1380036 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於led後段流程，特別是關於LED後 段流程中的測試及分選方法。 【先前技術】 在早期的半導體測試及分選製程中，晶粒在測試後被 依其好壞點上不同顏色的記號(Ink)，分選裝置再根據晶粒 上的記號做分選，Wiesler等人在美國專利第3847284號中 提出一種輔助記號分選的方法，以XY絕對座標記錄1C 位置及好壞等級資料，釔合點記做分選，在晶粒在同一台 設備上移動時，協助定位到相對應的1C位置。然而，1C 的尺寸隨著半導體技術的發展變得越來越大，行-列 (Row-Column; R-C)方式定位比XY座標定位簡單且快 速，亦能提供足夠的準確度，因此XY座標定位方法遭到 淘汰。 LED製程技術主要源自於半導體技術，圖1為目前的 LED後段測試分選流程的示意圖，在圖1的流程中，點測 設備（Prober) 10先對一晶圓環上的LED晶粒進行測試以取 得各晶粒的電性、光學特性、外觀等晶粒屬性資料並加以 分級，再依各等級晶粒在晶圓上的分佈狀況產生如圖2所 示之晶圓14上晶粒分佈的晶圓地圖檔案（map file)，以及 將該些晶粒以R-C格式定位的位置資料，而後’載有晶圓 14的該晶圓環被送入分選設備（Sorter)，分選設備對該晶 1380036
圓壤再-人以RC定位格式掃描，再根據該晶圓地圖檔案 找出不同級別的晶粒位置，並與點測設備提供的位置資料 做比對確認。圖3為R.c座標格式的示意圖，每—個R C 座標表示-固定範圍’例如（1，2)即表示第一列與第二行交 錯形成的該方形範圍。 LED晶粒的尺寸與-般半導體晶粒相比，相對的小很 多，且LED晶粒在擴張藍膜使晶粒互相分離後，容易移位 而離開原本晶圓地圖檔案提供的R_c座標範圍内，參照圖 4，理想上，圖3之晶圓14在擴張後，各晶粒間的關係將 如圖4左側所示，每一晶粒間的距離都相等，然而實際擴 張後的晶圓卻如圖4右側所示，可能出現位_離開 的範圍，例如晶粒142及144在圖4左側以（1，3)及（1，4)表 示，然而，晶粒位移如圖4右侧後，在r_c座標格式下， 晶粒142及144仍只能以（1，3)及（1,4)表示，且由於LED晶 粒的尺寸小’更容易在分選設備進行比對時就出現錯誤， 造成分選出錯。 為k供LED產品在亮度及色彩上的均勻度，目前一片 晶圓上的LED晶粒往往被分成數十甚至上百個級別，當相 同級別的晶粒位於同一區塊上時，分選設備僅需在鄰近的 區域挑撿，因此在與點測設備提供的檔案做比對位置時不 易出錯。然而，當不同級別的晶粒在晶圓上的分布散亂的 時候，為了挑撿起相同級別的晶粒，此時便需要由當下挑 選的晶粒跳躍(jump)到遠處的另一顆相同級別晶粒，這個 過程就產生了因移動到錯誤位置而撿起錯誤晶粒的風險。 [S】 1380036 如前所述，由於在之前的晶粒點測過程中，晶粒排列 ' 本身就有錯位的誤差值存在，難以精準地排列在承載的藍 膜上，且藍膜在分選過程中亦會因為被頂針頂起而逐漸變 形，更增加了分選錯位的機會，而當有跨區跳躍時，這些 誤差產生的問題會更加嚴重，發生錯誤的機率更為提高。 錯位的發生在設備運行過程中不易察覺，會一直持續直到 出貨品質管制（QC)時才會被發現，在發現的時候往往已經 造成一個批量生產的錯誤，需要整批重新生產。因此，改 ® 善錯位對LED產業的發展是一個十分重要的議題。 如圖5所示，為降低發生錯位的風險，ASM公司提出 一種設置於點測設備10與分選設備12*之間的晶圓掃瞄器 (wafer scanner) 18,在分選之前進行一次使用XY座標的晶 圓掃瞄，再將該XY座標資料與點測設備10提供的晶圓地 圖槽案匹配(match) ’取得各晶粒的屬性貧料以進行分選， 以增加晶粒定位的準確性，但由於點測設備提供的晶圓地 φ 圖檔案是R-C座標格式，且分選設備的掃瞄亦是R-C座標 格式，晶圓掃瞄器18提供的XY座標的晶圓圖形在與R-C 座標作匹配時仍易發生錯位。 【發明内容】 本發明的目的之一，在於提出一種LED後段流程中的 測試及分選方法。 本發明的目的之一，在於提出一種具良好定位能力的 LED晶粒測試及分選方法。 1380036 根據本發明，一種LED後段的測試及分選方法，包括 ' 測試一晶圓以產生每一晶粒的屬性資料與其第一絕對座 標，根據該些屬性資料與該第一絕對座標產生一晶圓地圖 檔案，接收該晶圓並讀入該晶圓地圖檔案，根據該第一絕 對座標移動一撿取裝置到一第一位置，提供一影像資訊補 償該第一位置的誤差，使該撿取裝置移動到一第二位置， 該第二位置具有一第二絕對座標，以及比對該第二絕對座 標與該第一絕對座標，在兩者間的誤差在一允許範圍内 * 時，根據該第一絕對座標對應的屬性資料分選該晶粒。 變化地，由一晶圓掃瞄器產生第石絕對座標，分選設 ★ 備再比對該第一及第二絕對座標，進行晶粒分選。一— 本發明提出之LED測試分選流程在後段測試LED晶 圓時，產生一包含絕對座標位置的晶圓地圖檔案，在由點 測設備到分選設備的分選流程中確認LED晶圓中各晶粒 的絕對座標，再與該晶圓地圖檔案作比對以取得相關點測 φ 的資料，消除擴張後晶圓在二台機器轉移時所造成的誤 差。 【實施方式】 本發明提出一種LED後段流程中的測試及分選方 法，圖6為本發明一實施例的示意圖，首先，晶圓在點測 設備20以一個已知的參考座標點之晶粒做為計算的參考 點，使用XY座標來表達各個晶粒的位置，產生包含每一 晶粒的電性、光學特性、外觀等晶粒屬性及其第一 XY座 1380036 標位置等資料的晶圓地圖檔案，接著，測試完畢的晶圓被 • 送入分選設僙22，在此同時，分選設備22讀入該晶圓地 圖檔案，配合影像技術找到已知的參考座標點之晶粒，以 點測設備20提供的第一 XY座標位置去定位一晶粒，同時 配合即時的影像資訊補償該晶粒實際位置與讀入的第一 XY座標間的誤差，得到該晶粒實際位置的第二XY座標， 再將該晶粒的第二XY座標與其第一 XY座標做比對，在 兩者間的誤差在一預設的允許範圍内時，判斷兩者相符， * 根據該第一 XY座標連結的屬性資料分選該晶粒。 即時的影像資訊由影像辦識系統提供，影像辨識系統 通常設置於分選設備f，在分選設備撿取晶粒前進行辨 識，確認撿起的晶粒正確，一般以預設的擴張pitch倍數 做為搜哥的辨識祐圍’ pitch係指擴張後晶粒和晶粒間的間 距。影像辨識技術為習知技術。 圖7係本發明另一實施例的流程圖，點測設備對晶圓 φ 進行測試200，獲得每一晶粒的電性、光學特性、外觀等 晶粒屬性等資料後，產生並輸出以XY座標記錄晶粒位置 的晶圓地圖檔案210，接著，分選設備接收晶圓以及晶圓 地圖檔案220，當要跨越一個區段去挑選晶粒時，分選設 備的撿取裝置，例如具真空吸力的擺臂，根據點測設備提 供的晶圓地圖檔案中的第一 XY座標做跳躍ϋιπηρ)230,再 配合影像辨識系統提供的即時影像資訊，補償對該晶粒位 置的誤差240，最後，在步驟250比對分選設備產生的第 二ΧΥ座標與點測裝置提供之第一 ΧΥ座標間的誤差是否 1380036 在允許範圍内，以對該晶粒做分選260。 在其他實施例中，分選後晶粒的資料表達也可以透過 XY絕對位置座標的比對達成資料的搬移與比對確認的動 作，形成一個保護機制。 本發明提出之分選及測試方法亦相容於點測設備及 分選設備之間具有晶圓掃瞄器的製程，圖8為本發明又一 實施例的示意圖，在點測設備30產生包含XY1座標、晶 粒屬性等的晶圓地圖檔案後，晶圓掃瞄器32再掃描晶圓 產生XY2座標，分選設備34比對XY1座標與XY2座標， 當做分選晶粒過程的位置定位之座標點，分選設備34再〜 取其附加資料加上設備本身的影像補償進行分選。 在XY絕對座標的位置記錄方式下，如圖9所示，晶 粒142和144的位移可以精準地以XY座標表示，因此能 提供遠比R-C座標要高的精準度，因而能夠降低錯位機 會，消除擴張後晶圓在二台機器轉移時產生的誤差。 當不同級別的晶粒分布散亂時，要挑選同一級別的晶 粒到特定位置，需要在晶圓上快速定位到相對應的晶粒， 藉由絕對位置的定位，可以精準的移動到所要挑選的晶 粒，加上影像處理的補償降低分選錯誤的機率，提高設備 設備的正確性。 以上對於本發明之較佳實施例所作的敘述係為闡明 之目的，而無意限定本發明精確地為所揭露的形式，基於 以上的教導或從本發明的實施例學習而作修改或變化是 可能的，實施例係為解說本發明的原理以及讓熟習該項技 1380036 術者以各種實施例利用本發明在實際應用上而選擇及敘 述，本發明的技術思想企圖由以下的申請專利範圍及其均 等來決定。 【圖式簡單說明】 圖1係一種習知LED後段流程的示意圖； 圖2係晶圓地圖樓案的不意圖， 圖3係習知以R-C座標格式的示意圖； 圖4係習知將晶粒位置以R-C座標表示的示意圖； 圖5係另一種習知LED後段流程的示意圖； 圖6係本發明一實施例的LED #：段流程示意圖； 圖7係本發明另一實施例的測試及分選流程圖； 圖8係本發明又一實施例的LED後段流程示意圖；以 及 圖9係將晶粒位置以XY座標表不的不意圖。 【主要元件符號說明】 [s] 10 點測設備 12 分選設備 14 晶圓 142 晶粒 144 晶粒 18 晶圓掃目苗裔 20 點測設備 11 1380036 22 分選設備 200 測試 210 輸出晶圓地圖檔案 220 接收晶圓地圖檔案 230 根據晶圓地圖檔案跳躍 240 配合影像辨識補償誤差 250 比對 260 分選 30 點測設備 32 晶圓知瞒器 34 分選設備 12