JP4283076B2 - 圧電体を用いたフィルタ - Google Patents
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Description
前記メイン電極指パターンの開口および前記サブ電極指パターンの開口は、前記伝搬方向と直交する方向に延伸し、前記少なくとも1つのIDT及び前記別のIDTの両外側には反射器が設けられておらず、前記サブ電極指パターンは、前記メイン電極指パターンの励振点に対し、弾性表面波伝搬方向に垂直な方向に前記励振点を平行移動した位置に励振点を含み、前記メイン電極指パターンと前記サブ電極指パターンとでは弾性表面波の伝搬路が異なることを特徴とするフィルタである。サブ電極指パターンがメイン電極指パターンで発生する漏れ電界による弾性表面波を相殺する弾性表面波を発生するので、フィルタの帯域外抑圧度を改善することができる。
20 グランド電極、
30、130、130A、130B IDT
110、110A、110B メイン電極指パターン
120、120A、120B、120C、120D、120E、120F1、120F2、120G1、120G2、120H、120I サブ電極指パターン
112a、112b、112c、112d バスバー
T1、T2、T3、T4 端子
Claims (15)
- 圧電基板と、この上に設けられた複数のインタディジタルトランスデューサ(IDT)とを有するフィルタであって、
少なくとも1つのIDTは重み付けされたメイン電極指パターンを有し、
前記少なくとも1つのIDTは更に、前記メイン電極指パターンに並列に接続され、該メイン電極指パターンで発生する漏れ電界によって生じる弾性表面波を相殺する弾性表面波を発生するサブ電極指パターンと、
前記少なくとも1つのIDTの前記メイン電極指パターンで発生する弾性表面波の伝搬方向に設けられた別のIDTと、を有し、
前記別のIDTの開口は、前記伝搬方向において、前記メイン電極指パターンの開口および前記サブ電極指パターンの開口と重なるように配置され、
前記メイン電極指パターンの開口および前記サブ電極指パターンの開口は、前記伝搬方向と直交する方向に延伸し、
前記少なくとも1つのIDT及び前記別のIDTの両外側には反射器が設けられておらず、
前記サブ電極指パターンは、前記メイン電極指パターンの励振点に対し、弾性表面波伝搬方向に垂直な方向に前記励振点を平行移動した位置に励振点を含み、
前記メイン電極指パターンと前記サブ電極指パターンとでは弾性表面波の伝搬路が異なることを特徴とするフィルタ。 - 同じ時間軸応答を示す位置において、前記サブ電極指パターンは前記メイン電極指パターンが生成する前記漏れ電界によって生じる弾性表面波と逆相の弾性表面波を生成する構造を有することを特徴とする請求項1記載のフィルタ。
- 前記サブ電極指パターンは、前記メイン電極指パターンの全体に対応するように設けられていることを特徴とする請求項1記載のフィルタ。
- 前記サブ電極指パターンは、前記メイン電極指パターン中の漏れ電界によって生じる弾性表面波を発生する電極指ギャップ部のすくなくとも1つに対応して設けられていることを特徴とする請求項1記載のフィルタ。
- 圧電基板と、この上に設けられた複数のインタディジタルトランスデューサ(IDT)とを有するフィルタであって、
少なくとも1つのIDTは重み付けされたメイン電極指パターンを有し、
前記少なくとも1つのIDTは更に、前記メイン電極指パターンに並列に接続され、該メイン電極指パターンで発生する漏れ電界によって生じる弾性表面波を相殺する弾性表面波を発生するサブ電極指パターンを有し、
前記サブ電極指パターンは、前記メイン電極指パターンの電極指交差幅がλ/4(λは圧電基板を伝搬する弾性表面波の波長)以下の領域に対応して配置され、
前記少なくとも1つのIDTの前記メイン電極指パターンで発生する弾性表面波の伝搬方向に設けられた別のIDTを有し、
前記別のIDTの開口は、前記伝搬方向において、前記メイン電極指パターンの開口および前記サブ電極指パターンの開口と重なるように配置され、
前記少なくとも1つのIDT及び前記別のIDTの両外側には反射器が設けられておらず、
前記サブ電極指パターンは、前記メイン電極指パターンの励振点に対し、弾性表面波伝搬方向に垂直な方向に前記励振点を平行移動した位置に励振点を含み、 前記メイン電極指パターンと前記サブ電極指パターンとでは弾性表面波の伝搬路が異なることを特徴とするフィルタ。 - 圧電基板と、この上に設けられた複数のインタディジタルトランスデューサ(IDT)とを有するフィルタであって、
少なくとも1つのIDTは重み付けされたメイン電極指パターンを有し、
前記少なくとも1つのIDTは更に、前記メイン電極指パターンに並列に接続され、該メイン電極指パターンで発生する漏れ電界によって生じる弾性表面波を相殺する弾性表面波を発生するサブ電極指パターンを有し、
前記サブ電極指パターンは、前記メイン電極指パターンの電極指交差幅がλ/4(λは圧電基板を伝搬する弾性表面波の波長)以下の領域に対応して設けられた励振点と、それ以外の領域に対応して配置されたグランド電位の電極指とを有し、
前記少なくとも1つのIDTの前記メイン電極指パターンで発生する弾性表面波の伝搬方向に設けられた別のIDTを有し、
前記別のIDTの開口は、前記伝搬方向において、前記メイン電極指パターンの開口および前記サブ電極指パターンの開口と重なるように配置され、
前記少なくとも1つのIDT及び前記別のIDTの両外側には反射器が設けられておらず、
前記サブ電極指パターンは、前記メイン電極指パターンの励振点に対し、弾性表面波伝搬方向に垂直な方向に前記励振点を平行移動した位置に励振点を含み、 前記メイン電極指パターンと前記サブ電極指パターンとでは弾性表面波の伝搬路が異なることを特徴とするフィルタ。 - 前記サブ電極指パターンは、前記メイン電極指パターンの縮小相似パターンを含むことを特徴とする請求項1記載のフィルタ。
- 圧電基板と、この上に設けられた複数のインタディジタルトランスデューサ(IDT)とを有するフィルタであって、
少なくとも1つのIDTは重み付けされたメイン電極指パターンを有し、
前記少なくとも1つのIDTは更に、前記メイン電極指パターンに並列に接続され、該メイン電極指パターンで発生する漏れ電界によって生じる弾性表面波を相殺する弾性表面波を発生するサブ電極指パターンを有し、
前記サブ電極指パターンは、前記メイン電極指パターンの電極指交差幅がλ/4(λは圧電基板を伝搬する弾性表面波の波長)以下の領域に対応して設けられた励振点と、それ以外の領域に対応して配置されたグランド電位の電極指とを有し、前記励振点は前記λ/4以下の領域の縮小相似パターンで形成され、
前記少なくとも1つのIDTの前記メイン電極指パターンで発生する弾性表面波の伝搬方向に設けられた別のIDTを有し、
前記別のIDTの開口は、前記伝搬方向において、前記メイン電極指パターンの開口および前記サブ電極指パターンの開口と重なるように配置され、
前記少なくとも1つのIDT及び前記別のIDTの両外側には反射器が設けられておらず、
前記サブ電極指パターンは、前記メイン電極指パターンの励振点に対し、弾性表面波伝搬方向に垂直な方向に前記励振点を平行移動した位置に励振点を含み、 前記メイン電極指パターンと前記サブ電極指パターンとでは弾性表面波の伝搬路が異なることを特徴とするフィルタ。 - 圧電基板と、この上に設けられた複数のインタディジタルトランスデューサ(IDT)とを有するフィルタであって、
少なくとも1つのIDTは重み付けされたメイン電極指パターンを有し、
前記少なくとも1つのIDTは更に、前記メイン電極指パターンに並列に接続され、該メイン電極指パターンで発生する漏れ電界によって生じる弾性表面波を相殺する弾性表面波を発生するサブ電極指パターンを有し、
前記サブ電極指パターンは、すべての電極指交差幅がゼロであり、
前記少なくとも1つのIDTの前記メイン電極指パターンで発生する弾性表面波の伝搬方向に設けられた別のIDTを有し、
前記別のIDTの開口は、前記伝搬方向において、前記メイン電極指パターンの開口および前記サブ電極指パターンの開口と重なるように配置され、
前記少なくとも1つのIDT及び前記別のIDTの両外側には反射器が設けられておらず、
前記サブ電極指パターンは、前記メイン電極指パターンの励振点に対し、弾性表面波伝搬方向に垂直な方向に前記励振点を平行移動した位置に励振点を含み、 前記メイン電極指パターンと前記サブ電極指パターンとでは弾性表面波の伝搬路が異なることを特徴とするフィルタ。 - 圧電基板と、この上に設けられた複数のインタディジタルトランスデューサ(IDT)とを有するフィルタであって、
少なくとも1つのIDTは重み付けされたメイン電極指パターンを有し、
前記少なくとも1つのIDTは更に、前記メイン電極指パターンに並列に接続され、該メイン電極指パターンで発生する漏れ電界によって生じる弾性表面波を相殺する弾性表面波を発生するサブ電極指パターンを有し、
前記サブ電極指パターンは電極指が交差する構成を有し、その最大電極指交差幅は、メイン電極指パターンの最小電極指交差幅、最小電極指間隔及び最小ギャップのうちの最も小さい値以下であり、
前記少なくとも1つのIDTの前記メイン電極指パターンで発生する弾性表面波の伝搬方向に設けられた別のIDTを有し、
前記別のIDTの開口は、前記伝搬方向において、前記メイン電極指パターンの開口および前記サブ電極指パターンの開口と重なるように配置され、
前記少なくとも1つのIDT及び前記別のIDTの両外側には反射器が設けられておらず、
前記サブ電極指パターンは、前記メイン電極指パターンの励振点に対し、弾性表面波伝搬方向に垂直な方向に前記励振点を平行移動した位置に励振点を含み、 前記メイン電極指パターンと前記サブ電極指パターンとでは弾性表面波の伝搬路が異なることを特徴とする記載のフィルタ。 - 圧電基板と、この上に設けられた複数のインタディジタルトランスデューサ(IDT)とを有するフィルタであって、
少なくとも1つのIDTは重み付けされたメイン電極指パターンを有し、
前記少なくとも1つのIDTは更に、前記メイン電極指パターンに並列に接続され、該メイン電極指パターンで発生する漏れ電界によって生じる弾性表面波を相殺する弾性表面波を発生するサブ電極指パターンを有し、
前記サブ電極指パターンは、前記メイン電極指パターンの電極指交差幅がλ/4(λは圧電基板を伝搬する弾性表面波の波長)以下の領域に対応して、当該領域の電極指交差部の電極指交差幅と同じ電極指交差幅を持つ電極指交差部を含み、
前記少なくとも1つのIDTの前記メイン電極指パターンで発生する弾性表面波の伝搬方向に設けられた別のIDTと、を有し、
前記別のIDTの開口は、前記伝搬方向において、前記メイン電極指パターンの開口および前記サブ電極指パターンの開口と重なるように配置され、
前記少なくとも1つのIDT及び前記別のIDTの両外側には反射器が設けられておらず、
前記サブ電極指パターンは、前記メイン電極指パターンの励振点に対し、弾性表面波伝搬方向に垂直な方向に前記励振点を平行移動した位置に励振点を含み、 前記メイン電極指パターンと前記サブ電極指パターンとでは弾性表面波の伝搬路が異なることを特徴とするフィルタ。 - 前記複数のIDTは、重み付けがされていない電極指パターンを有するIDTを含み、当該IDTの電極指パターンは前記メイン電極指パターン及びサブ電極指パターンに対して共用された構成であって、その開口長は前記メイン電極指パターンの開口長以上であることを特徴とする請求項1から11のいずれか一項記載のフィルタ。
- 前記複数のIDTは、重み付けがされていない電極指パターンを有するIDTを含み、当該IDTは前記メイン電極指パターン及びサブ電極指パターンにそれぞれ対応した第1及び第2の電極指パターンを有し、該第1及び第2の電極指パターンはそれぞれ前記メイン電極指パターン及びサブ電極指パターンの開口長以上の開口長を有していることを特徴とする請求項1から11のいずれか一項記載のフィルタ。
- 前記サブ電極指は一対のバスバーを有し、該バスバー間の距離は、前記メイン電極指の一対のバスバー間の距離よりも短いことを特徴とする請求項1から13のいずれか一項記載のフィルタ。
- 前記重み付けはアポダイズ重み付けであることを特徴とする請求項1から14のいずれか一項記載のフィルタ。
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