KR20060043005A - 자기 기록 매체 및 그 자기 기록 방법 - Google Patents
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Abstract
저 자계 강도로 정보를 확실하게 기록할 수 있음과 함께, 매체 노이즈를 억제하면서 고 신호 출력을 얻을 수 있는 자기 기록 매체 및 이러한 자기 기록 매체의 자기 기록 방법을 제공한다. 제1 자성층(12a)과, 제1 자성층(12a) 상에 형성되고, 페리 자성을 갖고, 제1 자성층(12a)과는 반대 방향으로 자화한 제2 자성층(12c)과, 제2 자성층(12c) 상에 형성되고, 제2 자성층(12c)과는 반대 방향으로 자화한 제3 자성층(12e)을 갖는 뒷받침층(12)과, 뒷받침층(12) 상에 형성되고, 자기 정보를 기록하는 수직 자기 기록층(16)을 갖고, 제1 자성층(12a)과 상기 제2 자성층(12c)의 사이 및 제2 자성층(12c)과 제3 자성층(12e)의 사이에서 반강자성적 교환 결합이 형성되어 있다.
자성층, 자화, 뒷받침층, 반강자성적 교환 결합, 자기 이방성, 포화 자화
Description
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 자기 기록 매체의 구조를 도시하는 개략 단면도.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 자기 기록 매체에 있어서의 뒷받침층의 포화 자화의 크기의 온도 특성을 나타내는 그래프.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 자기 기록 매체에 있어서의 뒷받침층의 자기 이방성의 온도 특성을 나타내는 그래프.
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 자기 기록 매체의 재생 원리를 설명하는 도면.
도 5는 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 자기 기록 매체의 기록 원리를 설명하는 도면.
도 6은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 자기 기록 매체에 있어서의 기록 자계에 대한 오버라이트 특성을 나타내는 그래프.
도 7은 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 자기 기록 장치의 구조를 도시하는 개략 단면도.
도 8은 본 발명의 제2 실시 형태의 변형예에 의한 자기 기록 장치의 구조를 도시하는 개략 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10: 글래스 기판
12: 뒷받침층
12a, 12c, 12e: 자성층
12b, 12d: 스페이서층
14: 중간층
16: 수직 자기 기록층
18: 보호층
[문헌 1] 일본 특허 공개 2002-298326호 공보
[문헌 2] 일본 특허 공개 2003-346315호 공보
[문헌 3] 일본 특허 공개 2004-127403호 공보
[문헌 4] 일본 특허 공개 2001-084658호 공보
본 발명은 자기 기록 매체 및 그 자기 기록 방법에 관한 것으로, 특히, 수직 자기 기록에 이용하는 자기 기록 매체 및 그 자기 기록 방법에 관한 것이다.
자기 기록 장치인 하드디스크 장치는 컴퓨터나 각종 휴대 정보 단말기, 예를 들면 이동 퍼스널 컴퓨터, 게임기, 디지털 카메라, 차량 탑재 내비게이션 시스템 등의 외부 기억 장치로서 널리 사용되고 있다.
최근, 이러한 하드디스크 장치의 기록 매체로서, 종래의 면내 기록 매체와 비교하여 배 이상의 고 보자력화가 가능한, 수직 자기 기록 매체가 주목받고 있다. 수직 자기 기록이란, 기록 매체의 면과 수직으로, 인접하는 기록 비트가 서로 반평행하게 되도록 자구(磁區)를 형성하는 자기 기록 방식이다.
수직 자기 기록에서는 단자극 헤드 구조의 자기 헤드로부터 발생하는 강한 기록 자계에 의해 기록을 행한다. 따라서, 자기 기록층인 수직 자화막의 하층에는, 단자극 헤드로부터의 자속의 수취구로서 작용하는 뒷받침층이 마련되어 있다. 이에 의해, 기록 헤드로부터 발생한 기록 자계는 뒷받침층을 통하여 환류하여, 자속의 폐자로가 형성된다.
뒷받침층을 이용함으로써, 보다 강한 헤드 자계로 기록할 수 있고, 뒷받침층이 없는 수직 기록 매체뿐만 아니라, 면내 기록 매체와 비교하더라도 배 이상의 고 보자력화가 가능해진다.
뒷받침층을 갖는 수직 자기 기록 매체는, 예를 들면 상기 특허 문헌 1 내지 3에 개시되어 있다.
기록층이 수직 자화막에 의해 구성되어 있는 데 대하여, 뒷받침층은 면내 자화막에 의해 구성되어 있다. 또한, 뒷받침층은 기록층과 비교하여 막 두께가 두껍다. 이 때문에, 수직 자화막인 기록층과 면내 자화막인 뒷받침층 사이의 자기적인 상호 작용 등에 의해, 뒷받침층 내에 수직 방향의 자화 성분이 발생하는 경우가 있다. 뒷받침층 내에 수직 방향의 자화 성분이 발생하면, 재생 시에 이 성분까지도 검출되어, 매체 노이즈의 원인으로 된다.
기록층과 뒷받침층 사이의 상호 작용을 방지하기 위해서, 이들 층간에는 중간층이라고 불리는 비자성층이 마련된다. 그러나, 중간층의 막 두께가 지나치게 두꺼우면, 헤드로부터의 자속이 뒷받침층에 닿지 않아 기록이 곤란해진다. 한편, 중간층의 막 두께가 지나치게 얇으면, 기록층과 뒷받침층 사이의 자기적인 상호 작용을 충분히 방지할 수 없고, 이에 의한 흔들림이 매체 노이즈의 원인으로 된다.
뒷받침층이 자화 반전하여 180도 자계 벽을 형성하고 있는 경우, 그곳으로부터의 누설 자속이 스파이크 형상의 노이즈로 되어 재생 신호에 중첩되어, 매체 노이즈가 증대하는 경우도 있다.
또한, 고 기록 밀도·매체 노이즈 저감을 가능하게 하는 하나의 방법으로서, 열 어시스트 기록이 있다. 열 어시스트 기록은 기록층 자기 특성의 온도 변화를 이용하는 것으로, 레이저 광의 조사에 의해 가열하여 기록 영역의 보자력(Hc)을 저감시킨다. 그러나, 기록 영역이나 기록 자계의 분포(급경사성)는 레이저 광의 광 강도 분포(=열 분포)에 의존하기 때문에, 그 결과 기록 자구가 넓어져, 선 밀도나 트랙 밀도의 제약으로 된다. 또한, 동시에 매체 노이즈의 요인으로도 된다.
본 발명의 목적은 저 자계 강도로 정보를 확실하게 기록하는 것이 가능함과 함께, 매체 노이즈를 억제하면서 고 신호 출력을 얻을 수 있는 자기 기록 매체 및 이러한 자기 기록 매체의 자기 기록 방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 또 다른 목적, 특징이나 이점은, 후술하는 본 발명의 실시예나 첨부하는 도면에 기초한 보다 상세한 설명에 의해서 분명해질 것이다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 제1 자성층과, 상기 제1 자성층 상에 형성되고, 페리 자성을 갖고, 상기 제1 자성층과는 반대 방향으로 자화한 제2 자성층을 갖는 뒷받침층과, 상기 뒷받침층 상에 형성되고, 자기 정보를 기록하는 수직 자기 기록층을 갖고, 상기 제1 자성층과 상기 제2 자성층의 사이에서 반강자성적 교환 결합이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체가 제공된다.
또한, 본 발명의 다른 관점에 따르면, 제1 자성층과, 상기 제1 자성층 상에 형성되고, 페리 자성을 갖고, 상기 제1 자성층과는 반대 방향으로 자화한 제2 자성층을 갖는 뒷받침층과, 상기 뒷받침층 상에 형성되고, 자기 정보를 기록하는 수직 자기 기록층을 갖고, 상기 제1 자성층과 상기 제2 자성층의 사이에서 반강자성적 교환 결합이 형성되어 있는 자기 기록 매체와, 상기 자기 기록 매체의 상기 수직 자기 기록층 측에 배치되고, 상기 자기 기록 매체의 소정의 기록 영역에의 자기 정보의 기록 및 상기 자기 기록 매체의 소정의 기록 영역의 자기 정보의 판독을 행하는 자기 헤드와, 상기 자기 기록 매체에의 자기 정보의 기입 시에 상기 자기 기록 매체의 기록 영역에 광을 조사하여 상기 기록 영역의 온도를 제어하는 광원을 갖는 것을 특징으로 하는 자기 기록 장치가 제공된다.
또한, 본 발명의 또 다른 관점에 따르면, 제1 자성층과, 상기 제1 자성층 상에 형성되고, 제1 온도에 있어서 상기 제1 자성층과는 반대 방향으로 자화한 면내 자화막으로 되고, 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에 있어서 수직 자화막으로 되는 제2 자성층을 갖는 뒷받침층과, 상기 뒷받침층 상에 형성되고, 자기 정보를 기록하는 수직 자기 기록층을 갖는 자기 기록 매체에의 자기 기록 방법에 있어서, 기록 영역의 온도를 상기 제2 온도로 승온하여 상기 기록 영역에서의 상기 제2 자성층을 면내 자화막으로부터 수직 자화막으로 전환하고, 상기 기록 영역에 기록 자계를 인가함으로써, 상기 기록 영역의 상기 수직 자기 기록층에 상기 기록 자계에 따른 소정의 자기 정보를 기록하는 것을 특징으로 하는 자기 기록 방법이 제공된다.
[제1 실시 형태]
본 발명의 제1 실시 형태에 의한 자기 기록 매체 및 자기 기록 방법에 대하여 도 1 내지 도 6을 이용하여 설명한다.
도 1은 본 실시 형태에 의한 자기 기록 매체의 구조를 도시하는 개략 단면도, 도 2는 본 실시 형태에 의한 자기 기록 매체에 있어서의 뒷받침층의 포화 자화의 크기의 온도 특성을 나타내는 그래프, 도 3은 본 실시 형태에 의한 자기 기록 매체에 있어서의 뒷받침층의 자기 이방성의 온도 특성을 나타내는 그래프, 도 4는 본 실시 형태에 의한 자기 기록 매체의 재생 원리를 설명하는 도면, 도 5는 본 실시 형태에 의한 자기 기록 매체의 기록 원리를 설명하는 도면, 도 6은 본 실시 형태에 의한 자기 기록 매체에 있어서의 기록 자계에 대한 오버라이트 특성을 나타내는 그래프이다.
처음에, 본 실시 형태에 의한 자기 기록 매체의 구조에 대하여 도 1을 이용하여 설명한다.
글래스 기판(10) 상에는 뒷받침층(12)이 형성되어 있다. 뒷받침층(12)은 글래스 기판(10) 측으로부터, 면내 자화막인 제1 자성층(12a)과, 실온에서 면내 자화막이고 고온에서 수직 자화막으로 되는 제2 자성층(12c)과, 면내 자화막인 제3 자성층(12e)을 갖고 있다. 제1 자성층(12a)과 제2 자성층(12c)의 사이, 및 제2 자성층(12c)과 제3 자성층(12e)의 사이에는, 각각 비자성층으로 이루어지는 스페이서층(12b, 12d)이 형성되어 있다. 제2 자성층(12c)은 페리 자성을 갖고 있고, 제1 자성층(12a) 및 제3 자성층(12e)의 사이에 반강자성적 교환 결합을 형성하고 있다. 뒷받침층(12) 상에는, 비자성재료로 이루어지는 중간층(14), 수직 자화막으로 이루어지는 수직 자기 기록층(16) 및 보호층(18)이 형성되어 있다.
전술한 대로, 본 실시 형태에 의한 자기 기록 매체는, 뒷받침층(12)이, 제1 자성층(12a), 제2 자성층(12c), 및 제3 자성층(12e)에 의해 구성되어 있는 것에 주된 특징이 있다. 이하, 본 실시 형태에 의한 자기 기록 매체에 있어서의 제1 내지 제3 자성층에 대하여 상술한다.
제1 자성층(12a)은 기록 헤드로부터 발생한 기록 자계를 환류시켜, 자속의 폐자로를 형성하기 위한 것으로, 뒷받침층(12)의 본래 목적을 달성하기 위해서 마련된 층이다. 따라서, 제1 자성층(12a)은 기록 시(승온 시)에 있어서 면내 자기 이방성을 가질 필요가 있다.
제1 자성층(12a)에는 뒷받침층으로서 종래 이용되고 있던 자성 재료, 예를 들면 CoNbZr을 적용할 수 있다. CoNbZr은 본질적 자기 이방성(Ku)이 Ku<0이고, 포화 자화의 크기 Ms가 온도 변화에 의해 감소해도, 다른 자기 이방성 요인이 작용하 지 않으면, 면내 자기 이방성을 유지한다.
제1 자성층(12a)으로서는, 상기 CoNbZr 외에, CoZrTa와 같은 비정질 재료, FeTaC와 같은 미결정 석출형의 결정 구조를 갖는 재료, NiFe와 같은 결정질 재료 등을 적용할 수 있으며, 결정 형태에는 한정되지 않는다. 단, 제1 자성층(12a)으로부터의 노이즈를 고려에 넣으면, 비정질 혹은 미결정 석출형인 것이 바람직하다. 또한, 제1 자성층(12a)은 연자성층과 비자성층을 교대로 적층한 다층 구조(예를 들면 Fe/C 다층막)이어도 된다.
제2 자성층(12c)은 그 하나의 목적이, 제1 자성층(12a)과의 사이에서 반강자성적 교환 결합을 형성하는 데에 있다. 이 때문에, 제2 자성층(12c)은 제1 자성층(12a)의 자화 방향과는 반대 방향의 자화 방향을 갖는 자성 재료에 의해 구성된다.
또한 제2 자성층(12c)은, 재생 시 온도(예를 들면 실온(RT))에 있어서 면내 자기 이방성이 우위(Ku′<0)로 되고, 기록 시 온도(가온 시)에 있어서 수직 자기 이방성이 우위(Ku′≥0)로 되는, 페리 자성 재료에 의해 구성된다. 자성 재료는 본질적 자기 이방성 Ku를 갖고 있다. 외관의 자기 이방성 Ku′는 포화 자화의 크기를 Ms로 하여,
Ku′=Ku-2πMs2
로 표시된다. 따라서, 본질적 자기 이방성 Ku가 Ku>0의 자성 재료에서는, 포화 자화의 크기 Ms가 온도 상승에 의해 감소한 경우, Ku′<0(면내 자기 이방성)으로부터 Ku′>0(수직 자기 이방성)으로 변화하게 된다.
또한, 제2 자성층(12c)은 보상 온도를 Tcomp, 기록 시 온도를 T(Pw), 퀴리 온도를 Tc2로 했을 때에,
Tcomp≤T(Pw)≤Tc2
의 관계를 만족하는 재료이다.
즉, 제2 자성층(12c)은 도 2에 도시한 바와 같이, 실온에 있어서 소정의 포화 자화의 크기를 갖는다. 또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 실온에 있어서 면내 자기 이방성이 우위이다. 온도를 실온으로부터 서서히 증가해 가고, 보상 온도 Tcomp 부근에서, 포화 자화의 감소에 의해 면내 자기 이방성보다도 수직 자기 이방성이 우위로 된다. 포화 자화는 기록 온도 T(Pw) 근방에서 제로로 된다. 온도를 더욱 증가해 가면, 포화 자화는 다시 증가하여 피크로 된다. 온도를 더욱 증가해 가면, 포화 자화의 크기는 다시 감소한다.
이러한 특성을 갖는 재료로서는, 희토류 금속(R)-천이 금속(TM)으로 이루어지는 페리 자성 재료를 적용할 수 있다. 희토류 금속과 천이 금속을 포함하는 페리 자성 재료에서는, 보상 온도 Tcomp 이하에서는 희토류 금속의 자화가 우세해지고, 보상 온도 Tcomp 이상에서는 천이 금속의 자화가 우세해진다. 희토류 금속 R로서는 적어도 Gd 또는 Nd를 1 종류 이상 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 특성을 나타내는 페리 자성 재료로서는, 예를 들면 GdFeCo, GdFe, NdFeCo 등을 적용할 수 있다.
또한, 제2 자성층(12c)은 비정질 상태인 것이 바람직하다. 제2 자성층(12c) 을 비정질 상태에 의해 구성함으로써, 뒷받침층(12)의 결정 구조가 중간층(14)이나 수직 자기 기록층(16)의 결정 구조에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해, 뒷받침층(12) 상에 형성하는 중간층(14)에, 수직 자기 기록층(16)에 특정 결정 배향을 갖게 하기 위해서 필요한 결정 배향을 용이하게 갖게 할 수 있게 된다.
제3 자성층(12e)은 그 하나의 목적이, 제2 자성층(12c)과의 사이에서 반강자성적 교환 결합을 형성하는 데에 있다. 이 때문에, 제3 자성층(12e)은 제2 자성층(12c)의 자화 방향과는 반대 방향의 자화 방향을 갖는 자성 재료에 의해 구성된다.
또한 제3 자성층(12e)은, 면내 자기 이방성이 우위이고, 퀴리 온도 Tc3이 기록 시 온도 T(Pw)와 거의 동일한 자성 재료에 의해 구성된다. 즉, 도 2에 도시한 바와 같이, 재생 시 온도(예를 들면 실온)에 있어서 소정의 포화 자화의 크기를 갖고 있다. 또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 실온에서 면내 자기 이방성을 갖고 있다. 온도를 실온으로부터 서서히 증가시키면, 포화 자화의 크기는 서서히 감소하고, 기록 시 온도의 근방에서 제로로 된다.
또한, 도 2 및 도 3에서 실선으로 나타내는 특성은, 퀴리 온도 Tc3이 기록 시 온도 T(Pw)에 일치하는 최적 재료인 경우이지만, 퀴리 온도 Tc3과 기록 시 온도 T(Pw)는 반드시 일치할 필요는 없다. 기록 시에 제3 자성층(12e)의 면내 자기 이방성의 영향을 저감할 수 있으면 되고, 예를 들면 도 2 및 도 3의 점선으로 도시한 바와 같은 특성을 갖는 재료이더라도 적용 가능하다.
이러한 특성을 나타내는 자성 재료로서는, 예를 들면 NiFe를 적용할 수 있 다. NiFe는 본질적 자기 이방성(Ku)이 Ku<0이고, 포화 자화의 크기 Ms가 온도 변화에 의해 감소해도, 다른 자기 이방성 요인이 작용하지 않으면, 면내 자기 이방성을 유지한다.
전술한 대로, 제1 자성층(12a)은 기록 헤드로부터 발생한 기록 자계를 환류시킨다고 하는 뒷받침층(12)의 본래의 목적을 위하여 마련된 것이며, 기록 헤드로부터 발생한 기록 자계를 충분히 환류할 수 있도록 할 필요가 있다. 이 때문에, 제1 자성층(12a)의 막 두께는 제2 자성층(12c)의 막 두께 및 제3 자성층(12e)의 막 두께보다도 두텁게 할 필요가 있다. 즉, 제1 자성층(12a)의 막 두께를 tsul1, 제2 자성층(12c)의 막 두께를 tsul2, 제3 자성층의 막 두께를 tsu13으로 했을 때에,
tsul1>tsul2≥tsul3
의 관계를 만족할 필요가 있다.
또한, 제2 자성층(12c) 및 제3 자성층(12e)의 포화 자화에 주목하면, 제2 자성층(12c)의 포화 자화의 크기를 Ms2, 제3 자성층(12e)의 포화 자화의 크기를 Ms3으로 했을 때에, 재생 시 온도(예를 들면 실온)에 있어서,
Ms3≥Ms2
의 관계를 만족하고, 기록 시 온도에 있어서,
Ms3≤Ms2
의 관계를 만족할 필요가 있다.
다음으로, 본 실시 형태에 의한 자기 기록 매체의 재생 원리에 대하여 도 4 를 이용하여 설명한다.
본 실시 형태에 의한 자기 기록 매체의 재생은, 제2 자성층(12c)에 있어서 면내 자기 이방성이 우위로 되고, 제3 자성층(12e)의 포화 자화의 크기 Ms3이 제2 자성층(12c)의 포화 자화의 크기 Ms2보다도 커지는 온도, 예를 들면 실온에서 행한다(도 2 및 도 3 참조).
상술한 바와 같이, 실온에서는 제1 자성층(12a), 제2 자성층(12c) 및 제3 자성층(12e)은 면내 자화를 갖고 있다. 또한, 제2 자성층(12c)은 페리 자성을 갖고 있다. 이에 의해, 제2 자성층(12c)은 제1 자성층(12a) 및 제3 자성층(12e)의 사이에서 반강자성적인 결합(반강자성적 교환 결합(20))을 하여 폐자로(22)를 형성한다(도 4 참조). 따라서, 재생 시에 뒷받침층(12)으로부터의 누설 자계가 감소함과 함께, 흔들림 혹은 줄무늬 형상의 자구의 발생이 억제되어, 매체 노이즈를 저감할 수 있다. 뒷받침층(12)으로부터의 누설 자계가 감소하는 것은, 중간층(14)을 박막화할 수 있는 것도 의미한다.
또한, 재생 신호 출력에는 수직 자기 기록층(16)으로부터의 누설 자계(재생자속)의 크기 이외에, 거울상 효과에 의한 신호 출력의 인핸스먼트 효과가 영향을 준다. 이 때, 뒷받침층(12)의 표면의 자화(제3 자성층(12e)의 포화 자화의 크기)가 클수록, 큰 신호 출력 증대로 된다. 본 실시 형태에 의한 자기 기록 매체에서는, 제3 자성층(12e)은 실온에서는 큰 포화 자화를 갖고 있다. 따라서, 거울상 효과에 의해 신호 출력의 증대를 도모할 수 있다. 또한, 뒷받침층을 반강자성적으로 다층화함으로써 노이즈가 억제되어 있기 때문에, S/N 비를 증대(S를 증대)할 수 있다.
다음으로, 본 실시 형태에 의한 자기 기록 매체의 기록 원리에 대하여 도 5를 이용하여 설명한다.
본 실시 형태에 의한 자기 기록 매체에의 기록은 열 어시스트 자기 기록법에 의해 행한다. 기록 시의 온도는, 제2 자성층(12c)에 있어서 수직 자기 이방성이 우위로 되고, 제3 자성층(12e)의 포화 자화의 크기 Ms3이 제2 자성층(12c)의 포화 자화의 크기 Ms2보다도 작아지는 온도, 예를 들면 제3 자성층(12e)의 퀴리 온도 Tc3 근방의 온도로 한다(도 2 및 도 3 참조).
기록 시의 온도를 이와 같이 설정함으로써, 제2 자성층(12c)은 면내 자화막(Ku<0)으로부터 수직 자화막(Ku>0)으로 전환한다. 이에 의해, 제2 자성층(12c)이 헤드로부터의 기록 자계를 인입하도록 작용하고, 기록 자계가 수직 자화 영역에 집중하게 되어, 기록 자계 감도를 향상시킬 수 있다(도 5 참조). 동시에, 기록 자계 구배가 급격해져, 인접 자구간의 천이 노이즈를 저감할 수 있다.
기록 자계 감도가 향상됨으로써, 승온을 위해서 이용하는 광 레이저 출력을 저감하는 것이 가능해진다. 이에 의해, 소비 전력을 저감할 수 있다.
다음으로, 본 실시 형태에 의한 자기 기록 매체의 구체 예를 실시예로서 나타낸다.
글래스 기판(10) 상에, 스퍼터법에 의해, 막 두께 180㎚의 CoNbZr막으로 이 루어지는 제1 자성층(12a)과, 막 두께 2㎚의 Ta막으로 이루어지는 스페이서층(12b)과, 막 두께 10㎚의 GdFeCo막으로 이루어지는 제2 자성층(12c)과, 막 두께 2㎚의 Ta막으로 이루어지는 스페이서층(12d)과, 막 두께 5㎚의 NiFe막으로 이루어지는 제3 자성층(12e)을 퇴적하여, 제1 자성층(12a), 스페이서층(12b), 제2 자성층(12c), 스페이서층(12d) 및 제3 자성층(12e)의 적층 구조로 이루어지는 뒷받침층(12)을 형성했다. 성막 조건은 예를 들면, 성막 가스압을 0.5Pa, DC 스퍼터링 파워를 100W로 했다.
계속해서, 뒷받침층(12) 상에, 스퍼터법에 의해, 막 두께 15㎚의 Ru막으로 이루어지는 중간층(14)과, 막 두께 10㎚의(Co71Cr9Pt20)90-(SiO2)10막으로 이루어지는 수직 자기 기록층(16)을 형성했다.
계속해서, 수직 자기 기록층(16) 상에, 막 두께 4㎚의 탄소막으로 이루어지는 보호층(18)을 형성했다.
이 후, 보호층(18) 상에 윤활제를 도포하고, 실시예로서의 자기 기록 매체를 준비했다.
또한, 비교예로서, 스페이서층(12b) 및 제2 자성층(12c)을 형성하지 않고, 막 두께 180㎚의 CoNbZr막으로 이루어지는 제1 자성층(12a), 막 두께 2㎚의 Ta막으로 이루어지는 스페이서층(12d), 및 막 두께 5㎚의 NiFe막으로 이루어지는 제3 자성층(12e)에 의해서만 뒷받침층(12)을 형성한 시료를 준비했다. 다른 구성은 실시예의 시료와 마찬가지이다.
도 6은 기록 전류 Iw(기록 자계의 크기에 상당)에 대한 오버라이트(O/W)의 변화를 나타내는 그래프이다. 도면 중, ● 표시 및 ○ 표시가 실시예의 경우이고, ▲ 표시 및 △ 표시가 비교예의 경우이다. 또한, 점선은 400kFCI 기록 후에 49.5kFCI를 기록한 경우이고, 실선은 50kFCI를 기록 후에 400kFCI를 기록한 경우이다.
도시하는 바와 같이, 오버라이트 O/W가 포화하는 기록 전류치 Iw는, 실시예의 시료에서는 10㎃인 데 대하여, 비교예의 시료에서는 15∼20㎃이고, 실시예의 시료 쪽이 비교예의 시료보다도 높게 되어 있다. 즉, 실시예의 시료에서는 기록 자계 감도가 향상되어 있음을 알 수 있다. 또한, 오버라이트 O/W의 절대치에 주목하면, 실시예의 시료 쪽이 비교예의 시료보다도 높게 되어 있다. 이것은 기록 감도의 향상과 신호 출력 증대에 의한 것이다.
계속해서, 400kFCI를 기록했을 때의, 신호 출력 S(mVpp), 매체 노이즈 Nm(μVrms), 및 S/Nm(dB)을 측정했다. 그 결과, 실시예의 시료에서는 신호 출력 S=0.54, 매체 노이즈 Nm=48.8이고, S/Nm=11.8dB였다. 이에 대하여, 비교예의 시료에서는 신호 출력 S=0.48, 매체 노이즈 Nm=60.2이고, S/Nm=9.0dB였다.
이와 같이, 실시예의 시료에서는 신호 출력 S가 증대함과 함께 매체 노이즈 Nm이 감소하고 있어, 그 결과 S/Nm을 3dB 향상할 수 있었다.
이와 같이, 본 실시 형태에 따르면, 뒷받침층을 제1 내지 제3 자성층의 적층막에 의해 구성하고, 중간에 위치하는 제2 자성층을 제1 및 제3 자성층과는 반대 방향으로 자화한 페리 자성 재료로 함으로써, 제1 자성층과 제2 자성층의 사이 및 제2 자성층과 제3 자성층의 사이에서 반강자성적 교환 결합을 형성하기 때문에, 뒷받침층 내에서 폐자로가 형성된다. 이에 의해, 재생 시에 뒷받침층으로부터의 누설 자계가 감소하고, 동시에 줄무늬 형상의 자구의 발생이 억제되어, 매체 노이즈를 저감할 수 있다.
또한, 뒷받침층을 반강자성적으로 다층화하여 누설 자계를 감소하기 때문에, 누설 자계의 증가를 억제하면서, 뒷받침층 표면(제3 자성층)의 포화 자화의 크기를 증가할 수 있다. 따라서, 거울상 효과에 의한 신호 출력의 인핸스먼트 효과를 높일 수 있다. 또한, 매체 노이즈의 저감 효과와 함께 S/N 비를 증대할 수 있다.
또한, 제2 자성층을, 재생 시 온도에 있어서 면내 자화막으로 되고, 기록 시 온도에 있어서 수직 자화막으로 되는 자성 재료에 의해 구성하기 때문에, 재생 시에 있어서 전술한 반강자성적 교환 결합에 의한 효과를 얻을 수 있음과 함께, 기록 시에 있어서는 기록 자계를 기록 영역에 집중시킬 수 있어, 기록 자계 감도를 향상할 수 있다. 또한, 기록 자계 구배를 급격하게 할 수 있으므로, 인접 자구간의 천이 노이즈를 저감할 수 있다.
또한, 제2 자성층이 수직 자화막으로 되는 것에 의해, 기록 자계를 인입하도록 작용하기 때문에, 기록 자계의 강도나 승온을 위한 광 레이저의 출력을 저감할 수 있어, 소비 전력을 억제할 수 있다.
또한, 제3 자성층이 기록 시 온도 근방에 퀴리 온도를 갖기 때문에, 기록 시에 있어서의 제3 자성층에서의 자계를 저감할 수 있어, 제3 자성층이 기록 자계에 영향을 주는 것을 방지할 수 있다.
[제2 실시 형태]
본 발명의 제2 실시 형태에 의한 자기 기록 장치에 대하여 도 7을 이용하여 설명한다.
도 7은 본 실시 형태에 의한 자기 기록 장치의 구조를 도시하는 개략 단면도이다.
스핀들의 단부(30)에는 자기 디스크(36)가 고정되어 있다. 자기 디스크(36)는 글래스 기판(32) 상에 자성층(34)이 형성되어 이루어지는 자기 기록 매체가 원반 형상으로 가공된 것이며, 예를 들면 제1 실시 형태에 의한 자기 기록 매체를 적용할 수 있다. 스핀들(30)은 도시하지 않은 스핀들 모터에 의해 회전할 수 있게 되어 있다.
자기 디스크(36)의 자성층(34) 측에는, 거대 자기 저항 효과를 이용한 GMR 헤드(Giant Magneto Resistive Head)(38)가 배치되어 있다. GMR 헤드(38)는 도시하지 않은 아암에 고정되어 있고, 아암의 이동 및 자기 디스크(36)의 회전에 의해, 자기 디스크(36) 상의 임의의 기록 영역으로 이동할 수 있게 되어 있다.
자기 디스크(36)의 글래스 기판(32) 측에는 열 어시스트 자기 기록용의 레이저 광원(40)이 마련되어 있다. 레이저 광원(40)은 예를 들면 파장 680㎚의 레이저 광을 발진한다. 레이저 광원(40)과 자기 디스크(36)의 사이에는, 예를 들면 개구율 NA가 0.55인 대물 렌즈(42)가 마련되어 있고, 레이저 광원(40)으로부터 발생한 레이저 광을 자기 디스크(36)의 소정의 기록 영역에 집광하여 조사할 수 있게 되어 있다.
이와 같이, 제1 실시 형태에 의한 자기 기록 매체를 이용하여 자기 기록 장치를 구성함으로써, 저 자계 강도로 정보를 확실하게 기록하는 것이 가능함과 함께, 매체 노이즈를 억제하면서 고 신호 출력을 얻을 수 있는 자기 기록 장치를 실현할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 열 어시스트 자기 기록용의 레이저 광원(40)을 자기 디스크(36)의 글래스 기판(32) 측에 배치했지만, 예를 들면 도 8에 도시한 바와 같이, 자기 디스크(36)의 자성층(34) 측에 배치하도록 하여도 된다.
[변형 실시 형태]
본 발명은 상기 실시 형태에 한하지 않고 다양한 변형이 가능하다.
예를 들면, 상기 실시 형태에서는 뒷받침층을 3층의 자성층에 의해 구성하고 있지만, 제1 자성층(12a) 및 제2 자성층(12c)의 2층에 의해 뒷받침층(12)을 구성하도록 하여도 된다. 제1 자성층(12a) 상에 제3 자성층(12c)을 배치함으로써, 제1 자성층과 제2 자성층의 사이에서 반강자성적 교환 결합을 형성하기 때문에, 뒷받침층 내에서 폐자로를 형성할 수 있다. 따라서, 제3 자성층(12c)을 마련하지 않는 경우에도, 매체 노이즈를 저감할 수 있다. 뒷받침층을 2층 구조로 함으로써, 매체 구성이 간략화되어, 제조 비용이나 재료 비용을 삭감할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는 뒷받침층을 3층의 자성층에 의해 구성하고 있지만, 다른 기능을 갖는 1층 이상의 자성층을 더 마련하더라도 무방하다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 제1 자성층(12a)과 제2 자성층(12c)의 사이에 스페이서층(12b)을, 제2 자성층(12c)과 제3 자성층(12e)의 사이에 스페이서층(12d) 을 각각 마련하고 있지만, 스페이서층(12b, 12d)은 반드시 마련할 필요는 없다. 스페이서층은 자성층간의 분리, 밀착성의 향상 등을 위해서 마련되는 것으로, 자성층간의 분리나 밀착성이 충분한 경우에는, 형성하지 않더라도 무방하다.
또한, 상기 실시 형태에서는 글래스 기판(10) 상에 곧 뒷받침층(12)을 형성하고 있지만, 뒷받침층(12)은 반드시 글래스 기판(10) 상에 바로 형성할 필요는 없다. 예를 들면, 글래스 기판(10)과 뒷받침층(12)의 사이에, 이들의 밀착성을 높이기 위한 층(예를 들면 탄탈로 이루어지는 밀착층)을 마련하더라도 무방하다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명의 특징을 정리하면 다음과 같다.
(부기 1)
제1 자성층과, 상기 제1 자성층 상에 형성되고, 페리 자성을 갖고, 상기 제1 자성층과는 반대 방향으로 자화한 제2 자성층을 갖는 뒷받침층과,
상기 뒷받침층 상에 형성되고, 자기 정보를 기록하는 수직 자기 기록층을 갖고,
상기 제1 자성층과 상기 제2 자성층의 사이에서 반강자성적 교환 결합이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
(부기 2)
부기 1에 기재된 자기 기록 매체에 있어서,
상기 뒷받침층은, 상기 제2 자성층 상에 형성되고, 상기 제2 자성층과는 반대 방향으로 자화한 제3 자성층을 더 포함하고,
상기 제2 자성층과 상기 제3 자성층의 사이에서 반강자성적 교환 결합이 형 성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
(부기 3)
부기 2에 기재된 자기 기록 매체에 있어서,
상기 뒷받침층은, 상기 제1 자성층의 막 두께를 t1, 상기 제2 자성층의 막 두께를 t2, 상기 제3 자성층의 막 두께를 t3으로 하여, t1>t2≥t3의 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
(부기 4)
부기 2 또는 3에 기재된 자기 기록 매체에 있어서,
제1 온도에 있어서의 상기 제2 자성층의 포화 자화의 크기 Ms2와 상기 제3 자성층의 포화 자화의 크기 Ms3이, Ms2≤Ms3의 관계를 갖고,
상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에 있어서의 상기 제2 자성층의 포화 자화의 크기 Ms2와 상기 제3 자성층의 포화 자화의 크기 Ms3이, Ms2≥Ms3의 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
(부기 5)
부기 2 내지 4 중 어느 한 항에 기재된 자기 기록 매체에 있어서,
상기 제3 자성층은, 상기 수직 자기 기록층에 자기 정보를 기록할 때의 온도를 T2, 상기 제3 자성층의 퀴리 온도를 Tc3으로 하여, T2≒Tc3의 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
(부기 6)
부기 2 내지 5 중 어느 한 항에 기재된 자기 기록 매체에 있어서,
상기 제3 자성층은, 제1 온도 및 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에 있어서 면내 자기 이방성을 갖는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
(부기 7)
부기 1 내지 6 중 어느 한 항에 기재된 자기 기록 매체에 있어서,
상기 제1 자성층은, 제1 온도 및 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에 있어서 면내 자기 이방성을 갖는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
(부기 8)
부기 1 내지 7 중 어느 한 항에 기재된 자기 기록 매체에 있어서,
상기 제2 자성층은, 제1 온도에서는 면내 자기 이방성을 갖고, 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에서는 수직 자기 이방성을 갖는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
(부기 9)
부기 8에 기재된 자기 기록 매체에 있어서,
상기 제2 자성층은, 상기 제2 온도를 T2, 상기 제2 자성층이 면내 자화막으로부터 수직 자화막으로 변화하는 온도를 Tcomp, 상기 제2 자성층의 퀴리 온도를 Tc2로 하여, Tcomp≤T2≤Tc2의 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
(부기 10)
부기 6 내지 9 중 어느 한 항에 기재된 자기 기록 매체에 있어서,
상기 제1 온도는 상기 수직 자기 기록층에 기록한 자기 정보를 재생할 때의 온도이고,
상기 제2 온도는 상기 수직 자기 기록층에 자기 정보를 기록할 때의 온도인 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
(부기 11)
부기 1 내지 10 중 어느 한 항에 기재된 자기 기록 매체에 있어서,
상기 제2 자성층은, 희토류 금속과 천이 금속을 포함하고, 희토류 금속으로서 Gd 또는 Nd를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
(부기 12)
부기 1 내지 11 중 어느 한 항에 기재된 자기 기록 매체에 있어서,
상기 제2 자성층은 비정질 상태인 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
(부기 13)
부기 1 내지 12 중 어느 한 항에 기재된 자기 기록 매체에 있어서,
상기 뒷받침층과 상기 수직 자기 기록층의 사이에, 비자성재료로 이루어지는 중간층을 더 갖는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
(부기 14)
제1 자성층과, 상기 제1 자성층 상에 형성되고, 페리 자성을 갖고, 상기 제1 자성층과는 반대 방향으로 자화한 제2 자성층을 갖는 뒷받침층과, 상기 뒷받침층 상에 형성되고, 자기 정보를 기록하는 수직 자기 기록층을 갖고, 상기 제1 자성층 과 상기 제2 자성층의 사이에서 반강자성적 교환 결합이 형성되어 있는 자기 기록 매체와,
상기 자기 기록 매체의 상기 수직 자기 기록층 측에 배치되고, 상기 자기 기록 매체의 소정의 기록 영역에의 자기 정보의 기록 및 상기 자기 기록 매체의 소정의 기록 영역의 자기 정보의 판독을 행하는 자기 헤드와,
상기 자기 기록 매체에의 자기 정보의 기입 시에 상기 자기 기록 매체의 기록 영역에 광을 조사하여 상기 기록 영역의 온도를 제어하는 광원을 구비하는 것을 특징으로 하는 자기 기록 장치.
(부기 15)
부기 14에 기재된 자기 기록 장치에서,
상기 광원은, 상기 자기 기록 매체의 상기 제1 자성층 측에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 기록 장치.
(부기 16)
부기 14에 기재된 자기 기록 장치에서,
상기 광원은, 상기 자기 기록 매체의 상기 수직 자기 기록층 측에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 기록 장치.
(부기 17)
제1 자성층과, 상기 제1 자성층 상에 형성되고, 제1 온도에 있어서 상기 제1 자성층과는 반대 방향으로 자화한 면내 자화막으로 되고, 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에 있어서 수직 자화막으로 되는 제2 자성층을 갖는 뒷받침층과, 상기 뒷 받침층 상에 형성되고, 자기 정보를 기록하는 수직 자기 기록층을 갖는 자기 기록 매체에의 자기 기록 방법에 있어서,
기록 영역의 온도를 상기 제2 온도로 승온하여 상기 기록 영역에서의 상기 제2 자성층을 면내 자화막으로부터 수직 자화막으로 전환하고, 상기 기록 영역에 기록 자계를 인가함으로써, 상기 기록 영역의 상기 수직 자기 기록층에 상기 기록 자계에 따른 소정의 자기 정보를 기록하는 것을 특징으로 하는 자기 기록 방법.
(부기 18)
부기 17에 기재된 자기 기록 방법에 있어서,
상기 제2 온도를 T, 상기 제2 자성층이 면내 자기 이방성으로부터 수직 자기 이방성으로 변화하는 온도를 Tcomp, 상기 제2 자성층의 퀴리 온도를 Tc2로 하여, Tcomp≤T≤Tc2의 관계를 갖도록, 상기 제2 온도를 설정하는 것을 특징으로 하는 자기 기록 방법.
(부기 19)
부기 17 또는 18에 기재된 자기 기록 방법에 있어서,
상기 뒷받침층은 상기 제2 자성층 상에, 상기 제1 온도에 있어서 상기 제2 자성층과 반대 방향으로 자화한 제3 자성층을 더 포함하고,
상기 제2 자성층의 포화 자화의 크기를 Ms2, 상기 제3 자성층의 포화 자화의 크기를 Ms3으로 하여, Ms2≥Ms3의 관계를 갖도록, 상기 제2 온도를 설정하는 것을 특징으로 하는 자기 기록 방법.
본 발명에 따르면, 뒷받침층을, 제1 자성층과, 제1 자성층과는 반대 방향으로 자화한 페리 자성재료로 이루어지는 제2 자성층에 의해 구성함으로써, 제1 자성층과 제2 자성층의 사이에서 반강자성적 교환 결합을 형성하기 때문에, 뒷받침층 내에서 폐자로가 형성된다. 이에 의해, 재생 시에 뒷받침층으로부터의 누설 자계가 감소하고, 동시에 줄무늬 형상의 자구의 발생이 억제되어, 매체 노이즈를 저감할 수 있다.
또한, 제2 자성층을, 재생 시 온도에 있어서 면내 자화막으로 되고, 기록 시 온도에 있어서 수직 자화막으로 되는 자성 재료에 의해 구성하기 때문에, 재생 시에 있어서 전술한 반강자성적 교환 결합에 의한 효과를 얻을 수 있음과 함께, 기록 시에서는 기록 자계를 기록 영역에 집중시킬 수 있어, 기록 자계 감도를 향상시킬 수 있다. 또한, 기록 자계 구배를 급격하게 할 수 있으므로, 인접 자구간의 천이 노이즈를 저감할 수 있다.
또한, 제2 자성층이 수직 자화막으로 되는 것에 의해, 기록 자계를 인입하도록 작용하기 때문에, 기록 자계의 강도나 승온을 위한 광 레이저의 출력을 저감할 수 있어, 소비 전력을 억제할 수 있다.
또한, 둘째로 자성층 상에, 제2 자성층과는 반대 방향으로 자화한 제3 자성층을 더 마련하고, 제2 자성층과 제3 자성층의 사이에서 반강자성적 교환 결합을 형성함으로써, 누설 자계의 증가를 억제하면서, 뒷받침층 표면(제3 자성층)의 포화 자화의 크기를 증가할 수 있다. 따라서, 거울상 효과에 의한 신호 출력의 인핸스 먼트 효과를 높일 수 있다. 또한, 매체 노이즈의 저감 효과와 함께, S/N 비를 증대할 수 있다.
또한, 제3 자성층이, 기록 시 온도 근방에 퀴리 온도를 갖기 때문에, 기록 시에 있어서의 제3 자성층에서의 자계를 저감할 수 있어, 제3 자성층이 기록 자계에 영향을 주는 것을 방지할 수 있다.
Claims (10)
- 제1 자성층과, 상기 제1 자성층 상에 형성되고, 페리 자성을 갖고, 상기 제1 자성층과는 반대 방향으로 자화한 제2 자성층을 갖는 뒷받침층과,상기 뒷받침층 상에 형성되고, 자기 정보를 기록하는 수직 자기 기록층을 갖고,상기 제1 자성층과 상기 제2 자성층의 사이에서 반강자성적 교환 결합이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 제1항에 있어서,상기 뒷받침층은, 상기 제2 자성층 상에 형성되고, 상기 제2 자성층과는 반대 방향으로 자화한 제3 자성층을 더 갖고,상기 제2 자성층과 상기 제3 자성층의 사이에서 반강자성적 교환 결합이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 제2항에 있어서,상기 뒷받침층은, 상기 제1 자성층의 막 두께를 t1, 상기 제2 자성층의 막 두께를 t2, 상기 제3 자성층의 막 두께를 t3으로 하여, t1>t2≥t3의 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 제2항 또는 제3항에 있어서,제1 온도에 있어서의 상기 제2 자성층의 포화 자화의 크기 Ms2와 상기 제3 자성층의 포화 자화의 크기 Ms3이, Ms2≤Ms3의 관계를 갖고,상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에 있어서의 상기 제2 자성층의 포화 자화의 크기 Ms2와 상기 제3 자성층의 포화 자화의 크기 Ms3이, Ms2≥Ms3의 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 제2항 또는 제3항에 있어서,상기 제3 자성층은, 상기 수직 자기 기록층에 자기 정보를 기록할 때의 온도를 T2, 상기 제3 자성층의 퀴리 온도를 Tc3으로 하여, T2≒Tc3의 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 자성층은, 제1 온도에서는 면내 자기 이방성을 갖고, 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에서는 수직 자기 이방성을 갖는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 제6항에 있어서,상기 제2 자성층은, 상기 제2 온도를 T2, 상기 제2 자성층이 면내 자화막으로부터 수직 자화막으로 변화하는 온도를 Tcomp, 상기 제2 자성층의 퀴리 온도를 Tc2로 하여, Tcomp≤T2≤Tc2의 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 제1 자성층과, 상기 제1 자성층 상에 형성되고, 페리 자성을 갖고, 상기 제1 자성층과는 반대 방향으로 자화한 제2 자성층을 갖는 뒷받침층과, 상기 뒷받침층 상에 형성되고, 자기 정보를 기록하는 수직 자기 기록층을 갖고, 상기 제1 자성층과 상기 제2 자성층의 사이에서 반강자성적 교환 결합이 형성되어 있는 자기 기록 매체와,상기 자기 기록 매체의 상기 수직 자기 기록층 측에 배치되고, 상기 자기 기록 매체의 소정의 기록 영역에의 자기 정보의 기록 및 상기 자기 기록 매체의 소정의 기록 영역의 자기 정보의 판독을 행하는 자기 헤드와,상기 자기 기록 매체에의 자기 정보의 기입 시에 상기 자기 기록 매체의 기록 영역에 광을 조사하여 상기 기록 영역의 온도를 제어하는 광원을 구비하는 것을 특징으로 하는 자기 기록 장치.
- 제1 자성층과, 상기 제1 자성층 상에 형성되고, 제1 온도에 있어서 상기 제1 자성층과는 반대 방향으로 자화한 면내 자화막으로 되고, 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에 있어서 수직 자화막으로 되는 제2 자성층을 갖는 뒷받침층과, 상기 뒷 받침층 상에 형성되고, 자기 정보를 기록하는 수직 자기 기록층을 갖는 자기 기록 매체에의 자기 기록 방법에 있어서,기록 영역의 온도를 상기 제2 온도로 승온하여 상기 기록 영역에서의 상기 제2 자성층을 면내 자화막으로부터 수직 자화막으로 전환하고, 상기 기록 영역에 기록 자계를 인가함으로써, 상기 기록 영역의 상기 수직 자기 기록층에 상기 기록 자계에 따른 소정의 자기 정보를 기록하는 것을 특징으로 하는 자기 기록 방법.
- 제9항에 있어서,상기 뒷받침층은 상기 제2 자성층 상에, 상기 제1 온도에 있어서 상기 제2 자성층과 반대 방향으로 자화한 제3 자성층을 더 포함하고,상기 제2 자성층의 포화 자화의 크기를 Ms2, 상기 제3 자성층의 포화 자화의 크기를 Ms3으로 하여, Ms2≥Ms3의 관계를 갖도록, 상기 제2 온도를 설정하는 것을 특징으로 하는 자기 기록 방법.
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