KR20050114694A - 감광성 수지 조성물 - Google Patents

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KR20050114694A KR1020057017891A KR20057017891A KR20050114694A KR 20050114694 A KR20050114694 A KR 20050114694A KR 1020057017891 A KR1020057017891 A KR 1020057017891A KR 20057017891 A KR20057017891 A KR 20057017891A KR 20050114694 A KR20050114694 A KR 20050114694A
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Abstract

본 발명의 감광성 수지 조성물은 알칼리 가용성 수지 및 퀴논디아지드기를 갖는 감광제, 하기 화학식 I의 페놀성 화합물 및 에폭시기를 갖는 경화제를 함유하고, 알칼리 가용성 수지는, 중합 개시제로서, 시아노기를 갖지 않는 아조계 중합 개시제 또는 시아노기를 갖지 않는 아조계 중합 개시제와 시아노기를 갖지 않는 아조계 중합 개시제를 사용하여 합성된 아크릴계 수지로 이루어진다. 이러한 감광성 수지 조성물은 고온 베이킹 후에도, 막 표면의 평탄성이 우수하고, 또한 양호한 광투과율을 갖는 박막을 형성하며, 또한 조성물의 경시 안정성도 양호하다. 형성된 막은 특히 플랫 패널 디스플레이 또는 반도체 소자의 층간 절연막, 평탄화막 등으로 사용하기에 적합하다.
화학식 I
위의 화학식 I에서,
R1, R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 각각 독립적으로 H, C1-C4 알킬 또는 이고,
m 및 n은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며,
a, b, c, d, e, f, g 및 h는, a+b ≤5, c+d ≤5, e+f ≤5, g+h ≤5를 만족시키는, 0 내지 5의 정수이고,
i는 0 내지 2의 정수이다.

Description

감광성 수지 조성물{Photosensitive resin composition}
본 발명은 감광성 수지 조성물, 보다 상세하게는 반도체 소자, 플랫 패널 디스플레이(FPD) 등의 제조, 특히 반도체 소자 및 FPD 등의 층간 절연막 또는 평탄화막 등의 형성에 적합한 감광성 수지 조성물 및 이러한 감광성 수지 조성물을 사용한 FPD 또는 반도체 소자 및 당해 감광성 수지 조성물을 사용하는 내열성 박막의 제조방법에 관한 것이다.
LSI 등의 반도체 집적회로나 FPD의 표시면의 제조, 써멀 헤드 등의 회로 기판의 제조 등을 위시한 폭넓은 분야에서, 마이크로 소자의 형성 또는 마이크로 가공을 하기 위해, 종래부터 포토리소그래피 기술이 이용되고 있다. 포토리소그래피 기술에서는 내식막 패턴을 형성하기 위해서 포지티브형 또는 네거티브형 감광성 수지 조성물이 사용되고 있다. 최근, 이들 감광성 수지 조성물의 신규한 용도로서, 반도체 집적회로나 FPD 등의 층간 절연막 또는 평탄화막의 형성기술이 주목되고 있다. 특히 관련 업계에서는 FPD 표시면의 고정밀화에 대한 요구가 강하게 일고 있으며, 이러한 고정밀화를 달성하기 위해서는 투명성이 높고, 절연성이 우수한 평탄화막이 필수 재료로 되고 있다. 이러한 용도에 사용되는 감광성 수지 조성물에 관해서는 많은 연구가 이루어지고 있으며, 특허가 출원되어 공개되고 있다[예: 일본 공개특허공보 제(평)7-248629호 및 제(평)8-262709호]. 그러나, 이들에 기재된 조성물은 내열성을 높게 하기 위해 가교결합제를 필요로 하는 점에서 경시 안정성이 나쁘며, 마이크로 가공에 사용되고 있는 일반적인 포지티브형 내식막과 비교하여, 조성물의 보존환경에 특별한 주의가 필요해진다. 또한, FPD 표시면의 제작공정에서의 포토리소그래피에서는 현상액을 반복 사용하는 재순환 현상액을 사용한다. 이러한 재순환 현상액 속에서, 박막 트랜지스터(TFT) 제작용 포지티브형 내식막과 상기 가교결합제를 함유하는 감광성 수지 조성물이 혼합된 경우, 포지티브형 내식막과 당해 조성물 중에 함유되어 있는 가교결합제가 반응함으로써 현상액에 불용성인 석출물이 다량 발생한다는 문제가 있다. 본 발명자 등은 지금까지 알칼리 가용성 수지 및 퀴논디아지드기를 갖는 감광제, 하기 화학식 I의 페놀성 화합물 및 에폭시기를 갖는 경화제를 함유하는 감광성 수지 조성물에 관해서 검토하고 있다(일본 특허출원 제2001-389601호, 일본 특허출원 제2002-51487호).
위의 화학식 I에서,
R1, R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 각각 독립적으로 H, C1-C4 알킬 또는 이고,
m 및 n은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며,
a, b, c, d, e, f, g 및 h는, a+b ≤5, c+d ≤5, e+f ≤5, g+h ≤5를 만족시키는, 0 내지 5의 정수이고,
i는 0 내지 2의 정수이다.
그러나, 층간 절연막, 평탄화막 등에서 투명성, 내용매성 등에 관한 요구, 또한 감광성 수지 조성물의 경시 안정성의 요구는 보다 높아지고 있으며, 새로운 개선이 요구되고 있는 것이 현재 실정이다.
상기와 같은 상황을 감안하여, 본 발명은 알칼리 가용성 수지, 감광제, 화학식 I의 페놀성 화합물 및 에폭시기를 갖는 경화제를 함유하는 감광성 수지 조성물에 있어서, 고온 베이킹 후에도 막 표면의 평탄성을 유지하며, 저유전율이면서 또한 양호한 광투과율을 갖는 박막을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.
또한, 본 발명은 감광성 수지 조성물에서 경시 안정성이 개선된 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.
또한, 본 발명은 감광성 수지 조성물에서 내용매성이 우수하고 저유전율이면서 또한 양호한 광투과율을 갖는 박막을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.
또한, 본 발명은 감광성 수지 조성물로 제조한 층간 절연막 또는 평탄화막 등을 갖는 FPD 또는 반도체 소자를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명은 감광성 수지 조성물을 사용하여 패턴화한 후, 전면 노광을 실시한 다음, 후베이킹을 실시함으로써 내열성 박막을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
발명의 개시
본 발명자들은 예의 연구, 검토한 결과, 알칼리 가용성 수지 및 퀴논디아지드기를 함유하는 감광제를 함유하는 감광성 수지 조성물에서 알칼리 가용성 수지로서 시아노기를 갖지 않는 아조계 중합 개시제 또는 시아노기를 갖지 않는 아조계 중합 개시제와 시아노기를 갖는 아조계 중합 개시제를 사용하여 합성된 수지를 사용하고, 추가로 특정한 페놀성 화합물 및 에폭시기를 갖는 경화제를 함유시킴으로써 상기 목적을 달성할 수 있는, 즉 경시 안정성이 양호하고 또한, 예를 들면, 220℃, 1시간의 고온 가열처리 후에도 막 표면의 평탄성을 유지하며, 또한 양호한 광투과율, 고내용매성을 나타내는 감광성 수지 조성물을 수득할 수 있는 것을 밝혀내고, 본 발명에 도달하였다.
즉, 본 발명은 하기의 [1] 내지 [9]의 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.
[1] 알칼리 가용성 수지 및 퀴논디아지드기를 갖는 감광제를 함유하는 감광성 수지 조성물에 있어서, 알칼리 가용성 수지가, 중합 개시제로서, 시아노기를 갖지 않는 아조계 중합 개시제를 사용하여 합성된 아크릴계 수지이고, 또한 상기 화학식 I의 페놀성 화합물 및 에폭시기를 갖는 경화제를 함유함을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
[2] 상기 [1]에 기재된 감광성 수지 조성물에서, 아크릴계 수지가, 중합 개시제로서, 시아노기를 갖지 않는 아조계 중합 개시제와 시아노기를 갖는 아조계 중합 개시제를 사용하여 합성된 아크릴계 수지임을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
[3] 상기 [2]에 기재된 감광성 수지 조성물에서, 시아노기를 갖지 않는 아조계 중합 개시제와 시아노기를 갖는 아조계 중합 개시제의 몰 비가 20:80 내지 80:20임을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
[4] 상기 [1] 내지 [3] 중의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물에서, 아크릴계 수지가 알킬(메트)아크릴레이트 유도된 구성 단위와 (메트)아크릴산 유도된 구성 단위를 함유함을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
[5] 상기 [1] 내지 [4] 중의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물에서, 아크릴계 수지가 (메트)아크릴산 유도된 구성 단위를 5 내지 30몰% 함유함을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
[6] 상기 [1] 내지 [5] 중의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물에서, 퀴논디아지드기를 갖는 감광제가 상기 화학식 I의 화합물과 나프토퀴논디아지드 화합물과의 반응 생성물임을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
[7] 상기 [1] 내지 [6] 중의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물에서, 화학식 I의 페놀성 화합물이 하기 화학식 II의 화합물임을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
[8] 상기 [1] 내지 [7] 중의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물에서, 아크릴계 수지의 폴리스티렌 환산 평균 분자량이 5,000 내지 30,000임을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
[9] 상기 [1] 내지 [8] 중의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물에서, 경화 촉진제를 추가로 함유함을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
또한, 본 발명은 하기의 [10]에 기재된 플랫 패널 디스플레이, [11]에 기재된 반도체 소자, [12]에 기재된 내열성 박막의 형성방법에 관한 것이다.
[10] 상기 [1] 내지 [9] 중의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물로 제조한 평탄화막 또는 층간 절연막을 갖는 플랫 패널 디스플레이.
[11] 상기 [1] 내지 [9] 중의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물로 제조한 평탄화막 또는 층간 절연막을 갖는 반도체 소자.
[12] 상기 [1] 내지 [9] 중의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물을 사용하여 패턴화한 다음, 전면 노광을 실시하고, 이어서 후베이킹을 실시함을 특징으로 하는 내열성 박막의 형성방법.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은 알칼리 가용성 수지와 퀴논디아지드기를 갖는 감광제를 함유하고, 알칼리 가용성 수지가, 중합 개시제로서, 시아노기를 갖지 않는 아조계 중합 개시제 또는 시아노기를 갖지 않는 아조계 중합 개시제와 시아노기를 갖는 아조계 중합 개시제를 사용하여 합성된 아크릴계 수지이며, 추가로 상기 화학식 I의 페놀성 화합물 및 에폭시기를 갖는 경화제를 함유하는 것이 필요하다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에서 사용되는 알칼리 가용성의 아크릴계 수지를 합성할 때에 사용되는, 시아노기를 갖지 않는 아조계 중합 개시제로서는, 예를 들면, 1,1'-아조비스(1-아세톡시-1-페닐에탄), 1,1'-아조비스(1-프로피온옥시-1-페닐에탄), 1,1'-아조비스(1-이소부틸옥시-1-페닐에탄), 1,1'-아조비스(1-피발옥시-1-페닐에탄), 1,1'-아조비스(1-아세톡시-1-페닐프로판), 1,1'-아조비스[1-아세톡시-1-(p-메틸페닐)에탄], 1,1'-아조비스[1-아세톡시-1-(p-클로로페닐)에탄], 1,1'-아조비스(1-아세톡시-1-페닐부탄), 디메틸 2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트), 1,1'-아조비스(1-클로로-1-페닐에탄), 1,1'-아조비스(1-클로로-1-프로판), 1,1'-아조비스[1-클로로-(p-메틸페닐)에탄], 1,1'-아조비스[1-클로로-1-(p-클로로페닐)에탄], 1,1'-아조비스(1-클로로-1-페닐부탄), 2,2'-아조비스(2-아세톡시-3,3-디메틸부탄), 2,2'-아조비스(2-아세톡시-4-메틸펜탄), 2,2'-아조비스(2-프로피온옥시-3,3-디메틸부탄), 2,2'-아조비스(2-프로피온옥시-4-메틸펜탄), 2,2'-아조비스(2-이소부톡시-3,3-디메틸부탄), 2,2'-아조비스(2-이소부톡시-4-메틸펜탄), 2,2'-아조비스(2-피발옥시-3,3-디메틸부탄), 2,2'-아조비스(2-피발옥시-4-메틸펜탄), 2,2'-아조비스(2-벤조일옥시-3,3-디메틸부탄), 2,2'-아조비스(2-벤조일옥시-4-메틸펜탄), 2,2'-아조비스(2-아세톡시프로판), 2,2'-아조비스(2-아세톡시부탄), 2,2'-아조비스(2-아세톡시-3-메틸부탄), 2,2'-아조비스(2-프로피온옥시프로판), 2,2'-아조비스(2-프로피온옥시부탄), 2,2'-아조비스(2-프로피온옥시-3-메틸프로판), 2,2'-아조비스(2-이소부틸옥시프로판), 2,2'-아조비스(2-이소부틸옥시부탄), 2,2'-아조비스(2-이소부틸옥시-3-메틸부탄), 2,2'-아조비스(2-피발옥시프로판), 2,2'-아조비스(2-피발옥시부탄), 2,2'-아조비스(2-피발옥시-3-메틸부탄), 2,2'-아조비스(2,4,4-트리메틸펜탄), 2,2'-아조비스(2-메틸프로판), 1,1'-아조비스(1-메톡시사이클로헥산), 2,2'-아조비스(2-메틸-N-페닐프로피온아미딘)디하이드로클로라이드, 2,2'-아조비스[N-(4-하이드록시페닐)-2-메틸프로피온아미딘]디하이드로클로라이드, 2,2'-아조비스[2-메틸-N-(2-프로페닐)프로피온아미딘]디하이드로클로라이드, 2,2'-아조비스[N-(2-하이드록시에틸)-2-메틸프로피온아미딘]디하이드로클로라이드, 2,2'-아조비스[2-(5-메틸-2-이미다졸린-2-일)프로판]디하이드로클로라이드, 2,2'-아조비스[2-(4,5,6,7-테트라하이드로-1H-1,3-디아제핀-2-일)프로판]디하이드로클로라이드, 2,2'-아조비스[2-(5-하이드록시-3,4,5,6-테트라하이드로피리미딘-2-일)프로판]디하이드로클로라이드, 2,2'-아조비스[N-(2-프로필)-2-메틸프로피온아미드], 2,2'-아조비스[2-(2-이미다졸린-2-일)프로판], 2,2'-아조비스{2-메틸-N-[비스(하이드록시메틸)-2-하이드록시에틸]프로피온아미드}, 2,2'-아조비스{2-메틸-N-[1,1-비스(하이드록시메틸)에틸]프로피온아미드}, 2,2'-아조비스[2-메틸-N-(2-하이드록시메틸)프로피온아미드], 2,2'-아조비스{2-메틸프로피온아미드}디하이드레이트 등을 들 수 있으며, 바람직한 중합 개시제는 1,1'-아조비스(1-아세톡시-1-페닐에탄), 1,1'-아조비스(1-프로피온옥시-1-페닐에탄), 1,1'-아조비스(1-이소부틸옥시-1-페닐에탄), 1,1'-아조비스(1-피발옥시-1-페닐에탄), 1,1'-아조비스(1-아세톡시-1-페닐프로판), 1,1'-아조비스[1-아세톡시-1-(p-메틸페닐)에탄], 1,1'-아조비스[1-아세톡시-1-(p-클로로페닐)에탄], 1,1'-아조비스(1-아세톡시-1-페닐부탄), 디메틸 2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)이다.
또한, 시아노기를 갖는 아조계 중합 개시제로서는 1,1'-아조비스(사이클로헥산-1-카보니트릴), 2,2'-아조비스(2-메틸부티로니트릴), 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸-4-메톡시발레로니트릴), 디메틸 2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)를 들 수 있으며, 바람직한 중합 개시제는 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 디메틸 2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)이다. 또한, 시아노기를 갖지 않는 아조계 중합 개시제와 시아노기를 갖는 아조계 중합 개시제의 몰 비는 100:0 내지 20:80이다. 시아노기를 갖는 아조계 중합 개시제의 몰 비가 80몰%를 초과하면 수득된 막의 광투과율이 원하는 투과율을 나타내지 않게 되는 바, 경시 안정성에도 문제가 생긴다. 중합 개시제로서, 시아노기를 갖지 않는 아조계 중합 개시제와 시아노기를 갖는 아조계 중합 개시제를 병용할 때의 시아노기를 갖지 않은 아조계 중합 개시제와 시아노기를 갖는 아조계 중합 개시제의 몰 비는 바람직하게는 20:80 내지 80:20, 보다 바람직하게는 30:70 내지 70:30이다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에서 사용되는 알칼리 가용성의 아크릴계 수지를 제조할 때에 중합 개시제 이외의 조건은 종래부터 공지되어 있는 어떠한 조건도 사용할 수 있다. 또한, 중합법도 종래에 공지된 방법이면 어떤 것도 양호하지만, 용액 중합법이 바람직한 방법이다. 용액 중합할 때에 사용되는 중합 용매로서는 메탄올, 에탄올 등의 알콜류; 테트라하이드로푸란 등의 에테르류; 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 등의 글리콜 에테르류; 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 등의 에틸렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트류; 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 에틸메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 등의 디에틸렌 글리콜류; 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 등의 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르 아세테이트류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; 메틸 에틸 케톤, 사이클로헥사논, 4-하이드록시-4-메틸-2-펜타논 등의 케톤류; 2-하이드록시프로피온산에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산메틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산에틸, 에톡시아세트산에틸, 하이드록시아세트산에틸, 2-하이드록시-2-메틸부탄산메틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸 등의 에스테르류를 들 수 있다. 이들 중에서는 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르 등의 글리콜 에테르류; 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 등의 에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르 아세테이트류; 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르 아세테이트 등의 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르 아세테이트류; 2-하이드록시프로피온산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸 등의 에스테르류; 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르 등의 디에틸렌 글리콜류가 각 단량체의 용해성 및 중합반응할 때에 겔이 발생되지 않는 점에서 용매로서 적합한 것이다. 용액 중합에서는 아크릴산 에스테르, 메타크릴산 에스테르, 기타 중합성 단량체를 적절한 농도로 용매에 용해시키고, 이러한 용액에 중합 개시제를 첨가하며, 적절한 온도로 중합이 실시된다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에서 사용되는 알칼리 가용성의 아크릴계 수지로서는 (a) 알칼리 가용성의 폴리아크릴산 에스테르, (b) 알칼리 가용성의 폴리메타크릴산 에스테르 및 (c) 하나 이상의 아크릴산 에스테르와 하나 이상의 메타크릴산 에스테르를 구성 단위로서 함유하는 알칼리 가용성의 폴리(아크릴산 에스테르·메타크릴산 에스테르)를 들 수 있다. 이들 아크릴계 수지는 단독 또는 둘 이상 병용할 수 있다. 또한, 이들 아크릴계 수지는 수지를 알칼리 가용성으로 하기 위해 유기산 단량체를 공중합 성분으로서 함유하는 것이 바람직하지만, 수지에 알칼리 가용성을 부여하는 공중합 성분이 유기산 단량체로 한정되는 것은 아니다.
이들 알칼리 가용성의 폴리아크릴산 에스테르, 폴리메타크릴산 에스테르, 폴리(아크릴산 에스테르·메타크릴산 에스테르)를 구성하는 단량체 성분으로서는 아크릴산 에스테르, 메타크릴산 에스테르, 유기산 단량체 및 기타 공중합성 단량체를 들 수 있다. 이들 중합체를 구성하는 단량체 성분으로서는 하기 예시의 아크릴산 에스테르, 메타크릴산 에스테르, 유기산 단량체가 바람직한 것이다.
아크릴산 에스테르:
메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, n-프로필아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, n-헥실아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, t-부틸아크릴레이트, 사이클로헥실아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 2-클로로에틸아크릴레이트, 메틸-α-클로로아크릴레이트, 페닐-α-브로모아크릴레이트 등.
메타크릴산 에스테르:
메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, n-프로필메타크릴레이트, n-부틸메타크릴레이트, n-헥실메타크릴레이트, 이소프로필메타크릴레이트, 이소부틸메타크릴레이트, t-부틸메타크릴레이트, 사이클로헥실메타크릴레이트, 벤질메타크릴레이트, 페닐메타크릴레이트, 1-페닐에틸메타크릴레이트, 2-페닐에틸메타크릴레이트, 푸르푸릴메타크릴레이트, 디페닐메틸메타크릴레이트, 펜타클로로페닐메타크릴레이트, 나프틸메타크릴레이트, 이소보로닐메타크릴레이트, 하이드록시에틸메타크릴레이트, 하이드록시프로필메타크릴레이트 등.
유기산 단량체:
아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산 등의 모노카복실산, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산 등의 디카복실산 및 이들 디카복실산의 무수물, 2-아크릴로일하이드로젠프탈레이트, 2-아크릴로일옥시프로필하이드로젠프탈레이트 등.
또한, 기타 공중합성 단량체로서는 말레산 디에스테르, 푸마르산 디에스테르, 스티렌 및 스티렌 유도체, 아크릴로니트릴, (메트)아크릴아미드, 아세트산비닐, 염화비닐, 염화비닐리덴 등을 들 수 있다. 이들 기타 공중합성 단량체는 필요에 따라 사용하면 양호하고, 이의 양도 아크릴계 수지가 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위내의 양으로 사용된다.
본 발명에서 아크릴계 수지로서 바람직한 것은 알킬(메트)아크릴레이트 유도된 구성 단위와 (메트)아크릴산 유도된 구성 단위를 포함하는 공중합체이며, 보다 바람직하게는 (메트)아크릴산을 5 내지 30몰% 함유하는 것이다.
또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물에서 사용되는 퀴논디아지드기를 갖는 감광제는 퀴논디아지드기를 갖는 감광제이면 어떤 것도 양호하지만, 나프토퀴논디아지드설폰산클로라이드나 벤조퀴논디아지드설폰산클로라이드와 같은 퀴논디아지드설폰산할라이드와, 이러한 산 할라이드와 축합반응할 수 있는 관능기를 갖는 저분자 화합물 또는 고분자 화합물을 반응시킴으로써 수득되는 것이 바람직하다. 여기서, 산 할라이드와 축합할 수 있는 관능기로서는 하이드록시기, 아미노기 등을 들 수 있으며, 특히 하이드록시기가 적절하다. 하이드록시기를 함유하는 저분자 화합물로서는 상기 화학식 I의 페놀성 화합물을 들 수 있다. 이들 퀴논디아지드기를 갖는 감광제는 본 발명에서는 감광성 수지 조성물 중의 수지 성분 100중량부에 대해 통상적으로 1 내지 30중량부의 양으로 사용된다.
또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물에는 상기 화학식 I의 페놀성 화합물이 함유된다. 화학식 I의 페놀성 하이드록실 그룹을 갖는 저분자 화합물은 본 발명의 감광성 수지 조성물에서는 통상적인 용해 억지제로서 용해속도를 조정하기 위해, 또는 감광성 수지 조성물의 막 잔류율 향상 또는 감도의 조정을 위해 적합하게 사용된다.
상기 화학식 I의 페놀성 하이드록실 그룹을 갖는 저분자 화합물로서는 o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 2,4-크실렌올, 2,5-크실렌올, 2,6-크실렌올, 비스페놀A, B, C, E, F 및 G, 4,4',4"-메틸리딘트리스페놀, 2,6-비스[(2-하이드록시-5-메틸페닐)메틸]-4-메틸페놀, 4,4'-[1-[4-[1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀, 4,4'-[1-[4-[2-(4-하이드록시페닐)-2-프로필]페닐]에틸리덴]비스페놀, 4,4',4"-에틸리딘트리스페놀, 4-[비스(4-하이드록시페닐)메틸]-2-에톡시페놀, 4,4'-[(2-하이드록시페닐)메틸렌]비스[2,3-디메틸페놀], 4,4'-[(3-하이드록시페닐)메틸렌]비스[2,6-디메틸페놀], 4,4'-[(4-하이드록시페닐)메틸렌]비스[2,6-디메틸페놀], 2,2'-[(2-하이드록시페닐)메틸렌]비스[3,5-디메틸페놀], 2,2'-[(4-하이드록시페닐)메틸렌]비스[3,5-디메틸페놀], 4,4'-[(3,4-디하이드록시페닐)메틸렌]비스[2,3,6-트리메틸페놀], 4-[비스(3-사이클로헥실-4-하이드록시-6-메틸페닐)메틸]-1,2-벤젠디올, 4,6-비스[(3,5-디메틸-4-하이드록시페닐)메틸]-1,2,3-벤젠트리올, 4,4'-[(2-하이드록시페닐)메틸렌]비스[3-메틸페놀], 4,4',4"-(3-메틸-1-프로파닐-3-일리딘)트리스페놀, 4,4',4",4"'-(1,4-페닐렌디메틸리딘)테트라키스페놀, 2,4,6-트리스[(3,5-디메틸-4-하이드록시페닐)메틸]-1,3-벤젠디올, 2,4,6-트리스[(3,5-디메틸-2-하이드록시페닐)메틸]-1,3-벤젠디올, 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시-3,5-비스[(하이드록시-3-메틸페닐)메틸]페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스[2,6-비스(하이드록시-3-메틸페닐)메틸]페놀 등을 들 수 있다. 또한, 바람직한 화합물로서는 4,4',4"-메틸리딘트리스페놀, 2,6-비스[(2-하이드록시-5-메틸페닐)메틸]-4-메틸페놀, 4,4'-[1-[4-[1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀, 4,4'-[1-[4-[2-(4-하이드록시페닐)-2-프로필]페닐]에틸리덴]비스페놀, 4,4',4"-에틸리딘트리스페놀 등을 들 수 있다.
이들 페놀성 하이드록실 그룹을 갖는 저분자 화합물 중에서도, 특히 상기 화학식 II의 화합물 또는 하기 화학식 III의 화합물이 바람직하다.
이들 페놀성 하이드록실 그룹을 갖는 저분자 화합물은 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대해 1 내지 20중량부의 양으로 사용된다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에는 에폭시기를 갖는 경화제가 함유된다. 이러한 에폭시기를 갖는 경화제로서는 비스페놀형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 환상 지방족계 에폭시 수지, 글리시딜 에테르계 에폭시 수지, 글리시딜 아민계 에폭시 수지, 헤테로사이클릭 에폭시 수지 등을 들 수 있다． 또한, 상기 고분자계 에폭시 수지 뿐만 아니라, 본 발명에 사용하는 경화제로서는 저분자계의 에폭시 화합물인 비스페놀 A 또는 비스페놀 F의 글리시딜 에테르 등을 사용할 수 있다. 에폭시기를 갖는 경화제는 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대해 2 내지 60중량부가 바람직하며, 10 내지 40중량부가 보다 바람직하다.
또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물에는 추가로 에폭시기와 (메트)아크릴산의 가교결합 반응을 촉진하는 경화 촉진제를 함유시키는 것이 바람직하다. 이러한 경화 촉진제로서는, 예를 들면, SI-60L, SI-80L, SI-100L, SI-110L[이상, 산신가가쿠고교(주)제] 등의 방향족 설포늄염, U-CAT SA102, U-CAT SA106, U-CAT SA506, U-CAT SA603, U-CAT 5002[이상, 선아프로(주)제] 등의 디아자비사이클로운데센염, U-CAT 5003, U-CAT 18X[이상, 선아프로(주)제]를 들 수 있다. 또한, 이미다졸계로서는 큐어졸 1B2PZ[시코쿠가세이고교(주)제]를 들 수 있다. 이들 경화 촉진제를 본 발명의 감광성 수지 조성물에 함유시킴으로써 내용매성이 보다 우수한 경화막을 형성할 수 있는 동시에 경시 안정성도 우수한 감광성 수지 조성물을 수득할 수 있다. 이러한 경화막의 내용매성의 개선은 경화 촉진제를 사용하는 경우에는 경화제의 양을 감소시킨 경우에도 가능하게 된다. 또한, 경화막의 내용매성의 개선은 알칼리 가용성 수지가 중합 개시제로서 시아노기를 갖지 않는 아조계 중합 개시제를 단독으로 사용하는 경우와 비교하여, 시아노기를 갖지 않는 아조계 중합 개시제와 시아노기를 갖는 아조계 중합 개시제를 병용하여 합성된 아크릴계 수지인 경우에 보다 바람직한 결과가 수득된다. 경화 촉진제는 에폭시기를 갖는 경화제 100중량부에 대해 0.1 내지 15중량부가 바람직하며, 1 내지 1O중량부가 보다 바람직하다.
본 발명의 알칼리 가용성 수지, 감광제, 페놀성 하이드록실 그룹을 갖는 화합물, 에폭시기를 갖는 경화제를 용해시키는 용매로서는 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 등의 에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르류, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 등의 에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르 아세테이트류, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 등의 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르류, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 등의 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르 아세테이트류, 락트산 메틸, 락트산 에틸 등의 락트산 에스테르류, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류, 메틸 에틸 케톤, 2-헵타논, 사이클로헥사논 등의 케톤류, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류, γ-부티로락톤 등의 락톤류 등을 들 수 있다. 이들 용매는 단독 또는 둘 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에는 필요에 따라 접착 보조제 및 계면활성제 등을 배합할 수 있다. 접착 보조제의 예로서는 알킬 이미다졸린, 부티르산, 알킬산, 폴리하이드록시스티렌, 폴리비닐 메틸 에테르, t-부틸 노볼락, 에폭시실란, 에폭시 중합체, 실란 등, 계면활성제의 예로서는 비이온계 계면활성제, 예를 들면, 폴리글리콜류와 이의 유도체, 즉 폴리프로필렌 글리콜 또는 폴리옥시에틸렌 라우릴 에테르, 불소 함유 계면활성제, 예를 들면, 플로라이드(상품명, 스미토모 3M사제), 메가팍[상품명, 다이니혼 잉크 가가쿠고교(주)제], 설프론[상품명, 아사히가라스(주)제] 또는 유기 실록산 계면활성제, 예를 들면, KP341[상품명, 신에쓰 가가쿠고교(주)제]가 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은 각 성분을 소정량 용매에 용해시켜 제조된다. 이 때, 각 성분은 미리 각각 개별적으로 용매에 용해시키고, 사용 직전에 각 성분을 소정 비율로 혼합하여 제조할 수 있다. 통상적으로 감광성 수지 조성물의 용액은 0.2μm의 필름 등을 사용하여 여과한 후, 사용에 제공된다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은 다음과 같은 방법에 따라 고절연성, 고투명성, 고내열성 박막으로 된다. 그리고, 이러한 박막은 평탄막 또는 층간 절연막 등으로서 적합하게 이용할 수 있다. 즉, 우선 본 발명의 감광성 수지 조성물의 용액을 필요에 따라 회로 패턴 또는 반도체 소자 등이 형성된 기판 위에 도포하고, 예비베이킹을 실시하여 감광성 수지 조성물의 도포막을 형성한다. 이어서, 소정의 마스크를 개재시켜 패턴 노광을 실시한 다음, 알칼리 현상액을 사용하여 현상처리하고, 필요에 따라 린스 처리를 실시하며, 감광성 수지 조성물의 박막 포지티브 패턴을 형성한다. 이와 같이 형성된 박막 포지티브 패턴은 전면 노광된 후, 포스트 베이킹되어, 반도체 소자나 액정 표시장치, 플라스마 디스플레이 등의 FPD의 평탄화막 또는 층간 절연막 등으로서 이용된다. 이에 따라, 내열온도가 높은 박막을 형성할 수 있다. 이때에 전면 노광에 의해 감광제가 분해하고 산이 형성되어 에폭시기를 갖는 경화제의 경화가 촉진되며, 고내열성의 피막이 형성된다고 생각된다.
상기 박막의 형성에서 감광성 수지 조성물 용액의 도포방법으로서는 스핀 도포법, 롤 도포법, 랜드 도포법, 스프레이법, 유연(流延) 도포법, 침지 도포법 등의 임의의 방법을 사용하면 양호하다. 또한, 노광에 사용되는 방사선으로서는, 예를 들면, g선, i선 등의 자외선, KrF 엑시머 레이저 또는 ArF 엑시머 레이저광 등의 원자외선, X선, 전자선 등을 들 수 있다. 또한, 현상법으로서는 패들 현상법, 침지 현상법, 요동 침지 현상법 등의 종래 광내식막의 현상법으로 사용되고 있는 방법에 따르면 양호하다. 또한, 현상제로서는 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨 등의 무기 알칼리, 암모니아, 에틸아민, 프로필아민, 디에틸아민, 디에틸아미노에탄올, 트리에틸아민 등의 유기 아민, 테트라메틸암모늄하이드록사이드 등의 4급 아민 등을 들 수 있다.
하기에 본 발명을 이의 실시예를 가지고 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 양태는 이들 실시예로 한정되는 것이 아니다.
합성예 1
교반기, 냉각관, 온도계, 질소 도입관을 구비한 2000ml 4구 플라스크에 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 700g, 메타크릴산메틸 171g, 메타크릴산2-하이드록시프로필 90g, 메타크릴산 39g, 디메틸 2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)[분자량: 230.26] 6.3g, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴[분자량: 164.21] 4.5g을 투입 교반하고, 질소를 불어 넣으면서 승온하며, 85℃에서 8시간 동안 중합하고, 중량 평균 분자량 11,000의 아크릴 공중합체 1을 수득한다.
합성예 2
교반기, 냉각관, 온도계, 질소 도입관을 구비한 2000ml 4구 플라스크에 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 700g, 메타크릴산메틸 171g, 메타크릴산2-하이드록시프로필 90g, 메타크릴산 39g, 디메틸 2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트) 12.6g을 투입 교반하고, 질소를 불어 넣으면서 승온(昇溫)하며, 85℃에서 8시간 동안 중합하고, 중량 평균 분자량 11000의 아크릴 공중합체 2를 수득한다.
합성예 3
교반기, 냉각관, 온도계, 질소 도입관을 구비한 2000ml 4구 플라스크에 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 700g, 메타크릴산메틸 171g, 메타크릴산2-하이드록시프로필 90g, 메타크릴산 39g, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 9g을 투입 교반하고, 질소를 불어 넣으면서 승온하며, 85℃에서 8시간 동안 중합하고, 중량 평균 분자량 11,000의 아크릴 공중합체 3을 수득한다.
실시예 1
합성예 1에서 수득된 아크릴 공중합체 1 100중량부와, 상기 화학식 II의 화합물과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포닐클로라이드의 에스테르화물 25중량부, 화학식 II의 페놀성 화합물 5중량부, 테크모어 VG3101L[미쓰이가가쿠(주)제] 20중량부, U-CAT SA102[선아프로(주)제] 0.4중량부를 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트/락트산에틸(75/25)에 용해시키고, 회전 도포할 때에 내식막 위에 생기는 방사선상의 주름, 소위 스트리에이션을 방지하기 위해 추가로 불소계 계면활성제, 메가팍 R-08[다이니혼 잉크 가가쿠고교(주)제] 300ppm을 첨가하고, 교반한 다음, 0.2μm의 필터로 여과하여 본 발명의 감광성 수지 조성물 1을 제조한다.
박막 패턴의 형성
이러한 조성물을 4인치 실리콘 웨이퍼 위에 회전 도포하고, 100℃, 90초 동안 열판으로 베이킹한 후, 3.0μm 두께의 내식막을 수득한다. 이러한 내식막에 캐논(주)제 g+h+i선 마스크 얼라이너(PLA-501F)로써 라인과 스페이스 폭이 1:1로 되는 각종 선폭 및 컨택트 홀의 테스트 패턴을 최적 노광량으로 노광하며, 0.4중량% 수산화테트라메틸암모늄 수용액으로 23℃, 60초 동안 현상함으로써 라인과 스페이스 폭이 1:1인 패턴 및 컨택트 홀을 형성한다. 또한, 패턴이 형성된 4인치 실리콘 웨이퍼를 PLA-501F로 전면 노광한 후, 오븐속에서 220℃, 60분 동안 가열함으로써 후베이킹 처리를 실시한다.
투과율의 평가
70mm ×70mm의 석영 유리 기판을 사용하는 이외에는 상기와 동일한 조작을 실시함으로써 박막 패턴을 갖는 유리 기판을 수득한다. 그리고, 자외선-가시광선 분광광도계 CARY4E(바리안사제)를 사용하여, 이러한 박막 패턴을 갖는 유리 기판의 400nm의 투과율을 측정한다. 결과를 표 1에 기재한다.
내용매성의 평가
투과율의 평가와 동일한 조작을 실시하여 수득한 유리 기판을 Remover100(클라이언트사제) 중에 80℃, 1분 동안 침지한 후, 순수 린스를 실시하고, 200℃, 15분 동안의 재베이킹 처리를 실시한다. 용매 침지전의 투과율과 재베이킹 처리후의 투과율 차이가 3% 미만인 것은 ◎, 투과율 차이가 5% 미만인 것은 ○, 투과율 차이가 5% 이상인 것은 ×로서 평가한다. 결과를 표 1에 기재한다.
경시 안정성의 평가
조성물 1을 5℃, 10일 동안 정치한 내식막을 샘플 A로 하고, 23℃, 10일 동안 정치한 내식막을 샘플 B로 한다. 샘플 A 및 샘플 B의 각각에 대해 4인치 실리콘 웨이퍼 위에 회전 도포하고, 100℃, 90초 동안 열판으로 베이킹한 후, 3.0μm 두께의 내식막을 수득한다. 이러한 내식막에 캐논(주)제 g+h+i선 마스크 얼라이너(PLA-501F)로써 라인과 스페이스 폭이 1:1로 되는 각종 선폭 및 컨택트 홀의 테스트 패턴을 최적 노광량으로 노광하고, 0.4중량% 수산화테트라메틸암모늄 수용액으로 23℃, 60초 동안 현상함으로써 라인과 스페이스 폭이 1:1인 패턴 및 컨택트 홀을 형성한다. 현상후의 내식막 두께를 도포후의 내식막 두께로 나눈 값을 백분률로 표시한 값을 막 잔류율로서 정의하고, 이러한 막 잔류율의 값으로 경시 안정성을 평가한다. 평가는 샘플 A와 샘플 B의 막 잔류율의 차이가 3% 미만인 것은 ◎, 3% 내지 5% 미만인 것은 ○, 5% 이상인 것은 ×로서 한다. 결과를 표 1에 기재한다.
열 수축성의 평가
220℃, 60분 동안의 후베이킹 처리의 전후에 막 두께 측정을 실시하고, 후베이킹 처리전의 막 두께와 처리후의 막 두께 차이가 4000Å 미만인 것은 ○, 막 두께 차이가 4000Å 이상인 것은 ×로 한다. 결과를 표 1에 기재한다.
실시예 2
아크릴 공중합체 1을 대체하여 합성예 2에서 수득된 아크릴 공중합체 2를 사용하는 것을 제외하고 실시예 1과 동일하게 하여 표 1의 결과를 수득한다.
실시예 3
아크릴 공중합체 1을 대체하여 합성예 2에서 수득된 아크릴 공중합체 2를 사용하고 테크모어 VG3101L[미쓰이가가쿠(주)제]를 10중량부로 하며 U-CAT SA102[선아프로(주)제]는 사용하지 않는 것을 제외하고 실시예 1과 동일하게 하여 표 1의 결과를 수득한다.
비교예 1
합성예 1에서 수득된 아크릴 공중합체 1을 대체하여 합성예 3에서 수득된 아크릴 공중합체 3을 사용하는 것을 제외하고 실시예 1과 동일하게 하여 표 1의 결과를 수득한다.
투과율(%) 내용매성 경시 안정성 열 수축성
실시예 1 94.5 ◎ ◎ Ｏ
실시예 2 96.7 ◎ ◎ Ｏ
실시예 3 96.8 Ｏ ◎ Ｏ
비교예 1 83.5 ◎ Ｘ Ｏ
이상의 결과로부터, 아크릴계 수지의 합성에서 중합 개시제로서 시아노기를 갖지 않는 아조계 중합 개시제를 사용함으로써 투과율이 매우 양호한 막을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물이 수득되는 것을 알았다. 또한, 중합 개시제로서 시아노기를 갖지 않는 아조계 중합 개시제와 시아노기를 갖는 아조계 중합 개시제를 병용함으로써 투과율, 내용매성, 경시 안정성, 내열성 등의 각종 특성이 균형잡힌 우수한 감광성 수지 조성물을 수득할 수 있는 것을 알았다. 또한, 경화 촉진제를 사용함으로써 감광성 수지 조성물의 경시 안정성은 유지하면서 내용매성을 개선할 수 있는 것을 알았다.
또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 형성된 막은 고온 베이킹 후에 막의 평탄성의 유지성도 양호한 동시에 저유전율을 나타내며, TFT 등의 층간 절연막, 평탄화막 등에서 요구되는 절연성의 조건을 만족시키는 것이다.
상기한 점으로부터, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 투명성이 양호할 뿐만 아니라, 각종 특성도 우수한 점으로부터, 내식막 재료로서의 사용 이외에 특히 FPD, 반도체 소자 등의 층간 절연막, 평탄화막 등의 소재로서 적합하다.
이상 기재된 바와 같이, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 후베이킹 후의 양호한 투명성을 갖는 동시에 경시 안정성이 우수하고, 형성된 막의 내열성, 내용매성, 절연성, 고온 베이킹 후에 막 표면의 평탄성의 유지성도 우수하므로, 특히 FPD, 반도체 소자 등의 평탄화막, 층간 절연막 등으로서 적합하게 사용할 수 있다.

Claims (12)

  1. 알칼리 가용성 수지와 퀴논디아지드기를 갖는 감광제를 함유하는 감광성 수지 조성물에 있어서,
    알칼리 가용성 수지가, 중합 개시제로서, 시아노기를 갖지 않는 아조계 중합 개시제를 사용하여 합성된 아크릴계 수지이고, 다음 화학식 I의 페놀성 화합물 및 에폭시기를 갖는 경화제를 함유함을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
    화학식 I
    위의 화학식 I에서,
    R1, R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 각각 독립적으로 H, C1-C4 알킬 또는 이고,
    m 및 n은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며,
    a, b, c, d, e, f, g 및 h는, a+b ≤5, c+d ≤5, e+f ≤5, g+h ≤5를 만족시키는, 0 내지 5의 정수이고,
    i는 0 내지 2의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서, 아크릴계 수지가, 중합 개시제로서, 시아노기를 갖지 않는 아조계 중합 개시제와 시아노기를 갖는 아조계 중합 개시제를 사용하여 합성된 아크릴계 수지임을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 시아노기를 갖지 않는 아조계 중합 개시제와 시아노기를 갖는 아조계 중합 개시제의 몰 비가 20:80 내지 80:20임을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 아크릴계 수지가 알킬(메트)아크릴레이트 유도된 구성 단위와 (메트)아크릴산 유도된 구성 단위를 함유함을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 아크릴계 수지가 (메트)아크릴산 유도된 구성 단위를 5 내지 30몰% 함유함을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 퀴논디아지드기를 갖는 감광제가 화학식 I의 화합물과 나프토퀴논디아지드 화합물과의 반응 생성물임을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 화학식 I의 페놀성 화합물이 다음 화학식 II의 화합물임을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
    화학식 II
  8. 제1항에 있어서, 아크릴계 수지의 폴리스티렌 환산 평균 분자량이 5,000 내지 30,000임을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 경화 촉진제를 추가로 함유함을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  10. 제1항에 따르는 감광성 수지 조성물로 제조한 평탄화막 또는 층간 절연막을 갖는 플랫 패널 디스플레이.
  11. 제1항에 따르는 감광성 수지 조성물로 제조한 평탄화막 또는 층간 절연막을 갖는 반도체 소자.
  12. 제1항에 따르는 감광성 수지 조성물을 사용하여 패턴화한 다음, 전면 노광을 실시하고, 이어서 후베이킹을 실시함을 특징으로 하는, 내열성 박막의 형성방법.
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