KR20160049070A - 웨이퍼 가열용 척 구조물 - Google Patents

웨이퍼 가열용 척 구조물 Download PDF

Info

Publication number
KR20160049070A
KR20160049070A KR1020140144628A KR20140144628A KR20160049070A KR 20160049070 A KR20160049070 A KR 20160049070A KR 1020140144628 A KR1020140144628 A KR 1020140144628A KR 20140144628 A KR20140144628 A KR 20140144628A KR 20160049070 A KR20160049070 A KR 20160049070A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
heater
chuck
center
chuck plate
Prior art date
Application number
KR1020140144628A
Other languages
English (en)
Inventor
정상훈
이용환
전동제
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020140144628A priority Critical patent/KR20160049070A/ko
Publication of KR20160049070A publication Critical patent/KR20160049070A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
    • H05B3/141—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
    • H05B3/143—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds applied to semiconductors, e.g. wafers heating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

웨이퍼 가열용 척 구조물은 척 플레이트, 적어도 하나의 중심 히터 및 외장 히터를 포함한다. 상기 척 플레이트는 상부에 프로브 카드에 의한 검사 공정이 진행되는 웨이퍼가 놓여진다. 상기 중심 히터는 상기 척 플레이트의 상기 웨이퍼의 중심 부분과 마주하는 부위에 배치되어 상기 웨이퍼를 가열한다. 상기 외장 히터는 상기 척 플레이트의 외주면을 감싸도록 배치되어 상기 중심 히터와 같이 상기 웨이퍼를 가열한다.

Description

웨이퍼 가열용 척 구조물{CHUCK STRUCTURE FOR HEATING A WAFER}
본 발명은 웨이퍼 가열용 척 구조물에 관한 것으로써, 더욱 상세하게는 프로브 카드를 이용하여 웨이퍼 상에 형성된 반도체 소자들의 전기적인 성능을 검사할 때 상기 웨이퍼를 가열하는 척 구조물에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자들은 웨이퍼 상에 막을 형성하는 증착 공정, 상기 막으로부터 전기적 특성들을 갖는 패턴들을 형성하기 위한 식각 공정, 상기 패턴들에 불순물들을 주입 또는 확산시키기 위한 이온 주입 공정 또는 확산 공정, 상기 패턴들이 형성된 기판으로부터 불순물들을 제거하기 위한 세정 및 린스 공정 등을 반복적으로 수행함으로써 형성된다.
상기와 같은 공정들을 수행하여 반도체 소자들이 형성된 후 상기 반도체 소자들의 전기적인 성능을 검사하기 위한 검사 공정이 수행된다. 상기 검사 공정은 상기 반도체 소자들이 형성된 웨이퍼를 척에 놓은 다음, 테스트 장치와 연결된 다수의 탐침들을 갖는 프로브 카드를 상기 척에 놓여진 웨이퍼의 반도체 소자들에 접촉시켜서 진행된다.
이때, 상기 검사 공정에서는 상기 웨이퍼를 약 90℃ 이상의 고온으로 가열하여 고온에서도 전기적인 성능이 양호한지 확인하기 위한 고온 검사 공정도 포함하여 수행되고 있다. 이를 위하여, 상기 척에는 상기의 고온 검사 공정을 수행하기 위하여 히터가 내장되어 있다.
그러나, 상기 히터는 상기 척의 대략 중심 부분에 대응해서 내장되어 있기 때문에, 상기 웨이퍼의 가장자리 부분이 상기 중심 부분보다 상대적인 온도 편차가 약 2℃ 정도로 매우 심각한 문제점이 있다.
대한민국 특허공개 제10-2011-0089336호 (공개일; 2011.08.05, 웨이퍼 가열 장치, 정전 척, 및 웨이퍼 가열 장치의 제조 방법) 대한민국 특허공개 제10-2003-0059633호 (공개일; 2003.07.10, 웨이퍼 가열용 열판)
본 발명의 목적은 웨이퍼의 위치에 따른 온도 편차를 감소시키면서 상기 웨이퍼를 균일하게 가열할 수 있는 척 구조물을 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 일 특징에 따른 웨이퍼 가열용 척 구조물은 척 플레이트, 적어도 하나의 중심 히터 및 외장 히터를 포함한다.
상기 척 플레이트는 상부에 프로브 카드에 의한 검사 공정이 진행되는 웨이퍼가 놓여진다. 상기 중심 히터는 상기 척 플레이트의 상기 웨이퍼의 중심 부분과 마주하는 부위에 배치되어 상기 웨이퍼를 가열한다. 상기 외장 히터는 상기 척 플레이트의 외주면을 감싸도록 배치되어 상기 중심 히터와 같이 상기 웨이퍼를 가열한다.
일 실시예에 따른 상기 중심 히터는 상기 척 플레이트를 다수의 영역들로 구분한 상태에서 상기 영역들 각각에 대응되도록 배치된 다수를 포함할 수 있다.
다른 실시예에 따른 상기 중심 히터는 동심원 형태로 배치된 다수를 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따른 상기 중심 히터는 다수가 다단 구조로 내장될 수 있다. 이럴 경우, 상기 다수의 중심 히터들은 상기 척 플레이트의 중심으로부터 외곽으로 갈수록 상기 웨이퍼와 가까워지도록 내장될 수 있다.
일 실시예에 따른 상기 척 구조물은 상기 중심 히터 및 상기 외장 히터 각각의 온도들을 감지하는 제1 및 제2 온도 센서들, 및 상기 제1 및 제2 온도 센서들과 상기 중심 히터 및 상기 외장 히터와 연결되어 상기 감지된 온도들을 통해 상기 중심 히터 및 상기 외장 히터의 히팅 온도들을 제어하는 온도 제어부를 더 포함할 수 있다.
이러한 척 구조물에 따르면, 프로브 카드를 통해 고온에서의 전기적인 성능을 검사하는 공정이 진행되는 웨이퍼가 놓여지는 척 플레이트에 상기 웨이퍼를 가열하기 위하여 상기 척 플레이트의 상기 웨이퍼의 중심 부분과 마주하는 부위에 배치된 적어도 하나의 중심 히터와 같이 상기 척 플레이트의 외주면을 감싸도록 외장 히터를 배치시킴으로써, 상기 척 플레이트의 가장자리 부분에서의 온도 편차를 획기적으로 감소시킬 수 있다.
이에 따라, 상기 척 플레이트에 놓여진 웨이퍼를 상기 중심 히터와 상기 외장 히터를 통해 전체적으로 균일하게 가열시킴으로써, 상기 고온에서의 전기적인 성능을 검사하는 공정을 신뢰성을 갖고 수행할 수 있다. 이로써, 상기 웨이퍼로부터 제조되는 반도체 소자들의 품질이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드를 이용하여 웨이퍼를 검사하는데 사용되는 척 구조물의 개략적인 구조를 나타낸 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 척 구조물의 중심 히터들 및 외장 히터를 구체적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 척 구조물에 의해서 가열된 웨이퍼의 온도 편차를 나타낸 그래프들이다.
도 4는 도 3에 도시된 그래프들 중 제1 그래프(G1)에 따른 온도 분포를 실제적으로 나타낸 그림이다.
도 5는 도 3에 도시된 그래프들 중 제2 그래프(G2)에 따른 온도 분포를 실제적으로 나타낸 드림이다.
도 6은 도 1에 도시된 척 구조물에서 다른 실시예에 따른 중심 히터들을 나타낸 도면이다.
도 7은 도 6에 도시된 중심 히터들을 구체적으로 나타낸 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 가열용 척 구조물에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드를 이용하여 웨이퍼를 검사하는데 사용되는 척 구조물의 개략적인 구조를 나타낸 구성도이며, 도 2는 도 1에 도시된 척 구조물의 중심 히터들 및 외장 히터를 구체적으로 나타낸 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 척 구조물(1000)은 척 플레이트(100), 적어도 하나의 중심 히터(200) 및 외장 히터(300)를 포함한다.
상기 척 플레이트(100)에는 프로브 카드(10)를 이용한 검사 공정이 진행되는 웨이퍼(20)가 놓여진다. 여기서, 상기 검사 공정은 상기 웨이퍼(20)에 형성된 다수의 반도체 소자들(미도시)의 전기적인 성능을 검사하기 위한 공정으로, 상기 프로브 카드(10)에 형성된 다수의 탐침(12)들을 상기 반도체 소자들 각각에 접속시킨 다음 상기 반도체 소자들 각각에 전기 신호를 인가하여 진행된다. 이때, 상기의 검사 공정에서는 상기 웨이퍼(20)를 이하에서 설명할 중심 히터(200) 및 외장 히터(300)를 통해 가열하여 약 90℃ 이상의 고온에서도 전기적인 성능이 양호한지 확인하기 위한 고온 검사 공정도 포함하여 수행될 수 있다. 여기서, 상기 프로브 카드(10)는 상기 전기 신호를 제공하는 테스터(미도시)와 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 프로브 카드(10)는 상기 척 플레이트(100)의 상부에서 상기 웨이퍼(20)와 마주하면서 교체 가능하도록 설치될 수 있다.
상기 척 플레이트(100)는 상기 웨이퍼(20)가 놓여지는 상부면에 상기 웨이퍼(20)가 안정적으로 놓여지도록 상기 웨이퍼(20)를 진공 흡착하는 다수의 진공홀(110)들이 형성된다. 상기 진공홀(110)들은 상기 척 플레이트(100)의 측부로 연장되어 노출된 진공 라인(120)과 연결되어 상기의 진공 흡착을 위한 진공압을 제공 받는다. 또한, 상기 척 플레이트(100)는 상기 웨이퍼(20)가 더 안정적으로 놓여지도록 실질적으로 상기 웨이퍼(20)보다 소정의 차이로 큰 직경을 가질 수 있다. 이러면, 상기 웨이퍼(20)가 약간 틀어진 상태로 놓여지더라도 상기 척 플레이트(100)는 상기 웨이퍼(20)를 전체적으로 커버하여 이하에서 설명할 중심 히터(200) 및 외장 히터(300)로부터의 열이 모든 위치에 전달되도록 가이드할 수 있다. 또한, 상기 척 플레이트(100)는 수평 및 수직 방향으로 이동시키기 위하여 수평 구동부(미도시) 및 수직 구동부(미도시)와 연결된 스테이지(미도시) 상에 배치될 수 있다.
상기 중심 히터(200)는 상기 척 플레이트(100)의 상기 웨이퍼(20)의 중심 부분과 마주하는 부위에 배치되어 상기 웨이퍼(20)를 가열한다. 이때, 상기 중심 히터(200)는 상기 척 플레이트(100)의 상기 웨이퍼(20)가 놓여지는 상부와 대향하는 하부에 결합된 상태로 배치될 수 있다. 이러면, 상기 중심 히터(200)는 상기 척 플레이트(100)를 통해 열을 상기 웨이퍼(20)에 간접적으로 전달하게 됨으로써, 상기 척 플레이트(100)에서 열이 분산되어 상기 웨이퍼(20)에 위치에 따라 균일하게 전달될 수 있다. 이에, 상기 중심 히터(200)는 상기 척 플레이트(100)의 내부에 삽입 내장된 구조로 배치되어 상기 척 플레이트(100)를 통해 열이 상기 웨이퍼(20)에 간접적으로 전달되도록 할 수 있다.
또한, 상기 중심 히터(200)는 상기 웨이퍼(20)의 중심 부분에 더 균일한 열을 제공하기 위하여 상기 척 플레이트(100)를 다수의 영역들로 구분한 상태에서 상기 영역들 각각에 대응되도록 다수가 배치될 수 있다.
이에, 일 실시예에 따른 다수의 중심 히터(200)들은 상기 척 플레이트(100)에 각각의 사이 간격이 일정하도록 동심원 형태로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 중심 히터(200)들은 도 2에서와 같이 상기 척 플레이트(100)의 중심에 가깝게 배치된 제1 중심 히터(210) 및 상기 제1 중심 히터(210)의 바깥쪽에 배치된 제2 중심 히터(220)를 포함할 수 있다.
상기 외장 히터(300)는 상기 척 플레이트(100)의 외주면을 감싸도록 배치되어 상기 다수의 중심 히터(200)들과 같이 상기 웨이퍼(20)를 가열한다. 구체적으로, 상기 중심 히터(200)들은 상기 웨이퍼(20)의 중심 부분, 실질적으로 대부분의 면적에 대응하여 열을 전달하고, 상기 외장 히터(300)는 상기 웨이퍼(20)의 가장자리의 일부분에 열을 전달할 수 있다. 이렇게 상기 외장 히터(300)를 추가로 상기 척 플레이트(100)의 외주면에 배치하는 이유는, 상기 중심 히터(200)들이 상기 웨이퍼(20)의 위치에 따라 모두 균일하게 열을 전달할 수 있도록 배치시킬 경우에도 상기 웨이퍼(20)의 가장자리 부분은 그 외측 부분을 따라 추가적으로 열이 발산되기 때문에, 이를 상기 외장 히터(300)를 통하여 보상하기 위해서이다.
이하, 본 발명에서와 같이 상기 중심 히터(200)를 다수로 배치하면서 상기 외장 히터(300)를 추가로 배치할 경우의 상기 웨이퍼(20)에서 발생되는 온도 편차에 따른 개선 효과를 도 3 내지 도 5를 추가적으로 참조하여 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 3은 도 1에 도시된 척 구조물에 의해서 가열된 웨이퍼의 온도 편차를 나타낸 그래프들이고, 도 4는 도 3에 도시된 그래프들 중 제1 그래프(G1)에 따른 온도 분포를 실제적으로 나타낸 그림이며, 도 5는 도 3에 도시된 그래프들 중 제2 그래프(G2)에 따른 온도 분포를 실제적으로 나타낸 드림이다.
도 3 내지 도 5를 추가적으로 참조하면, 기존 척 플레이트의 상기 웨이퍼(20)의 중심 부분과 마주하는 부위에 평균 직경이 약 150㎜인 하나의 기존 중심 히터만을 배치할 경우에는 제1 그래프(G1)에서와 같이 상기 기존 중심 히터가 배치된 부위로부터 상기 기존 척 플레이트의 중심으로 갈수록 기준 온도보다 낮게 나타나고, 상기 기존 척 플레이트의 외곽으로 갈수록 기준 온도보다 높게 나타나며, 특히 상기 기존 척 플레이트의 가장자리 부분으로 더 가게 되면 오히려 기준 온도보다 낮아지게 되는 특징이 나타나므로, 도 4의 그림에서와 같이 전체적으로 온도 편차가 심한 것으로 나타났다.
이에 반하여, 상기 척 플레이트(100)의 상기 웨이퍼(20)의 중심 부분과 마주하는 부위에 다수의 중심 히터(200)들을 배치, 구체적으로 평균 직경이 약 50㎜인 상기 제1 중심 히터(210)와 약 150㎜인 상기 제2 중심 히터(220)를 배치시키면서 상기 척 플레이트(100)의 외주면에 감싸도록 상기 외장 히터(300)를 배치시킬 경우에는 제2 그래프(G2)에서와 같이, 상기 척 플레이트(100)의 위치에 따라 전체적으로 온도 편차가 약 0.03℃ 미만으로 매우 낮게 나타나며, 특히 상기 제1 그래프(G1)와는 다르게 상기 척 플레이트(100)의 가장자리 부분에서도 도 5의 그림에서와 같이 여전히 온도 편차가 거의 없는 것으로 나타났다.
이와 같이, 상기 프로브 카드(10)를 통해 고온에서의 전기적인 성능을 검사하는 공정이 진행되는 상기 웨이퍼(20)가 놓여지는 상기 척 플레이트(100)에 상기 웨이퍼(20)를 가열하기 위하여 상기 척 플레이트(100)의 상기 웨이퍼(20)의 중심 부분과 마주하는 부위에 배치된 상기 다수의 중심 히터(200)들과 같이 상기 척 플레이트(100)의 외주면을 감싸도록 상기 외장 히터(300)를 배치시킴으로써, 상기 척 플레이트(100)의 가장자리 부분에서의 온도 편차를 도 3의 제2 그래프(G1)에서와 같이 획기적으로 감소시킬 수 있다.
이에 따라, 상기 척 플레이트(100)에 놓여진 웨이퍼(20)를 상기 중심 히터(200)들과 상기 외장 히터(300)를 통해 전체적으로 균일하게 가열시킴으로써, 상기 고온에서의 전기적인 성능을 검사하는 공정을 신뢰성을 갖고 수행할 수 있다. 이로써, 상기 웨이퍼(20)로부터 제조되는 반도체 소자들의 품질이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 척 구조물(1000)은 상기 중심 히터(200)들 및 상기 외장 히터(300)를 효율적으로 제어하기 위하여 상기 중심 히터(200)들 및 상기 외장 히터(300) 각각의 온도들을 측정하기 위하여 연결된 제1 및 제2 온도 센서(400, 500)들과, 상기 제1 및 제2 온도 센서(400, 500)들과 상기 중심 히터(200)들 및 상기 외장 히터(300)와 연결되어 상기 제1 및 제2 온도 센서(400, 500)들로부터 감지된 온도들을 통해 상기 중심 히터(200)들 및 상기 외장 히터(300)의 히팅 온도들을 제어하는 온도 제어부(600)를 더 포함할 수 있다.
이하, 도 6 및 도 7을 참조하여 상기 척 플레이트(100)에 배치된 중심 히터(200)들의 다른 실시예에 대하여 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 6은 도 1에 도시된 척 구조물에서 다른 실시예에 따른 중심 히터들을 나타낸 도면이며, 도 7은 도 6에 도시된 중심 히터들을 구체적으로 나타낸 도면이다.
본 실시예에서는 중심 히터들의 구조를 제외하고는 실질적으로 도 1 및 도 2와 동일하므로, 동일한 구조에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용하며, 이에 중복되는 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 중심 히터(700)들은 척 플레이트(150)에 다단 구조로 내장될 수 있다.
구체적으로, 상기 중심 히터(700)들은 상기 척 플레이트(150)의 중심에 대응하여 내장된 제1 중심 히터(710), 상기 제1 중심 히터(710)의 외곽에서 상기 제1 중심 히터(710)보다 상기 척 플레이트(150)에 놓여진 웨이퍼(20)와 가까워지도록 내장된 제2 중심 히터(720) 및 상기 제2 중심 히터(720)의 외곽에서 상기 제2 중심 히터(720)보다 상기 척 플레이트(150)에 놓여진 웨이퍼(20)와 가까워지도록 내장된 제3 중심 히터(730)를 포함할 수 있다.
이렇게, 상기 중심 히터(700)들이 상기 제1, 제2 및 제3 중심 히터(710, 720, 730)들과 같이 상기 척 플레이트(100)의 중심으로부터 외곽으로 갈수록 상기 척 플레이트(100)에 놓여진 웨이퍼(20)와 가까워지도록 내장됨에 따라, 다시 말해 상기 중심 히터(200)들이 상기 제1, 제2 및 제3 중심 히터(710, 720, 730)들 각각의 평면적인 면적이 넓어짐에 따라 비례적으로 상기 웨이퍼(20)와 가깝게 내장됨으로써, 상기 웨이퍼(20)에 상기 중심 히터(200)들로부터의 열이 전체적으로 보다 더 균일하게 전달되도록 가이드할 수 있다. 이때에도, 상기 웨이퍼(20)의 가장자리 부분은 실질적으로 상기 척 플레이트(100)의 외주면에 감싸면서 배치된 외장 히터(300)에 의해서 온도 편차가 거의 없도록 안정하게 가이드될 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10 : 프로브 카드 12 : 탐침
20 : 웨이퍼 100, 150 : 척 플레이트
110 : 진공홀 120 : 진공 라인
200, 700 : 중심 히터 210, 710 : 제1 중심 히터
220, 720 : 제2 중심 히터 300 : 외장 히터
400 : 제1 온도 센서 500 : 제2 온도 센서
600 : 온도 제어부 730 : 제3 중심 히터
1000 : 척 구조물

Claims (7)

  1. 상부에 프로브 카드에 의한 검사 공정이 진행되는 웨이퍼가 놓여지는 척 플레이트;
    상기 척 플레이트의 상기 웨이퍼의 중심 부분과 마주하는 부위에 배치되어, 상기 웨이퍼를 가열하는 적어도 하나의 중심 히터; 및
    상기 척 플레이트의 외주면을 감싸도록 배치되어, 상기 중심 히터와 같이 상기 웨이퍼를 가열하는 외장 히터를 포함하는 척 구조물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 중심 히터는 상기 척 플레이트를 다수의 영역들로 구분한 상태에서 상기 영역들 각각에 대응되도록 배치된 다수를 포함하는 것을 특징으로 하는 척 구조물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 중심 히터는 동심원 형태로 배치된 다수를 포함하는 것을 특징으로 하는 척 구조물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 중심 히터는 다수가 다단 구조로 내장된 것을 특징으로 하는 척 구조물.
  5. 제4항에 있어서, 상기 다수의 중심 히터들은 상기 척 플레이트의 중심으로부터 외곽으로 갈수록 상기 웨이퍼와 가까워지도록 내장된 것을 특징으로 하는 척 구조물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 척 플레이트는 상기 웨이퍼보다 큰 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 척 구조물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 중심 히터 및 상기 외장 히터 각각의 온도들을 감지하는 제1 및 제2 온도 센서들; 및
    상기 제1 및 제2 온도 센서들과 상기 중심 히터 및 상기 외장 히터와 연결되어, 상기 감지된 온도들을 통해 상기 중심 히터 및 상기 외장 히터의 히팅 온도들을 제어하는 온도 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 척 구조물.
KR1020140144628A 2014-10-24 2014-10-24 웨이퍼 가열용 척 구조물 KR20160049070A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140144628A KR20160049070A (ko) 2014-10-24 2014-10-24 웨이퍼 가열용 척 구조물

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140144628A KR20160049070A (ko) 2014-10-24 2014-10-24 웨이퍼 가열용 척 구조물

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160049070A true KR20160049070A (ko) 2016-05-09

Family

ID=56020156

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140144628A KR20160049070A (ko) 2014-10-24 2014-10-24 웨이퍼 가열용 척 구조물

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20160049070A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018070765A1 (ko) * 2016-10-12 2018-04-19 주성엔지니어링(주) 기판 처리장치에 구비되는 기판안착부
KR20200051078A (ko) * 2018-11-02 2020-05-13 세메스 주식회사 웨이퍼 서포팅 모듈의 온도 제어 방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018070765A1 (ko) * 2016-10-12 2018-04-19 주성엔지니어링(주) 기판 처리장치에 구비되는 기판안착부
US11469135B2 (en) 2016-10-12 2022-10-11 Jusung Engineering Co., Ltd. Substrate placing part that is arranged in substrate processing apparatus
KR20200051078A (ko) * 2018-11-02 2020-05-13 세메스 주식회사 웨이퍼 서포팅 모듈의 온도 제어 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2017056654A1 (ja) ウエハ検査装置及びウエハ検査方法
TWI643246B (zh) Heat treatment device, abnormality detection method in heat treatment, and readable computer memory medium
US20120275484A1 (en) Temperature measuring device, temperature calibrating device and temperature calibrating method
KR20110020943A (ko) 식각 프로세스에서 적외선 전송에 의한 기판 온도 측정
KR20230031270A (ko) 열 반복성 및 인-시튜 샤워헤드 온도 모니터링
JP2007329008A (ja) 熱板及びその製造方法
KR101634452B1 (ko) 프로브 카드를 이용한 웨이퍼 검사용 척 구조물
TWI738047B (zh) 用於針對移動的工序套件測量侵蝕及校準位置的方法及裝置
KR20160049070A (ko) 웨이퍼 가열용 척 구조물
JP5485936B2 (ja) 温度校正装置及び温度校正方法
KR102654604B1 (ko) 프로브 스테이션
KR101907246B1 (ko) 웨이퍼 지지용 척 구조물
WO2006134888A1 (ja) Ｔｆｔ基板検査装置
CN104637838B (zh) 一种半导体处理装置
KR102619328B1 (ko) 웨이퍼 검사 공정에서 척의 온도를 제어하는 방법
KR101116656B1 (ko) 웨이퍼 형상 검사 방법 및 이를 적용한 웨이퍼 열처리 방법
JP6284400B2 (ja) 半導体検査装置
KR20120121852A (ko) 온도 측정 장치, 온도 교정 장치 및 온도 교정 방법
KR20180002379A (ko) 웨이퍼를 지지하는 척에서 변형된 웨이퍼를 진공 흡착하는 방법
KR20070046303A (ko) 반도체 웨이퍼를 가열하기 위한 베이크 장치
KR101037633B1 (ko) 기판처리방법
KR101379149B1 (ko) 온도 측정 장치, 웨이퍼 열처리 장치 및 웨이퍼 열처리 방법
JP2006162476A (ja) プローバ
US8373097B2 (en) Apparatus for thermally processing substrate
KR20230039031A (ko) 온도 측정 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application