JPH1069077A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
ポジ型レジスト組成物Info
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- JPH1069077A JPH1069077A JP24425996A JP24425996A JPH1069077A JP H1069077 A JPH1069077 A JP H1069077A JP 24425996 A JP24425996 A JP 24425996A JP 24425996 A JP24425996 A JP 24425996A JP H1069077 A JPH1069077 A JP H1069077A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【解決手段】 下記式（１）で示され、Ｒの２〜２７モ
ル％が１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸
エステル残基及び／又は１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸エステル残基であり、残部が水素原子
である重量平均分子量１，０００〜１０，０００の樹脂
１００重量部に対して、下記一般式（２）で示されるフ
ェノール性水酸基を有する溶解促進剤を０．５〜１０重
量部の割合で含有し、更にこれらを溶解する溶剤を含有
してなるポジ型レジスト組成物。 【効果】 均一性に優れ、高感度、高解像度で、耐熱
性、残膜性に優れたポジ型レジスト材料として好適に使
用し得る。
ル％が１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸
エステル残基及び／又は１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸エステル残基であり、残部が水素原子
である重量平均分子量１，０００〜１０，０００の樹脂
１００重量部に対して、下記一般式（２）で示されるフ
ェノール性水酸基を有する溶解促進剤を０．５〜１０重
量部の割合で含有し、更にこれらを溶解する溶剤を含有
してなるポジ型レジスト組成物。 【効果】 均一性に優れ、高感度、高解像度で、耐熱
性、残膜性に優れたポジ型レジスト材料として好適に使
用し得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高解像度で耐熱
性、残膜性に優れたレジスト膜を与えるノボラック系の
ポジ型レジスト組成物に関する。
性、残膜性に優れたレジスト膜を与えるノボラック系の
ポジ型レジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
ノボラック系レジスト組成物は、ノボラック樹脂と感光
剤の二成分を主成分として調製されてきた。しかしなが
ら、より高解像度で耐熱性、残膜性に優れかつ各種露光
機の光源の波長に合ったレジスト組成物を得るため、ノ
ボラック樹脂及び感光剤の両方の面から数々の工夫がな
されてきた。ノボラック樹脂の面から一例を挙げれば、
合成するノボラック樹脂の平均分子量が小さくなるとレ
ジストとしての解像度は向上する反面、耐熱性、残膜性
に劣ったものとなる（ＢＲＥＡＫ ＴＨＲＯＵＧＨ，１
９９２年２月号，１８頁）。そのため、合成したノボラ
ック樹脂を再沈殿法等の処理によって、低分子量ノボラ
ック樹脂を除去する等の手法が提案されている。また、
感光剤の面から一例を挙げれば、露光機の光源がｇ線か
らｉ線に変化していく場合には、従来用いられてきたベ
ンゾフェノン系感光剤ではレジスト膜中を光が透過しづ
らくなるため、ｉ線での吸収のより少ない非ベンゾフェ
ノン系の感光剤を用いる等の提案がなされてきた（日経
マイクロデバイス，１９９２年４月号，４５頁）。
ノボラック系レジスト組成物は、ノボラック樹脂と感光
剤の二成分を主成分として調製されてきた。しかしなが
ら、より高解像度で耐熱性、残膜性に優れかつ各種露光
機の光源の波長に合ったレジスト組成物を得るため、ノ
ボラック樹脂及び感光剤の両方の面から数々の工夫がな
されてきた。ノボラック樹脂の面から一例を挙げれば、
合成するノボラック樹脂の平均分子量が小さくなるとレ
ジストとしての解像度は向上する反面、耐熱性、残膜性
に劣ったものとなる（ＢＲＥＡＫ ＴＨＲＯＵＧＨ，１
９９２年２月号，１８頁）。そのため、合成したノボラ
ック樹脂を再沈殿法等の処理によって、低分子量ノボラ
ック樹脂を除去する等の手法が提案されている。また、
感光剤の面から一例を挙げれば、露光機の光源がｇ線か
らｉ線に変化していく場合には、従来用いられてきたベ
ンゾフェノン系感光剤ではレジスト膜中を光が透過しづ
らくなるため、ｉ線での吸収のより少ない非ベンゾフェ
ノン系の感光剤を用いる等の提案がなされてきた（日経
マイクロデバイス，１９９２年４月号，４５頁）。
【０００３】しかし、これらの手法を組み合わせ、より
高解像度のレジスト組成物を実現するためには、レジス
ト組成物の製造工程において多くの追加工程が必要とな
り、コストアップの原因につながる等の不利があった。
高解像度のレジスト組成物を実現するためには、レジス
ト組成物の製造工程において多くの追加工程が必要とな
り、コストアップの原因につながる等の不利があった。
【０００４】本発明は上記事情を改善するためになされ
たもので、高解像度で、かつ耐熱性、残膜性に優れたレ
ジスト膜を与えるノボラック系のポジ型レジスト組成物
を提供することを目的とする。
たもので、高解像度で、かつ耐熱性、残膜性に優れたレ
ジスト膜を与えるノボラック系のポジ型レジスト組成物
を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った
結果、下記一般構造式（１）で示される繰り返し単位を
有するクレゾール又はキシレノールノボラック樹脂等の
アルカリ可溶性樹脂において、部分的に１，２−ナフト
キノンジアジド−４又は５−スルホン酸エステル化され
た重量平均分子量１，０００〜１０，０００の樹脂１０
０重量部に対して、下記一般式（２）で示されるフェノ
ール性水酸基を有する溶解促進剤を０．５〜１０重量部
の範囲で配合した組成物が、均一性に優れ、高感度、高
解像度で、耐熱性、残膜性に優れたレジスト皮膜を与え
ることを知見し、本発明をなすに至ったものである。
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った
結果、下記一般構造式（１）で示される繰り返し単位を
有するクレゾール又はキシレノールノボラック樹脂等の
アルカリ可溶性樹脂において、部分的に１，２−ナフト
キノンジアジド−４又は５−スルホン酸エステル化され
た重量平均分子量１，０００〜１０，０００の樹脂１０
０重量部に対して、下記一般式（２）で示されるフェノ
ール性水酸基を有する溶解促進剤を０．５〜１０重量部
の範囲で配合した組成物が、均一性に優れ、高感度、高
解像度で、耐熱性、残膜性に優れたレジスト皮膜を与え
ることを知見し、本発明をなすに至ったものである。
【０００６】
【化３】 （式中、Ｒはその２〜２７モル％が１，２−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホン酸エステル残基及び／又は
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステ
ル残基であり、残部が水素原子である。ｋは０〜３の整
数、ｓは上記重量平均分子量を満たす数である。）
ンジアジド−４−スルホン酸エステル残基及び／又は
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステ
ル残基であり、残部が水素原子である。ｋは０〜３の整
数、ｓは上記重量平均分子量を満たす数である。）
【０００７】
【化４】 （式中、ｍ，ｐはそれぞれ０〜３の整数、ｎは１又は
２、ｑは１〜３、ｒは１又は２の整数である。）
２、ｑは１〜３、ｒは１又は２の整数である。）
【０００８】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
【０００９】本発明のポジ型レジスト組成物は、下記一
般構造式（１）で示される繰り返し単位を有する重量平
均分子量１，０００〜１０，０００の樹脂１００重量部
に対して、下記一般式（２）で示されるフェノール性水
酸基を有する溶解促進剤を０．５〜１０重量部の割合で
含有し、更にこれらを溶解する溶剤を含有してなるもの
である。
般構造式（１）で示される繰り返し単位を有する重量平
均分子量１，０００〜１０，０００の樹脂１００重量部
に対して、下記一般式（２）で示されるフェノール性水
酸基を有する溶解促進剤を０．５〜１０重量部の割合で
含有し、更にこれらを溶解する溶剤を含有してなるもの
である。
【００１０】
【化５】
【００１１】ここで、式（１）中、Ｒは水素原子、１，
２−ナフトキノンジアジド−４又は５−スルホン酸エス
テル残基であり、かつスルホン酸エステル残基の割合が
２〜２７モル％、より好ましくは３〜１０モル％であ
り、ｋは０〜３の整数、またｓは上記重量平均分子量を
満たす数である。エステル化率が２モル％未満の場合に
は、パターン未露光部のアルカリ現像液に対する溶解阻
止効果が十分ではなく、ポジ型パターンが得られず、ま
た２７モル％を超える場合には、露光部のアルカリ水溶
液に対する溶解性が十分ではなく、解像性が劣る。
２−ナフトキノンジアジド−４又は５−スルホン酸エス
テル残基であり、かつスルホン酸エステル残基の割合が
２〜２７モル％、より好ましくは３〜１０モル％であ
り、ｋは０〜３の整数、またｓは上記重量平均分子量を
満たす数である。エステル化率が２モル％未満の場合に
は、パターン未露光部のアルカリ現像液に対する溶解阻
止効果が十分ではなく、ポジ型パターンが得られず、ま
た２７モル％を超える場合には、露光部のアルカリ水溶
液に対する溶解性が十分ではなく、解像性が劣る。
【００１２】また、この樹脂の重量平均分子量は１，０
００〜１０，０００、より好ましくは２，０００〜８，
０００であり、１，０００未満では耐熱性が十分ではな
く、また１０，０００を超えるとパターン形成時の解像
性、感度に劣る。
００〜１０，０００、より好ましくは２，０００〜８，
０００であり、１，０００未満では耐熱性が十分ではな
く、また１０，０００を超えるとパターン形成時の解像
性、感度に劣る。
【００１３】式（２）中のｍ，ｐはそれぞれ０〜３の整
数、ｎは１又は２、ｑは１〜３、ｒは１又は２の整数で
ある。
数、ｎは１又は２、ｑは１〜３、ｒは１又は２の整数で
ある。
【００１４】このようなフェノール性水酸基を有する溶
解促進剤として具体的には、下記のものが挙げられる。
解促進剤として具体的には、下記のものが挙げられる。
【００１５】
【化６】
【００１６】
【化７】
【００１７】
【化８】
【００１８】
【化９】
【００１９】
【化１０】
【００２０】これらのフェノール性水酸基を有する溶解
促進剤の添加量は、樹脂１００重量部に対して０．５〜
１０重量部であることが必要である。０．５重量部より
少ない場合には、高感度化が十分に達成し得ず、１０重
量部を超える場合には、露光、現像後のパターン形状に
おいてマイクログルーブと呼ばれるレジストパターンボ
トム部に生じる変形が起こり、パターン矩形性に劣る。
促進剤の添加量は、樹脂１００重量部に対して０．５〜
１０重量部であることが必要である。０．５重量部より
少ない場合には、高感度化が十分に達成し得ず、１０重
量部を超える場合には、露光、現像後のパターン形状に
おいてマイクログルーブと呼ばれるレジストパターンボ
トム部に生じる変形が起こり、パターン矩形性に劣る。
【００２１】本発明のポジ型レジスト組成物は、樹脂と
溶解促進剤を好ましくは固形分濃度が１０〜６０重量部
となるように適当な溶剤に溶解して得られる。
溶解促進剤を好ましくは固形分濃度が１０〜６０重量部
となるように適当な溶剤に溶解して得られる。
【００２２】溶剤としては、例えばエチレングリコール
モノアルキルエーテル及びそのアセテート類、プロピレ
ングリコールモノアルキルエーテル及びそのアセテート
類、ジエチレングリコールモノ或いはジアルキルエーテ
ル類、乳酸アルキルエステル類、アルコキシプロピオン
酸アルキルエステル類、メチルイソブチルケトン、シク
ロヘキサノン等のケトン類、酢酸ブチル等の酢酸エステ
ル類などが挙げられる。これらの溶剤は、単独で又は２
種類以上を混合して用いることができる。
モノアルキルエーテル及びそのアセテート類、プロピレ
ングリコールモノアルキルエーテル及びそのアセテート
類、ジエチレングリコールモノ或いはジアルキルエーテ
ル類、乳酸アルキルエステル類、アルコキシプロピオン
酸アルキルエステル類、メチルイソブチルケトン、シク
ロヘキサノン等のケトン類、酢酸ブチル等の酢酸エステ
ル類などが挙げられる。これらの溶剤は、単独で又は２
種類以上を混合して用いることができる。
【００２３】また、本発明の組成物には、必要に応じて
塗布性を改良するために、ノニオン系、フッ素系、シリ
コーン系等の界面活性剤を添加することができる。
塗布性を改良するために、ノニオン系、フッ素系、シリ
コーン系等の界面活性剤を添加することができる。
【００２４】本発明のポジ型レジスト組成物を用いて放
射線照射によるレジストパターンを形成する際の使用法
は、特に限定されるものではなく、慣用の方法に従って
行うことができる。
射線照射によるレジストパターンを形成する際の使用法
は、特に限定されるものではなく、慣用の方法に従って
行うことができる。
【００２５】例えば本発明の組成物溶液をシリコンウエ
ハー等の基材上にスピンコートし、プリベークする。そ
の後、プロキシミティーアライナーやステッパー等の露
光装置によって、紫外線を照射し、更に、現像、リンス
することによって目的とするレジストパターンを形成す
ることができる。なお、現像液としては、水酸化ナトリ
ウム、炭酸ナトリウム等の無機アルカリ水溶液、トリエ
タノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド、コリン等の有機アルカリ水溶液を使用することがで
きる。
ハー等の基材上にスピンコートし、プリベークする。そ
の後、プロキシミティーアライナーやステッパー等の露
光装置によって、紫外線を照射し、更に、現像、リンス
することによって目的とするレジストパターンを形成す
ることができる。なお、現像液としては、水酸化ナトリ
ウム、炭酸ナトリウム等の無機アルカリ水溶液、トリエ
タノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド、コリン等の有機アルカリ水溶液を使用することがで
きる。
【００２６】
【発明の効果】本発明のレジスト組成物は、アルカリ可
溶性樹脂と感光剤との両方の性能を兼備したノボラック
樹脂と、フェノール性水酸基を有する溶解促進剤とを主
成分としたもので、均一性に優れ、高感度、高解像度
で、耐熱性、残膜性に優れたポジ型レジスト材料として
好適に使用し得る。
溶性樹脂と感光剤との両方の性能を兼備したノボラック
樹脂と、フェノール性水酸基を有する溶解促進剤とを主
成分としたもので、均一性に優れ、高感度、高解像度
で、耐熱性、残膜性に優れたポジ型レジスト材料として
好適に使用し得る。
【００２７】
【実施例】以下、合成例、実施例及び比較例を示して本
発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限
されるものではない。
発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限
されるものではない。
【００２８】また、各例においてレジスト組成物の諸性
能の評価は下記の方法によって行った。 （１）アルカリ可溶性樹脂の平均重量分子量Ｍｗ 東洋ソーダ社製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００Ｈ6２本、Ｇ
３０００Ｈ6３本、Ｇ４０００Ｈ6１本）を用い、流量
１．５ｍｌ／分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム
温度４０℃の分析条件で単分散ポリスチレンを標準とし
てＧＰＣ法によって測定した。 （２）レジスト膜厚 大日本スクリーン社製スピンコーター（ＳＫＷ−６３６
−ＢＶ）を用い、ＨＭＤＳ処理をしたシリコンウエハー
上に調製したレジスト組成物を塗布し、１００℃×１２
０秒、ホットプレート上でソフトベークした後、ナノス
ペックＭ２１０（商品名：光学的膜厚測定装置）でレジ
スト膜厚を測定した。 （３）最適露光量Ｅｏｐ ニコン社製ｉ線（３６５ｎｍ）露光装置ＮＳＲ−１７５
５ｉ７Ａ（レンズの開口数ＮＡ＝０．５０）で露光時間
を変化させて露光した後、テトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイド（ＴＭＡＨ）の２．３８％水溶液を現
像液として用い、２３℃×１５０秒間のパドル現像を行
い、純水リンスをした後、スピンドライを行った。次い
で、日立製作所社製電子顕微鏡（Ｓ−４１００）にて１
０μｍのラインアンドスペースパターンを１：１の比率
の幅に形成していた時の露光エネルギーを最適露光量Ｅ
ｏｐ（感度）と定義し、求めた。 （４）解像度 上記（３）における最適露光量Ｅｏｐにおける分離解像
度を示した。 （５）耐熱性 パターニング形成されたシリコンウエハー上のレジスト
膜を更にホットプレート上で１３０℃にて５分間加熱
し、１０μｍのラインアンドスペースのパターン形状が
加熱後も保持されているかどうかで判断した。
能の評価は下記の方法によって行った。 （１）アルカリ可溶性樹脂の平均重量分子量Ｍｗ 東洋ソーダ社製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００Ｈ6２本、Ｇ
３０００Ｈ6３本、Ｇ４０００Ｈ6１本）を用い、流量
１．５ｍｌ／分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム
温度４０℃の分析条件で単分散ポリスチレンを標準とし
てＧＰＣ法によって測定した。 （２）レジスト膜厚 大日本スクリーン社製スピンコーター（ＳＫＷ−６３６
−ＢＶ）を用い、ＨＭＤＳ処理をしたシリコンウエハー
上に調製したレジスト組成物を塗布し、１００℃×１２
０秒、ホットプレート上でソフトベークした後、ナノス
ペックＭ２１０（商品名：光学的膜厚測定装置）でレジ
スト膜厚を測定した。 （３）最適露光量Ｅｏｐ ニコン社製ｉ線（３６５ｎｍ）露光装置ＮＳＲ−１７５
５ｉ７Ａ（レンズの開口数ＮＡ＝０．５０）で露光時間
を変化させて露光した後、テトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイド（ＴＭＡＨ）の２．３８％水溶液を現
像液として用い、２３℃×１５０秒間のパドル現像を行
い、純水リンスをした後、スピンドライを行った。次い
で、日立製作所社製電子顕微鏡（Ｓ−４１００）にて１
０μｍのラインアンドスペースパターンを１：１の比率
の幅に形成していた時の露光エネルギーを最適露光量Ｅ
ｏｐ（感度）と定義し、求めた。 （４）解像度 上記（３）における最適露光量Ｅｏｐにおける分離解像
度を示した。 （５）耐熱性 パターニング形成されたシリコンウエハー上のレジスト
膜を更にホットプレート上で１３０℃にて５分間加熱
し、１０μｍのラインアンドスペースのパターン形状が
加熱後も保持されているかどうかで判断した。
【００２９】〔合成例〕撹拌機、コンデンサー、温度計
を具備した３つ口フラスコにｐ−クレゾール５０モル
％、ｍ−クレゾール５０モル％を原料とする重量平均分
子量５，７００のノボラック樹脂１３０ｇ、１，２−ナ
フトキノン−２−ジアジド−５−スルホニルクロリド１
４．１ｇ、１，４−ジオキサン６５０ｇを仕込み、溶解
した。この溶液に室温でトリエチルアミン５．６ｇを滴
下した。滴下終了後、２時間室温で撹拌し、次いで反応
溶液を大量の０．１Ｎ塩酸水溶液中に投入して、析出し
た樹脂を回収した。回収した樹脂を減圧乾燥機で乾燥し
て、１３５ｇの目的とする感光性樹脂（Ａ）を得た。
を具備した３つ口フラスコにｐ−クレゾール５０モル
％、ｍ−クレゾール５０モル％を原料とする重量平均分
子量５，７００のノボラック樹脂１３０ｇ、１，２−ナ
フトキノン−２−ジアジド−５−スルホニルクロリド１
４．１ｇ、１，４−ジオキサン６５０ｇを仕込み、溶解
した。この溶液に室温でトリエチルアミン５．６ｇを滴
下した。滴下終了後、２時間室温で撹拌し、次いで反応
溶液を大量の０．１Ｎ塩酸水溶液中に投入して、析出し
た樹脂を回収した。回収した樹脂を減圧乾燥機で乾燥し
て、１３５ｇの目的とする感光性樹脂（Ａ）を得た。
【００３０】〔実施例１〕上記合成例で得られた部分的
に１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スルホニ
ルエステル化されたノボラック樹脂（Ａ）１００ｇ、溶
解促進剤として前記Ｃ−３４で示される化合物３．０
ｇ、フッ素系界面活性剤フロリナートＦＣ−４３０（住
友スリーエム製）０．０３ｇをエチルラクテート１５０
ｇに溶解した。この溶液を０．５μｍのフィルターで濾
過して目的とするポジ型レジスト組成物を得た。得られ
た組成物をシリコンウエハー上にスピンコートし、その
後ホットプレート上で１００℃×１２０秒でプリベーク
して、膜厚６．０μｍの皮膜を形成した。これをｉ線ス
テッパーＮＳＲ−１７５５ｉ７Ａ（ニコン社製）にて露
光し、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液にて現像した。このときの露光量は６２０ｍ
Ｊ／ｃｍ2で、１．５μｍのストライプパターンを形成
することが可能であった。
に１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スルホニ
ルエステル化されたノボラック樹脂（Ａ）１００ｇ、溶
解促進剤として前記Ｃ−３４で示される化合物３．０
ｇ、フッ素系界面活性剤フロリナートＦＣ−４３０（住
友スリーエム製）０．０３ｇをエチルラクテート１５０
ｇに溶解した。この溶液を０．５μｍのフィルターで濾
過して目的とするポジ型レジスト組成物を得た。得られ
た組成物をシリコンウエハー上にスピンコートし、その
後ホットプレート上で１００℃×１２０秒でプリベーク
して、膜厚６．０μｍの皮膜を形成した。これをｉ線ス
テッパーＮＳＲ−１７５５ｉ７Ａ（ニコン社製）にて露
光し、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液にて現像した。このときの露光量は６２０ｍ
Ｊ／ｃｍ2で、１．５μｍのストライプパターンを形成
することが可能であった。
【００３１】〔実施例２〜５、比較例１，２〕上記実施
例１と同様にしてノボラック樹脂（Ａ）、各種溶解促進
剤、フッ素系界面活性剤及び溶剤を配合して得られたポ
ジ型レジスト組成物を実施例１と同様な方法でシリコン
ウエハー上にスピンコートし、露光、現像を行った。上
記実施例の結果を表１に、比較例の結果を表２に示す。
例１と同様にしてノボラック樹脂（Ａ）、各種溶解促進
剤、フッ素系界面活性剤及び溶剤を配合して得られたポ
ジ型レジスト組成物を実施例１と同様な方法でシリコン
ウエハー上にスピンコートし、露光、現像を行った。上
記実施例の結果を表１に、比較例の結果を表２に示す。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【表２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 優 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 犬飼 鉄也 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 加藤 英人 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 下記一般構造式（１）で示される繰り返
し単位を有する重量平均分子量１，０００〜１０，００
０の樹脂１００重量部に対して、下記一般式（２）で示
されるフェノール性水酸基を有する溶解促進剤を０．５
〜１０重量部の割合で含有し、更にこれらを溶解する溶
剤を含有してなるポジ型レジスト組成物。 【化１】 （式中、Ｒはその２〜２７モル％が１，２−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホン酸エステル残基及び／又は
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステ
ル残基であり、残部が水素原子である。ｋは０〜３の整
数、ｓは上記重量平均分子量を満たす数である。） 【化２】 （式中、ｍ，ｐはそれぞれ０〜３の整数、ｎは１又は
２、ｑは１〜３、ｒは１又は２の整数である。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24425996A JP3297984B2 (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | ポジ型レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24425996A JP3297984B2 (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | ポジ型レジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1069077A true JPH1069077A (ja) | 1998-03-10 |
| JP3297984B2 JP3297984B2 (ja) | 2002-07-02 |
Family
ID=17116099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24425996A Expired - Lifetime JP3297984B2 (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | ポジ型レジスト組成物 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP3297984B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000034829A1 (fr) * | 1998-12-10 | 2000-06-15 | Clariant International Ltd. | Composition a base de resine photosensible |
| WO2000045223A1 (fr) * | 1999-01-27 | 2000-08-03 | Clariant International Ltd. | Composition à base de résine positivement photosensible |
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-
1996
- 1996-08-27 JP JP24425996A patent/JP3297984B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| WO2000034829A1 (fr) * | 1998-12-10 | 2000-06-15 | Clariant International Ltd. | Composition a base de resine photosensible |
| EP1055969A1 (en) * | 1998-12-10 | 2000-11-29 | Clariant International Ltd. | Positively photosensitive resin composition |
| EP1055969A4 (en) * | 1998-12-10 | 2002-01-16 | Clariant Finance Bvi Ltd | PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION |
| CN1306337C (zh) * | 1998-12-10 | 2007-03-21 | Az电子材料日本株式会社 | 正性敏射线的树脂组合物 |
| WO2000045223A1 (fr) * | 1999-01-27 | 2000-08-03 | Clariant International Ltd. | Composition à base de résine positivement photosensible |
| US6869742B2 (en) | 2001-04-02 | 2005-03-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive photoresist composition |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JP3297984B2 (ja) | 2002-07-02 |
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