CN112730248A - 一种防止芯片测试图形偏移的方法及系统 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种防止芯片测试图形偏移的方法及系统,该方法包括:晶圆在初次上机正常测试前,确定好始测点后,在该始测点做上标记,并通过摄像装置采集此时的始测图形文件,然后将所述始测图形文件存入存储装置;复测前,机台首先调用正常测试Mapping图形文件,上机后承面台上方吸住圆片,设置在圆片上方的摄像装置抓取此时的图形文件;调取正常测试时存储装置中的始测图形文件,然后扫描,查找始测点,将此时的图形文件与所述始测图形文件进行对比,通过计算单元计算位移量,并根据该位移量,通过调整装置自动查找到始测点。本发明能够在复测时自动识别查找晶圆的始测点,不仅效率高,而且稳定可靠,不会错位,适宜推广应用。

Description

一种防止芯片测试图形偏移的方法及系统
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种防止芯片测试图形偏移的方法及系统。
背景技术
中国半导体产业起步晚但发展讯速,连续多年保持较高增速。集成电路三大产业均保持稳定增长。集成电路芯片的出现与发展,给人类进入信息时代提供了源动力。在日新月异的信息时代,集成电路芯片正被广泛的运用到工作、生活和生产中。随着集成芯片的大量生产,芯片在各个环节良率管控尤为重要,提升芯片品质,降低成本,而作为芯片出来的第一道工序,晶圆测试工序至关重要。在流程片厂制程出来时,芯片是由成千上万个芯片拼接而成的6寸、8寸或者12寸的圆形,我们称之为晶圆。晶圆在探针台机台上正常测试完后,会生成对应Mapping图形文件,当机台再次调用此图形文件复测回收不良品时,因机台中心点重新计算,调用出来对应位置会发生“上下左右”随机方向偏移,如直接复测,会把原有芯片标记全部打乱,从而会有失效电性参数不良品混入良品中,导致芯片良率偏低及封装成本浪费。所以,在复测时,现有操作是人为核对第一次正常测试始测点,通过手柄移动承面台(Chuck),反复上下片去试验,直到和正常测试始测点重合后为止,但这种方法不仅费时费力,而且稳定性差,容易错位。以上问题亟待解决。
发明内容
本发明的目的在于通过一种防止芯片测试图形偏移的方法及系统,来解决以上背景技术部分提到的问题。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一种防止芯片测试图形偏移的方法,该方法包括:
记录始测点图像:晶圆在初次上机正常测试前,确定好始测点后,在该始测点做上标记,并通过摄像装置采集此时的始测图形文件,然后将所述始测图形文件存入存储装置;
自动校准位置:复测前,机台首先调用正常测试Mapping图形文件,上机后承面台(Chuck)上方吸住圆片,设置在圆片上方的摄像装置抓取此时的图形文件;调取正常测试时存储装置中的始测图形文件,然后扫描,查找始测点,将此时的图形文件与所述始测图形文件进行对比,通过计算单元计算位移量,并根据该位移量,通过调整装置自动查找到始测点。
特别地,所述晶圆在初次上机正常测试前,确定好始测点后,在该始测点做上标记,具体包括:晶圆在初次上机正常测试前,确定好始测点后,在该始测点打上墨点作为标记。
本发明还公开了一种采用上述防止芯片测试图形偏移的方法的防止芯片测试图形偏移的系统,该系统包括:摄像装置、存储装置、计算单元以及调整装置;所述摄像装置用于:在晶圆在初次上机正常测试前,确定好始测点并在该始测点做上标记后,采集此时的始测图形文件,并将所述始测图形文件存入存储装置;在复测前,机台调用正常测试Mapping图形文件并且承面台上方吸住圆片后,抓取此时的图形文件;所述计算单元用于调取所述存储装置中存储的始测图形文件,然后扫描,查找始测点,将所述始测图形文件与复测前抓取的图形文件进行对比,计算位移量;所述调整装置用于根据计算单元计算出的所述位移量,自动查找到始测点。
特别地,所述在晶圆在初次上机正常测试前,确定好始测点并在该始测点做上标记,具体包括:在晶圆在初次上机正常测试前,确定好始测点并在该始测点打上墨点作为标记。
本发明提出的防止芯片测试图形偏移的方法及系统能够在复测时自动识别查找晶圆的始测点,不仅效率高,而且稳定可靠,不会错位,适宜推广应用。
附图说明
图1本发明实施例提供的防止芯片测试图形偏移的方法流程示意图;
图2为本发明实施例提供的防止芯片测试图形偏移的系统应用示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容,除非另有定义,本文所使用的所有技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述具体的实施例,不是旨在于限制本发明。
实施例一
如图1所示,图1本发明实施例提供的防止芯片测试图形偏移的方法流程示意图。本实施例中防止芯片测试图形偏移的方法包括如下步骤:
记录始测点图像:晶圆在初次上机正常测试前,确定好始测点(起始点)后,在该始测点做上标记,并通过摄像装置采集此时的始测图形文件,然后将所述始测图形文件存入存储装置;读取相关参数及特性,包含芯片尺寸大小,图形及标记。
自动校准位置:复测前,机台首先调用正常测试Mapping图形文件,上机后承面台(Chuck)上方吸住圆片,设置在圆片上方的摄像装置抓取此时的图形文件;调取正常测试时存储装置中的始测图形文件,然后扫描,查找始测点,将此时的图形文件与所述始测图形文件进行对比,通过计算单元计算位移量,并根据该位移量,通过调整装置自动查找到始测点,其中,在本实施例中精度可达正负2um。
具体的,在本实施例中所述晶圆在初次上机正常测试前,确定好始测点后,在该始测点做上标记,具体包括:晶圆在初次上机正常测试前,确定好始测点后,在该始测点打上墨点作为标记,需要说明的是,在具体应用中不局限于采用墨点作为标记。
实施例二
如图2所示,图2为本发明实施例提供的防止芯片测试图形偏移的系统应用示意图。本实施例公开一种采用实施例一所述防止芯片测试图形偏移的方法的防止芯片测试图形偏移的系统,该系统包括:摄像装置、存储装置、计算单元以及调整装置;所述摄像装置用于:在晶圆在初次上机正常测试前,确定好始测点并在该始测点做上标记后,采集此时的始测图形文件,并将所述始测图形文件存入存储装置;该系统读取相关参数及特性,包含芯片尺寸大小,图形及标记;在复测前,机台调用正常测试Mapping图形文件并且承面台上方吸住圆片后,抓取此时的图形文件;所述计算单元用于调取所述存储装置中存储的始测图形文件,然后扫描,查找始测点,将所述始测图形文件与复测前抓取的图形文件进行对比,计算位移量;所述调整装置用于根据计算单元计算出的所述位移量,自动查找到始测点,其中,在本实施例中精度可达正负2um。
具体的,在本实施例中所述在晶圆在初次上机正常测试前,确定好始测点并在该始测点做上标记,具体包括:在晶圆在初次上机正常测试前,确定好始测点并在该始测点打上墨点作为标记,需要说明的是,在具体应用中不局限于采用墨点作为标记。
本发明提出的技术方案能够在复测时自动识别查找晶圆的始测点,不仅效率高,而且稳定可靠,不会错位,适宜推广应用。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例中的全部或部分是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成,所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中,该程序在执行时,可包括如上述各方法的实施例的流程。其中,所述的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体或随机存储记忆体等。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (4)

1.一种防止芯片测试图形偏移的方法,其特征在于,该方法包括:
记录始测点图像:晶圆在初次上机正常测试前,确定好始测点后,在该始测点做上标记,并通过摄像装置采集此时的始测图形文件,然后将所述始测图形文件存入存储装置;
自动校准位置:复测前,机台首先调用正常测试Mapping图形文件,上机后承面台上方吸住圆片,设置在圆片上方的摄像装置抓取此时的图形文件;调取正常测试时存储装置中的始测图形文件,然后扫描,查找始测点,将此时的图形文件与所述始测图形文件进行对比,通过计算单元计算位移量,并根据该位移量,通过调整装置自动查找到始测点。
2.根据权利要求1所述的防止芯片测试图形偏移的方法,其特征在于,所述晶圆在初次上机正常测试前,确定好始测点后,在该始测点做上标记,具体包括:晶圆在初次上机正常测试前,确定好始测点后,在该始测点打上墨点作为标记。
3.一种防止芯片测试图形偏移的系统,其特征在于,该系统包括:摄像装置、存储装置、计算单元以及调整装置;所述摄像装置用于:在晶圆在初次上机正常测试前,确定好始测点并在该始测点做上标记后,采集此时的始测图形文件,并将所述始测图形文件存入存储装置;在复测前,机台调用正常测试Mapping图形文件并且承面台上方吸住圆片后,抓取此时的图形文件;所述计算单元用于调取所述存储装置中存储的始测图形文件,然后扫描,查找始测点,将所述始测图形文件与复测前抓取的图形文件进行对比,计算位移量;所述调整装置用于根据计算单元计算出的所述位移量,自动查找到始测点。
4.根据权利要求3所述的防止芯片测试图形偏移的系统,其特征在于,所述在晶圆在初次上机正常测试前,确定好始测点并在该始测点做上标记,具体包括:在晶圆在初次上机正常测试前,确定好始测点并在该始测点打上墨点作为标记。
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Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63136542A (ja) * 1986-11-27 1988-06-08 Tokyo Electron Ltd 半導体ウエハチツプの位置合わせ方法
US5644245A (en) * 1993-11-24 1997-07-01 Tokyo Electron Limited Probe apparatus for inspecting electrical characteristics of a microelectronic element
JP2001034743A (ja) * 1989-09-22 2001-02-09 Hitachi Ltd 比較検査方法とその装置
JP2001176941A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Seiko Epson Corp 自動欠陥検出装置のウェハ座標認識方法
KR20020075004A (ko) * 2001-03-23 2002-10-04 삼성전자 주식회사 불량 칩들에 대한 잉킹 방법
CN1726389A (zh) * 2002-12-19 2006-01-25 飞思卡尔半导体公司 转换被测晶圆缺陷坐标
CN1787201A (zh) * 2005-10-24 2006-06-14 中国电子科技集团公司第四十五研究所 划片机晶圆自动识别对准装置及其方法
CN101033962A (zh) * 2007-02-12 2007-09-12 三峡大学 一种基于光学的模型试验位移测量方法及装置
CN102101112A (zh) * 2009-12-18 2011-06-22 旺矽科技股份有限公司 发光二极管晶片分选方法
CN105990174A (zh) * 2015-02-15 2016-10-05 盛美半导体设备(上海)有限公司 半导体晶圆的测量装置及方法
CN110470975A (zh) * 2019-08-29 2019-11-19 上海华虹宏力半导体制造有限公司 晶圆特性测试系统和方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63136542A (ja) * 1986-11-27 1988-06-08 Tokyo Electron Ltd 半導体ウエハチツプの位置合わせ方法
JP2001034743A (ja) * 1989-09-22 2001-02-09 Hitachi Ltd 比較検査方法とその装置
US5644245A (en) * 1993-11-24 1997-07-01 Tokyo Electron Limited Probe apparatus for inspecting electrical characteristics of a microelectronic element
JP2001176941A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Seiko Epson Corp 自動欠陥検出装置のウェハ座標認識方法
KR20020075004A (ko) * 2001-03-23 2002-10-04 삼성전자 주식회사 불량 칩들에 대한 잉킹 방법
CN1726389A (zh) * 2002-12-19 2006-01-25 飞思卡尔半导体公司 转换被测晶圆缺陷坐标
CN1787201A (zh) * 2005-10-24 2006-06-14 中国电子科技集团公司第四十五研究所 划片机晶圆自动识别对准装置及其方法
CN101033962A (zh) * 2007-02-12 2007-09-12 三峡大学 一种基于光学的模型试验位移测量方法及装置
CN102101112A (zh) * 2009-12-18 2011-06-22 旺矽科技股份有限公司 发光二极管晶片分选方法
CN105990174A (zh) * 2015-02-15 2016-10-05 盛美半导体设备(上海)有限公司 半导体晶圆的测量装置及方法
CN110470975A (zh) * 2019-08-29 2019-11-19 上海华虹宏力半导体制造有限公司 晶圆特性测试系统和方法

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