、放射線ビームの光軸Ｙに対して異なる軸方向位置および／またはほぼ同じ軸方向位置に配置することができる。また、隔置された流出開口の各グループの流出開口は、例えば異なる流出開口を介して噴射されるガスの量を別個に調整するために、ガス供給リング１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃを介して異なるガス供給ライン１３に接続することができる。これに対して、隔置された流出開口の３グループの流出開口は、同じガス供給ライン１３に接続することができる。

毛管１４の流出開口１７は、様々な方法で構成することができる。本発明のある態様では、比較的多数の比較的小さい流出開口１７が提供され、トラップ１０内に噴射されるガスの全体的量は同じで、路Ｃｈに比較的均一なガスの流れを提供する。例えば、流出開口１７の少なくとも１つは、超音波ガスの流れを個々の路Ｃｈ内に噴射するように構成された超音波ノズルを含むことができる。あるいは、このような超音波マイクロノズルを、箔または板１１の縁部または異なる位置に直接配置することができる。また、ガス噴射器は、汚染物質トラップ１０を通る放射線ビームの伝播方向とは異なる方向にガスを噴射するように配置構成することができる。この実施形態では、ガス噴射器は、毛管１４のガス流出開口１７を介してほぼ横方向で路Ｃｈ内にガスを噴射するように配置構成する。各流出開口１７は、例えば約０．００１８ｍｍ±０．００２ｍｍの最小直径、または別の直径を有することができる。流出開口１７は、例えばレーザ切削または異なる技術を使用して製造することができる。これらの開口の縁部は、バリがない鋭利な縁部を含むことが好ましい。

本発明のある実施形態では、ガス供給システムは、ガス流チョーク状態で汚染物質トラップの路Ｃｈの少なくとも１つにガスを供給するように構成することができる。その場合は、特にチョーク状態で複数の流出開口１７を介してガスを噴射すると、安定したガス噴射を獲得することができる。このような状態は、例えば毛管１４の環境圧力が内部圧力より約２桁以上低い、特に第一ガスがアルゴンである場合に達成することができる。また、各流出開口１７を通した圧力の変化は、チョーク効果を達成するために急激でよい。例えば、そのためにガス供給システムは、複数のガス流出開口１７を含む壁を有する少なくとも１本のガス供給管、つまり毛管１４を含むことができ、各ガス流出開口１７の長さＨは、管の壁を通して測定して、そのガス流出開口の断面または直径Ｇより大きい。これについては、図１１に関して以下で説明する。毛管１４および流出開口１７の寸法は、その結果のガス噴射器が、動作温度でその形態を維持するのに十分なほど剛性であり、ガス噴射器が過剰圧力によって内部に生成された張力に抵抗できるように設計することができる。

本発明のある態様では、ガス噴射器１２およびガス供給ＧＳは、使用中に

を達成するように構成することができ、ここでｐ（ｘ）は路の位置ｘにおける圧力であり、ｘ１は路の放射線入口の位置であり、ｘ２は路のガス流出開口の位置である。図示のように、使用中に汚染物質トラップの各路Ｃｈの入口は、放射線ソースＳＯからの放射線を受け取るために、それに向かって配向することができる。

の場合は、例えば１つまたは複数の高エネルギ原子のごみ成分を捕捉するために、汚染物質トラップ１０によって良好な汚染物質捕捉を達成可能であることが判明している。また、ガスが汚染物質トラップ１０の路Ｃｈ内へと内方向に噴射できるので、上述した式を達成することができ、ここで汚染物質トラップ１０の外側の圧力を十分に低く維持することができる。

図２から図８の実施形態は、パターン形成した放射線のビームを基板上に投影することを含むデバイス製造方法に使用することができ、ソースＳＯは放射線ビームを生成するために提供され、汚染物質トラップ１０が放射線ビームの路に設けられる。次に、トラップ１０の箔または板は、放射線ビームがトラップ１０を通過して集光器ＤＢへと至ることができるように、放射線ビームＹの光軸に対してほぼ放射状に配向される（図７参照）。アルゴンなどの第一ガスは、様々な位置で噴射毛管１４によって汚染物質トラップ１０の各路Ｃｈ内に直接噴射される。この実施形態では、第一ガスが噴射方向で噴射され、これは必ずしも放射線の伝播方向とは一致しないが、この方向は路の効率的な充填を提供することができる。各路Ｃｈ内に噴射される第一ガスの量は、放射線ソースＳＯから発するごみを比較的良好に捕捉できるような量でよい。例えば、上記から分かるように、ガスは、式

（またはさらに単純な数式ではｐ．ｄ＞Ｐａ．ｍ）が路Ｃｈ内で満足されるように噴射することができる。アルゴンを第一ガスとして使用する場合、各箔トラップ路に噴射されるアルゴンの量は、例えば毎秒約１０^−６ｋｇ以上、または他方で例えば毎秒約１０^−６ｋｇ以下などの少ない量でよい。汚染物質トラップが多数のスリット状の路Ｃｈ、例えば少なくとも１００本の路Ｃｈを含む場合、噴射された第一ガスが上述の式を比較的良好に達成することができる。噴射された後、第一ガスは、一方または両方の端部で汚染物質トラップ１０を出ることができ、ここで汚染物質トラップ１０の外部の圧力は、通常望ましい低い値に維持することができる。

また、図８で示すように第二ガスＣＧの横断流は、放射線ビームの一般的伝播方向Ｙ’に対して半径方向および外方向に、および汚染物質トラップ１０の入口に沿って生成することができ、したがってガスの横断流は、噴射したガスの少なくとも一部を有する。この実施形態では、第二ガスは、放射線ビームを横切って、および放射線ビームの伝播方向をほぼ横断する方向で交差するガス流を提供する。第二ガスは、第一ガスが放射線ソースＳＯに入るのを防止することができる。第二ガスは、例えばヘリウムでよい。ヘリウムが、ソースＳＯに入る第一ガスから放射線ソースＳＯを比較的良好に保護することができ、ヘリウムは、放射線ソースＳＯの動作にそれほど悪影響を及ぼさずに、比較的高い圧力で使用できることが判明している。

図２から図８の実施形態の使用中に、第一ガスは、放射線ビームの光軸から見て３つの異なる半径方向位置にて路Ｃｈのそれぞれに複数の比較的小さいガス流出開口１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃを介して噴射することができる。したがって、比較的大量のガスを比較的均一に路Ｃｈ内に噴射することができる。第一ガスは、チョーク状態で路内に噴射することが好ましい。例えば、このために各毛管１４内のガス圧は、流出開口１７の下流で個々の路Ｃｈ内のガス圧の少なくとも２倍でよい。

内部ガス供給開口１７を使用して箔間のギャップまたは路Ｃｈを充填すると、箔トラップ内の半径方向距離にわたって、熱化し、その後に大部分のエネルギ原子ごみ成分、例えばＥＵＶ集光光学系の劣化に基本的に貢献できるごみを捕捉するために十分な圧力積分ｐ（ｘ）ｄｘの値を達成可能にすることができる。ガスは汚染物質トラップ１０内に直接噴射することができるので、比較的大きいｐ（ｘ）ｄｘの圧力積分値を獲得することができ、汚染物質トラップ１０の外側では圧力の許容不可能な上昇を防止することができる。これは、特に放射線ソースがＳｎソースである場合に、例えばアルゴンの最大圧力が０．５Ｐａである放射線ソースＳＯを含むＥＵＶソースゾーンなどで有利である。また、この実施形態の使用中に、各路Ｃｈの内部ガス噴射は、細い箔間の路Ｃｈに抵抗力が大きいガス流を生成し、その内部に比較的高い圧力を提供することができる。路Ｃｈの外側では、抵抗力は消滅することができ、その結果ガスが加速し、圧力が低下する。

また、内部噴射は、路内を比較的高い圧力のガスで充填することができ、抵抗力（基本的に圧力とともに増加し得る）のせいで路からゆっくり漏出することができる。

放射線ソースＳＯを路Ｃｈから流出するガスの一部から追加的に保護するには、第二ガスによって提供される上述のカウンタガスＣＧ流を使用して実行することができる。このカウンタガス流は、ソースＳＯから安全な距離で高い全逆圧を維持するために低い静圧および高い速度を有することができる。その結果、第一ガスの残りの流出部分は、排出システムへと再配向することができる。使用中に、汚染物質トラップの長さにわたって最大限に許容可能な圧力積分ｐ（ｘ）．ｄｘを使用可能であることが好ましく、この圧力積分は汚染物質トラップ１０を通した放射線ビームの放射線透過の望ましい量によって制限することができる。また、使用中に汚染物質トラップ１０の内外で圧力分布の高いコントラストを達成でき、放射線ソースＳＯを含むソースゾーンには望ましい低い圧力を提供することが好ましい。また、ガス流の効率的使用を達成することができる。

図９Ａ、図９Ｂ、図１０、図１１は、例えば上述したリソグラフィ方法などにも使用可能な汚染物質トラップ１１０の第二の実施形態を示す。第二の実施形態１１０は、ガス噴射器がガス噴射毛管を含まない点で、第一汚染物質トラップの実施形態１０とは異なる。

第二の実施形態では、ガス噴射器はほぼ同心の３つの円形ガス供給リング１１２を含み、これらのリング１１２はそれぞれ、図１２で示すように複数のガス流出開口を含む。ガス供給リング１１２は、１つまたは複数のガス供給ライン１１３を介して上述したガスソースＧＳに接続される。リング１１２は箔または板１１１を通して装着される。また、同心のガス供給リング１１２はそれぞれ、箔または板１１１を通ってほぼ直角に延在する。そのために、箔または板１１１に口を設けることができ、それを通してガス供給リング１１２が延在する。ガス供給リング１１２はそれぞれ、ガスを個々の路Ｃｈ内に噴射するためにガス流出開口１１７を含む。図１１で示すように、各ガス流出開口１１７の長さＨは、個々のガス供給リング１１２の管壁を通して横方向に測定して、そのガス流出開口１１７の断面または直径Ｇより大きい。これにより、以上で説明したように流出開口での圧力低下に応じて、使用中にチョーク状態になり得る。また、第二トラップ実施形態１１０では、各路Ｃｈ内に隔置した流出開口１１７が、放射線ビームＹの光軸に対して異なる半径方向位置に配置され、噴射されたガスを比較的均一に分布させる。

図１２および図１３は、ガス噴射器の代替実施形態の第一部分を示し、これは第二汚染物質トラップ実施形態１１０内で実現することができる。図１２および図１３の代替実施形態では、ガス噴射器は４つのほぼ同心のガス供給リング区間１１２Ａ’、１１２Ｂ’、１１２Ｃ’、１１２Ｄ’を２セット含む。セットの一方のみを図示する。ほぼ同心円のガス供給リング区間の２つの別個のグループが構成され、一緒になって図９Ｂで示したようなガス噴射器の供給リング１１２と同様のほぼ閉じたリングを形成する。装着後、同心のガス供給リング区間１１２Ａ’、１１２Ｂ’、１１２Ｃ’、１１２Ｄ’はそれぞれ、汚染物質トラップ１１０の箔または板１１１を通ってほぼ直角に延在する。ガス噴射器をこのように２つのセグメントに分割することにより、ガス噴射器の汚染物質へのさらに単純で簡単な装着を獲得することができる。

代替ガス噴射器では、ガス供給リング区間１１２Ａ’、１１２Ｂ’、１１２Ｃ’、１１２Ｄ’はそれぞれ、隔置されたガス流出開口（図示せず）を有し、これは様々な放射線透過路Ｃｈを伴い、ガスをこれらの路Ｃｈに供給する。区間の各セットの４つのガス供給リング区間１１２Ａ’、１１２Ｂ’、１１２Ｃ’、１１２Ｄ’は、ほぼ半径方向に延在する接続部分１１３によって相互に接続される。このようなほぼ半径方向に延在する接続部分には、４つの異なるガス供給ラインを設けて、ガスを異なるガスリング区間に別個に供給する。または接続部分は、同心ガス供給リング区間１１２Ａ’、１１２Ｂ’、１１２Ｃ’、１１２Ｄ’の各グループのリング区間１１２Ａ’、１１２Ｂ’、１１２Ｃ’、１１２Ｄ’を、その周方向に沿って測定してほぼ中央で相互に接続する（図１３参照）。これは、リング区間１１２Ａ’、１１２Ｂ’、１１２Ｃ’、１１２Ｄ’の安定した装着を提供することができる。ガス噴射器のこの実施形態を使用して、１つまたは複数のガスを少なくとも４つの異なる位置で汚染物質トラップ１１０の各路Ｃｈに噴射することができる。隔置された流出開口の各グループの流出開口は異なるガス供給ライン１１３Ａ、１１３Ｂ、１１３Ｃ、１１３Ｄに接続されるので、異なるリング区間に供給されるガスの量および／またはタイプを、例えば適切な流制御装置および／またはガスソースを使用して、別個に調整することができる。ガス流および／またはガスタイプのこのような調整は、当業者には明白であるように、汚染物質トラップ１１０内の汚染物質の捕捉を最適にするために指示することができる。

図１２および図１３では、隔置された流出開口の各グループの流出開口は、放射線ビームの光軸に対して異なる半径方向位置に配置される（図１３参照）。また、隔置された流出開口の各グループの流出開口は、放射線ビームの光軸に対して異なる軸方向位置に配置される（図１２参照）。隔置された流出開口を異なる軸方向位置に配置することにより、大きいｐｄ積分値に到達するために最適な噴射ポイントを達成可能にすることができる。

図１４は、汚染物質トラップの実施形態の詳細を示す。この実施形態の全体的構造は、図３から図１３の上述した実施形態のうち１つまたは複数の構造と同様でよい。図１４の実施形態では、ガス噴射器、つまりガス供給システムの１つまたは複数のガス噴射毛管２１４が、トラップの１つまたは複数の箔２１１内に延在して、選択された噴射ポイントにガスを供給する。図１４には、１本の毛管２１４を含む箔２１１の１つの一部しか図示されていない。箔２１１の毛管２１４は、１つまたは複数の選択された噴射ポイントまたは流出開口（図１４には図示せず）へと延在し、ガスを汚染物質トラップの１つまたは複数の隣接する路内に噴射することができる。箔２１１の毛管２１４は、例えば両側を薄い箔細片２９０で覆う箔の口など、様々な方法で製造することができる。

図１５は、汚染物質トラップの実施形態の詳細を示す。この実施形態の全体的構造は、図３から図１４の上述した実施形態の１つまたは複数の構造と同様でよい。図１５の実施形態では、主要箔３１１Ａのグループが路を画定し、１つまたは複数の追加の箔３１１Ｂが路の少なくとも１本で主要箔３１１Ａの間に設置される。図１５の実施形態では、各路に１つの追加の放射状箔３１１Ｂが各路に設置されている。例えば、追加の箔は、汚染物質トラップの周ゾーンに含むことができる。追加の箔３１１Ｂは、ソースＳＯから大きい距離で広くなり得る主要箔３１１Ａ間の基本的な箔間空間を、ガスへの抵抗（摩擦）力がこれより大きい２つのさらに細い路に分割することができ、その結果、ｐｄ積分値が上昇する。追加の箔は、幾何学的透明性の追加の低下を比較的小さくできるように、ソースＳＯから十分に遠くにあってよい。例示のみとして説明するが、前述した追加の箔３１１Ｂのサイズは、主要箔３１１Ａのサイズの約半分でよい。また、他のサイズの追加の箔も適用することができる。一例として、１００を超える主要箔３１１Ａおよび１００を超える追加の箔３１１Ｂを適用することができる。

汚染物質トラップ１０、１１０の上述した実施形態では、真空環境で幾つかの別個の区画Ｃｈにて制御された均一なガス流（例えばアルゴン）を達成することができる。例えば、均一とは、偏差が体積当たりのアルゴン質量の約１０％未満であるようなことである。汚染物質トラップ１０、１１０は、静止トラップとして機能することができ、これは例えばソースに対して回転しない。これは、例えば放射線ソースから来るＳｎイオンおよび原子を「捕捉」するように機能することができ、トラップ１０、１１０は最大の放射線透過を提供することができる。以上から分かるように、放射線透過を制限しないために、ガス噴射器は、集光器外装の「影路」によって、および例えば放射線集光器の半径方向に位置決めされた装着要素のシステムで形成されたボリューム内にほぼ延在するように設計することができる。

汚染物質トラップ１０、１１０は、様々な方法で製造することができる。例えば、上述したガス噴射器の部分は、箔または板１１のはんだ付けまたは溶接の後にはんだ付けまたは溶接することができる。また、ガス噴射器および箔または板１１、１１を、同じステップではんだ付けまたは溶接することができる。

例えば、溶接またははんだ付けを、肉厚が０．１ｍｍを超えるガス噴射器の薄い板金部品に使用することができる。また、例えばガス供給リングまたはリング区間の肉厚が０．１ｍｍ未満の場合には、電鋳が適切なことがある。電鋳を使用することにより、形状の開発に自由がある。また、ガス噴射器には、例えば上述したチョーク効果を実現するためにガス流出開口で肉厚を薄くするか、剛性を改善するために、ガス噴射器の全体表面で肉厚を厚くするために、剛化リブ、局所的に変動する肉厚などを設けることができる。また、異なる組立方法を使用してもよい。

また、温度差のせいで、通常の作業および洗浄手順中に、ガス噴射器またはマニホルドの寸法を決定するために、拡張および収縮効果を考慮に入れることができる。最適な放射線透過のために、ガス噴射リングまたはリング区間は、これが集光器外殻自体より非常に多くの放射線を遮蔽しないように、集光器外殻位置で放射線経路内に設計することができる。ガス噴射器は、ガス供給リング１２、１１２を通して圧力低下が最小であるように設計することが好ましい。また、ガス噴射器のリングまたはリング区間は、使用中に熱膨張および収縮効果が特定の公差の蓄えを消費しないように構成することができる。例えば、作業中に、集光器外殻およびガス噴射器の材料が熱膨張位置に到達すると、これは放射線透過方向に沿って見て相互に対して一直線上にあることが好ましい。

使用中に、ガス噴射器を比較的高い温度、例えば１５００Ｋという推定の環境温度に曝露することができる。したがって、ガス噴射器の材料は高い熱抵抗を有することが好ましい。また、ある実施形態ではガス噴射機の材料は、高温で十分な引っ張り強さを有し、溶接、はんだ付けまたは電鋳に適切である。さらに、材料は特定のガス放出の蓄えを満たすことが好ましい。

図１６から図１７は、汚染物質トラップのさらなる実施形態の箔（または板）４１１を示す。この場合、トラップは、上述した汚染物質トラップとほぼ同じでよく、トラップは例えば、放射線ビームの伝播の方向にほぼ平行に配置構成された路を画定する複数の箔または板４１１を有する。例えば、箔または板は仮想面に反って延在することができ、仮想面は、使用中に放射線ソースＳＯのほぼ中心で相互と交差する。例えば、箔または板４１１は、放射線ビームの光軸に対して（またはトラップの中心軸に対して）ほぼ半径方向に、または他の方向に配向してよい。例えば、各箔または板は、トラップの半径方向内側の部分、または内部輪郭からトラップの半径方向外側の部分または外部輪郭へと延在することができる。例えば、箔または板４１１は、路Ｃｈがほぼ同じボリュームを有するように、トラップ１０の中心軸の周囲に規則的かつ対称に分散させることができる。箔または板４１１は、例えば半径方向の外側部４７１にて適切な外部箔コネクタ１８ａによって相互に接続することができる。箔または板４１１は、半径方向内側部４７２で相互に直接、または例えば内部箔コネクタ１８ｂによって接続することができる。この場合、ガス噴射システムは、ガスを箔４１１間の路内に噴射するために提供することができるが、これが必要なことではない。

この箔（または板）の実施形態４１１に、第１外部区間４１１Ｑおよび第二内部区間４１１Ｒを設ける。この実施形態では、組立後に第一区間４１１Ｑを第一区間４１１Ｒに対して半径方向外側に配置する。あるいは、箔にさらにこのような区間を設けることができる。

２つの箔区間４１１Ｑ、４１１Ｒは、相互に対してわずかに異なる方向に延在し、中間線４７０、例えば曲げ線、または使用中に２つの区間が相互に特定の旋回運動できるようにする線に沿って相互に隣接する。例えば、箔（または板）４１１の第一および第二区間は、相互に対して１８０°未満の角度β、例えば約１７０°以内の角度βを含んでよい。角度βを含んでよい。角度βを図１７に示す。例えば、区間４１１Ｑ、４１１Ｒは、相互に対して少なくとも約１０°、または異なる（例えばこれより小さい）角度曲げることができる。少なくとも約１０°の曲げ角度（つまりβ≦約１７０°）が良好な結果を提供可能であることが判明している。

箔４１１は、一体品で単純に作成することが好ましく、箔４１１は、望ましい曲げ線４７０に沿って箔を曲げることにより、異なる半径方向区間に分割することができる。

点線４７０’で示した中間線４７０の仮想延長部は、放射線ソースＳＯの中心（「ピンチ（ｐｉｎｃｈ）」とも呼ぶ）と交差する。同様に、箔４１１の外縁部（または側部）４７１の仮想延長部（延長部を図１６の点線４７１’で示す）も、放射線ソースＳＯの中心と交差する。同じ方法で、箔４１１の点線４７２’で示した内縁部（または側部）４７２の仮想延長部も、放射線ソースＳＯの中心と交差する。図１６で示すように、この実施形態では、中間曲げ線４７０の前述した延長部４７０’、４７１’、４７２’、箔の外縁部４７１、および箔の内縁部４７２が同じ仮想ポイントで相互に交差することが好ましい。

図１６から図１７の実施形態の利点は、箔４１１の（例えば放射線からの熱による）熱で誘発された膨張は、中間曲げ線４７０に対する箔４１１の曲げにつながることである。例えば、図１７Ａは箔４１１の第一位置を示し、ここでは熱で誘発された曲げがまだ生じていない。図１７Ｂでは、点線４１１’が箔の膨張による曲げ後の箔の位置を概略的に示す。この変形した状態で、箔はなお放射線ビームの伝播方向に対してほぼ長手方向に延在する（または熱変形後、箔はなお仮想面に沿って延在し、仮想面は放射線ソースＳＯの中心で交差する）。

この方法で、使用中に、箔４１１がリソグラフィプロセス中の場合のように加熱のせいで膨張しても、汚染物質トラップを通した望ましい高い、または最大の放射線透過を支持することができる。

図１６から図１７の実施形態では、加熱による箔４１１の膨張を補償するために、２つの隣接する箔区間４１１Ｑ、４１１Ｒが提供されるように、特に中間線４７０に沿って箔４１１を曲げることが選択される。上記から分かるように、使用中に光の透過を制限しないために、２つの箔区間は両方とも、ピンチ（ピンチは光の基点）から来る光線、つまり放射線ソースＳＯの中心と一直線で保持される。この方法で、箔４１１の膨張中に、箔区間は相互に対して、回転軸として曲げ線４７０にて回転し、箔４１１の一直線上の状況を維持することができる。上記から分かるように、これを実現するために、箔４１１の長手方向縁部４７１、４７１は、中間点としてもソース中心ＳＯ（ピンチ）を通ることが好ましい。例えばこの実施形態では、箔４１１の長手方向縁部４７１、４７１は、適切な箔コネクタ１８ａ、１８ｂに旋回自在に固定することができ、したがって中間曲げ線４７０は、箔４１１の膨張中にピンチを通り続けることができる。このような旋回接続は様々な方法で獲得できることが、当業者には理解される。

図１８から図２１は、別の実施形態による汚染物質トラップ５１０の一部を示す。この場合も、トラップ５１０は上述した汚染物質トラップとほぼ同じでよく、トラップは例えば、放射線ビームの伝播方向にほぼ平行に配置構成された路を画定する複数の箔または板５１１を有する。例えば、箔または板５１１は仮想面に沿って延在することができ、仮想面は使用中に放射線ソースＳＯの中心で交差する。例えば、箔または板５１１は、放射線ビームの光軸に対してほぼ半径方向、または他の方向に配向してよい。例えば、路を画定する主要箔５１１のグループを提供することができ、図１５の実施形態のように１つまたは複数の追加の箔を、主要箔の間に設置することができる。また、例えば主要箔５１１はそれぞれ曲げ可能であるか、図１６から図１７の実施形態のように少なくとも２つの区間を設けることができる。

図１８から図２１の実施形態では、汚染物質トラップ５１０にガス噴射器（またはマニホルド）を設け、これはガスをさらに幾つかの位置で汚染物質トラップ５１０の路内に直接噴射するように構成される。ガス噴射器には、１つまたは複数のガス供給管５１２Ａ’、５１２Ｂ’、５１２Ｃ’、５１２Ｄ’を設けることができ、この実施形態ではこれはガス供給リングまたはリング区間５１２（例えば図９から図１３の実施形態を参照）で、箔または板５１１を通って延在する。図１８で示す断面図では、４つのリング区間５１２Ａ’、５１２Ｂ’、５１２Ｃ’、５１２Ｄ’が見える。例えば、各管５１２は、放射線ソースＳＯに向かう方向、放射線ソースＳＯから離れる反対方向および／または他の方向でトラップの路にガスを噴射するように構成することができる。

図１８から図２１の実施形態では、汚染物質トラップに、ガス供給管５１２を使用中に放射線ビームの放射線Ｒからほぼ遮蔽するように構成された熱シールド５８０を設ける。熱シールドは様々な方法で提供することができる。熱シールドは、箔または板５１１から延在する熱シールドセグメント５８０から形成すると有利である。この実施形態では、熱シールド５８０のセグメントは単に、箔または板５１１から曲げるか、そこから発する区間である。さらに、隣接する箔または板５１１の熱シールドセグメント５８０は、放射線ビームの放射線伝播方向で見た場合に相互に重なることが好ましい。このような重なりは、図２１で明白に見ることができる。また、例えば熱シールド５８０は、ガスダクト５１２から隔置することができる（図２１参照）。

例えば、箔（または板）５１１の各熱シールド部分は、個々の箔５１１に対してほぼ直角に、または別の方向に延在することができる。図２１から分かるように、セグメント５８０は個々の箔５１１の個々の法線（図示せず）に対して例えば放射線ソースから離れる方向（組立後）、またはトラップの上流の元口１９から離れる方向でわずかに傾斜することができる。熱シールドセグメント５８０は、組立後に少なくとも放射線ソースＳＯの中心と個々のガス噴射ダクト５１２Ａ’、５１２Ｂ’、５１２Ｃ’、５１２Ｄ’の間で延在することが好ましく、したがって熱シールドセグメントは、ガス噴射ダクト５１２Ａ’、５１２Ｂ’、５１２Ｃ’、５１２Ｄ’を含む下流の影区域を提供する。また、熱シールドセグメント５８０によって、上述したように熱で誘発された箔５１１の膨張（および逆に収縮）が可能になることが好ましい。

図１９および図２０は、この汚染物質トラップの箔の実施形態を示し、箔５１１には口５７０またはスリットを設け、これを通してガス供給リング５１２が組立後に延在することができる。口５７０の縁部に沿って、幾つかの熱シールドセグメント５８０（この実施形態の場合は４個）を設ける。セグメント５８０は、箔５１１の一体部品で、箔５１１と一体作成することが好ましく、箔５１１と同じ材料で作成することが好ましい。特に、各箔５１１に第一熱シールドセグメント５８０Ａ、第二シールドセグメント５８０Ｂ、第三熱シールドセグメント５８０Ｃ、および第四熱シールドセグメント５８０Ｄを設ける。図２１で示すように、箔５１１の第一熱シールドセグメント５８０Ａは、組立後にこのようなセグメントのアレイを形成することができ、アレイは遮蔽すべき個々のガス噴射ダクト５１２Ａ’の前方に延在する。同様に、熱シールドセグメントのアレイが、組立後に第二、第三および第四熱シールドセグメント５８０Ｂ、５８０Ｃ、５８０Ｄによって形成される。

例えば、熱シールドセグメントの各アレイで、セグメント５８０が相互に対して動作可能であり、これによって特に箔５１１に上述した曲げ線を（図１６から図１７のように）設けた場合に、熱で誘発された箔５１１の膨張を可能にする。例えば、セグメント５８０は、熱シールドセグメントの各アレイで相互に接触せずに重なることができ、あるいはセグメント５８０は熱に関連するトラップ変形の場合に相互に対して滑動することができる。

また図２１から分かるように、箔５１１の各熱シールドセグメント５８０は、隣接する箔５１１の上述した口５８０を通って適切な距離にわたって１つの路Ｃｈ（Ｉ）から隣接する路ＣＨ（ＩＩ）へと到達し、前述した重なりを提供することが好ましい。したがって、各熱シールドセグメント５８０は自由端を有し、これが路Ｃｈ内に到達する。

熱シールドセグメント５８０は様々な形状およびサイズを有することができる。例えば、セグメント５８０の長さは、少なくとも路Ｃｈの幅より大きく、トラップ５１０の個々の周方向で測定して路Ｃｈを橋渡しすることができる。また、この実施形態では、熱シールドセグメント５８０はほぼ長方形であるが、異なる形状も適用することができる。

汚染物質トラップの実施形態５１０を使用中に、トラップの区画または路Ｃｈにわたって特定の均一さでガス流を供給することができる。熱シールド５８０を適用しない場合は、ガスマニホルド５１２が放射線Ｒに完全にさらされ、その結果、マニホルドリング５１２の長さで温度勾配が生じ得る。これは、トラップ区画上の質量流量の均一性に悪影響を及ぼすことがある。熱シールド５８０を適用することにより、均一性へのこの悪影響を防止するか、少なくとも大幅に軽減することができる。

また、熱シールド５８０が加熱されて、温度により膨張している場合、それでもガス噴射リング部分５１２の望ましい遮蔽を、特に汚染物質トラップ５１０のどの参照部分にも機械的歪みを導入せずに維持することができる。また、熱シールド５８０は、ガス供給管の動作温度を低下させることができ、これは構造材料の選択を単純にする。また、この実施形態では、熱シールドセグメントを箔５１１と一体化することにより、箔の単純な設計および製造が提供される。それ以外に、熱シールドセグメント５８０から単純な方法で、個々の箔を介して例えば汚染物質トラップの適切な冷却システム（図示せず）（例えば、熱的に箔と結合した冷却水ダクトを有するシステム）へと熱を除去することができる。

本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置が他の多くの用途においても使用可能であることは明確に理解されるべきである。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用され得る。こうした代替的な用途の状況においては、本文にて使用した「ウェハ」または「ダイ」といった用語は、それぞれ「基板」または「目標部分」といった、より一般的な用語に置き換えて使用され得ることが当業者には理解される。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）または計測または検査ツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指す。

以上では光学リソグラフィの状況における本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、刻印リソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光学リソグラフィに制限されないことが分かる。刻印リソグラフィでは、パターニングデバイスの構造が、基板上に生成されるパターンを画定する。パターニングデバイスの構造を、基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射線、熱、圧力またはその組み合わせを適用して、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離し、レジストを硬化した後にパターンを残す。

本明細書では、「放射線」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射線（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、あるいは１２６ｎｍの波長を有する）および超紫外線（ＥＵＶ）放射線（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射線を網羅するものとして使用される。

「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気および静電気光学構成要素を含む様々なタイプの光学構成要素のいずれか、またはその組み合わせを指す。

以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、または自身内にこのようなコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態をとることができる。

本出願では、「有する」という用語は他の要素またはステップを排除しないことを理解されたい。また、「ある」という用語は複数を排除しない。請求の範囲にあるどの参照記号も、請求の範囲を制限するとは解釈されない。

上記の説明は例示的であり、制限的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。例えば、特定の最適化された構成の追加的放射状箔を、各汚染物質トラップの路内で主要箔の間に設置することができる。例えば、このような追加的放射状箔は、抵抗力を増加させ、より大きいｐ（ｘ）ｄｘの積分値を達成可能にするために、縁部付近でトラップの遠い方の端部に設置することができる。

本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示したものである。 本発明のさらなる実施形態によるリソグラフィ装置の一部を概略的に示したものである。 ガス噴射毛管を含む汚染物質トラップの第一実施形態の斜視図である。 箔を示していない図３Ｂと同様の図である。 毛管を示していない汚染物質トラップの第一実施形態の前面図である。 汚染物質トラップの第一実施形態の周方向断面の詳細である。 図５の線ＶＩ−ＶＩの断面図である。 ソースおよび集光器に対する毛管の２つの方向、さらに放射線経路の数をさらに詳細に示す、第一実施形態の部分的に開いた側面図である。 放射線ソースと汚染物質トラップとのほぼ対向する側に近い任意選択のヘリウム供給装置を示し、図２の実施形態の細部を概略的に示す。 ガス噴射リングを含む汚染物質トラップの第二実施形態の斜視図である。 箔を示していない図９Ａと同様の図である。 汚染物質トラップの第二実施形態のガス供給リングの細部の側面図である。 図１０の線ＸＩ−ＸＩの断面図である。 汚染物質トラップの第二実施形態の代替ガス噴射器の２グループのガス供給リング区間の１つの側面図である。 図１２で示したリング区間のグループの斜視図である。 本発明の代替実施形態の細部を示す。 本発明の実施形態の細部を示す。 本発明のさらなる実施形態の箔の側面図を概略的に示す。 図１６の箔の上面図を示す。 箔の曲がりを示す図１７Ａと同様の図である。 熱シールドを有するさらなる実施形態の一部の断面図を示す。 図１８の実施形態の箔の斜視側面図を示す。 図１９で示した箔の上面図を示す。 ガス供給管がなく、特に箔の重なる熱シールドセグメントを示す図１８の実施形態の細部の斜視側面図を示す。

符号の説明

１０ 汚染物質トラップ
１１ 箔または板
１２ ガス供給リング
１３ ガス供給ライン
１４ ガス噴射毛管
１７ 流出開口
１８ 箔コネクタ
２０ ガス供給装置
１１０ 汚染物質トラップ
１１１ 箔または板
１１２ ガス供給リング
１１３ ガス供給ライン
１１７ 流出開口
２１１ 箔
２１４ ガス噴射毛管
２９０ 箔細片
３１１ 箔
４１１ 箔
４７０ 中間線
４７１ 外側部
４７２ 内側部
５１０ 汚染物質トラップ
５１１ 箔または板
５１２ ガス供給管
５８０ 熱シールドセグメント

Claims (15)

1. 放射線ビームを生成する放射線ソースを含む放射線システムと、
   放射線ビームの経路に設けられた汚染物質トラップ（１０；１１０；５１０）と
   を有し、
   汚染物質トラップ（１０；１１０；５１０）は、前記放射線ビームの伝播方向にほぼ平行に設けられた複数の路（Ｃｈ）を画定する複数の箔または板（１１；１１１；２１１；３１１；４１１；５１１）を有し、
   汚染物質トラップ（１０；１１０；５１０）にはガス噴射器（１２；１１２；５１２）が設けられ、
   ガス噴射器は、汚染物質トラップの少なくとも１つの路に少なくとも２つの異なる位置でガスを直接噴射する、複数の隔置された流出開口を有するように構成された、リソグラフィ装置。
2. 複数の流出開口は、複数グループに分けられ、
   各グループの隔置された流出開口が、前記路の１つを伴い、その路にガスを供給する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. ガス噴射器が、複数のほぼ同心のガス供給リング、またはほぼ同心のガス供給リング区間を含み、
   リングまたはリング区間がそれぞれ、異なる路を伴う異なるガス流出開口を有する、請求項１又は２に記載のリソグラフィ装置。
4. ガス供給リングまたはリング区間が、１つまたは複数の接続部分によって相互に接続され、接続部分に１つまたは複数のガス供給ラインを設けて、ガス供給リングまたはリング区間にガスを供給する、請求項３に記載の装置。
5. ガス供給システムが、ほぼ同心のガス供給リング区間の少なくとも２つの別個のグループを含み、グループが一緒になってほぼ閉じたリングを形成し、さらに、ほぼ同心のガス供給リング区間の各グループのリング区間を相互に接続する１つまたは複数の接続部分を含むことが好ましい、請求項３または４に記載の装置。
6. ガス噴射器が、ガスのチョーク流れの状態で汚染物質トラップの路の少なくとも１つにガスを供給するように構成される、請求項１から５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
7. ガス噴射器が、複数のガス流出開口を含む壁を有する少なくとも１つのガス供給管を含み、
   各ガス流出開口の長さが、そのガス流出開口の断面または直径より大きい、請求項６に記載のリソグラフィ装置。
8. さらに、ガスをガス噴射器に供給するガス供給部を含み、ガス噴射器およびガス供給部が、使用中に
   
   を達成するように構成され、
   ｐ（ｘ）が路の位置ｘにおける圧力であり、ｘ１が路内の入口の位置であり、ｘ２が路内の１つまたは複数のガス流出開口の位置である、請求項１から７のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
9. さらに、ガス噴射器に接続可能であるか、接続されて、それに少なくとも第一ガスを供給する少なくとも第一のガスソースを含み、第一ガスがアルゴンであることが好ましく、装置がさらに、少なくとも第二ガスを汚染物質トラップの元口付近の位置に噴射して、元口から流出する第一ガスを捕捉、分流および／または減速させるように構成された少なくとも１つのガス供給装置を含み、第二ガスがヘリウムであることが好ましい、請求項１から８のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
10. 主要箔または板のグループが路を画定し、
    １つまたは複数の追加の箔または板が、路の少なくとも１つで主要箔の間に設置される、請求項１から９のいずれかに記載の装置。
11. 放射線ビームを生成する放射線ソースを含む放射線システムと、
    放射線ビームの経路に配置構成された汚染物質トラップとを有し、汚染物質トラップが、前記放射線ビームをほぼ透過させるために路を画定する複数の箔または板（４１１）を有し、各箔または板（４１１）には少なくとも第一区間（４１１Ｑ）および第二区間（４１１Ｒ）を設け、箔または板（４１１）の第一および第二区間（４１１Ｑ、４１１Ｒ）が相互に対して異なる方向に延在して、中間線（４７０）に沿って相互に隣接し、中間線（４７０）の仮想延長部が放射線ソース（ＳＯ）の中心と交差する請求項１から１０のいずれかに記載の装置。
12. 箔または板（４１１）の第一および第二区間が、相互に対して１８０°未満の角度（β）、例えば約１７０°以内の角度（β）を含む、請求項１１に記載の装置。
13. 放射線ビームを生成する放射線ソースを含む放射線システムと、
    放射線ビームの経路に配置構成された汚染物質トラップとを有し、汚染物質トラップが、前記放射線ビームをほぼ透過させるために路を画定する複数の箔または板を有し、
    汚染物質トラップに、ガスを１つまたは複数の位置で汚染物質トラップの路の少なくとも１つに直接噴射するように構成されたガス噴射器を設け、ガス噴射器に、箔または板（５１１）を通って延在する１つまたは複数のガス供給管（５１２）、例えばガス供給リングまたはリング区間を設け、汚染物質トラップに、１つまたは複数のガス供給管（５１２）を使用中に放射線ビームからほぼ遮蔽するように構成された１つまたは複数の熱シールド（５８０）を設ける請求項１から１０のいずれかに記載の装置。
14. 各熱シールドが、箔または板（５１１）から延在する熱シールドセグメント（５８０）、例えば箔または板（５１１）から折り曲げたセグメントから形成され、隣接する箔または板の好ましい熱シールドセグメントが、放射線ビームの放射線伝播方向で見た場合に相互に重なる、請求項１３に記載の装置。
15. パターン形成した放射線のビームを基板上に投影することを含むデバイス製造方法であって、請求項１から１４のいずれかに記載の装置を設け、
    ガスを少なくとも２つの異なる位置で汚染物質トラップの路の少なくとも１つに直接噴射することが好ましいデバイス製造方法。