KR20050085758A - 검출된 웨이퍼 결함 좌표들 변환 방법 - Google Patents

검출된 웨이퍼 결함 좌표들 변환 방법 Download PDF

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KR20050085758A
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케이스 브랜크너
데이비드 엠. 스크라웁
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프리스케일 세미컨덕터, 인크.
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Abstract

CAD 데이터를 사용하여 검출된 웨이퍼 결함 좌표들을 레티클 좌표들로 변환하는 시스템들 및 방법들이 개시된다. 웨이퍼 조사 이미지가 제공되고 웨이퍼 내의 잠재적 결함들의 좌표들이 결정된다. 그 후, 웨이퍼 조사 이미지는 미리 결정된 이미지 포맷으로 변환된다. 테스트 중인 장치용 CAD 데이터는 또한 미리 결정된 이미지 포맷으로 제 2 이미지를 생성하기 위해 사용된다. 그 다음, CAD 도출 이미지 및 웨이퍼 도출 이미지가 정렬되고, 웨이퍼의 잠재적 결함들의 좌표들은 CAD 좌표들로 변환된다. CAD 좌표들은 검출된 웨이퍼 결함들에 대응하는 레티클 결함들의 위치를 찾아내기 위하여 웨이퍼용 레티클을 통해 네비게이팅하도록 사용된다.

Description

검출된 웨이퍼 결함 좌표들 변환 방법{Translating detected wafer defect coordinates}
본 발명은 일반적으로 반도체 제조 분야에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 반도체 조사 및 측정에 관한 것이다.
조사(inspection) 및 측정(measurement)은 반도체 제조의 중요한 영역들이다. 측정은 상이한 재료들의 물리적, 치수적 또는 전기적 특성들을 정확하게 측정하는 능력으로서 규정될 수 있다. 다수의 측정 도구들은 반도체 제조 공정들의 질을 모니터링하기 위해 정기적으로 이용된다. 조사는 결함들을 관찰하고 측정하는 능력에 관련되며, 조사 도구들은 이러한 목적들을 위해 사용된 다양한 광학 기구들을 포함한다. 초미세 응용들에서, 스캐닝 전기 현미경들(SEMs)과 같은 검사 기기가 널리 이용된다.
기하적 크기들이 작아짐에 따라, 웨이퍼들 및 레티클들(마스크들)의 결함들을 관찰하는 능력이 더욱 촉구되고 비용이 들게 되었다. 기존의 웨이퍼 및 레티클 검사 도구들은 그 위치가 알려질 때에만 배치될 수 있는 결함들의 위치를 찾아내도록한다. 통상적으로, 기술자들은 제품 수율에 대한 영향을 분류 및 판단할 수 있기 위하여 결함들의 위치를 결정하는 시도에 많은 시간들을 소비한다. 따라서, 결점들은 흔히 위치에 관련되는 것이 아니라 크기에만 관련되어 배치된다.
따라서, 기술 결함 감소 효과들을 최소화하고 제품 수율과 같은 측정들의 예측을 개선하는 결함 위치를 위한 방법 및 장치가 필요하다.
도 1은 본 발명의 양상을 예시한 웨이퍼의 이미지를 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 양상을 예시한 레티클의 이미지를 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시예를 예시한 상이한 레티클 필드들에 걸쳐 확산된 중계기 결함(repeater defect)의 이미지를 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 실시예를 표현하는 반도체 조사 장치의 블록도.
도 5는 본 발명의 실시예를 표현하는 변환 방법의 흐름도.
도 6은 본 발명의 양상을 예시한 동기화된 CAD 및 웨이퍼 이미지를 도시한 도면.
다음의 실시예들에 대한 필요성이 있다. 물론 본 발명은, 이들 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 테스트 중인 장치의 결함들은 테스트 중인 장치용 CAD 데이터를 사용하여 위치된다. 테스트 중인 장치의 조사 이미지가 제공되고 테스트 중인 장치의 잠재적 결함들의 좌표들이 결정된다. 그 다음, 조사 이미지는 미리 결정된 이미지 포맷으로 변환된다. 테스트 중인 장치용 CAD 데이터는 또한 미리 결정된 이미지 포맷으로 제 2 이미지를 생성하기 위해 사용된다. 그 다음, CAD 도출 이미지 및 장치 도출 이미지가 정렬되고, 웨이퍼의 잠재적 결함들의 좌표들은 CAD 좌표로 변환된다. 그 다음, CAD 좌표들은 검출된 웨이퍼 결함들에 대응하는 레티클(reticle) 결함들의 위치를 찾아내도록 하기 위하여 웨이퍼용 레티클을 통해 네비게이팅하도록 사용된다.
본 발명의 다른 양상에 따라, 장치는, 테스트 중인 웨이퍼를 유지하는 스테이지와, 상기 스테이지에 결합되어, 상기 테스트 중인 웨이퍼의 조사 이미지를 생성하고, 상기 테스트 중인 웨이퍼에서 검출된 결함들의 스테이지 좌표를 생성하는 이미지 및 결함 검출 장치, 상기 테스트 중인 웨이퍼용 CAD 데이터, 상기 스테이지 및 상기 이미지 검출 장치를 제어하도록 결합된 제어 유닛 및 상기 제어 유닛과 상기 이미지 및 결함 검출 장치에 결합되어, 상기 테스트 중인 웨이퍼의 조사 이미지와 상기 CAD 데이터 모두의 함수로서, 상기 테스트 중인 웨이퍼의 결함들의 스테이지 좌표들을 웨이퍼 레티클 좌표(reticle coordinate)들로 변환하는 동기 유닛을 포함한다.
본 발명의 이들 및 다른 실시예들은 다음의 기술 및 첨부 도면들을 참조하여 고려될 때 더욱 잘 인식하고 이해하게 될 것이다. 그러나, 본 발명의 다양일 실시예들 및 다수의 특정한 세부사항들을 나타내면서 다음의 기술이 개시에 의해 주어지며 한정하기 위한 것은 아님을 이해해야 한다. 본 발명의 기술 사상을 벗어나지 않고 본 발명의 범위 내에서 많은 대체들, 수정들, 부가들 및/또는 재배열들이 이루어질 수 있으며, 본 발명은 모든 이러한 대체들, 수정들, 부가들 및/또는 재배열들을 포함한다.
본 명세서에 첨부되어 명세서의 부분을 형성하는 도면들은 본 발명의 특정 양상들을 설명하기 위하여 포함된다. 본 발명, 및 본 발명에 제공된 시스템들의 구성요소들과 동작의 더 분명한 개념은 예시적이지만 이에 한정되지 않은, 도면들에 도시된 실시예들을 참조함으로써 더욱 쉽게 명백해질 것이며, 도면들에서, 동일한 참조 번호들(하나 이상의 도면에서 나타나는 경우)은 동일하거나 유시한 요소들을 표시한다. 본 발명은 본 명세서에 기술된 설명을 참조하여 하나 이상의 이들 도면을 참조하면 더욱 잘 이해될 수 있다. 도면들 내에 도시된 특징들이 축소 비례하여 도시될 필요가 없음을 주지해야 한다.
본 발명, 및 본 발명의 다양한 특징들 및 유리한 세부사항들은 첨부된 도면들에 도시되고 다음의 설명에 상세히 기술된 비한정적 실시예들을 참조하여 더 완전하게 설명된다. 상세한 기술 및 특정 예들이 본 발명의 특정일 실시예들을 나타내면서 예에 의해 주어질 뿐 한정하기 위한 것은 아님을 이해해야 한다. 기초를 이루는 독창적 개념의 사상 및/또는 범위 내의 다양한 대체들, 수정들, 부가들 및/또는 재배열들은 본 개시 내용으로부터 당업자에게 명백할 것이다.
제조 설비에서 웨이퍼들의 조사 동안, 중계기 결함들 및 변형들(anomalies)은 때때로 나타날 수 있다. 중계기 결함들은 웨이퍼의 각각의 레티클 필드에서 반복되고, 예를 들어 레티클 마스크 또는 플레이트가 가진 문제들로 인할 수 있는 결함들이다. 웨이퍼 결함들이 하나의 레티클 필드에서 다른 하나의 레티클 필드로 판독될 때, 조사 도구는 이러한 결함들을 플래그(flag)할 수 있고, 결함 파일에 이들을 저장할 수 있다. 결함 파일은 각각의 잠재적 검출 결함에 대한 스테이지 X-Y 좌표들을 포함한다. 리뷰 스테이션의 결함 파일을 사용하여, 리뷰 도구는 특정한 결함들 또는 손실 부분에 대해 웨이퍼 또는 다이에서 발견된 위치들로 구동될 수 있다. 불행히도, 결함 파일에서 중계기의 위치들은 상이한 레티클 필드에서 한 중계기 결함으로부터 다른 중계기 결함까지 대략 5 내지 15미크론들만큼 떨어질 수 있다. 이러한 오프셋은 예컨대, 도구마다의 스테이지 불일치들, 또는 웨이퍼와 레티클 마스크간 결함 위치들을 변환하기 어렵게 하는 기계적 허용 오차들(mechanical tolerances)로 인한 것일 수 있다.
본 발명은 조사 이미지 상에 오버레이된 컴퓨터 원용 설계(CAD) 레이아웃을 사용함으로써 반도체 부분들 등의 절대 X-Y 위치를 결정하는 방법 및/또는 장치를 포함할 수 있다. 부분들은 예를 들어, 결함 또는 변형이 될 수 있다. 본 발명은 절대 CAD X-Y 좌표를 결함 파일에 첨부함으로써 결함 또는 손실 부분을 태그(tag)하는 것을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, CAD 레이아웃 및 조사 이미지는 자동적으로 동기될 수 있다. 리뷰 도구 상의 스테이지가 다이를 가로질러 이동하면, 특정한 층에 대한 오버레이된 CAD 이미지는 나란히(in tandem) 이동할 수 있다. 이 자동화된 동기 방법은 조사 도구 스크린 상에 보여지는 이미지와 발생된 CAD 이미지 모두를 취할 수 있다. 다른 실시예에서, 오퍼레이터에는 동일한 스크린 상에 도시되는 오버레이된 CAD 및 조사 이미지가 제공될 수 있다. 본 발명에 따라 상술된 동기화가 수행되면, 중계기 결함들을 가진 특정한 웨이퍼에 대한 결함 파일은 조사 또는 리뷰 도구로 로딩되고 관심 있는 특정한 결함 또는 손실 부분에 구동될 수 있다. 결함의 절대 CAD X-Y는 태그된 결함 파일 또는 태그된 파일의 형태로 기록될 수 있다.
통상적으로, 레티클 플레이트들은 인쇄되는 장치보다 4배 더 크며, 레티클 필드의 미러 이미지(mirror image)이다. 일 실시예에서, CAD X-Y 좌표는 레티클 플레이트와 레티클 필드간 차들을 보상하는데 따라 변환될 수 있다. 제조 검사 도구와 구조상 유사한 레티클 플레이트 리뷰 도구는 CAD X-Y 좌표를 사용하여 정확한 결함 위치에 정확하게 구동될 수 있다. 결함 영역이 레티클 플레이트 상에서 정확하게 발견되면, 특정 부분이 가진 가능한 문제들을 결정하기 위한 분석 도구들이 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 레티클 플레이트를 수리한 후에 인쇄 테스트가 수행될 수 있고, 수리의 출력을 결정하기 위해 웨이퍼 검사 리뷰 도구들이 동일한 위치들로 복귀할 수 있다. 마스크 작업장의 플레이트 상에 발견된 부가의 결함 위치들은 또한 본 명세서에 기술된 방법들을 사용하여 보고될 수 있고, 웨이퍼 제조 인라인 조사 도구들은 절대 CAD X-Y 좌표들을 사용하여 동일한 위치들에 구동될 수 있다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 양상을 예시한 웨이퍼(105)가 도시된다. 이 예시적 실시예에서, 웨이퍼(105)는 예를 들면, 레티클 필드들(110)의 6개의 행(100)을 포함할 수 있다. 레티클 필드들(110)은 단계-반복 포토리소그래픽 공정(step-and-repeat photolythographic processes)들을 사용하여 웨이퍼(105) 상에 순서화된 패턴으로 공지된 방식으로 형성된다. 통상적으로, 레티클 필드들(110)(개별적 다이에 대응할 수 있음)은 바람직하지 않은 결함들(115)을 포함할 수 있다. 결함들(115)은 실리콘의 결정 구조 또는 레티클 필드들(110) 표면상에 거주하는 침전 재료들의 결정 구조를 열화하는 화학적 또는 구조적 불규칙들일 수 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 양상을 예시하는 도 1에 도시된 개별적 레티클 필드들(110)이 도시된다. 레티클 필드들(110)은 결함들(115)을 포함한다. 이 예에서, 결함들(115) 중 하나는 중계기 결함(120)이다. 중계기 결함(120)은 도 1에 상세한 웨이퍼(105)의 다른 레티클 필드들의 일부 또는 전부를 통해 자체 반복될 수 있다.
도 1에 도시된 웨이퍼(105)의 레티클 필드들(110)이 중계기 결함들만을 보여주는 단일 레티클 필드샷으로 적층되었다면, 조사 도구에 의해 야기된 스테이지 실행과 연관된 확산은 웨이퍼를 가로질러 내려가며 스캐닝할 때 보였다.
예를 들어, 도 3을 참조하면, 상이한 레티클 필드들에 걸쳐 확산되는 도 2에 상세한 중계기 결함(120)은 본 발명의 일 실시예를 예시하고 있다. 원(305)은 중계기 결함(120)의 실제 부분을 표시한다. 복수의 십자 사각들(310)은 웨이퍼의 상이한 부분들에 위치된 상이한 레티클 필드들의 동일한 부분에 있는 동일한 결함의 단일 적층을 표현한다. 하나의 실제 실시예에서, 조사 시스템이 웨이퍼에 걸쳐 수직 및 수평으로 스캐닝할 때 스테이지 정확성은 각각의 방향으로 10미크론들(도 3에서 △X 및 △Y) 만큼의 확산을 보여줄 수 있다. 따라서, 중계기 결함으로서 상이한 레티클 필드들에서 스스로 나타나는 동일한 레티클 결함은 상이한 레티클 필드들에서 약 20 내지 100 제곱 미크론의 영역에 걸쳐 확산하는 것이 지각될 수 있다. 일 실시예에서, 본 발명은, 웨이퍼 내의 결함 위치들의 공동 좌표들을 발견하고 중계기 결함들의 CAD X-Y 좌표들이 있는 태크된 결함 파일을 출력하여, 특정한 결함들의 정확한 위치를 제공함으로써 실패 분석을 돕고 기존의 레티클 자동 소프트웨어의 정확성을 개선하는 결함 중계기 자동 방법을 포함할 수 있다.
도 4를 참조하면, 반도체 조사 장치(400)의 블록도가 본 발명의 예시적 실시예에 따라 도시된다. 스테이지(405)는 스캐닝 장치(410)에 결합되고, 테스트 중인 장치(DUT;406)를 포함할 수 있다. 테스트 중인 장치(406)는 예를 들어 웨이퍼가 될 수 있다. 스캐닝 장치(410)는 예를 들어 스캐닝 전자 현미경(SEM), 또는 웨이퍼 결함 및/또는 둘러싸는 부분들의 이미지를 검출 장치(415)에 제공하기 위한 광학 장치일 수 있다. 제어 유닛(420)은 스테이지(405), 스캐닝 장치(410) 및 검출 유닛(415)으로부터 정보를 제어, 조정 및 수집하는 컴퓨터 또는 회로일 수 있다. 동기 유닛(425)은 제어 유닛(420)에 결합되고, 프로그램 저장 매체(430)는 동기 유닛(425)에 결합된다.
스캐닝 및 검출 장치들(410, 415)은 예를 들어 전자 현미경(SEM) 또는 광학 기반 시스템일 수 있다. 제어 유닛(420)은 공간으로 스테이지(405)를 이동시킬 수 있고 스캐닝 및 검출 장치들(410, 415)의 동작을 제어할 수 있다. 스테이지(405)가 조사 시스템 하에서 이동함에 따라, 검출 및 스캐닝 정보와 함께 스테이지 좌표는 제어 유닛(420)에 의해 트랙을 유지할 수 있다. 제어 유닛(420) 및 동기 유닛(425)은, CAD 발생 데이터(407)를 검사 도구(광 또는 SEM)에 의해 발생된 캡처된 조사 이미지(408)로 오버레이 및 동기화하기 위한 웨이퍼 및/또는 다이내(intra-die) 위치들을 조정하기 위해 서로 관련하여 작동한다. 조사 이미지(408)는 또한 DUT 조사 이미지, 캡처된 DUT 이미지 또는 웨이퍼 이미지라 칭해질 수 있다. 제어 유닛(420)은 또한, 결함들 및 부분들의 스테이지 X-Y 좌표를 포함하는 결함 파일을 동기 유닛(425)에 제공할 수 있다.
동기 유닛(425)은 CAD 데이터(407) 및 조사 이미지(408)를 처리한다. 동기 유닛(425)은 CAD 데이터(407)를 미리 결정된 이미지 포맷의 렌더링된 이미지로 변환하도록 동작한다. 렌더링된 이미지는 조사 도구에 의해 제공된 조사 이미지(408)를 더 잘 표현하기 위해 끝 부분에서 사각으로 될 수 있다. 다음, 정렬 알고리즘은 CAD 데이터(407)와 조사 이미지(408)간 임의의 오프셋들을 동기화 및 보상하기 위해 이용될 수 있다. 일 실시예에서, 동기 유닛(425)은 CAD 데이터(407)로부터 도출된 이미지를 조사 이미지(408)로 오버레이할 수 있거나 그 반대로 할 수 있다. 다른 일 실시예에서, 동기 유닛(425)은 검출 장치(415)로부터의 조사 이미지(408; 예컨대, 웨이퍼 이미지 또는 레티클 이미지)를 수신하고, 데이터베이스(도시되지 않음)로부터 CAD 데이터(407)를 검색하고, 동기 동작을 수행하고, 제어 유닛(420)으로부터 검출 파일(421)을 수신하고, CAD 부분 좌표를 레티클 필드 결함 좌표에 맵핑하고, 결함들의 CAD X-Y 좌표를 포함하는 태그된 결함 파일(426)을 제어 유닛(420)에 제공할 수 있다.
실제로, 동기 유닛(425)은 예를 들면 컴퓨터, 마이크로프로세서 또는 디지털 신호 처리 기반(DSP) 회로와 같은 프로그램 가능한 회로일 수 있으며, 프로그램 저장 매체(430) 내에 저장된 명령들에 따라 동작한다. 프로그램 저장 매체(430)는, 예를 들어, 카드, 테이프 또는 디스크와 같은 자기 또는 광학 매체를 포함하는 임의 형태의 판독 가능한 메모리 또는 PROM 또는 FLASH 메모리와 같은 반도체 메모리일 수 있다. 동기 유닛(425)은 예를 들면, 소프트웨어 규정 알고리즘과 같은 소프트웨어로 구현될 수 있거나, 그 기능들은 하드웨어 회로 또는 하드웨어와 소프트웨어의 조합에 의해 구현될 수 있다.
동기 유닛(425)이 프로그램 가능한 회로일 때, 하기에 제공되고 도 5를 참조하여 상세히 논의되는 프로그램은, 본 발명의 방법들에 따라 동작하는 본 발명에 따른 장치를 만들기 위해 프로그램 저장 매체(430)에 저장된다. 대안적으로, 동기 유닛(425)은 영구 전자회로(hard-wired)일 수 있거나, 미리 결정된 데이터 테이블들을 사용할 수 있거나 또는 영구 전자회로와 프로그램 가능한 회로의 조합이 될 수 있다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예를 표현하는 변환 방법(500)의 흐름도가 도시된다. 상기 방법(500)은 프로그램 저장 매체(430)에 저장될 수 있거나, 동기 유닛(425)에 의해 수행될 수 있으며, 둘 다 도 4에 상세히 도시되어 있다. 조사 영상(408)은 제 1 이미지 변환 단계(505)에 의해 처리되며, 이 경우 다이 이미지는 래스터(raster) 스캔 또는 임의의 다른 이미지 포맷으로부터 미리 결정된 이미지 포맷으로 변환된다. CAD 이미지(407)는 데이터베이스(도시되지 않음)로부터 수신되고 리소그래피 모델링 단계(510)에 의해 처리되어, 렌더링된 다이 또는 웨이퍼 이미지(506)가 생성된다. 하나의 예시적 실시예에서, 단계(510)에 의해 수행된 리소그래피 모델링 방법은 예를 들어, Finle Technology, Inc.로부터 이용 가능한 프로리쓰 리소그래피 소프트웨어(Prolith lithography software)를 사용할 수 있다. 렌더링된 이미지(506)는, 렌더링된 이미지(506)를 블록(505)에 의해 생성되는 포맷과 동일한 미리 결정된 이미지 포맷으로 변환하는 제 2 이미지 변환 단계(515)에 더 처리된다. 미리 결정된 이미지 포맷은 예를 들어, 태그된 이미지 파일 포맷(TIFF; tagged-image file format) 변환, 합동 포토리소그래픽 전문가 그룹 이미지(JPEG), 그래픽 교환 포맷 이미지(GIF), 프린터 기술 파일(PDF)과 같은 임의의 이미지 포맷 또는 임의의 다른 이미지 포맷이 될 수 있다.
이미지 변환 단계들(505, 515)의 출력들은 정렬 단계(520)에 의해 처리된다. 2 이미지의 정렬(둘 다, 동일한 미리 결정된 이미지 포맷에서 동일한 크기)은 이미지의 에지 부분 모두 매칭되어 조사 이미지의 CAD 이미지 좌표들로의 맵핑을 가져온다. 단계(525)는 결함의 스테이지 X-Y 좌표들을 포함하는 결함 파일(421)을 수신하고 이를 결함의 대응하는 CAD X-Y 좌표들에 첨부하여 태그된 결함 파일(426)을 출력한다.
정렬 단계(520)는 임의의 다양한 정렬 방법들을 사용할 수 있다. 예를 들면, 정렬 단계(520)는 추가 알고리즘, 합성 알고리즘 또는 역합성 알고리즘과 같은 그래디언트 강하 방법(gradient descent method)을 사용할 수 있다. 추가 알고리즘들은 정렬 파라미터들에 대한 추가 증분들을 추정하고, 합성 알고리즘들은 증분 뒤틀림들(incremental warps)을 추정한다. 그래디언트 강하 알고리즘들은 당업자에게 널리 공지되어 있다. 하나의 예시적 실시예에서, 단계(520)에 의해 수행된 정렬 방법은 예를 들어, 매우 작은 부분들을 측정하기 위한 임계 치수 스캐닝 전자 현미경 사진 도구인 8250 시리즈 CD SEM 도구에 사용된 이미지 정렬 방법을 사용할 수 있으며, 8250 시리즈 CD SEM 도구는 KLA-Tencor에 의해 이용 가능하게 되었다. 다른 실시예에서, 본 발명은 KLA-Tencor ES20 도구에 사용된 이미지 정렬 방법을 사용할 수 있다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명은 웨이퍼 좌표들인 CAD 좌표들로 맵핑하는 반도체 조사 장치(400)의 제어 유닛(420)을 제공하는 방법 및/또는 장치를 포함한다. 제어 유닛은 스테이지(405)의 미세 정렬을 수행할 수 있다. 동기 유닛(425)은 결함 위치에 유용할 수 있다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 양태를 예시하는 동기화된 CAD 및 웨이퍼 이미지(600)가 도시된다. 사각(605)은 CAD 요소 또는 부분을 표현하며, 원(610)은 웨이퍼 요소 또는 부분을 표현한다. 도 6에 도시된 웨이퍼 및 CAD 이미지들의 오버레이는 도 5에 상세한 정렬 블록(520)에 의해 수행된다.
일 예시적 실시예에서, 본 발명은 CAD 네비게이션을 통해 웨이퍼 또는 레티클 결함들을 검출하기 위해 사용될 수 있다. 대응하는 CAD 부분이 없는 것으로 발견된 웨이퍼 요소(615)는 가능한 웨이퍼 결함을 나타낸다. 예를 들면, 웨이퍼 결함은 손실 접촉일 수 있다. 다른 실시예에서, 결함 검출은 자동화될 수 있다. 절대 결함 위치는 결함 파일 또는 데이터베이스에서 기록될 수 있다.
일 실시예에서, 본 발명은 CAD 이미지를 웨이퍼 이미지로 동기화 및 오버레이하고, 결과로서 생긴 오버레이 이미지 상의 웨이퍼 결함들을 자동으로 찾으며, 웨이퍼 결함들의 절대 CAD X-Y 좌표를 결함 파일 또는 데이터베이스에 추가하는 것을 포함할 수 있다. 본 발명은 또한, 조사 시스템을 구동하고 웨이퍼 결함들에 대응하는 레티클의 결함들을 자동으로 찾기 위해, 결함 파일 또는 데이터베이스의 절대 CAD 결함 좌표를 사용하는 것을 포함할 수 있다.
본 명세서에 사용된 용어들 "하나(a 또는 an)"는 하나 또는 하나 이상으로 규정된다. 본 명세서에 사용된 용어 "복수"는 2개 또는 2개 이상으로 규정된다. 본 명세서에 사용된 용어 "다른(another)"은 적어도 2개 이상으로 규정된다. 본 명세서에 사용된 용어 "포함(including) 및/또는 가지는"은 포함(comprising; 즉, 개방 언어)으로 규정된다. 본 명세서에 사용된 용어 "결합"은 직접 그리고 기계적으로 접속될 필요는 없지만 접속으로 규정된다. 본 명세서에 사용된 용어 "프로그램 또는 소프트웨어"는 컴퓨터 시스템 상의 실행을 위해 설계된 명령들의 시퀀스로 규정된다. 프로그램 또는 컴퓨터 프로그램은 서브루틴, 함수, 프로시저, 객체 방법, 객체 구현, 실행 가능한 애플리케이션, 애플릿, 서블릿(servlet), 소스 코드 오브젝트 코드, 공유된 라이브러리/다이내믹 로드 라이브러리 및/또는 컴퓨터 시스템 상에서 실행하기 위해 설계된 다른 명령들의 시퀀스를 포함할 수 있다.
첨부된 청구항들은 수단 더하기 함수 제한들이 구문(들) "~하는 수단" 및/또는 "~하는 단계"를 사용하여 주어진 청구항에서 명시적으로 인용되지 않는다면, 수단 더하기 함수 제한들을 포함하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 포괄적인 실시예들은 첨부된 독립 청구항들 및 그 등가들에 의해 개요된다. 본 발명의 특정일 실시예들은 첨부된 종속 청구항들 및 그 등가들에 의해 특수화된다.

Claims (12)

  1. 결함들의 위치를 찾아내는 방법에 있어서,
    잠재적 결함들의 검출된 좌표들을 포함하는 테스트 중인 장치의 조사 이미지를 제공하는 단계;
    상기 조사 이미지를 미리 결정된 이미지 포맷의 제 1 이미지로 변환하는 단계;
    상기 테스트 중인 장치용 CAD 데이터를 제공하는 단계;
    상기 CAD 데이터를 상기 미리 결정된 이미지 포맷의 제 2 이미지로 변환하는 단계;
    상기 제 1 및 제 2 이미지들을 정렬하는 단계;
    상기 잠재적 결함들의 검출된 좌표들을 CAD 좌표들로 변환하는 단계; 및
    상기 CAD 좌표들의 함수로서 결함들의 위치를 찾아내는 단계를 포함하는, 결함들의 위치를 찾아내는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 테스트 중인 장치는 웨이퍼를 포함하는, 결함들의 위치를 찾아내는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 테스트 중인 장치는 웨이퍼의 다이(die)를 포함하는, 결함들의 위치를 찾아내는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 CAD 좌표들의 함수로서, 상기 테스트 중인 장치용 레티클(reticle)에서 결함들의 위치를 찾아내는 단계를 더 포함하는, 결함들의 위치를 찾아내는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 CAD 데이터를 상기 제 2 이미지로 변환하는 단계는 리소그래피 모델링 단계를 수행하는 단계를 포함하는, 결함들의 위치를 찾아내는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 잠재적 결함들의 검출된 좌표들은 결함 파일을 포함하는, 결함들의 위치를 찾아내는 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 검출된 좌표들을 CAD 좌표로 변환하는 단계는 태그된 데이터 파일(tagged data file)을 생성하기 위해 상기 결함 파일을 CAD 좌표들에 맵핑하는 단계를 포함하는, 결함들의 위치를 찾아내는 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 결함 파일은 웨이퍼 스테이지 좌표들(wafer stage coordinates)을 포함하는, 결함들의 위치를 찾아내는 방법.
  9. 기계에 의해 판독 가능하고, 제 1 항의 방법을 수행하기 위하여 상기 기계에 의해 실행되도록 적응된 프로그램의 명령들의 표현을 명백하게(tangibly) 구현하는, 프로그램 저장 장치.
  10. 반도체 웨이퍼 레티클에서 결함들의 위치를 찾아내는 방법에 있어서,
    테스트 중인 반도체 웨이퍼의 웨이퍼 이미지를 발생하는 단계;
    상기 테스트 중인 웨이퍼에서 검출된 잠재적 결함들에 대한 스테이지 좌표를 결정하는 단계;
    상기 테스트 중인 반도체 웨이퍼에 관련된 CAD 데이터로부터 CAD 이미지를 발생하는 단계;
    상기 웨이퍼 이미지 및 상기 CAD 이미지를 정렬하고 상기 스테이지 좌표들로부터 CAD 좌표들을 결정하는 단계; 및
    상기 CAD 좌표들의 함수로서, 상기 테스트 중인 반도체 웨이퍼용 반도체 웨이퍼 레티클에서 결함들의 위치를 찾아내는 단계를 포함하는, 결함들 위치를 찾아내는 방법.
  11. 기계에 의해 판독 가능하고, 제 10 항의 방법을 수행하기 위하여 상기 기계에 의해 실행되도록 적응된 프로그램의 명령들의 표현을 명백하게 구현하는, 프로그램 저장 장치.
  12. 검출된 웨이퍼 결함 좌표들을 레티클 좌표(reticle coordinate)들로 변환하는 장치에 있어서,
    테스트 중인 웨이퍼를 유지하도록 적응된 스테이지;
    상기 스테이지에 결합되어, 상기 스테이지에 의해 유지된 상기 테스트 중인 웨이퍼의 조사 이미지를 생성하고, 상기 테스트 중인 웨이퍼에서 검출된 결함들의 스테이지 좌표들을 생성하는 이미지 및 결함 검출 장치;
    상기 테스트 중인 웨이퍼용 CAD 데이터;
    상기 스테이지 및 상기 이미지 검출 장치를 제어하도록 결합된 제어 유닛; 및
    상기 제어 유닛 및 상기 이미지 검출 장치에 결합되어, 상기 테스트 중인 웨이퍼의 조사 이미지 및 상기 CAD 데이터 모두의 함수로서, 상기 테스트 중인 웨이퍼의 결함들의 스테이지 좌표들을 웨이퍼 레티클 좌표들로 변환하는 동기 유닛을 포함하는, 레티클 좌표들 변환 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101320037B1 (ko) * 2006-07-31 2013-10-18 어플라이드 머티리얼즈 이스라엘 리미티드 결함 검출을 위한 방법 및 시스템
KR20150123962A (ko) * 2005-11-18 2015-11-04 케이엘에이-텐코 코포레이션 검사 데이터와 조합하여 설계 데이터를 활용하는 방법 및 시스템

Families Citing this family (82)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7103505B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-05 Fei Company Defect analyzer
US7463765B2 (en) * 2003-02-25 2008-12-09 Lamda-Lite Enterprises Incorporated System and method for detecting and reporting fabrication defects using a multi-variant image analysis
US9002497B2 (en) * 2003-07-03 2015-04-07 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspection of wafers and reticles using designer intent data
JP4758358B2 (ja) * 2004-01-29 2011-08-24 ケーエルエー−テンカー コーポレイション レチクル設計データにおける欠陥を検出するためのコンピュータに実装される方法
US9188974B1 (en) 2004-02-13 2015-11-17 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods for improved monitor and control of lithography processes
US7634127B1 (en) * 2004-07-01 2009-12-15 Advanced Micro Devices, Inc. Efficient storage of fail data to aid in fault isolation
JP4904034B2 (ja) * 2004-09-14 2012-03-28 ケーエルエー−テンカー コーポレイション レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体
TWI236081B (en) * 2004-09-29 2005-07-11 Powerchip Semiconductor Corp Method for verifying photomask
US20060284173A1 (en) * 2005-06-17 2006-12-21 Texas Instruments Incorporated Method to test shallow trench isolation fill capability
US7769225B2 (en) * 2005-08-02 2010-08-03 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
US8041103B2 (en) 2005-11-18 2011-10-18 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a position of inspection data in design data space
US7676077B2 (en) 2005-11-18 2010-03-09 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US7570796B2 (en) 2005-11-18 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US7684609B1 (en) * 2006-05-25 2010-03-23 Kla-Tencor Technologies Corporation Defect review using image segmentation
WO2008077100A2 (en) * 2006-12-19 2008-06-26 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for creating inspection recipes
US7855088B2 (en) * 2006-12-21 2010-12-21 Texas Instruments Incorporated Method for manufacturing integrated circuits by guardbanding die regions
US8194968B2 (en) 2007-01-05 2012-06-05 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for using electrical information for a device being fabricated on a wafer to perform one or more defect-related functions
US7962863B2 (en) * 2007-05-07 2011-06-14 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, systems, and computer-readable media for determining a model for predicting printability of reticle features on a wafer
US7738093B2 (en) 2007-05-07 2010-06-15 Kla-Tencor Corp. Methods for detecting and classifying defects on a reticle
US8213704B2 (en) 2007-05-09 2012-07-03 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
US7796804B2 (en) * 2007-07-20 2010-09-14 Kla-Tencor Corp. Methods for generating a standard reference die for use in a die to standard reference die inspection and methods for inspecting a wafer
US7711514B2 (en) * 2007-08-10 2010-05-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods, carrier media, and systems for generating a metrology sampling plan
US7975245B2 (en) * 2007-08-20 2011-07-05 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods for determining if actual defects are potentially systematic defects or potentially random defects
US8139844B2 (en) 2008-04-14 2012-03-20 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for determining a defect criticality index for defects on wafers
US9659670B2 (en) 2008-07-28 2017-05-23 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for classifying defects detected in a memory device area on a wafer
US8778804B2 (en) * 2009-01-30 2014-07-15 Fei Company High selectivity, low damage electron-beam delineation etch
US8775101B2 (en) 2009-02-13 2014-07-08 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US8204297B1 (en) 2009-02-27 2012-06-19 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for classifying defects detected on a reticle
US8917320B2 (en) * 2009-03-04 2014-12-23 VISIONx INC. Digital optical comparator
US8521480B2 (en) * 2009-03-12 2013-08-27 Etegent Technologies, Ltd. Managing non-destructive evaluation data
US8108168B2 (en) 2009-03-12 2012-01-31 Etegent Technologies, Ltd. Managing non-destructive evaluation data
US8112241B2 (en) 2009-03-13 2012-02-07 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for generating an inspection process for a wafer
TWI386643B (zh) * 2009-04-17 2013-02-21 Chipmos Technologies Inc 晶圓缺陷標示系統
CN102023161B (zh) * 2009-09-09 2012-05-30 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 获取缺陷图像的方法
JP2011137901A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Hitachi High-Technologies Corp パターン計測条件設定装置
US8781781B2 (en) 2010-07-30 2014-07-15 Kla-Tencor Corp. Dynamic care areas
US8571299B2 (en) 2010-08-30 2013-10-29 International Business Machines Corporation Identifying defects
US9170211B2 (en) 2011-03-25 2015-10-27 Kla-Tencor Corp. Design-based inspection using repeating structures
US9087367B2 (en) * 2011-09-13 2015-07-21 Kla-Tencor Corp. Determining design coordinates for wafer defects
US8831334B2 (en) 2012-01-20 2014-09-09 Kla-Tencor Corp. Segmentation for wafer inspection
US9574868B2 (en) 2012-03-21 2017-02-21 Ramot At Tel-Aviv University Ltd. Portable interferometric device
US8826200B2 (en) 2012-05-25 2014-09-02 Kla-Tencor Corp. Alteration for wafer inspection
CN102789999A (zh) * 2012-08-16 2012-11-21 上海华力微电子有限公司 利用图形特征扫描的缺陷检测方法和半导体芯片制造方法
US9189844B2 (en) 2012-10-15 2015-11-17 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using defect-specific information
TWI463112B (zh) * 2012-12-25 2014-12-01 Kd Internat Co Ltd 影像座標系與真實空間座標系自動化對應校正的方法
KR101847172B1 (ko) * 2012-12-31 2018-05-28 삼성전기주식회사 회로 폭 가늠 불량 방지 장치 및 회로 폭 가늠 불량 방지 방법
US9053527B2 (en) 2013-01-02 2015-06-09 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US9134254B2 (en) 2013-01-07 2015-09-15 Kla-Tencor Corp. Determining a position of inspection system output in design data space
US9311698B2 (en) 2013-01-09 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using template image matching
KR102019534B1 (ko) 2013-02-01 2019-09-09 케이엘에이 코포레이션 결함 특유의, 다중 채널 정보를 이용한 웨이퍼 상의 결함 검출
US20140226893A1 (en) * 2013-02-11 2014-08-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and System for Image-Based Defect Alignment
US9864366B2 (en) 2013-03-15 2018-01-09 Etegent Technologies Ltd. Manufacture modeling and monitoring
US11543811B2 (en) 2013-03-15 2023-01-03 Etegent Technologies Ltd. Manufacture modeling and monitoring
US9865512B2 (en) 2013-04-08 2018-01-09 Kla-Tencor Corp. Dynamic design attributes for wafer inspection
US9310320B2 (en) 2013-04-15 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Based sampling and binning for yield critical defects
CN103253002A (zh) * 2013-04-28 2013-08-21 上海功源电子科技有限公司 全自动多功能晶元机
CN103531500A (zh) * 2013-10-21 2014-01-22 上海华力微电子有限公司 晶圆缺陷检测设备的校准方法
KR101991418B1 (ko) 2014-06-10 2019-06-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 컴퓨터를 이용한 웨이퍼 검사
CN104103545A (zh) * 2014-08-01 2014-10-15 上海华力微电子有限公司 晶圆缺陷检测方法
CN104198247B (zh) * 2014-09-02 2017-04-05 上海华力微电子有限公司 精确定位前层缺陷的聚焦离子束制样方法
WO2016045901A1 (en) 2014-09-22 2016-03-31 Asml Netherlands B.V. Process window identifier
US10304178B2 (en) * 2015-09-18 2019-05-28 Taiwan Semiconductor Manfacturing Company, Ltd. Method and system for diagnosing a semiconductor wafer
US10325361B2 (en) * 2016-06-01 2019-06-18 Kla-Tencor Corporation System, method and computer program product for automatically generating a wafer image to design coordinate mapping
JP7113613B2 (ja) * 2016-12-21 2022-08-05 エフ イー アイ カンパニ 欠陥分析
US10648925B2 (en) * 2017-06-05 2020-05-12 Kla-Tencor Corporation Repeater defect detection
US11125686B2 (en) 2017-07-06 2021-09-21 Ramot At Tel-Aviv University Ltd. System and method for three-dimensional label-free optical imaging of a biological cell sample in an environmental chamber
KR102507304B1 (ko) * 2017-10-30 2023-03-07 삼성전자주식회사 결함 검사 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US11754511B2 (en) * 2017-11-21 2023-09-12 Formfactor, Inc. Method and device for optically representing electronic semiconductor components
US10488175B2 (en) 2017-11-30 2019-11-26 Ramot At Tel-Aviv University Ltd. Multi wavelength multiplexing for quantitative interferometry
CN108648175B (zh) * 2018-04-12 2021-12-14 杭州兆图机器人有限公司 一种检测方法和装置
US10557802B2 (en) * 2018-05-09 2020-02-11 Kla-Tencor Corporation Capture of repeater defects on a semiconductor wafer
US10698325B2 (en) * 2018-05-23 2020-06-30 Kla-Tencor Corporation Performance monitoring of design-based alignment
CN108645867B (zh) * 2018-05-25 2021-09-07 哈尔滨工业大学 大口径光学晶体表面微缺陷的快速寻位与批量检测方法
JP7154535B2 (ja) * 2018-07-04 2022-10-18 国立大学法人 東京大学 Ｘ線ｃｔ装置により得られる投影像を用いた寸法測定方法
CN109085466B (zh) * 2018-07-13 2020-11-20 上海华力集成电路制造有限公司 光罩静电释放缺陷检测方法
KR102538785B1 (ko) * 2018-07-27 2023-05-31 삼성전자주식회사 컴퓨터 지원 설계(cad) 파일로부터 웨이퍼 이미지를 생성하는 방법 및 시스템
CN113327863B (zh) * 2020-02-28 2022-06-21 芯恩（青岛）集成电路有限公司 半导体工艺方法
CN111289775B (zh) * 2020-03-12 2021-08-31 北京航空航天大学 一种扫描电子显微镜成像缺陷判定方法
CN111722092B (zh) * 2020-06-22 2023-02-10 上海华力微电子有限公司 晶圆缺陷检测方法及系统
US11810284B2 (en) * 2020-08-21 2023-11-07 Kla Corporation Unsupervised learning for repeater-defect detection
CN112730248A (zh) * 2020-12-29 2021-04-30 无锡圆方半导体测试有限公司 一种防止芯片测试图形偏移的方法及系统
CN117334589A (zh) * 2022-06-24 2024-01-02 长鑫存储技术有限公司 半导体器件中缺陷的定位方法、装置及存储介质

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2530081B2 (ja) * 1992-01-09 1996-09-04 株式会社東芝 マスク検査装置
JPH06265480A (ja) * 1993-03-12 1994-09-22 Toshiba Corp パターン欠陥検査方法および検査装置
US5401972A (en) * 1993-09-02 1995-03-28 Schlumberger Technologies, Inc. Layout overlay for FIB operations
JPH07175205A (ja) * 1993-12-20 1995-07-14 Kawasaki Steel Corp レチクル検査方法
US5541411A (en) * 1995-07-06 1996-07-30 Fei Company Image-to-image registration focused ion beam system
JP3211681B2 (ja) * 1996-01-18 2001-09-25 日産自動車株式会社 塗装欠陥検査装置
JPH09211840A (ja) * 1996-02-05 1997-08-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd レチクルの検査方法及び検査装置並びにパターンの検査方法及び検査装置
JP2776416B2 (ja) * 1996-05-07 1998-07-16 日本電気株式会社 レチクル外観検査装置
JPH11174657A (ja) * 1997-12-17 1999-07-02 Hitachi Ltd マスクパターン外観検査装置および方法
JP3283836B2 (ja) * 1998-08-31 2002-05-20 日本電気株式会社 レチクル外観検査装置の画像アライメント方法
JP4206192B2 (ja) * 2000-11-09 2009-01-07 株式会社日立製作所 パターン検査方法及び装置
JP3350477B2 (ja) * 1999-04-02 2002-11-25 セイコーインスツルメンツ株式会社 ウエハ検査装置
US6516085B1 (en) * 1999-05-03 2003-02-04 Kla-Tencor Apparatus and methods for collecting global data during a reticle inspection
JP2001005166A (ja) 1999-06-17 2001-01-12 Nec Corp パターン検査方法及びパターン検査装置
US6635872B2 (en) * 2001-04-05 2003-10-21 Applied Materials, Inc. Defect inspection efficiency improvement with in-situ statistical analysis of defect data during inspection
JP4038356B2 (ja) * 2001-04-10 2008-01-23 株式会社日立製作所 欠陥データ解析方法及びその装置並びにレビューシステム

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150123962A (ko) * 2005-11-18 2015-11-04 케이엘에이-텐코 코포레이션 검사 데이터와 조합하여 설계 데이터를 활용하는 방법 및 시스템
KR101320037B1 (ko) * 2006-07-31 2013-10-18 어플라이드 머티리얼즈 이스라엘 리미티드 결함 검출을 위한 방법 및 시스템

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