KR20060048688A

KR20060048688A - 서미스터 소체 형성용 수지 조성물 및 서미스터

Info

Publication number: KR20060048688A
Application number: KR1020050056898A
Authority: KR
Inventors: 유키에 모리; 사토시 시라이
Original assignee: 티디케이가부시기가이샤
Priority date: 2004-06-29
Filing date: 2005-06-29
Publication date: 2006-05-18
Also published as: JP2006013378A; US20060022790A1; CN100410319C; KR100758144B1; EP1612811A1; US7270776B2; EP1612811B1; TW200613433A; DE602005004703D1; CN1715329A; DE602005004703T2; TWI295307B

Abstract

본 발명은, 실온 저항치가 낮고 저항 변화율이 크면서, 동작 안정성도 우수한 서미스터 및 이를 수득하기 위해 사용하는 서미스터 소체 형성용 수지 조성물을 제공한다.

또한, 대향하는 한 쌍의 전극(2, 3)과 당해 한 쌍의 전극 사이에 배치된 서미스터 소체(1)를 구비하고, 서미스터 소체(1)가 지환식 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지, 경화제 및 도전성 입자를 함유하는 수지 조성물의 경화물로 이루어진 서미스터(10)를 제공한다.

저항 변화율, 서미스터, 수지 조성물, 소체, 에폭시 수지, 경화제, 도전성 입자.

Description

서미스터 소체 형성용 수지 조성물 및 서미스터{Resin composition for forming thermistor body and thermistor}

도 1은 본 발명에 의한 서미스터의 한 실시형태를 모식적으로 도시한 사시도이다.

[부호의 설명]

1…서미스터 소체, 2…전극, 3…전극, 10…서미스터

본 발명은 서미스터 소체 형성용 수지 조성물 및 서미스터에 관한 것이다.

중합체층 및 여기에 분산된 도전성 입자로 구성되는 재료를 서미스터 소체로서 사용한 서미스터는 일반적으로 유기질 서미스터 등으로 불리는 것이며, 특히 온도 상승과 함께 저항치가 급격히 증대하는 PTC(Positive Temperature Coefficient: 양의 온도 계수) 특성을 갖는 것은 유기질 양특성 서미스터로 불리는 경우가 있다. 이러한 서미스터는 과전류·가열 보호 소자, 자기 제어형 발열체, 온도 센서 등의 디바이스에 사용되지만, 이러한 디바이스에는 실온 저항치가 충분히 작은 것, 실온에서 고온으로 가열되었을 때의 저항치 변화율(저항 변화율)이 충분히 큰 것 및 가열 및 냉각 등의 열 이력을 받았을 때의 저항치 변화(사용 초기의 실온 저항치와 열 이력을 받은 후의 실온 저항치의 차)가 작은 것 등이 요구되며, 이들 특성을 동시에 높은 수준으로 달성할 수 있는 서미스터가 요구되고 있다.

종래, 서미스터의 서미스터 소체를 구성하는 중합체층으로서는 열가소성 수지가 널리 공지되어 있다. 그러나, 열가소성 수지를 사용하는 경우, 내열성을 높이기 위한 가교결합 처리나 불연화 처리 등이 필요하기 때문에, 서미스터 소체의 제조 공정이 복잡해진다고 하는 문제가 있었다.

그래서, 보다 단순한 공정으로 용이하게 제조하기 위해서, 서미스터 소체를 구성하는 중합체층으로서는 열경화성 수지의 사용이 검토되고 있다. 열경화성 수지를 사용한 서미스터로서는, 예를 들면, 열경화성 수지에 섬유상의 도전성 물질을 분산시킨 것[참조: 특허 문헌 1(미국 특허 제4966729호 명세서)], 열경화성 수지에 스파이크상 돌기를 갖는 도전성 입자를 분산시킨 것[참조: 특허 문헌 2(일본 특허공보 제3101047호)], 열경화성 수지에 스파이크상 돌기를 갖는 도전성 입자와 도전성 단섬유를 분산시킨 것[참조: 특허 문헌 3(일본 특허공보 제3101048호)] 등이 제안되어 있다.

그러나, 특허 문헌 1에 기재된 서미스터를 비롯한 종래의 서미스터는 저항 변화율을 충분히 크게 유지하면서 실온 저항치를 낮추는 것이 곤란하였다.

또한, 특허 문헌 2 및 3에 기재된 서미스터의 경우, 낮은 실온 저항치 및 큰 저항 변화율을 실용에 견딜 수 있는 수준으로 양립시키고자 하면, 열 이력을 받은 후의 저항치 변화가 커져 동작 안정성이 손상된다고 하는 문제도 있었다.

본 발명은, 상기 종래 기술이 갖는 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 낮은 실온 저항치 및 큰 저항 변화율을 가지면서, 동작 안정성도 우수한 서미스터 및 이를 수득하기 위한 서미스터 소체 형성용 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 서미스터 소체 형성용 수지 조성물은 지환식 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지, 경화제 및 도전성 입자를 함유함을 특징으로 하는 것이다.

상기 수지 조성물을 사용하여 형성되는 서미스터 소체에 있어서는, 지환식 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지에 유래하는 중합체층 중에 도전성 입자가 분산되어 있다. 이에 의해, 이러한 서미스터 소체를 구비하는 서미스터는, 낮은 실온 저항치 및 큰 저항 변화율을 가지면서, 동작 안정성도 우수하다. 이러한 효과는 지환식 에폭시 수지를 사용함으로써 서미스터 소체를 구성하는 중합체층의 팽창 계수 및 가요성이 종래보다도 커진 것에 기인하는 것으로, 본 발명자들은 추찰하고 있다.

도전성 입자가 분산되어 있는 중합체층의 팽창 계수가 크면, 온도 변화에 따라 도전성 입자 사이의 거리나 접촉 빈도가 크게 변화하는 것이 기대된다. 이에 의해, 서미스터 소체의 온도 변화에 따르는 저항 변화율이 충분히 커지는 것으로 생각된다. 또한, 중합체층의 가요성이 크면, 가열 및 냉각에 의한 팽창 및 수축을 반복하였을 때에, 중합체층 속에서의 미소한 균열 발생이나 중합체층과 도전성 입자의 계면에서의 박리 발생이 억제될 수 있다. 이러한 균열이나 박리가 많이 발생하면, 서미스터 소체의 실온 저항치의 상승 또는 저항 변화율의 저하를 초래하는 것으로 생각된다.

상기의 지환식 에폭시 수지는 환상 지방족 탄화수소 그룹인 지환기를 가지며, 또한 2개 이상의 에폭시 그룹을 갖는 에폭시 수지이다. 여기에서, 지환기는 주로 포화 탄화수소로 구성되는, 에폭시 그룹 이외의 환상 그룹이면 양호하고, 환을 구성하는 원자로서 산소원자, 질소원자 및 황원자 등의 헤테로원자를 갖는 것이나, 부분적으로 불포화 결합을 갖는 것도 포함하는 것으로 한다. 또한, 이러한 지환기는 치환기를 가지고 있어도 양호하다. 특히, 지환식 에폭시 수지에 포함되는 지환기는 환상 포화 지방족 탄화수소 그룹인 것이 바람직하고, 또한 이러한 환상 지방족 탄화수소 그룹은 사이클로헥산 환 또는 사이클로펜탄 환을 갖는 그룹인 것이 보다 바람직하다.

수지 조성물 중의 경화제는 산 무수물을 포함하는 것이 바람직하다. 당해 산 무수물과 지환식 에폭시 수지의 조합에 의해, 상기와 같은 본 발명의 효과가 특히 현저히 발현된다.

본 발명의 서미스터는 대향하는 한 쌍의 전극과 서미스터 소체를 구비하며, 당해 서미스터 소체가 상기 본 발명의 서미스터 소체 형성용 수지 조성물의 경화물로 이루어짐을 특징으로 하는 것이다.

본 발명의 서미스터는 상기 본 발명의 서미스터 소체 형성용 수지 조성물의 경화물을 서미스터 소체로 함으로써, 낮은 실온 저항치 및 큰 저항 변화율을 가지면서 동작 안정성도 우수하다.

발명의 실시하기 위한 최선의 형태

이하, 본 발명의 적합한 실시형태에 관해서 상세하게 설명한다.

도 1은 본 발명의 서미스터의 적합한 한 실시형태를 모식적으로 도시한 사시도이다. 도 1에 도시한 서미스터(10)는 서로 대향하도록 배치된 한 쌍의 전극(2) 및 전극(3)과, 전극(2) 및 전극(3) 사이에서 각각의 전극에 밀착하여 설치된 양의 저항-온도 특성을 갖는 서미스터 소체(1)로 구성되며, 전체적으로 대략 직방체상을 이루고 있다. 또한, 서미스터(10)에 있어서는, 전극(2)에 전기적으로 접속된 리드(도시하지 않음)와 전극(3)에 전기적으로 접속된 리드(도시하지 않음)가 필요에 따라서 추가로 설치되어도 양호하다. 당해 서미스터(10)는 과전류·가열 보호 소자, 자기 제어형 발열체, 온도 센서 등에 적합하게 사용할 수 있다.

전극(2) 및 전극(3)은 서미스터의 전극으로서 기능하는 도전성 재료로 형성되어 있으면 양호하다. 전극(2) 및 전극(3)을 구성하는 재료로서는 니켈, 은, 금, 알루미늄 등의 금속이나 탄소로 이루어진 것이 바람직하다. 또한, 이의 두께는 1 내지 100㎛인 것이 바람직하고, 서미스터의 경량화의 관점에서는 1 내지 50㎛인 것이 보다 바람직하다. 또한, 리드는 각각 전극(2) 및 전극(3)으로부터 외부에 전하를 방출 또는 주입하는 것이 가능한 전기전도성을 가지고 있으면, 이의 형상이나 재질에 관해서 특별히 한정되지 않는다.

서미스터 소체(1)는 지환식 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지, 경화제 및 도전성 입자를 함유한다. 본 발명의 서미스터 소체 형성용 수지 조성물(이하, 경우에 따라 「수지 조성물」이라고 한다)의 경화물로 이루어진다. 이러한 서미스터 소체(1)에 있어서는 에폭시 수지 및 경화제에 주로 유래하고, 가교결합 구조가 형성된 중합체층 속에 도전성 입자가 분산되어 있다. 이러한 서미스터 소체(1)는, 도전성 입자 사이에서 형성되는 도전 패스의 도전 효율이 온도 변화에 따라 변화함으로써, 양의 저항-온도 특성을 발현하는 것으로 생각된다.

서미스터 소체(1)를 구성하는 경화물은 상기 수지 조성물을 가열하여 경화시킴으로써 형성된다. 이러한 수지 조성물은 이하에 서술하는 구성 성분을 통상적으로 사용되는 방법 등에 의해 혼합하여 수득할 수 있다.

지환식 에폭시 수지는 지환기와 2개 이상의 에폭시 그룹을 갖는 에폭시 수지이다. 당해 지환식 에폭시 수지는 에폭시 그룹 이외의 환상 그룹으로서 지환기만을 가지고 있는 것이 바람직하지만, 본 발명의 효과가 손상되지 않은 한, 여기에 추가로 방향족 그룹을 가지고 있어도 양호하다. 구체적으로는, 지환식 에폭시 수지가 방향족 그룹을 갖는 경우, 이의 수는 지환기의 수보다도 적은 것이 바람직하다.

여기에서, 지환기는 주로 포화 탄화수소로 구성되는 환상 그룹이면 양호하고, 환을 구성하는 원자로서 산소원자, 질소원자 및 황원자 등의 헤테로원자를 갖는 것이나, 부분적으로 불포화 결합을 갖는 것도 포함하기로 한다. 또한, 당해 지환기는 치환기를 가지고 있어도 양호하다. 경화물의 가요성을 보다 크게 하기 위해서, 당해 지환기는 사이클로헥산 환, 사이클로펜탄 환, 디사이클로펜타디엔 환 등의 환상 포화 지방족 탄화수소 그룹을 갖는 그룹인 것이 바람직하고, 특히 사이클로헥산 환 및 사이클로펜탄 환 중의 하나 이상을 갖는 그룹인 것이 보다 바람직하다.

또한, 서미스터로서 요구되는 여러 가지 특성(내열성, 동작 안정성 등)을 보다 양호한 것으로 하기 위해서, 지환식 에폭시 수지는 2개의 에폭시 그룹을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 지환식 에폭시 수지 중의 에폭시 그룹은 글리시딜 에테르 그룹으로서 도입된 것이 바람직하다.

지환식 에폭시 수지의 적합한 구체적인 예로서는, 예를 들면, 다음 화학식 1a, 1b, 1c, 2a, 2b 및 3의 것을 들 수 있고, 이들을 단독으로 또는 복수 조합하여 사용할 수 있다. 이 중에서도, 화학식 1a, 1b 또는 1c의 지환식 에폭시 수지가 특히 바람직하다.

지환식 에폭시 수지는, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지 등의 방향족 환을 갖는 에폭시 수지의 방향족 환을 수소 환원하는 방법이나, 사이클로올레핀 환의 불포화 결합을 산화시켜 에폭시화하는 방법 등의 공지된 방법을 채용하여 수득할 수 있다.

수지 조성물 중의 에폭시 수지는, 이상과 같은 지환식 에폭시 수지 이외의 에폭시 수지를 포함하고 있어도 양호하다. 단, 지환식 에폭시 수지 이외의 에폭시 수지의 비율은 에폭시 수지 전체중 0 내지 97중량%으로 하는 것이 바람직하고, 0 내지 50중량%으로 하는 것이 보다 바람직하다.

지환식 에폭시 수지 이외의 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 AD, 카테콜, 레조르시놀 및 테트라메틸비페닐 등의 다가 페놀, 또는 글리세린, 폴리에틸렌글리콜, 비스페놀 화합물의 알킬렌 옥사이드 부가물 등의 다가 알콜과 에피클로로하이드린을 반응시켜 수득되는 폴리글리시딜 에테르, p-하이드록시벤조산 및 β-하이드록시나프토에산 등의 하이드록시카복실산과 에피클로로하이드린을 반응시켜 수득되는 글리시딜 에테르 에스테르, 프탈산 및 테레프탈산 등의 폴리카복실산과 에피클로로하이드린을 반응시켜 수득되는 폴리글리시딜 에스테르 등을 들 수 있다.

경화제는 에폭시 수지와 반응하여 경화물을 형성할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 산 무수물, 지방족 폴리아민, 방향족 폴리아민, 폴리아미드, 폴리페놀, 폴리머캅탄, 3급 아민 및 루이스산 착체 등의 공지된 경화제를 사용할 수 있다.

이 중에서도, 지환식 에폭시 수지와의 조합에 있어서는, 경화제로서 산 무수물을 사용하는 것이 바람직하다. 산 무수물을 사용하면, 지방족 폴리아민 등의 아민계 경화제를 사용하는 경우보다도, 서미스터의 초기의 실온 저항치를 낮추거나 저항 변화율을 크게 할 수 있는 경향이 있다.

산 무수물로서는, 예를 들면, 헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 무수 프탈산, 무수 석신산, 무수 트리메트산, 무수 피로멜리트산, 무수 메틸나즈산, 무수 말레산, 무수 벤조페논테트라카복실산, 에틸렌글리콜 비스트리멜리테이트, 글리세롤 트리스트리멜리테이트, 엔도메틸렌테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸엔도메틸렌테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸부테닐테트라하이드로 무수 프탈산, 도데세닐 무수 석신산, 메틸사이클로헥센디카복실산 무수물 알킬스티렌-무수 말레산 공중합체, 클로렌드산 무수물, 테트라브롬 무수 프탈산 및 폴리아젤라산 무수물 등을 들 수 있다.

또한, 경화물에 추가로 가요성을 부여할 목적으로, 예를 들면, 도데세닐 무수 석신산, 폴리아디프산 무수물, 폴리아젤라산 무수물, 폴리세바스산 무수물, 폴리(에틸옥타데칸2산) 무수물, 폴리(페닐헥사데칸2산) 무수물, 2,4-디에틸글루타르산 무수물, 에틸렌글리콜 비스안하이드로트리멜리테이트 및 글리세롤 트리스트리멜리테이트 등의 산 무수물을 사용할 수 있다.

수지 조성물에 있어서는 이상과 같은 산 무수물을 단독으로 또는 복수 조합하여 사용할 수 있다.

수지 조성물 중의 경화제의 함유 비율은 에폭시 수지나 경화제의 종류 등에 따라서 적절하게 결정하면 양호하지만, 예를 들면 경화제로서 산 무수물을 사용하는 경우, 에폭시 수지 중의 에폭시 그룹에 대하여 당량비로 0.5 내지 1.5인 것이 바람직하고, 0.8 내지 1.2인 것이 보다 바람직하다. 경화제의 당량비가 에폭시 그룹에 대하여 0.5 미만 또는 1.5를 초과하면, 미반응의 에폭시 그룹 및 산 무수물 그룹이 증가함으로써, 서미스터 소체의 기계적 강도가 저하되거나 서미스터의 저항 변화율이 저하되기도 하는 경향이 있다.

도전성 입자는 전기전도성을 갖는 입자이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 카본 블랙, 그라파이트, 각 형상의 금속 입자 또는 세라믹계 도전성 입자를 사용할 수 있다. 금속 입자의 금속 재료로서는 구리, 알루미늄, 니켈, 텅스텐, 몰리브덴, 은, 아연, 코발트 및 구리 분말에 니켈 도금을 실시한 것 등을 들 수 있다. 세라믹계 도전성 입자의 재료로서는 TiC 및 WC 등을 들 수 있다. 이러한 도전성 입자는 1종류를 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.

도전성 입자로서는 특히 금속 입자가 바람직하다. 도전성 입자로서 금속 입자를 사용하면, 서미스터의 저항 변화율을 충분히 크게 유지하면서, 실온 저항치를 보다 저하시킬 수 있고, 예를 들면, 본 발명의 서미스터를 과전류 보호 소자로서 사용하는 경우에 적합하다. 또한, 금속 입자 중에서도, 산화되기 어려운 등, 화학적 안정성의 관점에서 니켈 입자가 특히 바람직하다.

도전성 입자의 형상은 특별히 한정되지 않으며, 구상, 플레이크상, 섬유상 및 막대상 등을 들 수 있지만, 입자 표면에 스파이크상 돌기를 갖는 것이 바람직하다. 스파이크상 돌기를 갖는 도전성 입자를 사용함으로써, 인접하는 입자 사이에서 터널 전류가 흐르기 쉬워지기 때문에, 서미스터의 저항 변화율을 충분히 확보한 상태로, 실온 저항치를 보다 낮출 수 있다. 또한 진구상 입자에 비해 입자 사이의 중심간 거리를 크게 할 수 있기 때문에, 더욱 큰 저항 변화율을 수득할 수 있다. 또한, 섬유상 입자를 사용한 경우와 비교하여, 서미스터의 실온 저항치의 격차를 감소시킬 수 있다.

스파이크상 돌기를 갖는 도전성 입자는, 1차 입자가 개별적으로 분산된 분체라도 양호하지만, 10 내지 1000개 정도의 1차 입자가 쇄상으로 연속하여 필라멘트상의 2차 입자를 형성하고 있는 것이 바람직하다. 또한, 이의 재질은 금속이 바람직하며, 니켈을 주성분으로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 이의 비표면적이 0.3 내지 3.0㎡/g이고, 외관 밀도가 3.0g/㎤ 이하인 것이 바람직하다. 여기에서, 「비표면적」이란, BET-점법에 근거하는 질소 가스 흡착법에 의해 구해지는 비표면적을 의미한다.

또한, 도전성 입자의 1차 입자의 평균 입자 직경은 0.1 내지 7.0㎛인 것이 바람직하고, 0.5 내지 5.0㎛인 것이 보다 바람직하다. 여기에서, 1차 입자의 평균 입자 직경은 피셔·서브시브(Fischer sub-sieve)법으로 측정되는 값이다.

상업적으로 입수 가능한 스파이크상 돌기를 갖는 도전성 입자로서는, 예를 들면,「INCO Type 210」,「INCO Type 255」,「INCO Type 270」,「INCO Type 287」[참조: 모두 INCO사 제조, 상품명) 등을 들 수 있다.

수지 조성물에 있어서의 도전성 입자의 함유 비율은, 수지 조성물 전체를 기준으로 하여, 5 내지 90중량%인 것이 바람직하고, 60 내지 80중량%인 것이 보다 바람직하다. 도전성 입자의 함유 비율이 50중량% 미만이면, 낮은 실온 저항치가 수득되기 어려워지는 경향이 있으며, 90중량%을 초과하면, 큰 저항 변화율을 수득하는 것이 곤란해지는 경향이 있다.

수지 조성물에는, 경화 온도의 저하나 경화 시간의 단축 등을 위해, 경화 촉 진제를 추가로 첨가해도 양호하다. 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 3급 아민, 아민 부가 화합물, 이미다졸 부가 화합물, 붕산에스테르, 루이스산, 유기 금속 화합물, 유기산 금속염 및 이미다졸 등을 들 수 있다.

수지 조성물에는, 상기의 각 성분 외에, 중합체 입자를 함유시키는 것이 보다 바람직하다. 중합체 입자를 함유함으로써, 수득되는 서미스터의 전기적 특성의 불균일이 억제되고, 또한 저항 변화율을 더욱 크게 할 수 있으며, 또한 높은 내열성을 유지하면서 내열 충격성이 개선된다.

전기적 특성의 불균일을 억제하는 효과는, 중합체 입자가 팽윤 또는 용해됨으로써, 경화를 위해 수지 조성물을 가열하였을 때의 수지 조성물의 유동성이 낮게 억제되는 것에 의한 것으로 생각된다. 가열된 수지 조성물의 유동성이 낮으면, 경화 과정에서의 수지의 유출이나 도전성 입자의 침강이 일어나기 어려워진다. 지환식 에폭시 수지의 경우, 비스페놀 A형 에폭시 수지 등의 방향족 환을 갖는 에폭시 수지와 비교하여 저점도인 것이 많기 때문에, 중합체 입자에 의한 유동성 억제 작용은 특히 효과적이다.

또한, 중합체 입자를 함유함으로써, 중합체층의 팽창 계수가 커지는 경향이 있다. 이에 의해 저항 변화율을 보다 크게 할 수 있다.

또한, 일반적으로 에폭시 수지의 경화물은 열가소성 수지와 비교하여 취성화 경향이 있지만, 중합체 입자를 분산시킴으로써 경화물의 인성이 향상되고, 열경화성 수지가 갖는 높은 내열성을 유지하면서 내열 충격성이 개선된다.

중합체 입자는, 가열에 의해 수지 조성물 중의 다른 성분과 상용 또는 팽윤 하여, 수지 조성물을 고점도화 또는 겔화시키는 것이면, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 열가소성 수지 입자, 코어 쉘형 중합체 입자, 고무 입자, 열경화성 수지 입자 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 열가소성 수지 입자 또는 코어 쉘형 중합체 입자가 바람직하다.

중합체 입자의 평균 입자 직경 P1은 0.1 내지 15㎛의 범위내에 있는 것이 바람직하다. 또는, 중합체 수지의 평균 입자 직경 P1과 도전성 입자의 평균 입자 직경 P2가 수학식 1의 관계를 만족시키고 있는 것이 바람직하다.

0.1 ≤(P1/P2) ≤10

중합체 입자의 평균 입자 직경을 상기와 같은 특정한 범위로 함으로써, 도전성 입자에 의해 형성되는 도전 패스가 중합체 입자에 의해서 절단되는 빈도가 저하되어 실온 저항치를 보다 확실하면서 용이하게 저하시킬 수 있는 것으로 생각된다.

중합체 입자의 함유 비율은 에폭시 수지 100중량부에 대하여 5 내지 30중량부인 것이 바람직하고, 10 내지 20중량부인 것이 보다 바람직하다. 이러한 함유 비율이 5중량부 미만이면, 수지 조성물의 유출을 방지하는 효과가 수득되기 어려워지는 경향이 있으며, 30중량부를 초과하면, 중합체 입자의 분산성이 저하되거나, 수득되는 서미스터의 실온 저항치의 상승이나 내열성의 저하를 초래하는 경향이 있다.

중합체 입자로서 열가소성 수지 입자를 사용하는 경우, 열가소성 수지 입자를 구성하는 열가소성 수지로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀 수지, 아크릴 수지, 염화비닐 수지 및 폴리아미드 수지 등을 들 수 있다. 특히, 에폭시 수지를 함유하는 수지 조성물의 경우에는 아크릴 수지, 염화비닐 수지 또는 메타크릴 수지가 바람직하다. 또한, 에폭시 수지와의 상용성을 크게 하기 위해서, 열가소성 수지 입자는, 예를 들면, 카복실 그룹 등으로 화학 개질되어 있는 것이 바람직하다.

열가소성 수지의 분자량은, 수지 조성물을 효율적으로 고점도화하기 위해서, 이의 수 평균 분자량이 10,000 내지 10,000,000인 것이 바람직하고, 100,000 내지 5,000,000인 것이 보다 바람직하다.

상기와 같은 열가소성 수지 입자는 상업적으로 입수할 수 있다. 아크릴 수지의 입자 시판품으로서는, 예를 들면, 「제온 아크릴 레진 F-301」,「제온 아크릴 레진 F-351」,「제온 아크릴 레진 F-320」,「제온 아크릴 레진 F-325」,「제온 아크릴 레진 F-340」및「제온 아크릴 레진 F-345」(이상, 니혼 제온사 제조, 상품명) 등을 들 수 있다. 또한, 염화비닐 수지의 입자 시판품으로서는, 예를 들면, 「염화비닐계 G151」,「염화비닐계 G351」및「염화비닐계 G576」(이상, 니혼 제온사 제조, 상품명) 등을 들 수 있다. 또한, 폴리아미드 수지의 입자 시판품으로서는, 예를 들면, 「SUNMIDE# 15」,「SUNMIDE# 15K-5」및「SUNMIDE# HT-170」(이상, 산와가가쿠고교 가부시키가이샤 제조, 상품명) 등을 들 수 있다. 열가소성 수지 입자로서는 이들을 단독으로 또는 복수 조합하여 사용할 수 있다.

또한, 중합체 입자로서는 코어 쉘형 중합체 입자를 적합하게 사용할 수 있다. 여기에서, 「코어 쉘형 중합체 입자」란, 코어층과 코어층을 피복하는 쉘층으 로 이루어진 다층 구조를 갖는 입자를 의미한다. 단, 코어층이 반드시 쉘층에 의해서 완전히 피복되어 있을 필요는 없고, 코어층의 일부가 노출되어 있어도 양호하다. 또한, 코어층을 구성하는 중합체와 쉘층을 구성하는 중합체는 서로 공유 결합하고 있어도 양호하다.

코어 쉘형 중합체 입자의 쉘층을 구성하는 중합체는 극성기를 갖는 열가소성 수지인 것이 바람직하다. 이 경우, 극성기로서는 할로겐 그룹, 하이드록시 그룹, 아미노 그룹, 니트로 그룹, 카복실 그룹, 포르밀 그룹, 알콕시 그룹, 에스테르 그룹, 니트릴 그룹 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 특히 에폭시 수지와 반응하지 않는 극성기인 할로겐 그룹, 에스테르 그룹 또는 니트릴 그룹이 바람직하다.

코어 쉘형 중합체 입자의 코어층은 쉘층보다도 부드러운, 즉 경도의 정도가 낮은 것이 바람직하다. 코어층 및 쉘층의 경도는 긁기 경도(scratching hardness), 압입 경도(indentation hardness), 반발 경도 등으로서, 예를 들면, 실온(25℃)에서 측정할 수 있다. 또는, 코어 쉘형 중합체 입자의 코어층의 탄성율이 코어 쉘형 중합체 입자의 쉘층의 탄성율보다도 작은 것이 바람직하다. 코어층 및 쉘층의 탄성율은, 굴곡 탄성율, 인장 탄성율, 압축 탄성율 등으로서, 예를 들면, 실온(25℃)에서 측정할 수 있다. 또한, 경도 및 탄성율의 비교는, 예를 들면, 코어층을 구성하는 중합체와 쉘층을 구성하는 중합체를 별도로 준비하고, 이들의 경도 및 탄성율을 비교함으로써 가능하다.

코어 쉘형 중합체 입자로서는, 예를 들면, 코어층이 실온에서 고무상 열가소성 수지로 이루어지고, 쉘층이 실온에서 유리상 열가소성 수지로 이루어진 입자를 들 수 있다. 이러한 코어 쉘형 중합체 입자로서는, 예를 들면, 유리 전이 온도(Tg)가 -20℃ 이하, 바람직하게는 -30℃ 이하인 중합체(공중합체도 포함한다)로 이루어진 코어층과, 유리 전이 온도가 60℃ 이상, 바람직하게는 80℃ 이상인 중합체(공중합체도 포함한다)로 이루어진 쉘층으로 구성되는 입자를 들 수 있다.

코어층을 형성하는 중합체로서는, 구체적으로는, 탄소수 4 내지 8의 알콕시 그룹을 갖는 단관능의 (메트)아크릴레이트 화합물, 에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 부틸렌글리콜 디메타크릴레이트 등의 디(메트)아크릴레이트 다가 알콜(메트)아크릴레이트 화합물 또는 디비닐벤젠 등의 방향족 디비닐 화합물 등의 단량체와, 알릴(메트)아크릴레이트, 디알릴말레에이트 등의 중합 속도가 다른 2종의 관능기를 갖는 2관능 단량체와의 공중합체를 들 수 있다. 또한, 당해 공중합체에는 스티렌, 아크릴로니트릴 등의 다른 단량체를 추가로 공중합시켜도 양호하다.

쉘층을 형성하는 중합체로서는, 구체적으로는, 부틸아크릴레이트 등의 아크릴레이트 화합물, 메틸메타크릴레이트, t-부틸메타크릴레이트 등의 메타크릴레이트 화합물, 아크릴로니트릴 및 염화비닐 등의 단량체의 중합체, 또는 이들의 공중합체등을 들 수 있다. 또한, 이러한 중합체에는 스티렌, 디비닐 톨루엔 등을 추가로 공중합시켜도 양호하다. 특히, 쉘층의 중합체를 형성하는 단량체로서는 아크릴레이트 화합물 또는 메타크릴레이트 화합물이 바람직하다.

코어 쉘형 중합체 입자에 있어서는, 코어층 또는 쉘층에 있어서 중합체가 가교결합되어 있어도 양호하다. 이 때, 코어층의 가교결합도가 쉘층의 가교결합도보다도 큰 것이 바람직하다.

상술한 바와 같은 코어 쉘형 중합체 입자는, 공지된 방법, 예를 들면, 미국 특허 제4,419,496호, 유럽 공개특허공보 제45,357호, 일본 공개특허공보 제(소)55-94917호에 개시된 방법을 사용하여 수득할 수 있다. 또는, 시판품으로서 입수하는 것도 가능하다.

시판품으로서 입수가능한 코어 쉘형 중합체 입자로서는, 예를 들면, 부타디엔·알킬메타크릴레이트·스티렌 공중합물로 이루어진 「파라로이드 EXL-2655」(쿠레하가가쿠고교사 제조, 상품명), 아크릴레이트·메타크릴레이트 공중합체로 이루어진「스타피로이드 AC-3355」,「스타피로이드 TR-2105」,「스타피로이드 TR-2102」,「스타피로이드 TR-2122」,「스타피로이드 IM-101」,「스타피로이드 IM-203」,「스타피로이드 IM-301」및「스타피로이드 IM-401」(다케다야쿠힌고교사 제조, 상품명),「파라로이드 EXL-2314」(쿠레하가가쿠고교사 제조, 상품명),「PALALOID EXL-2611」및「PALALOID EXL-3387」(Rohm & Haas사 제조, 상품명),「제온 아크릴 레진 F-351」(니혼 제온사 제조, 상품명), 아크릴레이트·아크릴로니트릴·스티렌 공중합체로 이루어진 「스타피로이드 IM-601」(간츠카세이 가부시키가이샤 제조, 상품명) 등을 들 수 있다. 이러한 코어 쉘형 중합체 입자는 단독으로 또는 복수 조합하여 사용할 수 있다.

수지 조성물 중에는 또 다른 성분, 예를 들면, 왁스, 유지, 지방산, 고급 알콜 등의 저분자 유기 화합물 등을 필요에 따라서 추가로 첨가해도 양호하다.

서미스터(10)는, 예를 들면, 제1 도체박 위에 수지 조성물로 이루어진 수지 조성물층을 형성시켜 적층체를 수득하는 층 형성 공정, 대향하는 한 쌍의 도체박에 의해 수지 조성물층이 협지되도록, 적층체 위에 제2 도체박 또는 다른 적층체를 적층하여 협지물을 수득하는 적층 공정, 협지물을 가열하여 수지 조성물을 경화시키는 경화 공정 및 협지물을 소정 형상 및 크기로 재단하여 서미스터를 수득하는 재단 공정을 구비하는 제조방법에 의해서 수득할 수 있다.

층 형성 공정에서 사용하는 수지 조성물은, 각종 교반기, 분산기, 밀(mill) 등의 장치를 사용하여 상술한 구성 성분을 혼합함으로써 수득된다. 이 때, 저점도화를 위해, 알콜이나 아세톤 등의 유기 용매나 반응성 희석제 등의 용매를 수지 조성물에 가하여 혼합액으로 하고, 이를 사용하여 수지 조성물층을 형성해도 양호하다. 혼합 시간은, 특별히 한정되지 않지만, 통상적으로 10 내지 30분 동안 혼합함으로써 각 성분을 균일하게 용해 또는 분산시킬 수 있다. 또한, 혼합 온도도 특별히 한정되지 않지만, 100 내지 150℃가 바람직하다. 혼합 후의 수지 조성물 또는 혼합액은, 혼합 중에 혼입한 기포를 제거하기 위해서, 진공하에서 탈포하는 것이 바람직하다.

이러한 수지 조성물 또는 혼합액을 도체박 위에 도포하여, 도체박의 한쪽 면에 수지 조성물층이 형성된 적층체를 수득한다. 혼합액을 사용한 경우, 수지 조성물층을 가열하여 용매를 제거하는 것이 바람직하다. 또한, 수지 조성물이 중합체 입자를 함유하는 경우, 중합체 입자의 팽윤 또는 용해에 의해서 수지 조성물층이 유동성을 상실할 때까지, 소정 온도에서 소정 시간 가열해도 양호하다. 이 경우, 소정 온도 및 소정 시간은 경화제 및 중합체 입자의 종류 및 이들의 함유 비율 등에 따라서 적절하게 결정하면 양호하다. 예를 들면, 소정 온도는, 중합체 입자가 팽윤 또는 용해되는 온도 이상이고 사용하는 수지 조성물의 경화가 개시되는 온도 미만의 범위로 하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들면, 에폭시 수지와 아크릴레이트·메타크릴레이트 공중합체로 이루어진 코어 쉘형 중합체 입자와의 조합인 경우에는, 80 내지 120℃에서 30초 내지 5분 동안 가열하는 것이 바람직하다.

계속해서, 적층 공정에서 대향하는 한 쌍의 도체박에 의해서 수지 조성물층이 협지되도록 수지 조성물층 위에 제2 도체박 또는 다른 적층체를 적층하여 협지물을 수득한다. 이 때, 도체박과 수지 조성물층이 밀착하도록 전체를 가압하는 것이 바람직하다.

경화 공정에서는, 수지 조성물이 충분히 경화되도록, 협지물을 소정 온도에서 소정 시간 가열한다. 이 때의 가열 조건은 경화제의 종류 등에 따라서 적절하게 설정하면 양호하다. 예를 들면, 경화제로서 산 무수물을 사용하는 경우, 80 내지 200℃에서 30 내지 600분 동안 가열함으로써, 통상적으로 경화를 충분히 진행시킬 수 있다. 또한, 이러한 경화 공정은 가압하면서 실시해도 양호하고, 이 경우, 상기 적층 공정과 경화 공정을 동시에 실시해도 양호하다.

그리고, 재단 공정에서 수지 조성물이 경화된 협지물을 천공 등에 의해 원하는 형상(예를 들면, 3.6mm ×9mm)으로 재단함으로써, 서미스터(10)를 수득할 수 있다. 천공은 네코프레스 등과 같이 서미스터를 수득하기 위해서 통상적으로 사용되는 방법으로 실시할 수 있다.

또한, 필요에 따라서, 도체박으로 이루어진 전극(2 및 3)의 표면에 각각 리드를 접합함으로써 리드를 갖는 서미스터를 제작할 수 있다.

서미스터(10)는, 상술한 제조방법 대신에, 예를 들면, 수지 조성물의 경화물로 이루어진 시트를 작성한 다음, 이 양면에 도체층을 형성시키는 방법에 의해서도 수득할 수 있다. 이 경우, 경화물로 이루어진 시트는, 대향하는 한 쌍의 이형성 지지체 시트 사이에 협지된 상태로 수지 조성물을 경화시킨 다음, 지지체 시트를 박리하는 등의 방법에 의해 제작할 수 있다. 이러한 방법의 경우에 도체층을 형성시키는 방법으로서는, 예를 들면, 도금, 금속 페이스트의 도포, 스퍼터링, 증착 등을 들 수 있다.

이하에, 실시예 및 비교 실시예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시예로 한정되는 것이 아니다.

실시예 1

지환식 에폭시 수지로서 상기 화학식 1a의 에폭시 수지인 「E4080S」(상품명, 아사히덴카고교사 제조, 에폭시 당량 210g/eq.)을 사용하고, 경화제로서 산 무수물계 경화제인「B570」(상품명, 신니혼리카사 제조, 산 무수물 당량 168g/eq.)을 사용하고, 경화 촉진제로서 에폭시 수지 아민 부가 화합물인「PN-40J」(상품명, 아지노모토 파인테크노사 제조)를 사용하고, 도전성 입자로서 필라멘트상 니켈 입자인「Type255 니켈 파우더」(상품명, INCO사 제조, 평균 입자 직경 2.2 내지 2.8㎛, 외관 밀도 0.5 내지 0.65g/㎤, 비표면적 0.68㎡/g)을 사용하여, 수지 조성물을 제조하였다. 즉, 지환식 에폭시 수지 E4080S 100중량부에 경화제 B570 64중량부와 경화 촉진제 PN-40J 1중량부를 첨가한 혼합물을 교반기를 사용하여 교반한 후, 당해 혼합물에 니켈 입자를, 니켈 입자를 포함하는 수지 조성물 전체를 기준으로 하여, 75중량%로 되는 양으로 첨가한 다음, 추가로 교반하여 니켈 입자가 분산된 수지 조성물을 수득하였다.

다음에, 수득된 수지 조성물을 Ni 박의 한쪽 면에 도포하여 두께 0.5mm의 수지 조성물층을 형성하고, 당해 수지 조성물층 위에 추가로 Ni 박을 적층한 후, 130℃의 오븐 속에서 130℃로 가열하여 수지 조성물을 경화시켜 시트상 협지물을 수득하였다.

그리고, 당해 시트상 협지물을 천공하여 3.6 ×9.0mm의 대략 장방형상 주면을 갖는 서미스터를 수득하였다. 당해 서미스터는 Ni 박으로 이루어지고 대향하는 한 쌍의 전극과, 이들 전극 사이에 형성된 상기 수지 조성물의 경화물로 이루어진 서미스터 소체로 구성되는 것이다.

수득된 서미스터를 항온조 내에서 실온으로부터 200℃까지 3℃/분의 속도로 승온하면서 가열한 후, 계속해서 동일한 속도로 강온하면서 냉각시켰다. 이 때, 4단자법으로 서미스터의 저항치를 측정하여 온도-저항 곡선을 수득하였다. 수득된 온도-저항 곡선으로부터, 초기(가열전)의 실온 저항치가 1.0 ×10^-3Ω(저항율: 0.7 ×10^-2Ωcm)인 것 및 저항치가 130℃ 부근에서 급격히 증가하여 실온 저항치의 10⁷배 정도까지 도달하는 것(즉, 저항 변화율이 10⁷ 자리수인 것)이 확인되었다. 또 한, 상기의 가열·냉각을 받은 후의 서미스터의 실온 저항치는 2.0 ×10^-3Ω(저항율: 1.3 ×10^-2Ωcm)이고, 초기의 실온 저항치와 동일한 정도를 유지하고 있었다.

또한, 별도 내열성을 평가하기 위해서, 상기한 바와 같이 수득된 서미스터를 약 200℃의 고온중에 방치한 후, 실온에서 취출하여 외관을 육안으로 확인한 결과, 열 이력에 의한 변형은 확인되지 않았다.

실시예 2

지환식 에폭시 수지로서 상기 화학식 1b의 구조를 갖는「E4085S」(상품명, 아사히덴카고교사 제조, 에폭시 당량 145g/eq.)을 사용하여, 경화제 B570의 배합량을 93중량부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 서미스터를 수득하였다.

수득된 서미스터에 관해서, 실시예 1과 동일하게 하여 수득한 온도-저항 곡선으로부터, 초기의 실온 저항치는 2.0 ×10^-3Ω(저효율: 1.3 ×10^-2Ωcm)이고, 저항 변화율은 10⁷ 자리수인 것이 확인되었다. 또한, 가열·냉각후의 실온 저항치는 2.0 ×10^-3Ω(저항율: 1.3 ×10^-2Ωcm)이고, 초기의 실온 저항치와 동일한 정도를 유지하고 있었다.

실시예 3

지환식 에폭시 수지로서 상기 화학식 1c의 구조를 갖는「E4088S」(상품명, 아사히덴카고교사 제조, 에폭시 당량 170g/eq.)을 사용하여, 경화제 B570의 배합량을 79중량부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 서미스터를 수득하였다.

수득된 서미스터에 관해서, 실시예 1과 동일하게 하여 수득한 온도-저항 곡선으로부터, 초기 저항치는 2.0 ×10^-3Ω(저효율: 1.3 ×10^-2Ωcm)이고, 저항 변화율은 10⁶ 자리수인 것이 확인되었다. 또한, 가열·냉각후의 실온 저항치는 3.0 ×10^-3Ω(저항율: 1.9 ×10^-2Ωcm)이고, 초기의 실온 저항치와 동일한 정도를 유지하고 있었다.

또한, 별도 내열성을 평가하기 위해서, 상기한 바와 같이 하여 수득된 서미스터를 약 200℃의 고온중에 방치한 후, 실온에서 취출하여 외관을 육안으로 확인한 결과, 열 이력에 의한 변형은 확인되지 않았다.

실시예 4

경화제로서 아민계 경화제인「B002」(상품명, 재팬 에폭시 레진사 제조)를 사용하여 배합량을 50중량부로 하고, 경화를 위한 가열 온도를 100℃로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 서미스터를 수득하였다.

수득된 서미스터에 관해서, 실시예 1과 동일하게 하여 수득한 온도-저항 곡 선으로부터, 초기 저항치는 4.0 ×10^-3Ω(2.6 ×10^-2Ωcm)이고, 저항 변화율은 10⁵ 자리수인 것이 확인되었다. 또한, 가열·냉각후의 실온 저항치는 5.0 ×10^-3Ω(3.2 ×10^-2Ωcm)이고, 초기의 실온 저항치와 동일한 정도를 유지하고 있었다.

비교 실시예 1

에폭시 수지로서 비스페놀 A형 에폭시 수지인「EPICLON850」(상품명, 다이닛폰잉크가가쿠고교사 제조, 에폭시 당량 190g/eq.)을 사용하여, 경화제의 배합량을 88중량부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 서미스터를 수득하였다.

수득된 서미스터에 관해서, 실시예 1과 동일하게 하여 온도-저항 곡선을 수득한 결과, 초기의 실온 저항치는 2.0 ×10^-3Ω(저항율: 1.3 ×10^-2Ωcm)이고, 가열. 냉각후의 실온 저항치는 2.0 ×10^-3Ω(저항율: 1.3 ×10^-2Ωcm)이었지만, 온도 변화에 따른 급격한 저항 변화(PTC 특성)는 확인되지 않으며, 서미스터로서 사용하는 데에는 적합하지 않은 것이었다.

비교 실시예 2

에폭시 수지로서, 비스페놀 A형 에폭시 수지인「EPICLON850」(상품명, 다이닛폰잉크가가쿠고교사 제조, 에폭시 당량 190g/eq.)을 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 동일하게 하여 서미스터를 수득하였다.

수득된 서미스터에 관해서, 실시예 1과 동일하게 하여 온도-저항 곡선을 수득한 결과, 초기의 실온 저항치는 3.0 ×10^-3Ω(저항율: 1.9 ×10^-2Ωcm)이고, 저항 변화율은 10² 자리수이고, 가열·냉각후의 실온 저항치는 4.0 ×10^-1Ω(저항율: 2.6Ωcm)이었다.

		실시예 1	실시예 2	실시예 3	실시예 4	비교예 1	비교예 2
에폭시 수지	E4080S	100	-	-	100	-	-
	E4085S	-	100	-	-	-	-
	E4088S	-	-	100	-	-	-
	E850	-	-	-	-	100	100
경화제	B570	64	93	79	-	88	-
경화제	B002	-	-	-	50	-	50
Ni 입자(중량%)		75	75	75	75	75	75
실온 저항치(Ω)	초기	1.0 ×10^-3	2.0 ×10^-3	2.0 ×10^-3	4.0 ×10^-3	2.0 ×10^-3	3.0 ×10^-3
실온 저항치(Ω)	가열ㆍ냉각 후	2.0 ×10^-3	2.0 ×10^-3	3.0 ×10^-3	5.0 ×10^-3	2.0 ×10^-3	4.0 ×10^-1
실온 저항율(Ωcm)	초기	0.7 ×10^-2	1.3 ×10^-2	1.3 ×10^-2	2.6 ×10^-2	1.3 ×10^-2	1.9 ×10^-2
실온 저항율(Ωcm)	가열ㆍ냉각 후	1.3 ×10^-2	1.3 ×10^-2	1.9 ×10^-2	3.2 ×10^-2	1.3 ×10^-2	2.6
저항 변화율		10⁷	10⁷	10⁶	10⁵	-	10²

표 1에 기재한 바와 같이, 실시예 1 내지 4에 의하면, 초기의 실온 저항치가 낮고, 저항 변화율이 충분히 크며, 또한 가열·냉각후에 실온 저항치가 크게 변화하는 현상도 확인되지 않았다. 이에 대해, 지환식 에폭시 수지를 사용하지 않은 비교 실시예 1 및 2에 의하면, 초기의 저항치는 비교적 낮았지만, 비교 실시예 1에 있어서는 PTC 특성이 확인되지 않으며, 비교 실시예 2에 있어서는 저항 변화율이 매우 낮은 수준에 머문 것이었다. 또한, 비교 실시예 2의 경우, 가열·냉각후에 실온 저항치가 초기와 비교하여 크게 상승하고, 동작 안정성의 점에서도 불충분한 것이었다. 따라서, 본 발명에 의하면, 낮은 실온 저항치 및 큰 저항 변화율을 가지면서, 동작 안정성도 우수한 서미스터가 수득되는 것이 확인되었다.

본 발명에 의하면, 실온 저항치가 낮고 저항 변화율이 크면서, 동작 안정성도 우수한 서미스터 및 이를 수득하기 위한 서미스터 소체 형성용 수지 조성물이 제공된다.

Claims

지환식 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지, 경화제 및 도전성 입자를 함유하는, 서미스터 소체 형성용 수지 조성물.
제1항에 있어서, 지환식 에폭시 수지에 포함되는 지환기가 환상 포화 지방족 탄화수소 그룹인, 서미스터 소체 형성용 수지 조성물.
제2항에 있어서, 환상 포화 지방족 탄화수소 그룹이 사이클로헥산 환 또는 사이클로펜탄 환을 갖는 그룹인, 서미스터 소체 형성용 수지 조성물.
제3항에 있어서, 경화제가 산 무수물을 포함하는, 서미스터 소체 형성용 수지 조성물.
제2항에 있어서, 경화제가 산 무수물을 포함하는, 서미스터 소체 형성용 수지 조성물.
제1항에 있어서, 경화제가 산 무수물을 포함하는, 서미스터 소체 형성용 수지 조성물.
대향하는 한 쌍의 전극과 당해 한 쌍의 전극 사이에 배치된 서미스터 소체를 구비하고,

서미스터 소체가 제1항에 따르는 서미스터 소체 형성용 수지 조성물의 경화물로 이루어진 서미스터.
대향하는 한 쌍의 전극과 당해 한 쌍의 전극 사이에 배치된 서미스터 소체를 구비하고,

서미스터 소체가 제2항에 따르는 서미스터 소체 형성용 수지 조성물의 경화물로 이루어진 서미스터.
대향하는 한 쌍의 전극과 당해 한 쌍의 전극 사이에 배치된 서미스터 소체를 구비하고,

서미스터 소체가 제3항에 따르는 서미스터 소체 형성용 수지 조성물의 경화물로 이루어진 서미스터.
대향하는 한 쌍의 전극과 당해 한 쌍의 전극 사이에 배치된 서미스터 소체를 구비하고,

서미스터 소체가 제4항에 따르는 서미스터 소체 형성용 수지 조성물의 경화물로 이루어진 서미스터.
대향하는 한 쌍의 전극과 당해 한 쌍의 전극 사이에 배치된 서미스터 소체를 구비하고,

서미스터 소체가 제5항에 따르는 서미스터 소체 형성용 수지 조성물의 경화물로 이루어진 서미스터.
대향하는 한 쌍의 전극과 당해 한 쌍의 전극 사이에 배치된 서미스터 소체를 구비하고,

서미스터 소체가 제6항에 따르는 서미스터 소체 형성용 수지 조성물의 경화물로 이루어진 서미스터.