CN106992147A - 制作显示面板的方法、显示面板及显示装置 - Google Patents
制作显示面板的方法、显示面板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106992147A CN106992147A CN201710208830.7A CN201710208830A CN106992147A CN 106992147 A CN106992147 A CN 106992147A CN 201710208830 A CN201710208830 A CN 201710208830A CN 106992147 A CN106992147 A CN 106992147A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- etching
- film transistor
- pole
- conductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 206
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 144
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 105
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 97
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 70
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 21
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 20
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 19
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 can be terne metal Chemical compound 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000500881 Lepisma Species 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXTFQUMXDQLMBY-UHFFFAOYSA-N alumane;molybdenum Chemical compound [AlH3].[Mo] ZXTFQUMXDQLMBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- 230000003319 supportive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000648 terne Inorganic materials 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
本申请公开了一种制作显示面板的方法、显示面板及显示装置，显示面板包括薄膜晶体管区以及电容区，该方法包括：在衬底基板上形成电容区的第一极板及第一薄膜晶体管的栅极；在第一导体层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上依次形成半导体有源层、刻蚀缓冲层以及刻蚀阻挡层，刻蚀位于电容区的刻蚀阻挡层及刻蚀缓冲层；刻蚀位于薄膜晶体管区的刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成第一薄膜晶体管的第一极、第二极，在电容区形成第二极板；通过本方法，可以增大存储电容的存储量，提高存储电容的充放电速度，同时在制作显示面板的过程中，将氧化物半导体层作为刻蚀缓冲层，在对其他绝缘层进行刻蚀时，可对存储电容的绝缘介质进行有效的保护。
Description
技术领域
本发明一般涉及显示技术领域，尤其涉及一种制作显示面板的方法、显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的提升，显示面板也向着多元化发展。现有的显示面板可分为柔性显示面板和刚性显示面板。为了迎合市场对显示面板多元化的需求，对显示面板的制作工艺具有越来越高的要求。
在现有的显示技术中，通常在显示面板设置薄膜晶体管以及存储电容。在液晶显示面板中，薄膜晶体管用于在显示期间控制液晶的旋转，在有机发光电致显示面板中，薄膜晶体管用于在显示期间向有机发光二极管提供驱动电流，存储电容可用于存储数据电压信号。
在形成存储电容的过程中，通常利用显示面板上栅绝缘层以及形成薄膜晶体管的半导体有源层作为存储电容的绝缘介质层。为了增大存储电容的存储容量，通常将作为绝缘介质层的半导体有源层在真空中退火，使其导体化。由于退火温度过高，这样一来，使得在低温环境中形成显示面板的技术难以实现。同时，半导体有源层表面电阻率依旧较大，且与漏极之间的接触面存在一定的接触电阻，在电容充放电过程中该界面的存在不利于电子的有效运输，即延长了存储电容的充放电时间，使得存储电容存储电荷的能力降低，从而降低了显示面板的显示效果。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种显示面板，以期解决现有技术中存在的技术问题。
第一方面，本申请提供的一种显示面板的制作方法，所制作的显 示面板包括薄膜晶体管区以及电容区，该方法包括：在衬底基板上形成第一导体层，刻蚀第一导体层形成位于电容区的第一极板以及位于薄膜晶体管区的第一薄膜晶体管的栅极；在第一导体层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成氧化物半导体层，刻蚀氧化物半导体层形成半导体有源层以及刻蚀缓冲层，其中，半导体有源层位于薄膜晶体管区，刻蚀缓冲层位于电容区；在半导体有源层以及刻蚀缓冲层上形成刻蚀阻挡层，刻蚀位于电容区的刻蚀阻挡层以及刻蚀缓冲层；刻蚀位于薄膜晶体管区的刻蚀阻挡层以暴露部分半导体有源层，形成半导体有源层与第一薄膜晶体管的第一电极的接触区和半导体有源层与第一薄膜晶体管的第二极的接触区；在刻蚀阻挡层上形成第二导体层，刻蚀第二导体层以在薄膜晶体管区形成第一极、第二极以及在电容区形成第二极板，其中，第二极板向衬底基板的正投影与第一极板至少部分重叠。
按照本申请实施例提供的方案，在形成存储电容的过程中，将电容区刻蚀阻挡层以及作为刻蚀缓冲层的半导体有源层利用同一道掩膜工序刻蚀，同时利用干刻工艺对刻蚀阻挡层进行刻蚀，利用湿刻工艺对作为刻蚀缓冲层的半导体有源层进行刻蚀，这样一来避免利用干刻工艺刻蚀刻蚀缓冲层时，刻蚀掉第一绝缘层，在刻蚀刻蚀缓冲层的过程中，对作为存储电容的绝缘介质层的第一绝缘层进行有效的保护。同时还有利于低温形成柔性显示面板。
第二方面，本申请实施例提供了一种显示面板，包括：衬底基板；形成于衬底基板上的第一薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管包括栅极、第一极和第二极；栅极由第一导体层组成，第一极、第二极由第二导体层组成，第一导体层与第二导体层之间还设置有第一绝缘层、半导体层以及刻蚀阻挡层，其中，半导体层包括与第一极、第二极相接触的接触区；形成于衬底基板上的存储电容，存储电容包括第一极板、第二极板以及设置于第一极板和第二极板之间的绝缘介质；第一极板由第一导体层组成，第二极板由第二导体层组成；绝缘介质由第一绝缘层组成。
第三方面，本申请实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括 如上所述的显示面板。
在一些实施例中，利用上述方法制作的显示面板以及包括上述显示面板的显示装置仅将第一绝缘层作为存储电容的绝缘介质，增大存储电容的存储容量的同时，提高了存储电容的充放电时间，有利于提供显示面板的显示效果。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1示出了本申请实施例提供的一种制作显示面板的方法的流程图；
图2a-图2i示出了本申请实施例提供的与图1所示的流程图相对应的各个步骤的显示面板的剖视图；
图3示出了本申请实施例提供的又一个制作显示面板的方法的流程图；
图4示出了本申请实施例提供的再一个制作显示面板的方法的流程图；
图5示出了本申请实施例提供的一个显示面板的俯视图；
图6a-图6b示出了本申请实施例提供的显示面板的剖视图；
图7示出了本申请实施例提供的又一个显示面板的剖视图；
图8示出了本申请实施例提供的显示装置示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关申请，而非对该申请的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本申请相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
请参考图1以及图2a-图2i，图1示例性的示出了本申请提供的制作显示面板的方法的实施例流程图100，图2a-图2i为与图1所示的流程图所对应的各个步骤的显示面板的剖视图。结合图1以及图2a-图2i，对本实施例所示的显示面板的制作方法进行详细的阐述。
在本实施例中，所要制作的显示面板包括薄膜晶体管区101以及电容区102。其中，上述薄膜晶体管区101形成多个第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管用于向显示面板上的像素电极提供驱动信号；电容区102形成存储电容，该存储电容在显示期间，存储可供显示的数据电压信号。
步骤S101，在衬底基板上形成第一导体层，刻蚀第一导体层形成位于电容区的第一极板以及位于第一薄膜晶体管区的薄膜晶体管的栅极。
在本实施中，首先可以在衬底基板10上沉积第一导体层。其中，衬底基板10为用于对所制作的显示面板提供支撑和保护作用的显示面板，该衬底基板10的材质一般为具有光透性材料制作的基板，例如可以为玻璃基板、石英基板、塑料基板等；上述第一导体层可以为金属导体层，该金属导体层可以由一种金属形成，也可以由多种金属组成的合成金属形成，也可由不同的金属层复合叠层形成。一种金属例如可以为铝、锡、锌、钼、铜等，合成金属例如可以为铅锡合金、铅锡银合金、铅铟银合金等，不同金属层的复合叠层可以为铝铜叠层、铝钼叠层等。接着，刻蚀第一导体层形成位于薄膜晶体管区101的第一薄膜晶体管的栅极111以及位于电容区102的第一极板112，如图2a所示。在对第一导体层进行刻蚀时，可以采用湿刻的方式进行刻蚀。湿刻可以包括如下工艺：首先在第一导体层上形成经过显影后的光刻胶图案；其次，将刻蚀剂通过喷洒、浸入等方式，与没有被光刻胶图案覆盖的第一导体层接触并腐蚀掉接触部分的第一导体层，保留被光刻胶覆盖的部分；最后，去除光刻胶图案，形成第一薄膜晶体管的栅极111以及第一极板112。其中，湿刻的刻蚀剂可以为硝酸溶液、醋酸溶液、磷酸溶液、草酸溶液中的一种或几种等。
步骤S102，在第一导体层上形成第一绝缘层。
在本实施例中，在步骤S101所形成的显示面板上沉积第一绝缘层12，该第一绝缘层12作为栅绝缘层，如图2b所示。
步骤S103，在第一绝缘层上形成氧化物半导体层，刻蚀氧化物半导体层，形成半导体有源层以及刻蚀缓冲层。
在本实施例中，在步骤S102形成的显示面板上首先沉积氧化物半导体层，其中，该氧化物半导体层可以由可以为铟锡氧化物、低温多晶硅等材料中的一种或几种形成，还可以为与上述各物质的材料特性相同或相近的其他无机绝缘材料，也可以为无机绝缘层与有机绝缘层的结合，该有机绝缘层例如可以为树脂系材料或亚克力系材料等。接着，刻蚀氧化物半导体层，分别在薄膜晶体管区101形成半导体有源层131以及在电容区102形成刻蚀缓冲层132，其中，刻蚀缓冲层132向第一导体层的正投影覆盖电容区102的第一极板112。在本实施例中，上述第一绝缘层12将栅极111与形成第一薄膜晶体管的导电沟道的氧化物半导体层分隔开来，如图2c所示。在本实施例中，对氧化物半导体层进行刻蚀时，可以采用湿刻的方式进行刻蚀，其中刻蚀剂可以为硝酸溶液、醋酸溶液等。
步骤S104，在半导体有源层以及刻蚀缓冲层之上形成刻蚀阻挡层，刻蚀位于电容区的刻蚀阻挡层以及刻蚀缓冲层。
在本实施例中，在步骤S103所形成的半导体层有源层131以及刻蚀缓冲层132上首先沉积刻蚀阻挡层14。接着，刻蚀位于电容区102的刻蚀阻挡层14，其中，刻蚀阻挡层14可以利用干刻工艺刻蚀。干刻可以包括如下工艺：首选在刻蚀阻挡层14形成经过显影后的光刻胶图案；其次，利用辉光放电的方式产生包含离子、电子等带电离子以及具有高度化学活性的中性原子、分子以及自由基的电浆将没有被光刻胶保护的刻蚀阻挡层14刻蚀掉。干刻气体可以为SF6、CFx、Cl2等。刻蚀完刻蚀阻挡层14后，接着对刻蚀缓冲层132进行刻蚀，从而暴露出位于电容区的第一绝缘层12，如图2e所示。对刻蚀缓冲层132进行刻蚀时，可以采用湿刻工艺。
在本实施例中，在对刻蚀阻挡层14以及刻蚀缓冲层132进行刻蚀时，保留第一区域1321和第二区域1322，其中，第一区域1321以及 第二区域1322分别为刻蚀缓冲层132向第一导体层的正投影超出第一极板112的第一侧边的第一区域1321和超过第二侧边的第二区域1322。第一极板112的第一侧边与第二侧边分别为靠近栅极111的侧边和远离栅极111的侧边。通过保留位于刻蚀缓冲层132的第一区域1321和第二区域1322，以防止在刻蚀电容区102上方的刻蚀阻挡层14时对第一绝缘层12过度刻蚀，这样一来，会导致第一极板112周围区域的第一绝缘层12的厚度降低，且第一绝缘层12过度刻蚀时会在过度刻蚀区形成一个过刻槽，电容区102的第二极板153填充过刻槽形成金属尖端，易发生静电击穿漏电现象。在本实施例中，刻蚀位于电容区102的刻蚀阻挡层14以及刻蚀缓冲层132的步骤可以通过如下方式进行：
首先，在刻蚀阻挡层14上沉积第一光刻胶层140，如图2d所示。其次，利用第一掩膜版141通过光刻工艺刻蚀第一光刻胶层140。第一掩膜版141包括不透光区141a和透光区141b，光线经过第一掩膜版141照射到第一光刻胶层140上，第一光刻胶层140在对应于第一掩膜版141的不透光区141a形成第一光刻胶图案。然后，通过刻蚀工艺去除没有被第一光刻胶图案覆盖的刻蚀阻挡层14以及刻蚀缓冲层132，然后去除第一光刻胶图案，以暴露位于电容区的栅绝缘层12，并形成位刻蚀阻挡层的第一区域1321以及第二区域1322，如图2e所示。
在本实施中，由于刻蚀阻挡层14与第一绝缘层12均可以采用干刻工艺进行刻蚀，而刻蚀缓冲层132可以采用湿刻工艺进行刻蚀，因此，采用干刻工艺刻蚀位于电容区102的刻蚀阻挡层14时，利用湿刻工艺刻蚀缓冲层132可以对位于电容区102的第一绝缘层12起到保护作用。对刻蚀缓冲层132进一步刻蚀时，由于第一绝缘层12与刻蚀缓冲层132采用不同的刻蚀工艺，因此在刻蚀刻蚀缓冲层132时，第一绝缘层12不容易被刻蚀掉，从而对作为存储电容的绝缘介质的第一绝缘层12进行有效的保护。
在本实施例中干刻所采用的的刻蚀剂可以为四氟化碳、六氟化硫等气体。湿刻所采用的刻蚀剂可以为硝酸溶液、醋酸溶液等。
步骤S105，刻蚀位于薄膜晶体管区的刻蚀阻挡层以暴露部分半导体有源层，形成半导体层有源层与第一薄膜晶体管的第一电极的接触区和半导体有源层与第一薄膜晶体管的第二极的接触区。
在本实施中，对位于薄膜晶体管区101的刻蚀阻挡层14进行刻蚀，以暴露出部分半导体有源层131。暴露出的半导体有源层131可以分为两个接触区1401和1402，其中的一个接触区1401用于将半导体有源层131与第一薄膜晶体管的第一极相接触，另一接触区1402用于将半导体有源层131与第一薄膜晶体管的第二极相接触，如图2g所示。
在本实施例中，半导体有源层131与第一薄膜晶体管的第一极的接触区以及半导体有源层131与第一薄膜晶体管的第二极的接触区可以通过如下步骤形成：
首先，在刻蚀阻挡层14上形成第二光刻胶层142，如图2f所示。其次，利用第二掩膜版143通过光刻工艺刻蚀第二光刻胶层142。第二掩膜版143包括不透光区143a和透光区143b，光线经过第二掩膜版143照射到第二光刻胶层142，第二光刻胶层142在对应于第二掩膜版143的不透光区143a和透光区143b形成第二光刻胶图案，第二光刻胶图案覆盖刻蚀阻挡层14中除了待形成半导体有源层131与第一薄膜晶体管的第一极的接触区1401以及半导体有源层131与第一薄膜晶体管的第二极的接触区1402之外的区域。然后，通过刻蚀工艺去除没有被第二光刻胶图案覆盖的半导体有源层131，同时去除第二光刻胶图案，形成半导体有源层131与第一薄膜晶体管的第一极的接触区1401以及半导体有源层131与第一薄膜晶体管的第二极的接触区1402，如图2g所示。
在本实施例中，由于刻蚀刻蚀阻挡层14时采用干刻工艺，而半导体有源层131的刻蚀需要采用湿刻工艺，因此，在刻蚀刻蚀阻挡层14形成接触区1401和接触区1402时，不会将半导体有源层131刻蚀掉，从而对半导体有源层131进行保护。
在本实施例中，刻蚀刻蚀阻挡层14可以采用干刻的方式进行刻蚀。
步骤S106，在刻蚀阻挡层之上形成第二导体层，刻蚀第二导体层 以在薄膜晶体管区形成第一极、第二极以及在电容区形成第二极板。
在本实施例中，根据步骤S105中所形成的显示面板，在本步骤中，继续在步骤S105所形成的显示面板上沉积第二导体层。该第二导体层可以为金属导体层，其中，第二导体层的材料可以与第一导体层的材料相同。在沉积第二导体层的过程中，将第二导体层分别与暴露出的半导体有源层131以及第一绝缘层12相接触。接着，刻蚀第二导体层，在薄膜晶体管区101形成薄膜晶体管的第一极151以及薄膜晶体管的第二极152，在电容区102形成第二极板153。其中，第二极板153向第一导体层的正投影与第一极板112至少部分重叠。也即是说，第一极板112与第二极板153具有正对面积，以形成电容区的电容的两个极板，同时，第一极板112与第二极板153之间的第一绝缘层12作为电容的绝缘介质，如图2h所示。
在本实施例中，刻蚀第二导体层可以采用湿刻的方式进行刻蚀，其刻蚀剂可以与刻蚀第一导体层所采用的刻蚀剂相同。
如上所述的实施例通过刻蚀位于电容区102的刻蚀阻挡层14以及作为刻蚀缓冲层132的氧化物半导体层，仅将位于电容区102的第一绝缘层12这一层绝缘层作为存储电容的绝缘介质，可以增大存储电容的存储容量，提高存储电容的充放电速度，由于没有半导体有源层作为存储电容的介质层，因此不需要进行高温退火，还有利于低温制程的显示面板的形成。
在实施例的一些可选的实现方式中，制作显示面板的方法还包括：
如图2i所示，第二导体层还形成公共走线154，也即公共走线154与薄膜晶体管的第一极151和第二极152同层设置。在第二导体层之上沉积像素电极层16，其中像素电极层16可以由透明的导电材料形成，例如，可以为ITO(Indium Tin Oxides，铟锡金属氧化物)，也可以为其他透明导电材料。
在像素电极层16上沉积第二绝缘层17，其中第二绝缘层17的材料可以与第一绝缘层12的材料相同，也可以为其他无机材料或有机材料，在此不做限定。刻蚀第二绝缘层17以及像素电极层16，以形成连接公共电极与公共走线154的第二过孔181。在上述第二绝缘层17 上形成公共电极层18，其中公共电极层18也可以由透明的导电材料形成，形成公共电极层18的材料可以与形成像素电极层16的材料相同，在此不做限定。刻蚀公共电极层18以形成多个条状的开口，这样一来，形成于像素电极层16的像素电极与形成于公共电极层18的公共电极之间可以形成水平电场，提高对液晶的控制能力。公共电极通过刻蚀公共电极层18形成。
在本实施例中，通过在第二绝缘层17和像素电极层16上设置连接公共电极与公共走线的154的过孔181，可以避免由于公共电极的电阻过大降低公共电极18接收信号或传输信号的速度，从而提高显示面板的显示效果。
请继续参考图3，其示出了本申请提供的又一个制作显示面板的方法的实施例的流程图300。在本实施例中，显示面板同样包括形成第一薄膜晶体管的薄膜晶体区以及电容区。与图1所示的制作显示面板的方法100不同的是，在本实施中，显示面板还包括电路区。其中，电路区包括多个第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管之间通过组合可以实现多种电路功能，例如逻辑与非功能、逻辑或非功能等。
步骤S301，在衬底基板上形成第一导体层，刻蚀第一导体层形成位于电容区的第一极板以及位于薄膜晶体管区的第一薄膜晶体管的栅极以及位于电路区的第二薄膜晶体管的栅极。
在本实施例中，形成位于电容区的第一极板、位于薄膜晶体管区的第一薄膜晶体管的栅极以及位于电路区的第二薄膜晶体管的栅极，其中，形成第二薄膜晶体管的栅极的方法与形成第一薄膜晶体管的栅极的方法相同，在此不再赘述。
步骤S302，在第一导体层上形成第一绝缘层。
在本实施例中，在形成于步骤S301的第一薄膜晶体管的栅极、第二薄膜晶体管的栅极以及电容区的第一极板之上沉积第一绝缘层。
步骤S303，在第一绝缘层上形成氧化物半导体层，刻蚀氧化物半导体层形成半导体有源层以及刻蚀缓冲层。
在本实施例中，在形成于步骤S302的第一绝缘层上沉积氧化物半 导体层，接着对氧化物半导体层进行刻蚀，形成位于薄膜晶体管区的半导体有源层、位于电路区的半导体有源层以及位于电容区的刻蚀缓冲层。
步骤S304，在半导体有源层以及刻蚀缓冲层上形成刻蚀阻挡层，刻蚀位于电容区的刻蚀阻挡层以及刻蚀缓冲层，刻蚀位于电路区的刻蚀阻挡层以及第一绝缘层，形成连接至第一导体层的第一过孔。
在本实施例中，在上述步骤S303所形成的位于薄膜晶体管区的半导体有源层、位于电路区的半导体有源层以及位于电容区的刻蚀缓冲层上沉积刻蚀阻挡层，刻蚀位于电容区的刻蚀阻挡层以及刻蚀缓冲层，以暴露位于电容区的第一绝缘层。
在本实施中，由于位于电路区的第二薄膜晶体管之间需要组合形成各种结构的电路，这就通常需要其中的一个第二薄膜晶体管的栅极与另外一个第二薄膜晶体管的源极或者漏极电连接。因此，在本步骤中还刻蚀位于电路区的刻蚀阻挡层以及第一绝缘层，形成将其中一个第二薄膜晶体管的栅极与另外一个薄膜晶体管的源极或者漏极相连接的第一过孔。
步骤S305，刻蚀位于薄膜晶体管区的刻蚀阻挡层以暴露部分半导体有源层，形成半导体有源层与第一薄膜晶体管的第一电极的接触区和半导体有源层与第一薄膜晶体管的第二极的接触区；刻蚀位于电路区的刻蚀阻挡层以暴露部分半导体有源层，形成半导体有源层与第二薄膜晶体管的第一电极的接触区和半导体有源层与第二薄膜晶体管的第二极的接触区。
步骤S306，在刻蚀阻挡层上形成第二导体层，刻蚀第二导体层以在薄膜晶体管区形成第一极、第二极，在电路区形成第一极、第二极，在电容区形成第二极板。
通过步骤S301-S306所形成的显示面板的剖视图如图7所示。
通过上述实施例可以看出，在本实施例与图1所示的实施例不同的是，在本实施例中，制作显示面板的方法300还包括制作位于显示面板的电路区的第二薄膜晶体管以及位于电路区的第一过孔。同时，电路区的第二薄膜晶体管的栅极与第一薄膜晶体管的栅极同层设置， 第二薄膜晶体管的第一极、第二极与第一薄膜晶体管的第一极、第二极同层设置，连接第二薄膜晶体管的栅极与第一极、第二极的过孔在在形成电容区的刻蚀阻挡层以及刻蚀缓冲层时形成。这样一来，可以不需要设置额外的工序形成电路区，提高了制作显示面板的效率。
请继续参考图4，其示出了本申请提供的再一个制作显示面板的方法400。在本实施中，显示面板同样包括形成第一薄膜晶体管的薄膜晶体管区、形成存储电容的电容区以及形成第二薄膜晶体管的电路区。
步骤S401，在衬底基板上形成第一导体层，刻蚀第一导体层形成位于电容区的第一极板以及位于薄膜晶体管区的第一薄膜晶体管的栅极以及位于电路区的第二薄膜晶体管的栅极。
步骤S402，在第一导体层上形成第一绝缘层。
步骤S403，在第一绝缘层上形成氧化物半导体层，刻蚀氧化物半导体层形成半导体有源层以及刻蚀缓冲层。
步骤S404，在半导体有源层以及刻蚀缓冲层上形成刻蚀阻挡层，刻蚀位于电容区的刻蚀阻挡层以及刻蚀缓冲层。
步骤S405，刻蚀位于薄膜晶体管区的刻蚀阻挡层以暴露部分半导体有源层，形成半导体有源层与第一薄膜晶体管的第一电极的接触区和半导体有源层与第一薄膜晶体管的第二极的接触区；刻蚀位于电路区的刻蚀阻挡层以暴露部分半导体有源层，形成半导体有源层与第二薄膜晶体管的第一电极的接触区和半导体有源层与第二薄膜晶体管的第二极的接触区，刻蚀位于电路区的刻蚀阻挡层以及第一绝缘层，形成连接至第一导体层的第一过孔。
步骤S406，在刻蚀阻挡层上形成第二导体层，刻蚀第二导体层以在薄膜晶体管区形成第一极、第二极，在电路区形成第一极、第二极，在电容区形成第二极板。
通过上述实施例可以看出，与图3所示的实施例不同的是，在本实施中，在电路区形成连接第二薄膜晶体管的栅极与第一极、第二极的第一过孔可以在形成半导体有源层与第一极、第二极的接触区的过 程中形成。
请继续参考图5、图6a-图6b，其示出了本申请提供的一种显示面板的实施例的结构示意图，图5为显示面板500的俯视图，图6a-图6b为显示面板500的剖视图。如图5、图6a-图6b所示的显示面板可以由如图1所示的制作显示面板的方法100制作而成。
结合图5、图6a-图6b，显示面板500包括衬底基板50，其中，衬底基板50可以对显示面板500提供支撑以及保护。该衬底基板50的材质一般为具有光透性材料制作的基板，例如可以为玻璃基板、石英基板、塑料基板等。在衬底基板50上形成薄膜晶体管阵列，其中，该薄膜晶体管阵列包括多个第一薄膜晶体管501，每一个第一薄膜晶体管501包括栅极511、第一极551以及第二极552。第一薄膜晶体管501的栅极511形成于第一导体层，第一薄膜晶体管的第一极551以及第二极552形成于第二导体层。在第一导体层和第二导体层之间还设置有第一绝缘层52、半导体有源层531以及刻蚀阻挡层54。其中，第一绝缘层52设置于第一导体层远离衬底基板10的一侧，半导体有源层531设置于第一绝缘层52远离衬底基板的一侧，刻蚀阻挡层54设置于半导体有源层531远离衬底基板的一侧。在本实施例中，对刻蚀阻挡层54进行刻蚀，并暴露出部分半导体有源层531，并形成半导体有源层531与第一薄膜晶体管501的第一极551相接触的区域以及与第一薄膜晶体管的第二极552相接触的区域。
在本实施例中，显示面板500还包括形成于衬底基板50上的存储电容502，存储电容502用于存储数据电压信号。其中，存储电容502包括第一极板512、第二极板553、以及形成于第一极板512和第二极板553之间的绝缘介质。在本实施例中，上述第一极板512形成于第一导体层，即与第一薄膜晶体管501的栅极511同层设置。上述第二极板553形成于第二导体层，即与第一薄膜晶体管501的第一极551、第二极552同层设置。上述绝缘介质由第一绝缘层52组成。
在本实施例中，存储电容501的第一极板512包括靠近第一薄膜晶体管501的栅极511的第一侧边以及远离栅极511的第二侧边，显 示面板500还包括设置于氧化物半导体层向第一导体层的投影与第一极板512的第一侧边相交叠的第一区域5321以及与第一极板512的第二侧边相交叠的第二区域5322。通过在显示面板500的氧化物半导体层保留第一区域5321和第二区域5322，避免刻蚀氧化物半导体层向第一导体层的正投影与第一极板512相交叠的区域时，刻蚀掉作为第一薄膜晶体管501的有源区的半导体有源层531，从而对第一薄膜晶体管501的半导体有源层531进行保护。
在本实施例中，显示面板500还包括形成于第一导体层的扫描信号线510以及形成于第二导体层的数据信号线59。
在本实施例中，通过将设置于显示面板500上第一绝缘层52设置为存储电容502的绝缘介质层，增大存储电容502的存储容量，提高存储电容502的充放电速度。同时在形成绝缘介质层的过程中，将第一绝缘层52之上的氧化物半导体层作为刻蚀缓冲层，避免对其他绝缘层进行刻蚀时，刻蚀掉作为绝缘介质层的第一绝缘层51，对存储电容502进行有效的保护。
在本实施例的一些可选的实现方式中，显示面板500还包括像素电极层56、第二绝缘层57以及公共电极层58，如图6b所示。像素电极层56设置于第二导体层远离衬底基板50的一侧。其中，像素电极层56可以由透明的导电材料形成，例如ITO。上述第二绝缘层57设置于像素电极层56远离衬底基板50的一侧。公共电极层58设置于第二绝缘层57远离衬底基板50的一侧，公共电极也可以由透明的导电材料形成，例如可以与形成像素电极的材料相同。在公共电极层58形成有多个条状的开口，这样一来，形成于像素电极层56的像素电极与形成于公共电极层58的公共电极之间可以形成水平电场，提高对液晶的控制能力。在第二导体层还设置有多条公共走线554，第二绝缘层57以及像素电极层56开设有多个第二过孔581，该第二过孔581用于将公共电极层58的各公共电极连接至位于第二导体层的各条公共走线554。通过在第二导体层设置和公共电极层58的各公共电极相连接的第二公共走线554，可以提高公共电极接收信号或传输信号的速度，从而提高显示面板的显示效果。
请继续参看图7，其示出了本申请提供的又一个显示面板的实施例的剖视图，如图7所示的显示面板可以由如图3或图4所示的制作显示面板的方法300或400制作而成。
在如图7所示的显示面板中，显示面板700包括衬底基板70、第一薄膜晶体管701、存储电容702、第一绝缘层72、刻蚀阻挡层74，其中，第一薄膜晶体管701包括形成于第一导体层的栅极711、形成于第二导体层的第一极751以及第二极752、形成于栅极711、第一极751与第二极752之间的半导体有源层731，存储电容702包括形成于第一导体层的第一极板712、形成于第二导体层的第二极板753以及作为存储电容702的绝缘介质的第一绝缘层72。显示面板700还包括像素电极层、第二绝缘层以及公共电极层，图中均未示出。
在本实施例中，显示面板700包括显示区以及位于显示区周围的电路区。其中，上述第一薄膜晶体管701形成于显示区。
与图5所示的实施例不同的是，在本实施例中，显示面板700还包括位于上述电路区的多个第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管之间通过组合可以实现各种电路功能，该电路功能例如可以为逻辑与非功能、逻辑或非功能、传输门功能、反向器功能、运算放大器功能等。
通常，上述各第二薄膜晶体管的栅极形成于第一导体层，即与第一薄膜晶体管701的栅极711同层设置，第二薄膜晶体管的第一极以及第二极形成于于第二导体层，即与第一薄膜晶体管701的第一极751以及第二极752同层设置。
在本实施例中，各第二薄膜晶体管之间为了实现上述电路功能，需要其中一个第二薄膜晶体管的第一极或者第二极与另外一个第二薄膜晶体管的栅极电连接。因此，在本实施中，显示面板700的电路区还设置有用于将第二薄膜晶体管的第一极或者第二极连接至另一第二薄膜晶体管的栅极的第一过孔。如图7所示，其中图7示出了其中一个第二薄膜晶体管703，其栅极713形成于第一导体层，其第一极754和第二极755形成于第二导体层。在图7中，还示出了另外一个第二薄膜晶体管的第一极756，其第二极以及栅极均未示出。其中第二薄 膜晶体管703的栅极713与另外一个第二薄膜晶体管的第一极756通过第一过孔79相连接。在本实施例中，第一过孔79可以在刻蚀上述刻蚀阻挡层74中形成，也可以在刻蚀上述刻蚀阻挡层74以形成半导体层有源层731与第一薄膜晶体管703的第一极的接触区以及与第二极的接触区的工序中形成。通过该两种方式形成第一过孔79，可以不需要添加额外的工序制作第一过孔79，可以简化制作显示面板的工序，提高制作显示的效率。
本实施例提出一种显示装置，如图8所示。本实施方式涉及的显示装置800能用于例如智能电话、平板终端、便携电话终端、笔记本类型的个人计算机、游戏设备等各种装置。具体的，该触控显示装置包括前述任意实施例中提到的显示面板。
本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的技术方案范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述技术方案构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
Claims (11)
1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述显示面板包括薄膜晶体管区以及电容区，所述方法包括：
在衬底基板上形成第一导体层，刻蚀所述第一导体层形成位于所述电容区的第一极板以及位于所述薄膜晶体管区的第一薄膜晶体管的栅极；
在所述第一导体层上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成氧化物半导体层，刻蚀所述氧化物半导体层形成半导体有源层以及刻蚀缓冲层，其中，所述半导体有源层位于所述薄膜晶体管区，所述刻蚀缓冲层位于所述电容区；
在所述半导体有源层以及所述刻蚀缓冲层上形成刻蚀阻挡层，刻蚀位于所述电容区的所述刻蚀阻挡层以及所述刻蚀缓冲层；
刻蚀位于薄膜晶体管区的所述刻蚀阻挡层以暴露部分所述半导体有源层，形成所述半导体有源层与所述第一薄膜晶体管的第一极的接触区和所述半导体有源层与所述第一薄膜晶体管的第二极的接触区；
在所述刻蚀阻挡层上形成第二导体层，刻蚀所述第二导体层以在所述薄膜晶体管区形成所述第一极、所述第二极以及在所述电容区形成第二极板，其中，所述第二极板向所述衬底基板的正投影与所述第一极板至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述显示面板还包括独立于所述薄膜晶体管区和所述电容区之外的电路区，所述方法还包括：
在刻蚀位于所述电容区的所述刻蚀阻挡层时，刻蚀位于所述电路区的所述刻蚀阻挡层以及所述第一绝缘层，以形成连接至所述第一导体层的第一过孔；或者，
在刻蚀位于所述薄膜晶体管区的所述刻蚀阻挡层以暴露部分所述半导体有源层，形成所述半导体有源层与所述第一薄膜晶体管的第一电极的接触区和所述半导体有源层与所述第一薄膜晶体管的第二极的接触区时，刻蚀位于所述电路区的所述刻蚀阻挡层以及所述第一绝缘层，以形成连接至所述第一导体层的第一过孔。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀所述第一导体层、刻蚀所述第二导体层以及刻蚀所述氧化物半导体层采用湿刻方式；刻蚀所述第一绝缘层以及刻蚀所述刻蚀阻挡层采用干刻方式。
4.根据权利要求1-3之一所述的方法，其特征在于，所述在所述半导体有源层以及所述刻蚀缓冲层上形成刻蚀阻挡层，刻蚀位于所述电容区的所述刻蚀阻挡层以及所述刻蚀缓冲层，包括：
在所述刻蚀阻挡层上沉积第一光刻胶层；
使用第一掩模版通过光刻工艺在所述刻蚀阻挡层上形成第一光刻胶图案；
通过刻蚀工艺去除没有被所述第一光刻胶图案覆盖的所述刻蚀阻挡层以及所述刻蚀缓冲层以暴露所述第一绝缘层；
去除所述第一光刻胶图案。
5.根据权利要求1-3之一所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述刻蚀阻挡层以暴露部分所述半导体有源层，形成所述半导体有源层与所述第一薄膜晶体管的第一极的接触区和所述半导体有源层与所述第一薄膜晶体管的第二极的接触区，包括：
在所述刻蚀阻挡层第二导体层上沉积第二光刻胶层；
使用第二掩模板通过光刻工艺在所述刻蚀阻挡层上形成第二光刻胶图案；
通过刻蚀工艺去除没有被所述第二光刻胶图案覆盖的所述刻蚀阻挡层以形成与所述第一极的接触区以及与所述第二极的接触区；
去除所述第二光刻胶图案。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述第二导体层形成公共走线；
在所述第二导体层上形成像素电极层；
在所述像素电极层上形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层与所述第二导体层之间形成第二过孔，所述第二过孔用于连接位于所述第二绝缘层上的公共电极以及所述公共走线；
在所述第二绝缘层上形成公共电极层，刻蚀所述公共电极层以形成所述公共电极。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀缓冲层向所述第一导体层的正投影覆盖所述第一极板。
8.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板；
形成于所述衬底基板上的第一薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管包括栅极、第一极和第二极；
所述栅极由第一导体层组成，所述第一极、所述第二极由第二导体层组成，所述第一导体层与所述第二导体层之间还设置有第一绝缘层、半导体层以及刻蚀阻挡层，其中，所述半导体层包括与所述第一极、所述第二极相接触的接触区；
形成于所述衬底基板上的存储电容，所述存储电容包括第一极板、第二极板以及设置于所述第一极板和所述第二极板之间的绝缘介质；
所述第一极板由所述第一导体层组成，所述第二极板由所述第二导体层组成；
所述绝缘介质由所述第一绝缘层组成。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括显示区以及位于所述显示区周围的电路区，所述第一薄膜晶体管设置于所述显示区，所述电路区设置有多个用于实现电路功能的第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的栅极形成于所述第一导体层，所述第二薄膜晶体管的第一极、第二极形成于所述第二导体层；
所述显示面板还包括电路区，所述电路区用于将其中一个第二薄膜晶体管的栅极与另外一个第二薄膜晶体管的第一极或第二极电连接以实现电路功能。
10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括像素电极层、第二绝缘层以及公共电极层；其中，
所述像素电极层设置于所述第二导体层远离所述衬底基板的一侧；
所述第二绝缘层设置于所述像素电极层远离所述衬底基板的一侧；
在所述第二导体层形成公共走线；
所述公共电极层设置于所述第二绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述公共电极层与所述第二导体层之间设置有用于连接各所述公共电极与所述公共走线的第二过孔。
11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求8-10任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710208830.7A CN106992147B (zh) | 2017-03-31 | 2017-03-31 | 制作显示面板的方法、显示面板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710208830.7A CN106992147B (zh) | 2017-03-31 | 2017-03-31 | 制作显示面板的方法、显示面板及显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106992147A true CN106992147A (zh) | 2017-07-28 |
| CN106992147B CN106992147B (zh) | 2019-11-22 |
Family
ID=59415370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710208830.7A Active CN106992147B (zh) | 2017-03-31 | 2017-03-31 | 制作显示面板的方法、显示面板及显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106992147B (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108231674A (zh) * | 2018-02-05 | 2018-06-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
| CN108288455A (zh) * | 2018-03-05 | 2018-07-17 | 昆山国显光电有限公司 | 有机发光显示面板和显示装置 |
| CN110600507A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-12-20 | 福建华佳彩有限公司 | 一种oled面板及制作方法 |
| US10553614B2 (en) | 2018-02-05 | 2020-02-04 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Thin-film transistor array substrate and manufacturing method for the same |
| CN111223906A (zh) * | 2020-01-14 | 2020-06-02 | 重庆京东方显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN113053983A (zh) * | 2021-03-17 | 2021-06-29 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板的制作方法和显示面板 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5757453A (en) * | 1995-05-09 | 1998-05-26 | Lg Electronics, Inc. | Liquid crystal display device having storage capacitors of increased capacitance and fabrication method therefor |
| CN103928470A (zh) * | 2013-06-24 | 2014-07-16 | 上海天马微电子有限公司 | 一种氧化物半导体tft阵列基板及其制造方法 |
| CN103943628A (zh) * | 2013-10-14 | 2014-07-23 | 上海天马微电子有限公司 | Tft阵列基板、制造方法及其显示面板 |
| CN105807523A (zh) * | 2016-05-27 | 2016-07-27 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、包含其的显示面板和显示装置 |
-
2017
- 2017-03-31 CN CN201710208830.7A patent/CN106992147B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5757453A (en) * | 1995-05-09 | 1998-05-26 | Lg Electronics, Inc. | Liquid crystal display device having storage capacitors of increased capacitance and fabrication method therefor |
| CN103928470A (zh) * | 2013-06-24 | 2014-07-16 | 上海天马微电子有限公司 | 一种氧化物半导体tft阵列基板及其制造方法 |
| CN103943628A (zh) * | 2013-10-14 | 2014-07-23 | 上海天马微电子有限公司 | Tft阵列基板、制造方法及其显示面板 |
| CN105807523A (zh) * | 2016-05-27 | 2016-07-27 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、包含其的显示面板和显示装置 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108231674A (zh) * | 2018-02-05 | 2018-06-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
| WO2019148579A1 (zh) * | 2018-02-05 | 2019-08-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
| US10553614B2 (en) | 2018-02-05 | 2020-02-04 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Thin-film transistor array substrate and manufacturing method for the same |
| CN108288455A (zh) * | 2018-03-05 | 2018-07-17 | 昆山国显光电有限公司 | 有机发光显示面板和显示装置 |
| CN110600507A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-12-20 | 福建华佳彩有限公司 | 一种oled面板及制作方法 |
| CN110600507B (zh) * | 2019-08-21 | 2024-04-16 | 福建华佳彩有限公司 | 一种oled面板及制作方法 |
| CN111223906A (zh) * | 2020-01-14 | 2020-06-02 | 重庆京东方显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN111223906B (zh) * | 2020-01-14 | 2022-09-09 | 重庆京东方显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN113053983A (zh) * | 2021-03-17 | 2021-06-29 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板的制作方法和显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106992147B (zh) | 2019-11-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106992147B (zh) | 制作显示面板的方法、显示面板及显示装置 | |
| JP7239481B2 (ja) | アレイ基板、その製造方法及び表示装置 | |
| CN108470717B (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置 | |
| CN109979964B (zh) | 顶部发光有机发光二极管显示器 | |
| CN101097928B (zh) | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 | |
| JP7486523B2 (ja) | 表示基板及びその製造方法、表示装置 | |
| CN103872060B (zh) | 阵列基板及其制造方法 | |
| CN104134671A (zh) | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 | |
| CN109273409A (zh) | 一种显示面板、其制作方法及显示装置 | |
| CN110729313A (zh) | 显示面板、显示面板制备方法、显示装置 | |
| CN103247531B (zh) | 薄膜晶体管及其制作方法及显示器 | |
| CN111668242A (zh) | Oled显示面板及其制备方法 | |
| CN103515395A (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
| CN103021820A (zh) | 制造薄膜晶体管的方法和制造有机发光显示设备的方法 | |
| CN104900589A (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示器件 | |
| CN103022052A (zh) | 一种阵列基板及显示装置 | |
| CN104090401A (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN111863839B (zh) | 一种阵列基板、其制备方法及显示面板 | |
| CN104716147A (zh) | 一种tft阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN109686794A (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法、显示装置 | |
| CN210723028U (zh) | 显示面板、显示装置 | |
| CN103094287A (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN103413834A (zh) | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置 | |
| CN103489902A (zh) | 一种电极及其制作方法、阵列基板及显示装置 | |
| CN106959536A (zh) | 显示面板、制作显示面板的方法及显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |