KR20060032134A - 미리 결정된 농도로 희석 가스를 전달하기 위한 인―시튜가스 혼합 및 희석 시스템 - Google Patents
미리 결정된 농도로 희석 가스를 전달하기 위한 인―시튜가스 혼합 및 희석 시스템 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060032134A KR20060032134A KR1020057018279A KR20057018279A KR20060032134A KR 20060032134 A KR20060032134 A KR 20060032134A KR 1020057018279 A KR1020057018279 A KR 1020057018279A KR 20057018279 A KR20057018279 A KR 20057018279A KR 20060032134 A KR20060032134 A KR 20060032134A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gas
- active
- active gas
- source
- fluid
- Prior art date
Links
- 238000010790 dilution Methods 0.000 title claims description 45
- 239000012895 dilution Substances 0.000 title claims description 45
- 238000002156 mixing Methods 0.000 title claims description 32
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 title description 7
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 83
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 56
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 414
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 23
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 claims description 22
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 18
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 18
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 17
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 claims description 12
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 9
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000078 germane Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical class B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 4
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- -1 xenon halides Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000003570 air Substances 0.000 claims description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims description 3
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 3
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 2
- 230000000274 adsorptive effect Effects 0.000 claims 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 12
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 5
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 3
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 231100000925 very toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000011143 downstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000002703 mutagenesis Methods 0.000 description 1
- 231100000350 mutagenesis Toxicity 0.000 description 1
- 235000014366 other mixer Nutrition 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002688 persistence Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000001959 radiotherapy Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3504—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing gases, e.g. multi-gas analysis
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/0318—Processes
- Y10T137/0324—With control of flow by a condition or characteristic of a fluid
- Y10T137/0329—Mixing of plural fluids of diverse characteristics or conditions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/2496—Self-proportioning or correlating systems
- Y10T137/2499—Mixture condition maintaining or sensing
- Y10T137/2509—By optical or chemical property
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/8593—Systems
- Y10T137/87571—Multiple inlet with single outlet
- Y10T137/87676—With flow control
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
- Accessories For Mixers (AREA)
Abstract
본 발명은 희석 활성 가스를 예컨대, 반도체 제조 공장의 다운스트림 활성 가스-소비 처리 장치로 전달하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 전달 시스템은 활성 유체원, 희석 유체원, 미리 결정된 유속의 활성 유체의 분배를 위한 유체 유량 측정 장치, 희석된 활성 유체 혼합물을 형성하기 위하여 상기 유체 유량 측정 장치에 의해 상기 미리 결정된 유속으로 분배된 상기 활성 유체원으로부터의 활성 가스를 희석 유체와 혼합하도록 배치된 혼합 장치 및 상기 활성 유체의 분배 속도를 제어하기 위하여, 상기 희석된 활성 유체 혼합물에서 활성 유체의 농도를 측정하고, 이에 응답하여 상기 유체 유량 측정 장치를 조절하며, 희석된 활성 유체 혼합물에서 활성 유체의 미리 결정된 농도를 유지하도록 배치된 모니터를 포함한다.
도핑(doping), 희석 활성 가스, 희석 활성 유체
Description
본 발명은 예컨대, 반도체 물질의 도핑(doping)을 위한 소스(source) 가스로 미리 결정된 농도로 희석 가스를 제공하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 산업에서는 원물질이 매우 유독하거나 위험하고 활성 기체 종의 양이 적은 경우에 적용함에 있어서 광범위한 종류의 희석화된 가스(gases)를 사용한다.
예를 들면, 에피택셜 필름(epitaxial films)의 화학 증착 도핑에는 고도로 희석된 상태의 아르신, 포스핀, 게르만 등과 같은 원기체를 필요로 한다. 일례로, 반도체 필름의 도핑을 위해 희석된 아르신/수소 기체 혼합물로부터 얻어지는 비소가 첨가될 수도 있다. 이러한 비소 도핑 적용에 있어서, 희망하는 아르신/수소 기체 혼합물을 얻기 위해 아르신의 함량이 적은, 예컨대 100만당 50 파츠(50 parts per million) 함량의 원기체를 수소로 더욱 희석화시킬 수 있다. 희석된 아르신 출 발물질과 최후의 희석된 아르신 혼합기체를 형성하기 위해 출발물질에 첨가된 희석 수소의 유량은 증착 기구에 측정된 양의 최후의 희석된 아르신을 전달하기 위해 유량기에 의해 조절될 수 있다.
일반적으로 반도체 산업에서는 희망하는 적용을 위한 유용한 기체 혼합체의 희석된 상태의 활성 기체(이 용어는 앞으로 여기서 도핑 기체 종 등과 같은 관심 대상이 되는 기체 성분을 지칭한다)를 제공하기 위해 두 가지 접근방식이 사용된다.
희석 가스 공급 기술의 제 1 카테고리는 압축된 가스 실린더 등의 고압 가스 공급 용기로부터 사용을 위해 분배된, 원 가스 매체로서의 미리 혼합된 고압 가스 혼합물(저농도 활성 가스 성분을 포함함)을 이용한다. 이러한 가스 공급 방식은 것은 다음과 같은 결점이 있다.
(1) 가스 공급 용기가 빠른 속도로 소모되어, 활성 가스 소비 처리 동작 동안에 가스 공급 용기를 자주 교체할 필요가 있다.
(2) 가스 공급 용기가 소모됨에 따라 교체될 때, 새롭게 장착된 가스 공급 용기로부터 공급된 활성 가스의 농도가 이전에 장착된 가스 공급 용기로부터 분배된 농도와 상이할 수 있으므로, 활성 가스 소비 처리를 재수정할 필요가 있을 수 있다.
(3) 결점 (2) 이외에, 임의의 가스 공급 용기로부터 분배된 활성 가스의 가스 농도는 가스 공급 용기 제조업자에 의해 고정되어, 다운스트림(downstream) 활성 가스 소비 처리에 있어서 시변 조건에 따라 변화하는 농도를 전달할 능력이 없다.
(4) 가스 공급 용기에 저장된 가스 혼합물 에서 활성 가스의 농도는 활성 가스 성분의 분해로 인해 시간에 따라 변할 수 있거나, 또는 활성 가스의 농도는 알려지지 않고 예측되지 않은 방법으로 계속되는 가스 공급 용기의 교체에 따라 변할 수 있다.
(5) 가스 공급 용기는 통상적으로 용기 에서 활성 가스의 재고를 최대화하기 위해 고압 상태에 있어, 가스 공급 용기가 파괴되거나 용기의 관련된 헤드 조립체, 밸브 등으로부터 누출이 발생한다면, 잠재적으로 안전하지 않은 상황을 수반한다.
희석 가스 공급 기술의 제 2 일반적 카테고리는 고체 또는 액체 원료를 이용하는 가스의 인-시튜 생성에 의해 화학적 반응을 통해 원하는 가스 종을 생성하는 것과 관련이 있다. 인-시튜 가스 생성은 다음과 같은 관련 결점을 가지고 있다.
(1) 가스 생성을 초기화하여 정상 상태 가스 생산에 요구되는 시간이 일반적으로 상당하여, 가스 분배의 빠른 응답 턴온(turn-on)이 달성되지 못한다.
(2) 인-시튜 가스 생성용 반응물질로 사용되는 원료는 종종 그 성질이 매우 유독하므로, 안전 및 동작적 문제를 야기한다.
(3) 인-시튜 가스 생성 장치는 통상적으로 예컨대 가스 생성 챔버, 반응물 공급체, 반응 플로우(flow) 회로(고체 반응물질 소스의 경우조차도 통상적으로 유체 공동 반응물질(co-reactant))이 있다), 분배 라인 및 관련된 인라인 필터, 정화기, 연동기(interlocks) 등을 포함하는 비교적 복잡한 시스템이다.
(4) 종래 사용되었던 인-시튜 가스 생성 장치는 예컨대, 필터 및 정화기와 같은 주기적 교체를 요구하는 소모 부품을 포함한다.
(5) 인-시튜 가스 생성 시스템은 자본 소비 및 전체적 보유 비용에 있어 비교적 비싸다.
따라서, 반도체 산업은 희석 가스를 처리 장치로 전달하기 위한 개선된 가스 공급원에 대한 지속적인 요구가 있다.
발명의 요약
본 발명은 희석 활성 가스를 예컨대, 반도체 제조 공장의 다운스트림 활성 가스-소비 처리 장치로 전달하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
한 측면에서, 본 발명은 다음을 포함하는 희석 가스 전달 시스템:
활성 가스원(gas source);
희석 가스원;
미리 결정된 유속(flow rate)으로 상기 활성 가스를 분배하는 가스 유량 측정 장치;
희석된 활성 가스 혼합물을 형성하기 위하여, 상기 가스 유량 측정 장치에 의해 상기 미리 결정된 유속으로 분배된 상기 활성 가스원으로부터의 활성 가스를 희석 가스와 혼합하도록 배치된 혼합 장치; 및
상기 활성 가스의 분배 속도를 제어하기 위하여, 상기 희석된 활성 가스 혼합물에서 활성 가스의 농도를 측정하고, 이에 응답하여 상기 가스 유량 측정 장치를 조절하며, 희석된 활성 가스 혼합물에서 활성 가스의 미리 결정된 농도를 유지하도록 배치된 모니터(monitor).
에 관한 것이다.
다른 측면에서, 본 발명은 다음을 포함하는 희석 유체 전달 시스템:
활성 유체원;
희석 유체원;
미리 결정된 유속으로 순수 활성가스를 분배하는 유체 유량 측정 장치;
희석된 활성 유체 혼합물을 형성하기 위하여, 상기 유체 유량 측정 장치에 의해 상기 미리 결정된 유속으로 분배된 상기 활성 유체원으로부터의 활성 유체를 희석 유체와 혼합하도록 배치된 혼합 장치; 및
상기 활성 유체의 분배 속도를 제어하기 위하여, 상기 희석된 활성 유체 혼합물에서 활성 유체의 농도를 측정하고, 이에 응답하여 상기 유체 유량 측정 장치를 조절하며, 희석된 활성 유체 혼합물에서 활성 유체의 미리 결정된 농도를 유지하도록 배치된 모니터.
에 관한 것이다.
또 다른 측면에서, 본 발명은 다음 단계를 포함하는 희석 가스의 전달 방법:
활성 가스원 및 희석 가스원을 제공하는 단계;
미리 결정된 유속으로 상기 활성 가스원으로부터 활성 가스를 제어적으로 분배하는 단계;
상기 미리 결정된 유속으로 분배된 상기 활성 가스원으로부터의 활성 가스를 희석 가스원으로부터의 희석 가스와 혼합하여 희석된 활성 가스 혼합물을 형성하는 단계; 및
희석된 활성 가스 혼합물에서 활성 가스의 농도를 모니터하고, 이에 응답하여 순수 활성 가스의 분배 속도를 조절하여 희석된 활성 가스 혼합물에서 활성 가스의 미리 결정된 농도를 유지하는 단계.
에 관한 것이다.
또 다른 측면에서, 본 발명은 다음 단계를 포함하는 희석 유체의 전달 방법:
활성 유체원 및 희석 유체원을 제공하는 단계;
미리 결정된 유속으로 상기 활성 유체원으로부터 활성 유체를 제어적으로 분배하는 단계;
상기 미리 결정된 유속으로 분배된 상기 활성 유체원으로부터의 활성 유체를 희석 유체원으로부터의 희석 유체와 혼합하여 희석된 활성 유체 혼합물을 형성하는 단계; 및
희석된 활성 유체 혼합물에서 활성 유체의 농도를 모니터하고, 이에 응답하여 순수 활성 유체의 분배 속도를 조절하여 희석된 활성 유체 혼합물에서 활성 유체의 미리 결정된 농도를 유지하는 단계.
에 관한 것이다.
다른 측면, 특징 및 실시예는 다음의 상세한 설명 및 첨부된 청구범위로부터 더욱 명백해질 것이다.
발명의 상세한 설명 및 본 발명의 바람직한
구현예
본 발명은 매우 효율적이고 비용절감적인 희석 가스 전달 시스템의 개발에 근거한 것으로서, 순수 활성 가스 원(source), 희석 가스 원, 순수 활성 가스를 분배하기 위한 가스 유량 측정 장치, 순수 활성 가스와 희석 가스를 혼합하여 희석된 가스 혼합물을 형성하도록 배치된 동적 혼합 장치 및 희석된 활성 가스 혼합물에서 활성 가스의 농도를 측정하고 이에 응답하여 순수 활성 가스의 분배 속도(rate)를 제어하여 희석된 활성 가스 혼합물에서 활성 가스의 미리 결정된 농도를 달성하도록 배치된 모니터를 사용한다.
이하에서 보다 상세히 기술되는 바와 같이 구체적 실시예에 있어서, 가스 유량 측정 장치는 순수 활성 가스원과 동적 혼합 장치를 상호 연결하는 가스 유량관내에 유량 조절기를 포함하고, 모니터는 희석된 활성 가스 혼합물에서 감지된 활성 가스 농도와 상관적인 출력 제어 신호를 생성하도록 배치된 인라인 가스 분석기를 포함하되, 상기 제어 신호는 유량 조절기에 전송되어 희석된 활성 가스 혼합물에서 미리 결정된 일정한 활성 가스 농도를 달성하기 위해 유량 조절기의 설정값을 조정한다.
가스 유량 측정 장치는 예컨대, 유량 조절기, 활성 가스 공급에서 활성 가스 성분의 매우 낮은 유량(flow) 속도를 분배하기 위해 활성 가능한 마이크로 밸브 요소, 분배 라인에서 유량 조절 밸브와 결합된 유량기, 또는 활성 가스원으로부터 활성 가스의 선택된 유량 속도를 제공하는 데 효율적인 다른 요소 또는 조립체를 포함하는 임의의 적당한 타입이 될 수 있다.
활성 가스 원은 임의의 적당한 타입, 예컨대, 사용을 위해 희석될 순수 활성 가스를 보유하는 고압 또는 저압 가스 저장 및 분배 용기 또는 컨테이너와 동일할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 순수 활성 가스 원은 Glenn M. Tom 등에게 허여된 미국 특허 제5,518,528호에 설명되고, SDS라는 상표로 ATMI 인코퍼레이티드(Danbury, CT)로부터 상업적으로 구입 가능한 타입의 대기압보다 낮은 순수 활성 가스 저장 및 분배 용기를 포함한다. 여기서, 위 타입은 활성 가스가 물리적 흡수제 상에 흡착적으로 보유되고, 용기로부터 활성 가스를 분배하기 위해 흡수제로부터 선택적으로 제거된다. 또 다른 실시예에 있어서, 순수 활성 가스 원은 Luping Wang 등에게 허여된 미국 특허 제6,089,027호에 설명되고, VAC라는 상표로 ATMI 인코퍼레이티드(Danbury, CT)로부터 상업적으로 이용 가능한 타입의 가스 저장 및 분배 용기를 포함하되, 위 타입은 조절기 설정값에 의해 결정된 압력으로 활성 가스의 분배를 위해 내장된 조절기 요소를 특징으로 한다.
순수 활성 가스와 희석 가스를 혼합하여 희석된 활성 가스 혼합물을 형성하도록 배치된 동적 혼합 장치는 임의 적당한 타입(type)이 될 수 있으며, 그에 따라 순수 활성 가스 및 희석 가스는 활성 가스의 원하는 희석 농도로 배출하기 위해, 예컨대 다운스트림(downstream) 희석 가스 혼합 소비 프로세스로 유입시키기 위해 상호 혼합된다. 동적 혼합 장치는, 예컨대 벤투리(venturis), 정적 혼합기(static mixers), 펌프, 압축기, 로터리 혼합기(rotary mixers), 배출기, 이덕터(eductors) 및 대향하는 제트장착(jet-equipped) 혼합챔버 또는 기타 장치, 구조물 또는 조립체와 같이 희석된 활성 가스 혼합물을 형성하는 순수 활성 가스와 희석 가스의 혼합에 영향을 미치는 것을 포함할 수 있다.
희석된 활성 가스 혼합물에서 활성 가스 농도를 측정하고, 이에 응답하여 순수 활성 가스의 분배 속도를 제어하고 희석된 활성 가스 혼합물에서 활성 가스의 미리 결정된 농도를 달성하도록 배치된 모니터는 스펙트로메트릭(spectrometric), 크로마토그래픽(spectrometric), 비색(colorimetric), SAW(surface acoustic wave), 포토닉(photonic) 및 불꽃 이온화(flame ionizer) 타입을 포함하는 임의의 적당한 타입이 될 수 있다. 바람직한 모니터 타입으로는 FT-IR(Fourier Transform-Infrared) 및 IR 광도계(IR photometer) 모니터를 포함한다. 모니터는 임의 적당한 방법, 예컨대 희석된 활성 가스 혼합물 배출 라인에서 인라인에 배치되거나, 또는 사이드 스트림 샘플링(side-stream sampling )배열을 통해 샘플 가스에 배치되거나 또는 임의의 다른 적당한 방식에 의해 배치될 수 있다.
모니터는 본 발명의 주어진 적용에서 원하는 바에 따른 단일 또는 다수의 모니터링 장치 또는 성분을 포함할 수 있다. 다수의 모니터링 장치를 사용하는 경우에 있어서 상이한 감지 양식을 통한 모니터링을 제공하기 위해 희석된 활성 가스 혼합물에서 활성 가스의 농도의 지표가 되는 각각의 배치된 모니터링 장치 또는 성분에 의해 발생한 신호는 희석된 활성 가스 혼합물에서 활성 가스의 농도와 상관적인 평균 또는 수정된 출력 신호를 제공하기 위해 처리될 수 있다.
상기 신호 프로세싱은 각각의 모니터링 장치 또는 성분의 각각의 출력 신호를 희석된 활성 가스 혼합물에서 활성 가스의 농도와 상관적인 순 출력 신호를 제공하는 적당한 알고리즘 또는 컴퓨터상의 단계에 따라 처리하기 위해 프로그램된 프로그램 가능한 범용 컴퓨터에 의해 실행될 수 있다. 이와 달리, 신호 프로세싱은 컴페레이터 또는 브리지 회로, 마이크로프로세서, CPU 또는 다른 프로세서에 의해 실행될 수 있으며, 이에 의해 희석된 활성 가스 혼합물에서 원하는 활성 가스의 농도를 달성하기 위해 가스 유량 측정 장치를 조정할 수 있는 정확한 출력을 제공한다.
바람직한 실시예에 있어서, 모니터 타입은 적외선 열전대열(thermopile) 감지 시스템과 같이 여기서 참조로 포함된 전문인 2002년 5월 8일에 출원된 미국 출원 제10/140,848호에 언급된 타입과 같은 것을 포함한다. 이러한 시스템에서는 방사원은 가스 스트림의 샘플을 통해 적외선 방사를 전송하고, 열전대열 감지기는 가스 샘플을 통한 전송 후에 적외선 방사를 수신한다. 가스 샘플, 바람직하게는 활성 가스 성분에서 적어도 하나의 성분의 농도와 상관적인 신호는 열전대열 감지기의 출력을 수신하고 이에 응답하여 시스템에 영향을 미치는 하나 또는 그 이상의 프로세스 조건을 제어하는 제어 수단에 출력된다.
본 발명의 희석 가스 공급 시스템의 활성 가스는 희석된 활성 가스 혼합물을 제공하기 위한 특정의 희석된 활성 가스 혼합물 사용 공정에 따라 임의의 적당한 타입이 될 수 있다. 상기 가스는 예컨대 도판트 또는 트레이스 시약(trace reagent)의 형성하고, 반도체 제품을 제조하기 위한 원물질이 될 수 있다. 이와 달리, 상기 가스는 캘리브레이션 스탠다드(calibration standard)로써, 위험한 농도치 하에서 사용하기 위한 멸균제로써, 나노(nano)-농도 화학 반응을 위하거나, 저농도 돌연변이 유도 인자 샘플의 준비를 위하거나, 조사 및 시험 목적 등을 위한 반응물로써 사용하기 위해 희석될 수 있다.
희석된 활성 가스 혼합물 사용 공정은 대응적으로 다양화될 수 있고, 산업적 프로세스(예컨대, CVD), 의학적 진단, 설문 조사, 농업적 분석, 희석 방사성 치료 인자로 신체 처치 등을 다양하게 포함할 수 있다.
희석 가스는 임의의 적당한 타입이 될 수 있으며, 또한 다수 성분 희석 공식뿐 아니라 단일 성분 희석 구성물을 다양하게 포함할 수 있다. 본 발명의 구체적 적용에 가능한 적당한 희석 가스의 실례로는 질소, 아르곤, 헬륨, 공기, 크립톤, 크세논, 크세논 할로겐화물, 수소, 산소, 암모니아 및 기체 유기금속화합물 등이 있다.
도면에 관해서, 도 1은 순수 활성 가스원(12)을 포함하는 희석 가스 공급 시스템(10)의 도식적인 묘사이다. 여기서 희석 가스 공급 시스템은, 예컨대 여기서 참조로 포함된 각각의 전문인 Glenn M.Tom 등에 허여된 미국 특허 제5,518,528호 및 Luping Wang 등에게 허여된 미국 특허 제6,089,027호에서 공지된 타입 등과 같은 통상적인 고압 가스 실린더 또는 이와 달리 대기압 이하의 압력 가스 분배 시스템과 같은 유체 저장 및 분배 용기를 타협할 수 있다.
따라서 순수 활성 가스원(12)은 도시된 바와 같은 밸브 헤드(50)가 장착되거나 또는 이와 달리 외부 밸브가 결합하거나, 제한된 오리피스 유량 조절 요소 및 다른 종래의 플로우(flow) 회로 요소가 장착된 용기를 포함할 수 있다. 밸브 헤드(50)는 도시된 핸드휠 작동기(hand wheel actuator)에 의해 또는 이와 달리 자동 밸브 제어기, 예컨대 공기 작동기 또는 전자 솔레노이드 밸브 작동기 등에 의해 제어될 수 있는 통상의 유량 조절 밸브(헤드 밸브)를 포함할 수 있다.
순수 활성 가스원(12)은 유량 조절기(16)가 있는 배출 라인(14)과 폐쇄 가스 유량 커뮤니케이션 내에 결합되어 있다. 유량 조절기(16)의 배출 라인(14) 다운스트림은 벤추리와 결합되어 있으며, 여기서 벤추리(18)는 배출 라인(14)에서 벤추리의 목으로의 순수 활성 가스의 플로우를 유도하기 위한 흡입관을 제공한다.
희석 가스원(20)은 시스템에 제공되고, 선택적으로 유량 조절기를 포함할 수 있는 희석 가스 인라인(22)을 벤추리(18)에 배출하도록 배치되어, 플로우되고 인라인 가스 분석기(26)를 포함하는 벤추리 인라인(24)으로부터 배출하도록 배치된다.
인라인 가스 분석기(26)는 라인(24)으로부터 분석기를 통해 흐르고 다운스트림 가스-사용 처리 장치(30), 예컨데 에피택시얼 성장(epitaxial growth) 설비 또는 다른 반도체 처리 도구나 장치로 흐르게 하기 위한 라인(28)의 분석기(26)에서 분배되어 희석된 가스 스트림에서 활성 가스의 농도를 제어하는 출력 조절 신호를 생성하도록 건설 및 배치된다.
인라인 분석기(26)에 의해 생성된 전자 신호는 신호 전달 라인(32)에서 유량 조절기로 전송되며, 이에 응답하여 배출라인(14)의 순수 활성 가스의 유속을 조절한다 다운스트림 사용을 위한 생산 가스를 생산하도록 희석을 하는 것을 위한 벤추리(18)에 흐르게 한다.
작동에 있어서, 순수(100% 농도) 활성 가스는 순수 가스원(12)에서 순수 가스의 전달 속도를 조절하기 위해 작동되는 유량 조절기(16)를 함유하는 배출라인(14)으로 분배된다. 그 결과로 생긴 배출라인(14)에의 조정된 유속 순수 가스는 라인(22)에서 벤추리(18)를 통해 희석 가스원(20)으로부터 유입된 희석 가스 스트림과 혼합된다. 밴추리 장치 대신에 정적 혼합기가 있거나 혹은 없는 이덕터 또는 펌프와 같은 장치가 선택적으로 희석 가스를 활성 가스와 혼합하는데 사용될 수 있다.벤추리 또는 다른 혼합장치는 필요한 압력 차이를 유량 조절기에 제공하여 활성 가스를 전체 공급 시스템의 유량 회로를 통해 흐르게 한다. 그 결과로 생긴 혼합된 희석 가스 스트림(활성 가스 및 희석 가스를 포함함)은 라인(24)에서 인라인 가스 분석기(26)로 유입되어, 거기서 가스 혼합물의 활성 가스 농도가 결정되고 사용되어 이에 응답하여 신호 전송 라인(32)에서 물질 전달 조절기에 전송된 제어 신호를 생성하고, 유량 조절기는 이에 응답하여 활성 가스 전달 속도를 라인(28)에서 다운스트림 처리 장치(30)로 유입된 희석 활성 가스 혼합물에서 원하는 희석 활성가스 농도를 얻기 위해 증가 또는 감소시키기 위한 제어 신호에 의해 조정된다.
인라인 가스 모니터/분석기(26)는 예컨대, 측광법(photometry), 분광법(spectroscopy), 전기화학(electrochemistry), 음향 모니터링(acoustic monitoring), 열적 모니터링(thermal monitoring) 등 또는 2 이나 그 이상의 작동 방식의 혼합을 포함하는 임의의 적당 작동 방식에 의해 작동되어 다운스트림 가스-사용 처리로 유입시키기 위해 희석된 가스 혼합물에서 활성 가스의 농도를 결정한다.
상기 설명된 다양한 처리에 있어서, 희석 가스 혼합물 모니터는 인라인 모니터(26)를 포함하며, 프로세스 시스템은 선택적으로 또는 추가적으로 출발 라인(36)이 모니터(38)와 함께 라인(24)과 상호 연결되고 리싸이클(recycle) 라인(40)이 라인(28)과 함께 모니터(38)와 연결된 것을 포함하는 바이패스(bypass) 나 사이드-스트림 루프를 사용할 수 있다. 모니터(38)는 바이패스 루프에서 활성 가스의 농도와 상관적인 출력 조절 신호를 생성하고 그러한 출력 조절 신호는 신호 전송 라인(44)에 의해 CPU(46)에 전송된다. CPU(46)는 돌아가며 라인(44)으로부터의 농도 신호를 처리하고 신호 전송 라인(48)내의 대응되어 처리된 신호를 유량 조절기(16)에 전송한다.
상기 설명된 더욱 다양한 시스템에 있어서, CPU(46)는 동시에 라인(42)의 농도 출력 신호를 인라인 모니터(26)로부터 받을 수 있도록 배치될 수 있으며, 농도-모니터링 모니터(26 및 38)의 신호는 CPU(46)에서 처리되며 신호 전송 라인(48)에서 유량 조절기(16)로 전송된 단일의 제어 신호를 생성하기 위해 사용된다. 이러한 배치에 의해, 시스템은 모니터(26 및 38)에 대응되는 2개의 농도-감지 신호를 처리하기 위해 배치되며, 각각의 모니터는 서로 관계되어 유량 조절기(16)에 전해진 제어 신호의 정확도와 신뢰도를 높이기 위해 동일하거나 상이한 모니터링 양식에 의해 작동된다.
언급된 활성 가스는 에컨대, 반도체 처리 사용의 경우, 수소화물(예를 들면 아르신, 포스핀, 게르만 등), 산성가스(예를 들면 SiHCl3, SiF4, SiH2Cl2 ), 보란 등의 가스를 포함하는 임의의 적당한 타입이 될 수 있다. 이러한 반도체 제조 적용을 위한 희석 가스는 예컨대, 동성핵(homonuclear) 이원자 종(예를 들면 H2, N2, O2) 또는 원자 가스(예를 들면 아르곤,헬륨 등)를 포함할 수 있다.
본 발명이 희석 가스 종의 전달과 관련해 도시되었지만, 본 발명은 아울러 원하는 농도의 활성 액체를 포함하는 액체 상태에서의 혼합 물질의 전송을 위해 적용될 수 있음을 인지해야 한다.
본 발명의 희석 유체 공급 시스템은 예컨대, 조합 도판트(dopant)의 혼합과 같은 활성 종의 다양성을 제공하기 위해 작동 및 배치될 수 있다.
본 발명의 시스템을 이용하는 안전 장점은 활성 가스원이 상기 언급된 Tom 외 및 Wang 외의 특허에 기재된 대기압보다 낮은 가스원인 경우에 향상된다.
따라서 본 발명은 실시간(real-time) 가스 모니터를 사용함에 의하여 연속적인 수치의 가스 혼합물을 제공하여, 전달된 희석 가스 혼합물에서 일정한 희석 활성 가스 농도를 보장하게 되며, 이는 앞서 배경기술에서 설명한 종래 방법과 다른 점이다. 만약에 활성 가스 농도가 설정값에서 벗어나면, 가스 모니터에서 활성 가스-측정 장치로 제어 신호가 보내져 원하는 농도치를 유지하기 위해 활성 가스 전달 속도를 증가 또는 감소시킨다.
본 발명의 특징 또는 장점은 이하의 비 제한적인 실시예에 의해 더 자세히 나타난다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 희석 가스 공급 시스템의 대표도이다.
도 2는 분당 리터의 유속의 함수로 토르(torr)의 진공 압력의 그래프이며, 본 발명의 실시에 있어서 미니-벤추리(mini-venturi)를 사용하여 달성된 진공 레벨(level)을 예시하고 있다.
도 3은 테트라불소화 탄소 농도의 FT-IR 신호를 ppm(parts per million)으로, 시: 분: 초의 시간 함수로 나타내며, 대응하는 IR 광도계 신호(기준/변동)를 시간 함수로 나타낸 그래프이다.
도 4는 교정 곡선이 테트라불소화 탄소 농도로 플롯(plotted)된 것으로, ppm(parts per million)으로, FT-IR 응답(기준/변동)의 함수로 플롯되어 이에 대응되는 교정 알고리즘을 나타낸다.
도 1 에 도시된 타입의 시스템을 이용하여, 본 발명의 작동은 활성가스로 테트라불소화 탄소(CF4)가 설명되었다. 활성 가스원은 500 토르의 테트라불소화 탄소 의 일정한 전달 압력을 위한 내부 가스 조절기가 장착된 대기압보다 낮은 압력의 VACR 가스원 용기(ATMI 인코퍼레이티드(Danbury, CT)로부터 상업적으로 구입 가능함)였다.
가스는 가스원 용기에 연결된 마이크로-밸브를 사용하여 투여되었고 분당 밀리리터 이하의 유속으로 전달 가능하여, 원하는 낮은 농도 혼합물을 생성할 수 있었다. 유체 분배 작동은 고속 솔레노이드를 사용하여 밸브의 개폐 속도를 조절하여 제어되었다.
마이크로-밸브가 가스를 전달하기 위해, 밸브의 흡입구 및 배출구 사이의 압력차가 요구되었다. 이 압력차는 희석 생산 가스 혼합물을 위한 희석용 가스인 60psi의 질소 가스의 공급에 의해 구동된 작은 벤추리 펌프에 의해 제공되었다. 벤추리 펌프의 고에서 저 압력의 조정에 의해 생긴 난류가 순수 가스와 희석 가스의 필요한 혼합을 제공하였다.
도 2는 벤추리 펌프를 이용해 달성된 진공 압력 레벨을 예시하는데, 진공 압력은 희석 질소 유속의 기능으로 도시된다. 일 실례로, 4 slpm(standard liters per minute), 60psi(7.8 slpm,14.7 psi 와 동일하다)에서 질소 가스 유량은 250 토르의 진공을 생성했다. 마이크로-밸브의 흡입구(500 토르에서) 및 마이크로-밸브의 배출구(250 토르에서) 사이의 압력차는 원하는 가스 유량을 생성하기에 적합했다.
생성된 테트라불소화 탄소/질소 가스 혼합물은 2개의 인라인 가스 분석기에 도입되었다. 첫째 분석기는 상업적으로 구입 가능한 FT-IR 분광계였다. 두 번째 가스 분석기는 대역 적외선(IR) 광원 및 이중 채널 필터 열전대열 감지기를 포함하는 IR 광도계였다.
광도계에서 활성 종(테트라불소화 탄소)가 빛을 흡수한 범위를 제외하고는 모든 IR 에너지를 차단하기 위해 하나의 필터 성분이 사용되었다. 광도계내의 두 번째 필터 성분은 어떠한 일반적 물질도 빛을 흡수하지 않는 범위의 좁은 밴드를 제외하고는 모든 IR 에너지를 여과하여, 기준 신호 목적을 위해 사용될 수 있게 하였다. 상기 광도계 시스템은 간단한 특징이 있고, 어떠한 움직이는 부분도 없으며, 활성 가스(CF4)의 농도에 비례하여 아날로그 신호를 제공하였다.
도 3은 CF4의 전달 속도를 바꾸면서 IR 광도계 및 FT-IR 분석기의 시간-의존 신호를 도시한다. FT-IR 신호가 FT-IR 장치와 연관된 컴퓨터상의 지속에 의한 지연되는 성질이 있는 반면, IR 광도계는 정확하고 변화는 조건에 따른 신속한 응답을 제공하였다.
도 3은 활성 가스의 적은 유량의 전달 속도를 조절하기 위한 마이크로-밸브의 사용을 또한 예시하고 있다. 예컨대, slpm의 N2 당 100 ppmv(parts per million by volume)의 CF4농도는 0.7 sscm(standard cubic centimeters per minute)의 CF4 전송에 대응하였다. 적은 유량 속도는 밸브내의 압력을 감소시키거나, 또는 밸브의 흡입구 및 밸브의 배출구 사이에 유량 제한을 도입시켜 달성가능하다.
도 4는 IR 광도계의 교정 곡선(calibration curve)을 도시하며, 이는 FT-IR 교정 신호를 IR 광도계의 기준 신호를 비교하여 생성된 것이다.
앞서 말한 실시예는 분석기 및 가스 유량 측정 성분 사이의 간단한 피드백 루프를 사용하여 혼합되고, 측정되고, 또한 동적으로 조절된 활성 가스의 적은 유량 속도를 전달하는 본 발명의 사용을 예시한다.
상기에서 본 발명은 특정 측면, 특징 및 실시예에 관해 설명되었지만, 본 발명은 그것에 한정되지 않으며, 수많은 다른 변화, 수정 및 대체적 실시예를 실행할 여지가 있음을 주지해야 한다.
따라서, 본 발명은 하기에서 청구된 본 발명의 사상 및 범위 내에서 그러한 변화, 수정 및 대체적 실시예를 포함하여 넓게 해석되도록 의도되었다.
Claims (74)
- 다음을 포함하는 희석 가스 전달 시스템:활성 가스원(gas source);희석 가스원;미리 결정된 유속(flow rate)으로 상기 활성 가스를 분배하는 가스 유량 측정 장치;희석된 활성 가스 혼합물을 형성하기 위하여, 상기 가스 유량 측정 장치에 의해 상기 미리 결정된 유속으로 분배된 상기 활성 가스원으로부터의 활성 가스를 희석 가스와 혼합하도록 배치된 혼합 장치; 및상기 활성 가스의 분배 속도를 제어하기 위하여, 상기 희석된 활성 가스 혼합물에서 활성 가스의 농도를 측정하고, 이에 응답하여 상기 가스 유량 측정 장치를 조절하며, 희석된 활성 가스 혼합물에서 활성 가스의 미리 결정된 농도를 유지하도록 배치된 모니터(monitor).
- 제1항에 있어서, 상기 가스 유량 측정 장치는 유량 조절기를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제2항에 있어서, 순수 활성 가스원과 혼합장치를 상호 연결하는 가스 유량관을 더 포함하고, 상기 유량 조절기가 상기 가스 유량관에 배치된 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 모니터는 인라인(in-line) 가스 분석기를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 모니터는 바이패스(bypass) 가스 유량 루프(loop)내에 가스 분석기를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 가스 유량 측정 장치는 유량 조절기, 및 상기 희석된 활성 가스 혼합물에서 감지된 활성 가스 농도에 상관적인 출력 제어 신호를 생성하고, 상기 제어 신호는 유량 조절기로 전송되어 상기 희석된 활성 가스 혼합물에서 미리 결정된 일정한 활성 가스 농도를 달성하기 위해 유량 조절기의 설정값을 조정하도록 배치된 모니터를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 가스 유량 측정 장치는 유량 조절기, 활성 가스원으로부터 활성 가스의 저유속 분배를 위해 작동하는 마이크로-밸브 및 유량 조절 밸브와 결합된 유량측정기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 활성 가스원은 순수 상태에서 활성 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 활성 가스원은 활성 가스를 담고 있는 가스 저장 및 분배 용기를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제9항에 있어서, 상기 가스 저장 및 분배 용기는 활성가스를 수착적으로 보유하는 물리적 흡착 매질을 포함하고 있고, 용기에서 활성 가스를 분배하기 위해 그 활성가스가 탈착되는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제9항에 있어서, 상기 가스 저장 및 분배 용기는 조절기의 설정값에 의해 정해진 압력에서 용기로부터 활성 가스의 분배를 위해 내장된 조절기를 함유하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 혼합 장치는 벤투리(venturis), 정적 혼합기(static mixers), 펌프, 압축기, 로터리 혼합기(rotary mixers), 배출기, 이덕터(eductors) 및 대향하는 제트장착(jet-equipped) 혼합챔버로 이루어진 그룹으로부터 선택된 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 혼합 장치는 벤투리를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 모니터는 스펙트로메트릭(spectrometric), 크로마토그래픽(spectrometric), 비색(colorimetric), SAW(surface acoustic wave), 포토닉 (photonic) 및 불꽃 이온화(flame ionizer) 가스 모니터로 이루어진 그룹으로부터 선택된 가스 모니터링 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 모니터는 FT-IR(Fourier Transform-Infrared) 가스 분석기를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 모니터는 IR 광도계(IR photometer)를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 모니터는 FT-IR 가스 분석기 및 IR광도계를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 모니터는 다수의(multiple) 가스 모니터링 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제18항에 있어서, 상기 다수의 가스 모니터링 장치는 상이한 가스 농도 감지양식을 가지는 가스 모니터링 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제18항에 있어서, 상기 다수의 가스 모니터링 장치는 동일한 가스 농도 감지양식을 가지는 가스 모니터링 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 희석 활성 가스 혼합물 사용 설비와 연결된 희석 활성 가스 혼합물 배출관(discharge line)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제21항에 있어서, 상기 희석 활성 가스 혼합물 사용 설비는 반도체 제조 공장을 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제22항에 있어서, 상기 반도체 제조 공장은 CVD 유닛(chemical vapor deposition unit)을 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 모니터는 다수의 가스 모니터링 장치 및 신호 처리 장치를 포함하되, 상기 다수의 가스 모니터링 장치 각각은 희석된 활성 가스 혼합물에서 활성 가스의 농도와 상호 연관된 출력을 생성하고, 각 출력은 프로세싱 신호 처리 장치로 전송되며, 순수 활성 가스의 분배 속도를 제어하기 위하여, 상기 신호 처리 장치는 상기 다수의 가스 모니터링 장치의 출력으로부터 유도된 제어 신호를 전송하고 이에 응답하여 상기 가스 유량 측정 장치를 조절하며 , 상기 희석된 활성 가스 혼합물에서 활성 가스의 미리 결정된 농도를 유지하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제24항에 있어서, 상기 신호 처리 장치는 컴페레이터 회로(comparator circuits), 브리지 회로, 마이크로프로세서 및 프로그램 가능한 범용 컴퓨터로 이루어진 그룹으로부터 선택된 처리 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 희석된 활성 가스 혼합물-공급 관계로서 반도체 제조 시설에 결합된 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제26항에 있어서, 상기 반도체 제조 시설은 CVD 공정 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제27항에 있어서, 상기 활성 가스는 도펀트 종(dopant species)을 형성하기 위한 원재료(source material)를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제28항에 있어서, 상기 원재료는 아르신(arsine), 포스핀(phosphine) 및 게르만(germane)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 수소화물(hydride)을 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 희석 가스원은 질소, 아르곤, 헬륨, 공기, 크립톤, 크세논, 크세논 할로겐화물, 수소, 산소, 암모니아 및 기체 유기금속화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 희석 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 활성 가스원은 수소화물, 산성 가스 및 보란으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 활성 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제31항에 있어서, 상기 활성 가스는 아르신, 포스핀, 게르만, SiHCl3, SiF4, SiH2Cl2 및 상기 2 이상의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 희석 가스원은 H2, N2, O2, 아르곤, 헬륨 및 상기 2이상의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 희석 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 활성 가스원은 테트라불소화 탄소(carbon tetrafluoride)를 포함하는 활성 기체를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 가스 유량 측정 장치는 마이크로 밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 혼합 장치는 벤투리를 포함하고, 상기 가스 유량 측정 장치는 밸브 및 상기 밸브와 벤투리 사이의 제한된 유량 오리피스(orifice)를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 다음을 포함하는 희석 유체 전달 시스템:활성 유체원;희석 유체원;미리 결정된 유속으로 순수 활성가스를 분배하는 유체 유량 측정 장치;희석된 활성 유체 혼합물을 형성하기 위하여, 상기 유체 유량 측정 장치에 의해 상기 미리 결정된 유속으로 분배된 상기 활성 유체원으로부터의 활성 유체를 희석 유체와 혼합하도록 배치된 혼합 장치; 및상기 활성 유체의 분배 속도를 제어하기 위하여, 상기 희석된 활성 유체 혼합물에서 활성 유체의 농도를 측정하고, 이에 응답하여 상기 유체 유량 측정 장치를 조절하며, 희석된 활성 유체 혼합물에서 활성 유체의 미리 결정된 농도를 유지하도록 배치된 모니터.
- 제37항에 있어서, 상기 활성 유체원은 활성 유체로 액체를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제38항에 있어서, 상기 활성 유체원은 활성 유체로 반도체 처리 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 다음 단계를 포함하는 희석 가스의 전달 방법:활성 가스원 및 희석 가스원을 제공하는 단계;미리 결정된 유속으로 상기 활성 가스원으로부터 활성 가스를 제어적으로 분배하는 단계;상기 미리 결정된 유속으로 분배된 상기 활성 가스원으로부터의 활성 가스를 희석 가스원으로부터의 희석 가스와 혼합하여 희석된 활성 가스 혼합물을 형성하는 단계; 및희석된 활성 가스 혼합물에서 활성 가스의 농도를 모니터하고, 이에 응답하여 순수 활성 가스의 분배 속도를 조절하여 희석된 활성 가스 혼합물에서 활성 가스의 미리 결정된 농도를 유지하는 단계.
- 제40항에 있어서, 상기 활성 가스를 제어적으로 분배하는 단계는 유량 조절기로 활성 가스의 유량을 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제40항에 있어서, 상기 모니터하는 단계는 상기 희석된 활성 가스 혼합물을 인라인 가스 분석기를 통해 유입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제40항에 있어서, 상기 활성 가스를 제어적으로 분배하는 단계는 유량 조절기로 활성 가스의 유량을 조절하는 단계를 포함하고, 상기 모니터하는 단계는 상기 희석된 활성 가스 혼합물을 인라인 가스 분석기를 통해 유입시키어 희석된 활성 가스 혼합물에서 감지된 활성 가스 농도에 상관적인 출력 제어 신호를 산출하고, 제어 신호는 유량 조절기에 전송하여 희석된 활성 가스 혼합물에서 미리 결정된 일정한 활성 가스 농도를 달성하기 위해 유량 조절기의 설정값을 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제40항에 있어서, 상기 활성 가스를 제어적으로 분배하는 단계는 유량 조절기, 활성 가스원으로부터 활성 가스의 저유속 분배를 위해 작동하는 마이크로-밸브 및 유량 조절 밸브와 결합된 유량측정기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 장치로 활성 가스의 유량을 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제40항에 있어서, 상기 활성 가스원은 순수 상태에서 활성 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제40항에 있어서, 상기 활성 가스원은 활성 가스를 담고 있는 가스 저장 및 분배 용기를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제40항에 있어서, 상기 가스 저장 및 분배 용기는 활성가스를 수착적으로 보유하는 물리적 흡착 매질을 포함하고 있고, 용기에서 활성 가스를 분배하기 위해 그 활성가스가 탈착되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제40항에 있어서, 상기 가스 저장 및 분배 용기는 조절기의 설정값에 의해 정해진 압력에서 용기로부터 활성 가스의 분배를 위해 내장된 조절기를 함유하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제40항에 있어서, 상기 혼합 단계는 활성 가스원의 활성 가스 및 희석 가스원의 희석 가스를 혼합하되, 벤투리, 정적 혼합기, 펌프, 압축기, 로터리 혼합기, 배출기, 이덕터 및 대향하는 제트장착(jet-equipped) 혼합챔버로 이루어진 그룹으로부터 선택된 혼합 장치를 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제40항에 있어서, 상기 혼합 단계는 활성 가스원의 활성 가스 및 희석 가스원의 희석 가스를 혼합하되, 활성 가스 및 희석 가스를 받는 벤투리를 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제40항에 있어서, 상기 모니터하는 단계는 스펙트로메트릭, 크로마토그래픽, 비색, SAW, 포토닉 및 불꽃 이온화 가스 모니터로 이루어진 그룹으로부터 선택된 가스 모니터링 장치를 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제40항에 있어서, 상기 모니터하는 단계는 FT-IR 가스 분석기를 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제40항에 있어서, 상기 모니터하는 단계는 IR 광도계를 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제40항에 있어서, 상기 모니터하는 단계는 FT-IR 가스 분석기 및 IR 광도계를 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제40항에 있어서, 상기 모니터하는 단계는 다수의 가스 모니터링 장치를 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제55항에 있어서, 상기 다수의 가스 모니터링 장치는 상이한 가스 농도 감지양식을 가지는 가스 모니터링 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제55항에 있어서, 상기 다수의 가스 모니터링 장치는 동일한 가스 농도 감지양식을 가지는 가스 모니터링 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제40항에 있어서, 희석 활성 가스 혼합물을 희석 활성 가스 혼합물-사용 설비로 유입시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제58항에 있어서, 상기 희석 활성 가스 혼합물 사용 설비는 반도체 제조 공장을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제59항에 있어서, 상기 반도체 제조 공장은 CVD 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제40항에 있어서, 상기 모니터하는 단계는 다수의 가스 모니터링 장치 및 신호 처리 장치를 사용하는 단계를 특징으로 하되, 상기 다수의 가스 모니터링 장치 각각은 희석된 활성 가스 혼합물에서 활성 가스의 농도와 상호 연관된 출력을 생성하고, 각 출력은 프로세싱 신호 처리 장치로 전송되며, 순수 활성 가스의 분배 속도를 제어하기 위하여, 상기 신호 처리 장치는 상기 다수의 가스 모니터링 장치의 출력으로부터 유도된 제어 신호를 전송하고 이에 응답하여 상기 가스 유량 측정 장치를 조절하며, 상기 희석된 활성 가스 혼합물에서 활성 가스의 미리 결정된 농도 를 유지하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제61항에 있어서, 상기 신호 처리 장치는 컴페레이터 회로, 브리지 회로, 마이크로프로세서 및 프로그램 가능한 범용 컴퓨터로 이루어진 그룹으로부터 선택된 처리 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제40항에 있어서, 희석된 활성 가스 혼합물을 반도체 제조 시설로 유입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제63항에 있어서, 상기 반도체 제조 시설는 CVD 공정 유닛를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제64항에 있어서, 상기 활성 가스는 도펀트 종을 형성하기 위한 원재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제65항에 있어서, 상기 원재료는 아르신, 포스핀 및 게르만으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 수소화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제40항에 있어서, 상기 희석 가스원은 질소, 아르곤, 헬륨, 공기, 크립톤, 크세논, 크세논 할로겐화물, 수소, 산소, 암모니아 및 기체 유기금속화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 희석 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제40항에 있어서, 상기 활성 가스원은 수소화물, 산성 가스 및 보란으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 활성 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제40항에 있어서, 상기 활성 가스는 아르신, 포스핀, 게르만, SiHCl3, SiF4, SiH2Cl2 및 상기 2 이상의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 방법.
- 제40항에 있어서, 상기 희석 가스원은 H2 , N2, O2, 아르곤, 헬륨 및 상기 2 이 상의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 희석 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제40항에 있어서, 상기 활성 가스원은 테트라불소화 탄소를 포함하는 활성 기체를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제40항에 있어서, 미리 결정된 유속으로 상기 활성 가스원으로부터 활성 가스를 제어적으로 분배하는 단계는 마이크로 밸브를 포함하는 가스 유량 측정 장치를 통해 활성 가스를 유입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제40항에 있어서, 혼합 단계는 활성 가스원의 활성 가스 및 희석 가스원의 희석 가스를 벤투리로 유입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법 및 미리 결정된 유속으로 상기 활성 가스원으로부터 활성 가스를 제어적으로 분배하는 단계는 밸브 및 밸브와 벤투리 사이의 제한된 유량 오리피스를 포함하는 가스 유량 측정 장치를 통해 활성 가스를 유입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 다음 단계를 포함하는 희석 유체의 전달 방법:활성 유체원 및 희석 유체원을 제공하는 단계;미리 결정된 유속으로 상기 활성 유체원으로부터 활성 유체를 제어적으로 분배하는 단계;상기 미리 결정된 유속으로 분배된 상기 활성 유체원으로부터의 활성 유체를 희석 유체원으로부터의 희석 유체와 혼합하여 희석된 활성 유체 혼합물을 형성하는 단계; 및희석된 활성 유체 혼합물에서 활성 유체의 농도를 모니터하고, 이에 응답하여 순수 활성 유체의 분배 속도를 조절하여 희석된 활성 유체 혼합물에서 활성 유체의 미리 결정된 농도를 유지하는 단계.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/402,759 US7063097B2 (en) | 2003-03-28 | 2003-03-28 | In-situ gas blending and dilution system for delivery of dilute gas at a predetermined concentration |
| US10/402,759 | 2003-03-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060032134A true KR20060032134A (ko) | 2006-04-14 |
| KR101016856B1 KR101016856B1 (ko) | 2011-02-22 |
Family
ID=33130450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020057018279A KR101016856B1 (ko) | 2003-03-28 | 2004-03-25 | 재료 혼합 시스템, 공정 시스템, 가스 시약 종류를 공급하도록 구성된 시스템, 가스 시약 종류 공급 시스템, 희석 반도체 제조 재료의 전달 시스템 및 희석 반도체 제조 재료의 전달 방법 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (6) | US7063097B2 (ko) |
| EP (1) | EP1627265A4 (ko) |
| JP (1) | JP2006521707A (ko) |
| KR (1) | KR101016856B1 (ko) |
| CN (1) | CN1768312A (ko) |
| WO (1) | WO2004088718A2 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101241922B1 (ko) * | 2005-06-22 | 2013-03-11 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 통합 가스 배합 장치 및 방법 |
Families Citing this family (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3973605B2 (ja) * | 2002-07-10 | 2007-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及びこれに使用する原料供給装置、成膜方法 |
| WO2004088415A2 (en) * | 2003-03-28 | 2004-10-14 | Advanced Technology Materials Inc. | Photometrically modulated delivery of reagents |
| US7063097B2 (en) * | 2003-03-28 | 2006-06-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | In-situ gas blending and dilution system for delivery of dilute gas at a predetermined concentration |
| US20050048195A1 (en) * | 2003-08-26 | 2005-03-03 | Akihiro Yanagita | Dispensing system and method of controlling the same |
| US7328629B2 (en) * | 2004-04-22 | 2008-02-12 | Gas Technology Institute | Method and apparatus for maintaining multi-component sample gas constituents in vapor phase during sample extraction and cooling |
| JP3945519B2 (ja) * | 2004-06-21 | 2007-07-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体 |
| KR100634376B1 (ko) * | 2004-07-07 | 2006-10-16 | 삼성전자주식회사 | 기판 건조 장치 |
| US7955797B2 (en) | 2004-10-25 | 2011-06-07 | Advanced Technology Materials, Inc. | Fluid storage and dispensing system including dynamic fluid monitoring of fluid storage and dispensing vessel |
| JP4494942B2 (ja) * | 2004-11-19 | 2010-06-30 | 積水化学工業株式会社 | プラズマ処理装置 |
| TW200722344A (en) * | 2005-08-22 | 2007-06-16 | Advanced Tech Materials | Material containment system |
| JP4798774B2 (ja) * | 2006-03-14 | 2011-10-19 | 株式会社山武 | 混合ガス供給システム |
| FR2901894B1 (fr) * | 2006-05-31 | 2008-12-26 | Total France Sa | Procede et dispositif de controle de l'elaboration d'un melange de constituants, notamment d'un melange avec volumes morts de pre-melange |
| US20080241805A1 (en) | 2006-08-31 | 2008-10-02 | Q-Track Corporation | System and method for simulated dosimetry using a real time locating system |
| US20080201053A1 (en) * | 2007-02-20 | 2008-08-21 | Esco Technologies (Asia) Pte Ltd | System and method for mixed gas chamber with automatic recovery |
| US7670964B2 (en) * | 2007-03-22 | 2010-03-02 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and methods of forming a gas cluster ion beam using a low-pressure source |
| US9383138B2 (en) * | 2007-03-30 | 2016-07-05 | Tokyo Electron Limited | Methods and heat treatment apparatus for uniformly heating a substrate during a bake process |
| US20080241400A1 (en) * | 2007-03-31 | 2008-10-02 | Tokyo Electron Limited | Vacuum assist method and system for reducing intermixing of lithography layers |
| US7772110B2 (en) * | 2007-09-28 | 2010-08-10 | Tokyo Electron Limited | Electrical contacts for integrated circuits and methods of forming using gas cluster ion beam processing |
| KR101130277B1 (ko) * | 2010-07-23 | 2012-03-26 | (주) 텔트론 | 용액 혼합 장치 |
| ES2749877T3 (es) | 2010-11-29 | 2020-03-24 | Air Prod & Chem | Método y aparato de medición del peso molecular de un gas |
| EP2458348B1 (en) | 2010-11-29 | 2013-08-14 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method of, and apparatus for, measuring the mass flow rate of a gas |
| US20120227816A1 (en) * | 2011-03-10 | 2012-09-13 | Xuemei Song | Dynamic gas blending |
| DE102011013698A1 (de) * | 2011-03-11 | 2012-09-13 | Testo Ag | Handgehaltener Probenentnahmekopf, Analyseanordnung und Verfahren zur Charaketrisierung eines Aerosols |
| ES2663244T3 (es) | 2012-05-24 | 2018-04-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Método y aparato para proporcionar una mezcla de gases |
| EP2667160B1 (en) | 2012-05-24 | 2020-11-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method of, and Apparatus for, Regulating the Mass Flow Rate of a Gas |
| PL2667276T3 (pl) * | 2012-05-24 | 2018-04-30 | Air Products And Chemicals, Inc. | Sposób i urządzenie do dostarczania mieszaniny gazu |
| ES2905838T3 (es) | 2012-05-24 | 2022-04-12 | Air Prod & Chem | Método y aparato para medir el caudal másico de un gas |
| EP2667176B1 (en) | 2012-05-24 | 2015-02-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Apparatus for measuring the true contents of a cylinder of gas under pressure |
| EP2667162B1 (en) | 2012-05-24 | 2015-09-30 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method of, and apparatus for, measuring the physical properties of two-phase fluids |
| JP5998826B2 (ja) * | 2012-10-11 | 2016-09-28 | 東横化学株式会社 | 混合ガス供給装置 |
| WO2014100621A1 (en) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | Praxair Technology, Inc. | Storage and sub-atmospheric delivery of dopant compositions for carbon ion implantation |
| CN103760929B (zh) * | 2013-12-31 | 2017-08-22 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 一种半导体设备的硅片承载区域氧含量控制方法 |
| EP3102992B1 (en) | 2014-02-06 | 2019-11-27 | Praxair Technology, Inc. | Improved dynamics gas blending system and process for producing mixtures with minimal variation within tolerance limits and increased gas utilization |
| CN107078009B (zh) * | 2014-09-01 | 2019-04-12 | 恩特格里斯公司 | 利用增强源技术进行磷或砷离子植入 |
| US9612221B2 (en) * | 2014-10-14 | 2017-04-04 | Chem-Aqua, Inc. + Pyxis Lab, Inc. | Opto-electrochemical sensing system for monitoring and controlling industrial fluids |
| US10007275B2 (en) | 2014-12-29 | 2018-06-26 | Diversey, Inc. | Dilution adjustment system and method |
| US10145269B2 (en) | 2015-03-04 | 2018-12-04 | General Electric Company | System and method for cooling discharge flow |
| DE102016000518A1 (de) * | 2016-01-19 | 2017-07-20 | Linde Aktiengesellschaft | Gasverdünnungssystem |
| WO2018052074A1 (ja) * | 2016-09-15 | 2018-03-22 | 株式会社堀場エステック | 吸光度計及び該吸光度計を用いた半導体製造装置 |
| US10214702B2 (en) * | 2016-12-02 | 2019-02-26 | Mustang Sampling Llc | Biogas blending and verification systems and methods |
| CN109423622B (zh) * | 2017-08-29 | 2020-10-13 | 胜高股份有限公司 | 气体供给装置、气体供给方法 |
| US10975470B2 (en) * | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| CN110389602B (zh) * | 2018-04-19 | 2022-09-23 | 中国石油化工股份有限公司 | 用于控制目标容器内特定气体的含量的方法 |
| EP3599463B1 (en) * | 2018-07-26 | 2023-05-10 | Inficon GmbH | Method for adapting the concentration of sample gas in a gas mixture to be analysed by a gas chromatograph assembly, and chromatograph assembly therefore |
| CN109331703A (zh) * | 2018-10-18 | 2019-02-15 | 滁州市云米工业设计有限公司 | 一种基于光谱分析的气相混合机构装置 |
| CN109508049A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-03-22 | 上海仪器仪表自控系统检验测试所有限公司 | 气体测试使用的瓶装标准气体制备方法 |
| CN109585885A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-04-05 | 中国汽车技术研究中心有限公司 | 一种燃料电池汽车氢气报警测试用可变体积浓度氢气发生系统 |
| CN112540149A (zh) * | 2019-09-20 | 2021-03-23 | 中国石油化工股份有限公司 | 气体发生装置及方法 |
| EP4065313A4 (en) | 2019-11-27 | 2023-08-02 | Diversified Fluid Solutions, LLC | ON-LINE BLENDING AND DISTRIBUTION OF CHEMICALS ON DEMAND |
| CN111346531B (zh) * | 2020-03-03 | 2022-04-15 | 国机铸锻机械有限公司 | 一种双回路双工位镁合金低压铸造混气工艺及其装置 |
| CN115032339B (zh) * | 2022-05-31 | 2023-03-17 | 中国矿业大学 | 一种高浓度烟气稀释测量装置及方法 |
| WO2024076757A1 (en) * | 2022-10-07 | 2024-04-11 | Genzyme Corporation | Product formulation in biological manufacturing |
Family Cites Families (94)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3342199A (en) * | 1965-07-07 | 1967-09-19 | Foxboro Co | Digital blend system |
| NL7604904A (nl) | 1975-05-09 | 1976-11-11 | Broken Hill Pty Co Ltd | Vergassingsinrichting en werkwijze voor het vervaardigen van een gasvormig mengsel. |
| US4275752A (en) * | 1978-09-22 | 1981-06-30 | Collier Nigel A | Fluid flow apparatus and method |
| IL65176A0 (en) | 1982-03-05 | 1982-05-31 | C I Ltd | Material testing method and apparatus |
| US5047352A (en) | 1985-05-20 | 1991-09-10 | Arch Development Corporation | Selective chemical detection by energy modulation of sensors |
| US4647777A (en) * | 1985-05-31 | 1987-03-03 | Ametrek, Inc. | Selective gas detector |
| JPH0619311B2 (ja) * | 1985-10-19 | 1994-03-16 | 株式会社堀場製作所 | 多成分同時測定用ガス分析装置 |
| US4768291A (en) | 1987-03-12 | 1988-09-06 | Monarch Technologies Corporation | Apparatus for dry processing a semiconductor wafer |
| US4935345A (en) * | 1987-04-07 | 1990-06-19 | Arizona Board Of Regents | Implantable microelectronic biochemical sensor incorporating thin film thermopile |
| US4816294A (en) | 1987-05-04 | 1989-03-28 | Midwest Research Institute | Method and apparatus for removing and preventing window deposition during photochemical vapor deposition (photo-CVD) processes |
| EP0370151A1 (en) * | 1988-11-21 | 1990-05-30 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Process for producing low-concentration gas mixtures, and apparatus for producing the same |
| US5239856A (en) * | 1988-11-21 | 1993-08-31 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Apparatus for producing standard gas mixtures |
| DE3913474A1 (de) | 1989-04-24 | 1990-10-25 | Siemens Ag | Photothermisches untersuchungsverfahren, einrichtung zu seiner durchfuehrung und verwendung des verfahrens |
| US4936877A (en) * | 1989-07-18 | 1990-06-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Dopant delivery system for semiconductor manufacture |
| AU623282B2 (en) * | 1989-09-27 | 1992-05-07 | Union Carbide Chemicals And Plastics Company Inc. | Method and apparatus for metering and mixing non-compressible and compressible fluids |
| JP2923008B2 (ja) | 1989-12-11 | 1999-07-26 | 株式会社日立製作所 | 成膜方法及び成膜装置 |
| US5129412A (en) * | 1991-05-08 | 1992-07-14 | Saes Pure Gas, Inc. | Aerodynamic blender |
| US5508934A (en) | 1991-05-17 | 1996-04-16 | Texas Instruments Incorporated | Multi-point semiconductor wafer fabrication process temperature control system |
| JPH06317475A (ja) * | 1991-07-19 | 1994-11-15 | Terumo Corp | 赤外線センサおよびその製造方法 |
| US5815396A (en) | 1991-08-12 | 1998-09-29 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing device and film forming device and method using same |
| JPH0545284A (ja) * | 1991-08-17 | 1993-02-23 | Horiba Ltd | パーテイキユレート連続分析装置 |
| US5200023A (en) | 1991-08-30 | 1993-04-06 | International Business Machines Corp. | Infrared thermographic method and apparatus for etch process monitoring and control |
| US5288649A (en) * | 1991-09-30 | 1994-02-22 | Texas Instruments Incorporated | Method for forming uncooled infrared detector |
| US5282473A (en) * | 1992-11-10 | 1994-02-01 | Critikon, Inc. | Sidestream infrared gas analyzer requiring small sample volumes |
| US5376409B1 (en) * | 1992-12-21 | 1997-06-03 | Univ New York State Res Found | Process and apparatus for the use of solid precursor sources in liquid form for vapor deposition of materials |
| JPH0767151B2 (ja) | 1993-02-25 | 1995-07-19 | 日本電気株式会社 | 赤外線撮像装置 |
| JP3174856B2 (ja) * | 1993-05-07 | 2001-06-11 | 日本エア・リキード株式会社 | 混合ガス供給装置 |
| US5522459A (en) | 1993-06-03 | 1996-06-04 | Halliburton Company | Continuous multi-component slurrying process at oil or gas well |
| US5436457A (en) * | 1993-06-10 | 1995-07-25 | Horiba, Ltd. | Infrared gas analyzer |
| US5549756A (en) | 1994-02-02 | 1996-08-27 | Applied Materials, Inc. | Optical pyrometer for a thin film deposition system |
| US5747808A (en) | 1994-02-14 | 1998-05-05 | Engelhard Sensor Technologies | NDIR gas sensor |
| JPH07307301A (ja) * | 1994-03-17 | 1995-11-21 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
| US5464983A (en) | 1994-04-05 | 1995-11-07 | Industrial Scientific Corporation | Method and apparatus for determining the concentration of a gas |
| FI98325C (fi) * | 1994-07-07 | 1997-05-26 | Vaisala Oy | Selektiivinen infrapunadetektori |
| US5518528A (en) * | 1994-10-13 | 1996-05-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Storage and delivery system for gaseous hydride, halide, and organometallic group V compounds |
| JP4117407B2 (ja) * | 1995-01-31 | 2008-07-16 | 株式会社堀場製作所 | Ｃｖｄ装置およびｃｖｄ装置による成膜方法 |
| US6673533B1 (en) * | 1995-03-10 | 2004-01-06 | Meso Scale Technologies, Llc. | Multi-array multi-specific electrochemiluminescence testing |
| US5650624A (en) | 1995-04-13 | 1997-07-22 | Engelhard Sensor Technologies, Inc. | Passive infrared analysis gas sensor |
| US5721430A (en) | 1995-04-13 | 1998-02-24 | Engelhard Sensor Technologies Inc. | Passive and active infrared analysis gas sensors and applicable multichannel detector assembles |
| US5641245A (en) | 1995-05-22 | 1997-06-24 | Westinghouse Savannah River Company, Inc. | Apparatus for passive removal of subsurface contaminants |
| US6050283A (en) * | 1995-07-07 | 2000-04-18 | Air Liquide America Corporation | System and method for on-site mixing of ultra-high-purity chemicals for semiconductor processing |
| JPH09232274A (ja) * | 1996-02-21 | 1997-09-05 | Sony Corp | 半導体基板の表面処理方法および半導体基板の表面処理装置 |
| US5962854A (en) * | 1996-06-12 | 1999-10-05 | Ishizuka Electronics Corporation | Infrared sensor and infrared detector |
| US6544193B2 (en) | 1996-09-04 | 2003-04-08 | Marcio Marc Abreu | Noninvasive measurement of chemical substances |
| US5874736A (en) | 1996-10-25 | 1999-02-23 | Exergen Corporation | Axillary infrared thermometer and method of use |
| US5826607A (en) * | 1996-11-25 | 1998-10-27 | Sony Corporation | Dual exhaust controller |
| US5887611A (en) * | 1996-12-31 | 1999-03-30 | The University Of Florida | Gas blender |
| US6122042A (en) | 1997-02-07 | 2000-09-19 | Wunderman; Irwin | Devices and methods for optically identifying characteristics of material objects |
| US6070600A (en) | 1997-07-01 | 2000-06-06 | Motorola, Inc. | Point of use dilution tool and method |
| US6067840A (en) | 1997-08-04 | 2000-05-30 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for infrared sensing of gas |
| NL1008665C1 (nl) * | 1998-03-20 | 1999-09-21 | Berkin Bv | Mediumstroommeter. |
| US6453924B1 (en) | 2000-07-24 | 2002-09-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Fluid distribution system and process, and semiconductor fabrication facility utilizing same |
| US6444474B1 (en) | 1998-04-22 | 2002-09-03 | Eltron Research, Inc. | Microfluidic system for measurement of total organic carbon |
| US6101816A (en) * | 1998-04-28 | 2000-08-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Fluid storage and dispensing system |
| US5967992A (en) * | 1998-06-03 | 1999-10-19 | Trutex, Inc. | Radiometric temperature measurement based on empirical measurements and linear functions |
| JP4234835B2 (ja) * | 1999-02-17 | 2009-03-04 | シヤチハタ株式会社 | 油性インキ |
| US6190436B1 (en) * | 1999-03-05 | 2001-02-20 | The Boc Group, Inc. | Ozone purification process |
| US6348650B1 (en) * | 1999-03-24 | 2002-02-19 | Ishizuka Electronics Corporation | Thermopile infrared sensor and process for producing the same |
| AU741947B2 (en) * | 1999-04-12 | 2001-12-13 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Organic halogen compound decomposing device and operation control method therefor, and organic halogen compound decomposing method |
| US6396056B1 (en) | 1999-07-08 | 2002-05-28 | Air Instruments And Measurements, Inc. | Gas detectors and gas analyzers utilizing spectral absorption |
| US6689252B1 (en) | 1999-07-28 | 2004-02-10 | Applied Materials, Inc. | Abatement of hazardous gases in effluent |
| US6612317B2 (en) * | 2000-04-18 | 2003-09-02 | S.C. Fluids, Inc | Supercritical fluid delivery and recovery system for semiconductor wafer processing |
| FR2801880B1 (fr) * | 1999-12-07 | 2002-02-22 | Degremont | Procede et installation de traitement d'eaux residuaires comprenant un traitement additionnel des boues par ozonation |
| US6772781B2 (en) * | 2000-02-04 | 2004-08-10 | Air Liquide America, L.P. | Apparatus and method for mixing gases |
| US7179653B2 (en) * | 2000-03-31 | 2007-02-20 | Showa Denko K.K. | Measuring method for concentration of halogen and fluorine compound, measuring equipment thereof and manufacturing method of halogen compound |
| US6469303B1 (en) | 2000-05-17 | 2002-10-22 | Rae Systems, Inc. | Non-dispersive infrared gas sensor |
| US6491978B1 (en) * | 2000-07-10 | 2002-12-10 | Applied Materials, Inc. | Deposition of CVD layers for copper metallization using novel metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) precursors |
| DE60123254T2 (de) * | 2000-07-31 | 2007-09-06 | Kinetics Chempure Systems, Inc., Tempe | Verfahren und vorrichtung zum mischen von prozessmaterialien |
| US6576972B1 (en) * | 2000-08-24 | 2003-06-10 | Heetronix | High temperature circuit structures with expansion matched SiC, AlN and/or AlxGa1-xN(x>0.69) circuit device |
| US6930041B2 (en) * | 2000-12-07 | 2005-08-16 | Micron Technology, Inc. | Photo-assisted method for semiconductor fabrication |
| US6631334B2 (en) * | 2000-12-26 | 2003-10-07 | Mks Instruments, Inc. | Pressure-based mass flow controller system |
| JPWO2002075262A1 (ja) | 2001-03-16 | 2004-07-08 | セイコーエプソン株式会社 | 赤外線検出素子およびその製造方法並びに温度測定装置 |
| US6766818B2 (en) * | 2001-04-06 | 2004-07-27 | Akrion, Llc | Chemical concentration control device |
| EP1385558B1 (en) * | 2001-05-11 | 2004-12-22 | Steris Inc. | Non-dispersive mid-infrared sensor for vaporized hydrogen peroxide |
| JP2005515300A (ja) * | 2001-12-21 | 2005-05-26 | ユニバーシティー オブ マサチューセッツ | 流体による化学的成膜における汚染防止 |
| US6828172B2 (en) * | 2002-02-04 | 2004-12-07 | Delphi Technologies, Inc. | Process for a monolithically-integrated micromachined sensor and circuit |
| US20050211555A1 (en) * | 2002-02-14 | 2005-09-29 | Solus Biosystems, Inc. | Method for multiple sample screening using IR spectroscopy |
| US7033542B2 (en) * | 2002-02-14 | 2006-04-25 | Archibald William B | High throughput screening with parallel vibrational spectroscopy |
| EP1347290B1 (en) | 2002-03-22 | 2007-07-25 | Instrumentarium Corporation | Gas analyzer using thermal detectors |
| US6617175B1 (en) * | 2002-05-08 | 2003-09-09 | Advanced Technology Materials, Inc. | Infrared thermopile detector system for semiconductor process monitoring and control |
| US7129519B2 (en) * | 2002-05-08 | 2006-10-31 | Advanced Technology Materials, Inc. | Monitoring system comprising infrared thermopile detector |
| KR100636853B1 (ko) * | 2002-05-08 | 2006-10-19 | 로우 에드먼드 킨 온 | 유해 폐기물 처리 방법 및 장치 |
| JP4171250B2 (ja) * | 2002-06-19 | 2008-10-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3973605B2 (ja) * | 2002-07-10 | 2007-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及びこれに使用する原料供給装置、成膜方法 |
| US7300038B2 (en) | 2002-07-23 | 2007-11-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
| US20040038442A1 (en) * | 2002-08-26 | 2004-02-26 | Kinsman Larry D. | Optically interactive device packages and methods of assembly |
| WO2004023087A1 (en) | 2002-09-09 | 2004-03-18 | Rosemount Aerospace, Inc. | Method for making an infrared detector and infrared detector |
| US20040050326A1 (en) | 2002-09-12 | 2004-03-18 | Thilderkvist Karin Anna Lena | Apparatus and method for automatically controlling gas flow in a substrate processing system |
| US7080545B2 (en) * | 2002-10-17 | 2006-07-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and process for sensing fluoro species in semiconductor processing systems |
| US7063097B2 (en) | 2003-03-28 | 2006-06-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | In-situ gas blending and dilution system for delivery of dilute gas at a predetermined concentration |
| WO2004088415A2 (en) | 2003-03-28 | 2004-10-14 | Advanced Technology Materials Inc. | Photometrically modulated delivery of reagents |
| JP3991018B2 (ja) * | 2003-09-01 | 2007-10-17 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
| JP2006275980A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Denso Corp | 赤外線式ガス検出器 |
| JP2009232274A (ja) | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像形成システム、データ転送処理プログラム |
-
2003
- 2003-03-28 US US10/402,759 patent/US7063097B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-14 US US10/641,576 patent/US6909973B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-03-25 EP EP04758340A patent/EP1627265A4/en not_active Withdrawn
- 2004-03-25 WO PCT/US2004/009168 patent/WO2004088718A2/en active Application Filing
- 2004-03-25 CN CNA2004800086647A patent/CN1768312A/zh active Pending
- 2004-03-25 KR KR1020057018279A patent/KR101016856B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-25 JP JP2006509291A patent/JP2006521707A/ja active Pending
-
2006
- 2006-06-15 US US11/453,700 patent/US7325560B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2008
- 2008-05-13 US US12/120,101 patent/US7711496B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-05-04 US US12/773,666 patent/US7925450B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2011
- 2011-04-12 US US13/085,476 patent/US8244482B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101241922B1 (ko) * | 2005-06-22 | 2013-03-11 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 통합 가스 배합 장치 및 방법 |
| US9666435B2 (en) | 2005-06-22 | 2017-05-30 | Entegris, Inc. | Apparatus and process for integrated gas blending |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7325560B2 (en) | 2008-02-05 |
| US20080213925A1 (en) | 2008-09-04 |
| US7925450B2 (en) | 2011-04-12 |
| WO2004088718A3 (en) | 2005-04-28 |
| US20050257828A1 (en) | 2005-11-24 |
| KR101016856B1 (ko) | 2011-02-22 |
| CN1768312A (zh) | 2006-05-03 |
| US6909973B2 (en) | 2005-06-21 |
| JP2006521707A (ja) | 2006-09-21 |
| US20040204897A1 (en) | 2004-10-14 |
| WO2004088718A2 (en) | 2004-10-14 |
| EP1627265A4 (en) | 2006-07-26 |
| US7711496B2 (en) | 2010-05-04 |
| US8244482B2 (en) | 2012-08-14 |
| EP1627265A2 (en) | 2006-02-22 |
| US20060237061A1 (en) | 2006-10-26 |
| US20110189797A1 (en) | 2011-08-04 |
| US7063097B2 (en) | 2006-06-20 |
| US20100217415A1 (en) | 2010-08-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101016856B1 (ko) | 재료 혼합 시스템, 공정 시스템, 가스 시약 종류를 공급하도록 구성된 시스템, 가스 시약 종류 공급 시스템, 희석 반도체 제조 재료의 전달 시스템 및 희석 반도체 제조 재료의 전달 방법 | |
| US9666435B2 (en) | Apparatus and process for integrated gas blending | |
| JP4843671B2 (ja) | 一次標準ガス混合物を製造するためのシステム | |
| JP2006521707A5 (ko) | ||
| US5214952A (en) | Calibration for ultra high purity gas analysis | |
| US5661225A (en) | Dynamic dilution system | |
| EP0469437B1 (en) | Method of and apparatus for preparing calibration gas | |
| TWI311642B (ko) | ||
| JPH01199133A (ja) | ガス発生装置及びその発生方法 | |
| JP2001133366A (ja) | 標準ガス発生装置 | |
| US7003215B2 (en) | Vapor flow controller |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140127 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150123 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160129 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170126 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180124 Year of fee payment: 8 |