KR20050075037A - 중간층 및 지지층을 갖는 웨이퍼 및 웨이퍼를 처리하기위한 방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼를 가공하기 위한 방법 및 장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼의 세선화에 관한 것이다. 또한 본 발명은 하나의 지지층과 지지층과 웨이퍼 사이에 배치된 하나의 중간층을 구비한 웨이퍼, 이때 상기 중간층은 플라스마 고분자 층으로서 웨이퍼에 부착되고 웨이퍼 보다는 지지층에 더 견고하게 부착되는 웨이퍼에 관한 것이다.
Description
본 발명에 따른 첫 번째 관점은 웨이퍼의 가공을 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 전술한 방법 및 장치는 반도체 제품의 제조에 사용되는 웨이퍼를 더욱 얇게 가공하도록 촉진하는 것이다. 상기 웨이퍼는 바람직하게 보다 신뢰할 수 있도록 취급되거나, 반도체 부품 및/또는 회로 및/또는 센서 및/또는 다른 반도체 제품의 필수 가공비용은 감소 및/또는 보다 비용 효율적으로 되거나, 레이져를 이용한 커팅방법이 허용 및/또는 용이하게 되거나 특정적으로, 세선화된 웨이퍼의 후면의 코팅 및/또는 구조가 허용 및/또는 용이하게 되거나, 파쇄 및/또는 기계적인 손상의 위험은 감소된다.
나아가, 본 발명의 다른 관점은 중간층(interlayer) 및 지지층(carrier layer)을 갖는 웨이퍼에 관한 것이다. 본 발명의 첫 번째 관점은 하기에서 우선 상세히 기술되고, 두 번째 관점이 개별적으로 설명된다.
얇은 웨이퍼 및/또는 얇은 반도체 구성요소의 제조방법은 당업자마다 상이하다. 일반적으로 후술되는 방법이 채택된다. 전자 구성요소 및 회로(다이오드, 트랜지스터, IC, 센서 등) 구조물, 층(layer) 등의 제조는 다양한 기술수단에 의하여 웨이퍼(실시콘 디스크, GaAs 또는 가타 반도체 재료 및 기재)에 적용되어진다. 현재까지 전술한 웨이퍼는 이러한 목적을 위하여 필요로 하는 가공 단계의 완료 후 전면(활성면, 도입된 구성요소가 위치하는 면)에 보호필름 또는 기타 보호층(왁스에 의하여 접촉되는 유리판과 같은)이 구비된다. 상기 필름 또는 층의 목적은 웨이퍼의 후속되는 세선화(thinning) 공정(후면의 그라인딩(grinding), 랩핑, 커팅, 에칭 등) 동안 웨이퍼의 전면 및 도입된 전자적 및 기계적 구조를 보호하기 위한 것이다. 필름 또는 층의 도입 후 상기 웨이퍼의 후면이 세선화되고, 이에 따라 웨이퍼의 본래의 두께는 감소된다. 남는 잔존 두께는 심각하게 증가하는 깨짐 또는 다른 기계적 손상의 위험이 극복되어야 하는 후속 공정단계에서 예측되는 기계적 부하에 의해 항상 결정된다. 세선화 단계 후 상기 웨이퍼의 후면은 웨이퍼의 취성을 증진시키기 위한 기계적 및/또는 화학적 처리를 적용할 수 있다. 임의로 세정(cleaning) 단계 후 상기 보호필름 또는 지지층은 웨이퍼의 전면으로부터 탈리되거나 제거된다. 임의의 추가적 가공(fabrication) 단계 및/또는 기계적 특성을 증진시키는 조치수단 및/또는 시험은 이어질 수 있다. 많은 경우에서, 세선화된 웨이퍼의 후면은 금속층 및/또는 기타 층으로 코팅 및/또는 구조화 된다. 대부분의 경우 상기 코팅은 스퍼터링(sputtering), 진공내에서 유사 증착공정 및/또는 리토그래픽(lithographic) 공정 및 열응력(thermal stress) 및/또는 열보조(thermal assistance)를 포함하는 여러 가지 방법에 의하여 수행된다. 후면(후면 코팅 및/또는 후면 구조) 상의 후속공정으로 전면의 보호필름 또는 도입된 층 복합물이 제거된다. 그 다음 상기 웨이퍼는 많은 경우에 있어서, 후면이 아래로 향하도록(활성 전면은 상향) 절단필름(확장 필름 또는 프레임) 상에 위치된다. 마지막으로 상기 웨이퍼는 회전식 분리 디스크 또는 다른 기계적 절단장치에 의하여 절단(각각의 구조적 부분으로의 웨이퍼 분할)된다. 개별적인 경우 레이저 분리 방법도 사용된다. 개별적인 경우 웨이퍼는 개별적인 경우에 사용되는 스코어링(scoring)과 같은 보조방법에 의하여 파쇄되고 또는 상기 웨이퍼는 에칭 공정에 의하여 분할된다. 종래의 공정에서 깨어짐 또는 다른 손상의 위험의 증가 없이 얇은 웨이퍼를 가공 및 운송하는 것은 매우 어렵다. 이러한 어려움은 세선화 공정 후 상기 웨이퍼가 그것의 작은 두께와 관련하여 높은 기계적 부하에 적용을 받는다는 여건에서 비롯된다. 전술한 부하는 특히,
a) 세선화 공정 중에 웨이퍼의 전면을 보호하는 보호필름 또는 보호층의 탈리 또는 필링(peeling) 동안,
b) 절단필름 상에 웨이퍼를 배치하는 동안
c) 세선화 공정 및 웨이퍼의 분할(웨이퍼 조각으로 분리, 예를 들면 다이스로 자른 것 또는 칩(chips)) 사이의 수송 및 상기 중간 중간에서 발생 가능한 모든 가공단계 동안이다. 특정적으로 전술한 스트레스는 후면의 코팅시 발생한다.
전술한 공정의 다른 방법으로서 현재 공정은 이미 웨이퍼가 스코어된 구조물(scored structure)의 그라인딩 및/또는 스코어링 및/또는 화학적 에칭 및/또는 구조물의 플라스마 에칭(이 용어는 또한 스크랩핑을 포함)에 의해 세선화 공정 전에 이미 전면(구조적 면) 상에 구조화되어 상기 구조물이 기계적 및/또는 화학적 수단에 의하여 후속적인 세선화 공정 동안 노출되어 웨이퍼가 분할 되도록 사용 및/또는 개발되어진다. 후속 공정단계 동안 웨이퍼의 분할된 부분(다이스)이 더 이상 경제적으로 취급될 수 없다는 문제점이 있다. 이는 수행되어야 하는 가공단계 동안 구성요소들이 탈리 및/또는 위치의 변화가 이루어지지 않도록 이미 분할된 구성요소의 대다수가 고정되어야 하기 때문이다.
현재 종래의 공정은 세선화된 웨이퍼 또는 웨이퍼의 후면 상에 미리 세선화된 웨이퍼의 분할부분(다이스)을 경제적으로 코팅하는 것은 곤란하며, 어떠한 경우에서는 불가능하다. 이것이 현재까지 수행되어지는 한, 많은 가공손실이 웨이퍼 깨짐 및/또는 다른 형태의 손상으로 인해 발생하고, 및/또는 그러한 손상을 피하기 위해 상당히 수동적인 조치가 필요하다. 이와 같은 관계에서, 현재까지 상기 웨이퍼 및/또는 분할된 웨이퍼 일부는 일반적으로 매우 복잡 및/또는 매우 조심스러운 방법에 의해서 및/또는 수동적으로 복잡한 장비에 의해 취급되어져야만 한다. 이와 관련하여 전술한 곤란성은 특정적으로 웨이퍼의 극단적으로 얇은 재료 두께 및/또는 임의로 이미 다수의 분할된 웨이퍼 일부에 기인한다.
본 발명에 따른 첫 번째 관점은 도 1 내지 15에서 보다 상세하게 도시되어 있다. 도면에 도시된 공정단계의 순서는 오직 예시적이며 현재 또는 매래의 발명에 따른 방법은 상이할 수 있다. 특정적으로 단계 12(후면의 금속화) 다음에 단계 9(레이저 분리)의 방법에 의해 웨이퍼를 분할하는 것이 바람직할 수 있다.
도면에서 크기 관계 및 치수 등의 기술적 데이터는 오로지 예시적인 것이다.
도 1: 단계 1; 예를 들면 600㎛(화살표)의 본래의 두께를 갖는 세선화된 존(1) 및 전자 구성요소(2)를 포함하는 웨이퍼(1,2)의 단면이 도식적으로 나타낸다.
도 2: 예를 들면 CVD 코팅 공정에 의해 중간층(3)의 도입인 단계 2 후의 웨이퍼.
도 3: 고분자(예를 들면 폴리아미드)로 이루어진 플라스틱 조성물의 도입에 의해 보호층 및 지지층(4)의 도입인 단계 3 후의 웨이퍼. 이와 관련하여 예를 들면 스핀 코팅 등과 같은 적절한 방법에 의해 도입된 조성물의 분산 및/또는 평활화하는 것이 유리하다.
도 4: 단계 4; 플라스틱 조성물의 열처리(가온 및 가열) 및/또는 다른 적절한 화학적 및/또는 물리적 처리(5)에 의한 상기 보호층 및 지지층의 경화 및/또는 고정화.
도 5: 기계적인 세선화(그라인딩 및/또는 연마 등)를 위한 웨이퍼를 기계적 장치로의 삽입을 나타내는 단계 5.
도 6: 단계 6(그라인딩/평활화) 후의 상태; 이미 세선화된 존(1b)을 포함하는 세선화된 웨이퍼(1b, 2)의 단면이 도식적으로 나타낸다. 세선화 공정에 의하여 손상을 받은 존(6)은 후면에 위치된다. 예를 들면 100㎛의 두께로 남겨진 웨이퍼는 화살표에 의해 표시되고, 웨이퍼 후면의 영향을 받은 연마(effected abrasion)는 점선에 의해 표시된다.
도 7: 단계 7; 후면의 기계적 공정, 예를 들면 폴리싱(polishing)(7) 및/또는 화학적 공정, 예를 들면 에칭(8)에 의해 손상된 존(6)을 제거하여 상기 웨이퍼(1c, 2)가 더욱 세선화된 존(1c)을 갖도록 한다.
도 8: 단계 8; 광학적 공정에 의한 웨이퍼의 정렬화. 특정적으로 광학적 탐지 수단(예를 들면 IR 카메라(9))에 의해 웨이퍼의 위치 및/또는 커팅 수단(예를 들면 레이저(11), 도 9 참조)의 위치를 잡기 위한 웨이퍼의 전면(활성 또는 구조화된 면)에 도입된 구조물 및/또는 표시(9a)를 인지하기 위해 적절한 파장(예를 들면 IR 조사, IR 조사원(10))의 빛으로 웨이퍼를 투영하는 것이 바람직하다.
도 9: 단계 9; 적절한 커팅 공정, 본 발명의 경우 레이저 커팅 헤드(11)에 의한 웨이퍼의 분할. 특정적으로 수류(water jet) 지원 및/또는 없이 레이저 빔의 사용이 바람직하다.
도 10: 단계 10; 웨이퍼의 세척(바람직하지만 필수적이진 않음), 세척하기 위해 적절한 방법으로 웨이퍼를 세척하는 것이 바람직하다. 특정적으로 스프레이 및/또는 린스 및/또는 배쓰(bath)(13)를 이용한 액상의 세척제(12), 물을 사용하는 것이 바람직하다. 그러나 선택적 또는 추가적인 공정 예를 들면 흡입 또는 송풍공정 또한 사용될 수 있다.
도 11: 단계 11; 웨이퍼의 고정. 보다 양호한 웨이퍼의 고정 및 홀딩(holding)을 위해서는 홀더(14)로 상기 웨이퍼(지지층(4)을 통하여)를 안정하게 하거나 및/또는 고정되도록 하는 것이 바람직하거나 필요하다. 이것은 기타 홀더 및/또는 적절한 방법, 본딩(bonding), 스태틱 로딩(static loading) 또는 유사한 방법을 적용하는 것에 의해 달성될 수 있다. 대체로 가능한 고정 및/또는 홀딩은 예시로서 기술되는 모든 가공 단계에서 예상될 수 있고, 이러한 범위에서 바람직 및/또는 필요하다.
도 12: 단계 12; 후면의 코팅. 웨이퍼의 후면에 대한 코팅을 도입하기 위해서 진공(15)하에서 이를 적용하는 것이 바람직 및/또는 필요하다. 후면상의 코팅(16)은 적절한 방법, 증기증착 및/또는 스퍼터링 및/또는 다른 적절한 화학적 및/또는 물리적 방법에 의해 적용되는 금속층으로 구성된다.
도 13: 단계 13; 적절한 방법 및/또는 수단(17), 예를 들면, 픽업(Pick-up) 수단에 의해 웨이퍼의 분할된 부분(구성요소)의 탈리 또는 제거. 이와 관련하여 적절한 화학적 및/또는 물리적 공정에 의한 구성요소의 탈리를 지원하는 것이 바람직 및/또는 필요하다.
도 14: 단계 13의 대체방법: 웨이퍼의 후면은 다른 필름 및/또는 다른 담체(예를 들면 청테이프과 같은 지지필름)(18)상에 위치시키고 및/또는 결합하는 것, 웨이퍼를 회전시키고 홀딩 플레임(20)으로 웨이퍼를 부착하여 고정하는 것이 바람직 및/또는 필요하다.
도 15: 도 14에 따른 단계 13을 대체하기 위한 후속단계: 다음 후속단계에서, 지지층을 탈리시키는 것이 바람직 및/또는 필요하다. 이러한 관계에서 적절한 기계적 방법 및/또는 기구(19)를 사용하는 것이 바람직하다. 동시에 적절한 화학적 및/또는 물리적 방법에 의한 지지층의 탈리를 지원하는 것이 바람직 및/또는 필요하다. 상기 중간층(선행 공정단계에 따라)은 지지층(도식적으로 나타내지 않음)을 탈리하는 동안 의도적으로 웨이퍼로부터 제거되거나 웨이퍼(도식적으로 나타내지 않음)상에 남겨질 수 있다.
도 16은 바람직한 본 발명의 양태(지지층 및 중간층을 구비한 웨이퍼)를 도식적으로 나타낸다: 이는 전자 구성요소가 없는 하나의 실리콘층(1), 임의로 추가의 패시베이션층(passivation)으로 보호된 전자 구성요소가 구비된 층(2), 하나의 중간층(3) 및 하나의 지지층(4)을 포함한다.
도 17은 도 16에서 확대경으로 표시된 부분의 상세도이다: 여기서 전자 구성요소가 없는 실리콘층(1) 일부, 전자 구성요소가 구비된 층(2), 중간층(3) 및 지지층(4)의 일부를 나타내었다. 중간층(3) 내에 탈리존(3a)과 접착존(3b)가 강조된다.
본 발명의 첫 번째 관점은 웨이퍼의 세선화를 간소화하고, 보다 경제적으로 구성하여 세선화된 웨이퍼, 특정적으로 후면의 코팅과 관련하여 가공을 용이하게 하는 웨이퍼를 가공하기 위한 방법 및 장치를 제공하는 목적을 기본으로 한다. 추가로, 본 발명은 세선화, 후면의 코팅, 분할 및 상기 단계 사이에서 발생되는 모든 가공단계를 포함하는 공정단계를 수행하는 동안 보다 안정적이고 경제적으로 웨이퍼를 가공할 수 있도록 한다. 웨이퍼의 깨짐과 관련된 위험은 특정적으로 이에 따라 감소된다.
상기 목적은 일측면(전면) 상의 구성요소를 지지하는 다음의 단계를 포함하는 웨이퍼의 처리를 위한 공정에 의하여 달성된다:
- 웨이퍼의 전면과 접촉하는 적어도 하나의 중간층 및 지지층을 포함하는 층 시스템(layer system)이 있는 웨이퍼의 전면상에 층 시스템의 적용,
- 세선화 과정 동안 상기 층 시스템이 웨이퍼 또는 웨이퍼의 일부를 보호 또는 지지하도록 하는 웨이퍼의 후면의 세선화.
이미 그라인딩 및/또는 스코링 및/또는 화학적 에칭 및/또는 구루브(grooves)의 플라스마 에칭 및/또는 다른 구조물에 의해 세선화 공정 전에 이미 웨이퍼의 전면(구조적 면) 상에 구조화되어 전술한 구조물이 기계적 및/또는 화학적 방법(예를 들면 에칭)에 의한 후속적인 세선화 공정 동안 노출되어지도록 하고, 그리하여 웨이퍼의 분할이 일어나고 상기 웨이퍼는 세선화(후면 상의 물질을 제거함) 전에 중간층에 의해 전면이 코팅된다. 상기 중간층은 바람직하게 화학적 증기증착(chemical vapour deposition, CVD)방법에 의하여 도입된다. 상기 중간층은 예를 들면 브레멘(Bremen)의 Fraunhofer Institut fuer Fertigungstechnik und Angewandte Materialforschung에서 개발한 플라스마중합 코팅(plasmapolymeric coating)이된다. 상기 중간층은 CVD 공정 및/또는 다른 진공기술 공정에 의하여 전체 두께가 형성되는 것이 가능하고, 적합한 재료의 도입(필요에 따라 사전에)에 의하여 지원 및/또는 달성될 수 있다. 이와 관련하여 바람직한 중간층의 두께는 1 내지 1000nm, 보다 바람직하게는 50 내지 200nm로 조정되는 것이 좋다. 상기 층의 두께는 보다 작거나 클 수 있다. 중간층의 접착 특성은 CVD 공정에 의해 적용되는 플라즈마중합 코팅의 경우 공정기술 매칭(matching)에 의해 양쪽면에서 개별적으로 조정될 수 있다. 상기 중간층은 웨이퍼 표면에 인접한 층(지지층)의 후속적인 탈리를 용이하게 한다. 상기 중간층은 또한 후속적인 공정단계를 위하여 웨이퍼 표면과 이웃한 지지층간의 충분한 결합력(접착 및/또는 기타 결합력에 의한)을 발휘하거나, 이것을 보조 및/또는 허용한다. 상기 결합력은 부분적으로 웨이퍼 표면의 표면형태로부터 기인한다. 만약 발생하는 응력이 예를 들면 그라인딩 또는 다른 적절한 방법에 의한 기계적인 세선화 공정에서 보상되어져야만 한다면 후자가 특정적으로 중요하다. 본 발명 범위 내의 용어 웨이퍼에 의해 이해되는 웨이퍼의 구성부분은 웨이퍼 전면상에 패시베이션 층(passivating layer)이 될 수 있고, 보다 구체적이고 바람직하게는 웨이퍼가 전자 구성요소(electric component)를 포함할 수 있다. 전술한 패시베이션 층(만약 존재한다면)은 바람직하게 상기 전자 구성요소를 지지하는 웨이퍼의 표면에 직접 접촉되도록 위치한다.
본 발명에 따른 공정은 다음의 추가적인 단계를 포함하는 것이 바람직하다: 코팅시 필요에 따라 전면에 정렬되는 구조적 층 시스템이 상기 웨이퍼 또는 웨이퍼 일부를 보호 또는 지지하도록 하는 세선화된 웨이퍼의 후면 코팅.
본 발명에 따른 공정은 다음의(추가적인) 측정을 갖는 것이 특정적으로 바람직하다: 분할시 층 시스템(전면층 시스틈)이 웨이퍼 또는 웨이퍼 일부를 보호 또는 지지하고, 상기 분할은 분리 단계와 같이 수행되거나 또는 세선화에 의해 영향을 받고, 상기 층 시스템은 분할로 분리 또는 분리되지 않는 웨이퍼의 분할.
본 발명에서 용어 분할은 웨이퍼의 일부(다이스)로 되는 웨이퍼의 분리를 의미하는 것으로 이해하여야 한다.
상기 세선화는 본 발명에 따른 방법에서 화학적(에칭) 및/또는 기계적으로 수행될 수 있다.
본 발명에 따른 방법은 다음의 추가적인 단계를 포함하는 것이 바람직하다: 웨이퍼의 기계적인 물성이 변화되고, 바람직하게는 웨이퍼의 분할이 영향을 받거나 증진되도록 및/또는 세선화된 웨이퍼의 후면의 코팅이 증진되도록 변화되는 웨이퍼의 후면 평활화. 여기서 상기 평활화단계는 화학적 또는 물리적 에칭(예를 들면 플라스마 에칭) 또는 기계적 연마에 의해 수행되어 웨이퍼가 깨지는 위험을 감소시킨다.
본 발명에 따른 전술한 방법은 웨이퍼의 전면상에 상기 층 시스템의 작업완료 전 다음의 추가적인 단계를 포함하는 것이 바람직하다:
- 상기 형성된 구조물이 후면의 세선화 동안 또는 후면의 후속가공 동안 개방되고 웨이퍼를 분리하기 위한 그라인딩 및/또는 스코어링 및/또는 화학적 에칭 및/또는 물리적 에칭에 의한 웨이퍼의 (전-)구조화.
또한 본 발명에 따른 (a) 레이저 빔 또는 (b) 기계적인 방법, 바람직하게는 연마 커팅, 절단 또는 파쇄 등을 포함하는 전술한 공정은 웨이퍼를 분리하는 방법에 사용되는 것이 바람직하다. 특정적으로 유형(b)는 바람직하게 분리를 위해 미리-구조화되지 않는 웨이퍼를 위해 사용된다.
본 발명에 따른 보다 바람직한 방법은 분할 후 다음 단계를 포함한다:
- (a) 웨이퍼로의 층 시스템 접착 또는 웨이퍼 측면, 바람직하게는 중간층에 이웃하는 층 시스템의 층으로의 지지층 접착의 감소. 본 방법의 목적은 특정적으로 진공장치 또는 특정적으로 바람직하게 청테이프라 지칭되는 것이 웨이퍼의 후면에 도입될 필요가 없는 다른 기계적 제거장치에 의해 웨이퍼의 분할된 부분의 제거가 가능하게 하는 것이다.
바람직하게는 (a) 층 시스템의 경우 또는 (b) 지지층의 경우 접착 감소는 (i) 전자파 조사, (ii) 열처리, (iii) 화학작용 및/또는 (iv) 기계적 작용에 의해 달성된다. 여기서, 상기 열처리는 가열 또는 냉각 또는 이들 모두에 의해 구성된다.
이와 관련하여 본 발명에 따른 방법은 상기 중간층이 지지층 또는 웨이퍼 또는 웨이퍼 일부로부터 기계적으로 탈리되는 것이 바람직하다.
또한, 층 시스템의 중간층이 진공기술에 의하여 도입되는 것이 본 발명에 따른 방법으로 바람직하다. 상기 중간층은 DE 100 34 737 C2에 기재된 것과 같이 바람직하게는 하나의 층이다; 상기 중간층은 바람직하게 물성이 조정되어 원하는 분리면(예를 들면 분리가 발생하는 표면) 범위에서 다른 인접한 층에 접착되는 것보다 인접하는 층에 덜 견고하게 접착하는 플라스마중합 변형 층이다. 전술한 접착성은 중간층과 이웃하는 층(일반적으로 웨이퍼 및 지지층)의 매칭에 의해 달성된다. 이것은 바람직하게 플라스마중합 구배 층과 같이 중간층의 형성에 의하여 달성된다. 원하는 분리면이 중간층 및 웨이퍼의 접촉면을 따라 움직이는 것이 특정적으로 바람직하다. 이는 중간층이 지지층보다 웨이퍼에 덜 견고하게 접착한다는 것을 의미한다.
중간층이 도입된 후 지지층이 추가의 층으로 도입된다. 이것은 바람직하게 액체 적용(예를 들면 스핀코우터에 의해)에 의해 도입되는 플라스틱 조성물(예를 들면 고분자)이다. 상기 지지층은 감광 코팅, 세라믹 물질, 금속, 점착성 및/또는 용해성 및/또는 유기 및/또는 무기 성분 및/또는 층 복합물 및/또는 전술한 재료의 혼합물로 구성된다. 본 발명에 따른 방법의 다른 바람직한 양태에 있어서, 상기 지지층은 열 또는 빛의 조사에 의하여 경화된다.
종래의 기술과 같이 일반적으로 후속으로 세선화(그라인딩, 연마커팅 또는 세선화하는 웨이퍼를 위한 유사한 공정)하기 전에 웨이퍼의 보호를 위해 웨이퍼의 전면(구조적 측면)을 통상적인 필름 도입하는 단계를 지지층에 인해 생략할 수 있다. 필요에 따라 및/또는 목적하는 바대로 도입된 지지층은 기계적인 평활화 및/또는 회전, 예를 들면 스핀 코팅 및/또는 다른 수단 및/또는 필요한 공정의 사용에 의하여 편평 및/또는 평활화 될 수 있다. 상기 층은 동일한 시점 및/또는 순차적으로 열 및/또는 다른 적절한 또는 필요한 공정 UV 및/또는 IR 조사 등에 의하여 경화 및/또는 용융된다.
상기 층 시스템의 특성 및 특정적으로 그것의 물성과 관련하여 레이저에 의한 후속적인 웨이퍼의 분할을 위한 지지층의 물성을 레이저빔 적용시 광학적 또는 기타 재료 특성과 맞추어 지는 것이 바람직하다. 그리하여 레이저 분리 동안 층 시스템의 상호작용 및/또는 그것의 변화 또는 손상은 방지 및/또는 감소된다.
상기 층 시스템은 오목하게 들어간 곳(recess) 및/또는 장치 및/또는 웨이퍼의 표면으로 확장되는 기계적 구성 부분(고정 또는 유지를 위한)을 가질 수 있다.
보다 더 보강 및/또는 지지(support) 및/또는 후속적인 취급의 용이함을 위해 상기 층은 유리, 금속 및/또는 기타 적절한 유기 및/또는 무기 재료 및/또는 전술한 재료의 혼합물 및/또는 그것들로 구성된 층 복합물의 담체에 의하여 지원될 수 있다. 여기서 그라인딩시트 및/또는 연마시트 등의 시트가 또한 사용될 수 있다.
도입된 층 시스템(적어도 중간층 및 지지층을 포함)은 후속 공정, 취급 및 수송 동안 웨이퍼의 표면을 지지 및/또는 보호하고, 필요에 따라 요구되는 제거 및/또는 탈리 할 때까지 이미 분할된 구성요소(웨이퍼 일부)를 고정시킨다. 이것은 특정적으로 보다 좋은 장점 또는 맞추어진 특성을 나타내도록 층의 물성 및 재질의 물성 및/또는 층의 두께를 조정함에 따라 층을 조정하는 것이 가능하다. 그러므로 층의 유연성, 접착성 및/또는 감쇠특성(damping properties)이 영향을 받고 설정된다. 이는 웨이퍼의 표면형태를 목적하는 바대로 끼워놓고 보호하는 것이 바람직할 수 있다. 이것은 돌출된 접촉이 기계적으로 보호되고, 그라인딩 및/또는 연마에 의한 후속적인 세선화에서 일반적으로 원하지 않는 접촉의 침투력을 감소 또는 억제하므로 이미 범핑된 웨이퍼의 경우 장점이 될 수 있다.
상기 도입된 층 시스템은 이미 전술한 바와 같이 다양한 기능을 지니고 있다. 상기 층 시스템은 세선화 동안 기계적 및/또는 화학적 또는 플라스마 기술적 손상에 대하여 웨이퍼의 전면을 보호하고, 후속적인 웨이퍼의 취급 및 운송에 의하여 발생되는 기계적 부하를 감소시키고, 불순물로부터 웨이퍼의 전면을 보호하고, 절단필름의 역할을 제공하고, 특정적으로 후면의 코팅을 간소화하도록 할 수 있다. 이와 관련하여 후면 코팅 공정을 분할의 전 또는 후에 수행하거나 아니면 완전히 생략하거나 하는 것은 중요하지 않다.
기체가 배출되는 것과 같이, 진공상태에서 매우 작은 반응 또는 반응이 일어나지 않는 지지층의 재질을 선택하는 것이 바람직하다. 코팅 공정의 경우, 사용되는 지지층 재질이 높은 열전도도를 갖고, 웨이퍼의 선택적 가열을 허용하고, 상기 웨이퍼의 열을 선택적으로 제거하는 것이 바람직하다. 이러한 특성은 예를 들면 적절한 충진물을 제공함으로써 달성된다. 더 나아가, 온도변화 하에서 웨이퍼 재질의 동태에 맞추어지도록 지지층 재질을 선택하는 것이 바람직한 바, 예를 들면 웨이퍼 재질 및 지지층 재질을 선택함에 있어서 상기 재질이 서로 매우 유사한 열팽창 계수(웨이퍼의 열팽창 계수에 대한 지지층의 열팽창 계수의 비율은 바람직하게 0.9 내지 1.1의 범위인 것이 좋다)를 갖는 것으로 한다.
만약, 상기 웨이퍼가 충분히 얇다면, 레이저 및/또는 다른 적절한 기계적인 방법, 예를 들면 연마커팅 및/또는 절단 및/또는 에칭 공정에 의해 웨이퍼를 분리하는 것이 유리 및/또는 필요할 것이다. 이와 관련하여 상기 웨이퍼는 적절한 광학적 방법(바람직하게는 적외선 스펙트럼 및 위치를 잡기 위한 목적(정렬-웨이퍼에 정밀하게 정렬화되도록 하여 구성요소가 매우 정확하게 분리되도록 함))에 의해 투영하여 이러한 목적으로 제공되는 구조물 및 표시(절단선)가 확인 될 수 있도록 한다. 웨이퍼 및/또는 분리 장치를 정렬한 후 상기 분리 공정은 시작된다. 이와 관련하여 바람직하게는 레이저 및/또는 다른 적절히 설계된 절단 및/또는 분리장치는 커팅을 위한 구조물, 커팅을 위해 제공되는 구분선 및/또는 선을 따라 이동하며 절단하고 분리하고, 레이저의 경우 레이저의 빔으로 절단한다. 이 과정은 적절한 장치, 예를 들면 광학적, 전기적 또는 기계적 측정 및 조절장치에 의해 감시 및 필요에 따라 추후 제어된다. 웨이퍼의 분리 중 또는 분리 후 형성된 입자기체 및 먼지는 적절한 장치에 의해 바람으로 제거하거나, 흡수하여 제거하거나 세척되어 제거된다. 또한 에칭 공정이 상기 분리를 위해 사용될 수 있다.
만약 세선화된 웨이퍼의 후면에 대해 금속화 및/또는 후면 구조화가 적용된다면, 웨이퍼의 분할 전에 전술한 것을 수행하는 것이 바람직하다. 이러한 방법으로 노출되는 분리 모서리 상의 코팅 및/또는 손상을 피할 수 있다. 안정화 및/또는 지지(support)를 위해서는 추가의 층 및/또는 담체에 의하여 지지층을 웨이퍼와 함께 홀딩하거나 고정하는 것이 좋다.
또한, 본 발명은 웨이퍼 또는 특정 시점에서 이미 분할된 웨이퍼 일부의 복합물이 후면의 코팅을 위해 진공 상태에서 공정이 진행될 수 있다. 그러므로 스퍼터링, 증기증착 및/또는 기타 적절한 방법에 의하여 금속층을 진공상태에서 도입하는 것이 특정적으로 가능하다. 이와 관련하여 코팅시 300℃ 이상의 온도가 가능하다.
본 발명에 따른 방법은 바람직하게 층 시스템이 웨이퍼에 등진 면에 위치한 지지층에 배치되는 층을 포함하고, 상기 층 시스템이 (a) 필름의 형태 또는 (b) 무기 및/또는 유기재질의 혼합물 형태인 것이 바람직하다.
예정된 가공 단계가 완료된 후 도입된 지지층을 다시 벗겨내는 것이 필요 또는 바람직할 수 있다. 이러한 목적을 위해 추가의 필름(예를 들면 청테이프)은 웨이퍼의 후면에 도입되고 그 후 전면에 도입되는 지지층은 제거된다. 상기 층이 탈리될 때, 제거를 용이하게 하는 목적으로 사용되는 장치를 사용하는 것이 바람직하다. 특정적으로 웨이퍼의 표면 및 지지층 사이에 위치하는 중간층은 지지층 및/또는 분할된 구성요소의 스트리핑을 용이하게 한다. 상기 중간층의 양면 중 한면에서 중간층의 분리가 특별히 발생되거나 억제되도록, 독립적으로는 양면의 개별적인 접착성을 조절하는 것이 가능하다. 상기 중간층이 분리될 때 중간층은 웨이퍼 표면상에 남거나 지지층과 함께 제거된다. 선택적으로 지지층으로부터 직접적으로 웨이퍼의 분할된 부분을 들어올려 제거하거나 탈리하는 것이 목적하는 바 또는 바람직할 수 있다. 지지층의 결합력 또는 접착성을 감소시키기 위해서는 적절한 방법, UV 또는 IR 빛 조사, 열처리 및/또는 다른 적절한 방법을 이용하여 결합력 및/또는 접착성을 감소시키는 것이 유익하거나 바람직하다.
본 발명에 따른 방법은 바람직하게는 웨이퍼의 후면의 세선화를 (i) 연마, (ii) 래핑(lapping), (iii) 화학적 습식 에칭 및/또는 (iv) 플라스마 에칭에 의하여 수행된다. 이와 관련하여 연마는 예를 들면 그라인딩이다.
본 발명에 따른 방법은 다음의 단계를 포함하는 것이 바람직하다:
a) 웨이퍼의 전면에 접촉하는 중간층 및 지지층으로 이루어진 웨이퍼의 전면으로의 층 시스템의 적용단계,
b) 지지층의 경화 및/또는 고정화단계,
c) 웨이퍼 후면의 세선화단계,
d) 바람직하게는 웨이퍼의 분할이 일어나고 또는 증진되거나 및/또는 세선화된 웨이퍼의 후면의 코팅이 증진되는 방법으로 웨이퍼의 기계적 특성이 변화되도록 웨이퍼의 후면 평활화단계,
e) 코팅시 층 시스템이 웨이퍼 및/또는 웨이퍼의 일부를 보호 또는 지지하도록 세선화된 웨이퍼의 후면의 코팅단계,
f) 코팅시 층 시스템이 웨이퍼 및/또는 웨이퍼의 일부를 보호 또는 지지하고, 상기 층 시스템이 분할시 분리되지 않는 웨이퍼 구성요소의 분할단계, 및
g) 지지층 또는 웨이퍼 또는 웨이퍼의 일부(이미 분할된 웨이퍼 일부)로부터 중간층의 바람직한 기계적 탈리단계.
특정적으로 본 발명에 따른 방법은 중간층이 웨이퍼의 전면에 접착되고, 웨이퍼 보다 지지층에 더 견고하게 접착되도록 상기 층 시스템이 적용되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 본 발명에 따른 방법을 실행하기 위한 장치에 관한 것이다. 상기 장치는 바람직하게 하나의 설비단위, 하나의 설비 시스템이거나 여러 설비와 연결설치된 것으로 구성되어 있다. 상기 장치는 바람직하게 중간층의 도입, 지지층의 도입, 도입된 층의 가공, 세선화 및 구성요소의 분할을 위한 장치들이 서로 연결설치된다. 본 발명에 따른 방법을 수행하기 위한 바람직한 장치는:
- 웨이퍼의 전면에 접촉하는 적어도 하나의 중간층 및 지지층을 포함하는 층 시스템을 웨이퍼의 전면에 적용하기 위한 수단, 및
- 코팅하는 동안 층 시스템이 웨이퍼 및/또는 웨이퍼 일부를 보호 또는 지지하도록 설계된 전면에 층 시스템이 구비된 후면의 세선화 수단,
임의로
- 코팅하는 동안 층 시스템이 웨이퍼 및/또는 웨이퍼 일부를 보호 또는 지지하도록 설계된 세선화된 웨이퍼의 후면을 코팅하기 위한 수단, 및/또는
- 상기 층 시스템이 웨이퍼 또는 웨이퍼의 일부를 분할하는 동안 보호 또는 지지하고, 상기 분할 공정은 독립적인 단계로 수행되거나 세선화에 의해 수행되고 상기 분할 공정에서 층 시스템이 절단되거나 절단되지 않는 것, 및/또는
- 그라인딩 및/또는 스코링 및/또는 화학적 에칭 및/또는 물리적 에칭에 의한 웨이퍼의 구조화를 위해 구조물이 후면의 세선화 또는 후면의 후속적 처리 중 개방되도록 형성되고 웨이퍼를 분할하도록 장치의 다른 구성부분과 서로 협조하는 수단, 및/또는
- (a) 웨이퍼로 접착되는 적용된 층 시스템 또는 (b) 웨이퍼 측면의 층 시스템에 이웃한 층, 바람직하게는 중간층에 접촉하는 지지층의 접착성을 감소시키기 위한 수단, 및/또는
- 층 시스템으로부터 웨이퍼 또는 웨이퍼 일부의 탈리를 위한 수단을 포함한다.
본 발명에 따른 장치는 바람직하게는 웨이퍼의 전면에 중간층 및/또는 지지층(보호 또는 덮는 층) 또는 이들 층의 조합(combination) 및/또는 층 시스템의 도입을 위한 코팅 수단, 후면의 코팅을 도입하기 위한 수단, 웨이퍼의 세선화를 위한 수단, 웨이퍼 일부(다이스)를 분리하기 위해 레이저 또는 레이저-보조 분리 수단 및/또는 기계적 분리수단으로 구성된 수단, 분할 후 웨이퍼의 전면에 지지층이 접착(필요에 따라 중간층이 함께)하는 것을 감소시키기 위한 수단 및 상기 층으로부터 구성요소를 탈리하기 위한 수단으로 구성된다.
본 발명은 전자 구성요소, IC, 센서 등을 위한 웨이퍼의 완성가공 및 취급에 있어서 보다 주요 기술적 장점을 실현시킬 수 있다. 본 발명에 따른 방법 및 장치에 따라 완성가공을 간소화하고, 보다 비용이 절감된다. 추가적으로 작은 웨이퍼 두께는 보다 간단하게, 보다 경제적으로, 보다 신뢰할 수 있는 방법으로 달성될 수 있다.
현재까지 채택되고 있는 담체 용액(필름 형태의 담체 또는 다른 층 시스템, 왁스와 글래스의 조합)보다 우수한 장점은 특정적으로 세선화된 웨이퍼의 후면을 코팅하기 위한 공정, 특히 전술한 코팅 공정이 진공에서 얼어나거나 및/또는 열적 부하 하에서 수행되는 경우 발생한다. 이와 관련하여 세선화된 웨이퍼 또는 이미 분할된 구성요소의 취급은 도입된 지지층이 웨이퍼 및/또는 분할된 웨이퍼 일부를 고정 및/또는 기계적으로 지지한다는 사실에 의하여 간소화된다. 만약 상기 웨이퍼 표면이 만족할 만한 표면 형태적 특성을 갖는다면, 웨이퍼의 분할된 일부가 또한 이를 통해 고정된다. 이러한 효과는 웨이퍼 표면 전면의 구조화가 분할을 위해 수행되는 한 달성 및/또는 지원된다. 그 결과, 상기 지지층뿐만 아니라 중간층은 상기 생성된 구조로 도입되고, 후속적으로 분할된 웨이퍼 일부의 기계적 고정(anchoring)이 달성된다.
추가의 장점은 전면에 도입된 층 시스템이 웨이퍼 표면의 표면형태를 이러한 목적으로 사용되는 종래의 필름보다 매우 양호하게 및 보다 양호하게 보호할 수 있다는 것이다. 웨이퍼 표면상의 돌출부의 원하지 않는 압착력은 기계적인 세선화 공정 동안 감소되거나 또는 제거될 수 있다.
또 다른 장점은 층 시스템이 진공공정 및/또는 래커링(lacquering) 공정(스핀 코팅)에 의하여 도입될 수 있다는 것이다. 그러므로 지지 재료로 이루어진 필름의 도입 및/또는 탈리를 위한 공정을 생략할 수 있다.
추가로, 상기 중간층 및 지지층의 층 시스템을 통해 웨이퍼의 분할된 일부가 복합물(composite)로서 일반적인 단일 웨이퍼와 동일하게 처리 및 취급된다. 상기 층 시스템은 또한 운송수단으로서의 기능을 수행하고 제조업자 및 후속적인 소비자 및 사용자 사이의 운송을 위해 제공된다.
그러나 필름의 사용 등과 비교해 볼 때 본 발명에 따라 적용된 층 시스템은 증진된 진공-기술 및 열적 적합성(thermal compatibility)은 매우 큰 의미를 갖는다.
실시예 1(본 발명의 첫 번째 관점)
하기 설명에 있어서, 웨이퍼는 이미 구성요소의 도입, 특정적으로 전자 구성요소 및/또는 기계적인 구조화 또는 코팅공정을 거친 것으로 가정한다.
웨이퍼의 전면은 CVD 공정에 의하여 약 100nm 두께의 플라스마 중합 층을 코팅하고, 이는 층 시스템의 구성부분으로서 웨이퍼의 활성면(전면)을 덮는다. 이는 양쪽 면이 개별적으로 조성된 접착성을 지니고, 중간층의 역할을 한다. 예를 들면, 상기 접착성이 설정되어 웨이퍼의 전면에 대한 중간층 접착은 매우 약하며, 지지층(후속되는 단계에 적용된)에 대한 중간층의 결합은 높게 된다; 또한, 상기 접착특성은 반대로 설정될 수도 있다.
임의로 필러(filler)로서 폴리아미드 농축된 플라스틱 조성물은 다음의 스핀코팅에 의해 지지층으로 도입되고, 열의 작용 하에서 경화된다.
웨이퍼의 후면은 그라인딩에 의하여 세선화되고, 표면 손상의 제거를 위해 화학적으로 에칭 된다. 그 다음, 웨이퍼의 후면은 진공 설비에서 스퍼터링에 의해 금속으로 코팅된다. 이때 상기 웨이퍼는 층 시스템의 파괴 없이 약 350℃까지 가열된다. 마지막으로, 상기 웨이퍼는 IR 조사를 이용한 광학적 공정에 의해 정렬화되고 레이저 빔에 의해 후면으로부터 분리된다. 분할이 완료된 후 상기 후면은 필름(청테이프)으로 코팅되고, 전면상의 중간층과 함께 지지층이 벗겨진다. 분할된 웨이퍼 일부는 뜯음(pinch) 및 위치선정(place) 과정에 의해 필름으로부터 제거되고 접촉된다.
발명의 첫 번째 관점의 추가의 바람직한 양태는 이하 명세서 및 관련 특허청구범위로부터 알 수 있다.
바람직하게는 웨이퍼의 세선화 및 후속되는 구성요소의 분할 및 임의로 그 사이에 있는 가공 단계 동안 구성요소를 가진 웨이퍼의 처리방법에 있어서, 구성요소를 갖는 웨이퍼의 전면은 세선화 전 적어도 하나의 중간층과 하나의 지지층으로 구성된 층 시스템으로 코팅되고, 전면에 도입된 층 시스템에 의해 상기 웨이퍼 및/또는 이미 분할된 구성요소를 웨이퍼 후면의 코팅과정에서 보호되고 및/또는 이에 의해 지지된다.
레이저 빔으로 구성요소를 분할하거나 또는 선택적으로 연마 커팅, 절단 및/또는 파쇄 등의 기계적 방법으로 구성요소를 분할하는 전술한 공정이 바람직하다.
본 발명에 따른 방법은 바람직하게는 상기 웨이퍼가 웨이퍼의 전면에 도입되는 층 시스템에 의하여 세선화 동안 보호되는 것이다.
본 발명에 따른 방법은 바람직하게는 상기 웨이퍼가 웨이퍼의 도입에 적용된 층 시스템에 의하여 구성요소의 분할되는 동안 보호받게 되는 것이 바람직하다.
더 나아가, 본 발명에 따른 방법은 바람직하게는 상기 중간층은 진공기술에 의하여 도입된 층이며, 여기서 상기 지지층은 다시 플라스틱 조성물로 이루어지는 것이 바람직하고, 상기 지지층은 스핀코우터에 의해 도입되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 방법은 지지층이 열에 의해 경화되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 방법은 지지층이 담체의 기능을 수행하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 방법은 지지층이 다수의 층을 포함하는 층 시스템인 것이 바람직하다.
또한, 바람직하게는 세선화 및 웨이퍼의 분할공정 사이에 상기 웨이퍼의 후면 상에서 웨이퍼의 취성을 향상시키기 위해 웨이퍼를 세척 및/또는 화학적 처리하는 본 발명에 따른 방법이다.
또한, 바람직하게는 지지층의 접착성이 웨이퍼 일부의 제거 및/또는 탈리 목적으로 감소되는 본 발명에 따른 방법이 바람직하다.
또한, 상기 지지층의 접착성이 전자파 조사에 의해, 열에 의해, 화학적 작용에 의해 및/또는 기계적 작용에 의해 감소되는 마지막으로 기술한 방법이 바람직하다.
또한, 다음 단계를 포함하는 본 발명에 다른 방법이 바람직하다:
a) 구성요소가 배치된 웨이퍼의 전면을 중간층으로 코팅하는 단계,
b) 웨이퍼의 전면을 지지층으로 코팅하는 단계,
c) 상기 지지층을 경화 및/또는 고정화하는 단계,
d) 후면으로부터 웨이퍼를 원하는 두께로 세선화하는 단계,
e) 기계적 특성의 향상 및 세선화된 웨이퍼의 증진을 위해 화학적 및/또는 기계적 공정에 의한 웨이퍼 후면의 처리 단계,
f) 층으로 웨이퍼의 후면을 코팅하는 단계,
g) 지지층이 분리되지 않도록 웨이퍼의 분할 단계,
h) 웨이퍼의 일부에 대한 지지층의 접착성 감소 단계, 및
바람직하게는 단계 e) 내지 h)는 임의로 순서 및/또는 개별적인 단계 또는 전술한 단계 모두를 생략하여 수행될 수 있다.
본 발명에 따른 방법은 바람직하게는 웨이퍼가 이미 중간층의 도입 및/또는 지지층의 도입 전에 그라인딩 및/또는 스코어링 및/또는 화학적 및/또는 물리적 에칭 공정에 의해 구조화되어, 상기 웨이퍼가 세선화 및/또는 후속적인 후면처리 동안 전술한 구조가 개방되고 분할되는 것이다.
또한, 어떠한 경우에 있어서 분리 공정이 생략되는 본 발명에 따른 방법이 바람직하다.
바람직하게는 본 발명에 따른 방법에서, 세선화는 그라인딩, 랩핑, 화학적 습식 에칭 및/또는 플라스마 에칭에 의해 수행된다.
본 발명에 따른 방법은 필름 형태의 추가의 층이 지지층의 도입 후에 도입되거나 무기 및/또는 유기-조성물 형태의 추가의 층이 지지층의 도입 후에 도입되어지는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 방법의 실시를 위해 바람직한 장치는 다음을 포함한다:
a) 중간층의 도입을 위한 코팅 수단,
b) 지지층의 도입을 위한 코팅 수단,
c) 웨이퍼를 세선화하기 위한 수단,
d) 구성요소를 분할하기 위한 수단,
e) 웨이퍼의 후면을 코팅하기 위한 수단,
f) 중간층에 대한 지지층의 접착성을 감소시키기 위한 수단,
g) 지지층으로부터 구성요소를 탈리하기 위한 수단.
실시예 2
세선화되고 분할된 웨이퍼가 IC, 트랜지스터, 다이오드, 센서 등의 제조를 위한 완성가공 공정에서 이미 전기적 및 기계적 구조물(구성요소) 및 층의 도입을 위한 다수의 완성가공 단계를 거친 것이 바람직하다. 웨이퍼는 중간층 및/또는 지지층으로 윗면(활성화된 면, 즉, 구조들이 위치된 면)을 코팅하거나 덮게 된다. 웨이퍼 상에 정렬된 웨이퍼를 포함하는 층 및/또는 층 복합물은 담체에 고정, 예를 들어 필름에 의해 고정되고, 및/또는 진공 흡입 장치에 의해 그 자리에 홀딩 된다. 그 다음, 상기 웨이퍼는 설비 시스템으로 공급된다. 그 다음 웨이퍼를 세선화하기 위한 가공 공정이 이루어진다. 이때 웨이퍼의 두께는 공지의 방법 예를 들어 그라인딩, 래핑 및/또는 에칭과 같은 방법에 의해 감소된다.
웨이퍼는 이 공정 단계 동안 또는 다음 단계에서 세척될 수 있다. 추가적으로, 취성을 향상시키기 위한 화학적 처리가 가능하다. 상기 공정단계가 완료된 후 상기 웨이퍼는 설비 시스템 내에서 옮겨지고, 예를 들어 분리 장치를 통과한다. 하나 또는 다수의 설비의 구성요소들이 세선화를 위해 조합될 수 있고 하나 또는 다수의 설비의 구성요소들의 분리를 위해 조합될 수 있다는 것은 염두에 두어야 한다. 웨이퍼는 전면에 도입되는 층 또는 층 시스템의 제거됨 없이 분리 장치에 공급된다. 운송을 위한 그리고 층 또는 층 시스템의 후속적인 확장을 위한 장치는 가장자리 및/또는 층 하부 또는 층 시스템 하부에 접착될 수 있다.
현재 웨이퍼는 적절한 광학적 및/또는 기계적 시스템에 의해 분리장치에 대해 정렬된다. 보다 바람직하게는 적외선 투영 또는 조영을 포함하는 공정은 바람직하게 채택될 수 있다. 동 시점에서 웨이퍼의 전면은 여전히 층 또는 층 시스템에 정렬된다. 웨이퍼를 정렬한 후에, 예를 들어 레이저 빔을 이용하여 웨이퍼 후면을 절단 하거나 분할한다. 상기 레이저는 바람직하게 약 25㎛ 직경의 매우 가는 수류(water jet)를 통과한다. 상기 레이저 빔은 수류 내부에서 움직이고, 산란 손실을 피하기 위해 수류 내부 벽에 완전 반사된다.
예를 들어 층 또는 층 시스템이 웨이퍼 전면을 커버할 만큼 충분히 다공성이어서, 수류는 그것을 손상시키지 않고 통과하도록 구성된다. 동시에 상기 층 및/또는 층 시스템은 손상되지 않게 남고, 분할된 구성요소들은 필름상에 그대로 남아있게 된다. 그러나 분리를 위해, 예를 들어 연마커팅 및/또는 절단 및/또는 파쇄를 위해 기계적 장치를 사용할 수 있다.
그 다음 설비 시스템의 내부 또는 외부에서 세척공정으로 이어질 수 있다. 상기 설비 시스템은 웨이퍼 후면의 기계적 및/또는 화학적 코팅의 목적을 위한 설비 또는 장치를 포함할 수도 있다. 진공기술 공정 및 설비는 특정적으로 금속층이 스퍼터링 및/또는 증기증착 및/또는 다른 방법에 의해 도입 될 수 있는 수단을 포함된다. 이러한 경우 후면 코팅은 분리공정 전 및/또는 후에 일어날 수 있다. 더 나아가, 상기 설비 시스템은 분할된 전자 구성요소의 채취를 위한 구성요소에 의해 확장될 수 있다. 담체 및 랙커(lacquer) 층 또는 필름 또는 이와 같은 층 없는 분리된 웨이퍼는 카세트 시스템에 삽입될 수 있도록 구성될 수 있다.
지지층이 없는 웨이퍼가 삽입된다면, 지지층을 분리하기 위한 장치는 설비 시스템에 구비된다. 바람직하게 중간층은 CVD 공정에 의해 도입된 질화물 층으로 구성된다. 그러나 임의로 다른 층 및/또는 층 시스템이 사용될 수 있다. 바람직하게 지지층은 양호한 접착성을 가진 플라스틱 재질로 구성된다. 웨이퍼와의 지지층의 결합은 바람직하게 중간층의 접착에 의해 수행된다. 만약 웨이퍼에 결합하는 지지층의 결합이 실질적으로 접착에 의해 일어난다면, 지지층은 전자파 조사(즉,IR 또는 UV)에 의한 가열 또는 열전도도에 의해 탈리될 수 있다.
본 발명의 두 번째 관점은 첫 번째와 기술적으로 매우 밀접하게 연관되어 있다; 그러나 이것은 큰 경제적 중요성 때문에 별도로 논의되어야 한다.
본 발명의 두 번째 관점은 지지층(층을 덮고 있는) 및 지지층과 웨이퍼 사이에 위치한 하나의 중간층을 구비한 웨이퍼, 상기 웨이퍼의 제조를 위한 방법, 웨이퍼를 세선화하기 위한 방법과 웨이퍼 후면을 금속화하기 위한 방법에 관한 것이다.
기술적인 이유로 운송 또는 다음 가공 단계를 위해 표면을 보호하기 위하여 표면을 임시적으로 덮어주는 것이 필요하다. 일반적으로 사용하는 방법은 예를 들어 고객에게 운송하는 동안 도장면(paintwork)을 보호하기 위해 자동차의 일부를 접착 필름으로 덮거나 또는 자동차를 일시적으로 판촉 자료로 커버하는 것이다. 추가적으로, 임시로 덮는 필름은 수리할 곳 주변을 덮기 위해 도장작업(도장면의 마감)에 널리 사용된다.
반도체 구성요소(다이스)의 제조에 있어서 접착 필름(예를 들면 그라인딩 필름 또는 청테이프)은 최근 들어 후면 처리에 관련된 취급 또는 분리(절단에 의한 불할)를 간소화하거나 또한 특히 실질적인 전자 구성요소들이 위치한 웨이퍼 전면을 보호하기 위해 마찬가지로 많은 경우에 사용된다.
현재 반도체 제조 분야의 발전은 실리콘 웨이퍼 및 실제 전자 구성요소와 회로의 담체를 제조한 후 두께를 매우 감소(세선화)시키는 방향으로 가고 있다. 이러한 점에서 오늘날 40 내지 50㎛ 이하의 두께가 달성될 수 있다. 비록 광범위하지만, 그러한 공정으로부터 발생하는 여러 가지 장점들은 여기서 더 자세히 논의 하지는 않을 것이다. 그러나 예로서 웨이퍼의 얇은 두께 및 그곳에서부터 분리된 칩(다이스)에서 기판잡음뿐만 아니라 칩 내의 전자 구성요소 사이의 원하지 않은 누화(cross-talk)가 예를 들어 후면을 금속화함으로써 효과적으로 감소될 수 있도록 한다. 이러한 효과는 그 중에도 특히 실리콘 층의 두께를 감소시킴에 따라, 실리콘 층의 내부 저항을 감소시킨다는 사실에 기초한다. 추가적으로 얇은 웨이퍼는 두꺼운 웨이퍼보다 더 높은 열전도도를 가지며, 이는 후속의 사용에 바람직하다.
그러나 상기 얇은 두께는 장점을 제공할 뿐만 아니라 웨이퍼의 추후 가공에서 곤란함을 야기하기도 한다: 매우 얇은 웨이퍼는 더욱 쉽게 깨지고, 기능 코팅시 스트레스에 의해 휘어진다. 또한 상기 웨이퍼의 열용량이 매우 작다. 따라서 추가적으로 후속적인 처리단계에 심각한 어려움 및 도전을 유발한다. 이는 특히 약 370℃ 내지 380℃의 온도에서 사용되어야 하는 후면 금속화에 해당되고, 추가로 코팅된 웨이퍼의 진공 적합성이 보장되어야 한다. 웨이퍼의 매우 감소된 질량 및 웨이퍼의 매우 감소된 열용량은 전기 회로가 높은 금속화 온도로 인해 현저하게 부하가 걸린다는 것을 의미한다.
추가로 기존의 고도로 자동화된 공정에서 매우 세선화된 웨이퍼의 취급은 기계적 부하와 기존의 취급 장치의 가공성 양상에 대한 도전을 의미한다.
지금까지 알려진 지지필름의 모든 형태는 필수적인 높은 금속화 온도로 인하여 파괴되었기 때문에, 현재까지 후면 금속화된 세선화된 웨이퍼를 제공할 수 있는 산업적인 시도 및 만족스러운 방법이 없다.
실리콘 질화물 및/또는 실리콘 산화물 또는 폴리이미드로 이루어진 보호층이 구비된 웨이퍼 표면은 오늘날 코팅되어야 할 표면으로서 주로 사용된다. 그러나 원칙적으로 또한 다른 물질들은 배제되지 않는다. 더 나아가 상기 표면은 통상 전자회로 또는 추가로 웨이퍼들이 개개의 다이스로 분리되도록 준비된 "다이싱(dicing)"공정에 의해 구조화된다.
특정적으로 보호 및/또는 취급의 용이함을 위해 임시로 웨이퍼의 전면을 덮는 웨이퍼의 가공 공정은 종래기술로부터 알려져 있다. DE 100 29 035 C1은 소위 지지 웨이퍼가 가공하고자 하는 웨이퍼에 도입되는 웨이퍼 가공방법을 개시하고 있다. 두개의 웨이퍼는 부분적으로 지지 웨이퍼의 홀에 도입되고 그리하여 홀에 의해 노출된 가공하고자 하는 웨이퍼의 나머지 부분에 놓여 있는 연결되는 층에 의해 결합된다. 가공하고자 하는 웨이퍼의 후면에 가공단계를 실시한 후 지지 웨이퍼는 연결층을 제거함으로써 다시 분리된다.
US 5,981,391은 웨이퍼의 후면을 처리한 후 접착 매체의 제거 및 접착 매체에 의해 제공되는 접착제의 열적 분해온도보다 높은 온도로 접착 매체를 제거한 후 웨이퍼를 가열하는 것뿐만 아니라 접착 매체에 의한 웨이퍼의 전면을 보호하도록 구성된 반도체 장치를 제조하기 위한 방법이 개시되어 있다.
WO 99/08322는 적어도 티타늄을 항상 코팅층으로 포함하는 코팅된 웨이퍼를 개시하고 있다.
WO 99/48137은 마찬가지로 후속적인 가공단계 동안 웨이퍼의 전면을 보호하기 위한 층이 구비된 웨이퍼가 개시되어 있다. 그와 같은 내용은 DE 198 11 115 A1에 또한 개시되어 있는 바, 양 문헌에서는 상기 층이 웨이퍼의 다이스로 분할 후까지 적어도 웨이퍼 상에 남는다.
US 6,263,566 B1은 마찬가지로 선택된 영역이 가공 단계 후 다시 제거될 수 있는 코팅을 포함하는 웨이퍼가 개시되어 있다.
전술한 종래 기술에서 개시된 모든 코팅은 완벽하게 만족되는 것은 아니며, 예를 들면 부분적으로 또는 많은 노력의 소요 후 웨이퍼로부터 다시 분리되어진다. 더 나아가, 층의 도입은 종종 복잡하고, 층 재질은 수행되어야만 하는 과제(task)와 최적으로 적합하지 않는다.
본 발명에 따른 두 번째 관점의 목적은 전술한 종래 기술의 문제점을 극복하기 위한 것이다. 이러한 목적은 지지층 및 지지층과 웨이퍼 사이에서 웨이퍼에 접착 및 웨이퍼 보다 지지층에 더 견고하게 접착된 플라스마중합 층을 갖는 웨이퍼에 의하여 달성된다. 이때 공정(PECVD 또는 중간층을 위한 플라스마 중합 및 바람직하게는 지지층의 적용을 위한 스핀 코팅)이 도입되는 것은 통상적으로 반도체 산업에서 채택되므로 여기서 특별한 불편을 발생하지 않는다.
다양한 재질이 웨이퍼의 지지층으로 사용될 수 있고, 보다 바람직하게는 한편으로 유연하고, 다른 한편으로 보호기능을 수행 할 수 있을 정도로 충분한 기계적 경도를 갖는 것이 바람직하다. 일례로서 폴리이미드 층이며, 이는 추가적으로 간단하게 웨이퍼에 층을 도입하고 그 후 (예를 들면 열적)층을 경화시키는 것에 대한 가능성을 제공한다. 폴리이미드는 또한 후면의 금속화를 위한 온도에 충분히 견딜 수 있다는 사실 때문에 적합하다.
본 발명의 두 번째 관점에 따르면, 상기 중간층은 플라스마중합 층인 바, 이러한 중간층이 도입된 방법의 실시양태는 중간층의 조성 및 상기 도입방법이 지지층에 대한 중간층의 접착이 웨이퍼의 표면에 대한 접착하는 것 보다 견고하게 선정된다면 결정적이지 않다. 직접적인 전압 자극으로부터 전자파 자극에 이르는 모든 방법이 가능하다. 또한, 대기압 플라스마의 사용 또한 배제되지 않는다.
플라스마중합 중간층의 제조는 바람직하게 저압 플라스마중합 공정에 의해 수행된다. 이러한 과정에서 플라스마 코팅 공정의 개시 시점에서 기체의 조성은 특정적으로 중요하다: 너무 높은 잔존 산소 또는 너무 높은 잔존수분(예를 들면 벽면 증착)은 강하고, 제어되지 않는 가스 조성의 변화 및 코팅의 재생적으로 접착력을 생산하여야 하는 코팅의 비-최적 1차 단일층을 유발시킨다. 코팅의 비-최적 1차 단일층은 만약 상기 층이 또한 플라스마의 도입 시기 동안 증착되어질 경우 발생한다. 그러므로 1차 단일층의 증착을 위해 필요한 경계조건을 특별히 설정하는 것이 바람직하다. 이는 충분한 배출(10의 2 내지 3 출력 이하의 후속적인 조작압력)에 의해 달성될 수 있고, 필요에 따라 수분을 냉동시키는 것 및/또는 플라스마 챔버를 가열하는 것에 의해 지원을 받고 및/또는 특정적으로 플라스마의 도입 시기 동안 진공속에서(예를 들면 움직이는 스크린 수단으로) 코팅하고자 하는 웨이퍼를 일시적으로 덮는 것에 의해 달성될 수 있다. 도입 시기 후 플라스마 공정에 의해 반응기에서 잔존하는 산소량 또는 상기 반응기에 잔존하는 수분이 상당히 감소되므로 충분히 안정한 조건이 유지된다. 웨이퍼에 접착하는 중간층의 접착성은 필요에 따라, 예를 들면 가스 조성, 출력 및/또는 압력 등의 반응변수 변화에 의해 얻어진다. 중간층의 두께는 바람직하게는 1 내지 1000nm, 보다 바람직하게는 10 내지 500nm 및 특히 바람직하게는 50 내지 200nm이다.
본 발명에서 목적하는 웨이퍼(지지층 및 중간층을 구비한 웨이퍼)는 임의로 실리콘으로 도프(dope)되고, 바람직하게는 전면에 전자 구성요소를 갖는 활성층을 포함하고, 상기 중간층이 전면에 배치된다. 위에서 암시한 바와 같이 웨이퍼는, 만약 전자 구성요소를 갖는 활성층을 포함한다면, 이것은 실리콘 질화물 및/또는 실리콘 산화물 또는 폴리이미드로 이루어진 패시베이션층이 될 것이다. 이러한 경우 전술한 중간층은 패시베이션 층(웨이퍼의 구성부분과 같이)에 배치된다. 상기 웨이퍼의 전면은 전자 구성요소를 갖는 활성층의 위치에 의하여 정의된다: 웨이퍼의 활성층이 배치된 측면은 웨이퍼의 전면이 된다.
본 발명에 따른 웨이퍼(지지층 및 중간층을 구비한 웨이퍼)는 상기 중간층이 구배층이거나 및/또는 지지층에 인접한 접착존 및 웨이퍼에 인접한 탈리존을 포함하고, 필요에 따라 전이존을 포함하고 접착존 및 탈리존이 다른 물질로 구성된 것이 바람직하다. 이와 관련하여 탈리존은 "접착존"과 관련된 기재(지지층)에 접착하는 것 보다 기재(웨이퍼 없이)에 약하게 접착하는 존이다.
플라스마중합 중간층의 증착공정 범위 내에서, 기체 조성 등의 증착 변수를 제어하여 상기 중간층이 접착존 및 탈리존을 포함하도록 할 수 있다. 특정적으로 상기 중간층을 지지하기 위한 의도를 갖는 웨이퍼의 층(예를 들면 패시베이션 층)은 사용된 지지층과 동일유사한 접착성을 갖는 것이 의미있다. 적절하게 증착변수를 선택하는 것을 통하여 중간층에 이웃한 층(지지층 및 웨이퍼의 지지하는 층)과 관련된 접착존 및 탈리존의 접착성을 정밀하게 조정하는 것이 가능하다.
저압 플라스마중합에 의한 중간층의 제조는 DE 100 34 737 C2로 알려져 있다. 그러나 플라스마중합 중간층은 금속 기재(예를 들면 적용되는 층에)에 증착공정 중 단계적으로 발생되는 탈리성으로의 전환을 갖는다는 것을 특징으로 하는 금속기재에 대한(즉 도입된 층에 대한) 뛰어난 접착성을 나타낸다. 이와 같은 중간층은 전형적으로 액상 몰드 방출제(liquid mould release agents)를 배제한 플라스틱 공정에서 금속 몰드를 코팅하는 것에 사용된다. 본 층에 도입된 플라스틱 물질은 적절한 중간층과의 매칭에 의해 잔존물의 남김 없이 몰드로부터 제거될 수 있다.
놀랍게도 DE 100 34 737 C2에 기재된 방법과 정반대로 수행되는 증착공정을 통해 웨이퍼 가공에 적용될 수 있는 중간층을 얻을 수 있다. 플라스마중합 중간층에 대한 증착 조건은 DE 100 34 737 C2에 따른 방법과 달리 탈리존을 지닌 중간층이 먼저 증착되도록 선정되어야 한다. 그리하여 지지층을 도입한 후 (마지막 증착된 중간층의 탈리층 상에) 탈리존과 웨이퍼 간의 분리가 일어날 수 있다.
바람직하게는 중간층이 웨이퍼 측면으로 먼저 액상의 전구체에 의해 제조된 후 전체 코팅의 일체의 구성부분이 되는 이미 설명한 바람직한 실시양태에 따른 본 발명의 양태(지지층 및 중간층을 구비한 웨이퍼)이다.
중간층의 탈리특성의 특히 양호한 품질은 코팅하고자 하는 웨이퍼를 진공 챔버(저압 플라스마인 경우)에 도입하기 전에 액상의 전구체로 얇게 적신 후 다음의 요건을 충족하도록 함으로써 달성된다:
- 진공에서 주요 부분이 증발하면 안된다.
- 분리 활성 성분이어야 한다 (예를 들면 Wacker Chemie 사의 AK5 내지 AK50과 같은 실리콘 오일).
당업자는 액상의 전구체를 바람직하게는 플라스마 중합 중간층의 화학적 성질에 맞출 것이며, 상기 전구체는 후속되는 플라스마 공정을 통해 플라스마 중합 코팅의 일부분이 되도록 얇게 (예를 들면 0.1 내지 50 nm) 도입하는 것이 바람직하다. 특히 바람직하게는 처음에 액상인 전구체가 중간층과 완전히 일체가 되는 것이다. 상기 액상의 전구체는 기재(웨이퍼) 상에 바람직하게는 딥핑, 스프레이 또는 스핀 코팅에 의해 도입되고 웨이퍼 후면(웨이퍼의 전명의 반대되는 면)의 코팅은 피하여야 한다.
상기와 같이 도입된 액상의 전구체는 플라스마 중합의 제1단계에서 플라스마의 활성 구성부(전자, 프로톤, 이온 등)에 노출된다. 이리하여 일반적으로 전구체 분자간의 교차결합(바람직하게는 고분자 사슬 또는 삼차원적 고분자 골격) 뿐만 아니라 기상에서 증착된 층과의 교차결합이 일어난다. 처음에 액상이던 전구체는 플라스마 고분자의 전이층의 일체의 구성부분이 되며 추후 이와 함께 웨이퍼로부터 다시 제거될 수 있다.
당업자는 액상의 전구체의 종류와 코팅 두께(기재 상에) 및 플라스마 고분자의 코팅의 후속되는 단계를 적절히 서로 조정함으로써 전반적인 일체화, 바람직하게는 처음에 액상이던 전구체가 플라스마 고분자의 코팅에 완전히 일체화되도록 할 것이다. 이는 웨이퍼로부터 중간층을 제거한 후 예를 들면 웨이퍼 전면의 접촉각 측정에 의해 검사할 수 있다. XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)에 의해서도 필요한 경우 웨이퍼 전면의 전구체 잔류물 여부를 검사할 수 있다.
상기와 같은 액상의 전구체를 도입함으로써 그 외에 임의로 플라스마에 의한 총 코팅시간을 감소시킬 수 있다.
바람직하게는 중간층이 웨이퍼 및 지지층에 적어도 350℃의 온도까지, 바람직하게는 적어도 380℃의 온도까지, 특히 바람직하게는 적어도 400℃의 온도까지 대체로 변화없이 부착되어 있는 본 발명의 양태(중간층 및 지지층을 구비한 웨이퍼)이다. 층에 대한 큰 온도 부하를 수반하는 웨이퍼 가공의 추가의 단계(예를 들면 후면 금속화)가 계획된 경우 높은 온도 안정성이 특히 중요하다.
액상의 전구체가 도입되면 이는 상술한 교차결합에 의해 액상의 분리제로서의 특성을 상실한다. 이는 플라스마 고분자 층의 일체의 부분이 된다. 이리하여 이는 이와 상응하는 온도 안정성을 달성한다.
본 발명의 바람직한 양태에서 중간층은 대체로 잔류물을 남기지 않고 웨이퍼로부터 분리되는 것이다. 본 발명의 특히 바람직한 양태는 중간층이 전혀 잔류물을 남기지 않고 분리되는 것이다. 중간층과 함께 지지층도 웨이퍼로부터 분리되므로 본 발명의 웨이퍼(중간층 및 지지층을 구비한 웨이퍼)를 이용하여 다수의 추가 가공단계를 수행할 수 있으며(예를 들면 후면금속화, 세선화, 다이스로 분할), 이때 상기 웨이퍼는 지지층(필요할 경우 중간층에 의해서도)에 의해 보호된다. 지지층을 적절히 형성함으로써 웨이퍼를 계획된 기계적 추가 가공에 맞추어지도록 할 수도 있다. 가능한 한 잔류물 없는 중간층 및 지지층의 분리를 통해(특히 전자 구성요소의 접촉이 이루어지는 분야에서 중요함) 분할 후 각각의 다이스(칩)는 방해되는 지지층 없이 목적하는 곳으로 이동할 수 있다.
이때 중간층과 웨이퍼를 기계적으로 탈리(예를 들면 필링(peeling) 공정)될 수 있는 본 발명의 웨이퍼가 바람직하다.
가공 단계를 거친 후 일반적으로 웨이퍼(또는 이로부터 제조된 칩)는 지극히 민감하다. 따라서 상기 웨이퍼를 화학적 또는 열적 스트레스에 노출시키지 않는 것이 바람직할 수 있다. 중간층의 접착력이 (위에서 설명한 바와 같이) 목적하는 바데로 영향을 줄 수 있으므로, 기계적 탈리에 필요한 기계적 부하가 웨이퍼 또는 칩에 대해 너무 높지 않게 조정할 수 있다. 적절한 공정을 통해 탈리와 함께 웨이퍼를 각각의 칩으로 절단할 수 있다(예를 들면 절단 또는 레이저를 사용하여 웨이퍼에 계획된 분리선에 따라 식각이 된 후, 전 단계에서 웨이퍼를 충분히 세선화 시킨 경우).
본 발명의 바람직한 양태는 지지층이 고분자 재질로 이루어진 것이다. 이러한 재질에 대해서는 일반적으로 특별한 요건이 요구된다 : 여기에는 후속되는 공정에서 충분한 온도안정성, 바람직하게는 400℃까지의 온도안정성이 해당된다. 더 나아가 상기 재질은 바람직하게는 스핀 코팅 공정에 의해 도입될 수 있어야 하고 가능한 한 높은 열전도도 또는 열용량을 지녀야 한다. 더 나아가 내부 스트레스가 매우 작아야 하고 또는 세선화된 웨이퍼에 맞추어짐으로써 휨 현상을 방지하여야 한다. 왜냐하면 편평한 웨이퍼만이 주어진 장치로 오차 없이 가공될 수 있기 때문이다. 지지층의 층 두께는 웨이퍼의 세선화를 통해 제거된 두께를 상쇄할 수 있도록 조정하는 것이 바람직하다. 도입공정을 통해 지지층의 충분한 편평성이 달성되지 않으면 이를 위하여 추가로 그라인딩 또는 폴리싱(polishing) 공정을 적용할 수 있다.
본 발명의 바람직한 양태는 배치된 중간층의 열전도도가 웨이퍼의 그것보다 최대 10% 미달되는 것이다.
중간층의 높은 열전도도가 바람직한데, 이는 특히 웨이퍼의 후면 금속화시 고도로 세선화된 경우 상응하는 열전달이 보장되지 않는다면 활성층의 전자 구성요소의 부품이 파손될 수 있는 높은 열적 스트레스에 노출되어 있기 때문이다. 중간층 및 이상적으로 지지층 또한 상응하는 열전도 특성(그리고 특히 바람직하게는 높은 열용량)을 지녔다면 활성존 내에서 열적 스트레스의 감소는 보장된다.
취급하거나 추가 가공에서 이점이 발생한다면 코팅의 적용(중간층을 구비한 지지층)은 후면에 대해서도 수행될 수 있다.
본 발명의 또 다른 양태는 다음 단계로 이루어진 지지층을 구비하고 상기 지지층과 웨이퍼 사이에 배치된 중간층을 구비한 웨이퍼의 제조방법에 관한 것이다:
a) 웨이퍼의 준비 단계,
b) 웨이퍼에 부착되도록 웨이퍼에 플라스마 고분자의 중간층을 구비하는 단계,
c) 중간층이 웨이퍼 보다 지지층에 견고하게 부착되도록 지지층을 중간층 상에 도입하는 단계, 이때 웨이퍼는 바람직하게 전면에 전자 구성요소를 구비한 활성 층을 포함하고 중간층은 전면에 배치된다.
바람직하게는 단계 b)에서 상기 중간층이 웨이퍼 상에 증착되고, 이때 형성된 중간층이 구배층이 되고 및/또는 지지층을 도입하기 위한 접착존(3b) 및 웨이퍼에 인접한 탈착존 및 임의로 전이존을 포함하도록 증착조건은 시간적으로 변화시키는 것이다.
바람직하게는 상기 웨이퍼는 단계 b) 전에 액상의 전구체로 적시고, 상기 전구체는 바람직하게는 분리 활성 성분이며, 이를 통해 중간층의 탈리존의 분리특성을 목적하는 바데로 영향을 준다. 바람직하게는 본 발명에 따른 방법에서 액상의 전구체는 딥핑, 스프레이 또는 스핀 코팅 공정을 통해 웨이퍼 상에 도입된다. 특히 바람직하게는 본 발명의 방법은 액상의 전구체가 교차결합되고 중간층의 일체의 구성부분이 되도록 단계 b)를 수행하는 것이다.
본 발명의 또 다른 양태는 다음의 단계를 포함한 웨이퍼의 세선화 방법에 관한 것이다:
- 하나의 지지층과 지지층과 웨이퍼 사이에 배치된 하나의 중간층을 구비한 웨이퍼를 전술한 본 발명에 따른 방법(바람직하게는 본 발명의 두 번째 관점에 따른 방법)으로 제조하되 단계 a)에서 세선화시키고자 하는 웨이퍼가 준비되어 있는 제조단계 및
- 웨이퍼의 후면부터 세선화하는 단계.
및 다음의 단계를 포함하는 웨이퍼의 후면 금속화 방법에 관한 것이다:
- 하나의 지지층과 지지층과 웨이퍼 사이에 배치된 하나의 중간층을 구비한 웨이퍼를 전술한 본 발명에 따른 방법(바람직하게는 본 발명의 두 번째 관점에 따른 방법으로 제조 및 임의로 세선화하는 단계) 및
- 웨이퍼의 후면에 금속층을 도입하는 단계.
바람직한 실시양태는 각각 이전에 언급된 것이다.
마지막에 언급된 두개의 본 발명에 따른 방법은 현재 기술수준의 상응하는 방법에 비해 단순화되었고, 특히 웨이퍼와 (탈리 가능한) 지지층의 조합 및 중간층의 특성(예를 들면 열전도도)으로 인해 단순화되었다.
바람직하게는 마지막에 언급된 두개의 본 발명에 따른 방법에서 세선화 및/또는 후면 금속화 공정 후 중간층 및 지지층을 웨이퍼로부터 제거한다.
바람직하게는 본 발명에 따른 방법(바람직하게는 본 발명의 두 번째 관점에 따른 방법)에서 각각의 요소로 절단될 수 있도록 준비된 웨이퍼를 도입하는 것이고, 이때 바람직하게는 각각의 요소로 웨이퍼를 분리하는 것이 - 임의로 후면 금속화를 제외하고 - 세선화 또는 중간층 및 지지층의 제거에 의해 수행된다. 이때 웨이퍼 표면의 언더커트(undercut)는 분리공정에 방해가 될 수 있으므로 이를 피하는 것이 바람직하다.
본 발명의 두 번째 관점은 실시예 및 도 16 및 17를 참조하여 설명한다.
도 16은 바람직한 본 발명의 양태(지지층 및 중간층을 구비한 웨이퍼)를 도식적으로 나타낸다: 이는 전자 구성요소가 없는 하나의 실리콘층(1), 임의로 추가의 패시베이션층(passivation)으로 보호된 전자 구성요소가 구비된 층(2), 하나의 중간층(3) 및 하나의 지지층(4)을 포함한다.
도 17은 도 16에서 확대경으로 표시된 부분의 상세도이다: 여기서 전자 구성요소가 없는 실리콘층(1) 일부, 전자 구성요소가 구비된 층(2), 중간층(3) 및 지지층(4)의 일부를 나타내었다. 중간층(3) 내에 탈리존(3a)과 접착존(3b)가 강조된다.
도 1 및 2에 나타낸 전자 구성요소가 구비된 실리콘 웨이퍼(실리콘층(1) 및 전자 구성요소가 구비된 층(2)으로부터)를 제조하기 위해 먼저 하나의 플라스마중합 중간층(3)이 구비된다. 이는 구성부 표면을 향해 탈리존(3a) 그리고 반대 방향으로 접착존(3b)이 되도록 구성된다. 상기 존 사이의 영역(도 2 비교)은 전이존으로서 생략될 수도 있다. 플라스마 고분자의 중간층(3) 상에 그 후 더 두꺼운 지지층(4)이 도입된다. 상기 지지층은 예를 들면 스핀 코팅 공정 또는 래커에 의해 도입될 수 있다. 접착존(3b)의 구조는 근본적으로 지지층(4)에 맞아야 하는데, 이는 지지층(4)와 접착존(3b) 간의 결합이 탈리존(3a)과 실리콘 웨이퍼의 표면(층(1) 및 (2)로부터) 간의 결합보다 견고하여야 하기 때문이다. 바람직하게는 도입되는 지지층의 두께는 후속되는 작업 단계인 웨이퍼의 세선화에 상응하고, 이리하여 동일한 두께비율이 유지되면서 통상적인 웨이퍼 취급을 가능하게 하기 때문이다.
실시예 3
액상의 전구체를 사용하여 구배층으로서 하나의 중간층의 도입
액상의 전구체로서 사슬길이 50의 선형 폴리디메틸실록산(AK 50, Wacker Chemie 사)이 사용되었고, 이는 50 nm의 층 두께로 균일하게 가공되는 실리콘 웨이퍼에 도입되었다. 재료 AK 50은 예비실험에서 진공에서의 높은 안정성을 나타냈다. 그 후 처리된 웨이퍼를 플라스마 중합 설비에 도입하여 표 1에 나타낸 변수를 적용하여 추가 코팅하였다. 이때 제 1부의 코팅 공정에서 웨이퍼는 보조장치에 의해 덮여졌고, 이는 제 2부를 기재할 때 제거되었다. 상기 덮개는 웨이퍼가 플라스마에 노출되기 전에 안정한 플라스마 및 가스 비율을 조정하기 위해서이다. 전형적으로 플라스마 공정이 기재될 때 전이상이 일어나는데, 이는 계면 또는 액상의 전구체에 목적하지 않은 영향을 줄 수 있다(상기 참조).
| 가스 1[sccm] | 가스 2[sccm] | 가스 3[sccm] | 출력 [W] | 시간 [s] | 압력 [mbar] | |
| 가스 종류 | HMDSO | O2 | H2 | |||
| 제 1 부 | 70 | 24 | 700 | 300 | 0.03 | |
| 제 2 부 | 70 | 24 | 700 | 300 | 0.03 | |
| 제 3 부 | 70 | 32 | 700 | 180 | 0.03 | |
| 제 4 부 | 70 | 50 | 700 | 180 | 0.03 | |
| 제 5 부 | 60 | 50 | 700 | 180 | 0.03 | |
| 제 6 부 | 50 | 50 | 700 | 180 | 0.03 | |
| 제 7 부 | 35 | 75 | 700 | 180 | 0.03 | |
| 제 8 부 | 27 | 100 | 700 | 180 | 0.03 | |
| 제 9 부 | 27 | 100 | 1500 | 180 | 0.031 | |
| 제 10 부 | 27 | 100 | 2500 | 60 | 0.031 | |
| 제 11 부 | 200 | 200 | 2000 | 60 | 0.04 | |
| 제 12 부 | 200 | 900 | 2000 | 300 | 0.05 | |
| 제 13 부 | 10000 | 2500 | 300 | 0.22 |
상기와 같은 코팅은 30분 동안 400℃에서 열처리되었으며, 코팅된 웨이퍼에 대한 탈리 특성은 상실하지 않았다.
적합한 지지층을 도입한 후 전체 중간층을 웨이퍼 표면으로부터 제거할 수 있었다. 잔류물 없이 제거되었다는 시험은 엘립소메트리(ellipsometry)를 통해 측정되었다. 이와 같은 매우 민감한 층 두께 측정방법을 통해 잔류물이 더 이상 감지되지 않았다. 탈리층의 스트리핑 강도는 상술한 열처리 공정을 통해 변하지 않았다. 분리면은 항상 웨이퍼 측면이었다 (비고 : 매끄러운 웨이퍼 상에서 간섭색이 발생할 정도로 중간층의 층 두께가 도입되는 경우 시각적으로 이를 인식할 수 있다. 더 나아가 테두리각 측정을 통해 보다 넓은 측면 영역에 대해 탈리층이 웨이퍼 표면상에 잔류하지 않았다는 것을 확인할 수 있다).
실시예 4
액상의 전구체를 사용하여 구배층으로서 얇은 중간층의 도입
방법은 실시예 3과 동일하였으며 변수는 표 2 참조.
| 가스1[sccm] | 가스2[sccm] | 가스3[sccm] | 출력 [w] | 시간 [s] | 압력 [mbar] | |
| 가스 종류 | HMDSO | O2 | H2 | |||
| 제 1 부 | 70 | 24 | 700 | 900 | 0.03 | |
| 제 2 부 | 70 | 24 | 700 | 1800 | 0.03 | |
| 제 3 부 | 200 | 900 | 1600 | 180 | 0.05 | |
| 제 4 부 | 10000 | 2500 | 120 | 0.22 |
Claims (40)
- 일측면(전면)에 구성요소(2)를 구비한 웨이퍼를 다음의 단계를 거쳐 가공하는 방법 :- 층 시스템이 적어도 하나의 웨이퍼(1, 2) 전면과 접촉하는 중간층(3) 및 하나의 지지층(4)을 포함하도록 웨이퍼(1, 2)의 전면에 층 시스템을 적용하는 단계,- 상기 층 시스템이 웨이퍼 또는 웨이퍼의 일부를 세선화 하는 동안 보호 또는 지지하도록 웨이퍼(1, 2)의 후면을 세선화하는 단계.
- 제 1항에 있어서,상기 층 시스템이 웨이퍼(1c, 2) 또는 웨이퍼의 일부를 코팅하는 동안 보호 또는 지지하도록 세선화된 웨이퍼(1c, 2)의 후면을 코팅하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 층 시스템이 웨이퍼 또는 웨이퍼의 일부를 분할하는 동안 보호 또는 지지하고, 상기 분할 공정은 독립적인 단계로 수행되거나 세선화에 의해 수행되고 상기 분할 공정에서 층 시스템이 절단되거나 절단되지 않는 것을 특징으로 하는 웨이퍼(1, 2; 1c, 2)의 분할 공정을 포함하는 방법.
- 제 3항에 있어서,웨이퍼의 기계적 특성이 변하도록, 바람직하게는 웨이퍼(1b, 2)의 분할이 이루어지도록 또는 증진되도록 및/또는 웨이퍼(1c, 2)의 세선화된 후면의 코팅이 용이하게 되도록 웨이퍼(1b, 2)의 후면의 평활화를 추가로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,웨이퍼(1, 2)의 전면에 층 시스템을 완성하기 전에 다음의 추가의 단계를 포함하는 방법:- 형성된 구조가 후면을 세선화하는 동안 또는 후면의 후속되는 가공 과정 동안 개방되고 웨이퍼(1c, 2)를 분할하도록 그라인딩 및/또는 스코링 및/또는 화학적 에칭 및/또는 물리적 에칭에 의한 웨이퍼(1, 2)의 구조화 단계.
- 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)의 분할을 위해 (a) 레이저 빔 또는 (b) 기계적 공정, 바람직하게는 연마 커팅, 절단 또는 분쇄 공정을 사용하는 방법.
- 제 1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,분할한 후 (a) 층 시스템이 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)에 대한 또는 (b) 지지층(4)이 층시스템의 웨이퍼 측의 인접한 층, 바람직하게는 중간층(3)에 대한 접착성을 감소시키는 단계를 포함하는 방법.
- 제 7항에 있어서,(a)의 경우 층 시스템 또는 (b)의 경우 지지층(4)의 접착성 감소를 (i) 전자파 조사, (ii) 열처리, (iii) 화학 처리 및/또는 (iv) 기계적 처리에 의한 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,중간층(3)이 지지층(4) 또는 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2) 또는 웨이퍼의 일부로부터 기계적으로 탈리되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,층 시스템의 중간층(3)이 진공기술에 의해 도입되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 지지층이 플라스틱 조성물로 이루어진 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서,상기 지지층(4)이 스핀코우터에 의해 도입된 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서,지지층(4)이 열 또는 빛 조사에 의해 경화되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 층 시스템이 웨이퍼에 등진 지지층(4)의 면에 위치하고 (a) 필름의 형태 또는 (b) 무기 및/또는 유기 재질의 조성물의 형태인 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서,웨이퍼 후면의 세선화가 (i) 그라인딩, (ii) 랩핑, (iii) 화학적 습에칭 및/또는 (iv) 플라스마 에칭에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서,a) 웨이퍼(1, 2)의 전면, 웨이퍼의 전면과 접촉하는 중간층(3) 및 하나의 지지층(4)에 층 시스템을 적용하는 단계b) 지지층(4)을 경화 및/또는 고정시키는 단계c) 웨이퍼(1,2)의 후면을 세선화하는 단계d) 웨이퍼(1, 2; 1b, 2)의 기계적 특성이 변하도록, 바람직하게는 웨이퍼(1, 2; 1b, 2)의 분할이 이루어지도록 또는 증진되도록 및/또는 웨이퍼(1, 2; 1c, 2)의 세선화된 후면의 코팅이 용이하게 되도록 웨이퍼(1, 2; 1b, 2)의 후면의 평활화하는 단계e) 층 시스템이 웨이퍼 및/또는 웨이퍼의 일부를 코팅하는 동안 보호 또는 지지하면서 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)의 세선화된 후면을 코팅하는 단계f) 층 시스템이 웨이퍼 및/또는 웨이퍼의 일부를 코팅하는 동안 보호 또는 지지하고 층 시스템을 분할할 때 분리하지 않으면서 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)의 구성요소를 분할하는 단계, 및g)임으로 지지층(4) 또는 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2) 또는 웨이퍼의 일부로부터 중간층(3)을 기계적으로 탈리하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서,중간층(3)이 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)의 전면에 부착되고 웨이퍼 보다 지지층(4)에 더 견고하게 부착되도록 층 시스템이 적용되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 17항 중 어느 한 항에 따른 방법을 수행하기 위한 다음을 포함하는 장치:- 층 시스템이 적어도 하나의 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)의 전면과 접촉하는 중간층(3) 및 하나의 지지층(4)을 포함하는 웨이퍼의 전면에 하나의 층 시스템을 적용하는 수단 및- 상기 층 시스템이 웨이퍼 및/또는 웨이퍼의 일부를 코팅하는 동안 보호 또는 지지하도록 전면에 층 시스템이 구비된 웨이퍼(1, 2)의 후면을 세선화하는 수단, 및 임의로- 상기 층 시스템이 웨이퍼 및/또는 웨이퍼의 일부를 코팅하는 동안 보호 또는 지지하도록 웨이퍼(1b, 2; 1c, 2)의 세선화된 후면을 코팅하는 수단 및/또는- 상기 층 시스템이 웨이퍼 또는 웨이퍼의 일부를 분할하는 동안 보호 또는 지지하고, 상기 분할 공정은 독립적인 단계로 수행되거나 세선화에 의해 수행되고 상기 분할 공정에서 층 시스템이 분리되거나 분리되지 않는 것을 특징으로 하는 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)의 구성요소의 분할 수단 및/또는- 형성된 구조가 후면을 세선화하는 동안 또는 후면의 후속되는 가공 과정 동안 개방되고 웨이퍼를 분할하도록 그라인딩 및/또는 스코링 및/또는 화학적 에칭 및/또는 물리적 에칭에 의한 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)의 구조화 수단 및/또는- (a) 적용된 층 시스템이 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)에 대한 또는 (b) 지지층(4)이 층시스템의 웨이퍼 측의 인접한 층, 바람직하게는 중간층(3)에 대한 접착성을 감소시키는 수단 및/또는- 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2) 또는 웨이퍼의 일부를 층 시스템으로부터 탈리하는 수단.
- 중간층(3)이 플라스마중합 층이고, 상기 층이 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)에 부착되고 웨이퍼 보다 지지층에 더 견고하게 부착된 것을 특징으로 하는 지지층(4)을 구비하고 지지층(4)과 웨이퍼 사이에 하나의 중간층(3)이 배치된 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2).
- 제 19항에 있어서,상기 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)가 주로 임의로 도프된 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2).
- 제 19항 또는 제 20항에 있어서,상기 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)의 전면에 전자 구성요소를 구비한 활성층(2)을 포함하고 중간층(3)이 전면에 배치된 것을 특징으로 하는 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2).
- 제 19항 내지 제 21항 중 어느 한 항에 있어서,상기 중간층(3)이 구배층이며 및/또는 지지층(4)에 인접한 접착존(3b) 및 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)에 인접한 탈착존(3a) 및 임의로 전이존을 포함하되 접착존(3b) 및 탈착존(3a)이 재질적으로 상이하게 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2).
- 제 19항 내지 제 22항 중 어느 한 항에 있어서,상기 중간층(3)이 웨이퍼 측면으로 일체의 구성부분으로 액상의 전구체를 이전에 포함한 것을 특징으로 하는 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2).
- 제 19항 내지 제 23항 중 어느 한 항에 있어서,상기 중간층(3)이 웨이퍼 및 지지층(4)에 적어도 350℃까지, 바람직하게는 적어도 380℃까지, 특히 바람직하게는 400℃까지 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2).
- 제 19항 내지 제 24항 중 어느 한 항에 있어서,상기 중간층(3)이 대체로 잔류물을 남기지 않고 웨이퍼로부터 탈리되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2).
- 제 19항 내지 제 25항 중 어느 한 항에 있어서,상기 중간층(3)과 웨이퍼가 기계적으로 탈리될 수 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2).
- 제 19항 내지 제 26항 중 어느 한 항에 있어서,상기 지지층(4)이 고분자 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2).
- 제 19항 내지 제 27항 중 어느 한 항에 있어서,상기 중간층의 열전도도가 웨이퍼의 그것보다 최대 10% 미달된 것을 특징으로 하는 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2).
- 다음의 단계를 포함하는 하나의 지지층(4)을 구비하고 상기 지지층(4)과 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2) 사이에 배치된 하나의 중간층(3)을 갖는 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)의 제조방법:a) 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)의 준비 단계,b) 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)에 부착되도록 플라스마 고분자의 중간층(3)을 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)에 구비하는 단계,c) 상기 중간층(3)이 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2) 보다 지지층(4)에 더 견고하게 부착되도록 중간층(3) 상에 지지층(4)의 도입 단계.
- 제 29항에 있어서,상기 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)의 전면에 전자 구성요소를 구비한 활성층을 포함하고 상기 중간층(3)이 전면에 배치된 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 29항 또는 제 30항에 있어서,단계 b)에서 상기 중간층(3)이 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)에 증착되고, 이때 형성된 중간층(3)이 구배층이 되고 및/또는 지지층(4)을 도입하기 위한 접착존(3b) 및 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)에 인접한 탈착존(3a) 및 임의로 전이존을 포함하도록 증착조건은 시간적으로 변화시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 29항 내지 제 31항 중 어느 한 항에 있어서,상기 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)를 단계 b) 전에 액상의 전구체를 적시는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 32항에 있어서,상기 액상의 전구체가 분리 활성 성분인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 32항 또는 제 33항에 있어서,상기 액상의 전구체가 딥핑, 스프레이 또는 스핀 코팅 공정을 통해 상기 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)에 도입되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 32항 내지 제 34항 중 어느 한 항에 있어서,상기 액상의 전구체가 교차결합되고 중간층(3)의 일체의 구성부분이 되도록 단계 b)가 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 다음의 단계를 포함하는 웨이퍼(1,2)의 세선화 방법:- 하나의 지지층(4)과 지지층(4)과 웨이퍼(1,2) 사이에 배치된 하나의 중간층(3)을 구비한 웨이퍼(1, 2)를 제 29항 내지 제 35항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조하되 단계 a)에서 세선화시키고자 하는 웨이퍼(1, 2)가 준비되어 있는 제조단계 및- 웨이퍼(1, 2)의 후면부터 세선화하는 단계.
- 다음의 단계를 포함하는 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)의 후면 금속화 방법:- 하나의 지지층(4)과 하나의 지지층(4)과 웨이퍼(1,2; 1b, 2; 1c, 2) 사이에 배치된 중간층(3)을 구비한 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)를 제 29항 내지 제 36항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조 및 임의로 세선화하는 단계 및- 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)의 후면에 금속층을 도입하는 단계.
- 제 36항 또는 제 37항에 있어서,상기 중간층(3)과 상기 지지층(4)을 세선화 및/또는 후면 금속화 후 웨이퍼(1b, 2; 1c, 2)로부터 다시 제거하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 29항 내지 제 38항 중 어느 한 항에 있어서,상기 단계 a)에서 각각의 요소로 분리하기 위한 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)가 준비되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 39항에 있어서,상기 중간층(3)과 상기 지지층(4)의 세선화 또는 제거를 통해 각각의 요소로 웨이퍼(1, 2; 1b, 2; 1c, 2)의 분리에 - 임의로 후면 금속화를 제외하고 - 영향을 주는 것을 특징으로 하는 방법.
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