KR20060092026A - 플라즈마 디스플레이 패널의 씨오에프/티씨피 패키지 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널의 씨오에프/티씨피 패키지

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Abstract

개시된 본 발명은 플라즈마 디스플레이에 패널과 COF/TCP의 연결을 위해 ACF를 이용하여 압착하는 공정에서 COF/TCP 전극의 폭 및 어드레스 전극의 폭을 조절하는 플라즈마 디스플레이 패널의 COF/TCP 패키지에 관한 것이다. 본 발명은, 전극부에 ACF가 가압착된 COF/TCP와; 상기 COF/TCP의 전극부에 대응되도록 어드레스 전극부가 형성되어 상기 ACF에 의하여 본압착되는 플라즈마 디스플레이 패널의 COF/TCP 패키지에 있어서, 상기 COF/TCP 전극부의 폭을 상기 어드레스 전극부의 폭보다 좁게 형성하는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 패널의 어드레스 전극부는 은(Ag)으로 형성되는 것이 바람직하다. 따라서, 플라즈마 디스플레이에 패널과 COF/TCP의 연결을 위해 COF/TCP 전극의 폭을 어드레스 전극의 폭보다 좁게 설계함으로써 어드레스 전극재료로 사용되는 은이온의 이동에 의해 나타나는 불량에 대응할 수 있도록 충분한 절연거리를 확보하는 효과가 있다.
플라즈마, 패널, TCP, COF, ACF, 압착, 전극, 폭, 어드레스, 은(Ag)

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 씨오에프/티씨피 패키지{COF/TCP Electrode Unit of Plasma Display Panel}
도 1 및 도 2는 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 COF/TCP 패키지의 압착 공정을 나타낸 단면도.
도 3 및 도 4는 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 COF/TCP 패키지를 나타낸 단면 및 평면도.
도 5 및 도 6는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 COF/TCP 패키지를 나타낸 단면 및 평면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
11 : COF/TCP
12 : 패널
13 : COF/TCP 전극부
14 : 어드레스 전극부
15 : ACF
본 발명은 플라즈마 표시 패널에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마 디스플레이에 패널과 COF/TCP의 연결을 위해 ACF를 이용하여 압착하는 공정에서 COF/TCP 전극의 폭 및 어드레스 전극의 폭을 조절하는 플라즈마 디스플레이 패널의 COF/TCP 패키지에 관한 것이다.
잘 알려진 바와 같이 플라즈마 표시 패널(PDP; Plasma Display Panel)은 대형 디스플레이의 대표주자로서 자발광, 고속 응답성 및 광 시야각 등의 우수한 특징을 가지고 있어 그 사용 및 보급이 더욱 확대되고 있는 실정이다.
또한, 최근 PDP의 원가절감 및 작업성을 개선하기 위하여 데이터 드라이버 IC의 패키지 형태를 COF(Chip on Film)나 TCP(Tape Carrier Package)로 변경하고 있는 추세이며 이와 같이, COF나 TCP를 사용하면 패키지 자체의 비용이 감소하고 패키지 공급 및 부착공정을 자동화 할 수 있다.
도 1 및 도 2는 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 COF/TCP 패키지의 압착 공정을 나타낸 단면도이다.
도시된 바와 같이, 도 1 및 도 2는 COF/TCP와 패널의 압착 공정의 단면을 통해 개략적으로 설명하는 것으로 먼저, 도 1에 도시된 바와 같이 COF/TCP(1)의 전극부(3)에 이방성 도전입자를 가진 ACF(Anisotropic Conductive Film)(5)를 가압착 후, 압착 기준점을 기준으로 하여 양쪽 방향으로 열압착에 의한 팽창에 의해 도 2와 같이, 패널(2)에 다시 본압착을 실시하여 COF/TCP(1)와 패널(2)의 연결을 완료한다.
단, ACF(5)의 가압착은 패널(2)의 어드레스 전극부(4) 위에서 가능하며, 또 한 COF/TCP 전극부(3) 위에서도 가능하다. COF/TCP(1)의 전극부(3)는 구리 표면에 금도금이 되어 있을 수 있다.
일반적으로 상기 COF/TCP(1)의 전극부(3) 폭과 패널(2)의 전극부(4) 폭은 압착공정 후에 1:1 대응되도록 설계되어 있으나, 실제적으로 압착공정 후에는 패널 전극부(3)와 COF/TCP 전극부(4)의 얼라인먼트(alignment)가 완전하게 이루어지지 않는 경우가 발생한다. 이때, 전극간 절연거리가 짧아지게 되어 특히, 전극재료로 은전극을 사용하는 경우에 은이온의 이동에 의해 불량 발생에 취약한 구조를 가지게 된다.
즉, 플라즈마 디스플레이의 발광을 위해 사용되는 전극재의 하나인 은(Ag)은 이온화되어 전위차 등의 구배 차이로 쉽게 이동 되어지는 특성을 지닌다. 이러한 현상을 마이그레이션(migration:이동)이라 하며, 은전극을 사용하는 플라즈마 디스플레이 장치에 있어서 이를 해결하여야만 플라즈마 디스플레이 패널 및 모듈의 수명을 확보할 수 있다.
1차적으로 이온화된 은이온은 전극 표면에 존재하다가 흡수된 수분이 가수분해에 의해 이온화되어 존재하는 것을 매질로 하여 영상 구현에 따른 각 전극의 전위차의 발생으로 표면을 따라 이웃 전극까지 이동하게 되고, 이는 이웃 전극과 쇼트(short)를 이루거나, 이동된 전극의 소손에 의해 원래 이온을 가지고 있던 전극은 오픈(open)성의 불량이 발생하게 된다.
이와 같이, 마이그레이션이 용이한 물질의 우선 순위를 살펴보면 " Ag > Cu > Pb > Pt = Sn " 의 순위를 가지며, 발생한 은이온은 COF/TCP의 전극재료인 구리 를 통해서 이웃 전극에 전달되게 된다.
그래서, ACF를 가지고 COF/TCP와 은전극의 압착 후에 COF/TCP 전극과 은전극의 미스얼라인먼트(misalignment) 비가 커지던가, 또는 COF/TCP 전극 폭이 패널 전극 폭보다 클 경우 이웃 전극과의 ACF가 경화, 완료되었지만 완전 절연이 불가능하므로 절연거리를 단축시켜 덴드라이트(dendrite)구조가 나타나면서 성장하여 시간 경과에 따라 결국에는 쇼트(short)와 오픈(open)의 화면 불량이 발생하게 된다.
도 3 및 도 4는 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 COF/TCP 패키지을 나타낸 단면 및 평면도로서, COF/TCP(1)의 전극부(3) 폭이 패널(2)의 어드레스 전극부(4) 폭보다 클 경우의 은이온의 이동에 대한 절연거리를 나타낸 것이다.
도시된 바와 같이, COF/TCP(1)의 전극부(3)의 폭(a1)이 어드레스 전극부(4)의 폭(b1)보다 크다면, ACF(5)와의 열압착 공정 후에 얼라인먼트(alignment)가 정확히 이루어지지 않을 경우에 도 4에 도시된 바와 같이, 절연거리가 훨씬 더 짧아져서 충분한 거리를 확보하지 못하게 된다.
이렇게 줄어든 절연거리를 가지는 플라즈마 디스플레이 모듈은 은이온의 이동이 상대적으로 쉬워져 앞서 언급한 바와 같이 쇼트(Short)나 오픈(open)의 불량 발생이 용이해지는 것이다.
따라서, 상기와 같은 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 COF/TCP 패키지는, COF의 전극부 폭을 패널의 어드레스 전극부 폭보다 크게 설계하여 이온의 마이그레이션(migration) 경향에 따라 COF의 구리 전극이 패널의 은전극에서 발생한 은이온의 이동을 막아주려 하였으나, 실제로 구리가 은이온의 이동을 막아주는 것이 아니 라 은이 구리보다 이온화 되어 마이그레이션이 되는 것이 용이하여 은이온의 이동이 자유로워 오히려 이웃 전극간 절연거리가 짧아지는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 플라즈마 디스플레이에 패널과 COF/TCP의 연결을 위해 COF/TCP 전극의 폭을 어드레스 전극의 폭보다 좁게 설계하여 어드레스 전극재료로 사용되는 은이온의 이동에 의해 나타나는 불량에 대응할 수 있도록 충분한 절연거리를 확보하는 플라즈마 디스플레이 패널의 COF/TCP 패키지을 제공하는 데에 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 COF/TCP 패키지는, 전극부에 ACF가 가압착된 COF/TCP와; 상기 COF/TCP의 전극부에 대응되도록 어드레스 전극부가 형성되어 상기 ACF에 의하여 본압착되는 플라즈마 디스플레이 패널의 COF/TCP 패키지에 있어서, 상기 COF/TCP 전극부의 폭을 상기 어드레스 전극부의 폭보다 좁게 형성하는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 패널의 어드레스 전극부는 은(Ag)으로 형성되는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
도 5 및 도 6는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 COF/TCP 패키지를 나타낸 단면 및 평면도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명은 전극부(13)에 ACF(15)가 가압착된 COF/TCP(11)와; 상기 COF/TCP(11)의 전극부(13)에 대응되도록 어드레스 전극부(14)가 형성되어 상기 ACF(15)에 의하여 본압착되는 패널(12)이 구비된다. 이때, 상기 COF/TCP 전극부(13)의 폭(a2)을 상기 패널(12)의 어드레스 전극부(14)의 폭(b2)보다 좁게 형성되며, 상기 어드레스 전극부(14)는 은(Ag)으로 형성되는 것이 바람직하다.
이와 같이 구성된 본 발명은 먼저, COF/TCP(11)의 전극부(13)에 이방성 도전입자를 가진 ACF(15)를 가압착 후, 압착 기준점을 기준으로 하여 양쪽 방향으로 열압착에 의한 팽창에 의해 패널(12)에 다시 본압착을 실시하여 COF/TCP(11)와 패널(12)의 연결을 완료한다.
이때, 본 발명은 패널(12)과 COF/TCP(11)의 연결을 위해 COF/TCP 전극부(13)의 폭(a2)을 어드레스 전극부(14)의 폭(b2)보다 좁게 설계하여 어드레스 전극재료로 사용되는 은이온의 이동에 의해 나타나는 불량에 대응할 수 있도록 충분한 절연거리를 확보한다.
즉, 도 5 및 도 6은 COF/TCP 전극부(13)의 폭(a2)이 패널(12)의 어드레스 전극부(14)의 폭(b2)보다 작을 경우의 은이온의 이동에 대한 절연거리를 나타낸 것이다.
도시된 바와 같이, COF/TCP 전극부(13)의 폭(a2)이 어드레스 전극부(14)의 폭(b2)보다 작다면, ACF(15)와의 열압착 공정 후에 얼라인먼트(alignment)가 정확히 이루어지지 않더라도 절연거리는 패널(12)의 어드레스 전극부(14) 폭(b2)의 사이공간 만큼 확보될 수 있는 것이다.
따라서, ACF(15)을 이용한 COF/TCP 전극부(13)와 어드레스 전극부(14)의 열압착 공정에서 COF/TCP 전극부(13)가 열압착에 의해 양방향으로 팽창되어 어드레스 전극부(14)와 정확한 정렬을 이루지 못해도 은이온의 이동을 막을 수 있는 절연거리를 확보키 위해 COF/TCP 전극부(13) 폭(a2)보다 어드세스 전극부(14) 폭(b2)이 작게 설계되어 COF/TCP(11)와 패널(12)의 어드레스 전극부(14)의 연결 부분에 대한 신뢰성을 확보할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 또한 설명하였으나 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 COF/TCP 패키지에 의하면, 플라즈마 디스플레이에 패널과 COF/TCP의 연결을 위해 COF/TCP 전극의 폭을 어드레스 전극의 폭보다 좁게 설계하여 어드레스 전극재료로 사용되는 은이온의 이동에 의해 나타나는 불량에 대응할 수 있도록 충분한 절연거리를 확보하는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 전극부에 ACF(Anisotropic Conductive Film)가 가압착된 COF(Chip on Film)/TCP(Tape Carrier Package)와; 상기 COF/TCP의 전극부에 대응되도록 어드레스 전극부가 형성되어 상기 ACF에 의하여 본압착되는 플라즈마 디스플레이 패널의 COF/TCP 패키지에 있어서,
    상기 COF/TCP 전극부의 폭을 상기 패널의 어드레스 전극부의 폭보다 좁게 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 COF/TCP 패키지.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 어드레스 전극부는 은(Ag)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 COF/TCP 패키지.
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