KR20060126464A - 실리콘 접착제 - Google Patents

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KR20060126464A
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KR
South Korea
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silicon atom
group
glass plate
bonded
component
Prior art date
Application number
KR1020067009141A
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English (en)
Inventor
오사무 다무라
노부오 히라이
Original Assignee
지이 도시바 실리콘즈 가부시키가이샤
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Publication date
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Abstract

본 발명은 와이어 본딩성을 저하하지 않고, 또한 반도체 펠릿 표면 및 리드 프레임과 밀봉 수지의 밀착성이 저하되지 않는 실리콘 접착제를 제공한다. 상세하게는, 가열 경화시에 있어서 유리판에의 오염이, 유리판 상의 접촉각 70°이하인 부가 반응 경화형 실리콘 고무 조성물로 이루어지는 반도체 펠릿과 이 펠릿 부착 부재를 접합하기 위한 실리콘 접착제이다.
Figure 112006032863103-PCT00007
와이어 본딩성, 반도체, 리드 프레임, 밀봉 수지, 밀착성, 실리콘, 접착제, 유리판, 접촉각, 부가 반응, 경화형, 고무.

Description

실리콘 접착제{SILICONE ADHESIVE AGENT}
본 발명은 반도체 펠릿과 터브 등의 반도체 펠릿 부착 부재를 접합하기 위한 실리콘 접착제(다이 본드제)에 관한 것이다.
반도체 장치는, 예를 들면 실리콘으로 이루어지는 반도체 펠릿이 그 지지체인 터브 등의 반도체 펠릿 부착 부재에 에폭시 수지, 폴리이미드 수지 등의 접착제(다이 본드제) 등에 의해 접합되고, 또한 반도체 펠릿과 금속제 리드 프레임을 전기적으로 접합하며, 이들 일체화물이 에폭시 수지 등의 밀봉 수지에 의해 밀봉되어 구성되는 구조체인데, 종래의 다이 본드제에 의한 크랙 등의 문제를 감안하여, 실리콘 접착제에 의해 반도체 펠릿과 터브를 접착한 반도체 장치가 제안되어 있다(일본 특개소61-55300호 공보). 이것은 반도체 펠릿과 터브의 열 팽창률의 차에 기인하는 내부 변형을 실리콘 고무 탄성체에 의해 완화하고자 한 것이다.
그러나, 상기 일본 특개소61-55300호 공보의 기술에서는, 실리콘 고무로 반도체 펠릿을 터브에 접착한 후, 반도체 펠릿과 리드 프레임을, 금선 등의 본딩 와이어로 접속할 때, 반도체 펠릿과 본딩 와이어 또는 리드 프레임과 본딩 와이어의 접합성(와이어 본딩성)이 저하되어 반도체 장치의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있었다.
이러한 문제의 해결을 도모하기 위해서, 일본 특개소61-55300호 공보에는, 200℃에서 10 ㎜Hg 이상의 증기압을 갖는 저분자 실록산의 함유량이 500 ppm 이하인 부가 반응 경화형 실리콘 고무 조성물을 사용하는 것이, 일본 특개2002-60719호 공보에는 규소 원자 수 11∼50의 환상 및 직쇄상의 저분자 무작용기 실록산의 함유량을 3 중량% 이하로 한 접착성 실리콘 고무를 사용하는 것이 제안되어 있다.
발명의 개시
그러나, 본 발명자의 검토에 의하면, 상기 일본 특개소61-55300호 공보, 일본 특개2002-60719호 공보의 수법에 의해서도, 접합성의 신뢰성에는 개량의 여지를 남기고 있는 것이 밝혀졌다.
본 발명은 종래 기술의 결점을 해결하고, 와이어 본딩성을 저하하지 않으며, 또한 반도체 펠릿 표면 및 리드 프레임과 밀봉 수지의 밀착성이 저하되지 않는 실리콘 접착제의 제공을 목적으로 하는 것이다.
본 발명자는 상기 목적을 달성하기 위하여 예의 검토한 결과, 특정한 부가 반응 경화형 실리콘 고무 조성물로 이루어지는 실리콘 접착제를, 반도체 펠릿과 이 펠릿 부착 부재를 접합하기 위한 접착제로 하는 것이 매우 유효한 것을 발견하고, 본 발명을 완성하였다.
즉, 본 발명은 가열 경화시에 있어서의 유리판에의 오염이 유리판 상의 접촉각 70°이하인 부가 반응 경화형 실리콘 고무 조성물로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 반도체 펠릿과 이 펠릿 부착 부재를 접합하기 위한 실리콘 접착제이다.
또한, 본 발명은 가열 경화시에 있어서의 유리판에의 오염이 유리판 상의 접촉각 70°이하인 부가 반응 경화형 실리콘 고무 조성물로 이루어지는 실리콘 접착제에 의해 반도체 펠릿과 이 펠릿 부착 부재를 접합하는 방법이다.
또한, 본 발명은 가열 경화시에 있어서의 유리판에의 오염이 유리판 상의 접촉각 70°이하인 부가 반응 경화형 실리콘 고무 조성물의 반도체 펠릿과 이 펠릿 부착 부재를 접합하는 실리콘 접착제를 위한 용도이다.
발명의 상세한 설명
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다. 본 발명은 가열 경화시에 있어서의 유리판에의 오염이 유리판 상의 접촉각 70°이하인 부가 반응 경화형 실리콘 고무 조성물로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 반도체 펠릿과 이 펠릿 부착 부재를 접합하기 위한 실리콘 접착제인데, 이러한 부가 반응 경화형 실리콘 고무 조성물로는,
(A) 1 분자 중에 2 개 이상의 규소 원자 결합 알켄일기를 갖는 오가노폴리실록산; 100 중량부,
(B) 100℃×1 시간의 가열 감량이 5 중량% 이하인, 1 분자 중에 2 개 이상의 규소 원자 결합 수소 원자를 갖는 오가노폴리실록산; (A) 성분의 알켄일기 1 개에 대해 본 성분의 규소 원자 결합 수소 원자를 0.5∼3 개 공급할 수 있기에 충분한 양,
(C) 규소 원자 결합 알콕시기를 갖고, 또한 규소 원자 결합 수소 원자를 갖지 않는 접착성 부여제; 0.1∼10 중량부,
(D) 백금계 촉매; 촉매량으로 이루어지는 부가 반응 경화형 실리콘 고무 조성물(이하, 본 발명 조성물 1이라고 함),
및
(A) 1 분자 중에 2 개 이상의 규소 원자 결합 알켄일기를 갖는 오가노폴리실록산; 100 중량부,
(B) 100℃×1 시간의 가열 감량이 5 중량% 이하인, 1 분자 중에 2 개 이상의 규소 원자 결합 수소 원자를 갖는 오가노폴리실록산; (A) 성분의 알켄일기 1 개에 대해 본 성분의 규소 원자 결합 수소 원자를 0.5∼3 개 공급할 수 있기에 충분한 양,
(D) 백금계 촉매; 촉매량
(E) 접착성 부여제; 0.1∼10 중량부,
(F) Al 또는 Ti 화합물; 0.05∼10 중량부
로 이루어지는 부가 반응 경화형 실리콘 고무 조성물(이하, 본 발명 조성물 2라고 함)을 들 수 있다.
우선, 본 발명 조성물 1에 대해 설명한다. 본 발명의 (A) 성분인 1 분자 중에 2 개 이상의 규소 원자 결합 알켄일기를 갖는 오가노폴리실록산은 본 발명 조성물의 주제(베이스 폴리머)가 되는 것으로, 하기 평균 조성식 (1)로 표시되는 것이 사용된다.
R1 aSiO(4-a)/2 (1)
(식 중, R1은 서로 동일 또는 이종인 탄소수 1∼10의 비치환 또는 치환 1가 탄화수소기이고, a는 1∼3의 정수이다.)
상기 R1으로 표시되는 규소 원자에 결합한 비치환 또는 치환 1가 탄화수소기로는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 시클로헥실기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 등의 알킬기, 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 나프틸기 등의 아릴기, 벤질기, 페닐에틸기, 페닐프로필기 등의 아랄킬기, 비닐기, 알릴기, 프로펜일기, 이소프로펜일기, 부텐일기, 헥센일기, 시클로헥센일기, 옥텐일기 등의 알켄일기나, 이들 기의 수소 원자의 일부 또는 전부를 불소, 브롬, 염소 등의 할로겐 원자, 시아노기 등으로 치환한 것, 예를 들면 클로로메틸기, 클로로프로필기, 브로모에틸기, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 2-시아노에틸기 등을 들 수 있다.
이 경우, R1 중 적어도 2 개는 알켄일기(특히, 탄소수 2∼8의 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 2∼6)인 것이 필요하다. 또한, 알켄일기의 함유량은 규소 원자에 결합하는 전체 유기기 중(즉, 상기 평균 조성식 (1)에서의 R1으로서의 비치환 또는 치환 1가 탄화수소기 중) 0.01∼20 몰%, 특히 0.1∼10 몰%로 하는 것이 바람직하다. 이 알켄일기는, 분자쇄 말단의 규소 원자에 결합하고 있어도, 분자쇄 도중의 규소 원자에 결합하고 있어도, 양자에 결합해 있어도 되지만, 조성물의 경화 속도, 경화물의 물성 등의 점에서, 본 발명에서 사용하는 오가노폴리실록산은 적어도 분자쇄 말단의 규소 원자에 결합한 알켄일기를 포함한 것인 것이 바람직하다. 또한, 알켄일기 이외의 R1으로는, 메틸기, 페닐기, 3,3,3-트리플루오로프로필기가 바람직하다.
상기 오가노폴리실록산의 구조는 통상은, 주쇄가 디오가노실록산 단위의 반복으로 이루어지고, 분자쇄 양 말단이 트리메틸실록시기, 디메틸페닐실록시기, 디메틸히드록시실록시기, 디메틸비닐실록시기, 트리비닐실록시기 등의 트리오가노실록시기로 봉쇄된, 기본적으로는 직쇄상 구조를 갖는 디오가노폴리실록산이지만, 부분적으로는 분기상 구조, 환상 구조 등이어도 좋다. 평균 중합도(중량 평균 중합도)는 100∼100,000, 특히 200∼10,000인 것이 바람직하고, 또한 25℃에서의 점도는 100∼100,000,000 cSt(센티 스톡스), 특히 1,000∼1,000,000 cSt인 것이 바람직하다.
(B) 성분 오가노폴리실록산은, 예를 들면 10 ㎜Hg 이하의 감압 하에서 100∼140℃의 가열 조건 하에서 스트리핑하고, 100℃×1 시간의 가열 감량이 5 중량% 이하인 오가노폴리실록산이다. 또한, 이것은 (A) 성분의 가교제로서 작용하는 것이며, 1 분자 중에 2 개 이상의 규소 원자 결합 수소 원자를 함유하는 것으로서, 그 분자 구조는 직쇄상, 분지상, 환상의 어느 구조의 것이어도 좋다.
이러한 오가노폴리실록산의 배합량은 (A) 성분의 알켄일기 1 개에 대해 본 성분의 규소 원자 결합 수소 원자를 0.5∼3 개 공급할 수 있기에 충분한 양이며, 바람직하게는 1∼2 개 공급하는데 충분한 양이다.
이러한 (B) 성분으로는, 메틸하이드로겐시클로폴리실록산, 메틸하이드로겐실록산·디메틸실록산 환상 공중합체, 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸하이드로겐폴리실록산, 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸하이드로겐실록산 공중합체, 양 말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산, 양 말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 디메틸 실록산·메틸하이드로겐실록산 공중합체, 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸하이드로겐실록산·디페닐실록산 공중합체, 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸하이드로겐실록산·디페닐실록산·디메틸실록산 공중합체, 양 말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 메틸하이드로겐실록산·디메틸실록산·디페닐실록산 공중합체, (CH3)2HSiO1 /2 단위와 (CH3)3SiO1 /2 단위와 SiO4 /2 단위로 이루어지는 공중합체, (CH3)2HSiO2 /1, 단위와 SiO4 /2, 단위로 이루어지는 공중합체, (CH3)2HSiO1 /2 단위와 SiO4 /2 단위와 (C6H5)3SiO1 /2 단위로 이루어지는 공중합체 등을 들 수 있다.
본 발명의 (C) 성분은 규소 원자 결합 알콕시기를 갖고, 또한 규소 원자 결합 수소 원자를 갖지 않는 접착성 부여제이다.
제3 성분인 접착성 부여제는 분자 중에 규소 원자에 결합한 알콕시기와, 알켄일기, 아크릴기, 메타크릴기 및 에폭시기로부터 선택되는 적어도 1 개의 반응성 작용기를 각각 1 개 이상 함유하는, 오가노실란 또는 규소 원자 수 2∼50, 바람직하게는 4∼20 개 정도의 오가노실록산 올리고머 등의 유기 규소 화합물이 적합하게 사용된다. 이 유기 규소 화합물은 실리콘 고무 조성물에 반도체칩, 부착부, 리드 프레임 등에의 접착성을 부여하기 위한 것으로, 공지의 것을 사용할 수 있고, 실리콘 고무 조성물의 부가 가황을 저해하지 않는 것이면 된다.
이러한 유기 규소 화합물로는, 예를 들면, γ-글리시드옥시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등의 에폭시 작용성기 함유 알콕시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리(메톡시에톡시)실란 등의 알켄일기 함유 알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, γ-아크릴옥시프로필트리메톡시실란 등의 아크릴기 또는 메타크릴기 함유 알콕시실란 등의 알콕시실란을 들 수 있다.
(C) 성분은 (A) 성분 100 중량부에 대하여 0.1∼10 중량부가 사용된다.
(D) 성분의 백금계 촉매는 본 발명의 접착제를 경화시키기 위한 촉매이며, 일반적으로 부가 반응용 촉매로서 공지의 것을 사용할 수 있고, 이러한 것으로는 백금흑, 알루미나, 실리카 등의 담체에 고체 백금을 담지시킨 것, 염화 백금산, 알콜 변성 염화 백금산, 염화 백금산과 올레핀의 착물 또는 백금과 비닐실록산의 착물 등이 예시된다. 이들 촉매의 사용시에는, 그것이 고체 촉매일 때는 분산성을 좋게 하기 위해서 미세하게 분쇄하거나, 그 담체를 입경이 작고, 비표면적이 큰 것으로 하는 것이 바람직하며, 염화 백금산 또는, 그 올레핀과의 착물에 대해서는, 이것을 알콜, 케톤, 에테르 또는 탄화수소계 등의 용제에 용해하여 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 이 촉매의 첨가량은 원하는 경화 속도가 얻어지도록 적당하게 조절하면 되지만, 양호한 경화물을 얻기 위해서, 염화 백금산 등과 같이 실록산과 상용하는 것에 대해서는, 전술한 (A) 성분과 (B) 성분의 합계량에 대하여 백금량으로 1∼100 ppm의 범위로 하는 것이 바람직하다.
다음에, 본 발명 조성물 2의 양태에 대해 설명한다.
본 발명 조성물 2에서, (A), (B), (D) 성분은 본 발명 조성물 1의 경우와 동일하다.
본 발명 조성물 2는 본 발명 조성물 1의 (C) 성분 대신에, (E)접착성 부여제와 (F) Al 또는 Ti 화합물을 사용하는 것이다.
(E) 성분인 접착성 부여제는 (C) 성분과 같은 규소 원자 결합 알콕시기를 갖고, 또한 규소 원자 결합 수소 원자를 갖지 않는다고 하는 한정은 없고, (C) 성분을 포함한 각종 공지의 접착성 부여제를 사용할 수 있다.
단, (C) 성분 이외의 접착성 부여제를 사용하는 경우, (F) Al 또는 Ti 화합물을 병용하는 것이 필수가 된다.
(F) 성분인 Al 화합물로는, (MeO)3Al, (EtO)3Al, (a-PrO)3Al 등의 알루미늄 알콜레이트, 나프텐산, 스테아르산, 옥틸산 또는 벤조산 등의 알루미늄 염, 알루미늄 알콜레이트와 아세토아세트산 에스테르 또는 디알킬 말로네이트 등을 반응시켜서 얻어진다.
Figure 112006032863103-PCT00001
등의 알루미늄 킬레이트, 알루미늄 옥사이드의 유기산염 및 알루미늄 아세틸아세토네이트 등이 예시되는데, 가수분해성 때문에 알루미늄 킬레이트 또는 알루미늄 알콜레이트가 바람직하다. 또한, 액상이고 취급이 편리한 점에서 비스에틸 아세토아세테이트 알루미늄 모노아세틸 아세테이트 또는 아세토알콕시 알루미늄 디이소프로필레이트가 바람직하다.
(F) 성분인 Ti 화합물로서는, 테트라(n-부톡시)티탄, 테트라(i-프로폭시)티탄, 테트라키스(2-에틸헥속시)티탄, 테트라(스테아록시)티탄 등의 테트라알콕시티탄 화합물; 디-i-프로폭시-비스(아세틸아세토네이트)티탄, i-프로폭시(2-에틸헥산디올레이트)티탄, 디-i-프로폭시디에틸아세토아세테이트티탄, 히드록시-비스(락테토)티탄 등 티탄 킬레이트 화합물과 그 밖에, i-프로필트리이소스테아로일티타네이트, i-프로필트리스(디옥틸피로포스페이트)티타네이트, 테트라-i-프로필)-비스(디옥틸포스페이트)티타네이트, 테트라옥틸-비스(디트리데실포스페이트)티타네이트, 테트라(2,2-디알릴옥시메틸-1-부틸)-비스(디트리데실)포스파이트티타네이트, 비스(디옥틸파이로포스페이트)옥시아세테이트티타네이트, 비스(디옥틸파이로포스페이트)에틸렌티타네이트, i-프로필트리옥탄오일티타네이트, i-프로필디메타크릴-i-스테아로일티타네이트가 예시되고, 얻어진 경화성 오가노폴리실록산 조성물의 보존 안정성이 우수한 점 때문에, 바람직한 것은 테트라(n-부톡시)티탄이다.
(F) 성분의 배합량은 (A) 성분 100 중량부에 대하여 0.05∼10 중량부, 바람직하게는 0.1∼5 중량부가 좋다.
본 발명에는 충전재를 더 배합할 수도 있다. 충전재는 실리콘 고무 조성물을 보강하여, 필요한 고무 강도를 부여하는 이외에, 접착작업에 필요한 점도를 유지하기 위한 것이며, 충전재로서는 보강성 실리카계 충전재가 바람직하다. 보강성 실리카계 충전재로는, 훈증 실리카, 소수화 처리한 실리카, 소성 실리카, 침강 실리카 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 조성물에는, 그 목적을 손상시키지 않는 한, 아세틸렌 알콜 이외의 부가 가황의 제어제, 이산화티탄, 알루미나, 카본블랙 등을 적당하게 배합할 수 있다.
도 1은 실시예에서 와이어 본딩성의 평가에 사용한 평가용 반도체 장치의 개략 단면도이다.
이하에 본 발명의 실시예를 제시한다. 이하의 실시예 및 비교예에서, 부는 모두 중량부를 나타낸다.
실시예 1∼5, 비교예 1∼3
·(A) 성분
760 부의 트리메틸클로로실란, 141 부의 메틸비닐디클로로실란, 146 부의 오르소규산에틸을 톨루엔 속에서 공가수분해하고, 상법에 의해 탈산, 중화, 수세한 후 가성 칼륨 수용액으로 처리하였으며, 아세트산으로 중화하고, 수세, 탈수하여, 규소 원자에 결합한 히드록시기를 실질적으로 갖지 않고, 규소 원자에 결합시키는 비닐기를 갖는 수지를 얻었다. 이 비닐기 함유 수지 10 부와 23℃에서의 점도가 3,000 cP의 α,ω-디비닐폴리디메틸실록산 90 부를 배합한 오가노실록산을 (A) 성분으로서 사용하였다.
·(B) 성분
MM으로 표시되는 디실록산과, D4로 표시되는 환상 실록산과, D'4로 표시되는 환상 실록산을 황산 촉매의 존재 하에 중합한 후, 중화함으로써, 평균 조성식, MD'23D16M으로 표시되는 규소 원자 결합 수소 원자를 갖는 오가노실록산을 얻었다. 이 실록산을 2 ㎜Hg의 감압 상태, 온도 120℃의 가열 조건 하에, 2∼4 시간 스트립 처리를 행하고, 100℃, 1 시간에서의 가열 감량이 이하인 오가노실록산을 얻었다.
4 시간 처리 (B)-1(가열 감량 1.3 중량%)
3 시간 처리 (B)-2(가열 감량 3.8 중량%)
2 시간 처리 (B)-3(가열 감량 6.5 중량%)
미처리 (B)-4(가열 감량 10 중량%)
또한, M, D, D'로 약기한 것은 이하의 구조를 나타낸다.
Figure 112006032863103-PCT00002
·(C) 성분(본 실시예에서는 (E) 성분도 겸함)
(C)-1
하기 식으로 표시되는 실란 화합물
Figure 112006032863103-PCT00003
(C)-2
하기 식으로 표시되는 실란 화합물
Figure 112006032863103-PCT00004
(C)-3
하기 식으로 표시되는 실란 화합물
Figure 112006032863103-PCT00005
·(D) 성분
3.8%의 백금을 함유하는 라모로의 촉매
·(F) 성분
(F)-1
하기 식으로 표시되는 알루미늄킬레이트
Figure 112006032863103-PCT00006
이상에 도시한 오가노실록산 및 첨가제를 표 1에 나타낸 양으로 균일하게 혼합하여 조성물 1∼8을 얻었다. 또한, 조성물 6∼8은 비교예 조성물이다.
실시예에서, 유리판 상의 접촉각 측정 및 접착제의 특성은 다음에 기재하는 방법에 따라 행하였다.
(유리판 상의 접촉각 측정)
50×50×1 mm 유리판 상에 조성물이 0.0100∼0.0130 g이 되도록 도포하고, 그 위에 18×18×0.16 ㎜의 커버 유리를 얹고, 조성물이 커버 유리 전체에 퍼지도록 끼워 넣는다. 그것을 유리 샤알레(내경 70 ㎜, 깊이 191 ㎜)에 넣고, 뚜껑을 덮었으며, 150℃, 1 시간, 가열 경화시켰다. 실온으로 되돌리고나서, 커버 유리 상의 4 코너, 및 중심부 5 개소에서, 물에 대한 접촉각을 측정하고, 그것들의 평균값을 산출하였다.
(접착성 평가)
80×25×2 ㎜의 2 장의 동판을, 장변을 10 ㎜만큼 겹쳐서 평행하게 두고, 그 겹친 부분의 대향하는 2 면에 접하도록, 2 장의 동판 사이에 1 ㎜ 두께로 상기 조성물의 층을 형성시키고, 150℃에서 1 시간 가열하였으며, 방냉하여 시료를 만들었다. 또한, 세라믹(알루미나)판도 동일하게 시료를 만들었다. 이렇게 하여 얻어진 시료를 인장 시험기에 장착하고, 10 mm/min의 인장 속도로 접착성 시험을 행하였으며, 파단면이 응집 파괴인지 계면 박리인지를 확인하였다.
(와이어 본딩성의 평가)
도 1에 도시한 평가용 반도체에서, 접착제(8)를 반도체 펠릿(2)과 터브(1) 사이에 개재시키고, 150℃에서 1 시간 가열하였다. 알루미늄 패드(3)와 구리제 리드 프레임(4)을 금제 와이어(5)로 접합(와이어 본딩)하여 일체화물을 만들었다. 또한, 금제 와이어(4)의 접합은 초음파 열압착법에 의해 접합하였다. 이어서, 이 일체화물에 대해, 금제 와이어(5)와 알루미늄 패드(3) 또는 금제 와이어(5)와 리드 프레임(4)의 접합점을 관찰하고, 아울러 이 금제 와이어(5)를 잡아당겨, 금제 와이어(5)가 떠오른 것을 접합 불량품으로 하였다. 1검체에 64 리드 프레임을 10검체 만들고, 합계 640 pin에 있어서의 불량수를 계수하였다. 또한, 6은 에폭시 수지, 7은 구리제 외부 리드 프레임이다.
이것들의 결과를 표 1에 나타낸다.
조성물 번호 1 2 3 4 5 6 7 8
실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 실시예 5 비교예 1 비교예 2 비교예 3
(A) 100 100 100 100 100 100 100 100
(B)-1 5.4 5.4 5.4 5.4 5.4
(B)-2 5.4
(B)-3 5.4
(B)-4 5.4
(D) 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05
(C)-1 2 2 2 2 2
(C)-2 2
(C)-3 2 2
(F) 0.2 0.2
접촉각(150℃x1h)° 66 65 68 66 64 72 74 76
접착성
동판 응집 파괴 응집 파괴 응집 파괴 응집 파괴 응집 파괴 응집 파괴 응집 파괴 응집 파괴
세라믹 (알루미나)판 응집 파괴 응집 파괴 응집 파괴 응집 파괴 응집 파괴 응집 파괴 응집 파괴 응집 파괴
와이어 본딩의 불량수 0 0 0 0 0 28 43 51

Claims (5)

  1. 가열 경화시에 있어서 유리판에의 오염이 유리판 상의 접촉각 70°이하인 부가 반응 경화형 실리콘 고무 조성물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 펠릿과 이 펠릿 부착 부재를 접합하기 위한 것을 특징으로 하는 실리콘 접착제.
  2. 제1항에 있어서, 부가 반응 경화형 실리콘 고무 조성물이
    (A) 1 분자 중에 2 개 이상의 규소 원자 결합 알켄일기를 갖는 오가노폴리실록산 1100 중량부,
    (B) 100℃×1 시간의 가열 감량이 5 중량% 이하인, 1 분자 중에 2 개 이상의 규소 원자 결합 수소 원자를 갖는 오가노폴리실록산; (A) 성분의 알켄일기 1 개에 대하여 본 성분의 규소 원자 결합 수소 원자를 0.5∼3 개 공급할 수 있기에 충분한 양,
    (C) 규소 원자 결합 알콕시기를 갖고, 또한 규소 원자 결합 수소 원자를 갖지 않는 접착성 부여제; 0.1∼10 중량부,
    (D)백금계 촉매; 촉매량
    으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 접착제.
  3. 제1항에 있어서, 부가 반응 경화형 실리콘 고무 조성물이
    (A) 1 분자 중에 2 개 이상의 규소 원자 결합 알켄일기를 갖는 오가노폴리실 록산; 100 중량부,
    (B) 100℃×1 시간의 가열 감량이 5 중량% 이하인, 1 분자 중에 2 개 이상의 규소 원자 결합 수소 원자를 갖는 오가노폴리실록산; (A) 성분의 알켄일기 1 개에 대하여 본 성분의 규소 원자 결합 수소 원자를 0.5∼3 개 공급할 수 있기에 충분한 양,
    (D) 백금계 촉매; 촉매량
    (E) 접착성 부여제; 0.1∼10 중량부,
    (F) Al 또는 Ti 화합물; 0.05∼10 중량부
    로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 접착제.
  4. 가열 경화시에 있어서 유리판에의 오염이 유리판 상의 접촉각 70°이하인 부가 반응 경화형 실리콘 고무 조성물로 이루어지는 실리콘 접착제에 의해 반도체 펠릿과 이 펠릿 부착 부재를 접합하는 방법.
  5. 가열 경화시에 있어서 유리판에의 오염이 유리판 상의 접촉각 70°이하인 부가 반응 경화형 실리콘 고무 조성물의 반도체 펠릿과 이 펠릿 부착 부재를 접합하는 실리콘 접착제를 위한 용도.
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