KR20050049693A - 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (17)
- 화소구동회로영역과 개구영역을 갖는 절연기판;상기 절연기판의 화소구동회로영역 상에 위치하고, 소오스/드레인 전극을 갖는 박막트랜지스터;상기 소오스/드레인 전극 상에 위치하고, 상기 소오스/드레인 전극을 노출시키는 비아홀을 갖는 패시베이션 절연막;상기 비아홀의 바닥에 위치하여 상기 노출된 소오스/드레인 전극에 접하고, 상기 패시베이션 절연막 상으로 연장된 화소전극;상기 화소전극이 위치한 비아홀 내에 위치하여 상기 비아홀을 메우고, 상기 비아홀 주변의 화소전극을 노출시키는 제 1 감광성 유기절연막 패턴; 및상기 노출된 화소전극 상에 위치하는 유기발광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 감광성 유기절연막 패턴은 아크릴계 수지 또는 폴리이미드로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 패시베이션 절연막은 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 패시베이션 절연막은 골을 갖고,상기 패시베이션 절연막의 골을 메우는 제 2 감광성 유기절연막 패턴을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 제 2 감광성 유기절연막 패턴은 아크릴계 수지 또는 폴리이미드로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 화소전극은 ITO 또는 IZO로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 화소전극은 테이퍼진 에지를 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 화소전극의 테이퍼진 에지에 있어서, 상기 테이퍼는 20도 이하인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 화소구동회로영역과 개구영역을 갖는 절연기판을 제공하되, 상기 절연기판은 상면과 하면을 갖고;상기 화소구동회로영역의 절연기판의 상면 상에 소오스/드레인 전극을 갖는 박막트랜지스터를 형성하고;상기 소오스/드레인 전극을 포함한 기판의 상면 전체에 걸쳐 패시베이션 절연막을 형성하고;상기 패시베이션 절연막 내에 상기 소오스/드레인 전극을 노출시키는 비아홀을 형성하고;상기 비아홀의 바닥에 위치하여 상기 노출된 소오스/드레인 전극에 접하고, 상기 패시베이션 절연막 상으로 연장된 화소전극을 형성하고;상기 화소전극을 포함한 기판의 상면 전체에 걸쳐 감광성 유기절연막을 형성하고;상기 기판의 하면에서 광을 조사하여 상기 감광성 유기절연막을 백노광하고;상기 노광된 감광성 유기전연막을 현상함으로써, 상기 개구영역의 화소전극을 노출시키고;상기 현상된 감광성 유기절연막을 에치백함으로써, 상기 비아홀을 메우는 제 1 감광성 유기절연막 패턴을 형성함과 동시에 상기 비아홀 주변의 화소전극을 노출시키고;상기 노출된 화소전극 상에 유기발광층을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 패시베이션 절연막은 실리콘 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 패시베이션 절연막은 골을 갖고,상기 현상된 감광성 유기절연막을 에치백함에 있어서,상기 제 1 감광성 유기절연막 패턴을 형성함과 동시에 상기 패시베이션 절연막의 골을 메우는 제 2 감광성 유기절연막 패턴을 형성하는 것을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 화소전극은 ITO 또는 IZO로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 화소전극은 테이퍼진 에지를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 화소전극을 테이퍼진 에지를 갖도록 형성함에 있어서, 상기 테이퍼는 20도 이하가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 감광성 유기절연막은 아크릴계 수지 또는 폴리이미드로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 감광성 유기절연막은 스핀코팅을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 에치백은 애슁을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
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US10/920,195 US7893438B2 (en) | 2003-10-16 | 2004-08-18 | Organic light-emitting display device including a planarization pattern and method for manufacturing the same |
CN201010131686XA CN101819988B (zh) | 2003-10-16 | 2004-09-22 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
CN200410082447.4A CN1610461A (zh) | 2003-10-16 | 2004-09-22 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
JP2004303771A JP4145857B2 (ja) | 2003-11-22 | 2004-10-19 | アクティブマトリックス有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
US10/981,559 US7692197B2 (en) | 2003-11-22 | 2004-11-05 | Active matrix organic light emitting display (OLED) and method of fabrication |
CNB2004100758843A CN100468764C (zh) | 2003-11-22 | 2004-11-22 | 有源矩阵有机发光显示器及其制造方法 |
US13/005,878 US8283219B2 (en) | 2003-10-16 | 2011-01-13 | Organic light-emitting display device and method for manufacturing the same |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100611147B1 (ko) * | 2003-11-25 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
US7663311B2 (en) | 2007-03-16 | 2010-02-16 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display (OLED) device and method of fabricating the same |
KR20100091104A (ko) * | 2009-02-09 | 2010-08-18 | 소니 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100611152B1 (ko) * | 2003-11-27 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
KR100570997B1 (ko) * | 2004-06-29 | 2006-04-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시 장치 |
KR100759682B1 (ko) * | 2006-03-30 | 2007-09-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광표시장치 |
KR100836472B1 (ko) | 2007-03-22 | 2008-06-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
KR100822216B1 (ko) * | 2007-04-09 | 2008-04-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함한 유기 발광 표시장치 및유기 발광 표시장치의 제조방법 |
JP5504576B2 (ja) * | 2008-04-30 | 2014-05-28 | 凸版印刷株式会社 | El素子の製造方法、el素子、el素子を用いた液晶ディスプレイ用バックライト装置、el素子を用いた照明装置、el素子を用いた電子看板装置、及びel素子を用いたディスプレイ装置 |
KR101108164B1 (ko) * | 2010-02-03 | 2012-02-06 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP6104099B2 (ja) * | 2013-08-21 | 2017-03-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
KR102203100B1 (ko) * | 2013-10-30 | 2021-01-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN104538421B (zh) * | 2014-12-16 | 2018-07-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled显示基板及其制造方法 |
JP6807235B2 (ja) * | 2017-01-11 | 2021-01-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
TWI636602B (zh) | 2017-03-21 | 2018-09-21 | 機光科技股份有限公司 | 有機光電元件結構與製程方法 |
CN107086274A (zh) | 2017-05-15 | 2017-08-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管及其制备方法 |
CN207165572U (zh) * | 2017-09-12 | 2018-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
KR102598736B1 (ko) * | 2018-07-06 | 2023-11-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR102608772B1 (ko) * | 2018-07-19 | 2023-12-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20200051150A (ko) * | 2018-11-05 | 2020-05-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102639395B1 (ko) * | 2019-01-29 | 2024-02-23 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이의 배면에 조도 센서가 실장된 전자 장치 및 상기 조도 센서를 이용하여 조도를 측정하는 방법 |
CN109904211A (zh) | 2019-03-28 | 2019-06-18 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置 |
CN210928127U (zh) * | 2019-10-23 | 2020-07-03 | 奥特斯(中国)有限公司 | 部件承载件 |
CN112436038A (zh) * | 2020-11-23 | 2021-03-02 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 一种硅基Micro OLED微显示器件新型像素定义层及其制备方法 |
JPWO2022162482A1 (ko) * | 2021-01-27 | 2022-08-04 |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3332773B2 (ja) * | 1996-03-15 | 2002-10-07 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP3392672B2 (ja) * | 1996-11-29 | 2003-03-31 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
JP4105261B2 (ja) * | 1997-08-20 | 2008-06-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器の作製方法 |
JPH1187650A (ja) | 1997-09-08 | 1999-03-30 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
US6420031B1 (en) * | 1997-11-03 | 2002-07-16 | The Trustees Of Princeton University | Highly transparent non-metallic cathodes |
JP4014710B2 (ja) * | 1997-11-28 | 2007-11-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP3203227B2 (ja) * | 1998-02-27 | 2001-08-27 | 三洋電機株式会社 | 表示装置の製造方法 |
KR100316271B1 (ko) * | 1999-05-27 | 2001-12-12 | 구본준, 론 위라하디락사 | 전계발광소자 및 그의 제조방법 |
JP2001052864A (ja) * | 1999-06-04 | 2001-02-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置の作製方法 |
TW516244B (en) * | 1999-09-17 | 2003-01-01 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and method for manufacturing the same |
JP2001109404A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | El表示装置 |
TW525305B (en) * | 2000-02-22 | 2003-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Self-light-emitting device and method of manufacturing the same |
JP4831873B2 (ja) | 2000-02-22 | 2011-12-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 自発光装置及びその作製方法 |
TW484238B (en) | 2000-03-27 | 2002-04-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and a method of manufacturing the same |
JP4581187B2 (ja) * | 2000-06-13 | 2010-11-17 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法 |
JP3682714B2 (ja) | 2000-06-16 | 2005-08-10 | 共同印刷株式会社 | アクティブマトリックス層および転写方法 |
JP4925528B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2012-04-25 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
JP4651826B2 (ja) * | 2001-01-31 | 2011-03-16 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 反射型表示装置及びその製造方法 |
JP2002268084A (ja) | 2001-03-08 | 2002-09-18 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
JP3608613B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2005-01-12 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
US20020197875A1 (en) * | 2001-06-21 | 2002-12-26 | Prime View International Co., Ltd. | Method for controlling profile formation of low taper angle in metal thin film electorde |
JP2003131593A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-09 | Sharp Corp | アクティブマトリクス駆動型有機ledパネル |
US7042024B2 (en) | 2001-11-09 | 2006-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for manufacturing the same |
US6822264B2 (en) * | 2001-11-16 | 2004-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
WO2003048799A2 (en) * | 2001-12-04 | 2003-06-12 | Electro-Radiation, Inc. | Method and apparatus for reducing electromagnetic interference and jamming in gp equipment operating in rolling environments |
KR100845557B1 (ko) | 2002-02-20 | 2008-07-10 | 삼성전자주식회사 | 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
JP4071652B2 (ja) * | 2002-03-04 | 2008-04-02 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機el発光表示装置 |
US7411215B2 (en) * | 2002-04-15 | 2008-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the same |
US7579771B2 (en) * | 2002-04-23 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
JP4017441B2 (ja) | 2002-04-26 | 2007-12-05 | 三洋電機株式会社 | 有機elパネル及びその製造方法 |
TWI224880B (en) * | 2002-07-25 | 2004-12-01 | Sanyo Electric Co | Organic electroluminescence display device |
KR100496287B1 (ko) * | 2002-08-03 | 2005-06-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리콘 박막의 결정화 방법, 이를 이용한 박막 트랜지스터및 상기 박막 트랜지스터를 구비한 평판 디스플레이 소자 |
JP4234376B2 (ja) * | 2002-08-28 | 2009-03-04 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
JP4397814B2 (ja) * | 2002-10-09 | 2010-01-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の製造方法 |
TW587401B (en) * | 2003-03-27 | 2004-05-11 | Au Optronics Corp | Organic light emitting device and fabricating method thereof |
JP4493926B2 (ja) * | 2003-04-25 | 2010-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 製造装置 |
US7893438B2 (en) * | 2003-10-16 | 2011-02-22 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device including a planarization pattern and method for manufacturing the same |
TWI253870B (en) * | 2003-10-30 | 2006-04-21 | Au Optronics Corp | Active organic electroluminescence display and fabricating method thereof |
KR100611152B1 (ko) * | 2003-11-27 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
-
2003
- 2003-11-22 KR KR1020030083391A patent/KR100552975B1/ko active IP Right Grant
-
2004
- 2004-10-19 JP JP2004303771A patent/JP4145857B2/ja active Active
- 2004-11-05 US US10/981,559 patent/US7692197B2/en active Active
- 2004-11-22 CN CNB2004100758843A patent/CN100468764C/zh active Active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100611147B1 (ko) * | 2003-11-25 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
US7663311B2 (en) | 2007-03-16 | 2010-02-16 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display (OLED) device and method of fabricating the same |
KR20100091104A (ko) * | 2009-02-09 | 2010-08-18 | 소니 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치 |
Also Published As
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