JPH11243100A - 半導体素子パッケージの製造方法及びこれに使用するオルガノポリシロキサン組成物 - Google Patents
半導体素子パッケージの製造方法及びこれに使用するオルガノポリシロキサン組成物Info
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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-
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-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低ヤング率で経時によるヤング率の変化も少
なく、且つ歪み応力の少ない硬化物を形成し得る付加硬
化型オルガノポリシロキサン組成物をポッテイング材と
して使用し、半導体素子搭載基板に割れが発生しない半
導体素子パッケージを製造する。 【解決手段】 半導体素子を搭載した基板をケース内に
収納し、該ケース内において前記半導体搭載基板を、硬
化後のヤング率が１〜１２ｋｇｆ／ｃｍ2である付加硬
化型オルガノポリシロキサン組成物でポッテイングす
る。
なく、且つ歪み応力の少ない硬化物を形成し得る付加硬
化型オルガノポリシロキサン組成物をポッテイング材と
して使用し、半導体素子搭載基板に割れが発生しない半
導体素子パッケージを製造する。 【解決手段】 半導体素子を搭載した基板をケース内に
収納し、該ケース内において前記半導体搭載基板を、硬
化後のヤング率が１〜１２ｋｇｆ／ｃｍ2である付加硬
化型オルガノポリシロキサン組成物でポッテイングす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、歪み応力の低い硬
化物を形成する付加硬化型オルガノポリシロキサン組成
物を用いた半導体素子パッケージの製造方法及びこの方
法に使用するポッティング材として好適な付加硬化型オ
ルガノポリシロキサン組成物に関する。
化物を形成する付加硬化型オルガノポリシロキサン組成
物を用いた半導体素子パッケージの製造方法及びこの方
法に使用するポッティング材として好適な付加硬化型オ
ルガノポリシロキサン組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、エポキシ樹脂は接着性、電気
特性、機械特性、耐湿性等に優れているため、ダイオー
ド、トランジスター、集積回路（ＩＣ，ＬＳＩ、超ＬＳ
Ｉ）、メモリー素子等の電子部品を搭載したプリント回
路基板やハイブリッドＩＣのポッティング用電気絶縁材
料として利用されている。その利用例としては半導体素
子パッケージがあるが、これは、半導体素子を搭載した
基板をケース内に収納し、このケース内において前記半
導体搭載基板をエポキシ樹脂によりポッティングするこ
とにより製造されている。しかし、近年の電気・電子部
品の高密度・高集積化に伴って、電気・電子部品を搭載
した基板での発熱によりエポキシ樹脂に大きな歪み応力
が発生し、基板に割れが生じる等の問題がある。そこ
で、この歪み応力を抑えるため、ポッティング材として
エポキシ樹脂に代わって付加硬化型シリコーンゴム（オ
ルガノポリシロキサン）組成物を用いる試みもなされて
いるが、未だ十分な歪み応力抑制効果は得られていな
い。
特性、機械特性、耐湿性等に優れているため、ダイオー
ド、トランジスター、集積回路（ＩＣ，ＬＳＩ、超ＬＳ
Ｉ）、メモリー素子等の電子部品を搭載したプリント回
路基板やハイブリッドＩＣのポッティング用電気絶縁材
料として利用されている。その利用例としては半導体素
子パッケージがあるが、これは、半導体素子を搭載した
基板をケース内に収納し、このケース内において前記半
導体搭載基板をエポキシ樹脂によりポッティングするこ
とにより製造されている。しかし、近年の電気・電子部
品の高密度・高集積化に伴って、電気・電子部品を搭載
した基板での発熱によりエポキシ樹脂に大きな歪み応力
が発生し、基板に割れが生じる等の問題がある。そこ
で、この歪み応力を抑えるため、ポッティング材として
エポキシ樹脂に代わって付加硬化型シリコーンゴム（オ
ルガノポリシロキサン）組成物を用いる試みもなされて
いるが、未だ十分な歪み応力抑制効果は得られていな
い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、弾性率、特にヤング率が低く、経時によってもヤン
グ率の変化が少なく、従って歪み応力の少ない硬化物を
形成し得る付加硬化型オルガノポリシロキサン組成物を
ポッティング材として使用することにより、半導体素子
搭載基板に割れが発生しない半導体素子パッケージを得
ることができる半導体素子パッケージの製造方法及び上
記ポッティング材として好適な、電子部品のポッティン
グ用付加硬化型オルガノポリシロキサン組成物を提供す
ることである。
は、弾性率、特にヤング率が低く、経時によってもヤン
グ率の変化が少なく、従って歪み応力の少ない硬化物を
形成し得る付加硬化型オルガノポリシロキサン組成物を
ポッティング材として使用することにより、半導体素子
搭載基板に割れが発生しない半導体素子パッケージを得
ることができる半導体素子パッケージの製造方法及び上
記ポッティング材として好適な、電子部品のポッティン
グ用付加硬化型オルガノポリシロキサン組成物を提供す
ることである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体素子を
搭載した基板をケース内に収納し、該ケース内において
前記半導体搭載基板を付加硬化型オルガノポリシロキサ
ン組成物でポッティングする半導体素子パッケージの製
造方法であって、該組成物が硬化後１〜１２ｋｇｆ／ｃ
ｍ2のヤング率を示すものであることを特徴とする半導
体素子パッケージの製造方法を提供する。
搭載した基板をケース内に収納し、該ケース内において
前記半導体搭載基板を付加硬化型オルガノポリシロキサ
ン組成物でポッティングする半導体素子パッケージの製
造方法であって、該組成物が硬化後１〜１２ｋｇｆ／ｃ
ｍ2のヤング率を示すものであることを特徴とする半導
体素子パッケージの製造方法を提供する。
【０００５】また本発明は、（Ａ）１分子中に少なくと
も２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサ
ン １００重量部、（Ｂ）ケイ素原子に結合する水素原
子を１分子中に少なくとも２個含有するオルガノハイド
ロジェンポリシロキサン ０．１〜５０重量部、及び
（Ｃ）触媒量のヒドロシリル化反応用触媒を含有してな
り、硬化後のヤング率が１〜１２ｋｇｆ／ｃｍ2であ
る、上記製造方法に使用するポッティング材として好適
な、電子部品のポッティング用付加硬化型オルガノポリ
シロキサン組成物を提供する。
も２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサ
ン １００重量部、（Ｂ）ケイ素原子に結合する水素原
子を１分子中に少なくとも２個含有するオルガノハイド
ロジェンポリシロキサン ０．１〜５０重量部、及び
（Ｃ）触媒量のヒドロシリル化反応用触媒を含有してな
り、硬化後のヤング率が１〜１２ｋｇｆ／ｃｍ2であ
る、上記製造方法に使用するポッティング材として好適
な、電子部品のポッティング用付加硬化型オルガノポリ
シロキサン組成物を提供する。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明による半導体素子パッケー
ジの製造は、まず半導体素子を搭載した基板をケース内
の所定位置に収納した後、該ケース内に、硬化後のヤン
グ率が１〜１２ｋｇｆ／ｃｍ2である付加硬化型オルガ
ノポリシロキサン組成物を注入、硬化させて、前記半導
体素子搭載基板を該組成物でポッティングすることによ
り行われる。なお、本発明において基板をケース内に
“収納”するとは、縦幅、横幅がいずれもケース内面の
縦幅、横幅以下の基板を、ケース内部に収容する場合に
加えて、縦幅、横幅のいずれか一方がケース内面の縦
幅、横幅より大きい基板をケースの両側面を貫通させて
収容する場合をも含むものである。
ジの製造は、まず半導体素子を搭載した基板をケース内
の所定位置に収納した後、該ケース内に、硬化後のヤン
グ率が１〜１２ｋｇｆ／ｃｍ2である付加硬化型オルガ
ノポリシロキサン組成物を注入、硬化させて、前記半導
体素子搭載基板を該組成物でポッティングすることによ
り行われる。なお、本発明において基板をケース内に
“収納”するとは、縦幅、横幅がいずれもケース内面の
縦幅、横幅以下の基板を、ケース内部に収容する場合に
加えて、縦幅、横幅のいずれか一方がケース内面の縦
幅、横幅より大きい基板をケースの両側面を貫通させて
収容する場合をも含むものである。
【０００７】本発明方法で使用する付加硬化型オルガノ
ポリシロキサン組成物の代表例としては、（Ａ）１分子
中に少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノ
ポリシロキサン １００重量部、（Ｂ）ケイ素原子に結
合する水素原子を１分子中に少なくとも２個含有するオ
ルガノハイドロジェンポリシロキサン ０．１〜５０重
量部、及び（Ｃ）触媒量のヒドロシリル化反応用触媒を
含有し、硬化後、１〜１２ｋｇｆ／ｃｍ2のヤング率を
有する硬化物を形成できるものが挙げられる。
ポリシロキサン組成物の代表例としては、（Ａ）１分子
中に少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノ
ポリシロキサン １００重量部、（Ｂ）ケイ素原子に結
合する水素原子を１分子中に少なくとも２個含有するオ
ルガノハイドロジェンポリシロキサン ０．１〜５０重
量部、及び（Ｃ）触媒量のヒドロシリル化反応用触媒を
含有し、硬化後、１〜１２ｋｇｆ／ｃｍ2のヤング率を
有する硬化物を形成できるものが挙げられる。
【０００８】この種の付加硬化型オルガノポリシロキサ
ン組成物を構成する上記（Ａ）、（Ｂ）の両成分には、
通常、不純物として重合度３〜１０の低分子環状シロキ
サン（通常、無官能性のジメチルシロキサン環状３〜１
０量体）（以下、Ｄ3〜Ｄ10という）が含まれている。
また、後述するように、本発明の組成物には任意成分と
して、（Ａ）、（Ｂ）の両成分以外の他のオルガノポリ
シロキサンや有機ケイ素化合物を含有することができ
る。これら他のオルガノポリシロキサンや有機ケイ素化
合物にもＤ3〜Ｄ10が含まれているか、或いは含まれて
いる可能性がある。本発明で使用する付加硬化型オルガ
ノポリシロキサン組成物においては、これら不純物の揮
発による半導体素子の劣化を防止するため、組成物中に
含まれるＤ3〜Ｄ10の合計量は、重量基準で１，０００
ｐｐｍ以下、特に０〜６００ｐｐｍに抑制されているこ
とが好ましい。
ン組成物を構成する上記（Ａ）、（Ｂ）の両成分には、
通常、不純物として重合度３〜１０の低分子環状シロキ
サン（通常、無官能性のジメチルシロキサン環状３〜１
０量体）（以下、Ｄ3〜Ｄ10という）が含まれている。
また、後述するように、本発明の組成物には任意成分と
して、（Ａ）、（Ｂ）の両成分以外の他のオルガノポリ
シロキサンや有機ケイ素化合物を含有することができ
る。これら他のオルガノポリシロキサンや有機ケイ素化
合物にもＤ3〜Ｄ10が含まれているか、或いは含まれて
いる可能性がある。本発明で使用する付加硬化型オルガ
ノポリシロキサン組成物においては、これら不純物の揮
発による半導体素子の劣化を防止するため、組成物中に
含まれるＤ3〜Ｄ10の合計量は、重量基準で１，０００
ｐｐｍ以下、特に０〜６００ｐｐｍに抑制されているこ
とが好ましい。
【０００９】以下に、上記付加硬化型オルガノポリシロ
キサン組成物の構成成分について詳述する。（Ａ）アルケニル基含有オルガノポリシロキサン （Ａ）成分のアルケニル基含有オルガノポリシロキサン
は、この組成物のベースポリマーであり、１分子中に少
なくとも２個のアルケニル基を含有するものである。こ
のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル
基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イ
ソブテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、シクロヘ
キセニル基、シクロヘプテニル基等の通常、炭素原子数
２〜８程度のものが挙げられ、中でもビニル基、アリル
基等の炭素原子数２〜４の低級アルケニル基が好まし
い。これらのアルケニル基は、分子鎖末端のケイ素原子
及び分子鎖途中のケイ素原子のいずれかに結合したもの
であっても、或いはこの両方に結合したものであっても
よいが、硬化物の物性等の点から、少なくとも分子鎖両
末端のケイ素原子に結合したアルケニル基を含有するも
のであることが好ましい。
キサン組成物の構成成分について詳述する。（Ａ）アルケニル基含有オルガノポリシロキサン （Ａ）成分のアルケニル基含有オルガノポリシロキサン
は、この組成物のベースポリマーであり、１分子中に少
なくとも２個のアルケニル基を含有するものである。こ
のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル
基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イ
ソブテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、シクロヘ
キセニル基、シクロヘプテニル基等の通常、炭素原子数
２〜８程度のものが挙げられ、中でもビニル基、アリル
基等の炭素原子数２〜４の低級アルケニル基が好まし
い。これらのアルケニル基は、分子鎖末端のケイ素原子
及び分子鎖途中のケイ素原子のいずれかに結合したもの
であっても、或いはこの両方に結合したものであっても
よいが、硬化物の物性等の点から、少なくとも分子鎖両
末端のケイ素原子に結合したアルケニル基を含有するも
のであることが好ましい。
【００１０】（Ａ）成分において、アルケニル基以外の
ケイ素原子に結合する有機基としては、アルケニル基を
除く炭素原子数１〜１２、好ましくは炭素原子数１〜８
の置換又は非置換の１価炭化水素基、例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル
基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキ
シル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル
基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル
基等のシクロアルキル基；フェニル基、トリル基、キシ
リル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェ
ニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基；
並びにこれらの基の炭素原子に結合している水素原子の
少なくとも一部がフッ素、塩素、臭素等のハロゲン原
子、シアノ基等で置換された基、例えば、クロロメチル
基、２−ブロモエチル基、３−クロロプロピル基、３，
３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキ
ル基；クロロフェニル基；フルオロフェニル基；シアノ
エチル基等が挙げられる。中でもメチル基及びフェニル
基が好ましい。このような（Ａ）成分の分子構造として
は、例えば、直鎖状、一部分岐を有する直鎖状、環状、
分岐鎖状、三次元網状（レジン状）等が挙げられる。ま
た（Ａ）成分の２５℃における粘度は、組成物の取扱作
業性が良好であること、及び組成物を硬化して得られる
シリコーンゴムの物理的特性が良好であることから、１
０〜５００，０００ｃｐの範囲、特に５０〜１００，０
００ｃｐの範囲内にあることが好ましい。
ケイ素原子に結合する有機基としては、アルケニル基を
除く炭素原子数１〜１２、好ましくは炭素原子数１〜８
の置換又は非置換の１価炭化水素基、例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル
基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキ
シル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル
基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル
基等のシクロアルキル基；フェニル基、トリル基、キシ
リル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェ
ニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基；
並びにこれらの基の炭素原子に結合している水素原子の
少なくとも一部がフッ素、塩素、臭素等のハロゲン原
子、シアノ基等で置換された基、例えば、クロロメチル
基、２−ブロモエチル基、３−クロロプロピル基、３，
３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキ
ル基；クロロフェニル基；フルオロフェニル基；シアノ
エチル基等が挙げられる。中でもメチル基及びフェニル
基が好ましい。このような（Ａ）成分の分子構造として
は、例えば、直鎖状、一部分岐を有する直鎖状、環状、
分岐鎖状、三次元網状（レジン状）等が挙げられる。ま
た（Ａ）成分の２５℃における粘度は、組成物の取扱作
業性が良好であること、及び組成物を硬化して得られる
シリコーンゴムの物理的特性が良好であることから、１
０〜５００，０００ｃｐの範囲、特に５０〜１００，０
００ｃｐの範囲内にあることが好ましい。
【００１１】このような（Ａ）成分のアルケニル基含有
オルガノポリシロキサンとしては、例えばメチルビニル
シロキサン環状重合体、メチルビニルシロキサン・ジメ
チルシロキサン環状共重合体、分子鎖両末端トリメチル
シロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロ
キサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封
鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチ
ルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシ
ロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖
両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロ
キサン、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メ
チルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルビニ
ルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシ
ロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキ
シ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン
・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端メ
チルジビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、
分子鎖両末端トリビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシ
ロキサン、式：Ｒ1 3ＳｉＯ1/2（但し、Ｒ1はアルケニル
基を除く１価炭化水素基である。以下同様。）で示され
るシロキサン単位と式：Ｒ1 2Ｒ2ＳｉＯ1/2（但し、Ｒ2
はアルケニル基である。以下同様。）で示されるシロキ
サン単位と式：Ｒ1 2ＳｉＯ2/2で示されるシロキサン単
位と少量の式：ＳｉＯ4/2で示されるシロキサン単位と
からなるオルガノポリシロキサン共重合体、Ｒ1 3ＳｉＯ
1/2単位とＲ1 2Ｒ2ＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ4/2単位とから
なるオルガノポリシロキサン共重合体、Ｒ1 2Ｒ2ＳｉＯ
1/2単位とＲ1 2ＳｉＯ2/2単位と少量のＳｉＯ4/2単位と
からなるオルガノポリシロキサン共重合体、Ｒ1Ｒ2Ｓｉ
Ｏ2/2単位と少量のＲ1ＳｉＯ3/2単位及び／又はＲ2Ｓｉ
Ｏ3/2単位とからなるオルガノポリシロキサン共重合体
が挙げられる。これらのアルケニル基含有オルガノポリ
シロキサンは単独で又は２種以上組み合わせて使用する
ことができる。なお、上記式におけるＲ1のアルケニル
基を除く１価炭化水素基及びＲ2のアルケニル基の具体
例は前述したとおりである。
オルガノポリシロキサンとしては、例えばメチルビニル
シロキサン環状重合体、メチルビニルシロキサン・ジメ
チルシロキサン環状共重合体、分子鎖両末端トリメチル
シロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロ
キサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封
鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチ
ルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシ
ロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖
両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロ
キサン、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メ
チルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルビニ
ルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシ
ロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキ
シ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン
・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端メ
チルジビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、
分子鎖両末端トリビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシ
ロキサン、式：Ｒ1 3ＳｉＯ1/2（但し、Ｒ1はアルケニル
基を除く１価炭化水素基である。以下同様。）で示され
るシロキサン単位と式：Ｒ1 2Ｒ2ＳｉＯ1/2（但し、Ｒ2
はアルケニル基である。以下同様。）で示されるシロキ
サン単位と式：Ｒ1 2ＳｉＯ2/2で示されるシロキサン単
位と少量の式：ＳｉＯ4/2で示されるシロキサン単位と
からなるオルガノポリシロキサン共重合体、Ｒ1 3ＳｉＯ
1/2単位とＲ1 2Ｒ2ＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ4/2単位とから
なるオルガノポリシロキサン共重合体、Ｒ1 2Ｒ2ＳｉＯ
1/2単位とＲ1 2ＳｉＯ2/2単位と少量のＳｉＯ4/2単位と
からなるオルガノポリシロキサン共重合体、Ｒ1Ｒ2Ｓｉ
Ｏ2/2単位と少量のＲ1ＳｉＯ3/2単位及び／又はＲ2Ｓｉ
Ｏ3/2単位とからなるオルガノポリシロキサン共重合体
が挙げられる。これらのアルケニル基含有オルガノポリ
シロキサンは単独で又は２種以上組み合わせて使用する
ことができる。なお、上記式におけるＲ1のアルケニル
基を除く１価炭化水素基及びＲ2のアルケニル基の具体
例は前述したとおりである。
【００１２】（Ｂ）オルガノハイドロジェンポリシロキ
サン （Ｂ）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサン
は、この組成物の架橋剤であり、１分子中に少なくとも
２個、好ましくは少なくとも３個のケイ素原子結合水素
原子（即ち、ＳｉＨ基）を含有する。（Ｂ）成分におい
て、このケイ素原子結合水素原子の結合位置としては、
例えば分子鎖末端のケイ素原子及び／又は分子鎖途中の
ケイ素原子が挙げられる。（Ｂ）成分において、ケイ素
原子に結合する有機基としては、（Ａ）成分の場合と同
様、アルケニル基を除く炭素原子数１〜１２、好ましく
は炭素原子数１〜８の置換又は非置換の１価炭化水素
基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、
ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキ
シル基、オクチル基等のアルキル基；シクロペンチル
基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；フェニル
基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール
基；ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル
基等のアラルキル基；並びにこれらの基の炭素原子に結
合している水素原子の少なくとも一部がフッ素、塩素、
臭素等のハロゲン原子、シアノ基等で置換された基、例
えば、クロロメチル基、２−ブロモエチル基、３−クロ
ロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等
のハロゲン化アルキル基；クロロフェニル基；フルオロ
フェニル基；シアノエチル基等が挙げられる。中でもメ
チル基及びフェニル基が好ましい。このような（Ｂ）成
分の分子構造としては、例えば、直鎖状、一部分岐を有
する直鎖状、環状、分岐鎖状、三次元網状（レジン状）
等が挙げられる。また（Ｂ）成分の２５℃における粘度
は、得られる組成物の取扱作業性が良好であること、及
び組成物の硬化物であるシリコーンゴムの物理的特性が
良好であることから、１〜１，０００センチポイズの範
囲内にあることが好ましく、５〜５００センチポイズの
範囲内にあることが更に好ましい。
サン （Ｂ）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサン
は、この組成物の架橋剤であり、１分子中に少なくとも
２個、好ましくは少なくとも３個のケイ素原子結合水素
原子（即ち、ＳｉＨ基）を含有する。（Ｂ）成分におい
て、このケイ素原子結合水素原子の結合位置としては、
例えば分子鎖末端のケイ素原子及び／又は分子鎖途中の
ケイ素原子が挙げられる。（Ｂ）成分において、ケイ素
原子に結合する有機基としては、（Ａ）成分の場合と同
様、アルケニル基を除く炭素原子数１〜１２、好ましく
は炭素原子数１〜８の置換又は非置換の１価炭化水素
基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、
ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキ
シル基、オクチル基等のアルキル基；シクロペンチル
基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；フェニル
基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール
基；ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル
基等のアラルキル基；並びにこれらの基の炭素原子に結
合している水素原子の少なくとも一部がフッ素、塩素、
臭素等のハロゲン原子、シアノ基等で置換された基、例
えば、クロロメチル基、２−ブロモエチル基、３−クロ
ロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等
のハロゲン化アルキル基；クロロフェニル基；フルオロ
フェニル基；シアノエチル基等が挙げられる。中でもメ
チル基及びフェニル基が好ましい。このような（Ｂ）成
分の分子構造としては、例えば、直鎖状、一部分岐を有
する直鎖状、環状、分岐鎖状、三次元網状（レジン状）
等が挙げられる。また（Ｂ）成分の２５℃における粘度
は、得られる組成物の取扱作業性が良好であること、及
び組成物の硬化物であるシリコーンゴムの物理的特性が
良好であることから、１〜１，０００センチポイズの範
囲内にあることが好ましく、５〜５００センチポイズの
範囲内にあることが更に好ましい。
【００１３】このような（Ｂ）成分のオルガノハイドロ
ジェンポリシロキサンとしては、例えばメチルハイドロ
ジェンシロキサン環状重合体、メチルハイドロジェンシ
ロキサン・ジメチルシロキサン環状共重合体、分子鎖両
末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポ
リシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖
ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン
共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチ
ルハイドロジェン・ジフェニルシロキサン共重合体、分
子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサ
ン・メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロ
キサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェン
シロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端
ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキ
サン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子
鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチ
ルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン・ジフ
ェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイ
ドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・ジフェ
ニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイド
ロジェンシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサ
ン・ジフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメ
チルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルフェニルポリ
シロキサン、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロ
キシ基封鎖ジフェニルポリシロキサン、式：Ｒ1 3ＳｉＯ
1/2で示されるシロキサン単位と式：Ｒ1 2ＨＳｉＯ1/2で
示されるシロキサン単位と少量の式：ＳｉＯ4/2で示さ
れるシロキサン単位とからなるオルガノハイドロジェン
ポリシロキサン共重合体、式：Ｒ1 2ＨＳｉＯ1/2で示さ
れるシロキサン単位と少量の式：ＳｉＯ4/2で示される
シロキサン単位とからなるオルガノハイドロジェンポリ
シロキサン共重合体、式：Ｒ1ＨＳｉＯ2/2で示されるシ
ロキサン単位と少量の式：Ｒ1ＳｉＯ3/2で示されるシロ
キサン単位又は少量の式：ＨＳｉＯ3/2で示されるシロ
キサン単位とからなるオルガノハイドロジェンポリシロ
キサン共重合体等が挙げられる。これらのオルガノハイ
ドロジェンポリシロキサンは単独で又は２種以上組み合
わせて使用することができる。上式におけるＲ1のアル
ケニル基を除く１価炭化水素基の具体例としては、
（Ａ）成分におけるＲ1と同様の基が挙げられる。
ジェンポリシロキサンとしては、例えばメチルハイドロ
ジェンシロキサン環状重合体、メチルハイドロジェンシ
ロキサン・ジメチルシロキサン環状共重合体、分子鎖両
末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポ
リシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖
ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン
共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチ
ルハイドロジェン・ジフェニルシロキサン共重合体、分
子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサ
ン・メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロ
キサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェン
シロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端
ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキ
サン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子
鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチ
ルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン・ジフ
ェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイ
ドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・ジフェ
ニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイド
ロジェンシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサ
ン・ジフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメ
チルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルフェニルポリ
シロキサン、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロ
キシ基封鎖ジフェニルポリシロキサン、式：Ｒ1 3ＳｉＯ
1/2で示されるシロキサン単位と式：Ｒ1 2ＨＳｉＯ1/2で
示されるシロキサン単位と少量の式：ＳｉＯ4/2で示さ
れるシロキサン単位とからなるオルガノハイドロジェン
ポリシロキサン共重合体、式：Ｒ1 2ＨＳｉＯ1/2で示さ
れるシロキサン単位と少量の式：ＳｉＯ4/2で示される
シロキサン単位とからなるオルガノハイドロジェンポリ
シロキサン共重合体、式：Ｒ1ＨＳｉＯ2/2で示されるシ
ロキサン単位と少量の式：Ｒ1ＳｉＯ3/2で示されるシロ
キサン単位又は少量の式：ＨＳｉＯ3/2で示されるシロ
キサン単位とからなるオルガノハイドロジェンポリシロ
キサン共重合体等が挙げられる。これらのオルガノハイ
ドロジェンポリシロキサンは単独で又は２種以上組み合
わせて使用することができる。上式におけるＲ1のアル
ケニル基を除く１価炭化水素基の具体例としては、
（Ａ）成分におけるＲ1と同様の基が挙げられる。
【００１４】（Ｂ）成分の配合量は（Ａ）成分１００重
量部に対して０．１〜５０重量部の範囲である。この配
合量が０．１重量部未満では、組成物が十分に硬化せ
ず、また５０重量部を超えると、組成物を硬化して得ら
れるシリコーンゴムの物理的特性が経時的に変化する
し、また場合によっては組成物が硬化しないことがあ
る。また、この（Ｂ）成分の配合量は、上記と同様の理
由により、（Ａ）成分中のアルケニル基に対して（Ｂ）
成分中のケイ素原子結合水素原子（即ち，ＳｉＨ基）が
モル比で０．４〜１０（モル／モル）、好ましくは０．
８〜３（モル／モル）となる量に配合することもでき
る。
量部に対して０．１〜５０重量部の範囲である。この配
合量が０．１重量部未満では、組成物が十分に硬化せ
ず、また５０重量部を超えると、組成物を硬化して得ら
れるシリコーンゴムの物理的特性が経時的に変化する
し、また場合によっては組成物が硬化しないことがあ
る。また、この（Ｂ）成分の配合量は、上記と同様の理
由により、（Ａ）成分中のアルケニル基に対して（Ｂ）
成分中のケイ素原子結合水素原子（即ち，ＳｉＨ基）が
モル比で０．４〜１０（モル／モル）、好ましくは０．
８〜３（モル／モル）となる量に配合することもでき
る。
【００１５】（Ｃ）ヒドロシリル化反応用触媒 （Ｃ）成分の触媒はヒドロシリル化反応を促進するため
の白金族金属系触媒などの、周期律表で第VIII族元素の
触媒であり、例えば白金微粉末、白金黒、白金担持シリ
カ微粉末、白金担持活性炭、塩化白金酸、塩化白金酸の
アルコール溶液、白金とオレフィンとの錯体、白金とア
ルケニルシロキサンとの錯体等の白金系触媒；テトラキ
ス（トリフェニルホスフィン）パラジウム等のパラジウ
ム系触媒；ロジウム系触媒；及びこれらの触媒を含有し
てなる熱可塑性樹脂（例えばアクリル樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、メチルセルロース樹脂、ポリシラン樹脂、
ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリプロピレン樹
脂等）の微粉末が挙げられる。（Ｃ）成分の配合量は組
成物を硬化するのに十分な触媒量であり、具体的には
（Ａ）成分に対し、白金族金属原子換算の重量基準で
０．１〜５００ｐｐｍとなる量、特に１〜１００ｐｐｍ
となる量が好ましい。
の白金族金属系触媒などの、周期律表で第VIII族元素の
触媒であり、例えば白金微粉末、白金黒、白金担持シリ
カ微粉末、白金担持活性炭、塩化白金酸、塩化白金酸の
アルコール溶液、白金とオレフィンとの錯体、白金とア
ルケニルシロキサンとの錯体等の白金系触媒；テトラキ
ス（トリフェニルホスフィン）パラジウム等のパラジウ
ム系触媒；ロジウム系触媒；及びこれらの触媒を含有し
てなる熱可塑性樹脂（例えばアクリル樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、メチルセルロース樹脂、ポリシラン樹脂、
ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリプロピレン樹
脂等）の微粉末が挙げられる。（Ｃ）成分の配合量は組
成物を硬化するのに十分な触媒量であり、具体的には
（Ａ）成分に対し、白金族金属原子換算の重量基準で
０．１〜５００ｐｐｍとなる量、特に１〜１００ｐｐｍ
となる量が好ましい。
【００１６】その他の成分 この組成物には上記（Ａ）〜（Ｃ）成分以外の任意の成
分として、例えばヒュームドシリカ、結晶性シリカ（石
英粉）、沈降性シリカ、ヒュームド二酸化チタン、酸化
マグネシウム、酸化亜鉛、酸化鉄、水酸化アルミニウ
ム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸亜鉛、層
状マイカ、カーボンブラック、ケイ藻土、ガラス繊維等
の無機充填剤、及びこれらの充填剤をオルガノアルコキ
シシラン化合物、オルガノクロロシラン化合物、オルガ
ノシラザン化合物、低分子量シロキサン化合物等の有機
ケイ素化合物で表面処理したものが挙げられる。
分として、例えばヒュームドシリカ、結晶性シリカ（石
英粉）、沈降性シリカ、ヒュームド二酸化チタン、酸化
マグネシウム、酸化亜鉛、酸化鉄、水酸化アルミニウ
ム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸亜鉛、層
状マイカ、カーボンブラック、ケイ藻土、ガラス繊維等
の無機充填剤、及びこれらの充填剤をオルガノアルコキ
シシラン化合物、オルガノクロロシラン化合物、オルガ
ノシラザン化合物、低分子量シロキサン化合物等の有機
ケイ素化合物で表面処理したものが挙げられる。
【００１７】また、この組成物の取扱作業性を向上させ
るために、硬化抑制剤を配合することができる。硬化抑
制剤としては、例えば３−メチル−１−ブチン−３−オ
ール、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、
２−フェニル−３−ブチン−２−オール等のアルキンア
ルコール；３−メチル−３−ペンテン−１−イン、３，
５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イン等のエンイン化
合物；１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７
−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，
７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラヘキセニル
シクロテトラシロキサン、ベンゾトリアゾール等が挙げ
られる。これらの硬化抑制剤の配合量は、この組成物に
対し重量基準で１０〜５０，０００ｐｐｍの範囲内であ
ることが好ましい。
るために、硬化抑制剤を配合することができる。硬化抑
制剤としては、例えば３−メチル−１−ブチン−３−オ
ール、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、
２−フェニル−３−ブチン−２−オール等のアルキンア
ルコール；３−メチル−３−ペンテン−１−イン、３，
５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イン等のエンイン化
合物；１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７
−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，
７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラヘキセニル
シクロテトラシロキサン、ベンゾトリアゾール等が挙げ
られる。これらの硬化抑制剤の配合量は、この組成物に
対し重量基準で１０〜５０，０００ｐｐｍの範囲内であ
ることが好ましい。
【００１８】また、この組成物にはその他、硬さ調整
剤、接着助剤として、例えば１分子中に１個のケイ素原
子結合水素原子（即ち、ＳｉＨ基）又はアルケニル基を
有するオルガノポリシロキサン、ケイ素原子結合水素原
子又はアルケニル基を持たないオルガノポリシロキサ
ン、１分子中にケイ素原子結合水素原子又はアルケニル
基とケイ素原子結合アルコキシ基とを有するオルガノポ
リシロキサン、１分子中にケイ素原子結合アルコキシ基
とエポキシ基とを有するシランやその部分加水分解物
（シロキサンオリゴマー）などの有機ケイ素化合物、１
分子中にケイ素原子結合アルコキシ基とメタクリロキシ
基とを有するシランやその部分加水分解物（シロキサン
オリゴマー）などの有機ケイ素化合物等；接着促進剤；
有機溶剤；クリープハードニング防止剤；貯蔵安定剤；
耐熱性付与剤；難燃性付与剤；可塑剤；チクソ性付与
剤；顔料；染料；防カビ剤等を本発明の効果を阻害しな
い範囲の量で配合することができる。
剤、接着助剤として、例えば１分子中に１個のケイ素原
子結合水素原子（即ち、ＳｉＨ基）又はアルケニル基を
有するオルガノポリシロキサン、ケイ素原子結合水素原
子又はアルケニル基を持たないオルガノポリシロキサ
ン、１分子中にケイ素原子結合水素原子又はアルケニル
基とケイ素原子結合アルコキシ基とを有するオルガノポ
リシロキサン、１分子中にケイ素原子結合アルコキシ基
とエポキシ基とを有するシランやその部分加水分解物
（シロキサンオリゴマー）などの有機ケイ素化合物、１
分子中にケイ素原子結合アルコキシ基とメタクリロキシ
基とを有するシランやその部分加水分解物（シロキサン
オリゴマー）などの有機ケイ素化合物等；接着促進剤；
有機溶剤；クリープハードニング防止剤；貯蔵安定剤；
耐熱性付与剤；難燃性付与剤；可塑剤；チクソ性付与
剤；顔料；染料；防カビ剤等を本発明の効果を阻害しな
い範囲の量で配合することができる。
【００１９】組成物の調製方法 この組成物を調製するには、１液型組成物として得る場
合は、上記（Ａ）〜（Ｃ）成分及び必要ならば任意成分
を均一に混合すればよく、また２液以上の組成物として
得る場合は（Ａ）〜（Ｃ）成分及び必要ならば任意成分
を適当な２液以上に分け、各液を均一に混合すればよ
い。混合手段としては、例えばロスミキサー、プラネタ
リーミキサー等が使用できる。なお、１液性組成物の場
合、使用前は２５℃以下、好ましくは１０℃以下で貯蔵
又は冷蔵しておく必要があるが、２液以上の組成物の場
合、使用前の各液は室温で貯蔵し、使用時に全液を均一
に混合すればよい。
合は、上記（Ａ）〜（Ｃ）成分及び必要ならば任意成分
を均一に混合すればよく、また２液以上の組成物として
得る場合は（Ａ）〜（Ｃ）成分及び必要ならば任意成分
を適当な２液以上に分け、各液を均一に混合すればよ
い。混合手段としては、例えばロスミキサー、プラネタ
リーミキサー等が使用できる。なお、１液性組成物の場
合、使用前は２５℃以下、好ましくは１０℃以下で貯蔵
又は冷蔵しておく必要があるが、２液以上の組成物の場
合、使用前の各液は室温で貯蔵し、使用時に全液を均一
に混合すればよい。
【００２０】本発明の組成物は、通常、６０℃〜１５０
℃で６０分〜１２０分程度の加熱処理条件（例えば６０
℃×１２０分〜１５０℃×６０分）にて低弾性率のゴム
状又はゲル状の弾性体に硬化することができるものであ
るが、半導体素子パッケージの製造に使用されることか
ら、上記の硬化条件下で硬化させた後の、硬化物のヤン
グ率が１〜１２kg/cm2の範囲にあることが必要とされる
ものである。硬化後のヤング率が１kg/cm2未満である
と、硬化物が柔らかすぎて、振動時に半導体素子を搭載
した基板を十分安定して固定できないという問題があ
り、またヤング率が１２kg/cm2を超えるものでは、硬化
物が固すぎて応力緩和性に欠けるため、半導体素子搭載
基板に割れが発生するという欠点がある。このヤング率
の好ましい範囲は２〜１０kg/cm2である。
℃で６０分〜１２０分程度の加熱処理条件（例えば６０
℃×１２０分〜１５０℃×６０分）にて低弾性率のゴム
状又はゲル状の弾性体に硬化することができるものであ
るが、半導体素子パッケージの製造に使用されることか
ら、上記の硬化条件下で硬化させた後の、硬化物のヤン
グ率が１〜１２kg/cm2の範囲にあることが必要とされる
ものである。硬化後のヤング率が１kg/cm2未満である
と、硬化物が柔らかすぎて、振動時に半導体素子を搭載
した基板を十分安定して固定できないという問題があ
り、またヤング率が１２kg/cm2を超えるものでは、硬化
物が固すぎて応力緩和性に欠けるため、半導体素子搭載
基板に割れが発生するという欠点がある。このヤング率
の好ましい範囲は２〜１０kg/cm2である。
【００２１】
【実施例】以下に本発明を実施例及び比較例によって更
に詳しく説明するが、例中の粘度は２５℃で測定した粘
度を表し、部（ｐｐｍの部も含む）は重量部を表す。ま
た、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基をそれぞれ表す。実施例１ 粘度が１０，０００ｃｐの分子鎖両末端ジメチルビニル
シロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ベースポリマ
ー）７２部、粘度が５，０００ｃｐの分子鎖両末端ジメ
チルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ベ
ースポリマー）２８部、トリアリルイソシアヌレート
０．６部、下記平均分子式（１）：
に詳しく説明するが、例中の粘度は２５℃で測定した粘
度を表し、部（ｐｐｍの部も含む）は重量部を表す。ま
た、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基をそれぞれ表す。実施例１ 粘度が１０，０００ｃｐの分子鎖両末端ジメチルビニル
シロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ベースポリマ
ー）７２部、粘度が５，０００ｃｐの分子鎖両末端ジメ
チルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ベ
ースポリマー）２８部、トリアリルイソシアヌレート
０．６部、下記平均分子式（１）：
【００２２】
【化１】 で示されるメチルハイドロジェンポリシロキサン０．６
部、下記式（２）：
部、下記式（２）：
【００２３】
【化２】
【００２４】で示される化合物（接着助剤）１．３部、
１−エチニルシクロヘキサノール０．２部、白金の１，
１，３，３−テトラメチル−１，３−ジビニルジシロキ
サン錯体０．２部（ベースポリマーの合計量に対し、白
金金属原子換算で２０ｐｐｍとなる量）を混合し、付加
硬化型オルガノポリシロキサン組成物を調製した。得ら
れた組成物中のＤ3〜Ｄ10（ジメチルシロキサン環状３
〜１０量体の合計量、以下同様）の含有量は５００ｐｐ
ｍであった。
１−エチニルシクロヘキサノール０．２部、白金の１，
１，３，３−テトラメチル−１，３−ジビニルジシロキ
サン錯体０．２部（ベースポリマーの合計量に対し、白
金金属原子換算で２０ｐｐｍとなる量）を混合し、付加
硬化型オルガノポリシロキサン組成物を調製した。得ら
れた組成物中のＤ3〜Ｄ10（ジメチルシロキサン環状３
〜１０量体の合計量、以下同様）の含有量は５００ｐｐ
ｍであった。
【００２５】次に、図１〔図中、１はアルミニウム製ケ
ース、２はセラミック基板（半導体素子は搭載せず）、
３はポッティング材、４は試験用疑似半導体素子パッケ
ージ〕に示すように、アルミニウム製ケース（内部寸
法：縦幅３０ｍｍ×深さ４０ｍｍ×横幅３０ｍｍ）１内
にセラミック基板２（縦幅４０ｍｍ×厚さ０．８ｍｍ×
横幅２５ｍｍ）を、ケースの両側面を貫通して収納した
後、ポッティング材３として上記組成物を注入し、１５
０℃で３０分間硬化させることにより、試験用の疑似半
導体素子パッケージ４を作製した。又、上記と同じオル
ガノポリシロキサン組成物を用いて、１５０℃で３０分
間の硬化条件で直径５０ｍｍφ、高さ１００ｍｍの円柱
状硬化物（弾性率測定用サンプル）を作製し、これを垂
直方向に５％圧縮した際の歪み−荷重曲線の傾きからヤ
ング率を測定した。更に、同一のサンプルについて、１
５０℃で１００時間放置した後のヤング率も同様にして
測定した。その結果を表１に示す。更に、基板の割れ試
験として、このパッケージを１５０℃で１００時間放置
し、基板の状態を観察した。その結果も表１に示す。
ース、２はセラミック基板（半導体素子は搭載せず）、
３はポッティング材、４は試験用疑似半導体素子パッケ
ージ〕に示すように、アルミニウム製ケース（内部寸
法：縦幅３０ｍｍ×深さ４０ｍｍ×横幅３０ｍｍ）１内
にセラミック基板２（縦幅４０ｍｍ×厚さ０．８ｍｍ×
横幅２５ｍｍ）を、ケースの両側面を貫通して収納した
後、ポッティング材３として上記組成物を注入し、１５
０℃で３０分間硬化させることにより、試験用の疑似半
導体素子パッケージ４を作製した。又、上記と同じオル
ガノポリシロキサン組成物を用いて、１５０℃で３０分
間の硬化条件で直径５０ｍｍφ、高さ１００ｍｍの円柱
状硬化物（弾性率測定用サンプル）を作製し、これを垂
直方向に５％圧縮した際の歪み−荷重曲線の傾きからヤ
ング率を測定した。更に、同一のサンプルについて、１
５０℃で１００時間放置した後のヤング率も同様にして
測定した。その結果を表１に示す。更に、基板の割れ試
験として、このパッケージを１５０℃で１００時間放置
し、基板の状態を観察した。その結果も表１に示す。
【００２６】実施例２ 粘度が５，０００ｃｐの分子鎖両末端ジメチルビニルシ
ロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ベースポリマ
ー）７７．５部、Ｍｅ3ＳｉＯ1/2単位３８．９モル％と
ＶｉＭｅ2ＳｉＯ1/2単位５．６モル％とＳｉＯ4/2単位
５５．５モル％とからなるオルガノポリシロキサン共重
合体（ベースポリマー）２２．５部、トリアリルイソシ
アヌレート０．３部、前記平均分子式（１）のメチルハ
イドロジェンポリシロキサン１部、前記式（２）の化合
物３．２部、下記式（３）：
ロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ベースポリマ
ー）７７．５部、Ｍｅ3ＳｉＯ1/2単位３８．９モル％と
ＶｉＭｅ2ＳｉＯ1/2単位５．６モル％とＳｉＯ4/2単位
５５．５モル％とからなるオルガノポリシロキサン共重
合体（ベースポリマー）２２．５部、トリアリルイソシ
アヌレート０．３部、前記平均分子式（１）のメチルハ
イドロジェンポリシロキサン１部、前記式（２）の化合
物３．２部、下記式（３）：
【００２７】
【化３】
【００２８】で示される化合物（接着助剤）０．９部、
平均粒子径が５μｍの沈降性シリカ６０部、１−エチニ
ルシクロヘキサノール０．２部、白金の１，１，３，３
−テトラメチル−１，３−ジビニルジシロキサン錯体
０．２部（ベースポリマーの合計量に対し、白金金属原
子換算で２０ｐｐｍとなる量）を混合し、付加硬化型オ
ルガノポリシロキサン組成物を調製した。得られた組成
物中のＤ3〜Ｄ10の含有量は４００ｐｐｍであった。以
下、この組成物を用いて実施例１と同様にして試験用疑
似半導体素子パッケージを作製し、硬化物のヤング率を
測定し、更に基板の割れ試験を行った。その結果を表１
に示す。
平均粒子径が５μｍの沈降性シリカ６０部、１−エチニ
ルシクロヘキサノール０．２部、白金の１，１，３，３
−テトラメチル−１，３−ジビニルジシロキサン錯体
０．２部（ベースポリマーの合計量に対し、白金金属原
子換算で２０ｐｐｍとなる量）を混合し、付加硬化型オ
ルガノポリシロキサン組成物を調製した。得られた組成
物中のＤ3〜Ｄ10の含有量は４００ｐｐｍであった。以
下、この組成物を用いて実施例１と同様にして試験用疑
似半導体素子パッケージを作製し、硬化物のヤング率を
測定し、更に基板の割れ試験を行った。その結果を表１
に示す。
【００２９】実施例３ 粘度が６００ｃｐの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキ
シ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ベースポリマー）４
３部、粘度が５，０００ｃｐの分子鎖両末端ジメチルビ
ニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ベースポ
リマー）５７部、トリアリルイソシアヌレート０．３
部、下記平均分子式（４）：
シ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ベースポリマー）４
３部、粘度が５，０００ｃｐの分子鎖両末端ジメチルビ
ニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ベースポ
リマー）５７部、トリアリルイソシアヌレート０．３
部、下記平均分子式（４）：
【００３０】
【化４】
【００３１】で示されるジメチルシロキサン・メチルハ
イドロジェンシロキサン共重合体３部、平均粒子径が５
μｍの沈降性シリカ３５部、１−エチニルシクロヘキサ
ノール０．２部、白金の１，１，３，３−テトラメチル
−１，３−ジビニルジシロキサン錯体０．２部（ベース
ポリマーの合計量に対し、白金金属原子換算で２０ｐｐ
ｍとなる量）を混合し、付加硬化型オルガノポリシロキ
サン組成物を調製した。得られた組成物中のＤ3〜Ｄ10
の含有量は４００ｐｐｍであった。以下、この組成物を
用いて実施例１と同様にして試験用疑似半導体素子パッ
ケージを作製し、硬化物のヤング率を測定し、更に基板
の割れ試験を行った。その結果を表１に示す。
イドロジェンシロキサン共重合体３部、平均粒子径が５
μｍの沈降性シリカ３５部、１−エチニルシクロヘキサ
ノール０．２部、白金の１，１，３，３−テトラメチル
−１，３−ジビニルジシロキサン錯体０．２部（ベース
ポリマーの合計量に対し、白金金属原子換算で２０ｐｐ
ｍとなる量）を混合し、付加硬化型オルガノポリシロキ
サン組成物を調製した。得られた組成物中のＤ3〜Ｄ10
の含有量は４００ｐｐｍであった。以下、この組成物を
用いて実施例１と同様にして試験用疑似半導体素子パッ
ケージを作製し、硬化物のヤング率を測定し、更に基板
の割れ試験を行った。その結果を表１に示す。
【００３２】比較例１ 粘度が１，０００ｃｐの分子鎖両末端ジメチルビニルシ
ロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ベースポリマ
ー）１５部、粘度が５，０００ｃｐの分子鎖両末端ジメ
チルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ベ
ースポリマー）６０部、Ｍｅ3ＳｉＯ1/2単位３８．９モ
ル％とＶｉＭｅ2ＳｉＯ1/2単位５．６モル％とＳｉＯ
4/2単位５５．５モル％とからなるオルガノポリシロキ
サン共重合体（ベースポリマー）２２．５部、前記平均
分子式（４）のジメチルシロキサン・メチルハイドロジ
ェンシロキサン共重合体１０部、１−エチニルシクロヘ
キサノール０．２部、白金の１，１，３，３−テトラメ
チル−１，３−ジビニルジシロキサン錯体０．２部（ベ
ースポリマーの合計量に対し、白金金属原子換算で２０
ｐｐｍとなる量）を混合し、付加硬化型オルガノポリシ
ロキサン組成物を調製した。得られた組成物中のＤ3〜
Ｄ10の含有量は４００ｐｐｍであった。以下、この組成
物を用いて実施例１と同様にして試験用疑似半導体素子
パッケージを作製し、硬化物のヤング率を測定し、更に
基板の割れ試験を行った。その結果を表１に示す。
ロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ベースポリマ
ー）１５部、粘度が５，０００ｃｐの分子鎖両末端ジメ
チルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ベ
ースポリマー）６０部、Ｍｅ3ＳｉＯ1/2単位３８．９モ
ル％とＶｉＭｅ2ＳｉＯ1/2単位５．６モル％とＳｉＯ
4/2単位５５．５モル％とからなるオルガノポリシロキ
サン共重合体（ベースポリマー）２２．５部、前記平均
分子式（４）のジメチルシロキサン・メチルハイドロジ
ェンシロキサン共重合体１０部、１−エチニルシクロヘ
キサノール０．２部、白金の１，１，３，３−テトラメ
チル−１，３−ジビニルジシロキサン錯体０．２部（ベ
ースポリマーの合計量に対し、白金金属原子換算で２０
ｐｐｍとなる量）を混合し、付加硬化型オルガノポリシ
ロキサン組成物を調製した。得られた組成物中のＤ3〜
Ｄ10の含有量は４００ｐｐｍであった。以下、この組成
物を用いて実施例１と同様にして試験用疑似半導体素子
パッケージを作製し、硬化物のヤング率を測定し、更に
基板の割れ試験を行った。その結果を表１に示す。
【００３３】比較例２ 粘度が４００ｃｐの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキ
シ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ベースポリマー）１
００部、下記平均分子式（５）：
シ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ベースポリマー）１
００部、下記平均分子式（５）：
【００３４】
【化５】
【００３５】で示されるジメチルシロキサン・メチルハ
イドロジェンシロキサン共重合体４部、前記式（２）の
化合物７部、結晶性シリカ２００部、１−エチニルシク
ロヘキサノール０．２部、白金の１，１，３，３−テト
ラメチル−１，３−ジビニルジシロキサン錯体０．２部
（ベースポリマーに対し、白金金属原子換算で２０ｐｐ
ｍとなる量）を混合し、付加硬化型オルガノポリシロキ
サン組成物を調製した。得られた組成物中のＤ3〜Ｄ10
の含有量は４００ｐｐｍであった。以下、この組成物を
用いて実施例１と同様にして試験用疑似半導体素子パッ
ケージを作製し、硬化物のヤング率を測定し、更に基板
の割れ試験を行った。その結果を表１に示す。
イドロジェンシロキサン共重合体４部、前記式（２）の
化合物７部、結晶性シリカ２００部、１−エチニルシク
ロヘキサノール０．２部、白金の１，１，３，３−テト
ラメチル−１，３−ジビニルジシロキサン錯体０．２部
（ベースポリマーに対し、白金金属原子換算で２０ｐｐ
ｍとなる量）を混合し、付加硬化型オルガノポリシロキ
サン組成物を調製した。得られた組成物中のＤ3〜Ｄ10
の含有量は４００ｐｐｍであった。以下、この組成物を
用いて実施例１と同様にして試験用疑似半導体素子パッ
ケージを作製し、硬化物のヤング率を測定し、更に基板
の割れ試験を行った。その結果を表１に示す。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【発明の効果】本発明の付加硬化型オルガノポリシロキ
サン組成物は硬化後の弾性率、特にヤング率が低く、経
時によってもヤング率の変化が少なく、従って歪み応力
の少ない硬化物を形成できるので、該組成物をポッティ
ング材として半導体素子パッケージを製造すれば、半導
体素子搭載基板に割れが発生しない半導体素子パッケー
ジを得ることが可能である。
サン組成物は硬化後の弾性率、特にヤング率が低く、経
時によってもヤング率の変化が少なく、従って歪み応力
の少ない硬化物を形成できるので、該組成物をポッティ
ング材として半導体素子パッケージを製造すれば、半導
体素子搭載基板に割れが発生しない半導体素子パッケー
ジを得ることが可能である。
【図１】 実施例及び比較例で作製した試験用疑似半導
体素子パッケージの斜視図である。
体素子パッケージの斜視図である。
１‥‥アルミニウム製ケース ２‥‥セラミック基板 ３‥‥ポッティング材 ４‥‥試験用疑似半導体素子パッケージ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体素子を搭載した基板をケース内に
収納し、該ケース内において前記半導体搭載基板を付加
硬化型オルガノポリシロキサン組成物でポッティングす
る半導体素子パッケージの製造方法であって、該組成物
が硬化後１〜１２ｋｇｆ／ｃｍ2のヤング率を示すもの
であることを特徴とする半導体素子パッケージの製造方
法。 - 【請求項２】（Ａ）１分子中に少なくとも２個のアルケ
ニル基を含有するオルガノポリシロキサン １００重量
部、 （Ｂ）ケイ素原子に結合する水素原子を１分子中に少な
くとも２個含有するオルガノハイドロジェンポリシロキ
サン ０．１〜５０重量部、及び （Ｃ）触媒量のヒドロシリル化反応用触媒を含有してな
り、硬化後のヤング率が１〜１２ｋｇｆ／ｃｍ2であ
る、電子部品のポッティング用付加硬化型オルガノポリ
シロキサン組成物。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06054098A JP3741855B2 (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | 半導体素子パッケージの製造方法及びこれに使用するオルガノポリシロキサン組成物 |
| US09/256,995 US20020016019A1 (en) | 1998-02-25 | 1999-02-25 | Process for producing semiconductor device package and organopolysiloxane composition used therefor |
| EP99103708A EP0939440A3 (en) | 1998-02-25 | 1999-02-25 | Process for producing semiconductor device package and organopolysiloxane composition used therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06054098A JP3741855B2 (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | 半導体素子パッケージの製造方法及びこれに使用するオルガノポリシロキサン組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11243100A true JPH11243100A (ja) | 1999-09-07 |
| JP3741855B2 JP3741855B2 (ja) | 2006-02-01 |
Family
ID=13145240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06054098A Expired - Fee Related JP3741855B2 (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | 半導体素子パッケージの製造方法及びこれに使用するオルガノポリシロキサン組成物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020016019A1 (ja) |
| EP (1) | EP0939440A3 (ja) |
| JP (1) | JP3741855B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086848A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 発光ダイオード封止用硬化性組成物、発光ダイオード封止用材料、その製造方法及びそれを用いた発光ダイオード |
| JP2007302893A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Wacker Chemie Ag | 粘着性の付加架橋性シリコーン組成物 |
| US7741412B2 (en) | 2004-06-08 | 2010-06-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Curable organopolysiloxane composition |
| JP2011001412A (ja) * | 2009-06-17 | 2011-01-06 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | フリップチップ型半導体装置用シリコーンアンダーフィル材およびそれを使用するフリップチップ型半導体装置 |
| JP2012180522A (ja) * | 2003-11-19 | 2012-09-20 | Kaneka Corp | 半導体のパッケージ用硬化性樹脂組成物および半導体 |
| JP2012224863A (ja) * | 2012-08-06 | 2012-11-15 | Kaneka Corp | 半導体のパッケージ用硬化性樹脂組成物および半導体 |
| JP2013185123A (ja) * | 2012-03-09 | 2013-09-19 | Momentive Performance Materials Inc | シリコーンゴム組成物 |
| JP2017501293A (ja) * | 2013-12-27 | 2017-01-12 | ブルースター・シリコーンズ・シャンハイ・カンパニー・リミテッド | Ｌｅｄ筐体用の硬化性シリコーンゴム組成物 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003008102A1 (en) * | 2001-07-18 | 2003-01-30 | The Regents Of The University Of Michigan | Microfluidic gravity pump with constant flow rate |
| JP2003128920A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-08 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | 硬化性液状シリコーン組成物および半導体装置 |
| US20040265531A1 (en) * | 2003-06-30 | 2004-12-30 | Mckean Dennis R. | Sliders bonded by a debondable silicon-based encapsulant |
| TWI373150B (en) * | 2003-07-09 | 2012-09-21 | Shinetsu Chemical Co | Silicone rubber composition, light-emitting semiconductor embedding/protecting material and light-emitting semiconductor device |
| CN101563760B (zh) * | 2006-10-30 | 2011-12-21 | 日本航空电子工业株式会社 | 利用气体团簇离子束的固体表面平坦化方法及固体表面平坦化设备 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3436366A (en) * | 1965-12-17 | 1969-04-01 | Gen Electric | Silicone potting compositions comprising mixtures of organopolysiloxanes containing vinyl groups |
| JPS6096456A (ja) * | 1983-11-01 | 1985-05-30 | 住友ベークライト株式会社 | 軟質塩化ビニル系樹脂−シリコ−ン複合成形物及びその製造方法 |
| JPH07120733B2 (ja) * | 1985-09-27 | 1995-12-20 | 日本電装株式会社 | 車両用半導体素子パッケージ構造とその製造方法 |
| US4720431A (en) * | 1986-05-21 | 1988-01-19 | American Telephone And Telegraph Company At&T Technologies, Inc. | Silicone encapsulated devices |
| JPS6448859A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-23 | Shinetsu Chemical Co | Silicone composition for impregnation of electronic component |
| GB8825201D0 (en) * | 1988-10-27 | 1988-11-30 | Dow Corning Sa | Cavity packages |
| US5767447A (en) * | 1995-12-05 | 1998-06-16 | Lucent Technologies Inc. | Electronic device package enclosed by pliant medium laterally confined by a plastic rim member |
| JPH1036510A (ja) * | 1996-07-26 | 1998-02-10 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | 電気部品およびその製造方法 |
-
1998
- 1998-02-25 JP JP06054098A patent/JP3741855B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-02-25 US US09/256,995 patent/US20020016019A1/en not_active Abandoned
- 1999-02-25 EP EP99103708A patent/EP0939440A3/en not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086848A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 発光ダイオード封止用硬化性組成物、発光ダイオード封止用材料、その製造方法及びそれを用いた発光ダイオード |
| JP2012180522A (ja) * | 2003-11-19 | 2012-09-20 | Kaneka Corp | 半導体のパッケージ用硬化性樹脂組成物および半導体 |
| US7741412B2 (en) | 2004-06-08 | 2010-06-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Curable organopolysiloxane composition |
| JP2007302893A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Wacker Chemie Ag | 粘着性の付加架橋性シリコーン組成物 |
| JP2011001412A (ja) * | 2009-06-17 | 2011-01-06 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | フリップチップ型半導体装置用シリコーンアンダーフィル材およびそれを使用するフリップチップ型半導体装置 |
| JP2013185123A (ja) * | 2012-03-09 | 2013-09-19 | Momentive Performance Materials Inc | シリコーンゴム組成物 |
| JP2012224863A (ja) * | 2012-08-06 | 2012-11-15 | Kaneka Corp | 半導体のパッケージ用硬化性樹脂組成物および半導体 |
| JP2017501293A (ja) * | 2013-12-27 | 2017-01-12 | ブルースター・シリコーンズ・シャンハイ・カンパニー・リミテッド | Ｌｅｄ筐体用の硬化性シリコーンゴム組成物 |
Also Published As
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|---|---|
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| EP0939440A2 (en) | 1999-09-01 |
| EP0939440A3 (en) | 2000-05-03 |
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