KR20160049069A - 프로브 카드를 이용한 웨이퍼 검사용 척 구조물 - Google Patents

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Abstract

프로브 카드를 이용한 웨이퍼 검사용 척 구조물은 척 플레이트 및 다수의 유로들을 포함한다. 상기 척 플레이트는 상부에 프로브 카드에 의한 검사 공정이 진행되는 웨이퍼가 놓여진다. 상기 유로들은 상기 척 플레이트를 다수의 영역들로 구분한 상태에서 상기 영역들 각각에 대응되도록 상기 척 플레이트에 내장되며, 상기 웨이퍼를 가열 또는 냉각하기 위하여 유체가 개별적으로 공급된다.

Description

프로브 카드를 이용한 웨이퍼 검사용 척 구조물{CHUCK STRUCTURE FOR TESTING A WAFER USING PROBE CARD}
본 발명은 프로브 카드를 이용한 웨이퍼 검사용 척 구조물에 관한 것으로써, 더욱 상세하게는 프로브 카드를 이용하여 웨이퍼 상에 형성된 반도체 소자들의 전기적인 성능을 검사하는데 사용되는 척 구조물에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자들은 웨이퍼 상에 막을 형성하는 증착 공정, 상기 막으로부터 전기적 특성들을 갖는 패턴들을 형성하기 위한 식각 공정, 상기 패턴들에 불순물들을 주입 또는 확산시키기 위한 이온 주입 공정 또는 확산 공정, 상기 패턴들이 형성된 기판으로부터 불순물들을 제거하기 위한 세정 및 린스 공정 등을 반복적으로 수행함으로써 형성된다.
상기와 같은 공정들을 수행하여 반도체 소자들이 형성된 후 상기 반도체 소자들의 전기적인 성능을 검사하기 위한 검사 공정이 수행된다. 상기 검사 공정은 상기 반도체 소자들이 형성된 웨이퍼를 척에 놓은 다음, 테스트 장치와 연결된 다수의 탐침들을 갖는 프로브 카드를 상기 척에 놓여진 웨이퍼의 반도체 소자들에 접촉시켜서 진행된다.
이때, 상기 검사 공정에서는 상기 웨이퍼를 약 90℃ 이상의 고온으로 가열하거나, 약 -40℃ 이하의 저온으로 냉각시켜 그 전기적인 성능을 검사하고 있다. 이를 위하여, 상기 척에는 상기의 고온 또는 저온 검사를 위해서 가열 매체 또는 냉각 매체와 같은 유체가 공급되는 유로가 내장되어 있다.
그러나, 상기 유로는 상기 척에 하나의 입구와 출구를 갖는 단일 형태로 이루어져 있으므로, 상기 유체가 흐르는 과정에서 발생되는 과도한 온도 변화에 의해서 상기 웨이퍼의 위치에 따른 온도 편차가 심각한 문제점이 있다.
대한민국 특허공개 제10-2013-0062876호 (공개일; 2013.06.13, 반도체 디바이스의 검사장치와 이를 이용한 척 스테이지) 대한민국 특허공개 제10-2005-0001819호 (공개일; 2005.01.07, 프로브 척 냉각 시스템 및 방법)
본 발명의 목적은 프로브 카드에 의한 검사 공정이 진행되는 웨이퍼의 위치에 따른 온도 편차를 감소시킬 수 있는 척 구조물을 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 일 특징에 따른 프로브 카드를 이용한 웨이퍼 검사용 척 구조물은 척 플레이트 및 다수의 유로들을 포함한다.
상기 척 플레이트는 상부에 프로브 카드에 의한 검사 공정이 진행되는 웨이퍼가 놓여진다. 상기 유로들은 상기 척 플레이트를 다수의 영역들로 구분한 상태에서 상기 영역들 각각에 대응되도록 상기 척 플레이트에 내장되며, 상기 웨이퍼를 가열 또는 냉각하기 위하여 유체가 개별적으로 공급된다.
일 실시예에 따른 상기 유로들은 상기 척 플레이트의 중심 영역에 대응하여 내장된 제1 유로 및 상기 척 플레이트의 상기 중심 영역과 구분되는 외곽 영역에 대응하여 내장된 제2 유로를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 상기 척 구조물은 상기 유로들 각각의 입구와 인접한 위치에 설치되어 상기 유체를 가열시키는 히터를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 상기 척 구조물은 상기 유로들 각각의 입구와 인접한 위치에 설치되어 상기 유체를 냉각시키는 칠러를 더 포함할 수 있다. 이에, 상기 히터가 상기 유로들 각각의 입구와 상기 칠러의 사이에 위치하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에 따른 상기 척 구조물은 상기 입구와 인접한 위치에 설치되어 상기 유체의 유량을 제어하는 유량 제어부를 더 포함할 수 있다. 이에, 상기 유량 제어부는 상기 유로들 각각의 입구와 상기 히터 사이에 위치하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에 따른 상기 유로들 각각은 상기 척 플레이트의 하부에 입구 및 출구가 형성될 수 있다.
다른 실시예에 따른 상기 유로들 각각은 상기 척 플레이트의 측부에 입구 및 출구가 형성될 수 있다.
이러한 척 구조물에 따르면, 프로브 카드에 의한 검사 공정이 진행되는 웨이퍼가 놓여지는 척 플레이트를 다수의 영역들로 구분한 상태에서 상기 웨이퍼를 가열 또는 냉각하기 위한 유체가 공급되는 유로를 상기 영역들 각각에 대응해서 다수 형성시킴으로써, 상기 유체가 공급되는 길이를 상기 유로를 하나로 형성하였을 경우보다 상대적으로 매우 짧게 하여 상기 유체의 온도 변화를 감소시킬 수 있다.
이에 따라, 상기 유체에 의해서 상기 웨이퍼를 전체적으로 비교적 균일하게 가열 또는 냉각시킴으로써, 상기 웨이퍼를 대상으로 한 고온 검사 공정 및 저온 검사 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드를 이용하여 웨이퍼를 검사하는데 사용되는 척 구조물의 개략적인 구조를 나타낸 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 척 구조물의 척 플레이트에 내장된 유로들을 구체적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 유로들 각각에 유체가 공급되는 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 배경기술에서와 같이 하나의 단일 유로를 형성하였을 경우의 온도 분포를 실제적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 도 3에 도시된 구조에 따라 상기 유로들을 형성하였을 경우의 온도 분포를 실제적으로 나타낸 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 프로브 카드를 이용한 웨이퍼 검사용 척 구조물에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드를 이용하여 웨이퍼를 검사하는데 사용되는 척 구조물의 개략적인 구조를 나타낸 구성도이며, 도 2는 도 1에 도시된 척 구조물의 척 플레이트에 내장된 유로들을 구체적으로 나타낸 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 척 구조물(1000)은 척 플레이트(100) 및 다수의 유로들(200)을 포함한다.
상기 척 플레이트(100)에는 프로브 카드(10)를 이용한 검사 공정이 진행되는 웨이퍼(20)가 놓여진다. 여기서, 상기 검사 공정은 상기 웨이퍼(20)에 형성된 다수의 반도체 소자들(미도시)의 전기적인 성능을 검사하기 위한 공정으로, 상기 프로브 카드(10)에 형성된 다수의 탐침(12)들을 상기 반도체 소자들 각각에 접속시킨 다음 상기 반도체 소자들 각각에 전기 신호를 인가하여 진행된다. 이때, 상기 프로브 카드(10)는 상기 전기 신호를 제공하는 테스터(미도시)와 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 프로브 카드(10)는 상기 척 플레이트(100)의 상부에서 상기 웨이퍼(20)와 마주하면서 교체 가능하도록 설치될 수 있다.
상기 척 플레이트(100)는 상기 웨이퍼(20)가 놓여지는 상부면에 상기 웨이퍼(20)가 안정적으로 놓여지도록 상기 웨이퍼(20)를 진공 흡착하는 다수의 진공홀(110)들이 형성된다. 상기 진공홀(110)들은 상기 척 플레이트(100)의 측부로 연장되어 노출된 적어도 하나의 진공 라인(120)과 연결되어 상기의 진공 흡착을 위한 진공압을 제공 받는다. 이러한 척 플레이트(100)는 수평 및 수직 방향으로 이동시키기 위하여 수평 구동부(미도시) 및 수직 구동부(미도시)와 연결된 스테이지(미도시) 상에 배치될 수 있다.
상기 유로들(200)은 상기 척 플레이트(100)에 내장된다. 상기 유로들(200)에는 상기 웨이퍼(20)를 대상으로 하는 검사 공정을 약 90℃ 이상의 고온 또는 약 -40℃ 이하의 저온에서 진행할 수 있도록 상기 웨이퍼(20)를 가열 또는 냉각시키기 위한 유체(F)가 공급된다. 여기서, 상기 유체(F)는 상기 유로들(200) 각각의 위치에 따라 그 자체의 온도 변화가 가능한 발생되지 않도록 상기 유로들(200) 각각에 매우 빠르게 공급되는 기체 상태의 건조 공기를 포함할 수 있다.
상기 유로들(200)은 상기 척 플레이트(100)를 다수의 영역들로 구분한 상태에서 상기 영역들 각각에 대응되도록 내장되며, 입구(210) 및 출구(220)를 개별적으로 가지고 있다. 이때, 상기 유로들(200)의 개수가 많아질수록 상기 유체(F)가 공급되는 길이가 더 짧아지기 때문에, 상기 유로들(200) 각각으로 공급되는 유체(F)의 온도만 균일하게 제어할 수 있다면 상기 웨이퍼(20)의 위치에 따른 온도 편차를 더 감소시킬 수 있다. 하지만, 상기 유로들(200)의 개수를 많이 형성할 경우에는 이 각각의 유로에 공급되는 유체(F)의 온도를 제어하기 위한 장치들이 많아지게 되어 상기 척 구조물(1000)의 전체적인 구조가 복잡해질 수 있으므로, 상기 유로들(200)의 개수는 상기 척 플레이트(100)에 놓여지는 상기 웨이퍼(20)의 사이즈 또는 요구되는 온도 편차의 정밀도에 따라 유기적으로 조정될 수 있음을 이해할 수 있다.
예를 들어, 상기 유로들(200)은 도 2에서와 같이 상기 척 플레이트(100)의 중심 영역(CA)에 대응하여 내장된 제1 유로(300) 및 상기 척 플레이트(100)의 상기 중심 영역(CA)과 구분되는 외곽 영역(EA)에 대응하여 내장된 제2 유로(400)를 포함할 수 있다.
상기 제1 유로(300)는 상기 척 플레이트(100)의 중심 영역(CA)에서 대략 동심원 형태로 형성될 수 있다. 이때, 상기 동심원 형태의 제1 유로(300)는 상기 척 플레이트(100)의 상부에 놓여지는 웨이퍼(20)를 균일하게 가열 또는 냉각시키기 위하여 각 원 형태가 서로 대략 일정한 간격으로 형성될 필요성이 있다.
또한, 상기 제1 유로(300)는 입구(210) 및 출구(220)가 상기 척 플레이트(100)의 측부로 노출되도록 양 단부들 각각이 상기 중심 영역(CA)으로부터 측부를 향해 연장된 제1 연장부(310)들을 가질 수 있다. 이때, 상기 제1 유로(300)는 상기 척 플레이트(100) 상에 놓여지는 웨이퍼(20)를 균일하게 가열 또는 냉각시키기 위하여 상기 웨이퍼(20)와의 사이 간격이 위치에 따라 일정하도록 동일 평면 상에 형성될 필요성이 있으므로, 도 2에서와 같이 상기 척 플레이트(100)의 측부로 연장된 제1 연장부(310)들에 간섭되지 않도록 상기 제1 연장부(310)들 각각과 평면적으로 마주하는 부위가 180도 방향이 전환되도록 롤링(rolling)된 형태를 가질 수 있다.
상기 제2 유로(400)는 상기 제1 유로(300)와 마찬가지로, 상기 척 플레이트(100)의 외곽 영역(EA)에서 대략 동심원 형태로 형성될 수 있다. 이때에도, 상기 동심원 형태의 제2 유로(400)는 상기 웨이퍼(20)의 균일한 가열 또는 냉각을 위하여 각 원 형태가 서로 대략 일정한 간격으로 형성될 필요성이 있다.
또한, 상기 제2 유로(400)는 입구(210) 및 출구(220)가 상기 제1 유로(300)와 마찬가지로, 상기 척 플레이트(100)의 측부로 노출되도록 양 단부들 각각이 상기 외곽 영역(EA)으로부터 측부를 향해 연장된 제2 연장부(410)들을 가질 수 있다. 이때에도, 상기 제2 유로(400)는 상기 웨이퍼(20)를 가열 또는 냉각시키기 위하여 상기 웨이퍼(20)와의 사이 간격이 위치에 따라 일정하도록 동일한 평면 상에 형성되어야 하므로, 상기 제1 유로(300)와 마찬가지로 상기 제2 연장부(410)들 각각과 평면적으로 마주하는 부위가 롤링(rolling)된 형태를 가질 수 있다. 한편, 이 경우 상기 제2 유로(400)는 상기 제1 연장부(310)들과도 평면적으로 마주하는 부분이 발생되므로, 이 부분도 상기 제1 연장부(310)들에 간섭되지 않도록 롤링(rolling)된 형태를 가질 수 있다.
또한, 상기 제1 및 제2 유로(300, 400)들은 동일한 길이를 갖도록 형성될 수 있다. 이러면, 상기 제1 및 제2 유로(300, 400)들 각각에 공급되는 유체(F)의 온도 편차가 상기 제1 유로(300)와 상기 제2 유로(400) 사이에서는 실질적으로 동일하여 상기 웨이퍼(20)를 보다 균일하게 가열 또는 냉각시킬 수 있다. 이에, 상기 척 플레이트(100)의 상기 제1 유로(300)가 형성된 중심 영역(CA)의 폭이 상기 제2 유로(400)가 형성된 외곽 영역(EA)의 폭보다 반경 차이로 인하여 더 넓게 형성될 수 있다.
상기와 같은 구조와 달리, 상기 제1 및 제2 유로(300, 400)들 각각의 상기 제1 연장부(310)들과 상기 제2 연장부(410)들은 상기 척 플레이트(100)의 하부로 연장된 구조를 가질 수도 있다. 이럴 경우에는 상기 제1 연장부(310)들과 상기 제2 연장부(410)들 각각에 의해서 상기 제1 및 제2 유로(300, 400)들 각각이 평면적으로 간섭되지 않으므로, 상기의 롤링(rolling)된 형태 없이 전체적으로 균일한 동심원 형태, 구체적으로는 나선 형태로 형성할 수 있다는 차별화된 장점이 있다.
또한, 상기 유로들(200)이 상기 제1 및 제2 유로(300, 400)들과 같이 다수를 포함함에 따라 상기 진공 라인(120)도 다양한 사이즈를 갖도록 다수 형성 가능하므로, 상기 척 플레이트(100)에 놓여지는 웨이퍼(20)의 사이즈가 달라질 경우에도 이를 충분히 호환하여 진공 흡착할 수 있다.
이하, 도 3을 추가적으로 참조하여, 상기 제1 및 제2 유로(300, 400)들 각각에 공급되는 유체(F)를 제어하는 구조에 대해서 도 3을 추가적으로 참조하여 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 3은 도 2에 도시된 유로들 각각에 유체가 공급되는 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 추가적으로 참조하면, 상기 척 구조물(1000)은 상기 척 플레이트(100)에 내장된 유로들(200)에 공급되는 유체(F)를 제어하기 위하여 칠러(500), 히터(600) 및 유량 제어부(700)를 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 유로들(200)의 입구(210) 및 출구(220), 예컨대 상기 제1 및 제2 유로(300, 400)들의 연장된 제1 연장부(310)들과 제2 연장부(410)들은 기본적으로 상기 칠러(500), 상기 히터(600) 및 상기 유량 제어부(700)에 의해서 같이 제어되도록 상기 척 플레이트(100)로부터 동일한 방향으로 연장된 구조를 가질 수 있다.
상기 칠러(500)는 상기 유로들(200)의 입구(210)와 인접한 위치에 설치된다. 상기 칠러(500)는 상기 유로들(200)에 공급되는 유체(F)를 냉각시킨다. 구체적으로, 상기 유로들(200)의 입구(210)로부터 연장된 부분(230)을 감싸도록 설치되어 상기 연장된 부분(230)으로 공급되는 유체(F)를 냉각시킨다. 이에, 상기 칠러(500)는 상기 웨이퍼(20)를 약 -40℃ 이하의 저온으로 냉각시키기 위하여 약 -90℃ 정도의 냉매제를 포함하고 있다. 이때, 상기 칠러(500)는 상기 유로들(200)의 입구(210)로부터 연장된 부분(230)에서 효과적으로 상기 유체(F)를 냉각시키기 위하여 상기 연장된 부분(230)을 코일 형태로 감싸거나 길이 방향을 따라 길게 커버하는 구조를 가질 수 있다.
상기 히터(600)는 상기 유로들(200)과 입구(210)와 인접한 위치에서 상기 칠러(500)와 상기 입구(210) 사이에 설치된다. 상기 히터(600)는 상기 유로들(200)에 공급되는 유체(F)를 가열한다. 구체적으로, 상기 히터(600)는 상기 유로들(200)의 입구(210)로부터 연장된 부분(230)을 상기 칠러(500)와 유사하게 감싼 형태로 설치되어 상기 연장된 부분(230)으로 공급되는 유체(F)를 가열시킨다.
이때, 상기 척 구조물(1000)은 상기 히터(600)와 상기 입구(210) 사이에 연결되어 상기 히터(600)를 통과한 유체(F)의 온도를 감지하는 온도 감지부(800)를 더 포함할 수 있다. 즉, 상기 온도 감지부(800)는 상기 칠러(500) 및 상기 히터(600)를 통과한 유체(F)의 최종 온도를 감지할 수 있다.
이에, 상기 온도 감지부(800)는 상기 칠러(500) 및 상기 히터(600)와 연결되어 상기 유체(F)의 최종 온도를 상기 칠러(500) 및 상기 히터(600)에 전달함으로써, 상기 칠러(500) 및 상기 히터(600)의 냉각 또는 가열하는 셋팅 온도를 사용자가 원하는 상기 공급되는 유체(F)의 온도에 따라 설정할 수 있다. 이때, 상기 유체(F)가 상기 칠러(500)에 의해서 냉각된 다음 상기 히터(600)에 의해서 가열되는 공정 순서로 인하여 상기 유체(F)의 온도를 현실적으로 더 정밀하게 제어할 수 있다. 이에, 상기 온도 감지부(800)가 상기 히터(600)하고만 연결되어도 상기 유체(F)의 온도를 안정적으로 정밀하게 제어할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 상기 유체(F)가 상기 칠러(500)를 거쳐 상기 히터(600)를 통해 상기 유로들(200)의 입구(210)로 제공되는 것으로 설명하였지만, 실질적으로 상기 칠러(500)와 상기 히터(600)의 위치가 서로 교체되어도 상기 유체(F)의 온도는 충분히 제어할 수 있음을 이해할 수 있다. 다시 말해, 상기 유체(F)의 온도를 제어하는 구성은 상기 유로들(200)의 입구(210)와 인접한 위치에 상기 유체(F)를 냉각 또는 가열시키는 제1 온도 제어부와, 상기 제1 온도 제어부 및 상기 입구(210) 사이에 설치되어 상기 유체(F)를 상기 제1 온도 제어부와 반대되도록 가열 또는 냉각시키는 제2 온도 제어부를 포함하는 것으로 일반화할 수 있다.
상기 유량 제어부(700)는 상기 유로들(200)의 입구(210)와 인접한 위치에서 상기 히터(600)와 상기 입구(210) 사이에 설치된다. 상기 유량 제어부(700)는 상기 유로들(200)로 공급되는 상기 유체(F)의 유량을 제어한다. 이러면, 상기 척 플레이트(100)의 상부에 놓여진 웨이퍼(20)는 상기 유체(F)의 온도와 함께 그 유량에 의해서도 그 가열 또는 냉각되는 온도를 보다 정밀하게 제어할 수 있다.
한편, 상기 척 구조물(1000)은 상기 칠러(500)의 후단 위치에서 상기 칠러(500)로 상기 유체(F)의 공급을 제어하는 밸브(900)를 더 포함할 수 있다. 상기 밸브(900)는 상기 유체(F)의 유량이 상기 유량 제어부(700)에 의해서 제어되므로, 외부로부터 상기 유체(F)의 공급 여부만을 제어하는데 활용될 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 상기 유체(F)가 상기 칠러(500)에 의해서 냉각된 다음 상기 히터(600)에 의해서 가열되어 온도가 조절되도록 구성되어 있지만, 상기 칠러(500)와 상기 히터(600)가 반대로 설치되어 상기 히터(600)에 의해서 먼저 가열된 다음 상기 칠러(500)에 의해서 냉각되도록 구성될 수도 있다.
이와 같이, 상기 프로브 카드(10)에 의한 검사 공정이 진행되는 상기 웨이퍼(20)가 놓여지는 상기 척 플레이트(100)를 다수의 영역들, 예컨대 중심 영역(CA) 및 외곽 영역(EA)으로 구분한 상태에서 상기 웨이퍼(20)를 가열 또는 냉각하기 위한 유체(F)가 공급되는 유로를 상기 영역들 각각에 대응해서 다수 형성시킴으로써, 상기 유체(F)가 공급되는 길이를 상기 유로를 하나로 형성하였을 경우보다 상대적으로 매우 짧게 하여 상기 유체(F)의 온도 변화를 감소시킬 수 있다.
이는, 배경기술에서와 같이 하나의 단일 유로를 형성하였을 경우의 온도 분포를 실제적으로 나타낸 도 4 및 본 발명의 도 3에 도시된 구조에 따라 상기 유로들을 형성하였을 경우의 온도 분포를 실제적으로 나타낸 도 5를 참조하여, 상기 유로들(200)을 다수로 형성하지 않고 단일 유로로 형성할 도 4의 경우보다 본 발명에서와 같이 상기 유로들(200)을 상기 제1 및 제2 유로(300, 400)들과 같이 다수로 형성할 경우가 그 온도 분포가 더 균일한 것을 실제적으로 확인할 수 있었다. 구체적으로, 도 4의 경우에서는 위치에 따른 온도 편차가 가장 큰 곳이 약 0.9℃ 나타난데 반하여, 도 5의 경우에서는 가장 큰 온도 편차가 상기 도 4의 경우보다 약 50% 이상 감소된 약 0.4℃로 나타났다.
따라서, 상기 유체(F)에 의해서 상기 웨이퍼(20)를 전체적으로 비교적 균일하게 가열 또는 냉각시킴으로써, 상기 웨이퍼(20)를 대상으로 한 고온 검사 공정 및 저온 검사 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10 : 프로브 카드 12 : 탐침
20 : 웨이퍼 100 : 척 플레이트
110 : 진공홀 120 : 진공 라인
200 : 유로들 210 : 입구
220 : 출구 300 : 제1 유로
310 : 제1 연장부 400 : 제2 유로
410 : 제2 연장부 500 : 칠러
600 : 히터 700 : 유량 제어부
800 : 온도 감지부 900 : 밸브
1000 : 척 구조물

Claims (10)

  1. 상부에 프로브 카드에 의한 검사 공정이 진행되는 웨이퍼가 놓여지는 척 플레이트; 및
    상기 척 플레이트를 다수의 영역들로 구분한 상태에서 상기 영역들 각각에 대응되도록 상기 척 플레이트에 내장되며, 상기 웨이퍼를 가열 또는 냉각하기 위하여 유체가 개별적으로 공급되는 다수의 유로들을 포함하는 척 구조물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유로들은
    상기 척 플레이트의 중심 영역에 대응하여 내장된 제1 유로; 및
    상기 척 플레이트의 상기 중심 영역과 구분되는 외곽 영역에 대응하여 내장된 제2 유로를 포함하는 것을 특징으로 하는 척 구조물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 유로들 각각의 입구와 인접한 위치에 설치되어 상기 유체를 가열시키는 히터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 척 구조물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 유로들 각각의 입구와 인접한 위치에 설치되어 상기 유체를 냉각시키는 칠러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 척 구조물.
  5. 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 입구와 인접한 위치에 설치되어 상기 유체의 유량을 제어하는 유량 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 척 구조물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 유로들 각각의 입구와 인접한 위치에 설치되어 상기 유체를 냉각 또는 가열시키는 제1 온도 제어부; 및
    상기 제1 온도 제어부 및 상기 입구 사이에 설치되어 상기 유체를 상기 제1 온도 제어부와 반대되도록 가열 또는 냉각시키는 제2 온도 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 척 구조물.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1 온도 제어부는 상기 유체를 냉각시키는 칠러를 포함하고, 상기 제2 온도 제어부는 상기 유체를 가열시키는 히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 척 구조물.
  8. 제6항에 있어서, 상기 입구와 상기 히터 사이에서 상기 유체의 유량을 제어하는 유량 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 척 구조물.
  9. 제1항에 있어서, 상기 유로들 각각은 상기 척 플레이트의 측부에 입구 및 출구가 형성된 것을 특징으로 하는 척 구조물.
  10. 제1항에 있어서, 상기 유로들 각각은 상기 척 플레이트의 하부에 입구 및 출구가 형성된 것을 특징으로 하는 척 구조물.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180056956A (ko) * 2016-11-21 2018-05-30 세메스 주식회사 기판 온도 조절 장치
KR20190010439A (ko) * 2017-07-20 2019-01-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 적재대 및 기판 검사 장치
CN109713385A (zh) * 2017-10-25 2019-05-03 致茂电子(苏州)有限公司 电池化成系统及其针盘
CN112530846A (zh) * 2020-12-01 2021-03-19 北京北方华创微电子装备有限公司 承载盘及控温装置
US11792012B2 (en) 2018-03-20 2023-10-17 Visa International Service Association Distributed biometric comparison framework
US11887873B2 (en) 2019-03-26 2024-01-30 Ngk Insulators, Ltd. Wafer placement apparatus

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050001819A (ko) 2003-06-26 2005-01-07 동부아남반도체 주식회사 프로브 척 냉각 시스템 및 방법
KR20060106736A (ko) * 2005-03-31 2006-10-12 동경 엘렉트론 주식회사 탑재대의 온도 제어 장치 및 탑재대의 온도 제어 방법 및처리 장치 및 탑재대 온도 제어 프로그램
KR20120118241A (ko) * 2011-04-18 2012-10-26 세크론 주식회사 프로브 스테이션
KR20130062876A (ko) 2011-12-05 2013-06-13 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 반도체 디바이스의 검사장치와 이를 이용한 척 스테이지
KR101323093B1 (ko) * 2010-10-28 2013-10-29 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20140044132A (ko) * 2012-10-04 2014-04-14 세메스 주식회사 스핀 헤드 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 상기 장치를 이용한 기판 처리 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050001819A (ko) 2003-06-26 2005-01-07 동부아남반도체 주식회사 프로브 척 냉각 시스템 및 방법
KR20060106736A (ko) * 2005-03-31 2006-10-12 동경 엘렉트론 주식회사 탑재대의 온도 제어 장치 및 탑재대의 온도 제어 방법 및처리 장치 및 탑재대 온도 제어 프로그램
KR101323093B1 (ko) * 2010-10-28 2013-10-29 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20120118241A (ko) * 2011-04-18 2012-10-26 세크론 주식회사 프로브 스테이션
KR20130062876A (ko) 2011-12-05 2013-06-13 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 반도체 디바이스의 검사장치와 이를 이용한 척 스테이지
KR20140044132A (ko) * 2012-10-04 2014-04-14 세메스 주식회사 스핀 헤드 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 상기 장치를 이용한 기판 처리 방법

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180056956A (ko) * 2016-11-21 2018-05-30 세메스 주식회사 기판 온도 조절 장치
KR20190010439A (ko) * 2017-07-20 2019-01-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 적재대 및 기판 검사 장치
US10663511B2 (en) 2017-07-20 2020-05-26 Tokyo Electron Limited Substrate mounting table and substrate inspection apparatus
CN109713385A (zh) * 2017-10-25 2019-05-03 致茂电子(苏州)有限公司 电池化成系统及其针盘
US11792012B2 (en) 2018-03-20 2023-10-17 Visa International Service Association Distributed biometric comparison framework
US11887873B2 (en) 2019-03-26 2024-01-30 Ngk Insulators, Ltd. Wafer placement apparatus
CN112530846A (zh) * 2020-12-01 2021-03-19 北京北方华创微电子装备有限公司 承载盘及控温装置
CN112530846B (zh) * 2020-12-01 2024-06-21 北京北方华创微电子装备有限公司 承载盘及控温装置

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