KR20050048506A

KR20050048506A - 탄성 표면파 디바이스

Info

Publication number: KR20050048506A
Application number: KR1020040094194A
Authority: KR
Inventors: 오리또사또시; 오우라쯔요시; 다께자끼도루; 이찌까와사또시; 와찌히로따다; 다나까도시후미; 와다고이찌
Original assignee: 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤
Priority date: 2003-11-18
Filing date: 2004-11-17
Publication date: 2005-05-24
Also published as: JP4246604B2; US20050168302A1; CN100490320C; CN1619956A; US7372347B2; KR100663825B1; SG112098A1; JP2005151365A

Abstract

소형이면서 저손실이며, 대역외 특성이 우수한 탄성 표면파 디바이스를 제공한다. 압전 기판(1A)과, 이 위에 설치된 제1 및 제2 인터디지털 트랜스듀서(IDT)(10, 30A)를 갖는 탄성 표면파 디바이스로서, 제2 IDT(30A)의 일단과 상기 제1 IDT(10)의 대응하는 단은 거의 일직선 상에 배치되고, 제2 IDT의 타단은 상기 압전 기판(1A)의 파워 플로우 각에 기인한 누설 성분을 제2 IDT(30A)가 보정할 수 있도록 배치하였다.

Description

탄성 표면파 디바이스{SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE}

본 발명은, 압전체를 이용한 탄성 표면파 디바이스에 관한 것으로, 특히 압전 기판 상에 복수의 인터디지털 트랜스듀서(IDT)를 갖는 탄성 표면파 디바이스에 관한 것이다.

최근, 압전 기판 상에 복수의 인터디지털 트랜스듀서를 갖는 탄성 표면파 디바이스로 구성되는 필터는, 30㎒∼400㎒ 정도의 주파수 대역을 갖는 텔레비전의 대역 통과 필터나, 800㎒나 수㎓의 주파수 대역을 갖는 휴대 전화의 RF 필터 등에 이용되고 있다. IDT는 한쌍의 빗살형 전극(발형 전극이라고도 함)을 갖는다. 각 빗살형 전극은 버스 바와, 일단이 버스 바에 접속되고, 타단이 개방된 복수의 전극 핑거를 갖는다. 한쌍의 빗살형 전극은 각각의 전극 핑거가 소정의 간격으로 교대로 상호 인접하도록, 즉 교차하도록 배치된다. 한쌍의 빗살형 전극에 교류 전압을 인가하면, 탄성 표면파가 발생한다. 탄성 표면파는 주파수 특성을 갖는다. 이 주파수 특성을 이용함으로써, 원하는 주파수 특성을 갖는 필터를 실현할 수 있다.

도 1은 탄성 표면파를 이용한 필터의 일례를 도시하는 도면이다. 마찬가지의 필터가 특허 문헌1에 기재되어 있다. 압전 기판(1) 상에, 제1 IDT(10), 그라운드 전극(20) 및 제2 IDT(30)가 형성되고, 탄성 표면파의 전파 방향에 인접하도록 배치되어 있다. 그라운드 전극(20)은, 제1 IDT(10)와 제2 IDT(30)와의 사이에 개재되어 있으며, 실드 전극으로서 기능한다. 제1 IDT(10)는 입력 전극(또는 출력 전극)으로서 기능하고, 제2 IDT(30)는 출력 전극(또는 입력 전극)으로서 기능한다. 그라운드 전극(20)은, IDT(10)과 IDT(30)가 전자(電磁)적으로 결합하는 것을 방지한다. 또한, 그라운드 전극(20)을 비스듬히 배치시켜, IDT(10)(또는 IDT(30))로부터의 탄성 표면파가 반사되어 IDT(10)(또는 IDT(30))로 되돌아가는 것을 방지하도록 하는 것도 행해지고 있다.

IDT(10)는 한쌍의 빗살형 전극(10a, 10b)을 갖는다. 빗살형 전극(10a)은, 버스 바(12a)와 전극 핑거(14a)를 갖는다. 마찬가지로, 빗살형 전극(10b)은 버스 바(12b)와 전극 핑거(14b)를 갖는다. 전극 핑거(14a)와 전극 핑거(14b)의 개방단은 마주 보고 있다. 인접하는 전극 핑거(14a)와 전극 핑거(14b)가 교차하는 부분, 즉 마주 보고 있는 전극 핑거 부분(이것을 전극 핑거 교차부라고 함)이 탄성 표면파의 여기에 관여한다. 도 1의 구성은, 전극 핑거 패턴에 가중치 부여되어 있다. 전극 핑거 패턴이란, 전극 핑거(14a)와 전극 핑거(14b)가 형성하는 패턴이다. 도 1에 도시하는 전극 핑거 패턴의 가중치 부여를, 특히 아포다이즈(apodize)에 의한 가중치 부여라고 한다. 아포다이즈에 의한 가중치 부여에 의해, 전극 핑거 교차부의 폭(이하, 전극 핑거 교차폭, 애퍼처 또는 개구 길이라고 함)이 탄성 표면파의 전파 방향으로 변화하고 있다. IDT(10)의 양단 부근은, 전극 핑거 교차폭이 짧다. 이 부분을 일반적으로, 미소 교차부라고 한다. IDT(10)의 중앙 부근은 비교적 전극 핑거 교차폭이 길다. 전극 핑거 교차폭과 여진 강도는 비례한다. 따라서, IDT(10)의 중앙부에서 탄성 표면파는 강하게 발생하고, 단부 근방에서 발생하는 탄성 표면파는 약하다. 아포다이즈에 의한 가중치 부여를 변화시킴으로써, 주파수 특성을 변화시킬 수 있다.

IDT(30)도 한쌍의 빗살형 전극으로 구성되어 있지만, IDT(10)와 같은 가중치 부여는 되어 있지 않다. 즉, 전극 핑거 교차폭은 모두 동일하다. 이러한 IDT를 정규형 IDT라고도 한다.

IDT(10)의 버스 바(12a, 12b)는 각각 전극 패드(15, 16)에 접속되어 있다. 또한, IDT(30)의 버스 바는 각각 전극 패드(17, 18)에 접속되어 있다.

이상과 같이 구성된 필터는, 대역 통과 필터로서 기능한다.

상기 구성의 탄성 표면파 디바이스에서, 압전 기판(1)의 파워 플로우 각을 고려할 필요가 있다. 파워 플로우 각이란, 탄성 표면파의 전파 방향을 나타내는 각도이다. 지금, 도 1에 도시한 바와 같이, IDT(10)와 IDT(30)의 길이 방향 중심축으로 평행한 방향을 X, 이것에 직각인 방향을 Y라고 정의하면, 파워 플로우 각은, 탄성 표면파의 전파 방향과 X 축이 이루는 각도이다. 이 파워 플로우 각은, 압전 재료에 고유한 것으로서, 일반적으로 0도 내지 수 도의 범위에 있다. 예를 들면, 112° LiTaO₃의 파워 플로우 각은 수 도이다. 도 1은, 압전 기판(1)의 파워 플로우 각이 제로가 아닌 경우를 도시하고 있다. IDT(10)로부터의 탄성 표면파는 파워 플로우 각으로 전파하므로, IDT(30)는 모든 탄성 표면파를 취득할 수 없다. IDT(30)에 의해 취득할 수 없는 탄성 표면파는 누설 성분으로 되어, 대역외 특성을 열화시킨다.

이 문제점은 종래부터 알려져 있으며, 해결하기 위한 제안이 몇개 이루어져 있다. 특허 문헌2, 특허 문헌3 및 특허 문헌4에 기재된 바와 같이, 파워 플로우 각이 제로가 아닌 압전 기판을 이용하는 경우, 이 파워 플로우 각을 고려하여, 탄성 표면파의 전파 방향이 평행하게 되도록 비스듬히 전극을 배치하는 것이 제안되고 있다. 이 배치를 도 2에 도시한다. 또한, 특허 문헌5에 기재된 바와 같이, 출력 전극의 개구 길이를 입력 전극과 비교하여 대칭으로 크게 함으로써, 파워 플로우 각에 의한 누설 성분의 보정을 행하는 것이 제안되고 있다. 이 구성을 도 3에 도시한다. 출력 전극(30)은, IDT(10, 30)의 중심축에 수직인 방향으로서 중심축의 양측에, IDT(10)의 단을 기준으로 하여 A만큼 신장하고 있다. 마찬가지로, 그라운드 전극(20)도, IDT(10, 30)의 중심축에 수직인 방향으로, IDT(10)의 단으로부터 A만큼 신장하고 있다. 특허 문헌5에 따르면, 출력 전극의 Y 방향 개구 길이는, 입력 전극의 개구 길이의 1.05∼1.50배이다.

<특허 문헌1> 일본 특개평10-41778호 공보

<특허 문헌2> 국제 공개 WO96/10293호 팜플렛

<특허 문헌3> 일본 특개평10-209802호 공보

<특허 문헌4> 일본 특개평11-205079호 공보

<특허 문헌5> 일본 특개소53-114644호 공보

그러나, 특허 문헌2∼4에 기재된 바와 같이 IDT를 비스듬히 배치하는 구성이나, 특허 문헌5에 기재된 바와 같이 출력 전극의 개구 길이를 대칭으로 크게 하는 구성에서는 압전 기판이 커져, 탄성 표면파 디바이스를 소형화할 수 없다는 문제점이 있다. 특히, 특허 문헌5에 기재된 개구 길이를 대칭으로 크게 하는 구성에서는, 필요 이상으로 개구 길이가 넓어지기 때문에, 전극 핑거 저항이 증대하여, 손실의 증대로 연결된다.

본 발명은, 상기 과제를 해결하여, 소형이면서 저손실이며 대역외 특성이 우수한 탄성 표면파 디바이스를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은, 본 발명의 제1 양태에서, 압전 기판과, 이 위에 설치된 제1 및 제2 인터디지털 트랜스듀서(IDT)를 갖는 탄성 표면파 디바이스로서, 상기 제2 IDT의 일단과 상기 제1 IDT의 대응하는 단은 거의 일직선 상에 배치되고, 상기 제2 IDT의 타단은 상기 압전 기판의 파워 플로우 각에 기인한 누설 성분을 상기 제2 IDT가 보정할 수 있도록 배치되어 있는 탄성 표면파 디바이스이다. 상기 제2 IDT의 일단과 상기 제1 IDT의 대응하는 단은 거의 일직선 상에 배치되어 있으므로, 압전 기판의 사이즈를 소형화할 수 있음과 함께, 제2 IDT는 적절한 개구 길이로 되므로, 저손실이다. 또한, 상기 제2 IDT의 타단은 상기 압전 기판의 파워 플로우 각에 기인한 누설 성분을 상기 제2 IDT가 보정할 수 있도록 배치되어 있으므로, 우수한 대역외 특성을 얻을 수 있다.

상기 탄성 표면파 디바이스에서, 상기 제2 IDT는, 상기 누설 성분을 수신할 수 있도록, 상기 제1 IDT보다도, 상기 탄성 표면파 디바이스의 중심축에 수직인 방향으로 누설 성분이 전파하는 측으로 신장하는 구성으로 할 수 있다. 이 구성의 탄성 표면파 디바이스는, 소형이면서 저손실이며 우수한 대역외 특성을 갖는다.

상기 탄성 표면파 디바이스에서, 상기 제2 IDT는, 상기 파워 플로우 각에 의한 누설 성분의 보정분만큼, 상기 제1 IDT보다도 신장하는 구성으로 할 수 있다. 이 구성의 탄성 표면파 디바이스는, 소형이면서 저손실이며 우수한 대역외 특성을 갖는다.

상기 탄성 표면파 디바이스에서, 상기 제1 IDT는 가중치 부여된 전극 핑거 패턴을 갖고, 상기 제2 IDT의 전극 핑거 중, 상기 제1 IDT로부터 가장 멀리 떨어진 전극 핑거의 일단은, 상기 가중치 부여된 전극 패턴의 틸트선의 연장선 상에 위치하는 구성으로 할 수 있다. 이 구성의 탄성 표면파 디바이스는, 소형이면서 저손실이며 우수한 대역외 특성을 갖는다.

상기 탄성 표면파 디바이스에서, 상기 제2 IDT의 전극 핑거 중, 상기 제1 IDT로부터 가장 멀리 떨어진 전극 핑거의 일단은, 상기 제1 IDT의 전극 핑거 중, 상기 제2 IDT에 가장 가까운 전극 핑거로부터, 상기 파워 플로우 각만큼 누설 성분이 전파하는 측에 오프셋한 위치에 있는 구성으로 할 수 있다. 이 구성의 탄성 표면파 디바이스는, 소형이면서 저손실이며 우수한 대역외 특성을 갖는다.

상기 탄성 표면파 디바이스에서, 상기 제1 IDT는 가중치 부여된 전극 핑거 패턴을 갖고, 상기 제2 IDT의 전극 핑거 중, 상기 제1 IDT로부터 가장 멀리 떨어진 전극 핑거의 일단은, 상기 제1 IDT의 최대 애퍼처를 형성하는 전극 핑거의 일단을 통과하고, 상기 파워 플로우 각의 전파 방향에 평행한 직선의 연장선 상에 위치하는 구성으로 할 수 있다. 이 구성의 탄성 표면파 디바이스는, 소형이면서 저손실이며 우수한 대역외 특성을 갖는다.

상기 탄성 표면파 디바이스에서, 상기 제1 IDT는 가중치 부여된 전극 핑거 패턴을 갖고, 상기 제2 IDT의 전극 핑거 중, 상기 제1 IDT로부터 가장 멀리 떨어진 전극 핑거의 일단은, 상기 제1 IDT의 최대 애퍼처를 형성하는 전극 핑거의 일단과 상기 제2 IDT에 가장 가까운 전극 핑거의 일단을 연결하는 직선의 연장선 상에 위치하고 있는 구성으로 할 수 있다. 이 구성의 탄성 표면파 디바이스는, 소형이면서 저손실이며 우수한 대역외 특성을 갖는다.

상기 탄성 표면파 디바이스에서, 상기 제1 IDT의 단에 연속하는 베타 패턴을 갖고, 상기 베타 패턴을 포함하는 상기 제1 IDT의 폭과, 상기 제2 IDT의 폭은 동일한 구성으로 할 수 있다. 이 구성의 탄성 표면파 디바이스는, 소형이면서 저손실이며 우수한 대역외 특성을 갖는다.

상기 탄성 표면파 디바이스에서, 상기 제1 IDT의 단에 연속하는 더미 전극을 갖고, 상기 더미 전극을 포함하는 상기 제1 IDT의 폭과, 상기 제2 IDT의 폭은 동일한 구성으로 할 수 있다. 더미 전극을 설치함으로써, 대역외 억압도를 한층 개선할 수 있다.

상기 탄성 표면파 디바이스에서, 상기 제1 IDT의 단에 연속하는 베타 패턴과 더미 전극을 갖고, 상기 베타 패턴 또는 더미 전극을 포함하는 상기 제1 IDT의 폭과, 상기 제2 IDT의 폭은 동일한 구성으로 할 수 있다.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

<제1 실시예>

도 4는, 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성 표면파 디바이스를 도시하는 도면이다. 도 4에서, 상술한 구성 요소와 동일한 것에는 동일한 참조 번호를 붙이고 있다. 도시하는 탄성 표면파 디바이스는, 압전 기판(1A), 아포다이즈 가중치 부여된 IDT(10), 그라운드 전극(20), 및 IDT(30A)를 갖는다. IDT(30A)의 일단(도 4의 상단)과 IDT(10)의 대응하는 단은 거의 일직선 상에 배치되어 있다. 도 4의 배치에서는, IDT(30A)의 단에 대하여, IDT(10)의 단은 내측에 약간 세트백하고 있다. 파워 플로우 각으로 전파하는 누설 성분은, IDT(30A)의 상단 방향에는 전파하지 않으므로, 도 3의 IDT(30A)와 마찬가지로 상단을 신장시킬 필요는 없다. 이것에 대하여, IDT(30A)의 타단은 압전 기판(1)의 파워 플로우 각에 기인한 누설 성분을 IDT(30A)가 보정할 수 있도록 배치되어 있다. 즉, IDT(30A)는, 누설 성분을 수신할 수 있도록, IDT(10)보다도, 탄성 표면파 디바이스의 중심축에 수직 방향으로 누설 성분이 전파하는 측(+Y 방향)으로 신장하고 있다. 이 배치에 의해, IDT(30A)는 IDT(10)로부터 파워 플로우 각을 갖고 전파해 오는 탄성 표면파를 모두 취득할 수 있어, 우수한 대역외 특성을 얻을 수 있다. 도 3에 도시하는 IDT(30)에 비교하여, 도 4에 도시하는 IDT(30A)는 소형이다. 따라서, 도 4에 도시하는 압전 기판(1A)을 도 3에 도시하는 압전 기판(1)보다도 소형화할 수 있으므로, 탄성 표면파 디바이스를 소형화할 수 있다.

<제2 실시예>

도 5는, 본 발명의 제2 실시예에 따른 탄성 표면파 디바이스를 도시하는 도면이다. 출력 전극(30A)의 일단과 IDT(10)의 대응하는 단은 일직선 상에 배치되어 있다. 즉, 출력 전극(30A)의 일단과 IDT(10)의 대응하는 단의 Y 축 상의 위치는 동일하다. 출력 전극(30A)의 타단은, 파워 플로우 각에 의한 누설 성분의 보정분 A1만큼, IDT(30)보다도 Y+ 방향으로 신장하고 있다. 이 배치에 의해, IDT(30A)는 IDT(10)으로부터 파워 플로우 각을 갖고 전파해 오는 탄성 표면파를 모두 취득할 수 있어, 우수한 대역외 특성을 얻을 수 있다. 도 3에 도시하는 IDT(30)에 비교하여, 도 5에 도시하는 IDT(30A)는 소형이다. 따라서, 도 5에 도시하는 압전 기판(1A)을 도 3에 도시하는 압전 기판(1)보다도 소형화할 수 있으므로, 탄성 표면파 디바이스를 소형화할 수 있다.

여기서, 설명의 형편상, 도 6에 도시한 바와 같이, 아포다이즈 가중치 부여된 IDT(10)를 개략도로 도시한다. 이 개략도는, IDT(10)의 개구 길이의 크기 및 그 위치를 도시하는 패턴이다. 이 패턴의 양단의 개구 길이(전극 핑거 교차폭)는 미소 또는 제로로, 이 양단을 연결하는 직선을 틸트선이라고 정의한다. 따라서, 틸트선은 아포다이즈 가중치 부여된 기울기를 나타내고 있다. 일반적으로, 아포다이즈 가중치 부여는, IDT(10)의 양단에서, 미소 또는 제로이다.

<제3 실시예>

도 7은, 본 발명의 제3 실시예에 따른 탄성 표면파 디바이스를 도시하는 도면이다. IDT(30A)의 전극 핑거 중, IDT(10)로부터 가장 멀리 떨어진 전극 핑거의 일단(44)은, IDT(10)의 틸트선(41)의 연장선 상에 위치하고 있다. 이 배치에 의해, IDT(30A)는 IDT(10)로부터 파워 플로우 각을 갖고 전파해 오는 탄성 표면파를 모두 취득할 수 있어, 우수한 대역외 특성을 얻을 수 있다. 도 3에 도시하는 IDT(30)에 비교하여, 도 7에 도시하는 IDT(30A)는 소형이다. 따라서, 도 7에 도시하는 압전 기판(1A)을 도 3에 도시하는 압전 기판(1)보다도 소형화할 수 있으므로, 탄성 표면파 디바이스를 소형화할 수 있다.

<제4 실시예>

도 8은, 본 발명의 제4 실시예에 따른 탄성 표면파 디바이스를 도시하는 도면이다. IDT(30A)의 전극 핑거 중, IDT(10)로부터 가장 떨어진 전극 핑거의 일단은, IDT(10)의 전극 핑거 중, IDT(30)에 가장 가까운 전극 핑거로부터, 즉 아포다이즈 가중치 부여가 미소 또는 제로인 위치(42)로부터 파워 플로우 각만큼 Y+ 방향으로 오프셋한 위치에 있다. 이 배치에 의해, IDT(30A)는 위치(42)를 기준으로 하여 Y+ 방향에 위치하는 신장 부분(45)을 갖게 된다. 이 신장 부분(45)이 IDT(10)로부터의 누설 성분을 취득함으로써, 우수한 대역외 특성을 얻을 수 있다. 도 3에 도시하는 IDT(30)에 비교하여, 도 8에 도시하는 IDT(30A)는 소형이다. 따라서, 도 8에 도시하는 압전 기판(1A)을 도 3에 도시하는 압전 기판(1)보다도 소형화할 수 있으므로, 탄성 표면파 디바이스를 소형화할 수 있다. 또, 도 8의 배치에서는, 탄성 표면파의 전파 방향과, 단(42)과 IDT(10)로부터 가장 멀리 떨어진 전극 핑거의 일단을 연결하는 직선(41A)과 거의 평행하게 된다.

<제5 실시예>

도 9는, 본 발명의 제5 실시예에 따른 탄성 표면파 디바이스를 도시하는 도면이다. IDT(30A)의 전극 핑거 중, IDT(10)로부터 가장 멀리 떨어진 전극 핑거의 일단(44)(미소 또는 제로의 개구 길이의 위치에 상당함)은, IDT(10)의 최대 애퍼처를 형성하는 전극 핑거의 일단(46)을 통과하고, 파워 플로우 각의 전파 방향(47)에 평행한 직선(48)의 연장선 상에 위치하고 있다. 이에 의해, IDT(30A)는 Y+ 방향으로 신장 부분을 갖게 된다. 이 신장 부분이 IDT(10)로부터의 누설 성분을 취득함으로써, 우수한 대역외 특성을 얻을 수 있다. 도 3에 도시하는 IDT(30)에 비교하여, 도 9에 도시하는 IDT(30A)는 소형이다. 따라서, 도 9에 도시하는 압전 기판(1A)을 도 3에 도시하는 압전 기판(1)보다도 소형화할 수 있으므로, 탄성 표면파 디바이스를 소형화할 수 있다. 또, 도 9의 배치에서는, 탄성 표면파의 전파 방향과, 직선(48)은 거의 평행하게 된다.

<제6 실시예>

도 10은, 본 발명의 제6 실시예에 따른 탄성 표면파 디바이스를 도시하는 도면이다. IDT(30A)의 전극 핑거 중, IDT(10)로부터 가장 멀리 떨어진 전극 핑거의 일단(44)(미소 또는 제로의 개구 길이의 위치에 상당함)은, IDT(10)의 최대 애퍼처를 형성하는 전극 핑거의 일단(49)과 IDT(30A)에 가장 가까운 전극 핑거의 일단(50)을 연결하는 직선의 연장선(51) 상에 위치하고 있다. 도 10의 예에서는, 직선(51)의 기울기는, 파워 플로우 각보다도 크다. IDT(30A)는 Y+ 방향으로 신장 부분을 가지므로, IDT(10)로부터의 누설 성분을 확실하게 취득할 수 있어, 우수한 대역외 특성을 얻을 수 있다. 도 3에 도시하는 IDT(30)에 비교하여, 도 10에 도시하는 IDT(30A)는 소형이다. 따라서, 도 10에 도시하는 압전 기판(1A)을 도 3에 도시하는 압전 기판(1)보다도 소형화할 수 있으므로, 탄성 표면파 디바이스를 소형화할 수 있다.

<제7 실시예>

도 11은, 본 발명의 제7 실시예에 따른 탄성 표면파 디바이스를 도시하는 도면이다. 도시하는 구성은, 도 5에 도시하는 IDT(10)에 베타 패턴(55)을 부가한 구성이다. 베타 패턴(55)은, IDT(10)의 한쪽의 버스 바(도 11의 하측의 버스 바이고, 도 1에서는 버스 바(12b))에 연속하도록 배치되고, Y+ 방향의 폭은 A1과 동일하다. 베타 패턴(55)의 일단과 IDT(30)의 대응하는 단은 일직선 상에 배치되어 있다. 즉, 베타 패턴(55)의 단의 Y 축 상의 위치와, IDT(30)의 대응하는 단의 Y 축 상의 위치는 동일하다. 베타 패턴(55)이 부가된 IDT(10) 전체의 Y 축 방향의 폭과, IDT(30)의 Y 축 방향의 폭은 거의 동일하다.

<제8 실시예>

도 12는, 본 발명의 제8 실시예에 따른 탄성 표면파 디바이스를 도시하는 도면이다. 도 11의 베타 패턴(55)을 대신하여, 더미 전극(56)이 설치되어 있다. 더미 전극은 인접하는 전극 핑거가 교차하지 않으므로, 탄성 표면파를 여기하지 않는다. 패드(15)와 패드(16)에 동일한 전압을 인가하여, IDT(10)와 더미 전극(56)과의 공통된 버스 바를 그라운드 전위에 설정함으로써, 더미 전극(56)은 IDT(10)에 의해 발생하는 불요파를 소거하도록 작용한다. 이 불요파는, 특히 IDT(10)의 미소 교차 부분에서 발생한다. 더미 전극(56)의 전극 핑거 패턴은 도 12에 도시한 것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 더미 전극(56)의 일부의 전극 핑거가 미소 교차 부분을 갖는 구성이어도 된다.

<제9 실시예>

도 13은, 본 발명의 제9 실시예에 따른 탄성 표면파 디바이스를 도시하는 도면이다. 도시하는 구성은, 도 11에 도시하는 베타 패턴(55)과 도 12에 도시하는 더미 전극(56)을 조합한 것이다. IDT(10)의 전파 방향 양단부에 더미 전극(57, 58)이 설치되고, IDT(10)의 중앙 부분에 베타 패턴(59)이 형성되어 있다. IDT(10)의 전파 방향 양단부는 미소 교차 부분이므로, 여기서 발생하는 불요파를 소거하기 위해 더미 전극(57, 58)이 설치되어 있다.

도 5에 도시하는 IDT(10)의 하측 부분에 형성 가능한 패턴은 제7 실시예∼ 제9 실시예에 한정되는 것은 아니고, 다른 임의의 패턴을 형성할 수 있다.

도 14는, 도 5에 도시하는 제2 실시예의 주파수 특성(태선)과, 도 1에 도시하는 종래의 탄성 표면파 디바이스의 주파수 특성(세선)을 도시한다. 도 14의 횡축은 주파수(㎒), 종축은 감쇠량(㏈)이다. 도시한 바와 같이, 제2 실시예에서는 대역외 주파수 특성이 개선되어 있는 것을 알 수 있다. 다른 실시예에서도, 제2 실시예와 마찬가지의 주파수 특성을 얻을 수 있다.

도 15는, 도 12에 도시하는 제8 실시예의 주파수 특성(세선)과, 도 5에 도시하는 제2 실시예의 주파수 특성(태선)을 도시한다. 도면의 횡축은 주파수(㎒), 종축은 감쇠량(㏈)이다. 제8 실시예의 더미 전극(56)은 IDT(10)에 의해 발생하는 불요파를 소거하는 작용을 가지므로, 제8 실시예의 대역외 억압도는 제2 실시예보다도 한층 더 개선되어 있다.

이상 본 발명의 실시예를 설명했다. 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고, 다른 다양한 실시예, 변형예를 포함하는 것이다.

이상, 본 발명에 따르면, 소형이면서 저손실이고, 대역외 특성이 우수한 탄성 표면파 디바이스를 제공할 수 있다.

도 1은 종래의 탄성 표면파 디바이스의 평면도.

도 2는 종래의 다른 탄성 표면파 디바이스의 평면도.

도 3은 종래의 또 다른 탄성 표면파 디바이스의 평면도.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성 표면파 디바이스의 평면도.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 탄성 표면파 디바이스의 평면도.

도 6은 간이한 전극 패턴을 설명하기 위한 도면.

도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 탄성 표면파 디바이스의 평면도.

도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 탄성 표면파 디바이스의 평면도.

도 9는 본 발명의 제5 실시예에 따른 탄성 표면파 디바이스의 평면도.

도 10은 본 발명의 제6 실시예에 따른 탄성 표면파 디바이스의 평면도.

도 11은 본 발명의 제7 실시예에 따른 탄성 표면파 디바이스의 평면도.

도 12는 본 발명의 제8 실시예에 따른 탄성 표면파 디바이스의 평면도.

도 13은 본 발명의 제9 실시예에 따른 탄성 표면파 디바이스의 평면도.

도 14는 종래의 탄성 표면파 디바이스와 제2 실시예의 주파수 특성을 도시하는 도면.

도 15는 제2 실시예와 제8 실시예의 주파수 특성을 도시하는 도면.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1, 1A : 압전 기판

10, 30, 30A : IDT

10a, 10b : 빗살형 전극

12a, 12b : 버스 바

14a, 14b : 전극 핑거

15, 16, 17, 18 : 전극 패드

20 : 그라운드 전극

41 : 틸트선

55, 59 : 베타 패턴

56, 57, 58 : 더미 전극

Claims

압전 기판과, 이 위에 설치된 제1 및 제2 인터디지털 트랜스듀서(IDT)를 갖는 탄성 표면파 디바이스로서,

상기 제2 IDT의 일단과 상기 제1 IDT의 대응하는 단의 대응하는 단 상에 배치되고, 상기 제2 IDT의 타단은 상기 압전 기판의 파워 플로우 각에 기인한 누설 성분을 상기 제2 IDT를 보정하는 것이 가능하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
제1항에 있어서,

상기 제2 IDT는, 상기 누설 성분을 수신할 수 있도록, 상기 제1 IDT보다도, 상기 탄성 표면파 디바이스의 중심축에 수직인 방향으로 누설 성분이 전파하는 측으로 신장하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
제2항에 있어서,

상기 제2 IDT는, 상기 파워 플로우 각에 의한 누설 성분의 보정분만큼, 상기 제1 IDT보다도 신장하고 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
제1항에 있어서,

상기 제1 IDT는 가중치 부여된 전극 핑거 패턴을 갖고, 상기 제2 IDT의 전극 핑거 중, 상기 제1 IDT로부터 가장 멀리 떨어진 전극 핑거의 일단은, 상기 가중치 부여된 전극 패턴의 틸트선의 연장선 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
제1항에 있어서,

상기 제2 IDT의 전극 핑거 중, 상기 제1 IDT에서 가장 멀리 떨어진 전극 핑거의 일단은, 상기 제1 IDT의 전극 핑거 중, 상기 제2 IDT에 가장 가까운 전극 핑거로부터, 상기 파워 플로우 각만큼 누설 성분이 전파하는 측에 오프셋한 위치에 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
제1항에 있어서,

상기 제1 IDT는 가중치 부여된 전극 핑거 패턴을 갖고, 상기 제2 IDT의 전극 핑거 중, 상기 제1 IDT로부터 가장 멀리 떨어진 전극 핑거의 일단은, 상기 제1 IDT의 최대 애퍼처를 형성하는 전극 핑거의 일단을 통과하고, 상기 파워 플로우 각의 전파 방향에 평행한 직선의 연장선 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
제1항에 있어서,

상기 제1 IDT는 가중치 부여된 전극 핑거 패턴을 갖고, 상기 제2 IDT의 전극 핑거 중, 상기 제1 IDT로부터 가장 멀리 떨어진 전극 핑거의 일단은, 상기 제1 IDT의 최대 애퍼처를 형성하는 전극 핑거의 일단과 상기 제2 IDT에 가장 가까운 전극 핑거의 일단을 연결하는 직선의 연장선 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
제1항에 있어서,

상기 제1 IDT의 단에 연속하는 베타 패턴을 갖고, 상기 베타 패턴을 포함하는 상기 제1 IDT의 폭과, 상기 제2 IDT의 폭은 동일한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
제1항에 있어서,

상기 제1 IDT의 단에 연속하는 더미 전극을 갖고, 상기 더미 전극을 포함하는 상기 제1 IDT의 폭과, 상기 제2 IDT의 폭은 동일한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
제1항에 있어서,

상기 제1 IDT의 단에 연속하는 베타 패턴과 더미 전극을 갖고, 상기 베타 패턴 또는 더미 전극을 포함하는 상기 제1 IDT의 폭과, 상기 제2 IDT의 폭은 동일한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.