KR20060106736A - 탑재대의 온도 제어 장치 및 탑재대의 온도 제어 방법 및처리 장치 및 탑재대 온도 제어 프로그램 - Google Patents
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Abstract
비교적 소규모 또한 간단한 구성으로써 탑재대의 온도 내지 온도 분포를 다종다양 또는 고정밀도로 제어하고, 또한 탑재대의 고속 승강온을 가능하게 한다. 탑재대 온도 제어 장치는, 탑재대(12) 내부의 냉매 통로, 칠러 유닛(14), 가열 유닛(16), 유로 전환 유닛(18), 배관류(26, 28, 30, 32, 58, 60 등) 및 컨트롤러(20)를 가지고 있다. 컨트롤러(20)의 제어에 의해 가열 유닛(16)에 있어서의 가열 동작의 온·오프 상태와 유로 전환 유닛(18)에 있어서의 개폐 밸브(62, 64, 66, 68)의 온·오프 상태를 조합함으로써, 탑재대(12)에 대한 온도 제어에 대하여 여러 종류의 모드를 얻을 수 있다.
Description
도 1은 본 발명의 1 실시 형태에 있어서의 탑재대 온도 제어 장치의 구성을 도시하는 블록도.
도 2는 상기 탑재대 온도 제어 장치의 가열 유닛에 있어서의 인라인 히터의 일례를 도시하는 사시도.
도 3은 상기 가열 유닛에 있어서의 냉매 승강온 특성을 도시하는 그래프.
도 4는 상기 탑재대 온도 제어 장치에 있어서 온도 제어 모드(A)를 얻기 위한 각 부의 상태를 도시하는 도면.
도 5는 온도 제어 모드(A)에 있어서의 전체의 유로 계통을 모식적으로 도시하는 도면.
도 6은 상기 탑재대 온도 제어 장치에 있어서 온도 제어 모드(B)를 얻기 위한 각 부의 상태를 도시하는 도면.
도 7은 온도 제어 모드(B)에 있어서의 전체의 유로 계통을 모식적으로 도시 하는 도면.
도 8은 상기 탑재대 온도 제어 장치에 있어서 온도 제어 모드(C)를 얻기 위한 각 부의 상태를 도시하는 도면.
도 9는 온도 제어 모드(C)에 있어서의 전체의 유로 계통을 모식적으로 도시하는 도면.
도 10은 상기 탑재대 온도 제어 장치에 있어서 온도 제어 모드(D)를 얻기 위한 각 부의 상태를 도시하는 도면.
도 11은 온도 제어 모드(D)에 있어서의 전체의 유로 계통을 모식적으로 도시하는 도면.
도 12는 상기 탑재대 온도 제어 장치에 있어서 온도 제어 모드(E)를 얻기 위한 각 부의 상태를 도시하는 도면.
도 13은 온도 제어 모드(E)에 있어서의 전체의 유로 계통을 모식적으로 도시하는 도면.
도 14는 상기 탑재대 온도 제어 장치에 있어서 온도 제어 모드(F)를 얻기 위한 각부의 상태를 도시하는 도면.
도 15는 온도 제어 모드(F)에 있어서의 전체의 유로 계통을 모식적으로 도시하는 도면.
도 16은 본 발명의 1 실시 형태에 있어서의 플라즈마 에칭 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 17은 1 실시예에 있어서의 탑재대 및 반도체 웨이퍼의 온도 분포를 도시 하는 도면.
도 18은 참고예에 있어서의 탑재대 및 반도체 웨이퍼의 온도 분포를 도시하는 도면.
도 19는 1 실시예에 있어서의 온도 제어 모드 전환의 시퀀스를 도시하는 도면.
도 20는 1 실시예에 있어서의 온도 제어 모드 전환의 시퀀스를 도시하는 도면.
도 21은 1 실시예에 있어서의 피처리체 온도 제어 방법을 도시하는 도면.
도 22는 1 실시예에 있어서의 온도 제어 모드 전환의 시퀀스를 도시하는 도면.
도 23은 1 실시예에 있어서의 온도 제어 모드 전환의 시퀀스를 도시하는 도면.
도 24는 실시예에 있어서의 제어부(컨트롤러)의 구성을 도시하는 블록도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10 챔버 12 탑재대
14 칠러 유닛 16 가열 유닛
18 유로 전환 유닛 20 컨트롤러
22 탑재대의 중심부 영역의 냉매 통로
24 탑재대의 주변부 영역의 냉매 통로 온도 조절기
26, 28, 30, 32, 58, 60 배관
34 펌프 36 냉동기
38 가열기 40 인라인 히터
42 전원 44 유량 제어 밸브
54 온도 조절기
62, 64, 66, 68 개폐 밸브
90 챔버 110 고주파 전원
124 처리 가스 공급부 130 정전척
136 열전도 가스 공급부 140 제어부
본 발명은, 피처리체를 탑재하는 탑재대의 온도를 제어하는 기술에 관한 것으로, 특히 탑재대 상의 온도 내지 온도 분포를 여러가지 선택 또는 제어할 수 있도록 한 탑재대 온도 제어 방법 및 장치 및 그것을 이용한 처리 장치에 관한 것이다.
예컨대, 플라즈마를 이용한 반도체 기판 혹은 액정 패널의 미세 가공에 있어서는, 피처리 기판의 온도 분포, 기판 상의 플라즈마 밀도 분포, 및 반응 생성물의 분포 등의 제어가 매우 중요하다. 이들 분포 제어가 적정하게 실행되지 않으면, 기판 표면에 있어서의 프로세스 균일성을 확보할 수 없게 되어, 반도체 디바이스 혹은 표시 디바이스의 제조 득률(제품의 수율)이 저하한다.
일반적으로, 플라즈마 처리 장치의 챔버내에서 피처리 기판을 탑재하는 탑재대 또는 지지대는, 플라즈마 공간에 고주파를 인가하는 고주파 전극의 기능과, 기판을 정전 흡착 등으로 유지하는 유지부의 기능과, 기판을 열전도로 소정 온도로 제어하는 열판의 기능을 가지고 있다. 열판 기능에 관해서는, 플라즈마나 챔버벽에서의 복사열의 불균일성에 의한 기판으로의 입열(入熱) 특성의 분포나, 기판 지지 구조에 의한 열분포를 적절히 보정할 수 있는 것이 요구되고 있다.
종래부터, 이러한 종류의 탑재대의 온도를 제어하기 위해서, 탑재대의 내부에 냉매를 흐르게 하는 냉매 유로 또는 통로를 마련하여, 칠러 장치로부터 온도 조절한 냉매를 탑재대 내부의 냉매 통로로 순환 공급하는 방법이 많이 이용되고 있다. 대체로, 칠러 장치는 처리 장치가 설치되는 클린 룸과는 별도의 용력실(facility area)에 배비되기 때문에, 칠러 장치와 챔버내의 탑재대를 접속하는 배관의 길이는 적어도 수 미터 이상이고, 10m를 넘는 경우도 있다.
최근에는, 플라즈마 처리에 있어서의 가공의 미세화나 다양화에 따라, 탑재대의 온도 분포에 여러가지 프로파일이 요구되도록 되어 있다. 그러나, 기판 상의 프로세스의 면내 균일성을 도모하는 관점으로부터, 탑재대의 중심부와 주변부의 사이에서 온도 제어가 적절한 밸런스가 요구되는 애플리케이션이 대부분이다. 그와 같은 요구에 응하기 위한 종래 기술로서, 탑재대의 중심부와 주변부에 각각 독립된 냉매 유로를 마련하여, 2대의 칠러 장치로부터 각각 개별로 온도 조절한 냉매를 양쪽 냉매 유로에 순환 공급하여, 탑재대의 중심부와 주변부를 각각 개별적으로 온도 제어하도록 한 기법(예컨대 특허문헌 1 참조)이 알려져 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 평성 제 6-37056 호 공보
그러나, 상기 한 바와 같은 종래 기술은, 2대의 칠러 장치를 필요로 하는 것에 의한 코스트나 스페이스 효율 상의 불리점이 있는 것뿐만 아니라, 온도 제어의 응답성이 나쁘다는 문제도 있다. 즉, 칠러 장치 자체의 열용량이 매우 크기 때문에 냉매의 온도를 급속하게 변화시키는 것이 어려운 데다가, 탑재대까지의 배관(유로)이 상기 한 바와 같이 상당히 길기 때문에, 고속 승강온(승온과 강온)을 실현할 수 없다. 최근의 프로세스 예컨대 플라즈마 에칭의 분야에서는, 피처리 기판 상의 다층막을 종래의 멀티 챔버 방식대신에 단일 챔버내에서 연속 가공하는 방식이 요구되고 있다. 이 단일 챔버 방식을 실현하는 데에 있어서, 피가공막의 변환 시기에 기판의 온도를 단시간에 변화시키는 기술, 즉 탑재대의 고속 승강온을 가능하게 하는 기술이 필수가 되고 있다.
또한, 히터나 열전 소자 등의 발열체를 탑재대에 내장하여 탑재대 상의 온도 분포를 제어하는 방법도 생각되어진다. 그러나, 이 수법은, 러닝코스트의 증가나, 고주파 전극 기능에의 영향, 또한 탑재대 내부 구조의 번잡화를 초래하는 것으로, 실용성이 없다.
본 발명은, 상기 한 바와 같은 종래 기술의 문제점 내지 과제에 비추어 이루어진 것으로, 비교적 소규모 또한 간단한 구성으로써 탑재대의 온도 내지 온도 분 포를 다종다양 또는 고정밀도로 제어하고, 또한 탑재대의 고속 승강온을 가능하게 하는 실용성이 높은 탑재대 온도 제어 장치, 탑재대 온도 제어 방법 및 탑재대 온도 제어 프로그램을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 별도의 목적은, 탑재대의 온도 제어를 통하여 피처리체에 대한 처리의 균일성이나 다양성을 향상시키는 처리 장치를 제공하는 것에 있다.
상기의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 탑재대 온도 제어 장치는, 피처리체를 탑재하는 탑재대의 온도를 제어하기 위한 탑재대 온도 제어 장치에 있어서, 상기 탑재대에 마련된 각각 개별의 입구 및 출구를 가지는 제 1 및 제 2 냉매 통로와, 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 냉매를 순환 공급하기 위해서, 상기 제 1 냉매 유로의 입구에 제 1 유로를 거쳐서 접속된 송출구와, 상기 제 2 냉매 유로의 출구에 제 2 유로를 거쳐서 접속된 귀환구를 가지고, 상기 귀환구로 귀환한 냉매를 기준 온도로 되돌려 상기 송출구로부터 송출하면, 상기 제 1 유로의 도중에 냉매의 온도를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키는 냉매 온도 제어부와, 상기 제 1 냉매 통로의 출구에 제 3 유로를 거쳐서 접속된 제 1 포트와, 상기 제 1 유로의 상기 냉매 온도 제어부보다도 상류측에 마련된 제 1 유로 분기점에 제 4 유로를 거쳐서 접속된 제 2 포트와, 상기 제 2 냉매 통로의 입구에 제 5 유로를 거쳐서 접속된 제 3 포트와, 상기 제 2 유로에 마련된 제 2 유로 분기점에 제 6 유로를 거쳐서 접속된 제 4 포트를 가지고, 상기 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 포트의 사이에서 유로의 도통, 차단 및 변경이 가능한 유로 전환부와, 상기 유로 전환부내의 상기 유로의 도통, 차단 또는 변경을 제어하는 유로 제어부를 가 진다.
상기 구성에 있어서는, 냉매 순환기에 의해 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순환 공급되는 냉매의 온도를 기준 온도로 제어하는 기능과, 제 1 유로의 도중에 마련된 냉매 온도 제어부에 의해 냉매를 기준 온도로부터 승온 또는 강온하는 기능과, 유로 전환부에 의해 냉매 순환기에 대한 제 1 및 제 2 냉매 통로의 접속 관계를 전환하는 기능이 조합되어, 제 1 및 제 2 냉매 통로에 각각 공급되는 냉매의 온도를 여러가지 선택하는 것이 가능하고, 다양하고 또한 세밀하게 탑재대의 온도 또는 온도 분포를 제어할 수 있다. 또한, 냉매 순환기는 한대로 충분하다.
본 발명의 바람직한 일 형태에 의하면, 유로 전환부가, 상기 제 1 포트와 상기 제 3 포트의 사이에 접속된 제 1 개폐 밸브와, 상기 제 1 포트와 상기 제 4 포트의 사이에 접속된 제 2 개폐 밸브와, 상기 제 2 포트와 상기 제 3 포트의 사이에 접속된 제 3 개폐 밸브와, 상기 제 2 포트와 상기 제 4 포트의 사이에 접속된 제 4 개폐 밸브를 가지고, 유로 제어부가, 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 개폐 밸브의 온·오프를 제어한다. 이 구성에 있어서, 각 개폐 밸브의 온·오프는 독립하여 실행되어도 좋고, 혹은 다른 개폐 밸브와 상보적으로 실행되어도 좋다. 일례로서, 제 l 및 제 3 개폐 밸브를 노멀 오픈 밸브로 구성하고, 제 2 및 제 4 개폐 밸브를 노멀 클로즈 밸브로 구성할 수 있다. 혹은, 유로 전환부가, 상기 제 1 포트와 상기 제 3 및 제 4 포트의 사이에 접속된 제 1 방향 전환 밸브와, 제 2 포트와 제 3 및 제 4 포트의 사이에 접속된 제 2 방향 전환 밸브를 가지고, 유로 제어부가, 제 1 및 제 2 방향 전환 밸브내의 각각의 유로 상태를 제어하는 구성이라도 좋다.
또한, 바람직한 일 형태에 의하면, 냉매 온도 제어부가, 제 1 유로에 부착된 인라인 히터와, 이 인라인 히터보다도 하류측에서 제 1 유로내의 냉매의 온도를 검출하는 온도 센서와, 이때 센서에 의해서 검출되는 냉매 온도를 설정 온도에 일치시키도록 인라인 히터의 발열량을 제어하는 온도 제어부를 가진다. 이러한 구성에 의하면, 제 1 유로를 흐르는 냉매에 대한 가열 또는 흡열을 공간 절약하여 효율적으로 실행하고, 급속 승강온을 충분히 발휘할 수 있다. 또한, 급속 승강온의 효과를 높이기 위해서, 인라인 히터가, 탑재대에 가까운 위치에서 제 1 유로내의 냉매를 가열하는 것이 바람직하다.
또한, 바람직한 일 형태에 의하면, 제 1 배관의 제 1 유로 분기점보다도 하류측에 냉매의 유량을 가변 제어하기 위한 유량 제어 밸브가 마련된다. 이 유량 제어 밸브는, 예컨대 수동 조작식 또는 기계 조작식의 가변 스로틀 밸브가 좋다. 일반적으로, 배관을 흐르는 냉매에 대한 가열량 또는 흡열량을 일정하게 유지한 경우에 유량과 냉매 승강온은 정성적으로는 반비례의 관계에 있어, 유량을 작게 할수록, 냉매의 온도를 크게 승강온시킬 수 있다. 이에 의해, 유량 제어 밸브에 의한 냉매 유량 제어와 가열부 또는 흡열부에 의한 가열 또는 흡열 제어를 조합함으로써, 냉매의 온도를 기준 온도로부터 소망하는 설정값으로 고속 또한 정확히 상승 또는 강하시킬 수 있다.
또한, 바람직한 일 형태에 의하면, 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로가 상기 탑재대의 중심에 대하여 동심원 형상으로 배치되어 있고, 특히 바람직하게는 제 1 냉매 통로가 탑재대의 중심부 영역에 마련되어, 제 2 냉매 통로가 탑 재대의 주변부 영역에 마련된다. 또한, 바람직한 일 형태로서, 냉매 순환기는, 냉매를 순환시키기 위한 펌프와, 귀환 직후의 냉매를 냉동하기 위한 냉동부와, 냉동후의 냉매를 소정의 기준 온도까지 가열하는 가열부를 가진다.
본 발명의 제 1 탑재대 온도 제어 방법은, 피처리체를 탑재하는 탑재대에 마련된 제 1 및 제 2 냉매 통로에 냉매 순환기로부터 냉매를 순환 공급시켜 상기 탑재대의 온도를 제어하는 탑재대 온도 제어 방법으로서, 상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 병렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 기준 온도로 송출된 냉매 중 일부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 상기 제 1 냉매 통로에 흐르게 하고, 나머지를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 2 냉매 통로에 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 1 온도 제어 모드를 가진다.
이 방법에 의하면, 냉매 순환기를 한대 사용하여, 제 2 냉매 통로에는 기준 온도의 냉매를 흐르게 하고, 제 1 냉매 통로에는 기준 온도와 다른 설정 온도의 냉매를 흐르게 하는 것이 가능하고, 탑재대의 온도 분포에 변화를 줄 수 있다. 더구나, 제 1 냉매 통로에 흐르게 하는 분의 냉매만을 직전에 가열 또는 냉각하면 되기 때문에, 가열 또는 냉각 효율이 높고, 급속 승온 또는 급속 강온도 가능하다.
본 발명의 바람직한 일 형태에 의하면, 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 제 1 냉매 통로와 제 2 냉매 통로를 병렬로 접속하여, 냉매 순환기로부터 송출된 냉매 중 일부를 실질적으로 기준 온도 그대로 제 1 냉매 통로에 흐르게 하고, 나머지를 실질적으로 기준 온도 그대로 제 2 냉매 통로에 흐르게 하여 탑재대 의 온도 제어를 실행하는 제 2 온도 제어 모드를 또한 가지고, 피처리체의 가공 조건에 따라 제 1 온도 제어 모드와 제 2 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행한다.
상기 제 2 온도 제어 모드에서는, 제 1 및 제 2 냉매 통로 모두에 냉매 순환기부터의 냉매를 기준 온도 그대로 공급하여, 탑재대 상에 기준 온도에 대응한 대략 플랫인 온도 분포를 얻을 수 있다. 모드 전환에서는, 탑재대(나아가서는 피처리체)의 온도 또는 온도 분포를 제 1 온도 제어 모드에 대응하는 제 1 정상 상태와 제 2 온도 제어 모드에 대응하는 제 2 정상 상태의 사이에서 급속 승온 또는 급속 강온보다 단시간에 이행시킬 수 있다.
또한, 바람직한 일 형태에 의하면, 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 제 1 냉매 통로와 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 냉매 순환기의 송출된 냉매 중 일부를 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하여, 나머지를 바이패스시켜 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 3 온도 제어 모드를 또한 가지고, 피처리체의 가공 조건에 따라 제 1 온도 제어 모드와 제 2 온도 제어 모드와 제 3 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행한다.
상기 제 3 온도 제어 모드에서는, 제 1 및 제 2 냉매 통로 모두에 기준 온도와는 다른 설정 온도의 냉매를 공급하여, 탑재대 상에 설정 온도로 대응한 대략 플랫인 온도 분포를 얻을 수 있다. 모드 전환에서는, 탑재대(나아가서는 피처리체)의 온도 또는 온도 분포를, 제 1 온도 제어 모드에 대응하는 제 1 정상 상태와, 제 2 온도 제어 모드에 대응하는 제 2 정상 상태와, 제 3 온도 제어 모드에 대응하는 제 3 정상 상태의 사이에서 급속 승온 또는 급속 강온보다 단시간에 이행시킬 수 있다. 특히, 제 3 온도 제어 모드로의 전환에서는, 바이패스로의 작용에 의해 양쪽 냉매 통로에 대한 냉매 공급 유량의 가변 제어를 고속 또한 안정하게 실행할 수 있다.
또한, 바람직한 일 형태에 의하면, 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 제 1 냉매 통로와 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 냉매 순환기로부터 송출된 냉매의 전부를 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 제 1 및 제 2 유체 통로에 순차적으로 흐르게 하여 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 4 온도 제어 모드를 또한 가지고, 피처리체의 가공 조건에 따라 제 1 온도 제어 모드와 제 2 온도 제어 모드와 제 4 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행한다.
상기 제 4 온도 제어 모드에서는, 제 l 및 제 2 냉매 통로 모두에 기준 온도와는 다른 설정 온도의 냉매를 공급하여, 탑재대 상에 설정 온도로 대응한 대략 플랫인 온도 분포를 얻을 수 있다. 모드 전환에서는, 탑재대(나아가서는 피처리체)의 온도 또는 온도 분포를, 제 1 온도 제어 모드에 대응하는 제 1 정상 상태와, 제 2 온도 제어 모드에 대응하는 제 2 정상 상태와, 제 4 온도 제어 모드에 대응하는 제 4 정상 상태의 사이에서 급속 승온 또는 급속 강온보다 단시간에 이행시킬 수 있다.
또한, 바람직한 일 형태에 의하면, 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에 서 제 1 냉매 통로와 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 냉매 순환기로부터 송출된 냉매 중 일부를 실질적으로 기준 온도 그대로 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하고, 나머지를 바이패스시켜 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 5 온도 제어 모드를 또한 가지고, 피처리체의 가공 조건에 따라 제 1 온도 제어 모드, 제 3 온도 제어 모드 또는 제 4 온도 제어 모드와 제 5 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행한다.
상기 제 5 온도 제어 모드에서는, 제 1 및 제 2 냉매 통로 모두에 냉매 순환기부터의 냉매를 기준 온도 그대로 공급하여, 탑재대 상에 기준 온도로 대응한 대략 플랫인 온도 분포를 얻을 수 있다. 또한, 바이패스로의 작용에 의해 냉매의 공급 유량을 고속으로 가변 제어할 수도 있다. 모드 전환에서는, 탑재대(나아가서는 피처리체)의 온도 또는 온도 분포를, 제 1 온도 제어 모드에 대응하는 제 1 정상 상태와, 제 3 온도 제어 모드에 대응하는 제 3 정상 상태와, 제 4 온도 제어 모드에 대응하는 제 4 정상 상태와, 제 5 온도 제어 모드에 대응하는 제 5 정상 상태의 사이에서 급속 승온 또는 급속 강온보다 단시간에 이행시킬 수 있다.
또한, 바람직한 일 형태에 의하면, 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 제 1 냉매 통로와 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 냉매 순환기의 송출된 냉매의 전부를 실질적으로 기준 온도 그대로 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하여 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 6 온도 제어 모드를 또한 가지고, 피처리체의 가공 조건에 따라 제 1 온도 제어 모드, 제 3 온도 제어 모드 또는 제 4 온도 제어 모드와 제 6 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행한다.
상기 제 6 온도 제어 모드에서는, 제 1 및 제 2 냉매 통로 모두에 냉매 순환기부터의 냉매를 기준 온도 그대로 공급하여, 탑재대 상에 기준 온도로 대응한 대략 플랫인 온도 분포를 얻을 수 있다. 모드 전환에서는, 탑재대(나아가서는 피처리체)의 온도 또는 온도 분포를, 제 1 온도 제어 모드에 대응하는 제 1 정상 상태와, 제 3 온도 제어 모드에 대응하는 제 3 정상 상태와, 제 4 온도 제어 모드에 대응하는 제 4 정상 상태와, 제 6 온도 제어 모드에 대응하는 제 6 정상 상태의 사이에서 급속 승온 또는 급속 강온보다 단 시간에 이행시킬 수 있다.
본 발명의 제 2 탑재대 온도 제어 방법은, 피처리체를 탑재하는 탑재대에 마련된 제 1 및 제 2 냉매 통로에 냉매 순환기로부터 냉매를 순환 공급시켜 상기 탑재대의 온도를 제어하는 탑재대 온도 제어 방법으로서, 상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 병렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 기준 온도로 송출된 냉매 중 일부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 상기 제 1 냉매 통로에 흐르게 하고, 나머지를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 2 냉매 통로에 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 1 온도 제어 모드와, 상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 병렬로 접속하고, 상기 냉매 순환기로부터 송출된 냉매 중 일부를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 냉매 통로에 흐르게 하고, 나머지를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 2 냉매 통로에 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 2 온도 제어 모드와, 상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기의 송출된 냉매 중 일부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하고, 나머지를 바이패스시켜 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 3 온도 제어 모드와, 상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 송출된 냉매 중 일부를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하고, 나머지를 바이패스시켜 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 5 온도 제어 모드 중, 상기 제 1 모드와, 상기 제 2, 제 3, 제 5 모드의 적어도 하나의 모드의 사이에서 전환을 실행한다.
이 제 2 방법에 있어서는, 상기 제 2 모드, 제 3 모드 및 제 5 모드로 이루어지는 군(group)으로부터 택해진 하나 또는 복수의 모드와 상기 제 1 모드의 사이에서 전환이 실행된다. 이 제 2 방법에서도, 상기 제 1 방법과 동일하게, 탑재대의 온도 분포에 다종다양한 변화를 가지게 할 수 있음과 동시에, 급속 승온 또는 급속 강온을 쉽게 실현할 수 있다.
본 발명의 처리 장치는, 피처리체를 탑재하는 탑재대를 수용하는 감압 가능한 챔버와, 본 발명에 의한 탑재대 온도 제어 장치와, 챔버내를 배기하기 위한 배기부와, 상기 챔버내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급부를 가진다. 이러한 처리 장치의 구성에 있어서는, 본 발명의 탑재대 온도 제어 장치에 의해 탑재대를 거쳐서 피처리체의 온도 내지 온도 분포를 다양 또는 고정밀도로 제어할 수 있다.
상기 처리 장치에 있어서, 바람직한 일 형태에 의하면, 챔버내에 상기 처리 가스의 플라즈마를 생성 또는 공급하기 위한 플라즈마원이나, 탑재대에 제 1 고주파를 급전하기 위한 제 1 고주파 급전부가 마련된다. 또한, 챔버내에서 탑재대와 대향하는 대향 전극과, 이 대향 전극에 제 2 고주파를 급전하기 위한 제 2 고주파 급전부를 마련하는 구성도 가능하다.
또한, 바람직한 일 형태에 의하면, 탑재대에, 피처리체를 정전 흡착하기 위한 정전척과, 피처리체의 이면과 탑재면의 사이에 열전도 가스를 공급하는 열전도 가스 공급로가 마련된다.
또한, 바람직한 일 형태로서, 상기 처리 장치는, 피처리체에 대하여 소망하는 플라즈마 처리가 시작되기 전에, 냉매 온도 제어부에 의해 제 1 유로를 흐르는 냉매를 가열하여 피처리체의 온도를 처리용의 설정 처리 온도까지 상승시켜, 플라즈마 처리가 시작하고 나서 그 이후도 처리가 종료할 때까지 피처리체의 온도가 설정 처리 온도로 실질적으로 유지되도록 냉매 온도 제어부에 의해 제 1 유로를 흐르는 냉매에 대한 가열을 점차적으로 약하게 한다. 즉, 냉매 온도 제어부에 의한 고속 승강온 기능을 이용하여, 플라즈마로부터의 입열(入熱)에 의한 피처리체 온도의 변동(상승)을 보정하는 것이 가능하고, 낱장 플라즈마 처리의 온도 관리, 재현성, 득률을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 냉매 순환기로부터 송출되는 냉매의 기준 온도는 반드시 엄밀히 일정할 필요도 없지만 하나의 온도값일 필요도 없고, 어느 정도의 변동폭 또는 범위를 가지는 것이라면 좋다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태를 설명한다.
< 실시예 1>
도 1에, 본 발명의 1 실시 형태에 있어서의 탑재대 온도 제어 장치의 구성을 도시한다. 이 탑재대 온도 제어 장치는, 전형적으로는 감압 가능한 챔버(10)내에서 처리를 받는 피처리 기판 예컨대 반도체 웨이퍼(W)의 온도 내지 온도 분포를 제어하는 것을 궁극 목적으로 하여, 반도체 웨이퍼(W)를 탑재하는 탑재대(12)의 온도 내지 온도 분포를 제어하는 장치로, 그 기본 구성으로서, 탑재대(12) 내부의 냉매 통로, 칠러 유닛(14), 가열 유닛(16), 유로 전환 유닛(18), 배관류(26, 28, 30, 32, 58, 60 등) 및 컨트롤러(20)를 가지고 있다.
탑재대(12)의 내부에는, 냉매를 흐르게 하는 통로가 복수 계통 예컨대 2 계통 마련되어 있다. 전형적으로는, 탑재대(12)의 중심을 포함하는 중심부 영역과 에지를 포함하는 주변부 영역에 각각 개별 입구와 출구를 가지는 냉매 통로(22, 24)가 마련된다. 이들 냉매 통로(22, 24)는, 각각의 영역에 냉매의 온도를 구석구석까지 전달할 수 있도록, 예컨대 동심원 형상 또는 스파이럴(소용돌이) 형상으로 형성되어 있다. 중심부 영역의 냉매 통로(22)는, 스파이럴의 중심부에 입구(22a)를 가지고, 스파이럴의 외주부에 출구(22b)를 가지는 구성이 바람직하다.
냉매 통로(22)의 입구(22a)는 칠러 유닛(14)의 송출구(14a)에 배관(26)을 거쳐서 접속되어 있고, 냉매 통로(22)의 출구(22b)는 유로 전환 유닛(18)의 포트(제 1 입구)(18a)에 배관(28)을 거쳐서 접속되어 있다. 한편, 냉매 통로(24)의 입구(24a)는 유로 전환 유닛(18)의 포트(제 1 출구)(18c)에 배관(30)을 거쳐서 접속되어 있고, 냉매 통로(24)의 출구(24b)는 칠러 유닛(14)의 귀환구(14b)에 배관(32)을 거쳐서 접속되어 있다.
칠러 유닛(14)은, 탑재대(12)의 양쪽 냉매 통로(22, 24)에 냉매를 순환 공급하는 기능을 가지고 있고, 예컨대, 냉매를 순환시키기 위한 펌프(34)와, 귀환구(14b)에 귀환한 직후의 냉매를 냉동하기 위한 냉동기(36)와, 냉동후의 냉매를 소정의 베이스 온도(기준 온도)까지 되돌리도록 가열하는 가열기(38)를 구비하고 있다(도 5). 일반적으로, 칠러 유닛(14)은 탑재대(12)로부터 먼 장소에 설치되어, 양자를 열결하는 배관(26, 32)도 상당히 길다(예컨대 5m 이상). 칠러 유닛(14)내의 각 부의 동작 및 유닛 전체의 냉매 순환 공급 동작은 컨트롤러(20)에 의해서 제어된다.
또한, 냉매 순환기로부터 송출되는 냉매의 베이스 온도는 반드시 엄밀하게 일정한 것은 아니고, 하나의 온도값으로 유지되는 것도 아니고, 허용 범위내에서 어느 정도의 변동폭(예컨대 5℃)을 가지는 것이 보통이다.
가열 유닛(16)은, 배관(26)의 도중에서 냉매를 가열하여 냉매 온도를 베이스 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승시키는 냉매 승온 기능을 가지고 있고, 탑재대(12)에 가급적 가까운 위치에서 배관(26)에 부착되는 인라인 히터(40)와, 이 인라인 히터(40)에 전력을 공급하는 전원(42)을 구비하고 있다. 인라인 히터(40)는, 고속 승온 기능을 가지는 것이 바람직한 것뿐만 아니라, 칠러 유닛(14)으로부 터 배관(26)내를 장거리로 압송되어 오는 냉매의 압력에 견딜수 있는 물리적 강도를 가지는 것이 바람직하고, 예컨대 도 2에 도시하는 것과 같은 유도 가열 방식의 히터가 바람직하다.
도 2의 구성예에 있어서, 인라인 히터(40)는, 절연통(46) 안에 배관(26)의 일부 또는 일구간을 형성하는 코일 형상의 SUS 가열 엘리멘트(element)관(48)을 수용하여, 절연통(46)의 주위에 도선으로 이루어지는 워크 코일(50)을 감합 또는 장착하고 있다. 전원(42)으로부터 워크 코일(50)에 고주파의 교류 전류를 흐르게 하면, 절연통(46)내에 교번(交番) 자속이 발생하여, 이 교번 자속에 의해 SUS 가열 엘리멘트관(48)에 유도 전압이 발생하여 유도 전류가 흘러, SUS 가열 엘리멘트관(48)이 줄열을 발생한다. 이 SUS 가열 엘리멘트관(48)의 발열로 관내를 흐르는 냉매가 가열된다. 가열 램프 등의 글래스관과는 달리 SUS 가열 엘리멘트관(48)의 물리적 강도는 매우 크고, 매체의 압력에 충분히 견딜 수 있다.
도 1에 있어서, 이 실시 형태에서는, 가열 유닛(16)에, 냉매 승온 기능의 정밀도를 높이기 위해서, 인라인 히터(40)의 하류측에서 냉매의 온도를 검출하는 온도 센서(52)와, 이 온도 센서(52)의 출력 신호(온도 검출 신호)에 따라 냉매 온도를 설정값에 일치시키도록 전원(42)의 공급 전력 나아가서는 히터(40)의 발열량을 제어하기 위한 온도 조절기(54)가 마련되어 있다.
또한, 급속 가열을 한층 더 높이기 위해서, 배관(26)으로부터 탑재대 중심부 영역의 냉매 통로(22)에 공급되는 냉매의 유량을 가변 제어하기 위해서, 예컨대 수동 조작식 또는 기계 조작식(예컨대, 전자 밸브식, 모터 구동식, 에어오퍼레이트식 등)의 가변 스로틀 밸브로 이루어지는 유량 제어 밸브(44)도 마련되어 있다. 또한, 유량 제어의 정밀도를 높이기 위해서, 유량 측정기 또는 유량 센서(56)가 배관(26)에 부착되어 있다.
도 3에, 가열 유닛(16)에 있어서 인라인 히터(40)의 발열량을 일정하게 유지한 경우의 유량과 냉매 승강온의 관계(일례)를 도시한다. 도시한 바와 같이, 유량과 냉매 승강온은 정성적으로는 반비례의 관계에 있어, 유량을 작게 할(줄이다)수록 냉매의 온도를 큰폭으로 승온시킬 수 있다. 이에 의해, 유량 제어 밸브(44)에 의한 냉매 유량 제어와 인라인 히터(40)에 의한 가열 제어를 조합함으로써, 냉매의 온도를 베이스 온도로부터 소망하는 설정값에 고속 또한 정확히 상승 또는 강하시킬 수 있다. 또한, 인라인 히터(40)가 탑재대(12)에 가까운 위치에 배치되기 때문에, 냉매의 급속 승강온을 매우 작은 시상수로 그대로 탑재대(12)측에 전달하는 것이 가능하며, 탑재대(12)의 각 부를 단시간에 고속으로 소망하는 설정값까지 승강온시킬 수 있다. 가열 유닛(16)내의 각 부의 동작 및 유닛 전체의 냉매 승강온 동작은 컨트롤러(20)에 의해서 제어된다.
도 1에 있어서, 유로 전환 유닛(18)은, 상기 2개의 포트(제 1 입구 및 제 1 출구)(18a, l8c) 이외에도 2개의 포트(제 2 입구 및 제 2 출구)(18b, 18d)를 가지고 있다. 여기서, 제 2 입구(18b)는, 배관(26)의 가열 유닛(16)보다도 상류측에 마련된 유로 분기점(N1)에 배관(58)을 거쳐서 접속되어 있다. 또한, 제 2 출구(18d)는, 배관(32)에 마련된 유로 분기점(N2)에 배관(60)을 거쳐서 접속되어 있 다.
유로 전환 유닛(18)내에는, 복수개의 밸브 예컨대 4개의 개폐 밸브(62, 64, 66, 68)가 마련되어 있다. 상세하게는, 제 1 개폐 밸브(62)는 제 1 입구(18a)와 제 1 출구(18c)의 사이에 마련되고, 제 2 개폐 밸브(64)는 제 1 입구(18a)와 제 2 출구(18d)의 사이에 마련되고, 제 3 개폐 밸브(66)는 제 2 입구(18b)와 제 1 출구(18c)의 사이에 마련되고, 제 4 개폐 밸브(68)는 제 2 입구(18b)와 제 2 출구(18d)의 사이에 마련되어 있다. 유로 전환 유닛(18)은 임의의 장소에 설치가 가능하지만, 적어도 냉매 통로(22)의 출구(22b)와 냉매 통로(24)의 입구(24a)를 선택적으로 접속하기 위한 개폐 밸브(62)는 탑재대(12) 가까이에 배치되는 것이 바람직하다.
이들 개폐 밸브(62, 64, 66, 68)는, 일정한 관계로 상보적으로 온·오프하는 것이라도 좋다. 일례로서, 제 2 및 제 3 개폐 밸브(64, 66)를 노멀 오픈 밸브로 구성하고, 제 1 및 제 4 개폐 밸브(62, 68)를 노멀 클로즈 밸브로 구성할 수 있다. 다만, 유로 전환 모드의 종류를 늘리는 관점에서는, 각 개폐 밸브(62, 64, 66, 68)의 온·오프를 독립하여 실행할 수 있는 구성으로 하는 것이 바람직하다. 유로 전환 유닛(18)내의 각 부의 동작(개폐 밸브(62~68)의 온·오프 동작) 및 유닛 전체의 유로 전환 동작은 컨트롤러(20)에 의해서 제어된다.
컨트롤러(20)는, CPU나 메모리 등을 포함하는 컴퓨터 시스템으로 이루어져, 상기 한 바와 같이 이 기판 온도 제어 장치내의 각 부, 특히 칠러 유닛(14), 가열 유닛(16), 유로 전환 유닛(18)의 각각의 동작과 전체의 동작(시퀀스)을 제어한다. 주제어부(140)내의 구성은 도 24에서 후에 설명한다.
다음에, 이 실시 형태의 탑재대 온도 제어 장치에 있어서의 온도 제어 기능에 대하여 설명한다. 이 탑재대 온도 제어 장치에서는, 컨트롤러(20)의 제어에 의해 가열 유닛(16)에 있어서의 가열 동작의 온·오프 상태와 유로 전환 유닛(18)에 있어서의 개폐 밸브(62, 64, 66, 68)의 온·오프 상태를 조합함으로써, 탑재대(12)에 대한 온도 제어에 대하여 6종류의 모드(A), (B), (C), (D), (E), (F)를 얻을 수 있다.
모드(A)는, 도 4에 도시하는 바와 같이, 가열 유닛(16)에 있어서 가열 동작을 온 상태로 함과 동시에, 유로 전환 유닛(18)에서 개폐 밸브(64, 66)를 각각 온 상태로 하여, 개폐 밸브(62, 68)를 각각 오프 상태로 한다. 이 유로 전환 유닛(18)내의 유로 전환에 의해서, 도 5에 도시하는 바와 같이, 칠러 유닛(14)의 송출구(14a)와 귀환구(14b)의 사이에서 중심부 영역의 냉매 통로(22)와 주변부 영역의 냉매 통로(24)가 병렬로 접속된다.
즉, 칠러 유닛(14)으로부터 베이스 온도로 송출된 냉매 중 일부, 즉 유로 분기점(N1)을 곧장 통과하여 배관(26)을 흐르는 냉매는, 도중의 가열 유닛(16)에서 냉매 온도를 베이스 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 승온하고 나서 냉매 통로(22)로 들어간다. 그리고, 냉매 통로(22)로부터 배관(28)을 통해서 유로 전환 유닛(18)으로 들어가면, 냉매 통로(24)를 향하지 않고, 온 상태의 개폐 밸브(64)를 통하여 배관(60)측으로 빠져, 유로 분기점(N2)으로부터 배관(32)을 통하여 칠러 유 닛(14)으로 귀환한다. 또한, 유로 분기점(N1)으로부터 배관(58)측으로 분류한 냉매는 베이스 온도 그대로 유로 전환 유닛(18)(온 상태의 개폐 밸브(66)) 및 배관(30)을 통하여 주변부 영역의 냉매 통로(24)로 들어간다. 그리고, 냉매 통로(24)로부터 나온 후에는, 곧장 배관(32)을 통해서 칠러 유닛(14)으로 귀환한다.
이와 같이, 모드(A)에 의하면, 탑재대(12)의 주변부 영역이 베이스 온도의 냉매로 온도 조절됨과 동시에, 탑재대(12)의 중심부 영역이 베이스 온도보다도 한층 높은 설정 온도의 냉매로 온도 조절된다. 이에 의해, 탑재대(12)에 있어서 중심부 영역이 주변부 영역보다도 상대적으로 높아지는 것 같은 산 형상 또는 사다리꼴 형상의 온도 분포 특성을 얻을 수 있어, 양자간의 고저차(온도차)도 임의로 제어할 수 있다. 또한, 상기 한 바와 같은 가열 유닛(16)의 급속 승온 기능에 의해, 그와 같은 온도 분포 특성을 단시간에 확립할 수 있다.
모드(B)는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 가열 유닛(16)에서 가열 동작을 온 상태로 함과 동시에, 유로 전환 유닛(18)에서 개폐 밸브(62, 68)를 각각 온 상태로 하여, 개폐 밸브(64, 66)를 각각 오프 상태로 한다. 이 유로 전환 유닛(18)내의 유로 전환에 의해서, 도 7에 도시하는 바와 같이, 칠러 유닛(14)의 송출구(14a)와 귀환구(14b)의 사이에서, 중심부 영역의 냉매 통로(22)와 주변부 영역의 냉매 통로(24)가 직렬로 접속됨과 동시에, 배관(58), 유로 전환 유닛(18) 및 배관(60)으로 이루어지는 바이패스로(70)도 형성된다.
상세하게는, 칠러 유닛(14)으로부터 베이스 온도로 송출된 냉매 중 일부, 즉 유로 분기점(N1)을 곧장 통과하여 배관(26)을 흐르는 냉매는, 도중의 가열 유닛(16)에서 냉매 온도를 베이스 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 승온하고 나서 냉매 통로(22)로 들어간다. 그리고, 냉매 통로(22)로부터 나오면, 배관(28), 유로 전환 유닛(18)(온 상태의 개폐 밸브(62)) 및 배관(30)을 통하여 냉매 통로(24)로 들어가고, 냉매 통로(24)로부터 나온 후에는 곧장 배관(32)을 통하여 칠러 유닛(14)으로 귀환한다. 한편, 유로 분기점(N1)으로부터 배관(58)측으로 분류한 냉매는, 베이스 온도 그대로 유로 전환 유닛(18)(온 상태의 개폐 밸브(68)) 및 배관(60)을 통과하여 유로 분기점(N2)으로부터 배관(32)에 유입하여, 냉매 유로(24)측으로부터의 냉매와 합류하여 칠러 유닛(14)으로 귀환한다.
이와 같이, 이 모드(B)에 의하면, 탑재대(12)의 중심부 영역 및 주변부 영역 양쪽을 베이스 온도보다도 고온의 냉매로 온도 조절하여, 탑재대(12) 전체를 대략 균일 또는 플랫인 온도 분포로 베이스 온도보다도 높은 소망하는 설정 온도로 제어할 수 있어, 가열 유닛(16)에 의한 급속 승온도 가능하다. 여기서, 가열 유닛(16)에서 유량 제어 밸브(44)에 의해 냉매의 유량을 임의로 줄여도, 여분의 냉매가 바이패스 유로(70)를 흐르기 때문에, 칠러 유닛(14)의 냉매 순환 능력(냉매 송출 압력)을 일정하게 유지한 채로 가열 유닛(16)측에서 소망하는 급속 승온을 즉시 또한 안정하게 실행할 수 있다.
모드(C)는, 바이패스 유로(70)를 형성하지 않는 점을 제외하고 상기한 제 2 모드(B)와 동일한 냉매 공급 형태를 든다. 즉, 도 8에 도시하는 바와 같이, 가열 유닛(16)에 있어서 가열 동작을 온 상태로 함과 동시에, 유로 전환 유닛(18)에 있어서 개폐 밸브(62)만을 온 상태로 하여, 다른 개폐 밸브(64, 66, 68)를 모두 오프 상태로 한다. 이 유로 전환 유닛(18)내의 유로 전환에 의해서, 도 9에 도시하는 바와 같이, 칠러 유닛(14)의 송출구(14a)와 귀환구(14b)의 사이에서, 중심부 영역의 냉매 통로(22)와 주변부 영역의 냉매 통로(24)가 직렬로 접속되지만, 배관(58)과 배관(60)의 사이에서(유로 전환 유닛(18)에서) 유로가 차단되기 때문에 바이패스 유로(70)는 형성되지 않는다.
이 경우, 칠러 유닛(14)으로부터 베이스 온도로 송출된 냉매의 전부가 유로 분기점(N1)을 곧장 통과하여 배관(26)을 흘러, 도중의 가열 유닛(16)에서 냉매 온도를 베이스 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 승온하고 나서 냉매 통로(22)로 들어간다. 그리고, 냉매 통로(22)로부터 나오면, 배관(28), 유로 전환 유닛(18)(온 상태의 개폐 밸브(62)) 및 배관(30)을 통하여 냉매 통로(24)로 들어가고, 냉매 통로(24)로부터 나간 후에는 곧장 배관(32)을 통하여 칠러 유닛(14)으로 귀환한다.
이 모드(C)는, 상기 모드(B)정도의 고속 또한 효율적인 급속 승온을 달성할 수 없지만, 탑재대(12) 전체를 대략 플랫(균일)인 온도 분포로 베이스 온도보다도 높은 소망하는 설정 온도로 할 수 있다.
모드(D)는, 가열 유닛(16)의 가열 동작을 멈추게 하여(오프 상태로 하여), 유로 전환 유닛(18)내의 유로 상태를 상술한 모드(A)와 동일한 형태로 한다. 즉, 도 10에 도시하는 바와 같이, 개폐 밸브(64, 66)를 각각 온 상태로 하여, 개폐 밸 브(62, 68)를 각각 오프 상태로 한다. 이에 의해서, 도 11에 도시하는 바와 같이, 칠러 유닛(14)의 송출구(14a)와 귀환구(14b)의 사이에서 중심부 영역의 냉매 통로(22)와 주변부 영역의 냉매 통로(24)가 병렬로 접속된다.
따라서, 칠러 유닛(14)으로부터 베이스 온도로 송출된 냉매 중 일부, 즉 유로 분기점(N1)을 곧장 통과하여 배관(26)을 흐르는 냉매는, 도중의 가열 유닛(16)에서 가열되는 일 없이 베이스 온도 그대로 냉매 통로(22)로 들어간다. 그리고, 냉매 통로(22)로부터 나와 배관(28)으로부터 유로 전환 유닛(18)으로 들어가면, 냉매 통로(24)을 향하지 않고, 온 상태의 개폐 밸브(64)를 통하여 배관(60)측으로 빠져, 유로 분기점(N2)으로부터 배관(32)을 통하여 칠러 유닛(14)으로 귀환한다. 또한, 유로 분기점(N1)으로부터 배관(58)측으로 분류한 냉매도 베이스 온도 그대로 유로 전환 유닛(18)(온 상태의 개폐 밸브(66)) 및 배관(30)을 통하여 주변부 영역의 냉매 통로(24)로 들어간다. 그리고, 냉매 통로(24)로부터 나온 후에는, 곧장 배관(32)을 통하여 칠러 유닛(14)으로 귀환한다.
이와 같이, 모드(D)에 의하면, 탑재대(12)의 중심부 영역 및 주변부 영역의 양쪽을 베이스 온도의 냉매로 온도 조절하여, 탑재대(12) 전체를 대략 플랫(균일)인 온도 분포로 베이스 온도 부근의 온도로 제어할 수 있다. 여기서 중요한 것은, 모드(A)로부터 모드(D)로의 이행은, 가열 유닛(16)을 온 상태로부터 오프 상태로 전환하는 것뿐만으로도 좋고, 더구나 고속으로 실행할 수 있다. 즉, 가열 유닛(16)에 의한 급속 승온을 정지시킴으로써 설정 온도로부터 베이스 온도로의 급속 강온을 실현할 수 있다. 모드(B) 혹은 모드(C)로부터 모드(D)로의 이행도, 유로 전환 유닛(18)의 전환 동작이 증가할 뿐, 동일하게 고속으로 실행할 수 있다.
모드(E)는, 가열 유닛(16)의 가열 동작을 멈추게 하고(오프 상태로 하고), 유로 전환 유닛(18)내의 유로 상태를 상기한 모드(B)와 동일한 형태로 한다. 즉, 도 12에 도시하는 바와 같이, 개폐 밸브(62, 68)를 각각 온 상태로 하여, 개폐 밸브(64, 66)를 각각 오프 상태로 한다. 이에 의해서, 도 13에 도시하는 바와 같이, 칠러 유닛(14)의 송출구(14a)와 귀환구(14b)의 사이에서 중심부 영역의 냉매 통로(22)와 주변부 영역의 냉매 통로(24)가 직렬로 접속됨과 동시에, 배관(58), 유로 전환 유닛(18) 및 배관(60)으로 이루어지는 바이패스로(70)도 형성된다.
이 경우, 칠러 유닛(14)으로부터 베이스 온도로 송출된 냉매 중 일부, 즉 유로 분기점(N1)을 곧장 통과하여 배관(26)을 흐르는 냉매는, 도중의 가열 유닛(16)에서 승온하는 일 없이 베이스 온도 그대로 냉매 통로(22)로 들어간다. 그리고, 냉매 통로(22)로부터 나오면, 배관(28), 유로 전환 유닛(18)(온 상태의 개폐 밸브(62)) 및 배관(30)을 통하여 냉매 통로(24)로 들어가고, 냉매 통로(24)로부터 나온 후에는 곧장 배관(32)을 통하여 칠러 유닛(14)으로 귀환한다. 한편, 유로 분기점(N1)으로부터 배관(58)측으로 분류한 냉매는, 베이스 온도 그대로 유로 전환 유닛(18)(온 상태의 개폐 밸브(68)) 및 배관(60)을 통과하여 유로 분기점(N2)으로부터 배관(32)에 유입하여, 냉매 통로(24)측부터의 냉매와 합류하여 칠러 유닛(14)으로 귀환한다.
이 모드(E)에 있어서도, 탑재대(12)의 중심부 영역 및 주변부 영역의 양쪽을 베이스 온도의 냉매로 온도 조절하여, 탑재대(12) 전체를 대략 플랫인 온도 분포로 베이스 온도 부근의 온도로 제어할 수 있다. 또한, 모드(A), 모드(B) 혹은 모드(C)로부터 모드(E)로의 이행도 간단 또한 고속으로 실행할 수 있다.
하지만, 엄밀하게는, 모드(E)와 모드(D)는 탑재대(12)의 온도 분포가 미묘하게 다르다. 즉, 모드(D)에서는, 칠러 유닛(14)으로부터 베이스 온도로 송출된 냉매가 배관(26)의 유로 분기점(N1)에서 2개로 분리되어 탑재대(12)의 중심부 영역의 냉매 통로(22) 및 주변부 영역의 냉매 통로(24)에 패러렐(parallel)하게 공급되기 때문에, 탑재대(12)의 중심부 영역과 주변부 영역이 대략 동일한 냉매 온도로 온도 조절되게 되어, 탑재대(12) 전체에 있어서의 온도 분포의 평탄성(균일성)은 높다. 이에 대하여, 모드(E)에서는, 칠러 유닛(14)으로부터 베이스 온도로 송출된 냉매 전부가 처음에 탑재대(12)의 중심부 영역의 냉매 통로(22)를 흐르고, 그 후 또한 탑재대(12)의 주변부 영역의 냉매 통로(24)를 흐르기 때문에, 전자(중심부 영역)보다도 후자(주변부 영역) 쪽이 냉각 능력이 약간 약하고, 탑재대(12) 전체에 있어서의 온도 분포가 엄밀하게 평탄하지 않고 주변부가 중심부보다도 조금 높아지는 경향이 있다.
마지막으로, 6번째의 모드(F)는, 가열 유닛(16)의 가열 동작을 멈추게 하고(오프 상태로 하고), 유로 전환 유닛(18)내의 유로 상태를 상기의 모드(C)와 동일한 형태로 한다. 즉, 도 14에 도시하는 바와 같이, 개폐 밸브(62)만을 온 상태로 하여, 다른 개폐 밸브(64, 66, 68)를 모두 오프 상태로 한다. 도 15에 도시하는 바와 같이, 칠러 유닛(14)의 송출구(14a)와 귀환구(14b)의 사이에서, 중심부 영역의 냉매 통로(22)와 주변부 영역의 냉매 통로(24)가 직렬로 접속되지만, 배관(58)과 배관(60)의 사이에서(유로 전환 유닛(18)에서) 유로가 차단되기 때문에 바이패스 유로(70)는 형성되지 않는다.
이 경우, 칠러 유닛(14)으로부터 베이스 온도로 송출된 냉매 전부가 유로 분기점(N1)을 곧장 통과하여 배관(26)을 흘러, 도중의 가열 유닛(16)에서 승온하는 일 없이 베이스 온도 그대로 냉매 통로(22)로 들어간다. 그리고, 냉매 통로(22)로부터 나오면, 배관(28), 유로 전환 유닛(18)(온 상태의 개폐 밸브(62)) 및 배관(30)을 통하여 냉매 통로(24)로 들어가고, 냉매 통로(24)로부터 나온 후에는 곧장 배관(32)을 통하여 칠러 유닛(14)으로 귀환한다.
이 모드(F)에 있어서도, 탑재대(12)의 중심부 영역 및 주변부 영역의 양쪽을 베이스 온도의 냉매로 온도 조절하여, 탑재대(12) 전체를 대략 플랫인 온도 분포로 베이스 온도 부근의 온도로 제어할 수 있다. 또한, 모드(A), 모드(B) 혹은 모드(C)로부터 모드(F)로의 이행도 간단 또한 고속으로 실행할 수 있다.
하지만, 엄밀하게는, 모드(F)도, 모드(D) 및 모드(E)의 작용상의 상위점이 있다. 모드(D)와의 상위점은, 모드(E)에 대하여 상술한 것과 동일한 것이 적합하다. 또한, 모드(E)와 비교하면, 모드(F)에서는, 바이패스 유로(70)를 형성하지 않기 때문에, 칠러 유닛(14)으로부터 송출된 냉매 전부를 탑재대(12)의 냉매 통로(22, 24)에 흐르게 할 수 있어, 칠러 유닛(14)에 의한 온도 제어 기능을 보다 온 전히 성취할 수 있다.
상기 한 바와 같이, 이 실시 형태에 있어서는, 한대의 칠러 유닛(14)과, 인라인 히터(40)를 이용하는 가열 유닛(16)과, 4개의 개폐 밸브(62, 64, 66, 68)로 이루어지는 유로 전환 유닛(18)과, 각 유닛(14, 16, 18)의 동작 또는 상태를 제어하는 컨트롤러(20)를 가지는 저코스트로 간단한 구성의 탑재대 온도 제어 장치에 의해서, 탑재대(12)의 온도 내지 온도 분포를 여러 종류의 설정값 혹은 프로파일로 고속 승강온 및 고정밀도로 제어할 수 있다.
< 실시예 2 >
도 16에, 본 발명의 1 실시 형태에 있어서의 플라즈마 처리 장치의 구성을 도시한다. 이 플라즈마 처리 장치에는, 상기한 제 1 실시 형태에 의한 탑재대 온도 제어 장치가 내장되어 있다.
도 16에 도시하는 바와 같이, 이 플라즈마 처리 장치는, 평행평판형의 플라즈마 에칭 장치로 구성되어 있고, 내벽의 표면이 알루마이트 처리된 알루미나막, 이트륨 산화(Y2O3)막, 세라믹 코팅 혹은 석영으로 덮힌 알루미늄 또는 스테인리스강 등으로 이루어지는 원통형의 챔버(처리 용기)(90)를 가지고 있다. 이 챔버(90)는, 도 1의 챔버(10)에 상당하는 것이다. 또한, 챔버(90)는 보안 접지되어 있다.
챔버(90)내에는, 피 처리 기판으로서 예컨대 반도체 웨이퍼(W)를 탑재하는 원판 형상의 탑재대(12)가 하부 전극 또는 서셉터로서 마련되어 있다. 이 탑재대(12)는, 예컨대 알루미늄으로 이루어져, 절연성의 통 형상 유지부(92)를 거쳐서 챔버(90)의 밑바닥으로부터 수직 방향으로 연장하는 통 형상 지지부(94)에 지지되어 있다. 통 형상 유지부(92)의 상면에는, 탑재대(12)의 상면을 링 형상으로 둘러싸는 예컨대 석영으로 이루어지는 포커스링(96)이 배치되어 있다.
챔버(90)의 측벽과 통 형상 지지부(94)의 사이에는 배기로(98)가 형성되어, 이 배기로(98)의 입구 또는 도중에 링 형상의 배플판(100)이 부착됨과 동시에 바닥부에 배기구(102)가 마련되어 있다. 이 배기구(102)에 배기관(104)을 거쳐서 배기 장치(106)가 접속되어 있다. 배기 장치(106)는, 진공 펌프를 가지고 있고, 챔버(90)내의 처리 공간을 소정의 진공도까지 감압할 수 있다. 챔버(90)의 측벽에는, 반도체 웨이퍼(W)의 반출입구를 개폐하는 게이트 밸브(108)가 부착되어 있다.
탑재대(12)에는, 플라즈마 생성용의 고주파 전원(110)이 정합기(112) 및 급전 막대(114)를 거쳐서 전기적으로 접속되어 있다. 이 고주파 전원(110)은, 소망하는 고주파수 예컨대 27 MHz 이상(예컨대 60 MHz)의 고주파를 하부 전극 즉 탑재대(12)에 인가한다. 탑재대(12)와 평행하게 마주보고, 챔버(90)의 천장부에는, 샤워 헤드(116)가 접지 전위의 상부 전극으로서 마련되어 있다. 고주파 전원(110)으로부터의 고주파에 의해서 탑재대(12)와 샤워 헤드(116)의 사이의 공간 즉 플라즈마 생성 공간(PS)에 고주파 전기장이 형성된다.
상기 샤워 헤드(116)는, 다수의 가스 통기 구멍(118a)을 가지는 전극판(118)과, 이 전극판(118)을 장착 및 분리가 가능하도록 지지하는 전극 지지체(120)를 가진다. 전극 지지체(120)의 내부에 버퍼실(122)이 마련되어, 이 버퍼실(122)의 가스 도입구(122a)에는 처리 가스 공급부(124)로부터의 가스 공급 배관(126)이 접속 되어 있다.
챔버(90)의 천장부에서, 플라즈마 생성 공간(PS) 주변의 상방(바람직하게는 샤워 헤드(116)의 주위)에는, 링 형상 또는 동심 형상으로 연장되어 있는 자기장 형성 기구(128)가 마련되어 있다. 이 자기장 형성 기구(128)는, 챔버(90)내의 플라즈마 생성 공간(PS)에 있어서의 고주파 방전의 개시(플라즈마 착화)를 쉽게 하여 방전을 안정하게 유지하기 위해서 기능한다.
탑재대(12)의 상면에는 반도체 웨이퍼(W)를 정전 흡착력으로 유지하기 위한 정전척(130)이 마련되어 있다. 이 정전척(130)은 도전막으로 이루어지는 전극(130a)을 한 쌍의 절연막(130b, 130c)의 사이에 끼운 것으로, 전극(130a)에는 직류 전원(132)이 스위치(134)를 거쳐서 전기적으로 접속되어 있다. 직류 전원(132)으로부터의 직류 전압에 의해, 쿨롱 힘으로 반도체 웨이퍼(W)를 척 상에 흡착 유지할 수 있도록 되어 있다.
탑재대(12)의 내부에는, 상기한 제 1 실시 형태와 동일하게, 중심부 영역에 링 형상 또는 스파이럴 형상으로 연장하고 있는 제 1 냉매 통로(22)가 마련되어, 주변부 영역에 링 형상 또는 스파이럴 형상으로 연장하고 있는 제 2 냉매 통로(24)가 마련되어 있다. 그리고, 이들 냉매 통로(22, 24)에는, 칠러 유닛(14), 가열 유닛(16) 및 유로 전환 유닛(18)을 가지는 상기 제 1 실시 형태와 동일한 탑재대 온도 제어 장치로부터 소정 온도의 냉매가 순환 공급된다.
또한, 열전도 가스 공급부(136)로부터의 열전도 가스 예컨대 He 가스가 가스 공급 라인(138)을 거쳐서 정전척(130)의 상면과 반도체 웨이퍼(W)의 이면의 사이에 공급된다.
제어부(140)는, 이 플라즈마 에칭 장치내의 각 부를 개별적으로 제어하여, 전체의 시퀀스도 통괄 제어함으로써, 탑재대 온도 제어 장치의 컨트롤러(20)(도 1)도 겸하고 있다.
이 플라즈마 처리 장치에서는, 도시를 생략하지만, 상부 전극인 샤워 헤드(116)에 27 MHz 이상의 주파수 예컨대 60 MHz의 고주파 전원을 접속하고, 하부 전극인 탑재대(12)에 2 MHz ~ 27 MHz의 범위내의 주파수 예컨대 2 MHz의 고주파 전원을 접속하는 구성으로 해도 좋다. 이 경우에는, 탑재대(12)에 샤워 헤드(116)측으로부터의 고주파(60 MHz)를 그라운드로 통과시키기 위한 하이패스 필터(HPF)가 전기적으로 접속되어, 샤워 헤드(116)에 탑재대(12)측으로부터의 고주파(2 MHz)를 그라운드로 통과시키기 위한 로우패스 필터(LPF)가 전기적으로 접속되면 바람직하다.
이 플라즈마 처리 장치에 있어서, 에칭을 실행하기 위해서는, 우선 게이트 밸브(108)를 열린 상태로 하여 가공 대상의 반도체 웨이퍼(W)를 챔버(90)내에 반입하여, 탑재대(12) 상에 탑재한다. 이어서, 직류 전원(132)으로부터 직류 전압을 정전척(130)의 전극(130a)에 인가하여, 반도체 웨이퍼(W)를 정전척(130) 상에 고정한다. 그리고, 후술하는 바와 같이 탑재대(12)의 온도 제어를 실행하고, 또한 열전도 가스 공급부(136)로부터의 열전도 가스를 정전척(130)의 상면과 반도체 웨이퍼(W)의 이면에 공급한다. 그 후, 처리 가스 공급부(124)로부터 에칭 가스(일반적으로 혼합 가스)를 소정의 유량 및 유량비로 챔버(90)내에 도입하여, 배기 장 치(106)에 의해 챔버(90)내의 압력을 설정값으로 한 뒤에, 고주파 전원(110)으로부터 소정의 파워로 고주파를 탑재대(12)에 공급한다. 샤워 헤드(116)로부터 토출된 에칭 가스는 플라즈마 생성 공간(PS)내에서 방전하여 플라즈마화하고, 이 플라즈마로 생성되는 래디컬이나 이온에 의해서 반도체 웨이퍼(W)의 주면(主面)이 에칭된다.
상기 한 바와 같은 플라즈마 에칭에서, 이 실시 형태에 있어서의 탑재대 온도 제어 기술을 이용하여 에칭 특성을 제어하는 방법의 예를 몇가지 설명한다.
플라즈마 처리 장치에서는, 프로세스의 종류나 장치 구조에 의해, 탑재대 상에서 피처리 기판의 온도 분포가 여러가지 영향을 받는다. 일반적으로는, 플라즈마나 챔버벽으로부터의 열복사 혹은 고밀도 전자 등에 의해, 기판 상의 온도는 에지부쪽이 중심부 영역보다도 높아지는 경향이 있다. 상기 한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 온도 제어 모드(A)를 적용하는 것에 의해, 반도체 웨이퍼(W) 표면의 온도를 균일하게 할 수 있게 된다.
즉, 상기 한 바와 같이, 탑재대(12)의 온도 제어에 있어서 모드(A)(도 4 및 도 5)를 선택함으로써, 탑재대(12)에 있어서 주변부보다도 내측(중심부 영역)의 온도를 높게 할 수 있다. 이에 의해서, 도 17에 도시하는 바와 같이, 탑재대(12) 상의 반도체 웨이퍼(W)에서는, 중심부 영역과 주변부 영역에서 대략 균일(플랫)한 온도 분포를 얻을 수 있다. 이와 관련하여, 탑재대(12)의 유체 통로(22, 24)에 대략 동일한 온도의 냉매를 흐르게 하면, 도 18에 도시하는 바와 같이, 탑재대(12)에 있어서 중심부 영역과 주변부 영역이 대략 균일(플랫)한 온도 분포가 되어, 그것에 의하여 탑재대(12) 상의 반도체 웨이퍼(W)에서는 플라즈마나 챔버벽으로부터의 열복사 등에 의해 중심부 영역보다도 주변부 영역이 높아지기 쉽다.
다음에, 도 19를 참조하여 제 2 예에 대하여 설명한다. 이 예는, 반도체 웨이퍼(W)의 주면에 형성된 다층막, 예컨대 2층 구조의 도전층을 가공하여 미세한 폭의 배선을 형성하는 경우이다. 이 경우에는, 온도 제어 모드를 모드(B)(도 6, 도 7)로부터 모드(D)(도 10, 도 11)로 전환하는 시퀀스가 유효하다.
이 도전층의 에칭에서는, 에칭 가스로서 예컨대 염소계의 할로겐화물을 포함하는 혼합 가스를 사용한다. 그리고, 탑재대(12)의 온도 제어에서는, 도 19에 도시하는 바와 같이, 처음에는 모드(B)에 의해 반도체 웨이퍼(W) 전체를 소망하는 설정 온도로 대략 균일한 온도 분포로 한다. 그 경우, 고속 승온 기능에 의해, 반도체 웨이퍼(W)를 높은 응답 속도로 제 1 설정 온도(예컨대 60℃)까지 승온시킬 수 있다. 이 상태에서, 에칭 가스를 챔버(90)내에 도입하여, 고주파에 의해 플라즈마 여기하여, 상층의 도전층을 가공한다.
계속해서, 에칭 가스의 도입을 일시적으로 멈추게 하여, 이번에는, 탑재대(12)의 온도 제어를 모드(B)로부터 모드(D)로 전환한다. 이 경우도, 고속 강온 기능에 의해, 탑재대(12) 전체의 온도를 베이스 온도에 상당하는 제 2 설정 온도(예컨대 30℃)까지 고속으로 강하시킬 수 있다.
이렇게 하여, 도 19에 도시하는 바와 같이, 모드(B)로부터 모드(D)로의 전환에 의하여 반도체 웨이퍼(W) 전체도 고속으로 강온한다. 이 상태에서, 재차 에칭 가스를 챔버(90)내에 도입하고 플라즈마 여기하여 하층의 도전층을 가공한다. 이 렇게 해서, 고정밀도로 치수 제어된 적층 배선을 가공 형성할 수 있다.
이 밖에도, 플라즈마 처리에 있어서 여러가지 온도 제어 시퀀스가 가능하다. 도 20은, 도 19과는 역의 시퀀스이며, 처음에 모드(D)하에서 다층막의 첫째 층을 가공하고, 이어서 모드(B)하에서 하층막을 가공한다. 이 경우도, 탑재대(12)의 온도를 모드(D)에 있어서의 설정 온도(예컨대 30℃)로부터 모드(B)에 있어서의 설정 온도(예컨대 60℃)까지 고속으로 전환할 수 있다.
도 21에 제 3의 예를 도시한다. 플라즈마 처리 장치에서는, 상기 한 바와 같이, 탑재대 상의 피처리 기판은, 플라즈마 처리 중에 플라즈마나 챔버벽으로부터의 열복사 혹은 고밀도 전자의 입사를 받는다. 이것은, 플라즈마 처리의 시작과 동시에, 즉 고주파 전극에 대하여 고주파(RF)의 급전을 시작하면, 도 21의 일점 쇄선(144)으로 도시하는 바와 같이 기판의 온도가 상승하는 방향으로 변동하는 것을 의미한다. 다만, 탑재대에 의한 온도 조절도 작용하기 때문에, 일정한 시상수의 시간(π)이 경과하면 기판의 온도 상승(변동)은 포화하여 평형 온도(Tw)에 도달한다. 그러나, 이것으로서는, 플라즈마 처리의 전 기간을 통하여 기판의 온도를 설정 처리 온도(레시피의 온도 조건)로 유지 할 수 없고, 플라즈마 처리의 재현성이나 득률의 점에서 신뢰성은 낮다.
이 점, 본 발명에 의하면, 가열 유닛(16)의 급속 승강온 기능을 이용하여, 챔버(10)내에 반입된 반도체 웨이퍼(W)가 탑재대(12) 상에 탑재되고 나서 소망하는 플라즈마 처리가 시작되기 전에, 도 21의 실선(148a, 146)으로 도시하는 바와 같이 가열 유닛(16)의 급속 승온 기능에 의해 배관(26)을 흐르는 냉매를 가열하여 각 반 도체 웨이퍼(Wn)의 온도를 처리용의 설정 처리 온도(Tw)까지 급속하게 상승시킨다. 그리고, 플라즈마 처리가 시작하고 나서 그 이후도 처리가 종료할 때까지 반도체 웨이퍼(Wn)의 온도가 설정 처리 온도(Tw)로 실질적으로 유지되도록 가열 유닛(16)에 의해 배관(26)을 흐르는 냉매에 대한 가열을 도 21의 실선(148b)에서 도시하는 바와 같이 점차적으로 약하게 한다. 이렇게 해서, 플라즈마 등으로부터의 입열에 의한 웨이퍼 온도의 변동(상승)을 보정하는 것이 가능하고, 낱장 플라즈마 처리의 온도 관리, 재현성, 득률을 향상시킬 수 있다.
상술한 실시 형태에서 온도 제어 모드를 전환하는 시퀀스에서는 칠러 유닛(14)에 있어서의 냉매 베이스 온도를 일정하게 유지했지만, 본 발명은 베이스 온도를 일정하게 유지하는 형태에 한정되는 것이 아니다. 칠러 유닛(14)의 가열기(38)에서 베이스 온도를 임의로 바꾸는 것도 가능하고, 베이스 온도의 가변 제어와 가열 유닛(16)의 승강온 기능을 병용함으로써 한층 더 다양한 온도 제어를 실현할 수 있다.
일례로서, 도 22에, 반도체 웨이퍼(W)를 3단계로 강온시키는 예를 도시한다. 상기 한 바와 같이, 칠러 유닛(14)은 열용량이 큰 데다가 탑재대(12)로부터 상당히 떨어진 장소에 배치되기 때문에, 칠러 유닛(14)에서 베이스 온도를 변경하고 나서 탑재대(12)의 온도가 따르기까지 상당히 긴 시간을 요한다(응답 속도가 느리다).
그래서, 도 22에 도시하는 바와 같이, 제 1 단계에서는, 베이스 온도를 비교적 높은 온도로 설정하고, 가열 유닛(16)을 온 상태로 하여 냉매의 온도를 베이스 온도보다도 더 한층 높은 일정한 온도로 유지한다. 이렇게 해서, 반도체 웨이 퍼(W)의 온도를 제 1 설정 온도로 유지한다. 다음에, 제 2단계에서, 칠러 유닛(14)에서 베이스 온도를 한 단계 낮은 기준 온도로 전환한다. 그러나, 이 베이스 온도 전환의 시상수가 크기 때문에, 탑재대(12)에 공급되는 냉매의 온도가 점차적으로 저하하여, 그것에 따른 반도체 웨이퍼(W)의 온도도 점차적으로 저하해 버려, 고속의 온도 전환은 할 수 없다. 그래서, 제 2 단계에서는, 가열 유닛(16)의 가열 동작을 일단 멈추게 하여 급속 강온에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 온도를 제 1 설정 온도보다도 낮은 제 2 설정 온도까지 단숨에 내린다. 그리고 나서, 가열 유닛(16)의 가열 동작을 재개시켜, 온도 조절기(54)를 통하여 가열 온도를 베이스 온도의 시상수에 맞추어 느릿하게 상승시킨다. 이렇게 해서, 제 2 단계의 기간 동안, 반도체 웨이퍼(W)는 제 2 설정 온도로 유지된다. 다음에, 베이스 온도가 새로운 기준값에 안정했을 때, 가열 유닛(16)의 가열 동작을 멈춘다. 이 급속 강온에 의해, 반도체 웨이퍼(W)의 온도를 제 2 설정 온도로부터 신규 베이스 온도로 대응한 제 3 설정 온도까지 단숨에 내릴 수 있다.
이상과 같이 하여, 반도체 웨이퍼(W)의 온도를, 제 1 단계에서는 예컨대 90℃로, 제 2 단계에서는 예컨대 60℃로, 제 3 단계에서는 예컨대 30℃로 각각 유지하여, 예컨대 3층막의 에칭 가공을 고정밀도로 실행할 수 있다. 혹은, 단층막을 소망하는 단면 형상으로 가공하는 것도 가능하게 된다.
도 23은, 도 22와는 역의 온도 제어 시퀀스이며, 반도체 웨이퍼(W)를 3단계로 승온시키는 예이다. 이 시퀀스에 의하면, 반도체 웨이퍼(W)의 온도를, 제 1 단계에서는 예컨대 30℃로, 제 2 단계에서는 예컨대 60℃로, 제 3 단계에서는 예컨대 90℃로 유지할 수 있어, 도 22의 예와 동일하게 다층막의 에칭 가공을 고정밀도로 실행할 수 있다.
도 24에, 제어부(140)(컨트롤러(20))의 구성예를 도시한다. 이 구성예의 제어부(140)(컨트롤러(20))는, 버스(150)를 거쳐서 접속된 프로세서(CPU)(152), 메모리(RAM)(154), 프로그램 저장 장치(HDD)(156), 프로피 드라이브 혹은 광디스크 등의 디스크 드라이브(DRV)(158), 키보드나 마우스 등의 입력 디바이스(KEY)(160), 표시 장치(DIS)(162), 네트워크·인터페이스(COM)(164), 및 주변 인터페이스(I/F)(166)를 가진다.
프로세서(CPU)(l52)는, 디스크 드라이브(DRV)(158)에 장전된 FD 혹은 광디스크 등의 기억 매체(168)로부터 소요하는 프로그램의 코드를 판독하여, HDD(156)에 저장한다. 혹은, 소요하는 프로그램을 네트워크로부터 네트워크·인터페이스(164)를 거쳐서 다운로드 하는 것도 가능하다. 그리고, 프로세서(CPU)(152)는, 각 단계 또는 각 장면에서 필요한 프로그램의 코드를 HDD(156)로부터 워킹 메모리(RAM)(154) 상에 전개하여 각 스텝을 실행하고, 소요하는 연산 처리를 실행하여 주변 인터페이스(166)를 거쳐서 장치내의 각 부(특히 칠러 유닛(14), 가열 유닛(16), 유로 전환 유닛(18) 등)를 제어한다. 상기 제 1 및 제 2 실시 형태에서 설명한 탑재대 온도 제어 방법을 실시하기 위한 프로그램은 모두 이 컴퓨터 시스템으로 실행된다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 설명했지만, 상술한 실시 형태는 본 발명을 한정하는 것이 아니다. 당업자에 있어서는, 구체적인 실시 형태에 있어서 본 발명의 기술 사상 및 기술 범위로부터 벗어나지 않고 여러가지의 변형·변경을 가하는 것이 가능하다.
예컨대, 유로 전환 유닛(18)에 있어서, 한 쌍의 전자 밸브(62, 64)를, 제 1 입구(18a)에 접속된 제 1 포트와, 제 1 및 제 2 출구(18c, 18d)에 각각 접속된 제 2 및 제 3 포트를 가지는 하나의 방향 전환 밸브로 옮길 수도 있다. 또한, 한 쌍의 전자 밸브(66, 68)를, 제 2 입구(18a)에 접속된 제 1 포트와, 제 1 및 제 2 출구(18c, 18d)에 각각 접속된 제 2 및 제 3 포트를 가지는 하나의 방향 전환 밸브로 옮기는 것도 할 수 있다. 다만, 그 경우에는, 모드(C), (F)를 얻을 수 없다고 하는 제약이 있다.
또한, 상기 실시 형태에서 가열 유닛(16)대신에, 배관(26)의 도중에 냉매를 냉각하는 냉각 유닛을 이용하는 것도 가능하다. 그 경우에는, 예컨대, 모드(A)에 의해서 탑재대(12) 상의 반도체 웨이퍼(W)의 온도 분포에 대하여, 도 17의 프로파일을 상하로 반전시킨 것 같은 프로파일을 얻을 수 있다. 혹은, 칠러 유닛(14)으로부터 베이스 온도로 송출된 냉매를 처음에 탑재대(12)의 주변부 영역의 냉매 통로(24)에 흐르게 하여, 시리얼(serial)하게 그 후에 중심부 영역(22)으로 흐르게 하는 방식도 가능하다. 또한, 탑재대(12)에, 개별의 입구와 출구를 가지는 냉매 통로를 3 계통 이상 마련하는 구성도 가능하다.
또한, 본 발명은, 상기 실시 형태에 있어서와 같은 평행평판형 플라즈마 처리 장치이외에도, 헬리콘파 플라즈마 여기형의 처리 장치, ECR(Electron Cyc1otron Resonance) 플라즈마 여기형의 처리 장치, μ파 플라즈마 여기형의 처리 장치, ICP(Inductively Coupled Plasma) 플라즈마 여기형의 처리 장치 등에도 동일하게 적용할 수 있다. 또한, 에칭 장치이외에 성막 장치 등에도 동일하게 적용할 수 있어, 예컨대 화학 기상 성장(CVD) 장치, 플라즈마 CVD 장치, 스퍼터링 장치, MBE 장치, 증착 장치 등에도 적용할 수 있다. 또한, 본 발명은, 이온 밀링, FIB에 의한 피처리물의 가공, 절연 기판 표면의 플라즈마 세정, 혹은 플라즈마 클리닝 등에도 동일하게 적용할 수 있는 것이다.
또한, 본 발명에 있어서의 피처리 기판은 반도체 웨이퍼에 한한 것이 아니고, 플랫 패널·디스플레이용의 각종 기판이나, 포토 마스크, CD 기판 등이더라도 좋다.
본 발명의 탑재대 온도 제어 장치, 탑재대 온도 제어 방법 또는 탑재대 온도 제어 프로그램에 의하면, 상기 한 바와 같은 구성과 작용에 의해, 실용성이 높은 비교적 소규모 또한 간단한 구성으로써 탑재대의 온도 내지 온도 분포를 다양 또는 고정밀도로 제어하고, 또한 탑재대의 고속 승강온을 가능하게 할 수 있다. 또한, 본 발명의 처리 장치에 의하면, 상기 한 바와 같은 구성과 작용에 의해, 탑재대의 온도 제어를 통하여 피처리체에 대한 처리의 균일성이나 다양성을 향상시킬 수 있다.
Claims (25)
- 피처리체를 탑재하는 탑재대의 온도를 제어하기 위한 탑재대 온도 제어 장치에 있어서,상기 탑재대에 마련된 각각 개별의 입구 및 출구를 가지는 제 1 및 제 2 냉매 통로와,상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 냉매를 순환 공급하기 위해서, 상기 제 1 냉매 통로의 입구에 제 1 유로를 거쳐서 접속된 송출구와, 상기 제 2 냉매 통로의 출구에 제 2 유로를 거쳐서 접속된 귀환구를 가지고, 상기 귀환구에 귀환한 냉매를 기준 온도로 되돌려 상기 송출구로부터 송출하는 냉매 순환기와,상기 제 1 유로의 도중에 냉매의 온도를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키는 냉매 온도 제어부와,상기 제 1 냉매 통로의 출구에 제 3 유로를 거쳐서 접속된 제 1 포트와, 상기 제 1 유로의 상기 냉매 온도 제어부보다도 상류측에 마련된 제 1 유로 분기점에 제 4 유로를 거쳐서 접속된 제 2 포트와, 상기 제 2 냉매 통로의 입구에 제 5 유로를 거쳐서 접속된 제 3 포트와, 상기 제 2 유로에 마련된 제 2 유로 분기점에 제 6 유로를 거쳐서 접속된 제 4 포트를 가지고, 상기 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 포트의 사이에서 유로의 도통, 차단 및 변경이 가능한 유로 전환부와,상기 유로 전환부내의 상기 유로의 도통, 차단 또는 변경을 제어하는 유로 제어부를 가지는 탑재대 온도 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 유로 전환부가, 상기 제 1 포트와 상기 제 3 포트와의 사이에 접속된 제 1 개폐 밸브와, 상기 제 1 포트와 상기 제 4 포트와의 사이에 접속된 제 2 개폐 밸브와, 상기 제 2 포트와 상기 제 3 포트의 사이에 접속된 제 3 개폐 밸브와, 상기 제 2 포트와 상기 제 4 포트의 사이에 접속된 제 4 개폐 밸브를 가지고,상기 유로 제어부가, 상기 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 개폐 밸브의 온·오프를 제어하는 탑재대 온도 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 유로 전환부가, 상기 제 1 포트와 상기 제 3 및 제 4 포트의 사이에 접속된 제 1 방향 전환 밸브와, 상기 제 2 포트와 상기 제 3 및 제 4 포트의 사이에 접속된 제 2 방향 전환 밸브를 가지고,상기 유로 제어부가, 상기 제 1 및 제 2 방향 전환 밸브내의 각각의 유로 상태를 제어하는 탑재대 온도 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 냉매 온도 제어부가상기 제 1 유로에 부착된 인라인 히터와,상기 인라인 히터보다도 하류측에서 상기 제 1 유로내의 냉매 온도를 검출하는 온도 센서와,상기 온도 센서에 의해서 검출되는 냉매 온도를 상기 설정 온도에 일치시키도록 상기 인라인 히터의 발열량을 제어하는 온도 제어부를 가지는 온도 제어 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 인라인 히터가, 상기 탑재대에 가까운 위치에서 상기 제 1 유로내의 냉매를 가열하는 탑재대 온도 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 유로의 상기 제 1 유로 분기점보다도 하류측에 냉매의 유량을 가변 제어하기 위한 유량 제어 밸브가 마련되는 탑재대 온도 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로는, 상기 탑재대의 중심에 대하여 동심원 형상으로 배치되어 있는 탑재대 온도 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 냉매 통로가 상기 탑재대의 중심부 영역에 마련되어, 상기 제 2 냉매 통로가 상기 탑재대의 주변부 영역에 마련되는 탑재대 온도 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 냉매 순환기가, 냉매를 순환시키기 위한 펌프와, 귀환 직후의 냉매를 냉동하기 위한 냉동부와, 냉동후의 냉매를 소정의 기준 온도까지 가열하는 가열부를 가지는 탑재대 온도 제어 장치.
- 피처리체를 탑재하는 탑재대에 마련된 제 1 및 제 2 냉매 통로에 냉매 순환기로부터 냉매를 순환 공급시켜 상기 탑재대의 온도를 제어하는 탑재대 온도 제어 방법에 있어서,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구와의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 병렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 기준 온도로 송 출된 냉매 중 일부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 상기 제 1 냉매 통로로 흐르게 하고, 나머지를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 2 냉매 통로로 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 1 온도 제어 모드를 가지는 탑재대 온도 제어 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 병렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 송출된 냉매 중 일부를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 냉매 통로로 흐르게 하고, 나머지를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 2 냉매 통로로 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 2 온도 제어 모드를 또한 가지고,상기 피처리체의 가공 조건에 따라 상기 제 1 온도 제어 모드와 상기 제 2 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행하는 탑재대 온도 제어 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기의 송출된 냉매 중 일부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하고, 나머지를 바이패스시켜 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 3 온도 제어 모드를 또한 가지고,상기 피처리체의 가공 조건에 따라 상기 제 1 온도 제어 모드와 상기 제 2 온도 제어 모드와 상기 제 3 온도 제어 모드의 사이에서 교환을 실행하는 탑재대 온도 제어 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 송출된 냉매의 전부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 상기 제 1 및 제 2 유체 통로에 순차적으로 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 4 온도 제어 모드를 또한 가지고,상기 피처리체의 가공 조건에 따라 상기 제 1 온도 제어 모드와 상기 제 2 온도 제어 모드와 상기 제 4 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행하는 탑재대 온도 제어 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상 기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 송출된 냉매 중 일부를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하고, 나머지를 바이패스시켜 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 5 온도 제어 모드를 또한 가지고,상기 피처리체의 가공 조건에 따라 상기 제 1 온도 제어 모드, 상기 제 3 온도 제어 모드와 상기 제 5 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행하는 탑재대 온도 제어 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 송출된 냉매 중 일부를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하고, 나머지를 바이패스시켜 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 5 온도 제어 모드를 또한 가지고,상기 피처리체의 가공 조건에 따라 상기 제 1 온도 제어 모드, 상기 제 4 온도 제어 모드와 상기 제 5 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행하는 탑재대 온도 제어 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기의 송출된 냉매의 전부를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 6 온도 제어 모드를 또한 가지고,상기 피처리체의 가공 조건에 따라 상기 제 1 온도 제어 모드, 상기 제 3 온도 제어 모드와 상기 제 6 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행하는 탑재대 온도 제어 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기의 송출된 냉매의 전부를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 6 온도 제어 모드를 또한 가지고,상기 피처리체의 가공 조건에 따라 상기 제 1 온도 제어 모드, 상기 제 4 온도 제어 모드와 상기 제 6 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행하는 탑재대 온 도 제어 방법.
- 피처리체를 탑재하는 탑재대에 마련된 제 1 및 제 2 냉매 통로에 냉매 순환기로부터 냉매를 순환 공급시켜 상기 탑재대의 온도를 제어하는 탑재대 온도 제어 방법에 있어서,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 병렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 기준 온도로 송출된 냉매 중 일부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 상기 제 1 냉매 통로로 흐르게 하고, 나머지를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 2 냉매 통로로 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 1 온도 제어 모드와,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 병렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 송출된 냉매 중 일부를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 냉매 통로로 흐르게 하고, 나머지를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 2 냉매 통로로 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 2 온도 제어 모드와,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기의 송출된 냉매 중 일부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하고, 나머지를 바이패스시켜 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 3 온도 제어 모드와,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 송출된 냉매 중 일부를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하여, 나머지를 바이패스시켜 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 5 온도 제어 모드 중,상기 제 1 모드와, 상기 제 2, 제 3, 제 5 모드의 적어도 하나의 모드의 사이에서 전환을 실행하는 탑재대 온도 제어 방법.
- 피처리체를 탑재하는 탑재대를 수용하는 감압 가능한 챔버와,상기 탑재대의 온도를 제어하기 위한 제 1 항에 기재된 탑재대 온도 제어 장치와,상기 챔버내를 배기하기 위한 배기부와,상기 챔버내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급부를 가지는 처리 장치.
- 제 19 항에 있어서,상기 챔버내에 상기 처리 가스의 플라즈마를 생성 또는 공급하기 위한 플라 즈마원을 가지는 처리 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 탑재대에 제 1 고주파를 급전하기 위한 제 1 고주파 급전부를 가지는 처리 장치.
- 제 21 항에 있어서,상기 챔버내에서 상기 탑재대와 대향하는 대향 전극과, 상기 대향 전극에 제 2 고주파를 급전하기 위한 제 2 고주파 급전부를 가지는 처리 장치.
- 제 19 항에 있어서,상기 탑재대가, 상기 피처리체를 정전 흡착하기 위한 정전척과, 상기 피처리체의 이면과 탑재면의 사이에 열전도 가스를 공급하는 열전도 가스 공급로를 가지는 처리 장치.
- 제 20 항에 있어서,피처리체에 대하여 소망하는 플라즈마 처리가 시작되기 전에, 상기 냉매 온도 제어부에 의해 상기 제 1 유로를 흐르는 냉매를 가열하여 상기 피처리체의 온도를 처리용의 설정 처리 온도까지 상승시켜,상기 플라즈마 처리가 시작하고 나서 그 이후도 처리가 종료할 때까지 상기 피처리체의 온도가 상기 설정 처리 온도로 실질적으로 유지되도록 상기 냉매 온도 제어부에 의해 상기 제 1 유로를 흐르는 냉매에 대한 가열을 점차적으로 약하게 하는 처리 장치.
- 피처리체를 탑재하는 탑재대에 마련된 제 1 및 제 2 냉매 통로에 냉매 순환기로부터 냉매를 순환 공급시켜 상기 탑재대의 온도를 제어하기 위한 탑재대 온도 제어 프로그램을 포함하는 기억매체에 있어서,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 병렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 기준 온도로 송출된 냉매 중 일부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 상기 제 1 냉매 통로로 흐르게 하고, 나머지를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 2 냉매 통로로 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 스텝과,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기의 송출된 냉매 중 일부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서, 또는 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하고, 나머지를 바이패스시켜 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 스텝을 실행하는 탑재대 온도 제어 프로그램을 포함하는 기억매체.
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Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100884319B1 (ko) * | 2008-12-03 | 2009-02-18 | (주)피티씨 | 소비전력절감을 위한 칠러 장치 |
| KR100890961B1 (ko) * | 2008-07-08 | 2009-03-27 | (주)피티씨 | 소비전력절감을 위한 칠러 장치의 하이브리드 온도제어방법 |
| KR100906629B1 (ko) * | 2008-12-29 | 2009-07-10 | (주)테키스트 | 온도 조절 장치 |
| US7582491B2 (en) | 2006-10-27 | 2009-09-01 | Tokyo Electron Limited | Method for diagnosing electrostatic chuck, vacuum processing apparatus, and storage medium |
| KR100924849B1 (ko) * | 2006-10-27 | 2009-11-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 정전척의 진단 방법, 진공 처리 장치 및 기억 매체 |
| KR101006252B1 (ko) * | 2008-05-19 | 2011-01-06 | 주식회사 동부하이텍 | 칠러를 이용한 플래튼 온도조절 시스템 |
| WO2011052832A1 (ko) * | 2009-11-02 | 2011-05-05 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 화학기상증착장치 및 화학기상증착장치의 온도제어방법 |
| WO2011052831A1 (ko) * | 2009-11-02 | 2011-05-05 | 엘아이디에이디피 주식회사 | 화학기상증착장치의 온도제어방법 |
| WO2014152304A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Applied Materials, Inc. | Carousel gas distribution assembly with optical measurements |
| KR101509419B1 (ko) * | 2008-06-03 | 2015-04-08 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판 지지부의 온도 제어 장치 및 온도 제어 방법 |
| KR20160049069A (ko) * | 2014-10-24 | 2016-05-09 | 세메스 주식회사 | 프로브 카드를 이용한 웨이퍼 검사용 척 구조물 |
| KR20180087132A (ko) * | 2017-01-23 | 2018-08-01 | 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 | 기재 가열 장치 및 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
Families Citing this family (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4551256B2 (ja) | 2005-03-31 | 2010-09-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台の温度制御装置及び載置台の温度制御方法及び処理装置及び載置台温度制御プログラム |
| CN100361288C (zh) * | 2005-12-07 | 2008-01-09 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 控制静电卡盘温度系统 |
| JP5042661B2 (ja) * | 2007-02-15 | 2012-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びフィルタユニット |
| JP4917981B2 (ja) * | 2007-07-10 | 2012-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査方法及び検査方法を記録したプログラム記録媒体 |
| KR100927391B1 (ko) * | 2007-10-17 | 2009-11-19 | 유니셈(주) | 반도체 공정설비용 칠러 장치 및 그 제어방법 |
| JP2009111301A (ja) * | 2007-11-01 | 2009-05-21 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| JP5301812B2 (ja) * | 2007-11-14 | 2013-09-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| WO2010004620A1 (ja) * | 2008-07-08 | 2010-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 窒化膜除去装置及び窒化膜除去方法 |
| CN101373731B (zh) * | 2008-10-21 | 2013-02-27 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 静电卡盘装置及其温度控制方法 |
| JP5641709B2 (ja) * | 2009-04-23 | 2014-12-17 | キヤノン株式会社 | デバイス製造装置およびデバイス製造方法 |
| JP5643062B2 (ja) * | 2009-11-24 | 2014-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| KR101108337B1 (ko) * | 2009-12-31 | 2012-01-25 | 주식회사 디엠에스 | 2단의 냉매 유로를 포함하는 정전척의 온도제어장치 |
| US8916793B2 (en) * | 2010-06-08 | 2014-12-23 | Applied Materials, Inc. | Temperature control in plasma processing apparatus using pulsed heat transfer fluid flow |
| CN102412169B (zh) * | 2010-09-21 | 2014-05-28 | 和舰科技(苏州)有限公司 | 一种具有温度自动控制功能的晶片加工机台 |
| JP5762841B2 (ja) | 2011-06-21 | 2015-08-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置 |
| JP5822578B2 (ja) * | 2011-07-20 | 2015-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台温度制御装置及び基板処理装置 |
| CN102509714B (zh) * | 2011-11-18 | 2014-08-27 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 快速控制静电吸盘温度的装置及方法 |
| JP5863582B2 (ja) | 2012-07-02 | 2016-02-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、及び温度制御方法 |
| KR101335435B1 (ko) * | 2012-09-25 | 2013-11-29 | 유니셈(주) | 반도체 제조설비용 냉각장치 |
| CN104681380B (zh) * | 2013-11-29 | 2017-07-07 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种静电卡盘及其等离子体处理室 |
| CN103762188B (zh) * | 2014-01-02 | 2016-06-15 | 同济大学 | 一种半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法 |
| JP6018606B2 (ja) | 2014-06-27 | 2016-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御可能なステージを含むシステム、半導体製造装置及びステージの温度制御方法 |
| JP6529512B2 (ja) | 2014-11-12 | 2019-06-12 | 東京エレクトロン株式会社 | ステージ及び基板処理装置 |
| KR101681493B1 (ko) * | 2015-03-11 | 2016-12-05 | (주)티티에스 | 서셉터 및 서셉터의 온도 가변 장치 |
| JP6570894B2 (ja) * | 2015-06-24 | 2019-09-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御方法 |
| JP6651408B2 (ja) * | 2016-04-28 | 2020-02-19 | 光洋サーモシステム株式会社 | 熱処理装置 |
| JP6820206B2 (ja) * | 2017-01-24 | 2021-01-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 被加工物を処理する方法 |
| CN106653661B (zh) * | 2017-02-28 | 2020-06-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种热处理设备工艺门冷却系统及冷却方法 |
| CN106814769B (zh) * | 2017-03-27 | 2018-08-10 | 成都深冷科技有限公司 | 一种高低温循环控制系统及高低温快速控制方法 |
| WO2018183557A1 (en) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck with flexible wafer temperature control |
| CN107436069A (zh) * | 2017-04-18 | 2017-12-05 | 迪弗斯科技股份有限公司 | 静电冷库系统以及静电冷冻、解冻方法 |
| JP7101023B2 (ja) * | 2018-04-03 | 2022-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 温調方法 |
| JP7195060B2 (ja) * | 2018-05-17 | 2022-12-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| JP7042158B2 (ja) * | 2018-05-23 | 2022-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置及び温度制御方法 |
| JP7175114B2 (ja) | 2018-07-19 | 2022-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及び電極部材 |
| JP7112915B2 (ja) * | 2018-09-07 | 2022-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 温調システム |
| JP7129877B2 (ja) * | 2018-10-15 | 2022-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御システム及び温度制御方法 |
| CN110544663A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-12-06 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 静电吸附卡盘的循环液系统 |
| CN109972122B (zh) * | 2019-03-28 | 2022-04-19 | 惠科股份有限公司 | 一种用于显示面板的物料派送控制方法及系统 |
| CN112216585B (zh) * | 2019-07-11 | 2022-12-30 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种等离子体处理器及基座温度控制方法 |
| JP7365815B2 (ja) | 2019-08-09 | 2023-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及び基板処理装置 |
| JP7330017B2 (ja) * | 2019-08-22 | 2023-08-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱媒体巡回システム及び熱媒体巡回システムの制御方法 |
| CN112951695B (zh) * | 2019-11-26 | 2023-09-29 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 冷却管组件、冷却装置和等离子体处理设备 |
| US20210249284A1 (en) * | 2020-02-12 | 2021-08-12 | Applied Materials, Inc. | Fast response dual-zone pedestal assembly for selective preclean |
| JP2022016129A (ja) | 2020-07-10 | 2022-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台、基板を処理する装置、及び基板を温度調節する方法 |
| CN112501589A (zh) * | 2020-11-06 | 2021-03-16 | 北京印刷学院 | 一种原子层沉积装置 |
| CN114300386A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-04-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种反应腔室尾气压力控制装置及半导体工艺设备 |
| CN114540800B (zh) * | 2022-02-24 | 2023-09-12 | 季华实验室 | 衬底预热系统、方法、电子设备、存储介质及外延设备 |
| WO2023239585A1 (en) * | 2022-06-07 | 2023-12-14 | Lam Research Corporation | Substrate temperature control with integrated thermoelectric cooling system |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000216140A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Hitachi Ltd | ウエハステ―ジおよびウエハ処理装置 |
| JP3817414B2 (ja) * | 2000-08-23 | 2006-09-06 | 株式会社日立製作所 | 試料台ユニットおよびプラズマ処理装置 |
| KR20040059262A (ko) * | 2002-12-28 | 2004-07-05 | 동부전자 주식회사 | 다중 채널 웨이퍼 냉각 장치 및 그 방법 |
| US7789962B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-09-07 | Tokyo Electron Limited | Device and method for controlling temperature of a mounting table, a program therefor, and a processing apparatus including same |
| JP4551256B2 (ja) | 2005-03-31 | 2010-09-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台の温度制御装置及び載置台の温度制御方法及び処理装置及び載置台温度制御プログラム |
-
2005
- 2005-03-31 JP JP2005101767A patent/JP4551256B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
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- 2006-03-31 CN CN2006100664987A patent/CN1841654B/zh active Active
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7582491B2 (en) | 2006-10-27 | 2009-09-01 | Tokyo Electron Limited | Method for diagnosing electrostatic chuck, vacuum processing apparatus, and storage medium |
| KR100924849B1 (ko) * | 2006-10-27 | 2009-11-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 정전척의 진단 방법, 진공 처리 장치 및 기억 매체 |
| KR101006252B1 (ko) * | 2008-05-19 | 2011-01-06 | 주식회사 동부하이텍 | 칠러를 이용한 플래튼 온도조절 시스템 |
| KR101509419B1 (ko) * | 2008-06-03 | 2015-04-08 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판 지지부의 온도 제어 장치 및 온도 제어 방법 |
| KR100890961B1 (ko) * | 2008-07-08 | 2009-03-27 | (주)피티씨 | 소비전력절감을 위한 칠러 장치의 하이브리드 온도제어방법 |
| KR100884319B1 (ko) * | 2008-12-03 | 2009-02-18 | (주)피티씨 | 소비전력절감을 위한 칠러 장치 |
| KR100906629B1 (ko) * | 2008-12-29 | 2009-07-10 | (주)테키스트 | 온도 조절 장치 |
| CN102640260A (zh) * | 2009-11-02 | 2012-08-15 | 丽佳达普株式会社 | 化学气相沉积设备以及化学气相沉积设备的温度控制方法 |
| WO2011052831A1 (ko) * | 2009-11-02 | 2011-05-05 | 엘아이디에이디피 주식회사 | 화학기상증착장치의 온도제어방법 |
| KR101365202B1 (ko) * | 2009-11-02 | 2014-02-20 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 화학기상증착장치의 온도제어방법 |
| KR101383283B1 (ko) * | 2009-11-02 | 2014-04-08 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 화학기상증착장치 및 화학기상증착장치의 온도제어방법 |
| KR101451772B1 (ko) * | 2009-11-02 | 2014-10-16 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 화학기상증착장치 및 화학기상증착장치의 온도제어방법 |
| WO2011052832A1 (ko) * | 2009-11-02 | 2011-05-05 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 화학기상증착장치 및 화학기상증착장치의 온도제어방법 |
| WO2014152304A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Applied Materials, Inc. | Carousel gas distribution assembly with optical measurements |
| KR20160049069A (ko) * | 2014-10-24 | 2016-05-09 | 세메스 주식회사 | 프로브 카드를 이용한 웨이퍼 검사용 척 구조물 |
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