KR101501291B1 - 경화성 실리콘 고무 조성물 및 반도체 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 PPA 등의 열가소성 플라스틱 및 금속 전극에 대해서 충분한 접착 강도를 제공하고, 또한 투명성을 갖는 경화물을 제공하는 경화성 실리콘 고무 조성물 및 이 조성물의 경화물에 의해 밀봉된 반도체 장치를 제공한다.
본 발명의 경화성 실리콘 고무 조성물은 (A) 1 분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 함유하는 오르가노폴리실록산, (B) 1 분자 중에 규소 원자에 결합한 수소 원자를 2개 이상 갖는 오르가노히드로젠폴리실록산, (C) 금속계 축합 반응 촉매, (D) 백금족 금속계 부가 반응 촉매 및 (E) 접착 부여 성분을 포함하고, (A) 성분, (A) 성분과 (B) 성분의 혼합물 및 (E) 성분 각각의 굴절률 중 최대값과 최소값의 차가 0.03 이하인 것을 특징으로 한다.
경화성 실리콘 고무 조성물, 반도체 장치, 열가소성 플라스틱, 금속 전극

Description

경화성 실리콘 고무 조성물 및 반도체 장치 {CURABLE SILICONE RUBBER COMPOSITION AND SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 부가 경화형의 실리콘 고무 조성물에 관한 것이고, 특히 PPA(폴리프탈산아미드 수지), 액정 중합체(LCP) 등의 열가소성 플라스틱 및 은, 금 등의 전극 귀금속 등에 접착이 양호한 경화성 실리콘 고무 조성물 및 그의 경화물로 밀봉된 반도체 장치에 관한 것이다.
실리콘 고무 조성물은 내후성, 내열성 등의 특성이나, 경도, 신장도 등의 고무적 성질이 우수한 경화물을 형성하기 때문에, 여러가지 용도에 사용되고 있다.
최근, 내열성이 우수한 열가소성 플라스틱으로서, PPA(폴리프탈산아미드 수지), LCP(액정 중합체) 등이 각종 패키지의 재료로서 검토되고 있고, 또한 프레임 및 전극으로서 Ag, Au, Ni, Pd 등의 금속이 사용되고 있다. 그러나, 실리콘 고무를 이들에 견고하게 접착하는 것은 곤란하다. 또한, 이들 재료를 이용하여 형성한 장치에 있어서의 땜납 조건은, 납을 포함하지 않는 고온 땜납으로 변경되어 있다. 그 때문에, 고온 스트레스나 온도 사이클, 또한 고온 고습에서의 보존에 의해, 패키지와 실리콘 수지와의 계면에서 용이하게 박리가 발생한다는 문제점이 발생하고 있다. 또한 LED(발광 다이오드)의 발열로 실리콘 수지가 열화하여 딱딱해져 균열이 발생한다는 문제가 발생하고 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
일반적으로 부가 경화형의 실리콘 고무 조성물에 있어서는, 각종 실란 커플링제의 첨가에 의해 접착의 향상을 도모하고 있지만, 에폭시기를 많이 포함하는 커플링제는 굴절률이 높고, 조성물의 투명성을 손상시킨다. 또한, 격한 반응을 일으키면 변색하거나, 탁해지거나 하여 광 용도 등에는 부적당하다. 특허 문헌 2에 기재된 부가 경화형 실리콘 고무 조성물은 Ag, Au, Ni, Pd 등의 금속과의 접착성은 우수하지만, 내변색성이나 내광성의 관점에서, 광 용도로서의 사용은 불충분하다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2003-174059호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 제2007-002234호 공보
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 접착이 곤란한 PPA(폴리프탈산아미드 수지), LCP(액정 중합체) 등의 열가소성 플라스틱으로 이루어지는 각종 패키지의 재료나, Ag, Au, Ni, Pd 등의 금속으로 이루어지는 전극에 대해서도 충분한 접착 강도를 제공하고, 또한 양호한 투명성을 갖는 경화물을 제공하는 경화성 실리콘 고무 조성물 및 이 조성물의 경화물에 의해 밀봉된 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자는, 상기 목적을 달성하기 위해서 예의 검토를 거듭한 결과, 소정의 오르가노실록산 성분간의 굴절률의 차가 소정의 값 이하인 경화성 실리콘 고무 조성물이, PPA, LCP 등의 열가소성 플라스틱으로 이루어지는 각종 패키지의 재료나, Ag, Au, Ni, Pd 등의 금속으로 이루어지는 전극 등의, 접착이 곤란한 기재에 대해서도 충분한 접착 강도를 갖고, 투명성이 우수한 경화물을 형성하며, 상기 경화물에 의해 밀봉된 반도체 장치는 신뢰성이 우수하다는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다
따라서, 본 발명은 (A) 하기 화학식 1로 표시되고, 25 ℃에 있어서 10 내지 1,000,000 mPa·s의 점도를 갖는 직쇄상 오르가노폴리실록산 (A-1), 또는
상기 오르가노폴리실록산 (A-1)과, 레진 구조의 오르가노폴리실록산 (A-2)으 로서, SiO2 단위, R3 kR4 pSiO0 .5 단위 및 R3 qR4 rSiO0 .5 단위를 포함하는(단, 상기 화학식에 있어서, R3은 비닐기 또는 알릴기, R4는 지방족 불포화 결합을 포함하지 않는 1가 탄화수소기, k는 2 또는 3, p는 0 또는 1이고, k+p=3, q는 0 또는 1, r은 2 또는 3이며, q+r=3임) 오르가노폴리실록산과의 조합,
Figure 112009017240681-pat00001
(식 중, R1은 서로 독립적으로 비치환 또는 치환 1가 탄화수소기, R2는 서로 독립적으로 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 비치환 또는 치환 1가 탄화수소기, x 및 y는 각각 0 또는 양의 정수이고, x+y는 이 오르가노폴리실록산의 25 ℃의 점도를 10 내지 1,000,000 mPa·s로 하는 수이며, p는 1 내지 3의 정수이다)
(B) 1 분자 중에 SiH기를 2개 이상 갖는 오르가노히드로젠폴리실록산,
(C) 금속계 축합 반응 촉매,
(D) 백금족 금속계 부가 반응 촉매 및
(E) 알케닐기, 알콕시기 및 에폭시기로부터 선택되는 관능성기를 2종 이상 함유하는 오르가노폴리실록산 접착 부여 성분을 함유하여 이루어지고,
(A) 성분, (A) 성분과 (B) 성분의 혼합물 및 (E) 성분 각각의 굴절률 중 최대값과 최소값의 차가 0.03 이하인 것을 특징으로 하는 경화성 실리콘 고무 조성물 이다. 또한, 본 발명은 반도체 칩을 이 조성물의 경화물로 밀봉한 반도체 장치를 제공한다.
본 발명의 경화성 실리콘 고무 조성물은, 지금까지 매우 접착이 곤란하던 Ag, PPA 등의 기판에 대해서 유효한 접착성을 부여하고, 이 조성물의 경화물에 의해 밀봉된 반도체 장치는 엄격한 신뢰성 시험에 견딜 수 있다.
[(A-1) 직쇄상 오르가노폴리실록산]
(A-1) 성분은 25 ℃에 있어서의 점도가 10 내지 1,000,000 mPa·s, 특히 100 내지 100,000 mPa·s가 바람직하다. 상기 점도는 회전 점도계에 의해 측정할 수 있다. 이 직쇄상 오르가노폴리실록산은 하기 화학식 1로 표시되고, 분자쇄 양쪽 말단의 규소 원자 상에 비닐기를 갖는다. 또한, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 양의 분지상 구조(삼관능성 실록산 단위)를 분자쇄 중에 함유할 수도 있다.
<화학식 1>
Figure 112009017240681-pat00002
(식 중, R1은 서로 독립적으로 비치환 또는 치환 1가 탄화수소기이고, R2는 서로 독립적으로 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 비치환 또는 치환 1가 탄화수소기이며, x 및 y는 각각 0 또는 양의 정수이고, x+y는 이 오르가노폴리실록산의 25 ℃의 점도를 10 내지 1,000,000 mPa·s로 하는 수이며, p는 1 내지 3의 정수이다)
화학식 1에서 R1로는, 탄소 원자수 1 내지 10, 특히 1 내지 6의 1가 탄화수소기가 바람직하고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 시클로헥실기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 등의 알킬기; 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 나프틸기 등의 아릴기; 벤질기, 페닐에틸기, 페닐프로필기 등의 아랄킬기; 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 부테닐기, 헥세닐기, 시클로헥세닐기, 옥테닐기 등의 알케닐기; 및 이들 기의 수소 원자의 일부 또는 전부를 불소, 브롬, 염소 등의 할로겐 원자, 시아노기 등으로 치환한 것, 예를 들면 클로로메틸기, 클로로프로필기, 브로모에틸기, 트리플루오로프로필기 등의 할로겐 치환 알킬기 및 시아노에틸기 등을 들 수 있다. 바람직하게는, R1은 메틸기, 페닐기, 또는 비닐기이다.
또한, R2로서도 탄소 원자수 1 내지 10, 특히 1 내지 6의 1가 탄화수소기가 바람직하고, 상기 R1의 구체예와 마찬가지의 것, 단 알케닐기 등의 지방족 불포화 결합을 제외한 것을 예시할 수 있다. R2로는 메틸기, 페닐기가 바람직하다.
(A-1) 성분으로서, 하기의 것이 예시된다.
Figure 112009017240681-pat00003
여기서 p는 1 또는 2, q는 0 내지 3의 정수이고, x 및 y는 각각 0<x+y≤ 2,000을 만족하는 0 이상의 정수이며, 바람직하게는 5≤x+y≤1,500, 더욱 바람직하게는 10≤x+y≤1,000이고, 0≤y/(x+y)≤0.5, 바람직하게는 0≤y/(x+y)≤0.35를 만족하는 정수이다. 이러한 (A-1)로는 하기의 것이 예시된다.
Figure 112009017240681-pat00004
Figure 112009017240681-pat00005
x, y는 상기한 바와 같다.
[(A-2) 레진 구조의 오르가노폴리실록산]
또한, 본 발명에 있어서는, 레진 구조의 오르가노폴리실록산을 상기한 오르가노폴리실록산과 병용하여 사용할 수 있다. 이 레진 구조(즉, 삼차원 메쉬상 구조)의 오르가노폴리실록산은 SiO2 단위, R3 kR4 pSiO0 .5 단위 및 R3 qR4 rSiO0 .5 단위를 포함하는 레진 구조의 오르가노폴리실록산(단, 상기 화학식에 있어서, R3은 비닐기 또는 알릴기, R4는 지방족 불포화 결합을 포함하지 않는 비치환 또는 치환 1가 탄화수소기이고, k는 2 또는 3, p는 0 또는 1이며, k+p=3, q는 0 또는 1, r은 2 또는 3이고, q+r=3임)이다. 또한, 1가 탄화수소기 R4로는, 상기 R2와 같은 탄소 원자수 1 내지 10, 특히 1 내지 6의 것을 들 수 있다.
여기서 레진 구조의 오르가노폴리실록산은 SiO2 단위를 a 단위, R3 kR4 pSiO0.5 단위를 b 단위, R3 qR4 rSiO0 .5 단위를 c 단위로 한 경우, 이들 단위 비율은 몰비로서,
(b+c)/a=0.3 내지 2, 특히 0.7 내지 1.5
c/a=0.1 내지 2, 특히 0.2 내지 1.5
인 것이 바람직하고, 또한 이 오르가노폴리실록산은 GPC에 의한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이 500 내지 10,000의 범위인 것이 바람직하다.
또한, 이 레진 구조의 오르가노폴리실록산은, 상기 a 단위, b 단위, c 단위 에 추가로, 이관능성 실록산 단위나 삼관능성 실록산 단위(즉, 오르가노실세스퀴옥산 단위)를 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위에서 소량 포함할 수도 있다.
이러한 레진 구조의 오르가노폴리실록산은, 각 단위원이 되는 화합물을, 상기 몰 비율이 되도록 조합하고, 예를 들면 산의 존재하에서 공가수분해를 행함으로써 용이하게 합성할 수 있다.
여기서 상기 a 단위원으로는, 규산 소다, 알킬실리케이트, 폴리알킬실리케이트, 사염화규소 등을 예시할 수 있다.
또한, b 단위원으로는, 하기의 화합물을 예시할 수 있다.
Figure 112009017240681-pat00006
또한, c 단위원으로는, 하기의 화합물을 예시할 수 있다.
Figure 112009017240681-pat00007
상기 레진 구조의 오르가노폴리실록산 (A-2)는, 경화물의 물리적 강도 및 표면의 태크성을 개선하는 효과를 발휘한다. 바람직하게는 (A) 성분 중 (A-2) 성분이 20 내지 70 질량％의 양으로 배합되고, 보다 바람직하게는 30 내지 60 질량％의 양으로 배합된다. 레진 구조의 오르가노폴리실록산의 배합량이 지나치게 많으면 조성물의 점도가 현저히 높아지거나, 경화물에 균열이 발생하기 쉬워지는 경우가 있다.
[(B) 오르가노히드로젠폴리실록산]
(B) 오르가노히드로젠폴리실록산은 가교제로서 작용하는 것이고, 상기 성분 중 SiH기와 (A) 성분 중 알케닐기가 부가 반응함으로써 경화물을 형성하는 것이다. 이러한 오르가노히드로젠폴리실록산은, 1 분자 중에 SiH기를 2개 이상, 바람직하게는 3개 이상 갖는다. 상기 오르가노히드로젠폴리실록산으로는, 특히 하기 화학식 2로 표시되고, 1 분자 중에 SiH기를 2개 이상, 바람직하게는 3개 이상 갖는 것이 바람직하게 이용된다.
Ha(R5)bSiO(4-a-b)/2
(식 중, R5는 지방족 불포화 결합을 함유하지 않는 동일하거나 상이한 비치환 또는 치환 1가 탄화수소기이고, a는 0.001≤a<2, b는 0.7≤b≤2, 또한 0.8≤a+b≤3을 만족시키는 수이다)
여기서 상기 화학식 2 중 R5는 탄소 원자수 1 내지 10, 특히 탄소 원자수 1 내지 7의 1가 탄화수소기인 것이 바람직하고, 예를 들면 메틸기 등의 저급 알킬기, 페닐기 등의 아릴기 등, 상술한 화학식 1의 치환기 R2로 예시한 것을 들 수 있다. 또한, a 및 b는, 바람직하게는 0.05≤a≤1, 0.8≤b≤2, 또한 1≤a+b≤2.7이 되는 수이다. 규소 원자에 결합한 수소 원자의 위치는 특별히 제약은 없고, 분자의 말단일 수도 비말단일 수도 있다.
상기 오르가노히드로젠폴리실록산으로는, 트리스(디메틸히드로젠실록시)메틸실란, 트리스(디메틸히드로젠실록시)페닐실란, 1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산, 양쪽 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸히드로젠폴리실록산, 양쪽 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸히드로젠실록산 공중합체, 양쪽 말단 디메틸히드로젠실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산, 양쪽 말단 디메틸히드로젠실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸히드로젠실록산 공중합체, 양쪽 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸히드로젠실록산·디페닐실록산 공중합체, 양쪽 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸히드로젠실록산·디페닐실록산·디메틸실록산 공중합체, (CH3)2HSiO1 /2 단위와 SiO4 /2 단위를 포함하는 공중합체, (CH3)2HSiO1 /2 단위와 SiO4 /2 단위와 (C6H5)SiO3 /2 단위를 포함하는 공중합체 등을 들 수 있다.
오르가노히드로젠폴리실록산 (B)의 예로서, 하기의 직쇄상의 것을 들 수 있다.
Figure 112009017240681-pat00008
여기서 R5는 상기한 바와 같고, r은 0 또는 1이다. c 및 d는 각각 0≤c≤500, 바람직하게는 0≤c≤200의 정수, 0≤d≤500, 바람직하게는 0≤d≤200의 정수 이되, 단 r이 0인 경우는 d는 2 이상의 정수이다. (c+d)는 1≤c+d≤1000, 바람직하게는 1≤c+d≤300을 만족하는 정수이다. 이러한 오르가노히드로젠폴리실록산 (B)의 예로서, 하기의 것을 들 수 있다.
Figure 112009017240681-pat00009
Figure 112009017240681-pat00010
(c1+c2=c)
오르가노히드로젠폴리실록산 (B)의 예로서, 하기 화학식으로 표시되는 분지상 화합물도 들 수 있다.
Figure 112009017240681-pat00011
(B) 성분의 오르가노히드로젠폴리실록산의 분자 구조는, 직쇄상, 환상, 분지상, 삼차원 메쉬상 구조 중 어느 하나일 수도 있지만, 1 분자 중 규소 원자의 수 (또는 중합도)는 3 내지 1,000, 특히 3 내지 300 정도의 것이 사용된다.
이러한 오르가노히드로젠폴리실록산은, 통상 R5SiHCl2, (R5)3SiCl, (R5)2SiCl2, (R5)2SiHCl(R5는 상기와 같음)과 같은 클로로실란을 가수분해하거나, 가수분해하여 얻어진 실록산을 평형화함으로써 얻을 수 있다.
이 오르가노히드로젠폴리실록산의 배합량은, 상기 (A) 성분을 경화하는 데 유효한 양이고, 그 SiH기가 (A) 성분 중 알케닐기(예를 들면 비닐기)의 합계량 1 몰당 0.7 내지 4.0 몰, 바람직하게는 1.0 내지 3.0 몰, 보다 바람직하게는 1.2 내지 2.0 몰의 몰비가 되는 양으로 사용된다. 상기 몰비가 상기 하한값 미만이면 경화물을 얻는 것이 곤란해지는 경우가 있고, 상기 상한값을 초과하면, 미반응의 SiH기가 경화물 중에 다량으로 잔존하여, 고무 물성이 경시적으로 변화하는 원인이 되는 경우가 있다.
[(C) 금속계 축합 반응 촉매]
(C) 금속계 축합 반응 촉매는, 후술하는 (E) 접착 부여 성분 중 에폭시기, 알콕시기 등의 관능성기를 반응시키는 것이다. 상기 금속으로서, 알루미늄과 지르코늄이 바람직하다. 상기 축합 촉매는, 열 등에 의해 실리콘을 개환 중합시킬 가능성이 있기 때문에, 조성물의 보관, 사용 상황에 의해서는, 지르코니아계 촉매가 보다 바람직하다. 알루미늄계 촉매로는, 삼수산화알루미늄, 알루미늄알코올레이트, 알루미늄아실레이트, 알루미늄아실레이트의 염, 알루미노실록시 화합물 및 알 루미늄 금속 킬레이트 화합물이 예시되지만, 이들 중에서 알루미늄킬레이트 화합물이 바람직하다. 이러한 알루미늄킬레이트 화합물을 포함하는 촉매로는, 예를 들면 ACS, 케로프 EB-2(모두 상품명, 호프 세이야꾸(주) 제조) 등을 들 수 있다.
지르코늄 촉매로는, 지르코늄테트라노르말프로폭시드, 지르코늄테트라노르말부톡시드 등의 지르코늄알콕시드, 지르코늄트리부톡시모노아세토네이트, 지르코늄트리부톡시모노아세틸아세토네이트, 지르코늄테트라아세틸아세토네이트 등의 지르코늄킬레이트, 지르코늄트리부톡시모노스테아레이트 지르코늄아세테이트 등의 지르코늄아실레이트 등이 예시된다.
금속계 축합 반응 촉매의 배합량은, (A) 성분과 (E) 성분의 합계 질량에 대해서 바람직하게는 0.005 내지 10 질량％, 보다 바람직하게는 0.05 내지 2 질량％이다. 상기 하한값 미만이면 충분한 효과가 얻어지지 않는 경우가 있고, 상기 상한값을 초과하면 수지의 경화 특성(경도, 외관 등)에 영향을 미치는 경우가 있다.
[(D) 백금족 금속계 부가 반응 촉매]
(D) 백금족 금속계 촉매는, 본 발명 조성물의 부가 경화 반응을 일으키기 위해서 배합되는 것이다. 이 촉매로는, 백금계, 팔라듐계, 로듐계 등의 것이 있지만, 비용 등의 견지로부터 백금, 백금흑, 염화백금산 등의 백금계의 것, 예를 들면 H2PtCl6·mH2O, K2PtCl6, KHPtCl6·mH2O, K2PtCl4, K2PtCl4·mH2O, PtO2·mH2O(m은 양의 정수) 등 및 이들과, 올레핀 등의 탄화수소, 알코올, 또는 비닐기 함유 오르가노폴리실록산과의 착체 등을 예시할 수 있다. 이들은 단독으로도, 2종 이상의 조합으 로도 사용할 수 있다.
이들 촉매 성분의 배합량은, 소위 촉매 유효량일 수 있고, 통상 상기 (A)의 질량에 대해서 백금족 금속 환산(질량)으로 0.1 내지 1,000 ppm, 바람직하게는 0.5 내지 200 ppm의 범위에서 사용된다.
[(E) 접착 부여 성분]
(E) 접착 부여 성분은 알케닐기, 알콕시기 및 에폭시기로부터 선택되는 관능성기를 2종 이상 함유하는 오르가노폴리실록산이다. 알케닐기의 예로는, 규소 원자에 결합된 비닐기, 알릴기를 들 수 있다. 알콕시기의 예로는, 메톡시기, 에톡시기 및 실에틸렌기를 통해 규소 원자에 결합된 트리메톡시실릴기를 들 수 있다. 에폭시기의 예로는, 글리시독시프로필기, 3,4-에폭시시클로헥실에틸기를 들 수 있다. 상기 오르가노폴리실록산은 규소 원자수 4 내지 100개, 바람직하게는 4 내지 50개, 보다 바람직하게는 4 내지 20개 정도를 함유하고, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량이 150 내지 4000인 직쇄상 또는 환상의 오르가노실록산이다.
(E) 접착 부여 성분의 예로는, 하기 화학식에 표시되는 것을 들 수 있다.
Figure 112009017240681-pat00012
Figure 112009017240681-pat00013
Figure 112009017240681-pat00014
(식 중, g, h 및 i는 각각 g+h+i가 1 내지 50, 바람직하게는 4 내지 20을 만족하는 양의 정수이다)
Figure 112009017240681-pat00015
(식 중, L, M 및 N은 각각 L+M+N이 3 내지 8, 바람직하게는 4 내지 6을 만족하는 양의 정수이다)
(E) 접착 부여 성분의 배합량은, (A) 성분 100 질량부에 대해서 0.01 내지 10 질량부가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.01 내지 5 질량부, 가장 바람직하게는 0.1 내지 3 질량부이다. (E) 성분의 배합량이 상기 가감치 미만이면 기재에 대한 접착성이 부족하고, 지나치게 많으면 경화물의 경도나 표면 태크성에 악영향을 미치는 경우가 있다.
본 발명의 조성물은, (A) 성분, (A) 성분과 (B) 성분의 혼합물 및 (E) 성분 각각의 굴절률 중 최대값과 최소값의 차가 0.03 이하, 바람직하게는 0.02 이하, 보 다 바람직하게는 0.015 이하인 것을 특징으로 한다. 여기서 "굴절률"은, 25 ℃에 있어서의 나트륨 D선에 대한 굴절률 nD를 의미하고, 아베 굴절률계를 이용하여 측정할 수 있다. 굴절률의 차가 상기값 이하임으로써 이들 성분의 상용성이 높아질 뿐만 아니라 경화물의 투명도가 높고, 발광 소자의 밀봉에 바람직하다.
상기 굴절률의 요건을 만족시키는 (A) 성분, (B) 성분 및 (E) 성분의 바람직한 조합으로는, (A) 성분, (E) 성분이 모두 방향족기를 함유하지 않는 조합 및 (A) 성분, (B) 성분, (E) 성분 중 하나 이상이 방향족기를 함유하고, 각 성분에 있어서의 방향족기의 몰％ 중 최대값과 최소값이 하기 수학식을 만족시키는 조합을 들 수 있다. 후자에 있어서, 방향족기로는 페닐기가 바람직하고, 그 몰％는 규소 원자에 결합된 치환기의 총 몰량에 대한 방향족기의 몰량의 퍼센테이지이다.
[(최대값-최소값)/최대값)]≤0.3
[그 밖의 첨가제]
본 발명의 조성물에는, 상술한 (A) 내지 (E) 성분 이외에도, 필요에 따라서, 그것 자체 공지된 각종 첨가제를 배합할 수 있다. 예를 들면, 발연 실리카, 발연 이산화티탄 등의 보강성 무기 충전제; 및 탄산칼슘, 규산칼슘, 이산화티탄, 산화제2철, 카본 블랙, 산화아연 등의 비보강성 무기 충전제를, 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위, 바람직하게는 본원 조성물 전체의 1 내지 50 질량％로 적절하게 배합할 수 있다.
본 발명의 실리콘 고무 조성물은, 상술한 각 성분을 균일하게 혼합함으로써 제조되지만, 통상은 경화가 진행되지 않도록 2액으로 나눠 보존되고, 사용시에 2액을 혼합하여 경화를 행한다. 물론, 아세틸렌알코올 등의 경화 억제제를 소량 첨가하여 1액으로서 이용할 수도 있다. 또한, 2액 혼합 타입으로는 (B) 성분과 (C) 성분의 동액 배합은 탈수소 반응의 위험성으로부터 피할 필요가 있다.
또한, 얻어진 실리콘 고무 조성물의 회전 점도계에 의해 측정한 25 ℃에 있어서의 점도는, 100 내지 10,000,000 mPa·s, 특히는 300 내지 500,000 mPa·s 정도가 바람직하다.
본 발명의 실리콘 고무 조성물은, 필요에 따라서 가열함으로써 즉시 경화하여, 높은 투명성을 가지며 LCP 등의 패키지 재료나 금속 기판에 매우 잘 접착하기 때문에, LED, 포토 다이오드, CCD, CMOS 등의 반도체 칩을 피복 또는 밀봉하는 재료로서 널리 사용할 수 있다.
또한, 본 발명 조성물의 경화 조건은 특별히 제한되는 것은 아니지만, 통상 40 내지 250 ℃, 바람직하게는 60 내지 200 ℃에서 5 분 내지 10 시간, 바람직하게는 30 분 내지 6 시간 정도로 경화할 수 있다.
지지체 상에 마운트된 반도체 칩을 피복 또는 밀봉하기 위해서는, 이 반도체 칩 상에 본 발명의 조성물을 적용하는, 소요의 형상으로 성형 후에 가열 경화시킬 수 있다.
이하, 실시예 및 비교예에 의해 본 발명을 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예로 제한되는 것은 아니다. 또한, 하기의 예에 있어서, 부는 질량부를 나타내고, Me는 메틸기를 나타내며, Ph는 페닐기를 나타내고, Vi는 비닐기를 나타낸다. 또한, 굴절률은 아베 굴절률계를 이용하여 25 ℃에 있어서 측정한 나트륨 D선에 대한 굴절률 nD를 나타낸다.
[실시예 1]
하기 화학식 i
<화학식 i>
Figure 112009017240681-pat00016
로 표시되는 폴리실록산(VF) 50부와, SiO2 단위 50 몰％, (CH3)3SiO0 .5 단위42.5 몰％ 및 Vi3SiO0 .5 단위 7.5 몰％로 이루어지는 레진 구조의 비닐메틸실록산(VMQ) 50부를 혼합하였다. 상기 혼합물의 굴절률은 1.41이었다. 상기 혼합물에 SiH기량이 상기 VF 및 VMQ 성분 중 비닐기의 합계량당 1.5배 몰이 되는 양의 하기 화학식 ii
<화학식 ii>
Figure 112009017240681-pat00017
로 표시되는 오르가노히드로젠폴리실록산을 첨가하여 혼합하였다. 얻어진 혼합물(굴절률 1.41)에 염화백금산의 옥틸알코올 변성 용액(백금 농도 2 질량％) 0.05부, 알루미늄킬레이트 촉매(ACS(상품명), 호프 세이야꾸 제조) 0.1부 및 하기 화학식
Figure 112009017240681-pat00018
으로 표시되는 접착 부여 성분(굴절률 1.42) 1부를 혼합하고, 실리콘 고무 조성물을 제조하였다.
[실시예 2]
실시예 1에서 이용한 접착 부여 성분을 하기 화학식
Figure 112009017240681-pat00019
으로 표시되는 굴절률 1.43으로 변경한 것 이외에, 실시예 1과 동일하게 하여 실리콘 고무 조성물을 제조하였다.
[실시예 3]
하기 화학식으로 나타내는 비닐실록산 100부(굴절률 1.51)와 하기 화학식으로 나타내는 히드로젠실록산 8부의 혼합물(굴절률 1.51)을 제조하였다.
Figure 112009017240681-pat00020
그 혼합물 100부에 염화백금산의 옥틸알코올 변성 용액(백금 농도 2 질량％) 0.05부, 알루미늄킬레이트 촉매(ACS(상품명), 호프 세이야꾸 제조) 0.1부 및 접착 부여 성분으로서 하기 화학식
Figure 112009017240681-pat00021
으로 표시되는 굴절률 1.50의 접착 부여 성분 1부를 이용하여, 실시예 1과 동일하게 하여 실리콘 고무 조성물을 제조하였다.
[실시예 4]
하기 화학식 i
<화학식 i>
Figure 112009017240681-pat00022
로 표시되는 폴리실록산(VF) 50부와, SiO2 단위 50 몰％, (CH3)3SiO0.5 단위 42.5 몰％ 및 Vi3SiO0.5 단위 7.5 몰％로 이루어지는 레진 구조의 비닐메틸실록산(VMQ) 50부를 혼합하였다. 상기 혼합물의 굴절률은 1.41이었다. 상기 혼합물에 SiH기량이 상기 VF 및 VMQ 성분 중 비닐기의 합계량당 1.5배 몰이 되는 양의 하기 화학식 ii
<화학식 ii>
Figure 112009017240681-pat00023
로 표시되는 오르가노히드로젠폴리실록산을 첨가하여 혼합하였다. 얻어진 혼합물(굴절률 1.41)에, 염화백금산의 옥틸알코올 변성 용액(백금 농도 2 질량％) 0.05부, 지르코늄알콕시드(오르가틱스 ZA60(상품명), 마츠모토 코쇼 제조) 0.1부 및 하기 화학식
Figure 112009017240681-pat00024
으로 표시되는 접착 부여 성분(굴절률 1.42) 1부를 혼합하고, 실리콘 고무 조성물을 제조하였다.
[비교예 1]
알루미늄 금속 킬레이트 촉매 ACS를 첨가하지 않는 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 실리콘 고무 조성물을 제조하였다.
[비교예 2]
알루미늄 금속 킬레이트 촉매 ACS를 첨가하지 않는 것 이외에는 실시예 3과 동일하게 하여 실리콘 고무 조성물을 제조하였다.
[비교예 3]
실시예 1에서 이용한 접착 부여 성분을, 실시예 3에서 이용한 접착 부여 성분으로 변경한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 하여 실리콘 고무 조성물을 제조하였다.
[평가 방법]
각 조성물을 이하의 방법으로 평가하였다. 결과를 하기 표 1 내지 3에 나타낸다.
<외관, 광투과율, 인장 강도, 경도, 신장율>
조성물을 150 ℃/4 시간으로 가열 성형하여 1 mm 두께의 경화물을 형성하여 외관을 육안으로 관찰하였다. 또한, 흡광 광도계로 광투과율(450 nm)을 측정하였다. 또한, JIS K 6301에 준거하여 인장 강도, 경도(A형 스프링 시험기를 이용하여 측정) 및 신장율을 측정하였다.
<PPA 전단 접착력>
도 1에 나타낸 바와 같이, 폭 25 mm의 PPA(폴리프탈산아미드 수지) 제조의 기재편 (1) 및 (2)의 각각의 한쪽 단부를, 두께 1 mm로 시여된 조성물층 (3)을 사이에 끼워 길이 10 mm에 걸쳐 중첩하고, 150 ℃에서 4 시간 동안 가열하여 조성물층 (3)을 경화시켰다. 이와 같이 하여 제조한 시험체를 실온에서 12 시간 이상 방치한 후, 이 시험체의 양끝 (4)와 (5)를 화살표의 방향으로 인장 시험기로 인장함으로써, 인장 전단 접착력을 측정하였다.
<응집 파괴율>
상기 전단 접착력을 측정했을 때의 시험체의 파단면에 대해서, 파단면 전체의 면적에 대해서 응집 파괴(즉, PPA와 실리콘 고무(조성물층 (3)의 경화물)가 계면 박리하지 않고 실리콘 고무 자체가 파단)된 부분의 면적의 비율(백분율)을 응집 파괴율로서 평가하였다.
<내리플로우성>
도 2에서 표시되는 더미 패키지(상표명: 아모델, 솔베이 제조)에 실리콘 고무 조성물을 봉입하고, 150 ℃/4 시간의 조건으로 경화하고, MSL 레벨 2에 준하여 가습 리플로우 시험을 실시하였다. 도 2에 있어서, PPA(폴리프탈산아미드 수지)로 이루어지는 패키지 (6)의 오목부에는, 리드 프레임 (8)의 은 도금된 패드 상에 반도체 칩 (9)가 장착되어 있고, 와이어 (10)에 의해서 전극에 접속되어 있다. 상기 오목부에 실리콘 고무 조성물 (7)을 주입하여, 경화시켜 반도체 칩 (9) 및 와이어 (10)을 밀봉하였다. 얻어진 장치를 85 ℃/85 ％의 항온조 내에 놓고, 칩 (9)에 소정 시간 20 mA를 통전하고, 조성물 (7)의 박리의 유무를 관찰하였다. 또한 가습 리플로우 시험은, MSL 시험법에 준하여 60 ℃/90 ％ RH의 분위기하에 16 시간 동안 방치하여 충분히 흡습시킨 후, 최고 온도 260 ℃의 IR 리플로우로를 통과시켜, 85 ℃/85 ％ RH에서 1000 시간까지의 박리, 균열의 발생을 육안으로 관찰하였다. 이들 결과를 표 3에 나타낸다. 또한, 표 3 중, 수치는 샘플수 n=20에 있어서의 불량 발생이 인정된 장치의 비율(％)을 나타낸다.
Figure 112009017240681-pat00025
Figure 112009017240681-pat00026
Figure 112009017240681-pat00027
n=20 (샘플수)
비교예 3은, 본 발명의 굴절률의 요건을 누락한 조성물이다. 상기 조성물을 이용한 장치는 내열충격성은 양호하지만, 투명성이 떨어졌다.
<산업상의 이용 가능성>
본 발명의 조성물은 반도체, 특히 광 반도체의 밀봉에 바람직하다.
도 1은 본 발명의 실시예에 있어서의 전단 접착력의 측정 방법을 설명하는 개략 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 있어서의 가습 리플로우 시험에 이용한 패키지 형상을 설명하는 개략 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명>
1, 2: 기재편
3: 조성물(경화물)층
6: 패키지
7: 밀봉 재료(실리콘 고무 조성물)
8: 리드 프레임(은 도금)
9: 칩
10: 와이어

Claims (8)

  1. (A) 하기 화학식 1로 표시되고, 25 ℃에 있어서 10 내지 1,000,000 mPa·s의 점도를 갖는 직쇄상 오르가노폴리실록산 (A-1), 또는
    상기 오르가노폴리실록산 (A-1)과, 레진 구조의 오르가노폴리실록산 (A-2)으로서, SiO2 단위, R3 kR4 pSiO0.5 단위 및 R3 qR4 rSiO0.5 단위를 포함하는(단, 화학식에 있어서, R3은 비닐기 또는 알릴기, R4는 지방족 불포화 결합을 포함하지 않는 1가 탄화수소기, k는 2 또는 3, p는 0 또는 1이고, k+p=3, q는 0 또는 1, r은 2 또는 3이며, q+r=3임) 오르가노폴리실록산과의 조합,
    <화학식 1>
    Figure 112014095131794-pat00028
    (식 중, R1은 서로 독립적으로 비치환 또는 치환 1가 탄화수소기, R2는 서로 독립적으로 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 비치환 또는 치환 1가 탄화수소기, x 및 y는 각각 0 또는 양의 정수이고, x+y는 이 오르가노폴리실록산의 25 ℃의 점도를 10 내지 1,000,000 mPa·s로 하는 수이고, p는 1 내지 3의 정수이다)
    (B) 1 분자 중에 SiH기를 2개 이상 갖는 오르가노히드로젠폴리실록산,
    (C) 금속계 축합 반응 촉매,
    (D) 백금족 금속계 부가 반응 촉매, 및
    (E) 알케닐기, 알콕시기 및 에폭시기로부터 선택되는 관능성기를 2종 이상 함유하는 오르가노폴리실록산 접착 부여 성분을 함유하여 이루어지고,
    (A) 성분, (B) 성분 및 (E) 성분 모두가 방향족기를 함유하고,
    (A) 성분, (A) 성분과 (B) 성분의 혼합물 및 (E) 성분 각각의 굴절률 중 최대값과 최소값의 차가 0.03 이하인 것을 특징으로 하는 경화성 실리콘 고무 조성물.
  2. 제1항에 있어서, (A) 성분, (A) 성분과 (B) 성분의 혼합물 및 (E) 성분 각각의 굴절률 중 최대값과 최소값의 차가 0.02 이하인 경화성 실리콘 고무 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, (A-2) 성분이 (A) 성분 중 20 내지 70 질량％로 함유되는 경화성 실리콘 고무 조성물.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, (A) 성분, (B) 성분 및 (E) 성분 모두가 방향족기를 함유하고, 각 성분에 있어서의 방향족기의 몰% 중 최대값과 최소값이 수학식 [(최대값-최소값)/최대값)]≤0.3을 만족시키는 것을 특징으로 하는 경화성 실리콘 고무 조성물.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, (B) 성분을 (B) 성분 중 SiH기가 (A) 성분 중 알케닐기 1 몰당 0.7 내지 4.0 몰이 되는 양으로, (E) 성분을 (A) 성분 100 질량부에 대해서 0.01 내지 10 질량부로, (C) 성분을 (A) 성분과 (E) 성분의 합계 100 질량부에 대해서 0.005 내지 10 질량％로, 및 (D) 성분을 (A) 성분의 질량에 대해서 백금족 금속 환산으로 0.1 내지 1,000 ppm 함유하는 것을 특징으로 하는 경화성 실리콘 고무 조성물.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, (C) 성분이 알루미늄계 촉매 또는 지르코늄계 촉매인 경화성 실리콘 고무 조성물.
  7. 반도체 칩과, 상기 칩을 피복 또는 밀봉하는 제1항 또는 제2항에 기재된 경화성 실리콘 고무 조성물의 경화물을 갖는 반도체 장치.
  8. 삭제
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002265787A (ja) * 2001-03-06 2002-09-18 Shin Etsu Chem Co Ltd 付加硬化型シリコーン樹脂組成物
JP2007002234A (ja) * 2005-05-27 2007-01-11 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性シリコーンゴム組成物及び半導体装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002265787A (ja) * 2001-03-06 2002-09-18 Shin Etsu Chem Co Ltd 付加硬化型シリコーン樹脂組成物
JP2007002234A (ja) * 2005-05-27 2007-01-11 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性シリコーンゴム組成物及び半導体装置

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