CN113053983A - 显示面板的制作方法和显示面板 - Google Patents
显示面板的制作方法和显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113053983A CN113053983A CN202110287217.5A CN202110287217A CN113053983A CN 113053983 A CN113053983 A CN 113053983A CN 202110287217 A CN202110287217 A CN 202110287217A CN 113053983 A CN113053983 A CN 113053983A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- etching
- via hole
- light
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 125
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 52
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 314
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 46
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 26
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 20
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical group [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 25
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- GTLACDSXYULKMZ-UHFFFAOYSA-N pentafluoroethane Chemical compound FC(F)C(F)(F)F GTLACDSXYULKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明实施例公开了一种显示面板的制作方法和显示面板，该显示面板的制作方法包括：提供基板；在基板上形成半导体层和多层无机层，其中，无机层分布于显示区和透光区；半导体层分布于显示区，且半导体层设置于无机层之间；在显示区对应的过孔位置形成预设厚度的光阻层；同时刻蚀过孔位置和透光区，以在过孔位置形成过孔图案，在透光区形成盲孔图案。相对于现有技术，本发明实施例提供的技术方案通过一道刻蚀工艺就能够同时对过孔位置和透光区进行刻蚀，分别形成过孔图案和盲孔图案，能够显示面板在制作过程中，减少在不同位置形成孔区时的刻蚀次数，从而降低刻蚀工艺的繁琐度，进而有利于提高显示面板的制作效率。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板的制作方法和显示面板。
背景技术
主动矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes，AMOLED)显示面板凭借其轻薄、可弯曲、发光能效高等优点，成为当前显示领域的主流产品。
针对具有盲孔的显示面板，需要去除孔区中的无机层以提升孔区摄像头的拍照效果，而现有技术在显示面板的制作过程中需要多道掩膜、刻蚀工艺形成盲孔，技术工艺较为繁琐。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板的制作方法和显示面板，以降低显示面板刻蚀工艺的繁琐度。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法，所述显示面板具有透光区、围绕所述透光区的显示区，该显示面板的制作方法包括：提供基板；
在所述基板上形成半导体层和多层无机层；其中所述无机层分布于所述显示区和所述透光区；所述半导体层分布于所述显示区，且所述半导体层设置于所述无机层之间；
在所显示区对应的过孔位置形成预设厚度的光阻层；
同时刻蚀所述过孔位置和所述透光区，以在所述过孔位置形成过孔图案，在所述透光区形成盲孔图案。
可选地，所述过孔位置包括不同刻蚀深度的过孔，其中，所述预设厚度由所述半导体层对应的过孔位置和所述透光区的膜层差异参数决定。
可选地，所述膜层差异参数包括所述半导体层对应的过孔位置所对应的所述无机层的厚度、所述透光区对应的所述无机层的厚度以及刻蚀速率。
可选地，在所述显示区对应的过孔位置形成预设厚度的光阻层，包括：
在所述无机层远离所述基板一侧涂覆所述光阻层；
刻蚀所述光阻层，以使所述过孔位置对应的所述光阻层的厚度为预设厚度，且所述透光区对应的所述光阻层被完全刻蚀。
可选地，采用半色调掩膜版刻蚀所述光阻层，所述半色调掩膜版包括全透光区、不透光区和半透光区；所述半透光区对应所述过孔位置，所述全透光区对应所述透光区。
可选地，所述半色调掩膜版的所述半透光区的材料为铬金属氧化物，所述不透光区的材料为铬金属。
可选地，同时刻蚀所述过孔位置和所述透光区，以在所述过孔位置形成过孔图案，在所述透光区形成盲孔图案，包括：
在第一刻蚀阶段，刻蚀所述过孔位置对应的所述光阻层，以及刻蚀所述透光区对应的所述无机层；
在第二刻蚀阶段，刻蚀所述过孔位置对应的所述无机层，和所述透光区对应的剩余所述无机层。
可选地，所述第二刻蚀阶段的刻蚀气体的刻蚀选择比高于所述第一刻蚀阶段的刻蚀气体的刻蚀选择比。
可选地，所述多层无机层包括依次叠层设置的缓冲层、栅绝缘层、电容绝缘层和层间电介质层；
所述缓冲层包括厚度范围为400～600埃的氮化硅层和厚度范围为2000～2600埃的氧化硅层；
所述栅绝缘层为氧化硅层，所述栅绝缘层的厚度范围为1200～1500埃；
所述电容绝缘层包括厚度范围为400～600埃的氧化硅层和厚度范围为800～1000埃的氮化硅层；
所述层间介质层包括厚度范围为2000～2300埃的氮化硅层和厚度范围为2500～2800埃的氧化硅层；
所述过孔位置对应的所述光阻层的预设厚度的范围为0.1～0.18微米。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板采用本发明任意实施例所提供的显示面板的制作方法进行制备。
本发明实施例提供的技术方案，通过在半导体层对应的过孔位置形成预设厚度的光阻层，这层光阻层用于弥补过孔和盲孔在刻蚀过程中的参数差异，使得在刻蚀过孔位置暴露出半导体层时，透光区对应的多层无机层也刚好全部被刻蚀掉，也即仅通过一道刻蚀工艺就能够同时对过孔位置和透光区进行刻蚀，分别形成过孔图案和盲孔图案。相对于现有技术，本发明实施例提供的技术方案能够显示面板在制作过程中，减少在不同位置形成孔区时的刻蚀次数，从而降低刻蚀工艺的繁琐度，进而有利于提高显示面板的制作效率。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程图；
图3-图5分别为本实施例提供的显示面板的制作方法对应的显示面板的沿切割线AA’的剖面结构示意图；
图6为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法的流程图；
图7为对应图6所述方法步骤S230的显示面板的剖面结构示意图；
图8为对应图6所述方法步骤S240的显示面板的剖面结构示意图；
图9为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法的流程图；
图10和图11分别为对应图9所述方法步骤S350和S360的显示面板的剖面结构示意图；
图12为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
正如背景技术所述，现有显示面板在阵列基板的制作过程中，需要对透光区对应的无机层进行刻蚀形成盲孔，且需要在显示面板的显示区形成无机层过孔以进行像素驱动电路的搭建。但是由于透光区对应的无机层的刻蚀厚度与显示区中过孔对应的无机层的刻蚀厚度之间的差异较大，通常通过两道光罩和两道刻蚀工艺分别完成过孔刻蚀和盲孔刻蚀，工艺较为繁琐。
针对上述问题，本发明实施例提供一种显示面板的制作方法，以通过一道光罩和一道刻蚀工艺就能够形成过孔和盲孔。图1为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图，图2为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程图，图3-图5分别为本实施例提供的显示面板的制作方法对应的显示面板的沿切割线AA’的剖面结构示意图，参考图1-图5，本发明实施例提供的显示面板的制作方法包括：
S110、提供基板。
具体地，显示面板包括显示区AA和围绕显示区AA设置的非显示区NA，在非显示区NA中设置有透光区MM，其中，透光区MM用于放置摄像头和传感器等装置。基板10可以是柔性的，可以由具有柔性的任意合适的绝缘材料形成，基板10也可以是刚性的，如玻璃基板。
S120、在基板上形成半导体层和多层无机层，其中，无机层分布于显示区和透光区；半导体层分布于显示区，且半导体层设置于无机层之间。
具体地，如图3所示，在基板10上形成多层无机层200，以及在显示区AA的多层无机层200之间形成半导体层401。半导体层401可以为P-Si有源层，对半导体层401进行掺杂可作为薄膜晶体管的漏源极，半导体层401与栅极502共同形成薄膜晶体管。无机层200的材料至少为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的一种，通过多层无机层200的叠层设置以对薄膜晶体管起到绝缘、缓冲和保护等功能。
S130、在显示区对应的过孔位置形成预设厚度的光阻层。
具体地，薄膜晶体管以阵列形式设置在显示区AA，薄膜晶体管连接至金属走线以形成驱动电路，其中，金属走线包括数据信号线、扫描信号线和电源信号线中的至少一种。由于半导体层401设置在多层无机层200之间，因此需要通过在多层无机层200上形成过孔位置(如图2中沿显示面板厚度方向的排布的箭头指向区域所示)，并在过孔位置对应的过孔中填充金属导电材料将漏源极引出至无机层200的上表面，通过连接至金属走线以实现驱动电路的搭建，驱动电路还包括存储电容，因此也同样需要在存储电容对应的位置形成过孔。在刻蚀无机层200形成过孔之前，在过孔位置形成预设厚度为H的光阻层70，且透光区MM无光阻层70(如图4所示)，这层预设厚度为H的光阻层70用于弥补过孔位置和透光区在刻蚀过程中的膜层厚度差异。
S140、同时刻蚀过孔位置和透光区，以在过孔位置形成过孔图案，在透光区形成盲孔图案。
具体地，由于存储电容上极板601和下极板501时金属层，在对无机层200进行刻蚀时，刻蚀条件不满足金属层的刻蚀条件，因此无法对存储电容上极板601和下极板501进行刻蚀，因此，仅需考虑半导体层对应的过孔即可。在刻蚀过孔位置形成过孔图案时，需要将半导体层401对应过孔位置所对应的多层无机层200刻蚀至半导体层401，也即刻蚀半导体层401上方对应过孔位置的多层无机层200，以暴露出半导体层401。在刻蚀透光区MM形成盲孔图案时，需要将透光区MM对应的多层无机层200全部刻蚀掉，以增加摄像头的拍照效果，也就是说，在对透光区MM对应的无机层200进行刻蚀时，需要将透光区MM中的多层无机层200全部去除，并暴露出基板10。由于过孔位置对应的无机层与透光区MM对应的无机层之间存在厚度差，不能同时刻蚀过孔位置和透光区MM，需要经过两次刻蚀工艺分别对过孔位置和透光区进行刻蚀。本实施例通过在过孔位置形成预设厚度的光阻层70以保证在刻蚀过孔位置和透光区MM时，能够一次性刻蚀完成。也就是说，通过计算过孔位置对应的光阻层70的预设厚度H，使得在刻蚀过程中，过孔位置从光阻层70开始刻蚀，与此同时，透光区MM从无机层200开始刻蚀，并且当过孔位置暴露出半导体层401时，透光区MM的多层无机层200也刚好全部去除，暴露出基板10(如图5所示)，从而能够采用同一道刻蚀工艺同时完成过孔位置和透光区MM的刻蚀。
本发明实施例提供的技术方案，通过在半导体层对应的过孔位置形成预设厚度的光阻层，这层光阻层用于弥补过孔和盲孔在刻蚀过程中的参数差异，使得在刻蚀过孔位置暴露出半导体层时，透光区对应的多层无机层也刚好全部被刻蚀掉，也即仅通过一道刻蚀工艺就能够同时对过孔位置和透光区进行刻蚀，分别形成过孔图案和盲孔图案。相对于现有技术，本发明实施例提供的技术方案能够显示面板在制作过程中，减少在不同位置形成孔区时的刻蚀次数，从而降低刻蚀工艺的繁琐度，进而有利于提高显示面板的制作效率。
需要说明的是，显示区AA中的过孔包括半导体层401对应的过孔，存储电容上极板601和下极板501所对应的过孔，其中，半导体层401对应的过孔为深孔，存储电容上极板601对应的过孔为浅孔，下极板501对应的过孔为中孔。由于存储电容上极板601和下极板501相对无机层的上表面的距离较近，因此存储电容上极板601和下极板501对应的过孔深度小于半导体层401对应的过孔深度。且存储电容上极板601和下极板501是金属层，在对无机层200进行刻蚀时，无机层200的刻蚀条件不满足金属层的刻蚀条件，因此仅需要考虑半导体层401对应的过孔位置所对应的无机层与透光区MM对应的无机层之间的膜层差异即可。也就是说，光阻层70的预设厚度由半导体层对应的过孔位置和透光区的膜层差异参数决定。
其中，膜层差异参数包括过孔位置对应的无机层的厚度、透光区对应的无机层的厚度以及刻蚀速率。具体地，不同材料形成的膜层的刻蚀速率不同，且各膜层之间的厚度差异导致刻蚀量也不相同，因此需要综合考虑过孔位置对应的无机层的厚度、透光区对应的无机层的厚度以及各个膜层的刻蚀速率来计算过孔位置对应的光阻层70的预设厚度。
继续参考图4，以多层无机层200包括依次叠层设置的缓冲层、栅绝缘层40、电容绝缘层50和层间电介质层60为例说明光阻层70的预设厚度的计算，其中缓冲层包括氮化硅缓冲层20和氧化硅缓冲层30。氮化硅缓冲层20的厚度范围为400～600埃，氧化硅缓冲层30的厚度范围为2000～2600埃；栅绝缘层40为氧化硅层，其厚度范围为1200～1500埃；电容绝缘层50由氮化硅和氧化硅材料形成，其中氮化硅层的厚度范围为800～1000埃，氧化硅层的厚度范围为400～600埃；层间介质层60由氮化硅和氧化硅材料形成，其中氮化硅层的厚度范围为2000～2300埃，氧化硅层的厚度范围为2500～2800埃。示例性地，在基板10的上表面依次设置有厚度为500埃的氮化硅缓冲层20、厚度为2500埃的氧化硅缓冲层30、厚度为1400埃的氧化硅栅绝缘层40、厚度为1000埃的氮化硅和厚度为500埃的氧化硅形成的电容绝缘层50、厚度为2700埃的氧化硅和厚度为2200埃的氮化硅形成的层间电介质层60，则相对于过孔位置需要刻蚀的无机层，透光区MM需要刻蚀的无机层比过孔位置对应的无机层多了厚度为500埃的氮化硅缓冲层20和厚度为2500埃的氧化硅缓冲层30，其中，在同一刻蚀条件下，氧化硅的刻蚀速率约等于1.8倍的氮化硅的刻蚀速率，氧化硅的刻蚀速率约等于2倍的光阻层的刻蚀速率。则根据过孔位置和透光区MM对应的无机层的厚度以及刻蚀速率，计算当透光区MM对应的无机层全部被刻蚀掉时，在过孔位置对应的无机层刻蚀到半导体层401的表面时，还需要多少厚度的光阻层70能够完成过孔位置和透光区MM的同时刻蚀，根据速率、厚度与时间之间关系，计算出过孔位置对应的光阻层70的预设厚度为0.17μm。
作为本发明实施例的一种可选实施方式，可以通过曝光显影方法形成预设厚度的光阻层。图6为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法的流程图，图7为对应图6所述方法步骤S230的显示面板的剖面结构示意图，图8为对应图6所述方法步骤S240的显示面板的剖面结构示意图。在上述各技术方案的基础上，参考图6、图7和图8，本发明实施例提供的显示面板的制作方法包括：
S210、提供基板。
S220、在基板上形成半导体层和多层无机层，其中，无机层分布于显示区和透光区；半导体层分布于显示区，且半导体层设置于无机层之间。
S230、在无机层远离基板一侧涂覆光阻层。
S240、刻蚀光阻层，以使过孔位置对应的光阻层的厚度为预设厚度，且透光区对应的光阻层被完全刻蚀。
具体地，如图7和图8所示，在基板10上形成半导体层401和多层无机层200后，在无机层200远离基板10的一侧涂覆一层光阻层70，光阻层70由光敏材料制成，且光阻层70的厚度大于过孔位置对应光阻层70的预设厚度。根据过孔位置对应的无机层的厚度、透光区对应的无机层的厚度以及刻蚀速率计算过孔位置对应的光阻层70的预设厚度，刻蚀光阻层70，以使过孔位置对应的光阻层的厚度为预设厚度，且透光区对应的光阻层被完全刻蚀，从而保证过孔图案和盲孔图案能够采用同一道刻蚀工艺进行刻蚀。
可选地，可以通过曝光显影的方式刻蚀光阻层70。本发明实施例采用半色调掩膜版100对光阻层70进行曝光显影。如图8所示，半色调掩膜版100包括不透光区101、半透光区102和全透光区103，半透光区102对应过孔位置，全透光区103对应透光区MM，不透光区101对应显示区AA中的其他区域。光阻层70可以为正性光阻，被光照射到的光阻会溶于显影液中，未被光照射到的光阻不会溶于显影液，从而达到刻蚀的目的。在本实施例中，半色调掩膜版100全透光区103的材料为氧化硅，半透光区102的材料为氧化铬，不透光区101的材料为金属铬，通过控制半透光区102中氧化铬的厚度以控制半透光区102的透光率，从而达到控制半透光区102对应的光阻层70的厚度。
S250、同时刻蚀过孔位置和透光区，以在过孔位置形成过孔图案，在透光区形成盲孔图案。
本发明实施例提供的技术方案，通过在半导体层对应的过孔位置形成预设厚度的光阻层，这层光阻层用于弥补过孔和盲孔在刻蚀过程中的参数差异，使得在刻蚀过孔位置暴露出半导体层时，透光区对应的多层无机层也刚好全部被刻蚀掉，也即仅通过一道刻蚀工艺就能够同时对过孔位置和透光区进行刻蚀，分别形成过孔图案和盲孔图案。且形成预设厚度的光阻层的方式简单易行，有利于降低工艺难度。
作为本发明实施例的一种可选实施方式，图9为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法的流程图，图10和图11分别为对应图9所述方法步骤S350和S360的显示面板的剖面结构示意图。在上述各技术方案的基础上，参考图9-图11，本发明实施例提供的显示面板的制作方法包括：
S310、提供基板。
S320、在基板上形成半导体层和多层无机层，其中，无机层分布于显示区和透光区；半导体层分布于显示区，且半导体层设置于无机层之间。
S330、在无机层远离基板一侧涂覆光阻层。
S340、刻蚀光阻层，以使过孔位置对应的光阻层的厚度为预设厚度，且透光区对应的光阻层被完全刻蚀。
S350、在第一刻蚀阶段，刻蚀过孔位置对应的光阻层，以及刻蚀透光区对应的无机层。
S360、在第二刻蚀阶段，刻蚀过孔位置对应的无机层，和透光区对应的剩余无机层。
具体地，在采用同一道刻蚀工艺同时刻蚀过孔位置和透光区对应的多层无机层时，可以分为两个刻蚀阶段。如图10所示，在第一刻蚀阶段，刻蚀过孔位置对应的光阻层70，由于过孔位置和透光区MM采用同一道刻蚀工艺，因此刻蚀过孔位置和透光区的刻蚀条件完全一样，则在刻蚀过孔位置对应的光阻层70时，也同时刻蚀透光区MM中的多层无机层200。例如，在基板10的上表面依次设置有厚度为500埃的氮化硅缓冲层20、厚度为2500埃的氧化硅缓冲层30、厚度为1400埃的氧化硅栅绝缘层40、厚度为1000埃的氮化硅和厚度为500埃的氧化硅形成的电容绝缘层50、厚度为2700埃的氧化硅和厚度为2200埃的氮化硅形成的层间电介质层60，过孔位置对应的光阻层70的预设厚度为0.15μm。根据氧化硅的刻蚀速率等于1.8倍的氮化硅的刻蚀速率，氧化硅的刻蚀速率等于2倍的光阻层的刻蚀速率，可知，当透光区MM对应的氧化硅层间电介质层60剩余厚度为1556埃的时候，过孔位置对应的0.17μm的光阻层70刚好被完全刻蚀。在第二刻蚀阶段，刻蚀过孔位置对应的无机层，和透光区MM对应的剩余无机层(如图11所示)，在第一刻蚀阶段结束时，透光区MM内剩余的无机层包括1556埃的氧化硅层间电介质层60、500埃的氧化硅和1000埃的氮化硅形成的电容绝缘层50、1400埃的氧化硅栅绝缘层40、2500埃的氧化硅缓冲层30和500埃的氮化硅缓冲层20，过孔位置对应的无机层包括2200埃的氮化硅和2700埃的氧化硅形成的层间电介质层60、500埃的氧化硅和1000埃的氮化硅形成的电容绝缘层50和1400埃的氧化硅栅绝缘层40，此时透光区MM内剩余的无机层的刻蚀量与半导体层401对应的过孔位置内的无机层的刻蚀量相等，因此能够保证在第二刻蚀阶段能够同时完成过孔图案和盲孔图案的刻蚀。
需要说明的是，本发明实施例所描述的两个刻蚀阶段，均是在同一道刻蚀工艺下进行的，仅是刻蚀气体不同，不需要更换掩膜版或刻蚀方式，因此是采用一道刻蚀工艺同时完成过孔图案和盲孔图案的刻蚀。
其中，第二刻蚀阶段的刻蚀气体的刻蚀选择比高于第一刻蚀阶段的刻蚀气体的刻蚀选择比。由于半导体层401通常为P-Si有源层，为了保证在第二刻蚀阶段不刻蚀半导体层401，因此第二刻蚀阶段的刻蚀气体的刻蚀选择比要高于第一刻蚀阶段的刻蚀气体的刻蚀选择比，有利于保证半导体层401不会被刻蚀掉。优选地，第一阶段的刻蚀气体包括四氟化碳和氧气，第二刻蚀阶段的刻蚀气体包括五氟乙烷、氢气和氩气。
可选地，图12为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图，参考图12，在上述各技术方案的基础上，刻蚀完成过孔位置的图案和透光区的图案后，去除显示区AA中的剩余光阻层70，形成如图5所示的孔区结构，然后在层间电介质层60远离基板10的一侧形成金属走线602，并通过过孔连接半导体层401和存储电容的上下基板，金属走线602包括数据信号线、扫描信号线和电源信号线中的至少一种。由于显示面板内不同层图案所造成的面内段差，使得膜层表面出现起伏，通过在金属走线602上形成平坦化层80，可以使得膜层表面平整，便于形成后续膜层，且平坦化层80还可以起到绝缘相邻金属走线602的作用。平坦化层80可以为正性光刻胶或负性光刻胶，可根据实际需求选取。之后，在平坦化层80的表面依次制作阳极层701、像素定义层90、有机层702和阴极层703，其中，像素定义层90用于定义多个像素，像素定义层90上包括多个暴露阳极层701的开口，每一开口内均可形成一个像素。阳极层701、像素定义层90、有机层702和阴极层703设置在平坦化层80上，阳极层701位于开口的底部。阳极层701、有机层702和阴极层703形成OLED发光器件，其中有机层702可以为一层或者多层，例如有机层702可以包括电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层，阴极层703的电子和阳极层702的空穴在电场的驱动作用下分别注入电子注入层和空穴注入层，再经电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，电子和空穴在发光层结合产生激子，激子经过迁移和辐射衰减产生光子发光。阳极层701、像素定义层90、有机层702和阴极层703的制作方法与现有技术相同，在此不再赘述。
可选地，本发明实施例还提供了一种显示面板，采用本发明任意实施例所提供的显示面板的制作方法进行制备，因此本发明实施例提供的显示面板具备本发明任意实施例所描述的有益效果。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (10)
1.一种显示面板的制作方法，所述显示面板具有透光区、围绕所述透光区的显示区，其特征在于，包括：
提供基板；
在所述基板上形成半导体层和多层无机层；其中所述无机层分布于所述显示区和所述透光区；所述半导体层分布于所述显示区，且所述半导体层设置于所述无机层之间；
在所述显示区对应的过孔位置形成预设厚度的光阻层；
同时刻蚀所述过孔位置和所述透光区，以在所述过孔位置形成过孔图案，在所述透光区形成盲孔图案。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述过孔位置包括不同刻蚀深度的过孔，其中，所述预设厚度由所述半导体层对应的过孔位置和所述透光区的膜层差异参数决定。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述膜层差异参数包括所述半导体层对应的过孔位置所对应的所述无机层的厚度、所述透光区对应的所述无机层的厚度以及刻蚀速率。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，在所述显示区对应的过孔位置形成预设厚度的光阻层，包括：
在所述无机层远离所述基板一侧涂覆所述光阻层；
刻蚀所述光阻层，以使所述过孔位置对应的所述光阻层的厚度为预设厚度，且所述透光区对应的所述光阻层被完全刻蚀。
5.根据权利要求4所述的显示面板的制作方法，其特征在于，采用半色调掩膜版刻蚀所述光阻层，所述半色调掩膜版包括全透光区、不透光区和半透光区；所述半透光区对应所述过孔位置，所述全透光区对应所述透光区。
6.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述半色调掩膜版的所述半透光区的材料为铬金属氧化物，所述不透光区的材料为铬金属。
7.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，同时刻蚀所述过孔位置和所述透光区，以在所述过孔位置形成过孔图案，在所述透光区形成盲孔图案，包括：
在第一刻蚀阶段，刻蚀所述过孔位置对应的所述光阻层，以及刻蚀所述透光区对应的所述无机层；
在第二刻蚀阶段，刻蚀所述过孔位置对应的所述无机层，和所述透光区对应的剩余所述无机层。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第二刻蚀阶段的刻蚀气体的刻蚀选择比高于所述第一刻蚀阶段的刻蚀气体的刻蚀选择比。
9.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述多层无机层包括依次叠层设置的缓冲层、栅绝缘层、电容绝缘层和层间电介质层；
所述缓冲层包括厚度范围为400～600埃的氮化硅层和厚度范围为2000～2600埃的氧化硅层；
所述栅绝缘层为氧化硅层，所述栅绝缘层的厚度范围为1200～1500埃；
所述电容绝缘层包括厚度范围为400～600埃的氧化硅层和厚度范围为800～1000埃的氮化硅层；
所述层间介质层包括厚度范围为2000～2300埃的氮化硅层和厚度范围为2500～2800埃的氧化硅层；
所述过孔位置对应的所述光阻层的预设厚度的范围为0.1～0.18微米。
10.一种显示面板，其特征在于，采用如权利要求1-9任一项所述的显示面板的制作方法进行制备。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110287217.5A CN113053983A (zh) | 2021-03-17 | 2021-03-17 | 显示面板的制作方法和显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110287217.5A CN113053983A (zh) | 2021-03-17 | 2021-03-17 | 显示面板的制作方法和显示面板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113053983A true CN113053983A (zh) | 2021-06-29 |
Family
ID=76513292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110287217.5A Pending CN113053983A (zh) | 2021-03-17 | 2021-03-17 | 显示面板的制作方法和显示面板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113053983A (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106992147A (zh) * | 2017-03-31 | 2017-07-28 | 上海天马微电子有限公司 | 制作显示面板的方法、显示面板及显示装置 |
| CN111293080A (zh) * | 2020-02-18 | 2020-06-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板的制备方法及显示面板 |
| CN111584555A (zh) * | 2020-05-06 | 2020-08-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板的制作方法及阵列基板、显示装置 |
-
2021
- 2021-03-17 CN CN202110287217.5A patent/CN113053983A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106992147A (zh) * | 2017-03-31 | 2017-07-28 | 上海天马微电子有限公司 | 制作显示面板的方法、显示面板及显示装置 |
| CN111293080A (zh) * | 2020-02-18 | 2020-06-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板的制备方法及显示面板 |
| CN111584555A (zh) * | 2020-05-06 | 2020-08-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板的制作方法及阵列基板、显示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6855960B2 (en) | Flat panel display with black matrix and method of fabricating thereof | |
| US10332946B2 (en) | Organic light emitting display panel and manufacturing method thereof, display device | |
| TWI515910B (zh) | 薄膜電晶體基板與其製作方法、顯示器 | |
| KR100758964B1 (ko) | 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR100552975B1 (ko) | 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 | |
| CN108198825B (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 | |
| US8367278B2 (en) | Halftone mask and manufacturing method thereof and method for forming film using the same | |
| JP2006173617A (ja) | 有機電界発光表示素子及びその製造方法 | |
| CN113054149B (zh) | 显示面板的制作方法和显示面板 | |
| CN110556406A (zh) | 一种oled显示面板及其制备方法 | |
| JP2008235848A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP6168742B2 (ja) | 有機ｅｌ装置 | |
| TWI423391B (zh) | 共通線結構與顯示面板及其製作方法 | |
| CN111293080B (zh) | 显示面板的制备方法及显示面板 | |
| WO2016078248A1 (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| JP2007172873A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 | |
| CN113053983A (zh) | 显示面板的制作方法和显示面板 | |
| CN109742102B (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
| KR100584263B1 (ko) | 유기 ｅｌ 소자의 제조 방법 | |
| CN108511457B (zh) | 一种tft像素结构、阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN111063660A (zh) | Oled背板的制作方法及其oled背板结构 | |
| CN111029347B (zh) | Oled背板的制作方法及oled背板 | |
| TWI466298B (zh) | 畫素結構的製作方法 | |
| CN109300849B (zh) | 低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 | |
| CN117479672A (zh) | 显示面板及显示面板的制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210629 |