CN111223906B - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置。该制备方法对显示面板的第一导电层采用两次图形化，第一次对第一导电层图形化仅针对位于显示区的第一导电层，第二次对第一导电层图形化仅针对位于引脚区的第一导电层，并且在第一导电层的两次图形化之间沉积、图形化包括第二导电层在内的其他膜层，这样包括第二导电层在内的其他膜层在引脚区的沉积不会接触到位于引脚区的第一导电层的侧面，因此对包括第二导电层在内的其他膜层在引脚区的图形化也不会接触到对位于引脚区的第一导电层的侧面，更不会对位于引脚区的第一导电层造成侧蚀，极大提高了显示面板的良品率，还可以减少对显示面板的测试，提高显示面板的生产效率。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

如图1和图2所示，显示面板内具有用于显示的不同的导电层，各导电层通常由显示面板的显示区引至引脚区，以便于与外部控制设备或电源相连。显示区内的各导电层为配合显示需要，通常是叠层设置，而各导电层引至引脚区后，通常需要相邻但又独立地分布，如图3所示，保证彼此绝缘的前提下以便于形成接口。

在显示面板的制备中，通常是逐层沉积、图形化包括各导电层在内的各膜层，并且是对显示区和引脚区内的各膜层同时施工。但是在引脚区内，去除与某导电层不相关的其他膜层、尤其是其他导电膜层时，极易对该导电层造成侧蚀问题，导致显示面板出现暗点。

因此，现有的显示面板的制备工艺易出现工艺波动，造成良率损失。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种显示面板及其制备方法、显示装置，用以解决现有技术存在制备显示面板时易对引脚区内的导电层造成侧蚀的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种显示面板的制备方法，显示面板包括显示区和引脚区，制备方法包括步骤：

在基板上沉积第一导电层；

在第一导电层上涂覆第一光刻胶层，对位于显示区的第一光刻胶层图形化并保留位于引脚区的第一光刻胶层；

对第一导电层进行刻蚀后，去除残余的第一光刻胶层；

在第一导电层远离基板的一侧设置绝缘层，对绝缘层图形化；

在图形化的绝缘层和第一导电层远离基板的一侧沉积第二导电层，第二导电层覆盖显示区和引脚区；

在第二导电层远离基板的一侧涂覆第二光刻胶层，对位于显示区第二光刻胶层进行图形化并去除位于引脚区的第二光刻胶层；

对第二导电层进行刻蚀，露出位于引脚区的图形化的绝缘层；

以位于引脚区的图形化的绝缘层为掩膜，对位于引脚区的第一导电层进行干刻。

第二个方面，本申请实施例提供了一种显示面板，包括：采用如上述第一个方面提供的制备方法制备得到。

第三个方面，本申请实施例提供了一种显示装置，包括：如上述第二个方面提供的显示面板。

相比于现有技术中对位于显示区和引脚区的第一导电层同时图形化，本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：对第一导电层采用两次图形化，第一次对第一导电层图形化仅针对位于显示区的第一导电层，第二次对第一导电层图形化仅针对位于引脚区的第一导电层，并且在第一导电层的两次图形化之间沉积、图形化包括第二导电层在内的其他膜层，这样包括第二导电层在内的其他膜层在引脚区的沉积不会接触到位于引脚区的第一导电层的侧面，因此对包括第二导电层在内的其他膜层在引脚区的图形化也不会接触到对位于引脚区的第一导电层的侧面，更不会对位于引脚区的第一导电层造成侧蚀，极大提高了显示面板的良品率，还可以减少对显示面板的测试，提高显示面板的生产效率。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为现有技术中显示面板的结构示意图；

图2为图1中引脚区内导线的布线示意图；

图3为图2中导线的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的实施方式一的流程示意图；

图5为本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的实施方式二的流程示意图；

图6为本申请实施方式一中经步骤S101得到的第一导电层的结构示意图；

图7为本申请实施方式一中经步骤S102得到的膜层的结构示意图；

图8为本申请实施方式一中经步骤S103的对第一导电层进行刻蚀后得到的膜层的结构示意图；

图9为本申请实施方式一中经步骤S103的去除残余的第一光刻胶层后得到的膜层的结构示意图；

图10为本申请实施方式一中经步骤S104得到的膜层的结构示意图；

图11为本申请实施方式一中经步骤S105得到的膜层的结构示意图；

图12为本申请实施方式一中经步骤S106得到的膜层的结构示意图；

图13为本申请实施方式一中经步骤S107得到的膜层的结构示意图；

图14为本申请实施方式一中经步骤S108得到的膜层的结构示意图；

图15为本申请实施方式二中经步骤S209得到的膜层的结构示意图。

图中：

1-显示面板；1a-显示区；1b-引脚区；

2-导线；2a-侧蚀；

100-第一导电层；

200-第一光刻胶层；

300-绝缘层；

400-第二导电层；

500-第二光刻胶层。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、步骤、操作和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、步骤、操作、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。

本申请的发明人进行研究发现，在显示面板的制备中，通常是逐层沉积、图形化包括各导电层在内的各膜层，并且是对显示区和引脚区内的各膜层同时施工。但是在引脚区内，去除与某导电层不相关的其他膜层、尤其是其他导电膜层时，极易对该导电层造成侧蚀问题，导致显示面板出现暗点。

以AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode，有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)显示面板的制备为例，在基板上沉积了源漏极层后，位于显示区的源漏极层需要图形化以用于显示，位于引脚区的源漏极层需要图形化以用于接口布线，但在现有的半导体面板工艺中，对整个源漏极层是采用一次图形化，即位于显示区的源漏极层和位于引脚区的源漏极层同时图形化，这会导致后续包括绝缘层(或平坦层)、阳极层在内的后续膜层生长或沉积时，会进入位于引脚区的源漏极层因已完成图形化而形成的沟道中，即位于引脚区的源漏极层的侧面形成了裸露，后续膜层的图形化极难控制，易出现工艺波动，存在对源漏极层裸露的侧面造成侵蚀的可能，例如阳极层的刻蚀液极易蚀穿源位于引脚区的漏极层的沟道内的阳极层，进而接触到源漏极层的侧面，造成位于引脚区的源漏极层的侧蚀，导致显示面板出现暗点，造成良率损失。

本申请提供的显示面板及其制备方法、显示装置，旨在解决现有技术的如上技术问题。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

本申请实施例提供了一种显示面板1的制备方法，显示面板1包括显示区1a和引脚区1b，该制备方法的流程示意图如图4所示，包括但不限于如下步骤：

S101：在基板上沉积第一导电层100。

经本步骤得到的第一导电层100如图6所示，包括位于显示区1a的第一导电层100，和位于引脚区1b的第一导电层100。可选地，第一导电层100具体可以为Ti/Al/Ti层，即层叠的Ti(钛)层、Al(铝)层和Ti层。可选地，基板具体可以为阵列基板中从玻璃基底板到栅极层远离玻璃基底板的ILD(层间绝缘)层，第一导电层100具体可以为SD(源漏)栅极层。

S102：在第一导电层100上涂覆第一光刻胶层200，对位于显示区1a的第一光刻胶层200图形化并保留位于引脚区1b的第一光刻胶层200。

经本步骤得到的膜层结构如图7所示，位于显示区1a的第一导电层100上得到了图形化的第一光刻胶层200，而位于引脚区1b的第一导电层100上的第一光刻胶层200是未经图形化的、是完整的。可见，本步骤在第一导电层100上涂覆第一光刻胶层200后，仅对位于显示区1a的第一导电层100上的第一光刻胶层200图形化，以形成下一步刻蚀的掩膜。保留位于引脚区1b的第一导电层100上全部的第一光刻胶层200，即位于引脚区1b的第一光刻胶层200不做任何图形化，以保护位于引脚区1b的第一导电层100在下一步刻蚀中不会被刻蚀。

S103：对第一导电层100进行刻蚀后，去除残余的第一光刻胶层200。

在本步骤中，对第一导电层100进行刻蚀后得到的膜层结构如图8所示，位于显示区1a的第一导电层100以图形化的第一光刻胶层200为掩膜得到了刻蚀，而位于引脚区1b的第一导电层100在未经任何图形化的第一光刻胶层200的保护下，保持了完整，即此时位于引脚区1b的第一导电层100未形成任何沟道，位于引脚区1b的第一导电层100的侧面没有裸露，即位于引脚区1b的第一导电层100没有形成可发生侧蚀的结构，从结构上拒绝了侧蚀可能。

在本步骤中，去除残余的第一光刻胶层200后得到的膜层结构如图9所示，位于显示区1a的第一导电层100和位于引脚区1b的第一导电层100上的残余第一光刻胶层200和200均被剥离，以便于后续步骤在第一导电层100上生长其他膜层。

S104：在第一导电层100远离基板的一侧设置绝缘层300，对绝缘层300图形化。

经本步骤得到的膜层结构如图10所示，位于显示区1a的第一导电层100上以及位于引脚区1b的第一导电层100上均设置了绝缘层300，并且位于显示区1a的绝缘层300和位于引脚区1b的绝缘层300均得到了图形化。

位于显示区1a的绝缘层300，可用于避免第一导电层100与后续导电层的短接，绝缘层300同时可以是平坦层，以利于后续膜层的平坦化生长。位于显示区1a的绝缘层300得到图形化之后，绝缘层300上形成的沟道可用于形成过孔，使后续导电层可以与第一导电层100电连接，以满足显示需要。

位于引脚区1b的绝缘层300得到图形化之后，可用于后续对位于引脚区1b的第一导电层100图形化时的掩膜。因此，可以考虑后续对位于引脚区1b的第一导电层100图形化的刻蚀行程，设置合适厚度的绝缘层300。

在一些可能的实施方式中，在本步骤S104中，对绝缘层300图形化，包括但不限于步骤：对位于显示区1a的绝缘层300和位于引脚区1b的绝缘层300中的至少一个采用半色调掩膜图形化，以使位于引脚区1b的绝缘层300的厚度与对位于引脚区1b的第一导电层100进行干刻的刻程相适应。

半色调掩膜是通过调节光透过率从而控制对应区域膜层厚度。在本设备中，对位于显示区1a的绝缘层300和位于引脚区1b的绝缘层300中的至少一个采用半色调掩膜图形化，以利于位于显示区1a的绝缘层300和位于引脚区1b的绝缘层300根据各自不同功能需要而得到不同的厚度。具体地，可以仅对位于引脚区1b的绝缘层300采用半色调掩膜图形化，也可以仅对位于显示区1a的绝缘层300采用半色调掩膜图形化，还可以对位于显示区1a的绝缘层300和位于引脚区1b的绝缘层300均采用半色调掩膜图形化，两者采用不同参数的半色调掩膜即可。本流程中，可以选择仅对位于引脚区1b的绝缘层300采用半色调掩膜图形化，得到如图10所示的膜层结构，位于显示区1a的绝缘层300的厚度大于位于引脚区1b的绝缘层300的厚度，例如位于显示区1a的绝缘层300的厚度是位于引脚区1b的绝缘层300的厚度的2倍左右。

S105：在图形化的绝缘层300和第一导电层100远离基板的一侧沉积第二导电层400，第二导电层400覆盖显示区1a和引脚区1b。

经本步骤得到的膜层结构如图11所示，第一导电层100和绝缘层300上沉积了第二导电层400。在显示区1a，第二导电层400通过绝缘层300与第一导电层100绝缘隔开，第二导电层400在绝缘层300经图形化形成的沟道处形成过孔，实现了第二导电层400与第一导电层100的搭接，以满足显示需要。由于位于引脚区1b的第一导电层100未经图形化、未形成任何沟道，因此在引脚区1b同样沉积的第二导电层400仅沉积于第一导电层100上以及绝缘层300上，不会接触到引脚区1b的第一导电层100的侧面。

S106：在第二导电层400远离基板的一侧涂覆第二光刻胶层500，对位于显示区1a第二光刻胶层500进行图形化并去除位于引脚区1b的第二光刻胶层500。

经本步骤得到的膜层结构如图12所示，显示区1a的第二导电层400上留有图形化的第二光刻胶层500，以形成下一步刻蚀第二导电层400的掩膜。引脚区1b的第二光刻胶层500全部去除，即露出了引脚区1b的全部第二导电层400，以便于下一步刻蚀第二导电层400时，将引脚区1b的全部第二导电层400刻掉。

S107：对第二导电层400进行刻蚀，露出位于引脚区1b的图形化的绝缘层300。

经本步骤得到的膜层结构如图13所示，显示区1a的第二导电层400以第二光刻胶层500为掩膜得到了图形化，露出了一部分绝缘层300。引脚区1b的第二导电层400由于没有任何掩膜而全部刻掉，露出位于引脚区1b的图形化的绝缘层300，以形成下一步刻蚀位于引脚区1b的第一导电层100的掩膜。

在本步骤中，由于位于引脚区1b的第一导电层100未形成任何沟道，位于引脚区1b的第一导电层100的侧面没有裸露，第二导电层400仅沉积于引脚区1b的第一导电层100上以及绝缘层300上，不能接触到第一导电层100的侧面，因此对第二导电层400进行刻蚀时，刻蚀液也不会接触到第一导电层100的侧面，有效避免了位于引脚区1b的第一导电层100的侧蚀。

在一些可能的实施方式中，在本步骤S107中，对第二导电层400进行刻蚀，包括步骤：采用湿刻对第二导电层400进行刻蚀。

本发明人考虑到导电层通常为金属材料，因此在本实施方式中，对第二导电层400的刻蚀采用湿刻的方式，即采用刻蚀液可以更容易对第二导电层400实现刻蚀。

S108：以位于引脚区1b的图形化的绝缘层300为掩膜，对位于引脚区1b的第一导电层100进行干刻。

可选地，在位于引脚区1b的图形化的绝缘层300为掩膜，对第一导电层100进行干刻的过程中，实际上同时以位于显示区1a的图形化的第二光刻胶层500为掩膜，对位于显示区1a的一部分露出的绝缘层300进行微量干刻。由于本次干刻的工艺条件是针对第一导电层100的材料设置的，因此本次干刻对位于引脚区1b的第一导电层100的刻蚀速率远远大于对绝缘层300的刻蚀速率，从而使得在位于引脚区1b的第一导电层100被刻穿时，显示区1a的一部分露出的绝缘层300仍未被刻穿，仍然能够保护位于显示区1a的绝缘层300下方的位于显示区1a的第一导电层100。

经本步骤得到的膜层结构如图14所示，位于引脚区1b的第一导电层100以图形化的绝缘层300为掩膜得到了刻蚀，使得第一导电层100在引脚区1b形成了若干相邻但又独立分布的导线2，以形成显示面板1的接口。对位于引脚区1b的第一导电层100的刻蚀采用干刻，利用干刻时的各向异性降低可能对引脚区1b的第一导电层100产生的侧蚀。

在本实施例中，经步骤S101使基板上沉积得到第一导电层100，然后对第一导电层100采用两次图形化，分别得到：位于显示区1a的图形化的第一导电层100，用于显示；位于引脚区1b的图形化的第一导电层100，用于接口布线。

具体地，步骤S102-S103是第一次对第一导电层100图形化，此次图形化仅针对位于显示区1a的第一导电层100。

对位于显示区1a的第一导电层100完成图形化后，且对位于引脚区1b的第一导电层100完成图形化之前，通过步骤S104-S106沉积、图形化包括第二导电层400在内的其他膜层，这样包括第二导电层400在内的其他膜层在引脚区1b的沉积不会接触到位于引脚区1b的第一导电层100的侧面，因此对包括第二导电层400在内的其他膜层在引脚区1b的图形化也不会接触到对位于引脚区1b的第一导电层100的侧面，更不会对位于引脚区1b的第一导电层100造成侧蚀，极大提高了显示面板1的良品率，还可以减少测试，提高显示面板1的生产效率。

步骤S107-S108是第二次对第一导电层100图形化，此次图形化仅针对位于引脚区1b的第一导电层100，使得第一导电层100在引脚区1b形成了若干相邻但又独立分布的导线2，以形成显示面板1的接口。

本申请实施例还提供了另一种显示面板1的制备方法，显示面板1包括显示区1a和引脚区1b，该制备方法的流程示意图如图5所示，包括但不限于如下步骤：

S201：在基板上沉积第一导电层100。

S202：在第一导电层100上涂覆第一光刻胶层200，对位于显示区1a的第一光刻胶层200图形化并保留位于引脚区1b的第一光刻胶层200。

S203：对第一导电层100进行刻蚀后，去除残余的第一光刻胶层200。

S204：在第一导电层100远离基板的一侧设置绝缘层300，对绝缘层300图形化。

S205：在图形化的绝缘层300和第一导电层100远离基板的一侧沉积第二导电层400，第二导电层400覆盖显示区1a和引脚区1b。

S206：在第二导电层400远离基板的一侧涂覆第二光刻胶层500，对位于显示区1a的第二光刻胶层500进行图形化并去除位于引脚区1b的第二光刻胶层500。

S207：对第二导电层400进行刻蚀，露出位于引脚区1b的图形化的绝缘层300。

S208：以位于引脚区1b的图形化的绝缘层300为掩膜，对位于引脚区1b的第一导电层100进行干刻。

S209：去除位于引脚区1b的第一导电层100上残余的绝缘层300。

本实施例与前一实施例原理基本相同，区别在于：以位于引脚区1b的图形化的绝缘层300为掩膜，完成对位于引脚区1b的第一导电层100进行干刻之后，还包括去除位于引脚区1b的第一导电层100上残余的绝缘层300，使位于引脚区1b的第一导电层100上的绝缘层300剥离得更干净，更利于后续制备过程中其他膜层的生长。经步骤S209得到的膜层结构如图15所示，位于引脚区1b的第一导电层100上的残余绝缘层300得到充分剥离。

在一些可能的实施方式中，在上述步骤S209中，去除位于引脚区1b的第一导电层100上残余的绝缘层300，包括但不限于步骤：采用灰化去除位于引脚区1b的第一导电层100上残余的绝缘层300。

在本实施方式中，采用灰化(Ashing)工艺去除残余的绝缘层300，可确保绝缘层300的清除度，并且不会影响后续膜组工艺中的绑定(bonding)导电。

基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种显示面板1，包括：采用如前述各实施例中任一种制备方法制备得到。

由于本申请实施例提供的一种显示面板1采用的上文记载的制备方法制备得到，因此显示面板1中由引脚区1b的导电层制得的导线2在制备过程中不会或几乎不会发生侧蚀，显示面板1具备较高的良品率，还可以减少对显示面板1的测试，提高显示面板1的生产效率。

本申请的发明人考虑到，显示面板1可以采用AMOLED(Active-matrix organiclight-emitting diode，有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)等显示结构。为此，本申请为显示面板1提供如下一种可能的实现方式：第一导电层100为源漏极层，第二导电层400为阳极层。

在一些可能的实施方式中，源漏极层包括叠层设置的第一钛金属层、铝金属层和第二钛金属层。即第一导电层100为“钛-铝-钛”三明治结构的源漏极层。

基于同一发明构思，本申请实施例提供的一种显示装置，包括：如前述各实施例提供的显示面板1。

在本实施例中，由于显示装置采用了上述各实施例中任一种的显示面板1，因此具备上述各实施例对应的技术原理和有效果，在此不再赘述。

应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：

1、相比于现有技术中对位于显示区1a和引脚区1b的第一导电层100同时图形化，本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：对第一导电层100采用两次图形化，第一次对第一导电层100图形化仅针对位于显示区1a的第一导电层100，第二次对第一导电层100图形化仅针对位于引脚区1b的第一导电层100，并且在第一导电层100的两次图形化之间沉积、图形化包括第二导电层400在内的其他膜层，这样包括第二导电层400在内的其他膜层在引脚区1b的沉积不会接触到位于引脚区1b的第一导电层100的侧面，因此对包括第二导电层400在内的其他膜层在引脚区1b的图形化也不会接触到对位于引脚区1b的第一导电层100的侧面，更不会对位于引脚区1b的第一导电层100造成侧蚀，极大提高了显示面板1的良品率，还可以减少对显示面板1的测试，提高显示面板1的生产效率。

2、对位于显示区1a的绝缘层300和位于引脚区1b的绝缘层300中的至少一个采用半色调掩膜图形化，以利于位于显示区1a的绝缘层300和位于引脚区1b的绝缘层300根据各自不同功能需要而得到不同的厚度。

本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (9)

1.一种显示面板的制备方法，所述显示面板(1)包括显示区(1a)和引脚区(1b)，其特征在于，所述制备方法包括步骤：

在基板上沉积第一导电层(100)；

在所述第一导电层(100)上涂覆第一光刻胶层(200)，对位于所述显示区(1a)的所述第一光刻胶层(200)图形化并保留位于所述引脚区(1b)的第一光刻胶层(200)；

对所述第一导电层(100)进行刻蚀后，去除残余的第一光刻胶层(200)；

在所述第一导电层(100)远离所述基板的一侧设置绝缘层(300)，对所述绝缘层(300)图形化；

在图形化的所述绝缘层(300)和所述第一导电层(100)远离所述基板的一侧沉积第二导电层(400)，所述第二导电层(400)覆盖所述显示区(1a)和所述引脚区(1b)；

在所述第二导电层(400)远离基板的一侧涂覆第二光刻胶层(500)，对位于所述显示区(1a)所述第二光刻胶层(500)进行图形化并去除位于所述引脚区(1b)的第二光刻胶层(500)；

对所述第二导电层(400)进行刻蚀，露出位于所述引脚区(1b)的图形化的所述绝缘层(300)；

以位于所述引脚区(1b)的图形化的所述绝缘层(300)为掩膜，对位于所述引脚区(1b)的第一导电层(100)进行干刻。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述绝缘层(300)图形化，包括步骤：

对位于所述显示区(1a)的所述绝缘层(300)和位于所述引脚区(1b)的所述绝缘层(300)中的至少一个采用半色调掩膜图形化，以使位于所述引脚区(1b)的所述绝缘层(300)的厚度与对位于所述引脚区(1b)的所述第一导电层(100)进行干刻的刻程相适应。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述第二导电层(400)进行刻蚀，包括步骤：

采用湿刻对所述第二导电层(400)进行刻蚀。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对位于所述引脚区(1b)的第一导电层(100)进行干刻之后，还包括步骤：

去除位于所述引脚区(1b)的第一导电层(100)上残余的所述绝缘层(300)。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述去除位于所述引脚区(1b)的第一导电层(100)上残余的所述绝缘层(300)，包括步骤：

采用灰化去除位于所述引脚区(1b)的第一导电层(100)上残余的所述绝缘层(300)。

6.一种显示面板(1)，其特征在于，包括：采用如上述权利要求1-5中任一项所述的制备方法制备得到。

7.根据权利要求6所述的显示面板(1)，其特征在于，所述第一导电层(100)为源漏极层，所述第二导电层(400)为阳极层。

8.根据权利要求7所述的显示面板(1)，其特征在于，所述源漏极层包括叠层设置的第一钛金属层、铝金属层和第二钛金属层。

9.一种显示装置，其特征在于，包括：如上述权利要求6-8中任一项所述的显示面板(1)。

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